JP2009302263A - 半導体レーザ素子用エージング装置および半導体レーザ素子の試験方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体レーザ素子の温度制御を高い精度で行うことを可能にし、かつ半導体レーザ素子に対する、信頼度の高い評価結果を得ることのできる半導体レーザ素子用エージング装置、および半導体レーザ素子の試験方法を提供することである。
【解決手段】 半導体レーザ素子用エージング装置２０において、駆動制御部３２は、電圧印加部２６を制御し、半導体レーザ素子２３の発光強度を予め定める値に調整する。送風部３３は、収容槽２１内に予め定める向きの風を送る。評価部３４は、受光測定部２８および電流測定部２７の少なくともいずれか一方の測定結果が入力値として入力され、予め定める評価基準に基づいて半導体レーザ素子２３を評価し、評価結果を出力する。補正部３６は、入力値および評価基準の少なくともいずれか１つを補正する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、通電によって稼動し発光する半導体レーザ素子のエージングを行う半導体レーザ素子用エージング装置および半導体レーザ素子を試験する半導体レーザ素子の試験方法に関する。

図８は、第１の従来技術に係る半導体レーザ素子用エージング装置１の構成を表すブロック図である。半導体レーザ素子用エージング装置１は、半導体レーザ素子２を加熱する加熱槽３と、半導体レーザ素子２の発光出力を一定値に保って駆動する定出力駆動電源４と、半導体レーザ素子２の発光出力を受光して測定するパワーモニタ５と、定出力駆動電源４の駆動電流を測定する電流モニタ６と、エージング操作の停止を指示する制御回路７とから構成される（たとえば特許文献１参照）。

第２の従来技術に係る半導体レーザ素子用エージング装置は、加熱槽内に送風するファンを備え、ファンによって加熱槽内に送風することによって、加熱槽内の熱の拡散を補助する。

特開昭６０−８７６１号公報

第１の従来技術では、半導体レーザ素子２からその周囲に放出される熱が、半導体レーザ素子２近傍に滞留し、加熱槽３内の温度分布が均一とはならず、半導体レーザ素子２の温度制御を精確に行うことが困難であるという問題点がある。

第２の従来技術では、風上に位置する半導体レーザ素子が送風によって接触する気体の温度と、風下に位置する半導体レーザ素子が送風によって接触する気体の温度とに差が生じ、風下に位置する半導体レーザ素子の温度上昇が、風上に位置する半導体レーザ素子の温度上昇よりも大きくなるという問題点がある。半導体レーザ素子が置かれる温度条件に差が生じると、複数の半導体レーザ素子を等しい条件下で測定することができず、半導体レーザ素子に対する評価結果の信頼度が下がるという問題点がある。

本発明の目的は、半導体レーザ素子の温度制御を高い精度で行うことを可能にし、かつ半導体レーザ素子に対する、信頼度の高い評価結果を得ることのできる半導体レーザ素子用エージング装置、および半導体レーザ素子の試験方法を提供する。

本発明に従えば、半導体レーザ素子用エージング装置は、収容槽と、加熱部と、温度測定部と、電圧印加部と、電流測定部と、受光測定部と、駆動制御部と、送風部と、評価部と、補正部とを含んで構成される。収容槽は、複数の半導体レーザ素子を収容し、加熱部は、半導体レーザ素子の温度を上昇させる。温度測定部は、収容槽内において温度を測定する。電圧印加部は、半導体レーザ素子に電圧を印加する。電流測定部は、電圧印加部によって半導体レーザ素子に生じる電流を測定する。

受光測定部は、半導体レーザ素子から発せられる光を受光し、半導体レーザ素子の発光強度を測定する。駆動制御部は、受光測定部による測定結果に応じて電圧印加部を制御し、半導体レーザ素子の発光強度を予め定める値に調整する。送風部は、収容槽内に予め定める向きの風を送る。評価部は、受光測定部および電流測定部の少なくともいずれか一方の測定結果が入力値として入力され、予め定める評価基準に基づいて半導体レーザ素子を評価し、評価結果を出力する。補正部は、入力値および評価基準の少なくともいずれか１つを補正する。

また本発明に従えば、半導体レーザ素子の試験方法は、収容槽と、加熱部と、温度測定部と、電圧印加部と、電流測定部と、受光測定部と、駆動制御部と、送風部と、評価部と、補正部とを用いて行われる。評価部には、受光測定部および電流測定部の少なくともいずれか一方の測定結果が入力値として入力され、評価部は、予め定める評価基準に基づいて各半導体レーザ素子を評価し、評価結果を出力する。半導体レーザ素子の試験方法は、収容工程と、加熱工程と、温度測定工程と、送風工程と、駆動工程と、補正工程と、評価工程とを含んで構成される。収容工程では、収容槽に複数の半導体レーザ素子を収容する。加熱工程では、加熱部によって半導体レーザ素子の温度を上昇させる。

温度測定工程では、温度測定部によって温度を測定する。送風工程では、送風部によって収容槽内に予め定める向きの風を送る。駆動工程では、電圧印加部によって半導体レーザ素子に電圧を印加し、半導体レーザ素子に生じる電流を電流測定部によって測定し、半導体レーザ素子の発光強度を受光測定部によって測定し、駆動制御部によって各半導体レーザ素子の発光強度を予め定める値に調整する。補正工程では、入力値および評価基準のうちの少なくともいずれか１つを、補正部によって補正する。評価工程では、評価部によって、半導体レーザ素子を評価する。

本発明によれば、半導体レーザ素子に対して信頼度の高い評価結果を得ることができる。収容槽内には送風部によって風が送られるので、半導体レーザ素子近傍の雰囲気を収容槽内に強制的に拡散させることができる。したがって、半導体レーザ素子近傍の雰囲気が対流のみによって拡散する場合に比べて、半導体レーザ素子の温度と同じ温度と成る雰囲気の存在範囲を広くすることができる。これによって、半導体レーザ素子から遠ざかった位置で半導体レーザ素子の温度を測定することが可能となる。したがって、半導体レーザ素子の温度を半導体レーザ素子近傍において測定する場合よりも、半導体レーザ素子の温度を精確かつ容易に測定することが可能となる。温度測定部を半導体レーザから遠ざかった位置に配置することが可能となるので、半導体レーザ素子に損傷が生じる可能性を低減することができる。

また送風部は、予め定める向きに風を送るので、収容槽内の半導体レーザ素子の位置によって温度差が生じても、温度の差異の把握を容易にすることができる。したがって、半導体レーザ素子の温度制御を高い精度で行うことが可能となる。また半導体レーザ素子用エージング装置は、補正部を含むので、各半導体レーザ素子のエージング条件に差異が生じても、補正部によって補正することができる。これによって、各半導体レーザ素子のエージングの条件を同一にした場合と同じ評価結果を得ることができる。したがって、半導体レーザ素子に対する評価結果の信頼度を高くすることができ、評価結果の信頼度の低下を防止することができる。

また本発明によれば、半導体レーザ素子に対して信頼度の高い評価結果を得ることができる。送風工程において半導体レーザ素子近傍の雰囲気を収容槽内に強制的に拡散させるので、半導体素子近傍の雰囲気が対流のみによって拡散する場合に比べて、半導体レーザ素子の温度と同じ温度となる雰囲気の存在範囲を広くすることができる。したがって、半導体レーザ素子から遠ざかった位置で半導体レーザ素子の温度を測定することが可能となる。したがって、半導体レーザ素子の温度を半導体レーザ素子近傍において測定する場合よりも、半導体レーザ素子の温度を精確かつ容易に測定することが可能となる。

また送風工程において、風は予め定める向きに送られるので、収容槽内の半導体レーザ素子の位置によって温度差が生じても、温度の際の把握を容易にすることができる。したがって、半導体レーザ素子の温度制御を高い精度で行うことができる。また補正工程で、評価部に入力される入力値および評価部が半導体レーザ素子を評価するときの評価基準のうちの少なくともいずれか１つの補正を行うので、各半導体レーザ素子のエージングの条件に差異が生じても、各半導体レーザ素子のエージングの条件を同一にした場合と同じ評価結果を得ることができる。したがって、半導体レーザ素子に対する評価結果を、信頼度の高いものとすることができる。

以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態を、複数の形態について説明する。以下の説明においては、各形態に先行する形態ですでに説明している事項に対応している部分には同一の参照符を付し、重複する説明を略する場合がある。構成の一部のみを説明している場合、構成の他の部分は、先行して説明している形態と同様とする。実施の各形態で具体的に説明している部分の組合せばかりではなく、特に組合せに支障が生じなければ、実施の形態同士を部分的に組合せることも可能である。またそれぞれの実施形態は、本発明に係る技術を具体化するために例示するものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。本発明に係る技術内容は、特許請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることが可能である。以下の説明は、半導体レーザ素子用エージング装置２０、半導体レーザ素子の試験方法についての説明をも含む。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ素子用エージング装置２０の構成を表すブロック図である。第１実施形態における半導体レーザ素子２３は、半導体を含んで形成され、通電によって稼動し、レーザ光を発する素子である。半導体レーザ素子用エージング装置２０は、半導体レーザ素子２３を室温よりも高温の条件下で稼動させ、半導体レーザ素子２３の発光特性を測定し、半導体レーザ素子２３の良否を評価する装置である。

第１実施形態に係る半導体レーザ素子用エージング装置２０は、収容槽２１と、加熱部２２と、温度測定部２４と、電圧印加部２６と、電流測定部２７と、受光測定部２８と、駆動制御部３２と、送風部３３と、評価部３４と、補正部３６とを含んで構成される。以下、半導体レーザ素子用エージング装置２０を、単に「エージング装置」２０と称する。収容槽２１は、複数の半導体レーザ素子２３を収容し、加熱部２２は、半導体レーザ素子２３の温度を上昇させる。温度測定部２４は、収容槽２１内において温度を測定する。電圧印加部２６は、半導体レーザ素子２３に電圧を印加する。電流測定部２７は、電圧印加部２６によって半導体レーザ素子２３に生じる電流を測定する。

受光測定部２８は、半導体レーザ素子２３から発せられる光を受光し、半導体レーザ素子２３の発光強度を測定する。駆動制御部３２は、受光測定部２８による測定結果に応じて電圧印加部２６を制御し、半導体レーザ素子２３の発光強度を予め定める値に調整する。送風部３３は、収容槽２１内に予め定める向きの風を送る。評価部３４は、受光測定部２８および電流測定部２７の少なくともいずれか一方の測定結果が入力値として入力され、予め定める評価基準に基づいて半導体レーザ素子２３を評価し、評価結果を出力する。補正部３６は、入力値および評価基準の少なくともいずれか１つを補正する。

図２は、本発明の第１実施形態に係るエージング装置２０の側面図である。図３は、本発明の第１実施形態における複数の半導体レーザ素子２３およびカセット３８の平面図である。エージング装置２０は、半導体レーザ素子２３を試験するための試験装置である。試験対象は半導体レーザ素子２３である。半導体レーザ素子２３を長期にわたって使用する場合における信頼性を測るために、エージング装置２０内に配置された半導体レーザ素子２３は、常温よりも高い温度に設定される。温度を高くすることによって、設定される時間、稼動した場合の信頼度を、設定される稼動期間よりも短い時間内に試験することができる。エージング装置２０によって試験する時間内に損傷または破損の生じる半導体レーザ素子２３は、不良品と判定されて除去される。

図２および図３に示すように、収容槽２１は、全体として直方体の形状に形成される。直方体を成す一辺の長さは、数センチメートル（centimeters, 略号「ｃｍ」）〜数十ｃｍに設定される。さらに１００ｃｍを超える大きさであっても構わない。収容槽２１は、平板状の金属製の部材から形成され、複数の半導体レーザ素子２３を収容し、これらのエージング試験が行われる間、これらを保持する。収容槽２１内には複数のカセット３８が収容される。各カセット３８には、複数の半導体レーザ素子２３を載置するための載置部が形成され、複数の半導体レーザ素子２３は、載置部上の予め定める位置に載置される。各カセット３８を取扱うことによって、複数の半導体レーザ素子２３を一度に取扱うことができる。

エージング装置２０内においてカセット３８は、載置部が上方Ｚ１に向けられた状態で配置される。載置部に垂直な方向を「上下方向」Ｚと称する。収容槽２１の直方体を成す６つの側面のうち１つは、上方Ｚ１の外部に臨み、他の１つは下方Ｚ２の外部に臨む。上方Ｚ１または下方Ｚ２の外部に臨む長方形のうちの一辺の方向を「第１方向」Ｘと称し、上下方向Ｚと第１方向Ｘとに垂直な方向を「第２方向」Ｙと称する。上下方向Ｚは第１方向Ｘと第２方向Ｙとに垂直である。収容槽２１のうち第２方向一方Ｙ１または第２方向他方Ｙ２に臨む側面部は、メッシュ状の複数の開口が形成され、第２方向Ｙに移動する気体が通過可能に形成される。

図２は、エージング装置２０を第１方向一方Ｘ１に見た側面図である。収容槽２１の内部空間を、第１方向他方Ｘ２から規定する平板状部材は、収容槽２１のうちの蓋体となっており、ヒンジによって残余の収容槽２１本体に接続される。蓋体はヒンジに設定される軸線まわりに角変位可能であり、収容槽２１本体に対して角変位することによって、収容槽２１の内部空間は外部空間に開放され、または閉塞される。複数のカセット３８は、上下方向Ｚに複数配置され、かつ第２方向Ｙにも複数配置される。

本実施形態においては、上下方向Ｚには１０段、配置され、第２方向Ｙには２列、配置される。複数のカセット３８は、第１方向Ｘには１列となっており、第１方向他方Ｘ２に引出すことによって、複数の半導体レーザ素子２３のカセット３８への配置またはカセット３８からの取出しが可能となる。各カセット３８には、図３に示すように、複数の半導体レーザ素子２３が列４１を成して載置される。収容槽２１内においてカセット３８は、予め定める位置に配置され、配置された状態で、半導体レーザ素子２３に対して電力を供給する供給路が形成される。

各カセット３８には、第２方向Ｙに５個の半導体レーザ素子２３が直線的に並べられ、第１方向Ｘには２０個、直線的に並べられる。これによって各カセット３８には、１００個の半導体レーザ素子２３が載置される。第１方向Ｘまたは第２方向Ｙに隣合う各半導体レーザ素子２３同士の間隔は、たとえば数ミリメートル（millimeters, 略号「ｍｍ」）〜数ｃｍに設定される。本実施形態において、各カセット３８において第２方向Ｙに並んで載置される半導体レーザ素子２３に注目し、これを「列」４１と称する。

カセット３８の載置部上に載置される半導体レーザ素子２３の向きは、予め定められ、通電および発光の受光は、予め定められる構成によって行われる。これによって、カセット３８の予め定める位置に半導体レーザ素子２３が載置され、電力の供給路を通じて半導体レーザ素子２３に電力が供給されると、各半導体レーザ素子２３から発せられる光線束は、予め定める向きに出射される。カセット３８には、後に説明する発光測定部が設けられる。

加熱部２２は、筐体内に配置され、本実施形態において加熱部２２は、収容槽２１内の雰囲気を加熱する。但し他の実施形態において加熱部は、半導体レーザ素子が接触するカセットを加熱する構成とすることも可能である。収容槽２１内の雰囲気は、常温よりも高く設定され、たとえば、摂氏４０度以上、１００度以下に設定される。

送風部３３は、本実施形態において、羽根車の回転運動によって気体を圧送するファン４２を有する。ファン４２は、電源から供給される電力によって稼動され、収容槽２１内に、第２方向一方Ｙ１に向けて送風を行う。ファン４２は、収容槽２１内よりも第２方向他方Ｙ２に配置され、収容槽２１の外部から収容槽２１の内部に向けて、風を送る。ファン４２によって送風を行うことによって、収容槽２１内の気体は第２方向一方Ｙ１に流れる。これによって、カセット３８上に載置される半導体レーザ素子２３近傍の雰囲気は、収容槽２１内全体に強制的に拡散され、半導体レーザ素子２３の温度と同じ温度となる雰囲気の存在領域が、半導体レーザ素子２３の周囲に広がる。

加熱部２２は、収容槽２１のうち、上方Ｚ１の外部に向かう平板状部材の内側と、下方Ｚ２の外部に向かう平板状部材の内側とにそれぞれ配置され、たとえばニクロム線を含んで構成される。加熱部２２は、通電されることによって稼動し、熱を発生し放出する。温度測定部２４は、たとえば熱電対を含んで構成され、配置された周囲の雰囲気または部材の温度を測定する。本実施形態において温度測定部２４は、収容槽２１内の雰囲気の温度を測定する。本実施形態において温度測定部２４は、複数配置され、半導体レーザ素子２３の各列４１に１つずつ設置される。

電圧印加部２６は、電圧調節部４８と、電極および配線（いずれも図示せず）とを含んで構成され、電力源に接続される。電力源は、直流電源であり、各半導体レーザ素子２３に供給される電力を発生させる。電圧調節部４８は、各半導体レーザ素子２３に印加される電圧を調節する。電極および配線は、各半導体レーザ素子２３に電力を供給する供給路を構成する。電圧調節部４８は、複数の半導体レーザ素子２３のそれぞれに対して個別に設置されてもよいけれども、本実施形態において電圧印加部２６は、５つの半導体レーザ素子２３からなる半導体レーザ素子２３の各列４１毎に配置される。

電流測定部２７は、電圧印加部２６によって半導体レーザ素子２３への電圧の印加が行われたときに、半導体レーザ素子２３に流れる電流の大きさを測定する。具体的には、半導体レーザ素子２３に流れる電流と直列に接続された電流計によって測定される。電圧が印加され、通電が行われたときの各半導体レーザ素子２３の抵抗値は、環境温度によって変化するので、半導体レーザ素子２３に流れる電流を測定する装置は、半導体レーザ素子２３の抵抗値が変化しても、電流を測定できる構成とする。

電圧印加部２６によって電圧が印加され、半導体レーザ素子２３に電流が発生すると、半導体レーザ素子２３からは光が出射される。受光測定部２８は、半導体レーザ素子２３から出射された光を受光する位置に配置される。受光測定部２８は、受光素子からなる受光部５２と、受光部５２から出力される信号が伝送される伝送路（図示せず）とを含んで構成される。受光部５２は、たとえばフォトダイオードからなり、受光した光の光強度を表す電気信号を出力する。カセット３８の載置部上の半導体レーザ素子２３が、載置部に垂直にカセット３８から離れる向き、すなわち上方Ｚ１に向けて光を出射する場合には、受光部５２は、上下方向Ｚに隣接するカセット３８および収容槽２１の最も上方Ｚ１の部材に設けられてもよいけれども、本実施実施形態において半導体レーザ素子２３は、上下方向Ｚに略垂直ないずれかの向きに光を出射する。「略垂直」は「垂直」を含む。

半導体レーザ素子２３から出射される光は、わずかに拡散するほぼ平行な光線束として出射され、カセット３８の載置部上に載置された半導体レーザ素子２３からの光線束は、同一のカセット３８に設けられる受光部５２に入射する。受光測定部２８は、半導体レーザ素子２３の個数と同じ個数、設けられ、複数の受光測定部２８は、複数の半導体レーザ素子２３に対して１対１に対応する。半導体レーザ素子２３から出射された光線束は、対応する受光測定部２８に全て入射する。受光測定部２８は、駆動制御部３２に接続され、受光部５２で受光した光の光強度を表す電気信号が、受光測定部２８から駆動制御部３２に伝送される。

駆動制御部３２は、ＡＰＣ（auto power control）ユニットとも称され、受光測定部２８と電圧印加部２６とに接続される。駆動制御部３２は、電圧印加部２６を制御して、半導体レーザ素子２３から出射される光の光強度を予め定める値に調整する。予め定める光強度は、半導体レーザ素子２３の種類に対応して設定され、１つの種類の半導体レーザ素子２３に対して１つの種類の光強度が値として設定される。

評価部３４は、たとえば中央演算処理装置（central processing unit, 略称「ＣＰＵ」）を含むマイクロコンピュータまたはパーソナルコンピュータを含んで形成され、評価部３４には、受光測定部２８からの測定結果と、温度測定部２４からの測定結果とが入力値として入力され、さらに電流測定部２７の測定結果が、直接的または間接的に入力値として入力される。評価部３４は、演算部５４と、基準記憶部５６と、結果記憶部５７とを含んで構成される。基準記憶部５６は、半導体レーザ素子２３を評価するときの評価基準が記憶されており、演算部５４は、受光測定部２８および温度測定部２４からの入力値と、直接的または間接的に入力される電流測定部２７からの入力値と、基準記憶部５６に記憶している評価基準とから、半導体レーザ素子２３を評価する。評価部３４には、さらに各半導体レーザ素子２３の位置を表す情報が入力され、評価部３４による評価結果は、各半導体レーザ素子２３の位置情報とともに出力される。

たとえば、半導体レーザ素子２３に電圧を印加しても電流が発生しなければ、その半導体レーザ素子２３を低く評価し、電流が発生しても発光が生じなければ、その半導体レーザ素子２３を低く評価する。評価部３４の半導体レーザ素子２３に対する評価は、複数の段階または数値によって表され、判定に利用される。たとえばある段階よりも評価が高ければ良品として判定され、ある段階よりも評価が低ければ、不良品として判定される。また評価結果が数値によって表される評価値として出力する場合には、ある値よりも評価値が大きければ、その半導体レーザ素子２３を良品と判定し、ある値よりも評価値が小さければ、その半導体レーザ素子２３を不良品として判定する。

評価部３４が演算部５４によって評価した各半導体レーザ素子２３の評価結果は、評価部３４内の結果記憶部５７に記憶される。半導体レーザ素子２３の良不良の判定に用いられる情報は、各半導体レーザ素子２３の収容槽２１内での位置情報と、その半導体レーザ素子２３に対応する評価結果とである。結果記憶部５７は、これらの位置情報および評価結果を記憶する。結果記憶部５７は、さらに各半導体レーザ素子２３の温度条件、各半導体レーザ素子２３の動作電流を記憶してもよい。温度測定部２４および電流測定部２７の測定結果を各半導体レーザ素子２３に関連付けて記憶することによって、評価およびエージング試験が終了した後、評価結果に影響を与えた原因を調査するときの資料とすることができる。

補正部３６は、第１実施形態において補正部３６は、少なくとも電流測定部２７の測定結果を補正する。補正部３６は、電流測定部２７の測定結果を補正し、さらに評価部３４に記憶される評価基準をも補正する構成としてもよいけれども、本実施形態において補正部３６は、電流測定部２７の結果を、温度測定部２４からの測定結果に基づいて補正する。本実施形態において温度測定部２４は、半導体レーザ素子２３から成る各列４１毎に配置され、各列４１においてその列４１を成す複数の半導体レーザ素子２３は、同一温度として取扱う。複数の半導体レーザ素子２３は、収容槽２１内において複数の列４１を成して配置され、補正部３６は、各列４１を成す複数の半導体レーザ素子２３に対して同じ補正を行う。

温度が上昇すれば、それに伴って半導体レーザ素子の抵抗は、増大する。抵抗の値をρ、半導体レーザ素子の温度をＴ、ρ_ｉおよびａを定数とすると、半導体レーザ素子の温度Ｔがデバイ温度以上の範囲では、次の式（１）で表される。
ρ＝ρ_ｉ＋ａＴ …（１）

式（１）で表される関係は、マティーセンの法則と称される。抵抗ρが温度Ｔに対して線形的に増大するのは、デバイ温度以上の範囲では、格子振動が抵抗の値を決定する主な要素となるからである。

また温度Ｔがデバイ温度より低い範囲では、抵抗ρは次の式（２）で表される関係を満たす。
ρ∝Ｔ^５ …（２）

これはグリューナイゼンの公式と称される関係式から導かれる。半導体レーザ素子の温度Ｔがデバイ温度よりも低い範囲では、格子振動子（phonon）の運動量が小さくなり、散乱に際しての電子の偏向角が小さくなるためである。デバイ温度は、格子振動のエネルギーを温度に換算したときの値を表しており、単位はケルビン（kelvin, 略号「Ｋ」）である。

図４は、本発明の第１実施形態における半導体レーザ素子２３の、第２方向Ｙの位置と電流測定部２７の測定結果と表す図である。図４には、さらに評価部３４が評価基準として記憶する電流の値５８を示してある。図４において横軸は、第２方向Ｙの位置を表し、右側は第２方向一方Ｙ１、左側は第２方向他方Ｙ２を表す。図４において縦軸は、電流の大きさを表しており、大きな電流値ほど上側に、小さな電流値ほど下側に表す。

本実施形態において送風部３３は、第２方向一方Ｙ１に風を送るので、風下に位置する半導体レーザ素子２３の温度は、風上に位置する半導体レーザ素子２３の温度よりも高くなる。具体的には、風上に位置するカセット３８に配置された温度測定部２４の測定結果５９と、風下に位置するカセット３８に配置された温度測定部２４の測定結果６０との間には、温度差６１がある。

したがって、風下に位置する半導体レーザ素子２３の抵抗は大きくなり、発光強度の値を予め定める一定の値に保つＡＰＣ制御を行うことによって、半導体レーザ素子２３に生じる電流は大きくなる。発光強度の値を予め定める一定の値に保つときに半導体レーザ素子２３に生じる電流を「動作電流」と称することがある。風下に位置する半導体レーザ素子２３の動作電流は、風上に位置する半導体レーザ素子２３の動作電流よりも大きくなるので、風下に位置する半導体レーザ素子２３の発熱量は、さらに大きくなる。

本実施形態において補正部３６には、各温度における正常な半導体レーザ素子２３の動作電流の値が記憶される。これに基づいて、補正部３６は、入力される電流測定部２７の測定結果を補正する。補正部３６は、各半導体レーザ素子２３に対応した電流測定部２７の測定結果を、同一温度における動作電流に変換して、評価部３４に対して出力する。

仮にこのような電流測定部２７の測定結果が補正されなかった場合には、抵抗の異なる半導体レーザ素子２３の動作電流が、単一の評価基準に基づいて評価され、評価基準の信頼度が低下する。信頼度とは、半導体レーザ素子２３の真の評価結果に対して、評価部３４が評価して出力した評価結果がどの程度近いかを表し、これらの評価結果の差異が大きくなれば大きくなるほど、信頼度は低下する。仮に電流測定部２７の測定結果を、温度差を考慮することなく単一の評価基準で評価すれば、温度差およびこれに伴う抵抗の差異によって誤差は大きくなるけれども、本実施形態では、補正部３６が半導体レーザ素子２３の温度と動作電流との関係に基づいて電流測定部２７の測定結果を補正するので、評価部３４が出力する評価結果の信頼度が低下することを防止することができる。

前述の収容槽２１、送風部３３、加熱部２２、温度測定部２４、半導体レーザ素子２３、電圧印加部２６、駆動制御部３２、受光測定部２８、電流測定部２７、評価部３４および補正部３６の配線関係は、図１に示される。半導体レーザ素子２３は、収容槽２１に収容され、電圧印加部２６に電気的に接続される。収容槽２１には、送風部３３、加熱部２２、温度測定部２４が設けられ、温度測定部２４は補正部３６および評価部３４に接続される。電圧印加部２６は、半導体レーザ素子２３と駆動制御部３２とに接続され、駆動制御部３２は電圧印加部２６と受光測定部２８とに接続される。

半導体レーザ素は受光測定部２８に対して、電気的には接続されていないけれども、半導体レーザ素子２３の発光強度が受光測定部２８で測定される。受光測定部２８は評価部３４に接続され、半導体レーザ素子２３からの発光強度が評価部３４に対して出力される。評価部３４は、受光測定部２８と、温度測定部２４と、補正部３６とに接続され、補正部３６は、温度測定部２４と、評価部３４と、電流測定部２７とに接続される。電流測定部２７は、半導体レーザ素子２３に電気的に接続される。

第１実施形態によれば、評価部３４は、受光測定部２８および電流測定部２７の少なくともいずれか一方の測定結果が入力値として入力され、予め定める評価基準に基づいて半導体レーザ素子２３を評価し、評価結果を出力する。補正部３６は、入力値および評価基準の少なくともいずれか１つを補正する。

これによって、半導体レーザ素子２３に対して信頼度の高い評価結果を得ることができる。収容槽２１内には送風部３３によって風が送られるので、半導体レーザ素子２３近傍の雰囲気を収容槽２１内に強制的に拡散させることができる。したがって、半導体レーザ素子２３近傍の雰囲気が対流のみによって拡散する場合に比べて、半導体レーザ素子２３の温度と同じ温度と成る雰囲気の存在範囲を広くすることができる。これによって、半導体レーザ素子２３から遠ざかった位置で半導体レーザ素子２３の温度を測定することが可能となる。したがって、半導体レーザ素子２３の温度を半導体レーザ素子２３近傍において測定する場合よりも、半導体レーザ素子２３の温度を精確かつ容易に測定することが可能となる。温度測定部２４を半導体レーザから遠ざかった位置に配置することが可能となるので、半導体レーザ素子２３に損傷が生じる可能性を低減することができる。

また送風部３３は、予め定める向きに風を送るので、収容槽２１内の半導体レーザ素子２３の位置によって温度差が生じても、温度の差異の把握を容易にすることができる。したがって、半導体レーザ素子２３の温度制御を高い精度で行うことが可能となる。またエージング装置２０は、補正部３６を含むので、各半導体レーザ素子２３のエージング条件に差異が生じても、補正部３６によって補正することができる。これによって、各半導体レーザ素子２３のエージングの条件を同一にした場合と同じ評価結果を得ることができる。したがって、半導体レーザ素子２３に対する評価結果の信頼度を高くすることができ、評価結果の信頼度の低下を防止することができる。

また第１実施形態によれば、補正部３６は、少なくとも電流測定部２７の測定結果を補正する。これによって、評価結果に対する影響の大きい入力値を補正することができる。半導体レーザ素子２３の抵抗は、半導体レーザ素子２３の温度が上昇するにつれて増大する。半導体レーザ素子２３の発光強度が予め定める値に調整される場合、半導体レーザ素子２３の温度が上昇すると、正常な半導体レーザ素子２３の電流も上昇する。補正部３６は、電流測定部２７から評価部３４に入力される測定結果を補正するので、半導体レーザ素子２３の温度上昇に伴う半導体レーザ素子２３の電流の変化を相殺した評価結果を得ることができる。これによって、半導体レーザ素子２３に対する信頼度の高い評価結果を得ることができる。

また第１実施形態によれば、複数の半導体レーザ素子２３は、収容槽２１内において複数の列４１を成して配置され、補正部３６は、各列４１を成す複数の半導体レーザ素子２３に対して同じ補正を行う。これによって、半導体レーザ素子２３に関して行う補正の種類の数を、半導体レーザ素子２３の個数よりも少なくすることができる。したがって、補正および評価に関する計算コストを低減することができる。

図５は、本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ素子の試験方法の工程を表すフローチャートである。半導体レーザ素子の試験方法は、半導体レーザ素子２３を室温よりも高温の条件下で稼動させ、半導体レーザ素子２３の発光特性を測定し、半導体レーザ素子２３の良否を評価する試験方法である。

半導体レーザ素子の試験方法は、前述のエージング装置２０を用いて行われる。評価部３４には、受光測定部２８および電流測定部２７の少なくともいずれか一方の測定結果が入力値として入力され、評価部３４は、予め定める評価基準に基づいて各半導体レーザ素子２３を評価し、評価結果を出力する。半導体レーザ素子の試験方法は、収容工程と、加熱工程と、温度測定工程と、送風工程と、駆動工程と、補正工程と、評価工程とを含んで構成される。収容工程では、収容槽２１に複数の半導体レーザ素子２３を収容する。加熱工程では、加熱部２２によって半導体レーザ素子２３の温度を上昇させる。

温度測定工程では、温度測定部２４によって温度を測定する。送風工程では、送風部３３によって収容槽２１内に予め定める向きの風を送る。駆動工程では、電圧印加部２６によって半導体レーザ素子２３に電圧を印加し、半導体レーザ素子２３に生じる電流を電流測定部２７によって測定し、半導体レーザ素子２３の発光強度を受光測定部２８によって測定し、駆動制御部３２によって各半導体レーザ素子２３の発光強度を予め定める値に調整する。補正工程では、入力値および評価基準のうちの少なくともいずれか１つを、補正部３６によって補正する。評価工程では、評価部３４によって、半導体レーザ素子２３を評価する。

本処理開始後、ステップａ１の収容工程に移行し、複数の半導体レーザ素子２３を収容槽２１に収容する。具体的には、複数の半導体レーザ素子２３をカセット３８の載置部上の予め定める位置に載置し、複数のカセット３８を収容槽２１に収容する。収容槽２１に収容された状態で、各半導体レーザ素子２３に電力を供給するための供給路が形成され、電力供給が可能となる。次にステップａ２の加熱工程に移行し、加熱部２２によって半導体レーザ素子２３の温度を上昇させる。具体的には、加熱部２２によって収容槽２１内の雰囲気を加熱することによって、間接的に半導体レーザ素子２３を加熱し、温度を上昇させる。

次にステップａ３の温度測定工程に移行し、温度測定部２４によって収容槽２１内の温度を測定する。温度測定部２４は収容槽２１内に複数配置され、配置された位置における雰囲気の温度を測定する。また温度測定部２４による測定結果は、補正部３６および評価部３４に対して出力する。温度測定部２４による測定結果は、評価部３４に入力される入力値の一部である。次にステップａ４の送風工程に移行し、送風部３３によって収容槽２１内に第２方向一方Ｙ１に向かう風を送る。収容槽２１内に送られる風は、風上から風下に向かって層流に近い安定した流れとして送られる。この送風によって、半導体レーザ素子２３近傍の雰囲気は、移動して半導体レーザ素子２３から離れ、半導体レーザ素子２３の温度と同じ温度となる雰囲気の存在範囲は、半導体レーザ素子２３の周囲に広く広げられる。

次にステップａ５の駆動工程に移行し、電圧印加部２６による電圧の印加と、電流測定部２７による電流の測定と、受光測定部２８による発光強度の測定と、駆動制御部３２による発光強度の調整とを行う。半導体レーザ素子２３に対する電圧の印加は、半導体レーザ素子２３からの発光強度の値を予め定める値に調整するために、受光測定部２８による測定と、その測定結果をフィードバックした上で駆動制御部３２によって電圧印加部２６を制御する必要がある。したがってこれらの動作は、一連の工程として同時に行われる。

受光測定部２８の測定結果は、評価部３４に入力され、電流測定部２７の測定結果は、評価部３４と補正部３６とに入力される。本実施形態において電流測定部２７の測定結果は、補正部３６を介して間接的に評価部３４に入力される。評価部３４に対して電流測定部２７から入力される測定結果は、入力値として評価基準に基づく評価の材料とされる。

次にステップａ６の補正工程に移行し、入力値および評価基準のうちの少なくともいずれか１つを、補正部３６によって補正する。本実施形態では、補正部３６は電流測定部２７の測定結果を温度情報に基づいて補正し、補正された動作電流を評価部３４に対して出力する。次にステップａ７の評価工程に移行し、評価部３４による各半導体レーザ素子２３の評価を行う。評価部３４では、前記駆動工程において安定した動作電流が得られない半導体レーザ素子２３、または安定した発光強度が得られない半導体レーザ素子２３を低く評価する。これによって半導体レーザ素子２３を良否を判定することが可能となる。

その後、本処理は終了する。補正部３６および評価部３４は、アナログ回路で形成されてもよいけれども、本実施形態においては、ＣＰＵを含むコンピュータによって実現するものとした。この試験方法は、たとえば１０分あるいは６０分の時間間隔をおいて、複数回繰返して行われてもよい。

第１実施形態によれば、評価部３４には、受光測定部２８および電流測定部２７の少なくともいずれか一方の測定結果が入力値として入力され、評価部３４は、予め定める評価基準に基づいて各半導体レーザ素子２３を評価し、評価結果を出力する。補正工程では、入力値および評価基準のうちの少なくともいずれか１つを、補正部３６によって補正する。評価工程では、評価部３４によって、半導体レーザ素子２３を評価する。

これによって、半導体レーザ素子２３に対して信頼度の高い評価結果を得ることができる。送風工程において半導体レーザ素子２３近傍の雰囲気を収容槽２１内に強制的に拡散させるので、半導体素子近傍の雰囲気が対流のみによって拡散する場合に比べて、半導体レーザ素子２３の温度と同じ温度となる雰囲気の存在範囲を広くすることができる。したがって、半導体レーザ素子２３から遠ざかった位置で半導体レーザ素子２３の温度を測定することが可能となる。したがって、半導体レーザ素子２３の温度を半導体レーザ素子２３近傍において測定する場合よりも、半導体レーザ素子２３の温度を精確かつ容易に測定することが可能となる。

また送風工程において、風は予め定める向きに送られるので、収容槽２１内の半導体レーザ素子２３の位置によって温度差が生じても、温度の際の把握を容易にすることができる。したがって、半導体レーザ素子２３の温度制御を高い精度で行うことができる。また補正工程で、評価部３４に入力される入力値および評価部３４が半導体レーザ素子２３を評価するときの評価基準のうちの少なくともいずれか１つの補正を行うので、各半導体レーザ素子２３のエージングの条件に差異が生じても、各半導体レーザ素子２３のエージングの条件を同一にした場合と同じ評価結果を得ることができる。したがって、半導体レーザ素子２３に対する評価結果を、信頼度の高いものとすることができる。

（第２実施形態）
第２実施形態に係るエージング装置２０は、第１実施形態に係るエージング装置２０に類似しており、以下、第１実施形態に対する第２実施形態の相違点を中心に説明する。

補正部３６は、各半導体レーザ素子２３の温度を、温度測定部２４の測定結果と収容槽２１内における各半導体レーザ素子２３の位置情報とから予測し、予測した予測結果に応じた補正を行う。第２実施形態において、収容槽２１内に配置される温度測定部２４は、半導体レーザ素子２３から成る列４１の数よりも少なく設定される。たとえば温度測定部２４は、１つ、２つまたは３つ設置される。本実施形態において温度測定部２４は、第２方向Ｙに離れて２つ設置される。収容槽２１内の温度分布は、風上で比較的低く、風下で比較的高くなる。

各半導体レーザ素子２３の温度は、１箇所に設置される温度測定部２４の測定結果からも予測は可能であるけれども、風上と風下とに配置される２つの温度測定部２４によって、設置された位置における雰囲気の温度と、第２方向Ｙに離れた２つの位置での温度差とを測定結果として出力することができる。各半導体レーザ素子２３の温度を予測するときには、温度測定部２４を１つ設置する場合に比べて予測の精度を高くすることができる。

補正部３６は、収容槽２１内の各半導体レーザ素子２３の温度を、前記２つの温度測定部２４の測定結果を変数とする出力として記憶しておく。この記憶内容は、予め実験によって求められる。この記憶内容は、各温度測定部２４の測定結果に対応した表として記憶しておいてもよく、また前記変数と出力とを表す関係式を記憶しておき、補正部３６に入力される温度測定部２４の測定結果を変数として関係式に代入することで、各半導体レーザ素子２３の温度を予測してもよい。この関係式は、理論式である必要はなく、実験で求められた結果に適合する経験式であってよい。

第２実施形態によれば、補正部３６は、各半導体レーザ素子２３の温度を、温度測定部２４の測定結果と収容槽２１内における各半導体レーザ素子２３の位置情報とから予測し、予測した予測結果に応じた補正を行う。これによって、温度測定部２４によって測定した各半導体レーザ素子２３の温度情報のみに基づいて補正を行う場合に比べて、設置される温度測定部２４の個数を低減することが可能となる。これによって温度測定部２４からの温度情報の出力が低減されるので、計算コストを低減することができる。

（第３実施形態）
図６は、本発明の第３実施形態に係るエージング装置２０の構成を表すブロック図である。第３実施形態に係るエージング装置２０は、第１実施形態に係るエージング装置２０に類似しており、以下、第１実施形態に対する第３実施形態の相違点を中心に説明する。

第３実施形態において温度測定部２４は、複数配置され、補正部３６は、各温度測定部２４の測定結果に応じた補正を行う。補正部３６は、予め定められる補正関数を記憶する。補正関数は、温度測定部２４の測定結果に対する評価基準の変化を表す。また補正部３６は、温度測定部２４の測定結果と補正関数とに基づいて、評価基準を補正する。

第３実施形態において温度測定部２４は、収容槽２１内に、半導体レーザ素子２３の個数と同じ個数配置され、各半導体レーザ素子２３の温度を測定する。具体的には、各半導体レーザ素子２３の近く、わずかに風下に配置され、温度を測定する。各温度測定部２４による測定結果は、各半導体レーザ素子２３の位置情報と１対１に対応した２つで１組の情報として取扱われ、各半導体レーザ素子２３の評価基準の補正および評価に利用される。

補正部３６は、関数記憶部６６を含んで構成され、関数記憶部６６は、各温度測定部２４の測定結果を変数とし、出力としての評価基準を記憶している。関数記憶部６６に記憶される評価基準は、正常な半導体レーザ素子２３が各温度で示す動作電流の値に対応する。補正部３６に各温度測定部２４からの測定結果が入力されることによって補正部３６は、それぞれの半導体レーザ素子２３について、各温度に対応する評価基準としての動作電流の値を出力し、評価部３４内の基準記憶部５６に伝送する。

評価部３４には、各半導体レーザ素子２３の動作電流を測定した電流測定部２７の測定結果が直接的に入力され、評価部３４は、補正部３６から出力された動作電流の値を基準記憶部５６に記憶し、各半導体レーザ素子２３についての評価基準に基づいて、評価を行う。本実施形態では、評価部３４が評価を行うときの評価基準を補正するので、電流測定部２７からの測定結果を補正する必要はない。ただし他の実施形態において、電流測定部の測定結果は、補正部を介して評価部に間接的に入力されてもよい。これによって、電流測定部からの測定結果として、予め予測される範囲を逸脱した結果を、たとえば零などの特異な信号情報として評価部に入力し、評価部による評価にかかる計算コストを削減することが可能となる。

第３実施形態によれば、温度測定部２４は、複数配置され、補正部３６は、各温度測定部２４の測定結果に応じた補正を行う。これによって、各半導体レーザ素子２３の温度情報を予測によって得る場合に比べて、評価結果の精度を高くすることができる。したがって、半導体レーザ素子２３に対する、信頼度の高い評価結果を得ることができる。

また第３実施形態によれば、補正部３６は、予め定められる補正関数を記憶する。補正関数は、温度測定部２４の測定結果に対する評価基準の変化を表す。また補正部３６は、温度測定部２４の測定結果と補正関数とに基づいて、評価基準を補正する。

これによって、半導体レーザ素子２３の発光強度が予め定める値に調整されるときの、温度上昇に伴う半導体レーザ素子２３の電流の変化を、相殺することができる。仮に評価部３４が半導体レーザ素子２３を評価するときの評価基準が、半導体レーザ素子２３の温度に関わらず一定である場合、正常な半導体レーザ素子２３に対する評価結果が温度の変化に伴う誤差を含むことになる。補正部３６は、評価基準を補正するので、評価部３４から出力される評価結果の信頼度を高くすることができる。また補正部３６は、補正関数に基づいて補正を行うので、半導体レーザ素子２３の位置情報、通電時間、温度情報および電流に対応した複数の評価基準から、択一的に評価基準を使用する場合に比べて、計算コストを低減することができる。

（第４実施形態）
図７は、本発明の第４実施形態に係るエージング装置２０の構成を表すブロック図である。第４実施形態に係るエージング装置２０は、第２実施形態に係るエージング装置２０に類似しており、以下、第２実施形態に対する第４実施形態の相違点を中心に説明する。第４実施形態に係るエージング装置２０は、半導体レーザ素子２３に電圧が印加されてからの通電時間を測定する時間測定部６７をさらに含み、補正部３６は、各半導体レーザ素子２３の温度を、温度測定部２４および時間測定部６７の測定結果から予測し、予測した予測結果に応じた補正を行う。

半導体レーザ素子２３同士の温度差は、時間の経過に伴って変化する。温度測定部２４が半導体レーザ素子２３の個数よりも少なく、複数設置される場合には、各温度測定部２４の測定結果の差から各半導体レーザ素子２３の温度を予測することは可能であるけれども、半導体レーザ素子２３の温度差の時間変化が無視できない場合には、各温度測定部２４の測定結果にも通電時間にも基づいて各半導体レーザ素子２３の温度を予測することによって、予測結果の誤差を小さくすることができる。

半導体レーザ素子２３に電圧の印加を開始してからの通電時間に伴って変化する各半導体レーザ素子２３の温度は、予め実験によって測定しておく。実験によって求められた結果は、各温度測定部２４の測定結果と通電時間とを変数とし、出力される結果として補正部３６に記憶される。出力としての実験結果は、各温度測定部２４の測定結果と通電時間とを変数として表にまとめられて記憶されてもよく、また前記変数と前記出力とを表す関係式として記憶されてもよい。

第４実施形態によれば、エージング装置２０は、半導体レーザ素子２３に電圧が印加されてからの通電時間を測定する時間測定部６７をさらに含み、補正部３６は、各半導体レーザ素子２３の温度を、温度測定部２４および時間測定部６７の測定結果から予測し、予測した予測結果に応じた補正を行う。これによって、位置による各半導体レーザ素子２３の温度の差異の、通電時間に対する依存性に応じた補正を行うことができる。収容槽２１内において各半導体レーザ素子２３の温度の、位置による差異は、電圧が印加されている間の通電時間にも依存して変化する。したがって、各半導体レーザ素子２３の温度の、通電時間による変化を考慮することなく、各半導体レーザ素子２３の位置情報によってのみ各半導体レーザ素子２３の温度を予測する場合に比べて、各半導体レーザ素子２３の温度の予測結果に含まれる誤差を小さくすることができる。これによって、半導体レーザ素子２３に対する、信頼度の高い評価結果を得ることができる。

（変形例）
第１〜第４実施形態において、複数の温度測定部２４の測定結果は、補正部３６および評価部３４に直接入力され、各測定結果は、各半導体レーザ素子２３の評価に直接用いられるものとしたけれども、他の実施形態において複数の温度測定部の測定結果は、平均を求める計算が行われた後に、利用されてもよい。第３実施形態において温度測定部２４は、半導体レーザ素子２３の個数と同じ個数配置された。たとえばこのような第３実施形態に類似する実施形態において、第１実施形態の半導体レーザ素子２３から成る列４１のように、温度差が無視できる程度に小さい複数の半導体レーザ素子２３については、これら複数の半導体レーザ素子２３の温度を平均化し、複数の半導体レーザ素子２３が互いに同一の温度であるものとして評価の処理を行ってもよい。

このような平均計算は、評価部３４が行ってもよく、補正部３６が行ってもよく、また複数の半導体レーザ素子２３の温度の平均計算を行う温度平均計算部（図示せず）をさらに設置してもよい。平均計算を行うことによって、評価部３４における計算コストを低減することができる。したがって、評価部３４による評価に係る時間を短縮することができる。

特に複数の半導体レーザ素子２３が、位置的にもその温度の値も互いに近い場合に平均化を行い、温度の値が大きい条件下では平均計算を終了する構成とすることもできる。これによって、評価を行うときに、温度差が誤差要因として無視できない場合には誤差の増大を防止し、温度差が無視できる場合には評価部３４における計算コストを低減することが可能と成る。

半導体レーザ素子の試験方法が、複数の温度測定部２４の測定結果のうちの少なくとも一部を平均化する平均計算工程をさらに含むときには、評価部３４における計算コストを低減することができ、また評価部３４による評価にかかる時間を短縮することができる。この場合には、平均計算工程は、図５に示すフローチャートにおいて、ステップａ５の駆動工程の後、ステップａ７の評価工程よりも先に行われる。平均計算工程は、たとえば補正工程と同時に行われてもよい。

本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ素子用エージング装置２０の構成を表すブロック図である。 本発明の第１実施形態に係るエージング装置２０の側面図である。 図３は、本発明の第１実施形態における複数の半導体レーザ素子２３およびカセットの平面図である。 本発明の第１実施形態における半導体レーザ素子２３の、第２方向Ｙの位置と電流測定部２７の測定結果と表す図である。 本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ素子の試験方法の工程を表すフローチャートである。 本発明の第３実施形態に係るエージング装置２０の構成を表すブロック図である。 本発明の第４実施形態に係るエージング装置２０の構成を表すブロック図である。 第１の従来技術に係る半導体レーザ素子用エージング装置１の構成を表すブロック図である。

符号の説明

２０ 半導体レーザ素子用エージング装置
２１ 収容槽
２２ 加熱部
２３ 半導体レーザ素子
２４ 温度測定部
２６ 電圧印加部
２７ 電流測定部
２８ 受光測定部
３２ 駆動制御部
３３ 送風部
３４ 評価部
３６ 補正部
４８ 電圧調節部
６７ 時間測定部

Claims (8)

1. 複数の半導体レーザ素子を収容する収容槽と、
   前記半導体レーザ素子の温度を上昇させる加熱部と、
   前記収容槽内において温度を測定する温度測定部と、
   前記半導体レーザ素子に電圧を印加する電圧印加部と、
   前記電圧印加部によって前記半導体レーザ素子に生じる電流を測定する電流測定部と、
   前記半導体レーザ素子から発せられる光を受光し、前記半導体レーザ素子の発光強度を測定する受光測定部と、
   前記受光測定部による測定結果に応じて前記電圧印加部を制御し、前記半導体レーザ素子の発光強度を予め定める値に調整する駆動制御部と、
   前記収容槽内に予め定める向きの風を送る送風部と、
   前記受光測定部および前記電流測定部の少なくともいずれか一方の測定結果が入力値として入力され、予め定める評価基準に基づいて各半導体レーザ素子を評価し、評価結果を出力する評価部と、
   前記入力値および前記評価基準の少なくともいずれか１つを補正する補正部とを含むことを特徴とする半導体レーザ素子用エージング装置。
2. 前記補正部は、各半導体レーザ素子の温度を、前記温度測定部の測定結果と前記収容槽内における各半導体レーザ素子の位置情報とから予測し、予測した予測結果に応じた補正を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子用エージング装置。
3. 前記半導体レーザ素子に電圧が印加されている間の通電時間を測定する時間測定部をさらに含み、
   前記補正部は、各半導体レーザ素子の温度を、前記温度測定部および前記時間測定部の測定結果から予測し、予測した予測結果に応じた補正を行うことを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ素子用エージング装置。
4. 前記温度測定部は、複数配置され、前記補正部は、各温度測定部の測定結果に応じた補正を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子用エージング装置。
5. 前記補正部は、少なくとも前記電流測定部の測定結果を補正することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子用エージング装置。
6. 前記補正部は、予め定められる補正関数であって、前記温度測定部の測定結果に対する前記評価基準の変化を表す補正関数を記憶し、
   前記温度測定部の測定結果と前記補正関数とに基づいて前記評価基準を補正することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子用エージング装置。
7. 複数の前記半導体レーザ素子は、前記収容槽内において複数の列を成して配置され、
   前記補正部は、各列を成す複数の半導体レーザ素子に対して同じ補正を行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子用エージング装置。
8. 複数の半導体レーザ素子を収容する収容槽と、前記半導体レーザ素子の温度を上昇させる加熱部と、前記収容槽内において温度を測定する温度測定部と、前記半導体レーザ素子に電圧を印加する電圧印加部と、前記電圧印加部によって前記半導体レーザ素子に生じる電流を測定する電流測定部と、前記半導体レーザ素子から発せられる光を受光し、前記半導体レーザ素子の発光強度を測定する受光測定部と、前記受光測定部による測定結果に応じて前記電圧印加部を制御し、前記半導体レーザ素子の発光強度を予め定める値に調整する駆動制御部と、前記収容槽内に予め定める向きの風を送る送風部と、前記受光測定部および前記電流測定部の少なくともいずれか一方の測定結果が入力値として入力され、予め定める評価基準に基づいて各半導体レーザ素子を評価し、評価結果を出力する評価部と、前記入力値および前記評価基準の少なくともいずれか１つを補正する補正部とを用い、
   前記収容槽に複数の半導体レーザ素子を収容する収容工程と、
   前記加熱部によって前記半導体レーザ素子の温度を上昇させる加熱工程と、
   前記温度測定部によって温度を測定する温度測定工程と、
   前記送風部によって収容槽内に予め定める向きの風を送る送風工程と、
   前記電圧印加部によって前記半導体レーザ素子に電圧を印加し、前記半導体レーザ素子に生じる電流を前記電流測定部によって測定し、前記半導体レーザ素子の発光強度を前記受光測定部によって測定し、前記駆動制御部によって各半導体レーザ素子の発光強度を予め定める値に調整するする駆動工程と、
   前記入力値および前記評価基準のうちの少なくともいずれか１つを、前記補正部によって補正する補正工程と、
   前記評価部によって前記半導体レーザ素子を評価する評価工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ素子の試験方法。

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