JP2009500812A - ポリマーの堆積を低減するためのrf吸収材料を含むプラズマ閉じ込めリング - Google Patents
ポリマーの堆積を低減するためのrf吸収材料を含むプラズマ閉じ込めリング Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009500812A JP2009500812A JP2008517075A JP2008517075A JP2009500812A JP 2009500812 A JP2009500812 A JP 2009500812A JP 2008517075 A JP2008517075 A JP 2008517075A JP 2008517075 A JP2008517075 A JP 2008517075A JP 2009500812 A JP2009500812 A JP 2009500812A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- ring
- plasma confinement
- confinement ring
- process chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Abstract
Description
Claims (36)
- プラズマプロセスチャンバ用のプラズマ閉じ込めリングアセンブリのプラズマ閉じ込めリングであって、
表面と、
RF損失材料とを備え、
前記表面が前記プラズマプロセスチャンバ内のプラズマに曝露された場合に、前記表面の上へのポリマーの堆積を大幅に低減するために十分に高い温度に前記表面が達するように、前記RF損失材料がRFエネルギーを結合するように機能することを特徴とするプラズマ閉じ込めリング。 - 前記RF損失材料がSiCまたはドープされたケイ素であることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマ閉じ込めリング。
- 前記RF損失材料が前記プラズマ閉じ込めリングの内径面の上の被覆であることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマ閉じ込めリング。
- RF透過性材料を含むことを特徴とする、請求項1に記載のプラズマ閉じ込めリング。
- 前記プラズマ閉じ込めリングが、
前記RF損失材料を含む内側リングと、
外側リングと、
前記内側リングと外側リングの間に画定された少なくとも1つの間隙とを備え、前記間隙が前記内側リングから前記外側リングへの熱伝達を低減するように機能することを特徴とする、請求項1に記載のプラズマ閉じ込めリング。 - 前記内側リングが、基本的に前記RF損失材料からなることを特徴とする、請求項5に記載のプラズマ閉じ込めリング。
- 積み重ねて配置された少なくとも2つのプラズマ閉じ込めリングであって、それぞれの前記プラズマ閉じ込めリングがプラズマ曝露面およびRF損失材料を備えるプラズマ閉じ込めリングを備え、
前記プラズマ閉じ込めリングが前記プラズマプロセスチャンバ内のプラズマに曝露された場合に、それぞれのプラズマ閉じ込めリングの前記プラズマ曝露面が前記プラズマ曝露面の上へのポリマーの堆積を大幅に低減するために十分に高い温度に達するように、前記RF損失材料がRFエネルギーを結合するように機能することを特徴とする、プラズマプロセスチャンバ用のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。 - それぞれのプラズマ閉じ込めリングがRF透過性材料を含むことを特徴とする、請求項7に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。
- 装着リングと、
前記プラズマ閉じ込めリングを前記装着リングから懸架するための装着要素とを備えることを特徴とする、請求項7に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。 - 前記プラズマ閉じ込めリングのうちの少なくとも1つが、
前記プラズマ曝露面および前記RF損失材料を備える内側リングと、
間隙が前記内側リングと外側リングの間に画定されるように、前記内側リングを支持するようになされた外側リングとを備え、前記間隙が前記内側リングから前記外側リングへの熱伝達を低減するように機能することを特徴とする、請求項7に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。 - 上方のシャワーヘッド電極と、
下方電極を備える基板支持部と、
前記シャワーヘッド電極と前記基板支持部の間の空間にプラズマを閉じ込めるように配置された、請求項7に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリとを備えることを特徴とする、プラズマプロセスチャンバ。 - 積み重ねて配置された少なくとも2つのプラズマ閉じ込めリングであって、それぞれの前記プラズマ閉じ込めリングがプラズマ曝露面およびRF損失材料を備え、
前記プラズマ閉じ込めリングが前記プラズマプロセスチャンバ内のプラズマに曝露された場合に、それぞれのプラズマ閉じ込めリングの前記プラズマ曝露面が前記プラズマ曝露面の上へのポリマーの堆積を大幅に低減するために十分に高い温度に達するように、前記RF損失材料がRFエネルギーを結合するように機能することを特徴とする、プラズマプロセスチャンバ用のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。 - 前記RF損失材料がSiCまたはドープされたケイ素であることを特徴とする、請求項12に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。
- 前記RF損失材料が前記プラズマ閉じ込めリングの内径面の上の被覆であることを特徴とする、請求項12に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。
- それぞれの前記プラズマ閉じ込めリングがRF透過性材料を含むことを特徴とする、請求項12に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。
- 装着リングと、
前記プラズマ閉じ込めリングを前記装着リングから懸架するための装着要素とを備えることを特徴とする、請求項12に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。 - 前記プラズマ閉じ込めリングのうちの少なくとも1つが、
前記RF損失材料を備える内側リングと、
外側リングと、
前記内側リングと外側リングの間に画定された少なくとも1つの間隙とを備え、前記間隙が前記内側リングから前記外側リングへの熱伝達を低減するように機能することを特徴とする、請求項12に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。 - 前記内側リングが、基本的に前記RF損失材料からなることを特徴とする、請求項17に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。
- 前記RF損失材料がドープされたケイ素またはSiCであることを特徴とする、請求項12に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。
- 上方のシャワーヘッド電極と、
下方電極を備える基板支持部と、
前記シャワーヘッド電極と前記基板支持部の間の空間にプラズマを閉じ込めるように配置された、請求項12に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリとを備えることを特徴とする、プラズマプロセスチャンバ。 - 積み重ねて配置された少なくとも2つのプラズマ閉じ込めリングであって、それぞれの前記プラズマ閉じ込めリングが、プラズマ曝露面、および前記プラズマプロセスチャンバ内でプラズマに曝露されない埋め込まれたRF損失材料を備え、
前記プラズマ閉じ込めリングが前記プラズマプロセスチャンバ内のプラズマに曝露された場合に、それぞれのプラズマ閉じ込めリングの前記プラズマ曝露面が前記プラズマ曝露面の上へのポリマーの堆積を大幅に低減するために十分に高い温度に達するように、前記RF損失材料がRFエネルギーを結合するように機能することを特徴とする、プラズマプロセスチャンバ用のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。 - 前記RF損失材料が金属材料であることを特徴とする、請求項21に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。
- それぞれの前記プラズマ閉じ込めリングが前記RF損失材料を密封するRF透過性材料を含むことを特徴とする、請求項21に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。
- 前記プラズマ閉じ込めリングのうちの少なくとも1つが第1の部分、前記第1の部分に接合された第2の部分、および前記第1の部分と第2の部分との間に配置された前記RF損失材料を備えることを特徴とする、請求項21に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。
- 前記第1の部分が、エラストマー接合部によって前記第2の部分に接合されることを特徴とする、請求項24に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。
- 前記第1の部分が前記第2の部分に溶接されることを特徴とする、請求項24に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。
- 上方のシャワーヘッド電極と、
下方電極を備える基板支持部と、
前記シャワーヘッド電極と前記基板支持部の間の空間にプラズマを閉じ込めるように配置された、請求項21に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリとを備えることを特徴とするプラズマプロセスチャンバ。 - 外側リングに支持されるようになされた内側リングを備える装着リングであって、前記内側リングがプラズマ曝露内面、前記内面の反対側の外面、および前記外面の電導性の低放射率材料の被覆を備える装着リングと、
積み重ねて配置され、前記装着リングから懸架される、少なくとも2つのプラズマ閉じ込めリングとを備えることを特徴とする、プラズマプロセスチャンバ用のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。 - 前記被覆が金属、フッ化スズ酸化物、またはインジウムスズ酸化物からなることを特徴とする、請求項28に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。
- 前記外側リングが、複数の円周方向に間隔を置いて配置された窪みと、
前記それぞれの窪みごとに取外し可能に受けられる支持要素とを備え、
前記内側リングが前記支持要素に支持されるようになされることを特徴とする、請求項28に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリ。 - プラズマプロセスチャンバ内で半導体基板を加工する方法であって、
請求項28に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリを備えるプラズマプロセスチャンバ内にプロセスガスを供給するステップと、
前記プロセスガスからプラズマを生成し、前記プラズマプロセスチャンバ内で半導体基板をエッチングするステップとを含み、
前記エッチング中に、前記内面が前記内面の上へのポリマーの堆積を大幅に低減するために十分に高い温度に達するように、前記被覆が前記内側リングの前記内面の加熱を向上させることを特徴とする方法。 - 上方のシャワーヘッド電極と、
下方電極を備える基板支持部と、
前記上方電極と前記基板支持部の間の空間にプラズマを閉じ込めるように配置された、請求項28に記載のプラズマ閉じ込めリングアセンブリとを備えることを特徴とするプラズマプロセスチャンバ。 - プラズマプロセスチャンバ内で半導体基板を加工する方法であって、
積み重ねて配置された少なくとも2つのプラズマ閉じ込めリングを備えるプラズマプロセスチャンバ内にプロセスガスを供給するステップであって、それぞれの前記プラズマ閉じ込めリングがプラズマ曝露面およびRF損失材料を備えるステップと、
前記プロセスガスからプラズマを生成し、前記プラズマプロセスチャンバ内で半導体基板をエッチングするステップとを含み、
前記エッチング中に、前記RF損失材料が、それぞれのプラズマ閉じ込めリングの前記プラズマ曝露面が前記プラズマ曝露面の上へのポリマーの堆積を大幅に低減するために十分に高い温度に達するようにRFエネルギーを結合することを特徴とする方法。 - 前記半導体基板が、前記プラズマによってエッチングされる誘電材料を備え、
前記プロセスガスが、フルオロカーボン、ハイドロフルオロカーボン、フルオロカーボンの前駆物質、およびハイドロフルオロカーボンの前駆物質からなる群から選択される少なくとも1つの成分を含むことを特徴とする、請求項33に記載の方法。 - 前記プラズマプロセスチャンバが、接地された上方のシャワーヘッド電極、異なる周波数で電力がそれに加えられる下方電極を備えることを特徴とする、請求項33に記載の方法。
- 前記半導体基板を前記プラズマプロセスチャンバから除去するステップと、
前記プラズマプロセスチャンバ内で酸素プラズマを生成するステップとをさらに含み、前記酸素プラズマが前記プラズマ閉じ込めリングからポリマーの堆積を除去するように機能することを特徴とする、請求項33に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/155,493 | 2005-06-20 | ||
US11/155,493 US7713379B2 (en) | 2005-06-20 | 2005-06-20 | Plasma confinement rings including RF absorbing material for reducing polymer deposition |
PCT/US2006/023198 WO2007001865A2 (en) | 2005-06-20 | 2006-06-14 | Plasma confinement rings including rf absorbing material for reducing polymer deposition |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011269370A Division JP5220178B2 (ja) | 2005-06-20 | 2011-12-08 | ポリマーの堆積を低減するためのrf吸収材料を含むプラズマ閉じ込めリング |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009500812A true JP2009500812A (ja) | 2009-01-08 |
JP2009500812A5 JP2009500812A5 (ja) | 2009-07-09 |
JP5492411B2 JP5492411B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=37572195
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008517075A Expired - Fee Related JP5492411B2 (ja) | 2005-06-20 | 2006-06-14 | ポリマーの堆積を低減するためのrf吸収材料を含むプラズマ閉じ込めリング |
JP2011269370A Expired - Fee Related JP5220178B2 (ja) | 2005-06-20 | 2011-12-08 | ポリマーの堆積を低減するためのrf吸収材料を含むプラズマ閉じ込めリング |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011269370A Expired - Fee Related JP5220178B2 (ja) | 2005-06-20 | 2011-12-08 | ポリマーの堆積を低減するためのrf吸収材料を含むプラズマ閉じ込めリング |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7713379B2 (ja) |
JP (2) | JP5492411B2 (ja) |
KR (2) | KR20080025690A (ja) |
CN (1) | CN101553900B (ja) |
MY (1) | MY164564A (ja) |
TW (1) | TWI416996B (ja) |
WO (1) | WO2007001865A2 (ja) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4550507B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2010-09-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US7430986B2 (en) * | 2005-03-18 | 2008-10-07 | Lam Research Corporation | Plasma confinement ring assemblies having reduced polymer deposition characteristics |
US7713379B2 (en) | 2005-06-20 | 2010-05-11 | Lam Research Corporation | Plasma confinement rings including RF absorbing material for reducing polymer deposition |
US8647484B2 (en) * | 2005-11-25 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering chamber |
US7740736B2 (en) * | 2006-06-08 | 2010-06-22 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for preventing plasma un-confinement events in a plasma processing chamber |
CN101809717B (zh) | 2007-09-25 | 2012-10-10 | 朗姆研究公司 | 用于等离子处理设备的喷头电极总成的温度控制模块 |
US8547085B2 (en) * | 2008-07-07 | 2013-10-01 | Lam Research Corporation | Plasma-facing probe arrangement including vacuum gap for use in a plasma processing chamber |
US8206506B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-06-26 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
US8221582B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-07-17 | Lam Research Corporation | Clamped monolithic showerhead electrode |
US8161906B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-04-24 | Lam Research Corporation | Clamped showerhead electrode assembly |
US8869741B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber |
US8540844B2 (en) * | 2008-12-19 | 2013-09-24 | Lam Research Corporation | Plasma confinement structures in plasma processing systems |
US8402918B2 (en) | 2009-04-07 | 2013-03-26 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode with centering feature |
US8272346B2 (en) | 2009-04-10 | 2012-09-25 | Lam Research Corporation | Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode |
SG178286A1 (en) | 2009-08-31 | 2012-03-29 | Lam Res Corp | Radio frequency (rf) ground return arrangements |
SG169960A1 (en) | 2009-09-18 | 2011-04-29 | Lam Res Corp | Clamped monolithic showerhead electrode |
KR200464037Y1 (ko) | 2009-10-13 | 2012-12-07 | 램 리써치 코포레이션 | 샤워헤드 전극 어셈블리의 에지-클램핑되고 기계적으로 패스닝된 내부 전극 |
WO2011149615A2 (en) * | 2010-05-24 | 2011-12-01 | Applied Materials, Inc. | Hybrid hotwire chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor deposition method and apparatus |
EP2602816A1 (en) * | 2010-08-06 | 2013-06-12 | Asahi Glass Company, Limited | Support substrate |
US8573152B2 (en) | 2010-09-03 | 2013-11-05 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
US9076826B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-07-07 | Lam Research Corporation | Plasma confinement ring assembly for plasma processing chambers |
CN102394255A (zh) * | 2011-11-15 | 2012-03-28 | 苏州思博露光伏能源科技有限公司 | 在柔性薄膜光伏电池制造中喷淋电极同时沉积薄膜的技术 |
CN111485226A (zh) * | 2012-07-27 | 2020-08-04 | 应用材料公司 | 粗糙化的基板支撑件 |
US10727092B2 (en) * | 2012-10-17 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Heated substrate support ring |
US11127619B2 (en) * | 2016-06-07 | 2021-09-21 | Applied Materials, Inc. | Workpiece carrier for high power with enhanced edge sealing |
KR200491165Y1 (ko) | 2017-04-14 | 2020-05-15 | 주식회사 월덱스 | 플라즈마 에칭장치용 이체형 한정 링 |
CN112713075B (zh) * | 2019-10-25 | 2024-03-12 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体隔离环、等离子体处理装置与基片处理方法 |
CN112802729A (zh) * | 2019-11-13 | 2021-05-14 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 带温度维持装置的隔离环 |
CN112928007B (zh) * | 2019-12-06 | 2023-09-12 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理设备及用于等离子体处理设备的下电极组件 |
US20230011537A1 (en) * | 2019-12-19 | 2023-01-12 | Lam Research Corporation | Encapsulated rfid in consumable chamber parts |
CN113745081B (zh) * | 2020-05-27 | 2024-03-12 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种隔离环组件、等离子体处理装置及处理方法 |
CN114649178A (zh) * | 2020-12-18 | 2022-06-21 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种下电极组件及等离子体处理装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07254588A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | プラズマ表面処理装置 |
JPH0927396A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-01-28 | Lam Res Corp | プラズマ閉じ込めを使用するプラズマエッチング装置 |
JP2002519863A (ja) * | 1998-06-30 | 2002-07-02 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理のためのエラストマ結合材と、その製造並びに利用方法 |
JP2006303309A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03106734U (ja) * | 1990-02-17 | 1991-11-05 | ||
JP3175117B2 (ja) * | 1993-05-24 | 2001-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | ドライクリーニング方法 |
US5865896A (en) * | 1993-08-27 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD reactor with combined inductive and capacitive coupling |
JPH08250488A (ja) * | 1995-01-13 | 1996-09-27 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置及びその方法 |
US5569356A (en) * | 1995-05-19 | 1996-10-29 | Lam Research Corporation | Electrode clamping assembly and method for assembly and use thereof |
US6902683B1 (en) * | 1996-03-01 | 2005-06-07 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
TW335517B (en) * | 1996-03-01 | 1998-07-01 | Hitachi Ltd | Apparatus and method for processing plasma |
US5904778A (en) * | 1996-07-26 | 1999-05-18 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide composite article particularly useful for plasma reactors |
US6008130A (en) * | 1997-08-14 | 1999-12-28 | Vlsi Technology, Inc. | Polymer adhesive plasma confinement ring |
US6090304A (en) | 1997-08-28 | 2000-07-18 | Lam Research Corporation | Methods for selective plasma etch |
US6063234A (en) | 1997-09-10 | 2000-05-16 | Lam Research Corporation | Temperature sensing system for use in a radio frequency environment |
US6039836A (en) * | 1997-12-19 | 2000-03-21 | Lam Research Corporation | Focus rings |
KR100258984B1 (ko) | 1997-12-24 | 2000-08-01 | 윤종용 | 건식 식각 장치 |
US6464843B1 (en) * | 1998-03-31 | 2002-10-15 | Lam Research Corporation | Contamination controlling method and apparatus for a plasma processing chamber |
US6019060A (en) | 1998-06-24 | 2000-02-01 | Lam Research Corporation | Cam-based arrangement for positioning confinement rings in a plasma processing chamber |
US5998932A (en) | 1998-06-26 | 1999-12-07 | Lam Research Corporation | Focus ring arrangement for substantially eliminating unconfined plasma in a plasma processing chamber |
US6178919B1 (en) | 1998-12-28 | 2001-01-30 | Lam Research Corporation | Perforated plasma confinement ring in plasma reactors |
US6451157B1 (en) | 1999-09-23 | 2002-09-17 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6227140B1 (en) * | 1999-09-23 | 2001-05-08 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing equipment having radiant heated ceramic liner |
TW492041B (en) | 2000-02-14 | 2002-06-21 | Tokyo Electron Ltd | Method and device for attenuating harmonics in semiconductor plasma processing systems |
US6872281B1 (en) * | 2000-09-28 | 2005-03-29 | Lam Research Corporation | Chamber configuration for confining a plasma |
US6391787B1 (en) | 2000-10-13 | 2002-05-21 | Lam Research Corporation | Stepped upper electrode for plasma processing uniformity |
US20020127853A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-09-12 | Hubacek Jerome S. | Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof |
US6805952B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-10-19 | Lam Research Corporation | Low contamination plasma chamber components and methods for making the same |
US6602381B1 (en) * | 2001-04-30 | 2003-08-05 | Lam Research Corporation | Plasma confinement by use of preferred RF return path |
US6527911B1 (en) | 2001-06-29 | 2003-03-04 | Lam Research Corporation | Configurable plasma volume etch chamber |
US6984288B2 (en) * | 2001-08-08 | 2006-01-10 | Lam Research Corporation | Plasma processor in plasma confinement region within a vacuum chamber |
US6706138B2 (en) * | 2001-08-16 | 2004-03-16 | Applied Materials Inc. | Adjustable dual frequency voltage dividing plasma reactor |
JP2003224115A (ja) | 2001-11-05 | 2003-08-08 | Tokyo Electron Ltd | プラズマプロセスにおけるチャンバの共振を緩和する装置並びに方法 |
TW200626020A (en) | 2001-12-13 | 2006-07-16 | Tokyo Electron Ltd | Ring mechanism, and plasma processor using the ring mechanism |
US6744212B2 (en) * | 2002-02-14 | 2004-06-01 | Lam Research Corporation | Plasma processing apparatus and method for confining an RF plasma under very high gas flow and RF power density conditions |
US6926803B2 (en) * | 2002-04-17 | 2005-08-09 | Lam Research Corporation | Confinement ring support assembly |
US6841943B2 (en) * | 2002-06-27 | 2005-01-11 | Lam Research Corp. | Plasma processor with electrode simultaneously responsive to plural frequencies |
US7405521B2 (en) * | 2003-08-22 | 2008-07-29 | Lam Research Corporation | Multiple frequency plasma processor method and apparatus |
US7430986B2 (en) * | 2005-03-18 | 2008-10-07 | Lam Research Corporation | Plasma confinement ring assemblies having reduced polymer deposition characteristics |
KR100621778B1 (ko) * | 2005-06-17 | 2006-09-11 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
US7713379B2 (en) | 2005-06-20 | 2010-05-11 | Lam Research Corporation | Plasma confinement rings including RF absorbing material for reducing polymer deposition |
US7718045B2 (en) * | 2006-06-27 | 2010-05-18 | Applied Materials, Inc. | Ground shield with reentrant feature |
-
2005
- 2005-06-20 US US11/155,493 patent/US7713379B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-14 CN CN2006800220626A patent/CN101553900B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-14 JP JP2008517075A patent/JP5492411B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-14 KR KR1020077029805A patent/KR20080025690A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-06-14 KR KR1020137001853A patent/KR101468340B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-06-14 WO PCT/US2006/023198 patent/WO2007001865A2/en active Application Filing
- 2006-06-19 MY MYPI20062899A patent/MY164564A/en unknown
- 2006-06-20 TW TW95122138A patent/TWI416996B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-03-24 US US12/730,588 patent/US8337662B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-12-08 JP JP2011269370A patent/JP5220178B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-12-06 US US13/706,640 patent/US9123650B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07254588A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | プラズマ表面処理装置 |
JPH0927396A (ja) * | 1995-07-10 | 1997-01-28 | Lam Res Corp | プラズマ閉じ込めを使用するプラズマエッチング装置 |
JP2002519863A (ja) * | 1998-06-30 | 2002-07-02 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理のためのエラストマ結合材と、その製造並びに利用方法 |
JP2006303309A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI416996B (zh) | 2013-11-21 |
JP2012099829A (ja) | 2012-05-24 |
US9123650B2 (en) | 2015-09-01 |
US20130095666A1 (en) | 2013-04-18 |
CN101553900A (zh) | 2009-10-07 |
KR20130023372A (ko) | 2013-03-07 |
US8337662B2 (en) | 2012-12-25 |
MY164564A (en) | 2018-01-15 |
US7713379B2 (en) | 2010-05-11 |
US20060283552A1 (en) | 2006-12-21 |
KR20080025690A (ko) | 2008-03-21 |
WO2007001865A3 (en) | 2009-06-18 |
US20100178774A1 (en) | 2010-07-15 |
WO2007001865A2 (en) | 2007-01-04 |
JP5220178B2 (ja) | 2013-06-26 |
TW200708207A (en) | 2007-02-16 |
JP5492411B2 (ja) | 2014-05-14 |
KR101468340B1 (ko) | 2014-12-03 |
CN101553900B (zh) | 2011-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5492411B2 (ja) | ポリマーの堆積を低減するためのrf吸収材料を含むプラズマ閉じ込めリング | |
JP4960340B2 (ja) | 低減されたポリマー堆積特性を有するプラズマ閉じ込めリング組立体 | |
KR102335248B1 (ko) | 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 엘라스토머 시일의 수명을 연장시키는 크기로 형성된 에지 링 | |
JP6728196B2 (ja) | 高温ポリマー接合によって金属ベースに接合されたセラミックス静電チャック | |
JP4935143B2 (ja) | 載置台及び真空処理装置 | |
US10557202B2 (en) | Method of processing a substrate support assembly | |
TWI765892B (zh) | 具有增強邊緣密封的用於高功率之工件載體 | |
JP4495687B2 (ja) | 静電チャック |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090521 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090521 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091020 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110909 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130222 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130516 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140131 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140303 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5492411 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |