CN116577627B - 半导体激光器可靠性测试方法、系统及介质 - Google Patents
半导体激光器可靠性测试方法、系统及介质 Download PDFInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 376
- 238000010998 test method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 165
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims abstract description 87
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 3
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/02—Testing optical properties
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
本发明涉及激光器技术领域,特别涉及一种半导体激光器可靠性测试方法、系统及介质。本发明设计和计算半导体激光器功率稳定程度评估指数、半导体激光器环境温度稳定程度评估指数,并依据半导体激光器功率稳定程度评估指数、半导体激光器环境温度稳定程度评估指数进行热源调控,减少了半导体激光器温度可靠性测试所需的时间,增加了半导体激光器温度可靠性测试的效率;本发明采用两阶段调控方式,在升温过程中使半导体激光器功率稳定程度保持较高水平,在温度达到测试温度后使温度和功率波动同步逐渐减小,实现既减少了升温时间,又减少了温度和功率稳定下来的时间,使半导体激光器温度可靠性测试效率进一步提升。
Description
技术领域
本发明涉及激光器技术领域,特别涉及一种半导体激光器可靠性测试方法、系统及介质。
背景技术
半导体激光器由于其独特的发光原理,能够应用于包括高温环境在内的各类极端环境中,随着激光应用的愈发广泛,对半导体激光器在高温环境下的可靠性又提出了新的要求。因此,对半导体激光器及其设备进行温度可靠性测试是半导体激光器检验测试的重要步骤。
现有的半导体激光器温度可靠性测试过程通常先逐步提高激光器的发光功率,待发光功率稳定下来以后,再缓慢加热激光器工作温度直到目标温度,当激光器工作温度达到目标温度后,再控制热源使激光器工作温度维持一段时间,此时才能记录数据。
然而,本发明的发明人发现,在现有技术的半导体激光器温度可靠性测试方法中,存在以下问题:
(1)半导体激光器发光功率稳定后,如果激光器升温过快,则会导致功率变得不稳定,因此只能保持较慢地升温以使半导体激光器的发光功率维持稳定,这会使激光器的升温过程显著加长;
(2)即使激光器温度到达预设温度,由于热源对半导体激光器温度调整较为滞后,使半导体激光器温度在第一预设范围内存在波动,从而导致半导体激光器的发光功率发生变化,超出稳定范围。实际测试过程中,要消除这一变化往往还需要3-5分钟,使整个测试过程的时长变得更长。
发明内容
有鉴于此,本发明的第一个目的在于提供一种半导体激光器可靠性测试方法,通过设计并计算半导体激光器功率稳定程度评估指数、半导体激光器环境温度稳定程度评估指数,并基于上述指数进行两阶段调控,减少了半导体激光器温度稳定下来的时间,增加了测试效率。
基于同样的发明构思,本发明的第二个目的在于提供一种半导体激光器可靠性测试系统。
基于同样的发明构思,本发明的第三个目的在于提供一种存储介质。
本发明的第一个目的可以通过如下技术方案达到:
一种半导体激光器可靠性测试方法,包括以下步骤:
等时间间隔地获取热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据;
根据热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据,计算半导体激光器功率稳定程度评估指数和半导体激光器环境温度稳定程度评估指数;
当半导体激光器环境温度数据低于第一预设范围时,根据半导体激光器功率稳定程度评估指数,调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数不低于第一预设阈值;
当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,且半导体激光器功率稳定程度评估指数高于第一预设阈值时,调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数降低,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数降低;
当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,半导体激光器功率稳定程度评估指数低于第一预设阈值,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数低于第二预设阈值时,记录此时的环境温度数据及半导体激光器功率数据。
进一步的,根据热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据,计算半导体激光器功率稳定程度评估指数,包括以下步骤:
根据热源工作功率数据计算时间间隔内热源工作功率数据平均值,根据半导体激光器环境温度数据计算时间间隔内半导体激光器环境温度变化值和半导体激光器环境温度平均值,根据半导体激光器工作功率数据计算时间间隔内半导体激光器工作功率变化值;
根据热源工作功率数据平均值、半导体激光器环境温度变化值以及半导体激光器工作功率变化值,计算半导体激光器功率稳定程度评估指数。
进一步的,根据热源工作功率数据平均值、半导体激光器环境温度变化值以及半导体激光器工作功率变化值,计算半导体激光器功率稳定程度评估指数,其表达式为:
;
其中,为半导体激光器功率稳定程度评估指数,/>为功率变化系数,/>为环境功率影响系数,/>为第一热源系数,/>为半导体激光器环境温度平均值,/>为半导体激光器环境温度变化值,/>为热源工作功率数据平均值,/>为半导体激光器工作功率变化值。
进一步的,根据热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据,计算半导体激光器环境温度稳定程度评估指数,包括以下步骤:
根据热源工作功率数据计算时间间隔内热源工作功率数据平均值,根据半导体激光器环境温度数据计算时间间隔内半导体激光器环境温度变化值,根据半导体激光器工作功率数据计算时间间隔内半导体激光器工作功率平均值;
根据热源工作功率数据平均值、半导体激光器环境温度变化值以及半导体激光器工作功率平均值,计算半导体激光器环境温度稳定程度评估指数。
进一步的,根据热源工作功率数据平均值、半导体激光器环境温度变化值,半导体激光器工作功率平均值,计算半导体激光器环境温度稳定程度评估指数,其表达式为:
;
其中,为半导体激光器环境温度稳定程度评估指数,/>为温度变化系数,/>为环境温度影响系数,/>为第二热源系数,/>为半导体激光器环境温度平均值,/>为半导体激光器环境温度变化值,/>为热源工作功率数据平均值,/>为半导体激光器工作功率变化值。
进一步的,当半导体激光器环境温度数据低于第一预设范围时,根据半导体激光器功率稳定程度评估指数,调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数不低于第一预设阈值,具体为:
当环境温度数据低于第一预设范围时,若半导体激光器功率稳定程度评估指数低于第一预设阈值,则调高热源工作功率,使半导体激光器功率稳定程度评估指数达到第一预设阈值;
持续计算半导体激光器功率稳定程度评估指数,并根据半导体激光器功率稳定程度评估指数调整热源工作功率,使半导体激光器功率稳定程度评估指数不低于第一预设阈值,且不高于第二预设阈值。
进一步的,当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,且半导体激光器功率稳定程度评估指数高于第一预设阈值时,调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数降低,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数降低,具体为:
根据半导体激光器工作功率数据,计算时间间隔内半导体激光器工作功率的变化值;
根据半导体激光器环境温度数据,计算时间间隔内半导体激光器环境温度数据的变化值;
当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,且半导体激光器功率稳定程度评估指数高于第一预设阈值时,根据半导体激光器功率稳定程度评估指数、半导体激光器环境温度稳定程度评估指数,使用预设方法调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数降低,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数降低。
进一步的,所述预设方法包括:
当半导体激光器功率稳定程度评估指数的变化值在第二预设范围内,且半导体激光器环境温度稳定程度评估指数的变化值在第三预设范围内时,保持热源工作功率不变;
当半导体激光器功率稳定程度评估指数的变化值低于第二预设范围,且半导体激光器环境温度稳定程度评估指数的变化值低于第三预设范围时,降低热源工作功率。
本发明的第二个目的可以通过如下技术方案达到:
一种半导体激光器可靠性测试系统,包括:
数据获取模块,用于等时间间隔地获取热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据;
评估模块,用于根据热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据,计算半导体激光器功率稳定程度评估指数以及半导体激光器环境温度稳定程度评估指数;
第一调整模块,用于当半导体激光器环境温度数据低于第一预设范围时,根据半导体激光器功率稳定程度评估指数,调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数不低于第一预设阈值;
第二调整模块,用于当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,且半导体激光器功率稳定程度评估指数高于第一预设阈值时,调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数降低,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数降低;
记录模块,用于当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,半导体激光器功率稳定程度评估指数低于第一预设阈值,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数低于第二预设阈值时,记录此时的环境温度数据及半导体激光器功率数据。
本发明的第三个目的可以通过如下技术方案达到:
一种计算机可读存储介质,存储有程序,所述程序被处理器执行时,实现上述的半导体激光器可靠性测试方法。
本发明相对于现有技术具有如下的有益效果:
(1)本发明设计和计算半导体激光器功率稳定程度评估指数、半导体激光器环境温度稳定程度评估指数,并依据半导体激光器功率稳定程度评估指数、半导体激光器环境温度稳定程度评估指数进行热源调控,减少了半导体激光器温度可靠性测试所需的时间,增加了半导体激光器温度可靠性测试的效率;
(2)本发明采用两阶段调控方式,在升温过程中使半导体激光器功率稳定程度保持较低水平,在温度达到测试温度后使温度和功率波动同步逐渐减小,实现既减少了升温时间,又减少了温度和功率稳定下来的时间,使半导体激光器温度可靠性测试效率进一步提升。
附图说明
图1是本发明实施例1的半导体激光器可靠性测试方法流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1:
如图1所示,本实施例提供一种半导体激光器可靠性测试方法,包括以下步骤:
S100、等时间间隔地获取热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据;
本实施例中,热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据可以通过对对应的设备直接测量获得,也可以通过对应设备的工作电压、电流等数据计算从而间接获得。在本发明的一个优选实施例中,热源工作功率数据由热源直接输出得到,半导体激光器环境温度数据为对半导体激光器热沉安装温度传感器,再进一步读取温度传感器数据得到,半导体激光器工作功率数据由半导体激光器的工作电压、电流计算得到。本发明的其它实施例中,环境温度数据可以是半导体激光器壳体的温度数据、温度可靠性测试设备基板的温度数据,以及其它可能的半导体激光器工作时,其所处的环境的温度数据。
S200、根据热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据,计算半导体激光器功率稳定程度评估指数和半导体激光器环境温度稳定程度评估指数,包括以下步骤:
S210、计算半导体激光器功率稳定程度评估指数,半导体激光器功率稳定评估指数用于表征半导体激光器工作功率稳定程度,半导体激光器功率稳定程度评估指数越高,表明半导体激光器工作功率稳定程度越低,即半导体激光器功率波动越大,具体包括:
S211、根据热源工作功率数据计算时间间隔内热源工作功率数据平均值,根据半导体激光器环境温度数据计算时间间隔内半导体激光器环境温度变化值和半导体激光器环境温度平均值,根据半导体激光器工作功率数据计算时间间隔内半导体激光器工作功率变化值;
S212、计算半导体激光器功率稳定程度评估指数,半导体激光器功率稳定程度评估指数的表达式为:
;
其中,为半导体激光器功率稳定程度评估指数,/>为功率变化系数,/>为环境功率影响系数,/>为第一热源系数,/>为半导体激光器环境温度平均值,/>为半导体激光器环境温度变化值,/>为热源工作功率数据平均值,/>为半导体激光器工作功率变化值。
S220、计算半导体激光器环境温度稳定程度评估指数,半导体激光器环境温度稳定评估指数用于表征半导体激光器工作环境温度的稳定程度,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数越高,表明半导体激光器工作环境温度稳定程度越低,即半导体激光器工作环境温度波动越大,包括以下步骤:
S221、根据热源工作功率数据计算时间间隔内热源工作功率数据平均值,根据半导体激光器环境温度数据计算时间间隔内半导体激光器环境温度变化值,根据半导体激光器工作功率数据计算时间间隔内半导体激光器工作功率平均值;
S222、计算半导体激光器环境温度稳定程度评估指数,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数的表达式为:
;
其中,为半导体激光器环境温度稳定程度评估指数,/>为温度变化系数,/>为环境温度影响系数,/>为第二热源系数,/>为半导体激光器环境温度平均值,/>为半导体激光器环境温度变化值,/>为热源工作功率数据平均值,/>为半导体激光器工作功率变化值。
S300、当半导体激光器环境温度数据低于第一预设范围时,根据半导体激光器功率稳定程度评估指数,调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数不低于第一预设阈值,具体包括以下步骤:
S310、当半导体激光器环境温度数据低于第一预设范围时,若半导体激光器功率稳定程度评估指数低于第一预设阈值,则调高热源工作功率,使半导体激光器功率稳定程度评估指数达到第一预设阈值;
S320、持续计算半导体激光器功率稳定程度评估指数,并根据半导体激光器功率稳定程度评估指数调整热源工作功率,使半导体激光器功率稳定程度评估指数不低于第一预设阈值,且不高于第二预设阈值。
当半导体激光器环境温度数据低于第一预设范围时,即此时仍需通过热源对半导体激光器工作环境进行加热,此时可以使半导体激光器功率稳定程度保持较低水平,也就是使半导体激光器功率稳定程度评估指数不低于第一预设阈值,且不高于第二预设阈值。
S400、当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,且半导体激光器功率稳定程度评估指数高于第一预设阈值时,调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数降低,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数降低,具体包括以下步骤:
S410、根据半导体激光器工作功率数据,计算时间间隔内半导体激光器工作功率的变化值;根据半导体激光器环境温度数据,计算时间间隔内半导体激光器环境温度数据的变化值;
S420、当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,且半导体激光器功率稳定程度评估指数高于第一预设阈值时,根据半导体激光器功率稳定程度评估指数和半导体激光器环境温度稳定程度评估指数,使用预设方法调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数降低,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数降低。
本实施例中,步骤S420的调整热源工作状态方法,包括以下步骤:
S421、当半导体激光器功率稳定程度评估指数的变化值在第二预设范围内,且半导体激光器环境温度稳定程度评估指数的变化值在第三预设范围内时,保持热源工作功率不变;
S422、当半导体激光器功率稳定程度评估指数的变化值低于第二预设范围,且半导体激光器环境温度稳定程度评估指数的变化值低于第三预设范围时,提高热源工作功率。
当半导体激光器功率稳定程度评估指数的变化值在第二预设范围内,且半导体激光器环境温度稳定程度评估指数的变化值在第三预设范围内时,即表明此时热源工作功率较为合适,半导体激光器功率稳定程度评估指数、半导体激光器环境温度稳定程度评估指数会同步降低,最终在可以接受的时间差内都达到稳定。
当半导体激光器功率稳定程度评估指数的变化值低于第二预设范围,且半导体激光器环境温度稳定程度评估指数的变化值低于第三预设范围时,即表明此时热源对半导体激光器工作环境影响仍存在较多滞后,因此应当降低热源工作功率,或打开冷源,消除滞后带来的影响。
当半导体激光器功率稳定程度评估指数的变化值和半导体激光器环境温度稳定程度评估指数的变化值处于其他情形时,应根据激光器型号、种类、结构等因素进行分析,并采取相应措施,使半导体激光器功率稳定程度评估指数的变化值在第二预设范围内,同事半导体激光器环境温度稳定程度评估指数的变化值在第三预设范围内。
S500、当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,半导体激光器功率稳定程度评估指数低于第一预设阈值,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数低于第二预设阈值时,记录此时的环境温度数据及半导体激光器功率数据。
本实施例步骤S300-S500的第一预设范围为半导体激光器温度可靠性测试时,对温度的要求范围;本实施例步骤S300-S500的第一预设阈值、第二预设阈值、第二预设范围、第三预设范围可以根据半导体激光器的型号、种类、结构等因素具体设置。
综上所述,本实施例设计和计算半导体激光器功率稳定程度评估指数、半导体激光器环境温度稳定程度评估指数,并依据半导体激光器功率稳定程度评估指数、半导体激光器环境温度稳定程度评估指数进行热源调控,减少了半导体激光器温度可靠性测试所需的时间,增加了半导体激光器温度可靠性测试的效率;本实施例采用两阶段调控方式,在升温过程中使半导体激光器功率稳定程度保持较低水平,在温度达到测试温度后使温度和功率波动同步逐渐减小,实现既减少了升温时间,又减少了温度和功率稳定下来的时间,使半导体激光器温度可靠性测试效率进一步提升。
实施例2:
本实施例提供一种半导体激光器可靠性测试系统,包括:
数据获取模块,用于等时间间隔地获取热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据;
评估模块,用于根据热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据,计算半导体激光器功率稳定程度评估指数和半导体激光器环境温度稳定程度评估指数;
第一调整模块,用于当半导体激光器环境温度数据低于第一预设范围时,根据半导体激光器功率稳定程度评估指数,调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数不低于第一预设阈值;
第二调整模块,用于当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,且半导体激光器功率稳定程度评估指数高于第一预设阈值时,调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数降低,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数降低;
记录模块,用于当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,半导体激光器功率稳定程度评估指数低于第一预设阈值,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数低于第二预设阈值时,记录此时的环境温度数据及半导体激光器功率数据。
可见,本实施例的数据获取模块用于实现本发明实施例1的步骤S100,评估模块用于实现本发明实施例1的步骤S200,第一调整模块用于实现本发明实施例1的步骤S300,第二调整模块用于实现本发明实施例1的步骤S400,记录模块用于实现本发明实施例1的步骤S500。步骤S100-S500在本发明实施例1中均进行了详细描述,此处不再赘述。
实施例3:
本实施例提供一种计算机可读存储介质,存储有程序,所述程序被处理器执行时,实现本发明实施例1的半导体激光器可靠性测试方法,包括以下步骤:
等时间间隔地获取热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据;
根据热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据,计算半导体激光器功率稳定程度评估指数和半导体激光器环境温度稳定程度评估指数;
当半导体激光器环境温度数据低于第一预设范围时,根据半导体激光器功率稳定程度评估指数,调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数不低于第一预设阈值;
当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,且半导体激光器功率稳定程度评估指数高于第一预设阈值时,调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数降低,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数降低;
当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,半导体激光器功率稳定程度评估指数低于第一预设阈值,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数低于第二预设阈值时,记录此时的环境温度数据及半导体激光器功率数据。
需要说明的是,本实施例的计算机可读存储介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是但不限于电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件,或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于:具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。
在本实施例中,计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质,该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。而在本实施例中,计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号,其中承载了计算机可读的程序。这种传播的数据信号可以采用多种形式,包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读存储介质,该计算机可读信号介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。计算机可读存储介质上包含的计算机程序可以用任何适当的介质传输,包括但不限于:电线、光缆、RF(射频)等等,或者上述的任意合适的组合。
上述计算机可读存储介质可以以一种或多种程序设计语言或其组合来编写用于执行本实施例的计算机程序,上述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如Java、Python、C++,还包括常规的过程式程序设计语言—诸如C语言或类似的程序设计语言。程序可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中,远程计算机可以通过任意种类的网络,包括局域网(LAN)或广域网(WAN)连接到用户计算机,或者,可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
显然,上述所述的实施例只是本发明的一部分实施例,而不是全部实施例,本发明不限于上述实施例的细节,任何所属技术领域的普通技术人员对其所做的适当变化或修饰,皆视为不脱离本发明的专利范畴。
Claims (10)
1.一种半导体激光器可靠性测试方法,其特征在于,包括以下步骤:
等时间间隔地获取热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据;
根据热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据,计算半导体激光器功率稳定程度评估指数和半导体激光器环境温度稳定程度评估指数;
当半导体激光器环境温度数据低于第一预设范围时,根据半导体激光器功率稳定程度评估指数,调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数不低于第一预设阈值;
当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,且半导体激光器功率稳定程度评估指数高于第一预设阈值时,调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数降低,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数降低;
当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,半导体激光器功率稳定程度评估指数低于第一预设阈值,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数低于第二预设阈值时,记录此时的环境温度数据及半导体激光器功率数据。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器可靠性测试方法,其特征在于,根据热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据,计算半导体激光器功率稳定程度评估指数,包括以下步骤:
根据热源工作功率数据计算时间间隔内热源工作功率数据平均值,根据半导体激光器环境温度数据计算时间间隔内半导体激光器环境温度变化值和半导体激光器环境温度平均值,根据半导体激光器工作功率数据计算时间间隔内半导体激光器工作功率变化值;
根据热源工作功率数据平均值、半导体激光器环境温度变化值以及半导体激光器工作功率变化值,计算半导体激光器功率稳定程度评估指数。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器可靠性测试方法,其特征在于,根据热源工作功率数据平均值、半导体激光器环境温度变化值以及半导体激光器工作功率变化值,计算半导体激光器功率稳定程度评估指数,其表达式为:
;
其中,为半导体激光器功率稳定程度评估指数,/>为功率变化系数,/>为环境功率影响系数,/>为第一热源系数,/>为半导体激光器环境温度平均值,/>为半导体激光器环境温度变化值,/>为热源工作功率数据平均值,/>为半导体激光器工作功率变化值。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器可靠性测试方法,其特征在于,根据热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据,计算半导体激光器环境温度稳定程度评估指数,包括以下步骤:
根据热源工作功率数据计算时间间隔内热源工作功率数据平均值,根据半导体激光器环境温度数据计算时间间隔内半导体激光器环境温度变化值,根据半导体激光器工作功率数据计算时间间隔内半导体激光器工作功率平均值;
根据热源工作功率数据平均值、半导体激光器环境温度变化值以及半导体激光器工作功率平均值,计算半导体激光器环境温度稳定程度评估指数。
5.根据权利要求4所述的半导体激光器可靠性测试方法,其特征在于,根据热源工作功率数据平均值、半导体激光器环境温度变化值以及半导体激光器工作功率平均值,计算半导体激光器环境温度稳定程度评估指数,其表达式为:
;
其中,为半导体激光器环境温度稳定程度评估指数,/>为温度变化系数,/>为环境温度影响系数,/>为第二热源系数,/>为半导体激光器环境温度平均值,/>为半导体激光器环境温度变化值,/>为热源工作功率数据平均值,/>为半导体激光器工作功率变化值。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器可靠性测试方法,其特征在于,当半导体激光器环境温度数据低于第一预设范围时,根据半导体激光器功率稳定程度评估指数,调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数不低于第一预设阈值,具体为:
当半导体激光器环境温度数据低于第一预设范围时,若半导体激光器功率稳定程度评估指数低于第一预设阈值,则调高热源工作功率,使半导体激光器功率稳定程度评估指数达到第一预设阈值;
持续计算半导体激光器功率稳定程度评估指数,并根据半导体激光器功率稳定程度评估指数调整热源工作功率,使半导体激光器功率稳定程度评估指数不低于第一预设阈值,且不高于第二预设阈值。
7.根据权利要求1所述的半导体激光器可靠性测试方法,其特征在于,当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,且半导体激光器功率稳定程度评估指数高于第一预设阈值时,调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数降低,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数降低,具体为:
根据半导体激光器工作功率数据,计算时间间隔内半导体激光器工作功率的变化值;
根据半导体激光器环境温度数据,计算时间间隔内半导体激光器环境温度数据的变化值;
当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,且半导体激光器功率稳定程度评估指数高于第一预设阈值时,根据半导体激光器功率稳定程度评估指数和半导体激光器环境温度稳定程度评估指数,使用预设方法调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数降低,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数降低。
8.根据权利要求7所述的半导体激光器可靠性测试方法,其特征在于,所述预设方法包括:
当半导体激光器功率稳定程度评估指数的变化值在第二预设范围内,且半导体激光器环境温度稳定程度评估指数的变化值在第三预设范围内时,保持热源工作功率不变;
当半导体激光器功率稳定程度评估指数的变化值低于第二预设范围,且半导体激光器环境温度稳定程度评估指数的变化值低于第三预设范围时,降低热源工作功率。
9.一种半导体激光器可靠性测试系统,其特征在于,包括:
数据获取模块,用于等时间间隔地获取热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据;
评估模块,用于根据热源工作功率数据、半导体激光器环境温度数据以及半导体激光器工作功率数据,计算半导体激光器功率稳定程度评估指数以及半导体激光器环境温度稳定程度评估指数;
第一调整模块,用于当半导体激光器环境温度数据低于第一预设范围时,根据半导体激光器功率稳定程度评估指数,调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数不低于第一预设阈值;
第二调整模块,用于当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,且半导体激光器功率稳定程度评估指数高于第一预设阈值时,调整热源工作状态,使半导体激光器功率稳定程度评估指数降低,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数降低;
记录模块,用于当半导体激光器环境温度数据处于第一预设范围内,半导体激光器功率稳定程度评估指数低于第一预设阈值,半导体激光器环境温度稳定程度评估指数低于第二预设阈值时,记录此时的环境温度数据及半导体激光器功率数据。
10.一种计算机可读存储介质,存储有程序,其特征在于,所述程序被处理器执行时,实现权利要求1-8任一项所述的半导体激光器可靠性测试方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310862114.6A CN116577627B (zh) | 2023-07-14 | 2023-07-14 | 半导体激光器可靠性测试方法、系统及介质 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116577627A CN116577627A (zh) | 2023-08-11 |
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Family
ID=87536461
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116577627B (zh) |
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