CN113851392A - 用于制造显示设备的装置 - Google Patents

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白锡淳
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Abstract

一种用于制造显示设备的装置包括：腔室；加热构件，设置在所述腔室内，以在所述腔室内提供热气氛，其中所述加热构件包括彼此面对的第一加热器和第二加热器；高度调节构件，包括设置在所述第一加热器与所述第二加热器之间的端部；以及驱动单元，驱动所述高度调节构件的所述端部向上或向下移动，使得所述高度调节构件的所述端部位于第一高度和第二高度之一处，所述第一高度和所述第二高度是所述第一加热器与所述第二加热器之间的不同高度。所述第一高度和所述第二高度中的每个高度不同于所述第一加热器的顶表面的高度，并且不同于所述第二加热器的面对所述第一加热器的所述顶表面的底表面的高度。

Description

用于制造显示设备的装置
本申请要求于2020年6月26日提交的第10-2020-0078370号韩国专利申请的优先权以及由其产生的所有权益，该韩国专利申请的内容以其整体通过引用合并于此。
技术领域
本公开涉及一种用于制造显示设备的装置。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示设备的重要性已经稳步增加。因此，诸如液晶显示器(“LCD”)、有机发光显示器(“OLED”)等各种类型的显示设备最近已被广泛使用。
在显示设备中，自发光显示设备包括诸如有机发光二极管的自发光元件。自发光元件可以包括两个相对的电极和介于其间的发光层。在使用有机发光二极管作为自发光元件的情况下，来自两个电极的电子和空穴在发光层中重新组合以产生激子，激子从激发态转变到基态，从而发光。
制造有机发光二极管的工艺可以包括烘烤其上形成有多个薄膜的目标基板的工艺。这种烘烤工艺主要通过使用加热器将热施加到目标基板来执行。
发明内容
本公开的实施例提供一种用于制造显示设备的装置，所述装置能够均匀地热处理大面积基板并且调节工艺温度廓线。
一种用于制造显示设备的装置的实施例包括：腔室；加热构件，设置在所述腔室内部，以在所述腔室内部提供热气氛，其中所述加热构件包括彼此面对的第一加热器和第二加热器；高度调节构件，包括设置在所述第一加热器与所述第二加热器之间的端部；以及驱动单元，驱动所述高度调节构件的所述端部向上或向下移动，使得所述高度调节构件的所述端部位于第一高度和第二高度中的一个高度处，所述第一高度和所述第二高度是所述第一加热器和所述第二加热器之间的不同高度，其中所述第一高度和所述第二高度中的每个高度不同于所述第一加热器的顶表面的高度，并且不同于所述第二加热器的面对所述第一加热器的所述顶表面的底表面的高度。
一种用于制造显示设备的装置的实施例包括：腔室；加热构件，包括设置在所述腔室的下部的第一加热器和设置在所述腔室的上部的第二加热器；高度调节构件，支撑目标基板，其中所述高度调节构件的至少一部分设置在所述第一加热器与所述第二加热器之间；以及驱动单元，通过将所述高度调节构件升高或降低到预定高度来调节所述目标基板的高度，其中所述第一加热器的宽度和所述第二加热器的宽度中的每个宽度大于所述目标基板的宽度，并且所述第一加热器的侧表面和所述第二加热器的侧表面中的每个侧表面比所述目标基板的侧表面更向外突出。
在这样的实施例中，用于制造显示设备的装置可以在调节的工艺温度廓线下在大面积基板上执行均匀的热处理。
本公开的效果不限于上述效果，并且说明书中包括各种其他效果。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的以上和其他特征将变得更加明显，在附图中：
图1是示意性地示出根据实施例的制造装置的视图；
图2是示意性地示出腔室内部的热流的视图；
图3是示出根据实施例的其中目标基板布置在腔室的热平衡区中的场景的视图；
图4是示出根据实施例的根据腔室内部的温度而变化的热平衡位置的视图；
图5是根据实施例的根据第一加热器与目标基板之间的距离而变化的目标基板的温度升高速率的曲线图；
图6是根据温度升高速率结晶的目标基板的比热容的曲线图；
图7是由根据实施例的显示设备制造装置制造的显示设备的平面图；
图8是图7的显示设备的局部剖视图；
图9是示意性地示出根据替代性实施例的制造装置的视图；
图10是示意性地示出根据图9的实施例的制造装置内部的热流的视图；
图11是根据第一加热器的点A与点B之间的位置而变化的温度的曲线图；
图12是示意性地示出根据另一替代性实施例的制造装置的视图；以及
图13是示意性地示出根据又一替代性实施例的制造装置的视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照其中示出本发明的优选实施例的附图更充分地描述本发明。然而，本发明可以以许多不同的形式实现，并且不应被解释为限于本文阐述的实施例。更确切地，提供这些实施例使得本公开将是彻底且完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。相同的附图标记始终表示相同的元件。
还将理解，当一层称为在另一层或基板“上”时，其能够直接在另一层或基板上、或者也可以存在介于其间的层。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的部件。在附图中，为了清楚而夸大层和区域的厚度。
虽然本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各个元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语可以用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离一个或更多个实施例的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。将元件描述为“第一”元件可能不需要第二元件或其他元件的存在，或暗示第二元件或其他元件的存在。术语“第一”、“第二”等在本文中也可以用于区分不同的元件类别或元件组。为了简洁，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类(或第一组)”、“第二类(或第二组)”等。
本文使用的术语仅仅出于描述特定实施例的目的，而不旨在限制。如本文所使用的，“一”、“某一”、“该”和“至少一个”不表示数量的限制，并且旨在包括单数和复数两者，除非上下文另有明确说明。例如，除非上下文另有明确说明，否则“一元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“至少一个”不应被解释为限制“一”或“某一”。“或”意指“和/或”。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何和所有组合。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包括有”或“包含”和/或“包含有”指定存在所陈述的特征、区域、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、区域、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组。
此外，本文可以使用诸如“下”或“底”和“上”或“顶”的相对术语来描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。应当理解，除了图中描绘的取向之外，相对术语旨在涵盖设备的不同取向。例如，如果附图之一中的设备被翻转，则描述为在其他元件的“下”侧的元件将被定向在其他元件的“上”侧。因此，术语“下”能够涵盖“下”和“上”的取向，这取决于附图的特定取向。类似地，如果附图之一中的设备被翻转，则被描述为在其他元件“下方”或“下面”的元件将被定向为在其他元件“上方”。因此，术语“下方”或“下面”可以涵盖上方和下方的两种取向。
除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)均具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解相同的含义。进一步应理解，诸如在常用词典中定义的那些术语的术语应被解释为具有与它们在相关领域和本公开的背景中的含义一致的含义，并且不应以理想化或者过度形式化的意义进行解释，除非本文明确如此定义。
本文参照作为理想化实施例的示意性图示的剖视图示来描述实施例。因此，预期作为例如制造技术和/或公差的结果的图示形状的变化。因此，本文描述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造引起的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外，所示的锐角可以是圆形的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状，并且不旨在限制本权利要求的范围。
在下文中，将参照附图详细描述实施例。
图1是示意性地示出根据实施例的制造装置的视图。图2是示意性地示出腔室内部的热流的视图。图3是示出根据实施例的目标基板布置在腔室的热平衡区中的场景的视图。
图2示出了根据实施例的腔室110和加热构件120。图2中示出了实施例中的热流，但本公开不限于此。图3示出了其中目标基板S通过高度调节构件130移动到热平衡区HEA的实施例。
参照图1至图3，显示设备的制造装置10的实施例可以包括腔室110、加热构件120、高度调节构件130、比较操作单元140和驱动单元150。
腔室110限定空的内部空间，加热器121和122以及高度调节构件130等可以设置在该空的内部空间中。在一个实施例中，例如，腔室110可以提供用于执行烘烤工艺的空间，但本公开不限于此。在实施例中，如图1所示，腔室110可以具有长方体形状，但本公开不限于此。替代地，腔室110可以具有各种形状中的任何形状。可以在腔室110内部提供热处理气氛。在实施例中，第一加热器121和第二加热器122可以布置在腔室110内部以提供热处理气氛。
加热构件120可以提供用于执行烘烤工艺的热。加热构件120可以将热施加到目标基板S。加热构件120可以包括第一加热器121和第二加热器122。第一加热器121和第二加热器122可以彼此面对或设置成彼此相对，并且目标基板S可以布置在第一加热器121与第二加热器122之间。第一加热器121和第二加热器122可以彼此平行。
第一加热器121和第二加热器122可以分别布置在腔室110的下部和上部以彼此面对。作为主加热器的第一加热器121可以在腔室110内部形成热气氛。作为辅助加热器的第二加热器122可以布置为与第一加热器121间隔开，并且向与第一加热器121间隔开的空间提供进一步的热。第二加热器122可以用于在腔室110内部均匀地形成热气氛。也就是说，除了腔室110内部的第一加热器121之外布置的第二加热器122可以改善腔室110内部的温度均匀性。
第一加热器121和第二加热器122可以包括各自的加热丝HL1和HL2以及供电单元(未示出)。在实施例中，第一加热器121可以包括位于其中的第一加热丝HL1，并且第二加热器122可以包括位于其中的第二加热丝HL2。第一加热丝HL1和第二加热丝HL2可以由供电单元(未示出)供电，并加热第一加热器121和第二加热器122。由加热丝HL1和HL2加热的第一加热器121和第二加热器122可以在腔室110内部形成热气氛。
可以在第一加热器121与第二加热器122之间形成热平衡区HEA，在热平衡区HEA中热是平衡的。热平衡区HEA可以在其中是热均匀的。也就是说，第一加热器121和第二加热器122可以发射热，并且热可以通过对流和/或辐射传递到腔室110内部的每个区域。尽管第一加热器121和第二加热器122发射热以在腔室110内部形成热处理气氛，并且热通过对流和/或辐射传递，但是在其中温度是均匀的并且可以在整个区域保持均匀的局部区域(热平衡区HEA)中实现了热平衡状态。热平衡区HEA的位置可以基于第一加热器121和第二加热器122的温度而变化。
当由第一加热器121和第二加热器122发出的热通过对流和/或辐射传递时，由第一加热器121发出的热和由第二加热器122发出的热可以在热平衡区HEA中彼此建立平衡，热平衡区HEA可以在其整个区域保持在热均匀状态中。在这样的实施例中，从第一加热器121和第二加热器122发出的热是均匀的和/或第一加热器121和第二加热器122的温度是均匀的，使得热平衡区HEA可以在其整个区域保持均匀的温度，并且在其整个区域维持相同的温度。
在这样的实施例中，当通过稍后将描述的高度调节构件130将目标基板S布置在热平衡区HEA中时，可以执行烘烤工艺，使得在目标基板S的整个区域上施加相同的温度。因此，在这样的实施例中，可以均匀地热处理位于不同位置的像素，以避免或防止由位于不同位置并因此以不同温度制造的像素引起的缺陷，诸如显示设备上的亮度差异和瑕疵。
第一加热器121和第二加热器122可以完全覆盖目标基板S。第一加热器121的宽度W1可以大于目标基板S的宽度WS，并且第二加热器122的宽度W2可以大于目标基板S的宽度WS。第一加热器121的侧表面可以向外突出超过目标基板S的侧表面，并且第二加热器122的侧表面可以向外突出超过目标基板S的侧表面。第一加热器121的平面面积可以大于目标基板S的平面面积，并且第二加热器122的平面面积可以大于目标基板S的平面面积。目标基板S的整个区域可以在厚度方向上与第一加热器121重叠，并且可以在厚度方向上与第二加热器122重叠。在这样的实施例中，在平面图中第一加热器121的边缘可以包围目标基板S的边缘，并且在平面图中第二加热器122的边缘可以包围目标基板S的边缘。
第一加热器121的宽度W1和第二加热器122的宽度W2可以基本上彼此相等，并且第一加热器121的侧表面可以与第二加热器122的侧表面对齐，但本公开不限于此。在第一加热器121的宽度W1和第二加热器122的宽度W2彼此相等的实施例中，可以有效地在腔室110内部均匀地提供热气氛。
在第一加热器121的宽度W1和第二加热器122的宽度W2各自大于目标基板S的宽度WS且第一加热器121的侧表面和第二加热器122的侧表面向外突出超过目标基板S的侧表面的实施例中，可以在目标基板S的整个区域上进一步均匀地执行热处理。在这样的实施例中，第一加热器121和第二加热器122的内侧(厚度方向上的重叠区域)和外侧(厚度方向上的非重叠区域)可以在热气氛中不同，使得对流和/或辐射可以沿着内侧与外侧之间的边界主动地发生，这意味着热气氛在内侧的边缘周围是不均匀的。
在实施例中，第一加热器121的侧表面和第二加热器122的边缘可以向外突出超过目标基板S的边缘，使得第一加热器121和第二加热器122的内侧与外侧之间的边界与目标基板S分开预定距离。在这样的实施例中，有效地防止目标基板S的边缘和中心区域处于不同的热处理气氛中，使得可以允许在目标基板S的整个区域上以相同或恒定的温度执行烘烤工艺。
在实施例中，显示设备的制造装置10可以进一步包括用于测量热平衡区HEA的位置的位置测量单元TS。位置测量单元TS可以布置在目标基板S上。在一个实施例中，例如，位置测量单元TS可以布置在目标基板S的顶表面和/或底表面上，但不限于此。位置测量单元TS也可以布置在目标基板S的顶表面、底表面和侧表面中的一个表面上或者布置在高度调节构件130上，但不限于此。
位置测量单元TS可以包括用于测量腔室110内部的温度的温度传感器。温度传感器可以根据位置测量单元TS的位置来测量腔室110内部的温度、温度的变化以及热平衡区HEA的位置。在替代性实施例中，可以基于第一加热器121和第二加热器122的温度来测量热平衡区HEA的位置，以获取关于第一加热器121和第二加热器122的温度与热平衡区HEA之间的测量和/或函数的数据。在这样的实施例中，位置测量单元TS可以连接到第一加热器121和第二加热器122，以根据第一加热器121和第二加热器122的温度基于预先存储的数据和/或函数来测量热平衡区HEA的位置。
高度调节构件130可以支撑目标基板S。高度调节构件130可以至少部分地布置在第一加热器121与第二加热器122之间。目标基板S可以布置在高度调节构件130的一端(例如，顶端)上。高度调节构件130的一端可以布置在第一加热器121与第二加热器122之间。
高度调节构件130可以支撑目标基板S，例如目标基板S的边缘，使得目标基板S沿着水平方向设置。高度调节构件130可以在第一加热器121和/或第二加热器122的厚度方向上上下移动。因此，放置在高度调节构件130上的目标基板S可以在第一加热器121和/或第二加热器122的厚度方向上向上和向下移动，以调节目标基板S的高度。在这样的实施例中，高度调节构件130可以调节第一加热器121与目标基板S之间的间隙。
通过利用高度调节构件130调节目标基板S的高度，即使当目标基板S的尺寸增加时，目标基板S也可以与第一加热器121和/或第二加热器122间隔开以暴露于均匀的热气氛。
热量K可以与热容C和温度变化量T的乘积成比例，如下面的等式1(“Eq.1”)所示，并且热容C可以与比热S和质量G的乘积成比例，如下面的等式2(“Eq.2”)所示。
K＝C×T………………Eq.1
C＝S×G………………Eq.2
也就是说，第一加热器121和第二加热器122的尺寸(面积)可以随着目标基板S的尺寸变大(面积变大)而增大。由于用于加热第一加热器121和第二加热器122的热量K与质量G成比例，因此随着目标基板S的尺寸变大(面积变大)，期望第一加热器121和第二加热器122的尺寸增大且厚度减小，并且期望热量K增大。然而，减小第一加热器121和第二加热器122的厚度并增大热量K存在限制。
因此，当将目标基板S布置在第一加热器121或第二加热器122上以加热目标基板S时，第一加热器121的温度和/或第二加热器122的温度可能难以达到用于目标基板S的烘烤工艺的期望温度，并且温度可能在区域之间变化。
在本发明的实施例中，显示设备的制造装置10包括第二加热器122以及第一加热器121，并且通过使用高度调节构件130使目标基板S与第一加热器121和第二加热器122间隔开(分隔开)，使得可以在目标基板S的整个区域上以均匀的热气氛执行烘烤工艺。然而，本公开不限于此，并且替代地，目标基板S可以在加热过程期间选择性地接触第一加热器121。
高度调节构件130可以支撑目标基板S，使得目标基板S与第一加热器121和/或第二加热器122平行布置。放置在高度调节构件130上的目标基板S可以与第一加热器121和第二加热器122间隔开。因此，目标基板S的温度可以与第一加热器121和/或第二加热器122不同。
尽管未示出，但是高度调节构件130可以穿过第一加热器121布置在腔室110的底表面上。然而，本公开不限于此，并且替代地，高度调节构件130可以布置在第一加热器121上或腔室110的一个侧表面上。
比较操作单元140可以将目标基板S的位置与热平衡区HEA的位置进行比较。在实施例中，比较操作单元140可以将目标基板S的位置与由位置测量单元TS获取的热平衡区HEA的位置进行比较，并将比较结果发送到驱动单元150。
驱动单元150可以驱动高度调节构件130在第一加热器121和/或第二加热器122的厚度方向上上下移动。在实施例中，驱动单元150可以驱动高度调节构件130以调节高度调节构件130的一端(例如，顶端)的高度。因此，可以调节放置在高度调节构件130的一端(例如，顶端)上的目标基板S的高度。
驱动单元150可以调节高度调节构件130的一端以置于预定高度或不同高度处。如本文所使用的术语“高度”表示高度调节构件130的一端与第一加热器121的顶表面(或与顶表面相对的底表面)之间的距离。也就是说，驱动单元150可以调节高度调节构件130的一端与第一加热器121的顶表面或底表面之间的距离。驱动单元150还可以调节高度调节构件的一端与第二加热器122的顶表面或底表面之间的距离。
然而，本公开不限于此，并且驱动单元150可以例如将高度调节构件130的一端定位在第一高度和第二高度中的一个高度处，该第一高度和该第二高度是第一加热器121与第二加热器122之间的不同高度。高度调节构件130的位于第一高度和第二高度中的一个高度处的一端可位于热平衡区HEA内。高度调节构件130在第一高度处的一端与第一加热器121的顶表面之间的距离可以不同于高度调节构件130在第二高度处的一端与第一加热器121的顶表面之间的距离。在这样的实施例中，高度调节构件130在第一高度处的一端与第二加热器122的底表面之间的距离可以不同于高度调节构件130在第二高度处的一端与第二加热器122的底表面之间的距离。
在实施例中，高度调节构件130在第一高度处的一端与第一加热器121的顶表面之间的距离可以小于高度调节构件130的一端与第二加热器122的底表面之间的距离，并且高度调节构件130在第二高度处的一端与第一加热器121的顶表面之间的距离可以大于高度调节构件130的一端与第二加热器122的底表面之间的距离。第一高度和第二高度中的每个高度可不同于第一加热器121的顶表面的高度，并且不同于第二加热器122的面对第一加热器121的顶表面的底表面的高度。
驱动单元150可以基于从比较操作单元140接收的比较结果来驱动高度调节构件130，使得目标基板S布置在热平衡区HEA中。因此，在这样的实施例中，目标基板S可以移动到热平衡区HEA中。在实施例中，驱动单元150可以布置在腔室110外部，但本公开不限于此。替代地，驱动单元150可以布置在腔室110内部。
驱动单元150可以调节高度调节构件130的高度，以将目标基板S定位在多个不同高度中的一个高度处，并将目标基板S固定在用于执行烘烤工艺的位置处。目标基板S的温度升高和降低速率可以根据目标基板S的位置而变化，这可以导致目标基板S的特性在烘烤工艺之后变化。也就是说，可以通过高度调节构件130调节目标基板S的位置(或高度)，从而调节目标基板S的特性。在下文中将参照图4至图5更多地描述这种特征。
图4是示出根据实施例的根据腔室内部的温度而变化的热平衡位置的视图。图5是根据实施例的根据第一加热器与目标基板之间的距离而变化的目标基板的温度升高速率的曲线图。
在实施例中，参照图4，可以在腔室110内部的第一加热器121与第二加热器122之间的不同区域处形成多个热平衡区HEA1、HEA2和HEA3。热平衡区HEA1、HEA2和HEA3的内部温度可以不同。
然而，本公开不限于此，并且热平衡区HEA1、HEA2和HEA3可以具有随着距第一加热器121的距离g1、g2、g3减小而增大的内部温度。也就是说，第二热平衡区HEA2与第一加热器121之间的距离g2可以大于第一热平衡区HEA1与第一加热器121之间的距离g1，并且第三热平衡区HEA3与第一加热器121之间的距离g3可以大于第二热平衡区HEA2与第一加热器121之间的距离g2。在这样的实施例中，第二热平衡区HEA2的温度可以低于第一热平衡区HEA1的温度，并且第三热平衡区HEA3的温度可以低于第二热平衡区HEA2的温度。
尽管为了便于说明，在图4中一起示出了第一至第三热平衡区HEA1、HEA2和HEA3，但是第一至第三热平衡区HEA1、HEA2和HEA3可以各自根据第一加热器121的温度和/或第二加热器122的温度形成。也就是说，可以通过调节第一加热器121的温度和/或第二加热器122的温度来调节第一至第三热平衡区HEA1、HEA2和HEA3的位置。然而，本公开不限于此，并且即使均匀地维持第一加热器121和第二加热器122的温度，也可以形成多个热平衡区HEA1、HEA2和HEA3。尽管图中示出了三个热平衡区HEA1、HEA2和HEA3，但是热平衡区HEA1、HEA2和HEA3的数量不限于此。
随着热平衡区HEA1、HEA2、HEA3变得更靠近第一加热器121，布置在每个热平衡区HEA1、HEA2、HEA3中的目标基板S的温度升高速率可以变化。
进一步参照图5，图5的曲线图上的线表示随时间变化的目标基板S的温度。曲线图的线(a)示出了目标基板S布置在图4的第一热平衡区HEA1中的情况，曲线图的线(b)示出了目标基板S布置在图4的第二热平衡区HEA2中的情况，并且曲线图的线(c)示出了目标基板S布置在图4的第三热平衡区HEA3中的情况。
随着热平衡区HEA1、HEA2、HEA3更靠近第一加热器121，布置在热平衡区HEA1、HEA2、HEA3中的目标基板S的温度升高速率可以增加。也就是说，随着热平衡区HEA1、HEA2、HEA3更靠近第一加热器121，布置在每个热平衡区HEA1、HEA2、HEA3中的目标基板S达到阈值温度(用于烘烤工艺的温度)所花费的时间可以减少。
在实施例中，尽管图中未示出，但布置在热平衡区HEA1、HEA2、HEA3中的目标基板S的冷却速率可以关于热平衡区HEA1、HEA2、HEA3与第一加热器121之间的距离与温度升高速率具有相反关系。也就是说，目标基板S的冷却速率可以随着目标基板S布置于其中的热平衡区HEA1、HEA2、HEA3与第一加热器121之间的距离增加而增加。
在实施例中，可以通过调节第一加热器121的温度和/或第二加热器122的温度来调整热平衡区HEA1、HEA2和HEA3的位置，并且可以通过将目标基板S布置在热平衡区HEA1、HEA2和HEA3中的任一个中来调节目标基板S的温度升高速率。
即使当目标基板S包括相同的材料时，目标基板S的特性也可以随着烘烤工艺中目标基板S的温度升高速率的改变而变化。下文将参照图6详细描述这些特征。
图6是根据温度升高速率结晶的目标基板的比热容的曲线图。
进一步参照图6，图6的曲线图上的曲线(a)、(b)和(c)表示根据温度升高速率结晶的目标基板的比热容。曲线图的曲线(a)示出了目标基板S布置在图4的第一热平衡区HEA1中的情况，曲线图的曲线(b)示出了目标基板S布置在图4的第二热平衡区HEA2中的情况，并且曲线图的曲线(c)示出了目标基板S布置在图4的第三热平衡区HEA3中的情况。
当目标基板S的温度升高速率更高时，在目标基板S结晶之后，目标基板S的比热容可能更小。也就是说，当热平衡区HEA1、HEA2、HEA3更靠近第一加热器121时，当布置在热平衡区HEA1、HEA2、HEA3中的目标基板S通过烘烤工艺结晶时，比热容可能更小。另外，随着目标基板S的温度升高速率更高，可以根据暴露于热气氛的时间获得更均匀的比热容。
图6中示出的比热容的曲线图示出了目标基板S的特性在烘焙工艺之后根据目标基板S的温度升高速率的改变的示例。然而，本公开不限于此，并且尽管稍后将进行描述，但是在目标基板S包括显示设备的各个部件的情况下，各个部件的电特性可以根据目标基板S的温度升高速率而变化。
上述制造装置10可以用于制造显示设备。在下文中，将参照图7和图8描述使用根据实施例的制造装置10制造的显示设备。
图7是由根据实施例的显示设备制造装置制造的显示设备的平面图。图8是图7的显示设备的局部剖视图。
参照图7和图8，显示设备20可以在平面图中形成为大致矩形形状。显示设备20可以具有在平面图中具有直角角部的矩形形状。然而，本公开不限于此，并且替代地，显示设备20可以具有在平面图中具有圆形角部的矩形形状。
显示设备20通过显示区域DPA显示屏幕或图像，并且包括显示区域DPA的各种设备可以包括在其中。显示设备20的示例可以包括但不限于智能电话、移动电话、平板PC、个人数字助理(“PDA”)、便携式多媒体播放器(“PMP”)、电视、游戏机、腕表型电子设备、头戴式显示器、个人计算机的监视器、膝上型计算机、汽车导航系统、汽车仪表板、数字相机、摄像机、外部广告牌、电子广告牌、各种医疗设备、各种检查设备、包括显示区域DPA的诸如冰箱和洗衣机的各种家用电器、物联网设备等。
显示设备20包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA是限定屏幕或显示图像的区域，而非显示区域NDA是不显示图像的区域。
多个像素可以设置在显示区域DPA中。像素是用于显示图像的基本单元。像素可以包括但不限于红色像素、绿色像素和蓝色像素。多个像素可以在平面图中交替地布置。在一个实施例中，例如，像素可以以矩阵形式布置，但本公开不限于此。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA周围，并且可以围绕显示区域DPA。在一个实施例中，例如，显示区域DPA可以形成为矩形形状，并且非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA的四个边周围，但本公开不限于此。
在下文中，将详细描述显示设备20的堆叠结构。
在实施例中，如图8所示，显示设备20可以包括下部构件21、显示面板22、触摸构件23、防反射构件24和覆盖窗25。下部构件21、显示面板22、触摸构件23、防反射构件24和覆盖窗25可以顺序堆叠。可以在堆叠构件之间设置至少一个结合构件(诸如粘合剂层或增粘剂层)以结合相邻的堆叠构件。然而，本公开不限于此，并且可以在各层之间进一步设置另一层，并且可以省略堆叠构件中的一些构件。
显示面板22是用于显示图像的面板。在实施例中，显示面板22不仅可以包括自发光显示面板，诸如有机发光显示(“OLED”)面板、无机电致发光(“EL”)显示面板、量子点(“QED”)显示面板、微发光二极管(“LED”)显示面板、纳米LED显示面板、等离子体显示面板(“PDP”)、场发射显示(“FED”)面板和阴极射线管(“CRT”)显示面板，还可以包括光接收显示面板，诸如液晶显示(“LCD”)面板和电泳显示(“EPD”)面板。在下文中，为了便于描述，将详细描述显示面板22是有机发光显示面板的实施例。然而，实施例不限于有机发光显示面板，并且可以在本文的教导内应用上述或本领域已知的其他类型的显示面板。
显示面板22可以包括基础基板SUB1、缓冲层SUB2、半导体层ACT、第一绝缘层IL1、第一栅极导电层221、第二绝缘层IL2、第二栅极导电层222、第三绝缘层IL3、数据导电层223、第四绝缘层IL4、阳极电极ANO、包括暴露阳极电极ANO的开口的像素限定层PDL、设置在像素限定层PDL的开口中的发光层EML、设置在发光层EML和像素限定层PDL上的阴极电极CAT、以及设置在阴极电极CAT上的薄膜封装层EM。上述层中的每层可以具有单层结构，或具有多层的堆叠的多层结构。其他层可以进一步设置在层之间。
基础基板SUB1可以支撑设置在其上的各层。基础基板SUB1可以包括诸如聚合物树脂的绝缘材料或诸如玻璃或石英的无机材料，或者由诸如聚合物树脂的绝缘材料或诸如玻璃或石英的无机材料制成。
缓冲层SUB2设置在基础基板SUB1上。缓冲层SUB2可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
半导体层ACT设置在缓冲层SUB2上。半导体层ACT形成像素的薄膜晶体管的沟道。半导体层ACT可以包括多晶硅、单晶硅、非晶硅等，或由多晶硅、单晶硅、非晶硅等制成，或者可以包括氧化物半导体。多晶硅可以通过使非晶硅结晶来形成，但本公开不限于此。氧化物半导体可以包括铟镓锌氧化物(“IGZO”)等。
第一绝缘层IL1设置在半导体层ACT上。第一绝缘层IL1可以是具有栅极绝缘功能的栅极绝缘层。
第一栅极导电层221设置在第一绝缘层IL1上。第一栅极导电层221可以包括像素的薄膜晶体管的栅电极GAT、与其连接的扫描线和存储电容器的第一电极CE1。
第二绝缘层IL2可以设置在第一栅极导电层221上。第二绝缘层IL2可以是层间绝缘层或第二栅极绝缘层。
第二栅极导电层222设置在第二绝缘层IL2上。第二栅极导电层222可以包括存储电容器的第二电极CE2。
第三绝缘层IL3设置在第二栅极导电层222上。第三绝缘层IL3可以是层间绝缘层。
数据导电层223设置在第三绝缘层IL3上。数据导电层223可以包括像素的薄膜晶体管的第一电极SD1、第二电极SD2以及第一电源线ELVDDE。薄膜晶体管的第一电极SD1和第二电极SD2可以经由限定穿过第三绝缘层IL3、第二绝缘层IL2和第一绝缘层IL1的接触孔电连接到半导体层ACT的源极区域和漏极区域。
第四绝缘层IL4设置在数据导电层223上。第四绝缘层IL4覆盖数据导电层223。第四绝缘层IL4可以是过孔层或平坦化层。
阳极电极ANO设置在第四绝缘层IL4上。阳极电极ANO可以是为每个像素提供的像素电极。阳极电极ANO可以经由限定穿过第四绝缘层IL4的接触孔连接到薄膜晶体管的第二电极SD2。
阳极电极ANO可以具有通过堆叠具有高功函的材料层(诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO)和氧化铟(In2O3))和反射材料层(诸如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其混合物)而形成的堆叠结构，但不限于此。具有高功函的层可以设置在反射材料层上方并且设置为更靠近发光层EML。阳极电极ANO可以具有多层结构，诸如ITO/Mg、ITO/MgF、ITO/Ag和ITO/Ag/ITO，但不限于此。
像素限定层PDL可以设置在阳极电极ANO上。像素限定层PDL设置在阳极电极ANO上，并且限定穿过像素限定层PDL的开口以暴露阳极电极ANO。发射区域EMA和非发射区域NEM可以分别由像素限定层PDL和像素限定层PDL的开口区分或限定。
间隔物SP可以设置在像素限定层PDL上。间隔物SP可以用于维持与设置在其上方的结构的间隙。
发光层EML设置在由像素限定层PDL暴露的阳极电极ANO上。发光层EML可以包括有机材料层。发光层的有机材料层可以包括有机发光层，并且可以进一步包括空穴注入/传输层和/或电子注入/传输层。
发光层EML可以由根据实施例的显示设备的制造装置10(见图1)形成。发光层EML也可以通过上述烘烤工艺形成，并且温度升高速率可以根据目标基板S(见图1)的位置而变化，这导致发光层EML的热特性、电特性和/或光学特性的变化。包括在发光层EML中的有机材料层可以通过喷墨印刷沉积，但本公开不限于此。
在实施例中，显示设备20的有机膜(有机层)以及发光层EML可以通过制造工艺中的烘烤工艺形成，并且有机膜(有机层)的热特性、电特性和/或光学特性可以根据在烘烤工艺中目标基板S(见图1)布置的位置而变化。
阴极电极CAT可以设置在发光层EML上。阴极电极CAT可以是延伸跨过所有像素的公共电极。阳极电极ANO、发光层EML和阴极电极CAT可以构成有机发光二极管。
阴极电极CAT可以包括具有低功函的材料层，例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF、Ba或其化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。阴极电极CAT可以进一步包括设置在具有低功函的材料层上的透明金属氧化物层。
包括第一无机膜EM1、第一有机膜EM2和第二无机膜EM3的薄膜封装层EM设置在阴极电极CAT上。第一无机膜EM1和第二无机膜EM3可以在薄膜封装层EM的端部处彼此接触。第一有机膜EM2可以被第一无机膜EM1和第二无机膜EM3密封。
第一无机膜EM1和第二无机膜EM3中的每个可以包括氮化硅、氧化硅、氧氮化硅等。第一有机膜EM2可以包括有机绝缘材料。
触摸构件23可以设置在显示面板22上。触摸构件23可以感测触摸输入。在实施例中，如图所示，触摸构件23可以被提供为与显示面板22分离的面板或膜，并且可以附接到显示面板22上。替代地，触摸构件23可以以触摸层的形式提供在显示面板22内部。
防反射构件24可以设置在触摸构件23上。防反射构件24可以使穿过其中的光偏振化或者选择性地透射具有特定波长的光。防反射构件24可以用于减少外部光的反射。
覆盖窗25可以设置在触摸构件23上。覆盖窗25用于覆盖并保护显示面板22。覆盖窗25可以包括透明材料或由透明材料制成。覆盖窗25可以包括例如玻璃或塑料。
下部构件21可以设置在显示面板22下方。下部构件21可以执行光阻挡功能。也就是说，下部构件21可以阻挡光从外部进入显示面板22。此外，下部构件21除光阻挡功能之外可以执行冲击吸收功能。
在下文中，将参照图9至图13描述替代性实施例。图9至图13中示出的相同或相似的元件已经用与上面用于描述图1至图8中示出的实施例的相同的附图标记来标示，并且在下文中将省略或简化其任何重复的详细描述。
图9是示意性地示出根据替代性实施例的制造装置的视图。图10是示意性地示出根据图9的实施例的制造装置内部的热流的视图。图11是根据第一加热器的点A与点B之间的位置而变化的温度的曲线图。
除了第一加热器121_1和第二加热器122_1的加热丝HL1_1和HL2_1的密度不均匀之外，图9至图11中示出的制造装置10_1的实施例与图1的实施例基本相同。
在这样的实施例中，制造装置10_1可以包括加热构件120_1，加热构件120_1包括第一加热器121_1和第二加热器122_1。在这样的实施例中，第一加热器121_1包括第一加热丝HL1_1，并且第二加热器122_1包括第二加热丝HL2_1。
第一加热器121_1内的第一加热丝HL1_1的密度可以是不均匀的。第一加热丝HL1_1的密度可以在朝向第一加热器121_1的边缘的方向上增大，并且在朝向第一加热器121_1的中心的方向上减小。也就是说，第一加热器121_1的边缘周围的第一加热丝HL1_1的锯齿形的相邻条之间的距离可以小于第一加热器121_1的中心周围的第一加热丝HL1_1的锯齿形的相邻条之间的距离。
因此，第一加热器121_1的温度可以随位置而不同。也就是说，其中第一加热丝HL1_1的密度相对较高的第一加热器121_1的边缘周围的温度可以高于其中第一加热丝HL1_1的密度相对较低的第一加热器121_1的中心周围的温度，但本公开不限于此。在这样的实施例中，第二加热器122_1中的第二加热丝HL2_1的特性与第一加热器121_1中的第一加热丝HL1_1的特性基本相同，并且将省略其任何重复的详细描述。
在这样的实施例中，第一加热器121_1的温度可以从靠近第一加热器121_1的一个侧表面的点A到靠近第一加热器121_1的与该一个侧表面相对的另一侧表面的点B逐渐降低并然后再次升高。第一加热器121_1的温度在点A和点B处最高，并且点A与点B之间的区域处的温度可以低于点A和点B处的温度。第一加热器121_1的温度可以随着从点A和点B到点A与点B之间的中心而降低。
在这样的实施例中，第一加热器121_1的温度从第一加热器121_1的中心朝向边缘增大，并且第二加热器122_1的温度从第二加热器122_1的中心朝向边缘增大，第一加热器121_1和第二加热器122_1的边缘处的温度相对高于第一加热器121_1和第二加热器122_1的中心处的温度，使得第一加热器121_1和第二加热器122_1可以在其边缘周围发射相对大量的热量。因此，即使在第一加热器121_1和第二加热器122_1的边缘周围通过内部和外部之间的对流和/或辐射发生热交换，也可以在第一加热器121_1和第二加热器122_1之间的内部中形成更均匀的热气氛。因此，在这样的实施例中，可以改善热平衡区HEA的热均匀性和热稳定性。
在这样的实施例中，即使当第一加热器121_1的尺寸随着目标基板S的尺寸的增加而增加时，也可以在目标基板S的整个区域上利用均匀的热气氛来执行烘烤工艺，并且可以通过调节热平衡区HEA的位置来调节目标基板S的温度升高速率。
图12是示意性地示出根据另一替代性实施例的制造装置的视图。
除了制造装置10_2进一步包括用于将气体供应到腔室110中的气体供应单元160_2和用于排放气体的气体排出单元170_2之外，图12中示出的显示设备的制造装置10_2的实施例与图1的实施例基本相同。
在这样的实施例中，显示设备的制造装置10_2可以进一步包括连接到腔室110的气体供应单元160_2和气体排出单元170_2。气体供应单元160_2可以连接到腔室110的一个表面，并且气体排出单元170_2可以连接到与该一个表面相对的另一表面，但本公开不限于此。
气体供应单元160_2可以将气体供应到腔室110的内部。气体可以包括但不限于氮气(N2)或氩气(Ar)。气体排出单元170_2可以将气体供应单元160_2已经供应到腔室110的内部的气体排放到腔室110的外部。
可以在冷却目标基板S的过程中提供气体以加速目标基板S的冷却速率。气体的温度可以例如等于或小于0℃或等于或小于-30℃，但不限于此。也可以在目标基板S从第一加热器121向第二加热器122移动时提供气体。也就是说，可以在目标基板S与第一加热器121彼此分离时和/或在目标基板S与第一加热器121之间的分离距离增加时提供气体，但本公开不限于此。
在这样的实施例中，即使当第一加热器121的尺寸随着目标基板S的尺寸的增加而增加时，也可以在目标基板S的整个区域上利用均匀的热气氛来执行烘烤工艺，并且可以通过调节热平衡区HEA的位置来调节目标基板S的温度升高速率。
图13是示意性地示出根据又一替代性实施例的制造装置的视图。
除了制造装置10_3包括布置在高度调节构件130上的位置测量单元TS_3之外，图13中示出的显示设备的制造装置10_3的实施例与图1的实施例基本相同。
在这样的实施例中，位置测量单元TS_3可以布置在腔室110内部的高度调节构件130上。位置测量单元TS_3可以布置在高度调节构件130上，并且随着高度调节构件130上下移动而高度变化。在这样的实施例中，位置测量单元TS_3可以包括温度传感器以即使在高度调节构件130上没有布置目标基板S的情况下也测量腔室110内部的温度。
在这样的实施例中，即使当第一加热器121的尺寸随着目标基板S的尺寸的增加而增加时，也可以在目标基板S的整个区域上利用均匀的热气氛来执行烘烤工艺，并且可以通过调节热平衡区HEA的位置来调节目标基板S的温度升高速率。通过使用布置在高度调节构件130上的位置测量单元TS_3，可以根据第一加热器121和第二加热器122的温度有效地测量热平衡区HEA(见图3)的位置。
本发明不应被解释为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的构思。
虽然已经参照本发明的实施例具体示出和描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神或范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (10)

1.一种用于制造显示设备的装置，所述装置包括：
腔室；
加热构件，设置在所述腔室内部，以在所述腔室内部提供热气氛，其中所述加热构件包括彼此面对的第一加热器和第二加热器；
高度调节构件，包括设置在所述第一加热器与所述第二加热器之间的端部；以及
驱动单元，驱动所述高度调节构件的所述端部向上或向下移动，使得所述高度调节构件的所述端部位于第一高度和第二高度中的一个高度处，所述第一高度和所述第二高度是所述第一加热器与所述第二加热器之间的不同高度，
其中所述第一高度和所述第二高度中的每个高度不同于所述第一加热器的顶表面的高度，并且不同于所述第二加热器的面对所述第一加热器的所述顶表面的底表面的高度。
2.如权利要求1所述的装置，其中
目标基板被设置在所述高度调节构件的所述端部上，
所述目标基板与所述第一加热器和所述第二加热器分隔开，并且
所述目标基板的温度不同于所述第一加热器的温度和所述第二加热器的温度。
3.如权利要求1所述的装置，其中
保持在热均匀状态中的热平衡区位于所述第一加热器与所述第二加热器之间，并且
所述高度调节构件的位于所述第一高度和所述第二高度中的所述一个高度处的端部位于所述热平衡区内。
4.如权利要求2所述的装置，其中所述第一加热器的宽度和所述第二加热器的宽度中的每个宽度大于所述目标基板的宽度。
5.如权利要求1所述的装置，其中
所述第一加热器的宽度等于所述第二加热器的宽度，并且
所述第一加热器的侧表面和所述第二加热器的侧表面彼此对齐。
6.如权利要求1所述的装置，其中
所述第一加热器的温度从所述第一加热器的中心朝向边缘增大，并且
所述第二加热器的温度从所述第二加热器的中心朝向边缘增大。
7.一种用于制造显示设备的装置，所述装置包括：
腔室；
加热构件，包括设置在所述腔室的下部的第一加热器和设置在所述腔室的上部的第二加热器；
高度调节构件，支撑目标基板，其中所述高度调节构件的至少一部分设置在所述第一加热器与所述第二加热器之间；以及
驱动单元，通过将所述高度调节构件升高或降低到预定高度来调节所述目标基板的高度，
其中
所述第一加热器的宽度和所述第二加热器的宽度中的每个宽度大于所述目标基板的宽度，并且
所述第一加热器的侧表面和所述第二加热器的侧表面中的每个侧表面比所述目标基板的侧表面更向外突出。
8.如权利要求7所述的装置，其中
保持在热均匀状态中的热平衡区位于所述第一加热器与所述第二加热器之间，并且
所述目标基板设置在所述热平衡区中。
9.如权利要求7所述的装置，其中
所述第一加热器的温度从所述第一加热器的中心朝向边缘增大，并且
所述第二加热器的温度从所述第二加热器的中心朝向边缘增大。
10.如权利要求7所述的装置，其中所述第一加热器的面积和所述第二加热器的面积中的每个面积大于所述目标基板的面积。
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