JP2009301769A - 有機エレクトロルミネッセンス装置、およびその製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】加熱室に投入された支持基板の枚数、支持基板上における樹脂の有無、支持基板の履歴などが相違している場合でも、支持基板から水分を十分に除去した後、有機機能層の形成を行なうことのできる有機ＥＬ装置、およびその製造装置を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置１００を形成する際、第１電極層１４０を形成した後、正孔注入層１８１、正孔輸送層１８２、発光層１８３などの有機機能層を形成する前に真空加熱乾燥による水分除去工程をおこなう。この水分除去工程において、加熱室内の基板１枚当たりの水分量、あるいは加熱室内の単位時間当たりの水分減少量を示す監視値が所定レベルに到達した後、有機機能層工程を行なう。
【選択図】図３

Description

本発明は、支持基板上に有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という）を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置という）、およびその製造装置に関するものである。

有機ＥＬ装置は、支持基板上に複数の画素が配列された画素領域を有し、前記複数の画素の各々に、少なくとも第１電極層、有機機能層、および第２電極層を備えた有機ＥＬ素子が形成された構造を有しており、支持基板において前記有機機能層より下層側に樹脂層を有する場合もある。かかる有機ＥＬ装置において、有機機能層は水分により劣化しやすい性質を有しており、有機機能層が水分により劣化した場合、ダークスポットに起因する表示品位の低下や、寿命低下が発生してしまう。

そこで、支持基板上に第１電極層を形成した後、有機機能層を形成する前に、加熱室内で支持基板を１００〜２００℃の温度で真空加熱して支持基板から水分を除去する水分除去工程を行い、かかる水分除去工程を行なった後、有機機能層を形成することが提案されている（例えば特許文献１参照）。
特開２００４−７９５２８号公報

しかしながら、加熱室に投入された支持基板の枚数が異なる場合や、支持基板上における樹脂の有無、支持基板の履歴などが相違すると、支持基板での水分の減少速度が変動するため、同一条件で真空加熱しても、全ての支持基板から水分を確実に除去することができないという問題点がある。その結果、水分が十分に除去されない支持基板に有機機能層が形成されてしまい、有機機能層の水分劣化に起因するダークスポットなどの発生を確実に防止することができないという問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、加熱室に投入された支持基板の枚数、支持基板上における樹脂の有無、支持基板の履歴などが相違している場合でも、支持基板から水分を十分に除去した後、有機機能層の形成を行なうことのできる有機ＥＬ装置、およびその製造装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明では、支持基板上に第１電極層、有機機能層、および第２電極層が順に積層された有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置の製造方法において、前記支持基板上に前記第１電極層を形成した後、前記有機機能層を形成する前に、前記支持基板を加熱室内で真空加熱して前記支持基板から水分を除去する水分除去工程を有し、当該水分除去工程では、前記加熱室内の水分量を直接あるいは他の物理量を介して間接的に測定し、当該測定結果に基づいて、前記加熱室内の水分量が所定レベルまで低下したと判定された後、前記支持基板に前記有機機能層を形成する有機機能層工程を行なうことを特徴とする。

本発明では、支持基板上に第１電極層、有機機能層、および第２電極層が順に積層された有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置の製造装置において、前記支持基板上に前記第１電極層を形成した後、前記有機機能層を形成する前に、前記支持基板を真空加熱して前記支持基板から水分を除去する加熱室と、該加熱室内の水分量を直接あるいは他の物理量を介して間接的に測定するセンサと、前記センサによる計測結果に基づいて、前記加熱室内の水分量が所定レベルまで低下したと判定したとき、前記支持基板に対する前記有機機能層の形成を許容する制御部と、を有することを特徴とする。

本発明では、有機機能層を形成する前の水分除去工程において、加熱室内の水分を監視し、加熱室内の水分量が十分減少した時点で支持基板に対する有機機能層の形成を行なう。従って、支持基板を一律に真空加熱する場合と違って、加熱室に投入された支持基板の枚数、支持基板上における樹脂の有無、支持基板の履歴などが相違している場合でも、支持基板から水分を十分に除去した後、有機機能層の形成を行なうことができるので、有機機能層の水分劣化に起因するダークスポットなどの発生を確実に防止することができる。

本発明は特に、前記水分除去工程の前に前記支持基板上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程を有している場合に適用すると効果的である。このように構成すると、樹脂に多量の水分が含まれている場合でも、かかる水分を十分に除去してから有機機能層の形成を行なうことができるので、有機機能層の水分劣化に起因するダークスポットなどの発生を確実に防止することができる。

本発明において、前記水分除去工程では、前記加熱室内の支持基板１枚当たりの水分量、あるいは前記加熱室内の単位時間当たりの水分減少量を示す監視値が所定レベルに到達した後、前記有機機能層工程を行なうことが好ましい。このように構成すると、加熱室に投入された支持基板の枚数が相違している場合でも、支持基板に付着している水分量を適正かつ確実に監視することができるので、水分除去工程を効率よく、かつ、適正に行なうことができる。

本発明において、前記乾燥室内の水分量を測定するにあたっては、前記物理量として前記加熱室内の真空度を測定することが好ましい。このように構成すると、微量の水分量を容易かつ確実に監視することができる。

この場合、前記加熱室内に今回投入した前記支持基板の枚数をＮとし、前記支持基板を今回、投入する前の前記加熱室の真空度をＭ1Ｐａとし、現在の前記加熱室内の真空度をＭ2Ｐａとしたとき、以下の式で求められる値
（Ｍ2−Ｍ1）／Ｎ
が０．３×１０^-4Ｐａ未満になったとき、前記有機機能層工程を行なうことが好ましい。このように構成すると、このように構成すると、加熱室に投入された支持基板の枚数が相違している場合でも、支持基板に付着している水分量を適正かつ確実に監視することができるので、水分除去工程を効率よく、かつ、適正に行なうことができる。

また、本発明では、前記加熱室内の１分当たりの真空度向上度が３．０×１０^-6Ｐａ／ｍｉｎ未満になったとき、前記支持基板に対して前記有機機能層工程を行なってもよい。すなわち、水分除去が進行するほど、真空度向上度が低下するので、かかる真空向上度を監視すれば、加熱室に投入された支持基板の枚数が相違している場合でも、支持基板に付着している水分量を適正かつ確実に監視することができるので、水分除去工程を効率よく、かつ、適正に行なうことができる。

図面を参照して、本発明を適用した有機ＥＬ装置、その製造方法並びに製造装置について説明する。なお、以下の説明に用いる各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。

（全体構成）
図１は、本発明を適用した有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図である。図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置を第２基板（封止基板）の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。

図１に示す有機ＥＬ装置１００においては、素子基板としての第１基板１１０上に、複数の走査線３ａと、走査線３ａに対して交差する方向に延びる複数のデータ線６ａと、走査線３ａとデータ線６ａとの交差に対応する位置に形成された画素１００ａとを有しており、複数の画素１００ａがマトリクス状に配列されている領域によって画素領域１１０ａが構成されている。

また、第１基板１１０上では、データ線６ａに並列して複数の電源線６ｇが延在し、走査線３ａに並列して複数の容量線３ｅが延在している。データ線６ａにはデータ線駆動回路１０１が接続され、走査線３ａには走査線駆動回路１０４が接続されている。複数の画素１００ａの各々には、走査線３ａを介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂと、このスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂを介してデータ線６ａから供給される画素信号を保持する保持容量７０と、保持容量７０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃと、この薄膜トランジスタ３０ｃを介して電源線６ｇに電気的接続したときに電源線６ｇから駆動電流が流れ込む有機ＥＬ素子１８０とが構成されている。ここで、有機ＥＬ素子１８０は各々、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を出射し、かかる３つの色に対応する３つの画素１００ａがサブピクセルを構成している。本形態では、同一の色に対応する画素１００ａがデータ線６ａの延在方向に直線的に並ぶストライプ配列が採用されている。

かかる有機ＥＬ装置１００では、走査線３ａが駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂがオンになると、そのときのデータ線６ａの電位が保持容量７０に保持され、保持容量７０が保持する電荷に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃのオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃのチャネルを介して、電源線６ｇから第１電極層１４０に電流が流れ、さらに有機機能層を介して第２電極層８５に電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子１８０は、これを流れる電流量に応じて発光する。

なお、図１に示す構成では、電源線６ｇおよび容量線３ｅが各々、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４から延在しているが、定電位が印加されるため、電源線６ｇおよび容量線３ｅが直接、端子１０２から延在している構成などを採用してもよい。また、図１に示す構成では、走査線３ａと並列に容量線３ｅを形成したが、容量線３ｅを形成せずに、電源線６ｇと薄膜トランジスタ３０ｂのドレインとの間に保持容量７０を形成することもできる。

かかる有機ＥＬ装置１００は具体的には、図２（ａ）、（ｂ）に示すように構成される。図２（ａ）、（ｂ）において、有機ＥＬ装置１００では、素子基板としての第１基板１１０と、封止基板としての機能を担う透光性基板を備えた第２基板１２０とを有しており、第１基板１１０において、複数の有機ＥＬ素子１８０が形成されている面側に第２基板１２０が重ねて配置されている。第１基板１１０と第２基板１２０とは、第１シール材層１９１および第２シール材層１９２によって貼り合わされている。第１シール材層１９１は、図２（ａ）にドットを密に付した領域で示してあるように、画素領域１１０ａの周りを囲む周辺領域１１０ｃに沿って枠状に形成されている。これに対して、第２シール材層１９２は、図２（ａ）にドットを疎に付した領域で示してあるように、第１シール材層１９１で囲まれた領域の全体にわたって形成されている。

なお、第１基板１１０において、第２基板１２０からの張り出し領域１１０ｆには端子１０２、１０３が形成されており、かかる端子１０２、１０３を利用して、図１に示すデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４を内蔵する駆動用ＩＣが実装されたフレキシブル基板（図示せず）が接続される。

（有機ＥＬ素子の構成）
図３は、本発明を適用した有機ＥＬ装置の断面構成を模式的に示す断面図であり、有機ＥＬ素子として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）に対応する有機ＥＬ素子を１つずつ示し、青色（Ｂ）に対応する有機ＥＬ素子については２つ示してある。

図３に示すように、第１基板１１０は、石英基板、ガラス基板、セラミック基板、金属基板などからなる支持基板１１０ｄを備えている。支持基板１１０ｄの表面には、絶縁膜１１１、１１２、１１３、１１４、１１５が形成され、絶縁膜１１５の上層に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を出射する有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）が形成されている。本形態において、絶縁膜１１１、１１２、１１３、１１５は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などにより形成された酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などから形成され、絶縁膜１１４は、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる平坦化膜として形成されている。絶縁膜１１１は下地絶縁層であり、図示を省略するが、絶縁膜１１１、１１２、１１３、１１４の層間などを利用して、有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）に対する通電を制御する薄膜トランジスタや配線が形成されている。

本形態の有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション型であり、矢印Ｌ１で示すように、支持基板１１０ｄからみて有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）が形成されている側から光を取り出すので、支持基板１１０ｄとしては、アルミナなどのセラミックス、ステンレススチールなどといった不透明な基板を用いることができる。また、絶縁膜１１４、１１５の層間には、真空蒸着法などにより形成されたアルミニウム、銀、それらの合金からなる光反射層１３１が形成されており、有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）から支持基板１１０ｄに向けて出射された光を光反射層１３１で反射することにより、光を出射可能である。なお、有機ＥＬ装置１００をボトムエミッション型で構成した場合、支持基板１１０ｄの側から光を取り出すので、支持基板１１０ｄとしては、ガラスなどの透明基板が用いられる。

第１基板１１０では、絶縁膜１１５の上層にＩＴＯ膜などからなる第１電極層１４０（画素電極／陽極層）が島状に形成されており、第１電極層１４０の上層には、発光領域を規定するための開口部を備えた感光性樹脂などからなる厚い隔壁１５１が形成されている。第１電極層１４０を構成するＩＴＯなどの酸化物材料についてはＥＣＲプラズマスパッタ法やプラズマガン方式イオンプレーティング法、マグネトロンスパッタ法などの高密度プラズマ成膜法により形成することができる。

第１電極層１４０の上層には、正孔注入層１８１、正孔輸送層１８２、各色の発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、電子輸送層１８４などの有機機能層が形成され、かかる有機機能層の上層に、ＬｉＦからなる電子注入層１７０と、ＡｌやＭｇＡｇなどの薄膜金属からなる第２電極層１７１（陰極層）が積層されている。また、第２電極層１７１の上層には、Ａｌなどからなる補助配線１７２がストライプ状に形成されている。正孔注入層１８１は、トリアリールアミン（ＡＴＰ）多量体などからなり、正孔輸送層１８２は、ＴＰＤ（トリフェニルジアミン）などからなる。発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）は、アントラセン系ドーパントやルブレン系ドーパントなどを含むスチリルアミン系材料（ホスト）などからなり、電子輸送層１８４は、アルミニウムキノリノール（Ａｌｑ₃）などからなる。このようにして、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を出射する有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）が形成されている。これらの層（正孔注入層１８１、正孔輸送層１８２、発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、電子輸送層１８４、電子注入層１７０、第２電極層１７１、補助配線１７２）はいずれも、真空蒸着法で順次形成することができる。

なお、有機ＥＬ素子が白色光、または赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の混合色光を出射するように構成する場合があり、このような場合、第２基板１２０において、有機ＥＬ素子と対向する位置に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルタ層を形成して色変換を行なえば、フルカラー表示を行なうができる。

このように構成した有機ＥＬ装置１００において、有機機能層（正孔注入層１８１、正孔輸送層１８２、発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、電子輸送層１８４）は、水分により劣化しやすく、かかる劣化は、電子注入効果の劣化などを惹き起こし、ダークスポットと呼ばれる非発光部分を発生させてしまう。そこで、本形態では、第２基板１２０を封止基板として第１基板１１０と貼り合せた構成が採用されている。

まず、図１（ａ）、（ｂ）および図２に示すように、第１基板１１０と第２基板１２０との間では、周辺領域１１０ｃに沿って第１シール材層１９１が矩形枠状に形成されている。また、第１シール材層１９１で囲まれた領域の全体にわたって透光性の第２シール材層１９２が形成され、第１基板１１０と第２基板１２０とは、第１シール材層１９１および第２シール材層１９２によって貼り合わされている。本形態において、第１シール材層１９１には、紫外線によって硬化するエポキシ系接着剤が用いられている。第２シール材層１９２には、熱によって硬化するエポキシ系接着剤が用いられている。なお、第１基板１１０に対して、第２電極層１７１の上層に、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）膜や酸窒化シリコン（ＳｉＯ_xＮ_y）膜からなる第１層、樹脂層からなる第２層（有機緩衝層）と、および窒化シリコン膜や酸窒化シリコン）膜からなる第３層を備えた積層膜を封止膜として形成することもある。

（有機ＥＬ装置の製造方法および製造装置）
さらに、本形態では、有機機能層（正孔注入層１８１、正孔輸送層１８２、発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、電子輸送層１８４）が水分により劣化することを防止することを目的に、以下の製造装置および製造方法が採用されている。

まず、図１〜図３を参照して説明した有機ＥＬ装置１００は、図４を参照して説明する製造装置において、真空雰囲気（減圧雰囲気）や窒素雰囲気など、大気と異なる状態での複数の処理を行なうことにより製造される。

図４は、本発明を適用した有機ＥＬ装置１００の製造装置の構成を模式的に示す平面図である。図４には、有機ＥＬ装置１００の製造装置１０のうち、図３に示す隔壁１５１までを形成し終えた第１基板１１０に対して、プラズマ処理や、有機機能層（正孔注入層１８１、正孔輸送層１８２、発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、電子輸送層１８４）、および無機膜（電子注入層１７０、第２電極層１７１、補助配線１７２）を形成するとともに、封止用の第２基板１２０を貼り合せるまでの処理を行なう部分が示されている。

図４に示す製造装置１０は、クラスタ型の処理ステーション１１〜１４と、封止ステーション１５とを備えている。処理ステーション１１と処理ステーション１２との間は基板搬送室２１で接続され、処理ステーション１２と処理ステーション１３との間は基板搬送室２２で接続され、処理ステーション１３と処理ステーション１４との間は基板搬送室２３で接続され、処理ステーション１４と封止ステーション１５との間は基板搬送室２４で接続されている。ここで、処理ステーション１１〜１４、封止ステーション１５、基板搬送室２１〜２４はいずれも、真空雰囲気（減圧雰囲気）や窒素雰囲気など、大気と異なる雰囲気に保持されている。

第１番目の処理ステーション１１は、八角形の平面形状を備えたメインチャンバ１１ａと、メインチャンバ１１ａの辺に相当する接続されたサブチャンバ１１ｂ〜１１ｅとを備えており、メインチャンバ１１ａおよびサブチャンバ１１ｂ〜１１ｅは、真空雰囲気（減圧雰囲気）や窒素雰囲気など、大気と異なる雰囲気に保持されている。メインチャンバ１１ａの中央付近には、基板搬送ロボット（図示せず）が配置され、かかる基板搬送ロボットは、第１基板１１０（被処理基板）の搬送、取り上げ、載置などを行なうアームを備えている。本形態において、処理ステーション１１は前処理クラスタとして利用される。このため、サブチャンバ１１ｂ〜１１ｅは各々、第１基板１１０の仕込み室、加熱室、プラズマ処理室、予備室として利用される。

第２番目の処理ステーション１２（有機機能膜形成エリア）も、第１番目の処理ステーション１１と同様、八角形の平面形状を備えたメインチャンバ１２ａと、メインチャンバ１２ａの辺に相当する接続されたサブチャンバ１２ｂ〜１２ｅとを備えており、メインチャンバ１２ａおよびサブチャンバ１２ｂ〜１２ｅは、真空雰囲気（減圧雰囲気）や窒素雰囲気など、大気と異なる雰囲気に保持されている。メインチャンバ１２ａの中央付近には、基板搬送ロボット（図示せず）が配置されている。本形態において、処理ステーション１２は、第１の有機蒸着クラスタとして利用される。このため、サブチャンバ１２ｂ〜１２ｄは各々、有機蒸着室として利用され、サブチャンバ１２ｅは、予備室として利用される。

第３番目の処理ステーション１３（有機機能膜形成エリア）も、処理ステーション１１と同様、八角形の平面形状を備えたメインチャンバ１３ａと、メインチャンバ１３ａの辺に相当する接続されたサブチャンバ１３ｂ〜１３ｅとを備えており、メインチャンバ１３ａおよびサブチャンバ１３ｂ〜１３ｅは、真空雰囲気（減圧雰囲気）や窒素雰囲気など、大気と異なる雰囲気に保持されている。メインチャンバ１３ａの中央付近には、基板搬送ロボット（図示せず）が配置されている。本形態において、第３番目の処理ステーション１３は、第２の有機蒸着クラスタとして利用される。このため、サブチャンバ１３ｂ〜１３ｄは各々、有機蒸着室として利用され、サブチャンバ１３ｅは、予備室として利用される。

第４番目の処理ステーション１４（無機膜形成エリア）も、処理ステーション１１と同様、八角形の平面形状を備えたメインチャンバ１４ａと、メインチャンバ１４ａの辺に相当する接続されたサブチャンバ１４ｂ〜１４ｄとを備えており、メインチャンバ１４ａおよびサブチャンバ１４ｂ〜１４ｄは、真空雰囲気（減圧雰囲気）や窒素雰囲気など、大気と異なる雰囲気に保持されている。メインチャンバ１４ａの中央付近には、基板搬送ロボット（図示せず）が配置されている。本形態において、第４番目の処理ステーション１４は、金属蒸着クラスタとして利用される。このため、サブチャンバ１４ｂ〜１４ｄは各々、金属蒸着室として利用される。

封止ステーション１５は、長方形のメインチャンバ１５ａと、メインチャンバ１５ａの辺に相当する接続されたサブチャンバ１５ｂ〜１５ｄとを備えており、メインチャンバ１５ａおよびサブチャンバ１５ｂ〜１５ｄは、真空雰囲気（減圧雰囲気）や窒素雰囲気など、大気と異なる雰囲気に保持されている。メインチャンバ１４ａの中央付近には、基板搬送ロボット（図示せず）が配置されている。ここで、サブチャンバ１５ｂ〜１５ｄは各々、シール材塗布室、封止ガラス（第２基板１２０）の搬入室、基板搬出口として利用される。

このように構成した有機ＥＬ装置１００の製造装置１０において、基板搬送室２１〜２４での基板の受け渡しは、その前後に位置するステーションに配置された基板搬送ロボットにより行なわれる。また、各ステーションにおいて、メインチャンバとサブチャンバとの間や、メインチャンバと基板搬送室との間にはゲートバルブ（図示せず）が配置されている。

（有機ＥＬ装置の製造方法）
図１〜図３を参照して説明した有機ＥＬ装置１００を製造するには、例えば、単品サイズの基板に対して各工程を行なう方法と、第１基板１１０を多数取りできる大型基板に各工程を行なった後、大型基板に対して、第２基板１２０を多数取りできる大型基板を貼り合わせ、しかる後に単品サイズの有機ＥＬ装置１００を切断する方法が採用される。いずれに方法でも基本的な内容は同様であるので、以下の説明では、単品サイズの基板を用いる場合を説明する。

本形態では、まず、図３に示すように、第１基板１１０に対して周知の半導体プロセス、その他のプロセスを利用して第１基板１１０に隔壁１５１を形成した後、図４に示す第１番目の処理ステーション１１のサブチャンバ１１ｂ（仕込室）に第１基板１１０を投入する。次に、サブチャンバ１１ｃ（加熱室）において第１基板１１０に真空加熱を行ない、第１基板１１０に付着していた水分を除去する。次に、サブチャンバ１１ｄ（プラズマ処理室）において第１基板１１０に酸素プラズマを照射する。かかる酸素プラズマ照射を行なえば、第１電極層１４０を構成するＩＴＯ膜の仕事関数を４．６ｅＶから５．０ｅＶ、さらには５．２ｅＶまで高め、正孔注入層１８１のＨＯＭＯレベルと同等レベルに調整することができるので、正孔移動の障壁ができることを防止することができる。

次に、基板搬送室２１を介して第１基板１１０を第１番目の処理ステーション１１から第２番目の処理ステーション１２に搬送し、計３回の有機機能膜形成工程を行なう。第２番目の処理ステーション１２では、まず、サブチャンバ１２ｂ（有機蒸着室）において正孔注入層１８１を真空蒸着する。その際、第１基板１１０に対して、成膜用マスクを重ねておき、第１基板１１０の所定領域に正孔注入層１８１を選択的に形成する。次に、サブチャンバ１２ｃ（有機蒸着室）において正孔輸送層１８２を真空蒸着する。その際も、第１基板１１０に対して、成膜用マスク５２を重ねておき、第１基板１１０の所定領域に正孔輸送層１８２を選択的に形成する。以下、同様な方法で、サブチャンバ１２ｅ（有機蒸着室）において、第１基板１１０の所定領域に発光層１８３（Ｂ）を真空蒸着（マスク蒸着）する。なお、サブチャンバ１２ｅ（予備室）は、第２番目の処理ステーション１２での処理前、処理途中あるいは処理後の第１基板１１０の一時的な滞留や、蒸着材料の保管に用いられる。

次に、基板搬送室２２を介して第１基板１１０を第２番目の処理ステーション１２から第３番目の処理ステーション１３に搬送し、計３回の有機機能膜形成工程を行なう。第３番目の処理ステーション１３では、まず、サブチャンバ１３ｂ（有機蒸着室）において、第１基板１１０の所定領域に発光層１８３（Ｇ）を真空蒸着（マスク蒸着）する。次に、サブチャンバ１３ｃ（有機蒸着室）において、第１基板１１０の所定領域に発光層１８３（Ｒ）を真空蒸着（マスク蒸着）する。次に、サブチャンバ１３ｄ（有機蒸着室）において、第１基板１１０の所定領域に電子輸送層１８４を真空蒸着（マスク蒸着）する。なお、サブチャンバ１３ｅ（予備室）は、第３番目の処理ステーション１３での処理前、処理途中あるいは処理後の第１基板１１０の一時的な滞留や、蒸着材料の保管に用いられる。

次に、基板搬送室２３を介して第１基板１１０を第３番目の処理ステーション１３から第４番目の処理ステーション１４に搬送し、計３回の無機膜形成工程を行なう。第４番目の処理ステーション１４では、まず、サブチャンバ１４ｂ（金属蒸着室）において、第１基板１１０の所定領域に電子注入層１７０を真空蒸着（マスク蒸着）する。かかるマスク蒸着によれば、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術によるパターニングを行なう必要がないので、先に形成した有機機能層を水分で劣化させることなく、電子注入層１７０を所定領域に形成することができる。次に、補助配線形成工程では、サブチャンバ１４ｃ（金属蒸着室／補助配線形成部）において、第１基板１１０の所定領域に補助配線１７２を真空蒸着（マスク蒸着）する。次に、第２電極層形成工程において、サブチャンバ１４ｄ（金属蒸着室／第２電極層形成部）で第１基板１１０の所定領域に第２電極層１７１を真空蒸着（マスク蒸着）する。

その結果、図５に示す第１基板１１０には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を出射する３つの有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）をサブ画素して備えた画素がマトリクス状に形成される。

次に、基板搬送室２４を介して第１基板１１０を第４番目の処理ステーション１４から封止ステーション１５に搬送する。封止ステーション１５では、まず、サブチャンバ１５ｂ（シール材塗布室）において、第１シール材層１９１および第２シール材層１９２を形成するためのシール材１９１ａ、１９２ａを順次塗布した後、メインチャンバ１５ａにおいて、サブチャンバ１５ｃ（封止ガラス搬入室）に搬入されていた第２大型基板を第１基板１１０に重ね合わせるとともに、第１シール材層１９１および第２シール材層１９２を硬化させ、第１基板１１０と第２大型基板とを第１シール材層１９１および第２シール材層１９２によって貼り合せる。

しかる後には、第２基板１２０が貼り合わされた第１基板１１０をサブチャンバ１５ｄ（基板搬出口）から搬出する。かかる工程によって有機ＥＬ装置１００が完成する。

（水分対策の構成例１）
図５（ａ）、（ｂ）は、図４に示す製造装置の加熱室の構成を模式的に示す説明図、およびこの加熱室内の真空度（水分量）の時間的変化を示すグラフである。図６は、本形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法のうち、サブチャンバ１１ｃ（加熱室）で行なう水分除去工程の内容を示すフローチャート図である。

図４に示す製造装置１０において、サブチャンバ１１ｃ（加熱室）の内部には、図５（ａ）に示すように、昇降装置１９の出力軸が配置されているとともに、この出力軸には、複数枚の支持基板１０ｄが載置される基板ホルダ１８が連結されている。また、基板ホルダ１８において、支持基板１０ｄの載置面は、シーズヒータ内蔵のホットプレート１７になっており、支持基板１０ｄに対する加熱が行なわれる。ここで、支持基板１０ｄにおいて有機ＥＬ素子１８０が形成される面側をホットプレート１７に向けて載置される場合には、ホットプレート１７の基板載置面に突起を形成しておけば、支持基板１０ｄにおいて有機ＥＬ素子１８０が形成される面に傷が付くことを防止できるとともに、水分除去を効率よく行なうことができる。

また、サブチャンバ１１ｃには、排気管（図示せず）を介して真空ポンプ（図示せず）が接続されており、サブチャンバ１１ｃの内部では、支持基板１０ｄに対する真空加熱乾燥がおこなわれる。なお、サブチャンバ１１には、ゲートバルブ１６ｂを介して固定チャンバ１１ａが接続されており、固定チャンバ１１ａに配置された基板搬送ロボット１６ａ、ゲートバルブ１６ｂ、および昇降装置１９が連動してサブチャンバ１１ｃから固定チャンバ１０ａを経由してプラズマ処理用のサブチャンバ１１ｄ（図４参照）への支持基板１０ｄの搬出が行なわれる。また、同様な機構を採用して、サブチャンバ１１ｃの内部への支持基板１０ｄの搬入、および基板ホルダ１８のホットプレート１７上への支持基板１０ｄの載置が行なわれる。

さらに、サブチャンバ１１ｃに対しては、その内部の真空度を計測するセンサ２１が配置されており、かかるセンサ２１は、制御部２０に接続されている。制御部２０はマイクロコンピュータなどから構成されており、ＲＡＭやＲＯＭに格納されているプログラムに基づいて、図６を参照して説明する水分除去工程を制御する。

このように構成したサブチャンバ１１ｃにおいて、支持基板１０ｄを投入すると、図５（ｂ）に示すように、支持基板１０ｄから出た水分によってサブチャンバ１１ｃ内の真空度が高くなり、真空加熱乾燥を行なっていくうちに、サブチャンバ１１ｃ内の水分が減少し、サブチャンバ１１ｃ内の真空度が低下していく。但し、新たな支持基板１０ｄをサブチャンバ１１ｃに投入すると、新たな支持基板１０ｄから出た水分によってサブチャンバ１１ｃ内の真空度がいったん上昇し、その後、真空加熱乾燥によって、サブチャンバ１１ｃ内の水分が減少し、サブチャンバ１１ｃ内の真空度が低下していくが、支持基板１０ｄが１枚のときと、支持基板１０ｄが２枚のときとでは、真空度の変化や絶対値が相違する。従って、サブチャンバ１１ｃに投入された支持基板１０ｄの枚数が異なる場合や、支持基板１０ｄ上における樹脂の有無、支持基板１０ｄの履歴などが相違すると、同一条件で真空加熱乾燥を行なっても、支持基板１０ｄの水分を確実に除去できないことになる。そこで、本形態では、図６を参照して説明するように、新たな方法で支持基板１０ｄへの真空加熱乾燥を監視、制御する。

図６において、処理がスタートすると、まず、ステップＳＴ２０１において加熱室（サブチャンバ１１ｃ）を真空引きした後、ステップＳＴ２０２においてサブチャンバ１１ｃでホットプレート１７による加熱を開始し、さらに、ステップＳＴ２０３においてサブチャンバ１１ｃを真空引きする。

次に、ステップＳＴ２０４において、サブチャンバ１１ｃの真空度が１．０×１０^-3Ｐａ未満になった否かを判断し、真空度が１．０×１０^-3Ｐａ未満になっていない場合には、ステップＳＴ２０３に戻ってサブチャンバ１１ｃを真空引きする。これに対して、ステップＳＴ２０４において、サブチャンバ１１ｃの真空度が１．０×１０^-3Ｐａ未満になっていると判断した場合には、ステップＳＴ２０５においてサブチャンバ１１ｃの真空度をＭ1として記憶してから、ステップＳＴ２０６においてサブチャンバ１１ｃへの支持基板１０ｄの投入を行なう。

この状態で真空加熱乾燥を行い、ステップＳＴ２０７において、サブチャンバ１１ｃの真空度が１．０×１０^-3Ｐａ未満になった否かを判定し、真空度が１．０×１０^-3Ｐａ未満である場合には、ステップＳＴ２０８において、サブチャンバ１１ｃに投入すべき支持基板１０ｄの有無を判断する。そして、ステップＳＴ２０８での判断において、サブチャンバ１１ｃに投入すべき支持基板１０ｄが有ると判断したときには、ステップＳＴ２０６に戻ってサブチャンバ１１ｃへの支持基板１０ｄの投入を行なう。

これに対して、ステップＳＴ２０７の判断において、サブチャンバ１１ｃの真空度が１．０×１０^-3Ｐａ以上になっていると判断した場合、あるいはステップＳＴ２０８の判断において、サブチャンバ１１ｃに投入すべき支持基板１０ｄが無いと判断したときには、ステップＳＴ２０９においてサブチャンバ１１ｃを真空引きする。

次に、ステップＳＴ２１０においてサブチャンバ１１ｃの真空度をＭ2として記憶するとともに、サブチャンバ１１ｃに投入した支持基板１０ｄの枚数をＮとして記憶し、ステップＳＴ２１１において以下の式
Ｍ3＝０．３×１０^-4Ｐａ×Ｎ＋Ｍ1
により値Ｍ3を求める。

次に、ステップＳＴ２１２において、値Ｍ2が値Ｍ3未満であるか否かを判断する。すなわち、（（Ｍ2−Ｍ1）／Ｎ）で求められる支持基板一枚当たりの真空度の増分が０．３×１０^-4Ｐａ未満であるか否かを判断する。かかる判断で、値Ｍ2が値Ｍ3未満でないと判断したときは、ステップＳＴ２０９に戻ってサブチャンバ１１ｃを真空引きし、上記の処理を繰り返す。

これに対して、値Ｍ2が値Ｍ3未満であると判断したときは、支持基板１０ｄから十分、水分が除去されたと判断して、ステップＳＴ２１３においてサブチャンバ１１ｃからの支持基板１０ｄの搬出を行なう。

そして、サブチャンバ１１ｃからの支持基板１０ｄの搬出を行なった後、ステップＳＴ２１４で、前工程からの次の支持基板１０ｄの受け入れ要求が有るか否かを判断し、次の支持基板１０ｄの受け入れ要求が有る場合には、ステップＳＴ２０５に戻って上記の処理を繰り返す一方、次の支持基板１０ｄの受け入れ要求が無い場合には、処理を終了する。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、サブチャンバ１１ｃ内の真空度が十分高まったとき、水分量が所定レベルまで低下したと判断して支持基板１０ｄに対する有機機能層の形成を許容する一方、サブチャンバ１１ｃ内の真空度が十分高まっていないときには、水分量が十分低下していないと判断して支持基板１０ｄに対する有機機能層の形成を行なわない。すなわち、サブチャンバ１１ｃに今回投入した支持基板１０ｄの枚数をＮとし、支持基１０ｄ板を今回、投入する前のサブチャンバ１１ｃの真空度をＭ1Ｐａとし、現在のサブチャンバ１１ｃの真空度をＭ2Ｐａとしたとき、以下の式で求められる値
（Ｍ2−Ｍ1）／Ｎ
が０．３×１０^-4Ｐａ未満になったとき、水分量が所定レベルまで低下したと判断して支持基板１０ｄに対する有機機能層の形成を許容する。言い換えれば、支持基板１枚当たりの真空度の増分が０．３×１０^-4Ｐａ以下になるまで真空加熱乾燥を行なう。従って、サブチャンバ１１ｃに投入された支持基板１０ｄの枚数が相違している場合でも、支持基板１０ｄに付着している水分量を適正かつ確実に監視することができるので、水分除去工程を効率よく、かつ、適正に行なうことができる。それ故、平坦化膜としての絶縁膜１１４、および隔壁１５１を構成する感光性樹脂に水分が多量に含まれているような場合でも、支持基板１０ｄから水分を十分に除去してから有機機能層を形成することができるので、有機機能層の水分劣化に起因するダークスポットなどの発生を確実に防止することができる。

（水分対策の構成例２）
図７は、本発明を適用した有機ＥＬ装置１００の別の製造方法において、サブチャンバ１１ｃ（加熱室）で行なう水分除去工程の内容を示すフローチャート図である。なお、本形態の基本的な構成は、図１〜図６を参照して説明した構成と同様であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付して説明を省略する。

本形態でも、図５（ａ）に示すように、サブチャンバ１１ｃに対しては、その内部の真空度を計測するセンサ２１が配置されており、かかるセンサ２１は、制御部２０に接続されている。制御部２０はマイクロコンピュータなどから構成されており、ＲＡＭやＲＯＭに格納されているプログラムに基づいて、図７を参照して説明する水分除去工程を制御する。

図７において、処理がスタートすると、まず、ステップＳＴ４０１において加熱室（サブチャンバ１１ｃ）を真空引きした後、ステップＳＴ４０２においてサブチャンバ１１ｃでホットプレート１７による加熱を開始し、さらに、ステップＳＴ４０３においてサブチャンバ１１ｃを真空引きする。

次に、ステップＳＴ４０４において、サブチャンバ１１ｃの真空度が１．０×１０^-3Ｐａ未満になった否かを判断し、真空度が１．０×１０^-3未満になっていない場合には、ステップＳＴ４０３に戻ってサブチャンバ１１ｃを真空引きする。これに対して、ステップＳＴ４０４において、サブチャンバ１１ｃの真空度が１．０×１０^-3Ｐａ未満になっていると判断した場合には、ステップＳＴ４０５においてサブチャンバ１１ｃへの支持基板１０ｄの投入を行なう。

この状態で真空加熱乾燥を行い、ステップＳＴ４０６において、サブチャンバ１１ｃの真空度が１．０×１０^-3Ｐａ未満になった否かを判定し、真空度が１．０×１０^-3Ｐａ未満である場合には、ステップＳＴ４０７において、サブチャンバ１１ｃに投入すべき支持基板１０ｄの有無を判断する。そして、ステップＳＴ４０７での判断において、サブチャンバ１１ｃに投入すべき支持基板１０ｄが有ると判断したときには、ステップＳＴ４０５に戻ってサブチャンバ１１ｃへの支持基板１０ｄの投入を行なう。

これに対して、ステップＳＴ４０６の判断において、サブチャンバ１１ｃの真空度が１．０×１０^-3Ｐａ以上になっていると判断した場合、あるいはステップＳＴ４０７での判断において、サブチャンバ１１ｃに投入すべき支持基板１０ｄが無いと判断したときには、ステップＳＴ４０８においてサブチャンバ１１ｃを真空引きする。

次に、ステップＳＴ４０９においてサブチャンバ１１ｃの真空度をＭ1′として記憶するとともに、ステップＳＴ４１０においてサブチャンバ１１ｃを１分間真空引きする。そして、ステップＳＴ４１１においてサブチャンバ１１ｃの真空度をＭ2′として記憶した後、ステップＳＴ４１２において、以下の式
ＤＰ＝Ｍ1′−Ｍ2′
により真空度向上度ＤＰ
次に、ステップＳＴ４１３において、真空度向上度ＤＰが３．０×１０^-6Ｐａ／ｍｉｎ未満であるか否かを判断する。すなわち、水分の減少速度が３．０×１０^-6Ｐａ／ｍｉｎ未満まで低下しているか否かを判断する。かかる判断で、真空度向上度ＤＰが３．０×１０^-6Ｐａ／ｍｉｎ未満でないと判断したときは、ステップＳＴ４０９に戻ってサブチャンバ１１ｃを真空引きし、上記の処理を繰り返す。

これに対して、真空度向上度ＤＰが３．０×１０^-6Ｐａ／ｍｉｎ未満であると判断したときは、支持基板１０ｄから十分、水分が除去されたと判断して、ステップＳＴ４１４においてサブチャンバ１１ｃからの支持基板１０ｄの搬出を行なう。

そして、サブチャンバ１１ｃからの支持基板１０ｄの搬出を行なった後、ステップＳＴ４１５で、前工程からの次の支持基板１０ｄの受け入れ要求が有るか否かを判断し、次の支持基板１０ｄの受け入れ要求が有る場合には、ステップＳＴ４０５に戻って上記の処理を繰り返す一方、次の支持基板１０ｄの受け入れ要求が無い場合には、処理を終了する。

以上説明したように、本形態では、サブチャンバ１１ｃ内の真空度が十分高まったとき、水分量が所定レベルまで低下したと判断して支持基板１０ｄに対する有機機能層の形成を許容する一方、サブチャンバ１１ｃ内の真空度が十分高まっていないときには、水分量が十分低下していないと判断して支持基板１０ｄに対する有機機能層の形成を行なわない。すなわち、サブチャンバ１１ｃの１分当たりの真空度向上度ＤＰが３．０×１０^-6Ｐａ／ｍｉｎ未満になったとき、水分量が所定レベルまで低下したと判断して支持基板１０ｄに対する有機機能層の形成を許容する。言い換えれば、支持基板１０ｄに付着している水分量が十分減少して、真空度向上度ＤＰが低くなるまで真空加熱乾燥を行なう。従って、サブチャンバ１１ｃに投入された支持基板１０ｄの枚数が相違している場合でも、支持基板１０ｄに付着している水分量を適正かつ確実に監視することができるので、水分除去工程を効率よく、かつ、適正に行なうことができる。それ故、平坦化膜としての絶縁膜１１４、および隔壁１５１を構成する感光性樹脂に水分が多量に含まれているような場合でも、支持基板１０ｄから水分を十分に除去してから有機機能層を形成することができるので、有機機能層の水分劣化に起因するダークスポットなどの発生を確実に防止することができる。

［その他の実施の形態］
上記形態では、サブチャンバ１１ｃの真空度の測定を介して、サブチャンバ１１ｃの水分量を監視し、サブチャンバ１１ｃ内の基板１枚当たりの真空度（水分量）、あるいはサブチャンバ１１ｃ内の単位時間当たりの真空度向上量（水分減少量）に基づいて水分の除去度合いを判定したが、四重極型質量分析計などを用いてサブチャンバ１１ｃの水分分圧（水分量）を直接測定し、サブチャンバ１１ｃ内の基板１枚当たりの水分量、あるいはサブチャンバ１１ｃ内の単位時間当たりの水分減少量に基づいて水分の除去度合いを判定してもよい。

上記形態では、真空蒸着法により有機機能層を形成する例を説明したが、インクジェット法などで形成した有機機能層を備えた有機ＥＬ装置に本発明を適用してもよい。すなわち、有機ＥＬ素子の正孔注入層を形成するにあたっては、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などを溶媒に溶かした液状組成物をドット状に吐出した後、それを定着する方法が採用される場合があり、かかる方法を採用した場合に本発明を適用してもよい。また、有機ＥＬ素子の発光層を形成するにあたっては、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープした材料などを溶媒に溶かした液状組成物をドット状に吐出した後、それを定着する方法が採用される場合があり、かかる方法を採用した場合に本発明を適用してもよい。

上記実施の形態では、本発明を適用した有機ＥＬ装置１００としてトップエミッション型の有機ＥＬ装置を説明したが、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置に本発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を用いた電子機器について説明する。図８（ａ）に、有機ＥＬ装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての有機ＥＬ装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図８（ｂ）に、有機ＥＬ装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての有機ＥＬ装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置１００に表示される画面がスクロールされる。図８（ｃ）に、有機ＥＬ装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての有機ＥＬ装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬ装置１００に表示される。

なお、有機ＥＬ装置１００が適用される電子機器としては、図８に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した有機ＥＬ装置１００が適用可能である。

本発明を適用した有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置を第２基板（封止基板）の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。 本発明を適用した有機ＥＬ装置の断面構成を模式的に示す断面図である。 本発明を適用した有機ＥＬ装置の製造装置の構成を模式的に示す平面図である。 （ａ）、（ｂ）は、図４に示す製造装置の加熱室の構成を模式的に示す説明図、およびこの加熱室内の真空度（水分量）の時間的変化を示すグラフである。 本発明を適用した有機ＥＬ装置の製造方法のうち、加熱室で行なう水分除去工程の内容を示すフローチャート図である。 本発明を適用した有機ＥＬ装置の別の製造方法において、加熱室で行なう水分除去工程の内容を示すフローチャート図である。 本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。

符号の説明

１０・・有機ＥＬ装置の製造装置、１１ｃ・・サブチャンバ（加熱室）、２０・・制御部、２１・・センサ、１００・・有機ＥＬ装置、１００ａ・・画素、１１０・・第１基板、１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）・・有機ＥＬ素子、１８１・・正孔注入層（有機機能層）、１８２・・正孔輸送層（有機機能層）、１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）・・発光層（有機機能層）、１８４・・電子輸送層（有機機能層）、１７０・・電子注入層、１７１・・第２電極層（陰極層）、１７２・・補助配線

Claims (7)

1. 支持基板上に第１電極層、有機機能層、および第２電極層が順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、
   前記支持基板上に前記第１電極層を形成した後、前記有機機能層を形成する前に、前記支持基板を加熱室内で真空加熱して前記支持基板から水分を除去する水分除去工程を有し、
   当該水分除去工程では、前記加熱室内の水分量を直接あるいは他の物理量を介して間接的に測定し、当該測定結果に基づいて、前記加熱室内の水分量が所定レベルまで低下したと判定された後、前記支持基板に前記有機機能層を形成する有機機能層工程を行なうことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
2. 前記水分除去工程の前に前記支持基板上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程を有していることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
3. 前記水分除去工程では、前記加熱室内の支持基板１枚当たりの水分量、あるいは前記加熱室内の単位時間当たりの水分減少量を示す監視値が所定レベルに到達した後、前記有機機能層工程を行なうことを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
4. 前記乾燥室内の水分量を測定するにあたっては、前記物理量として前記加熱室内の真空度を測定することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
5. 前記加熱室内に今回投入した前記支持基板の枚数をＮとし、前記支持基板を今回、投入する前の前記加熱室の真空度をＭ1Ｐａとし、現在の前記加熱室内の真空度をＭ2Ｐａとしたとき、以下の式で求められる値
   （Ｍ2−Ｍ1）／Ｎ
   が０．３×１０^-4Ｐａ未満になったとき、前記支持基板に対して前記有機機能層工程を行なうことを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
6. 前記加熱室内の１分当たりの真空度向上度が３．０×１０^-6Ｐａ／ｍｉｎ未満になったとき、前記支持基板に対して前記有機機能層工程を行なうことを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
7. 支持基板上に第１電極層、有機機能層、および第２電極層が順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置において、
   前記支持基板上に前記第１電極層を形成した後、前記有機機能層を形成する前に、前記支持基板を真空加熱して前記支持基板から水分を除去する加熱室と、
   該加熱室内の水分量を直接あるいは他の物理量を介して間接的に測定するセンサと、
   前記センサによる計測結果に基づいて、前記加熱室内の水分量が所定レベルまで低下したと判定したとき、前記支持基板に対する前記有機機能層の形成を許容する制御部と、
   を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置。

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