JP2009289997A - 温度制御装置及び温度制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置のリーク電流を用いて、リーク電流値を許容範囲内に制御することで、半導体装置の温度を制御する。
【解決手段】半導体装置１のリーク電流を検出する検出部１１と、リーク電流が許容範囲から外れる場合、リーク電流を許容範囲内にするように半導体装置の温度を制御する温度制御部１２とを有して、半導体装置１の温度を制御する温度制御装置を構成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、温度制御装置及びその方法に関し、特に、半導体装置の温度を制御する温度制御装置及びその方法に関する。

近年、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor：相補型金属酸化物半導体）等の半導体は、ソース及びドレイン電流を維持しつつ、動作の高速化及びプロセス微細化が行われるため、トランジスタのスイッチング動作が行われる電圧の閾値であるスレッショルド電圧は低下する傾向にある。このスレッショルド電圧の低下に従って、無駄に消費されるドレイン端子−ソース端子間に流れる漏れ電流によるリーク電力（Ｐｌｅａｋ）は、下式に示すように指数関数的に増加することが知られている（下記非特許文献１）。
Ｐｌｅａｋ＝Ｉｏ×１０＾（−Ｖｔｈ／Ｓ）×Ｖｄｄ・・・（数式１）
Ｉｏ：スレッショルド電圧におけるドレイン電流
Ｖｔｈ：スレッショルド電圧
Ｓ：サブスレッショルド・スロープ（温度依存性を示す値。）
Ｖｄｄ：電源電圧

さらに、温度上昇に伴いサブスレッショルド・スロープＳは大きくなるため、温度が上昇するにしたがって、リーク電力は指数関数的に増加する。
半導体の消費電力は、スイッチング電力、貫通電力、リーク電力の合計値で示されるが、このような要因により、半導体消費電力の中でリーク電力の占める割合は増加しつつある。

また、スイッチング電力の変動などによって半導体の温度が上昇すると、前述のように指数関数的にリーク電力が増加し、リーク電力の増加がさらに半導体の温度を上昇させ、さらなる温度上昇とリーク電力増加を招く。
このように、リーク電力増加に伴う半導体の温度上昇は、素子の劣化等を引き起こし、集積回路の微細化・高速化プロセスの進捗を妨害する多大な障害となる。そのため、半導体の設計において、高温動作温度に大きな設計マージンを取らねばならない。

また、ドレイン端子からのリーク電流は、チップ製造時のばらつきが大きくなり易く、リーク電流が小さくなり過ぎると、動作速度が低下する。そのため、半導体の設計において、低温動作温度にも大きな設計マージンを取らねばならない。
このような、大きな温度設計マージンは、スレッショルド電圧の低下及び動作の高速化を妨げる要因となる。

従来、温度検出素子のリーク電流を用いてメモリの温度を検出し、メモリ・リフレッシュにおける消費電流を抑制する技術が提案されている（下記特許文献１）。この文献では、環境温度の低下によりメモリのリーク電流が減少することに着目し、温度検出素子のリーク電流の減少に伴いリフレッシュ周期を決めるタイマを遅延させることで、メモリ・リフレッシュによる消費電流を低下させている。

また、装置の温度を制御する技術が提案されている。これらの従来技術では、冷却ファン、発熱回路、ペルチェ素子を用いて、装置を冷却又は加熱している。

特開２００３−１０００７４ 特開２００３−２２１３５ 特開平０９−３０５２６８ K.Nose, M.Hirabayashi, H.Kawaguchi, S.Lee, and T.Sakurai, "VTH-Hopping Scheme to Reduce Subthreshold Leakage for Low-Power Processors", IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol.37, No.3, pp.413-419, Mar.2002.

しかし、従来技術では、低温動作温度におけるリフレッシュの消費電力の低下を図るために温度制御素子のリーク電流が用いられるだけであり、リフレッシュの消費電力を抑制できても、リーク電流自体の制御を行うことはできない。また、上記特許文献２及び３は、装置温度を検出して、冷却ファン等の温度制御手段で装置温度を制御できても、リーク電流自体の制御を行うことはできない。
本温度制御装置及び温度制御方法は、半導体装置のリーク電流を検出して、リーク電流を許容範囲内に制御することで、半導体装置の温度制御を行うことを目的とする。

上記課題を解決するために、半導体装置の温度を制御する温度制御装置が提供される。 上記温度制御装置は、上記半導体装置のリーク電流を検出する検出部と、上記リーク電流が許容範囲から外れる場合、上記リーク電流を許容範囲内にするように、上記半導体装置の温度を制御する温度制御部と、を有する。

この温度制御装置は、半導体装置のリーク電流を検出して、リーク電流を許容範囲内に制御することで、半導体装置の温度制御を行う。そのため、半導体装置の温度制御性が向上し、半導体装置の温度設計マージンを少なくすることができる。

以下、図面を参照して、本温度制御装置及び温度制御方法の実施の形態を説明する。
図１を用いて、半導体装置の温度制御を行う温度制御装置の一例について説明する。
温度制御装置１０は、半導体装置１の温度を制御するために、半導体装置１の近傍に、設置される。
温度制御装置１０は、半導体装置１に配置されるトランジスタのドレイン端子からの電流（以下、「リーク電流」と言う）を検出するリーク電流検出部１１、リーク電流を用いて半導体装置１の温度を制御する温度制御部１２を有する。温度制御装置１０は、さらに、（図３を用いて後述する）ペルチェ素子１５の冷却側に配置される冷却側温度センサ１３、ペルチェ電流供給部１４、ペルチェ素子１５、及び露点計１６を有することができる。
なお、これらの構成部品１３〜１６は、半導体装置１に取り付けられても良い。その場合、構成部品１３〜１６は、温度制御装置１０と結線されて、温度制御装置１０により利用される。

また、温度制御装置１０は、上記したように半導体装置１と別個の装置としてではなく、半導体装置の一部を構成する装置として組み込まれることで、図示される半導体装置５として提供されても良い。

リーク電流検出部１１は、リーク電流を検出するリーク電流センサとして機能し、トランジスタにより実装することができる。リーク電流検出部１１は、半導体装置１の温度変化の検出感度を上げるために、スイッチング電力の変動の大きな回路ブロックの近傍に配置されるのが好ましい。

温度制御部１２は、温度制御部１２内のメモリに格納されたファームウェアを実行することで温度制御処理を行うことができる。
また、温度制御部１２は、後述する数式を用いて、リーク電流検出部１１が検出したドレイン電流から半導体装置１のリーク電力を算出する。そして、温度制御部１２は、クロック供給部３のクロック周波数を変更することで、トランジスタのスイッチング回数を増加又は減少させる。このスイッチング回数の変化により、スイッチング電力を増加又は減少させて、半導体装置１の温度制御をすることができる。
さらに、温度制御部１２は、ペルチェ電流供給部１４からの供給電流を、ペルチェ素子１５の冷却側又は加熱側に流して、半導体装置１を温度制御することができる。

図２を用いて、リーク電流検出部の一例を説明する。
リーク電流検出部１１として機能するリーク電流センサであるトランジスタは、検出感度を上げるため、ソースとドレインとの接合面積が大きいものを使用するのが好ましい。図において一部のトランジスタが省略表記されているが、複数のトランジスタ１１−１、・・・、１１−ｎが並列に接続され得る。
半導体装置内のトランジスタのドレイン電流は、トランジスタ１１−１、・・・、１１−ｎのゲートに入力される。センサを流れる電流Ｉは、センサ出力Ｖｄが、直列に接続された抵抗Ｒによって電圧低下することで検出できる。

図３を用いて、半導体装置及び温度制御装置の構成の一例を説明する。
半導体装置１は、半導体チップ１ａとして構成され、半導体チップ１ａのパッケージ上に、ペルチェ素子１５が搭載される。ペルチェ素子１５の上には、放熱器２０が搭載され、ペルチェ素子１５の発熱側の熱を環境中に放出することができる。露点計１６は、環境温度の露点を検出するために、空気の流れる位置に設置されるのが好ましい。
放熱器２０は、アルミ製ベース２１、及びアルミ製放熱板２２を有する。

回路ブロック２のリーク電流の合計値は、「回路ブロック全体の接合面積の合計」と「センサとして使用するトランジスタの接合面積」との比、及び、「センサを流れる電流Ｉ」と、以下の数式２に示される関係を有する。
回路ブロックのリーク電流の合計値［Ａ］∝センサを流れる電流Ｉ［Ａ］×（回路ブロックの総接合面積／センサの接合面積）・・・（数式２）
そのため、「センサを流れる電流Ｉ」を検出し、既知の値である「回路ブロックの総接合面積」及び「トランジスタの接合面積」を用いて、回路ブロックのリーク電流の合計値を推定することができる。

したがって、数式２から推定される「回路ブロックのリーク電流の合計値」が、「回路ブロックのリーク電流の上限許容値」を超える場合は、該当する回路ブロックのクロック供給部によりクロック周波数を下げ、スイッチング回数を減少させることにより、スイッチング電力を抑えることで、リーク電流を減少させると同時に半導体装置の温度を低下させることができる。

スイッチング回数を減少させてもなおリーク電力が許容値を超えたままとなる場合、温度制御部１２は、ペルチェ素子１５を利用して半導体装置１の温度を下げる。
また、ペルチェ素子１５の冷却側の温度が露点以下に下がった場合には、結露による問題発生を避けるため、温度制御部１２は、ペルチェ素子１５の供給電流を切断することもできる。

さらに、上記数式２から推定される「回路ブロックのリーク電流の合計値」が、「回路ブロックのリーク電流の下限許容値」を下回る場合は、該当する回路ブロックのクロック供給部によりクロック周波数を上げ、スイッチング回数を増加させることにより、スイッチング電力を増加させることで、リーク電力を増加させると共に半導体の温度を上昇させることができる。
スイッチング回数を増加させてもなおリーク電流が許容値を下回るままとなる場合、ペルチェ素子１５の発熱側を利用して半導体装置１の温度を上げる。

また、温度制御部１２のメモリは、回路ブロック情報として、回路ブロック毎に、上述の「回路ブロックの総接合面積」、「リーク電流センサの接合面積」、及び、「回路ブロックのリーク電流の上限許容値」、及び「回路ブロックのリーク電流の下限許容値」が格納することができる。

なお、実験やシミュレーション等で求められる半導体装置１の温度とリーク電力との関係を用いて、半導体装置１の温度が高温側の設計温度にあるときのリーク電流値を、上記「リーク電流の上限許容値」として、半導体装置１の温度が高温側の設計温度にあるときのリーク電流値を、上記「リーク電流の下限許容値」として規定することができる。

このように、本実施例では、半導体装置のリーク電流値を許容範囲内に制御することで、半導体装置の温度を制御することができる。半導体装置の温度を用いて温度制御を行う従来例と比して、温度変化要因であるリーク電流を用いて半導体装置を温度制御するため、より温度変化幅の少ない温度制御が可能となる。
そのため、半導体装置の温度を用いた温度制御の場合と比して、半導体装置の温度制御性が向上し、半導体装置の温度設計マージンを少なくすることができる。

図４を用いて、半導体装置におけるリーク電流検出部の配置の一例について説明する。
リーク電流検出部１１は、検出精度の向上のため、温度変化の生じ易い回路ブロックの近傍に設置するのが好ましい。なお、そのような回路ブロックとしては、浮動小数点演算やパイプライン処理を行う回路ブロック等のようにスイッチング回数が多い回路ブロックが挙げられる。そのため、回路ブロックの機能仕様に基づいて、リーク電流検出部１１は設置されるのが好ましい。

このように、本実施例では、スイッチング電力の変動が大きい回路ブロックの近傍にリーク電流検出部１１を配置することによって、スイッチング回数に直接的関係を有するクロック周波数を制御することで、変動の大きい回路ブロックに対してより迅速且つ直接的なリーク電流制御を行うことができる。
そのため、半導体装置の温度を用いた温度制御の場合と比して、半導体装置の温度制御性が向上し、半導体装置の温度設計マージンを少なくすることができる。

図５を用いて、温度制御部によるクロック制御処理のフローの一例を説明する。
温度制御処理が開始されると、まず、温度制御部１２は、リーク電流検出部が近傍に配置される回路ブロック毎の回路ブロック情報を、メモリから読み込む（ステップＳ１０１）。温度制御部１２は、リーク電流検出部が配置されている複数の回路ブロックのうち、１つのブロックを選択し（ステップＳ１０２）、そのブロックの近傍に配置されるリーク電流検出部からリーク電流値を取得する（ステップＳ１０３）。

温度制御部１２は、リーク電流上限値と取得したリーク電流値とを比較し、リーク電流値がリーク電流上限値を上回っているか否かを判断する（ステップＳ１０４）。
検出したリーク電流がリーク電流上限値を上回らない場合、次のリーク電流下限値判断処理（ステップＳ１０７）に進む。
検出したリーク電流がリーク電流上限値を上回る場合、半導体装置１の温度を下げるために、回路ブロックのクロック周波数を下げることができるか否かを判断する（ステップＳ１０５）。クロック周波数を下げた場合、下げたクロック周波数が、当該回路ブロックが動作可能な周波数範囲内である場合、クロック周波数は下げられて（ステップＳ１０６）、次のリーク電流下限値判断処理（ステップＳ１０７）に進む。
クロック周波数を下げた場合、下げたクロック周波数が、当該回路ブロックが動作可能な周波数範囲内に無い場合、クロック周波数は下げられず、次のリーク電流下限値判断処理（ステップＳ１０７）に進む。

温度制御部１２は、リーク電流下限値と取得したリーク電流値とを比較し、リーク電流値がリーク電流下限値を下回っているか否かを判断する（ステップＳ１０７）。
検出したリーク電流がリーク電流下限値を下回らない場合、次処理（ステップＳ１１０）に進む。
検出したリーク電流がリーク電流下限値を下回る場合、半導体装置１の温度を上げるために、回路ブロックのクロック周波数を上げることができるか否かを判断する（ステップＳ１０８）。クロック周波数を上げた場合、上げたクロック周波数が、当該回路ブロックが動作可能な周波数範囲内である場合、クロック周波数は上げられて（ステップＳ１０９）、次処理（ステップＳ１１０）に進む。
クロック周波数を上げた場合、上げたクロック周波数が、当該回路ブロックが動作可能な周波数範囲内に無い場合、クロック周波数は上げられず、次処理（ステップＳ１１０）に進む。

次に、温度制御部１２は、上述の各ステップＳ１０２〜Ｓ１０９が、ステップＳ１０１で読み込まれた全ての回路ブロックについて行われたか否かを判断し、ステップＳ１０２〜Ｓ１０９が行われていない未処理の回路ブロックがある場合、未処理の回路ブロックに対してステップＳ１０２〜Ｓ１０９を繰り返す（ステップＳ１１０）。全ての回路ブロックについて、ステップＳ１０２〜Ｓ１０９が行われた場合は、次のペルチェ温度制御処理（ステップＳ２０１〜Ｓ２１０）を行う。

図６を用いて、温度制御部によるペルチェ温度制御処理のフローの一例を説明する。
最初に、温度制御部１２は、露点計１６から半導体装置１が配置される環境の露点を取得する（ステップＳ２０１）。温度制御部１２は、冷却側温度センサ１３からペルチェ素子１５の冷却側の温度を取得する（ステップＳ２０２）。

温度制御部１２は、検出した冷却側温度が露点を下回っているか否かを判断する（ステップＳ２０３）。冷却側温度が露点を下回っている場合、温度制御部１２は、ペルチェ電流供給部１４を介してペルチェ素子１５への電流を切断する（ステップＳ２０４）。冷却側温度が露点を下回っていない場合、温度制御部１２は、リーク電流検出部から全ての回路ブロックのリーク電流値を取得する（ステップＳ２０５）。

次に、温度制御部１２は、リーク電流上限値と取得したリーク電流値を比較し、リーク電流値がリーク電流上限値を上回っている回路ブロックかあるか否かを判断する（ステップＳ２０６）。
リーク電流上限値を上回るリーク電流値を出力する回路ブロックが無い場合、リーク電流下限値を下回るリーク電流値を出力する回路ブロックがあるか否かを判断する（ステップＳ２０７）。

リーク電流上限値を上回るリーク電流を出力する回路ブロックが無く、且つ、リーク電流下限値を下回るリーク電流を出力する回路ブロックも無い場合、全回路ブロックは、適切なリーク電流を出力しており、温度制御は不要である。そのため、温度制御部１２は、ペルチェ電流供給部１４を介してペルチェ素子１５への電流を切断して（ステップＳ２０４）、ペルチェ温度制御処理を終了し、クロック制御処理（ステップＳ１０２）に戻る。

リーク電流上限値を上回るリーク電流を出力する回路ブロックが無く、且つ、リーク電流下限値を下回るリーク電流を出力する回路ブロックが有る場合、回路ブロックの少なくとも一部は、過小なリーク電流を出力しており、半導体装置１の加熱処理が必要になる。そのため、温度制御部１２は、ペルチェ電流供給部１４を介してペルチェ素子１５の加熱側へ電流を流して（ステップＳ２０９）、ペルチェ温度制御処理を終了し、クロック制御処理（ステップＳ１０２）に戻る。

リーク電流上限値を上回るリーク電流値を出力する回路ブロックが有る場合、リーク電流下限値を下回るリーク電流値を出力する回路ブロックがあるか否かを判断する（ステップＳ２０８）。
リーク電流上限値を上回るリーク電流を出力する回路ブロックが有り、且つ、リーク電流下限値を下回るリーク電流を出力する回路ブロックが無い場合、回路ブロックの少なくとも一部は、過剰なリーク電流を出力していることになる。そのため、温度制御部１２は、ペルチェ電流供給部１４を介してペルチェ素子１５の冷却側へ電流を流して（ステップＳ２１０）、ペルチェ温度制御処理を終了し、再度クロック制御処理（ステップＳ１０２）に戻る。

リーク電流上限値を上回るリーク電流を出力する回路ブロックが有り、且つ、リーク電流下限値を下回るリーク電流を出力する回路ブロックも有る場合、回路ブロックのなかに、過剰なリーク電流を出力する回路ブロックと、過小なリーク電流を出力する回路ブロックの両方が存在していることになる。そのため、温度制御部１２は、半導体装置１の過熱処理も冷却処理も行わないこととし、ペルチェ電流供給部１４を介してペルチェ素子１５への電流を切断して（ステップＳ２０４）、ペルチェ温度制御処理を終了し、再度クロック制御処理（ステップＳ１０２）に戻る。

このように、温度制御部１２は、半導体装置のリーク電流を検出して、そのリーク電流を許容範囲内に制御するように、回路ブロックのクロック周波数の制御、及び／又は、ペルチェ素子の過熱又は冷却制御を行い、半導体装置の温度制御を行うことができる。

以上述べた本温度制御装置及び温度制御方法の実施の態様は、以下の付記の通りである。
（付記１）
半導体装置の温度を制御する温度制御装置であって、
前記半導体装置のリーク電流を検出する検出部と、
前記リーク電流が許容範囲から外れる場合、前記リーク電流を許容範囲内にするように、前記半導体装置の温度を制御する温度制御部と、を有することを特徴とする温度制御装置。（１、図１）
（付記２）
前記温度制御部は、前記半導体装置のクロック周波数を変えることで、前記半導体装置の温度を制御する付記１に記載の温度制御装置。（２、図１）
（付記３）
ペルチェ素子をさらに有し、
前記温度制御部は、前記ペルチェ素子により冷却又は加熱することで、前記半導体装置の温度を制御する付記１又は２に記載の温度制御装置。（３、図１及び３）
（付記４）
前記半導体装置は、複数の回路ブロックを有し、
前記検出部は、前記リーク電流の変動が大きな回路ブロックの近傍に設けられる付記１〜３のいずれかに記載の温度制御装置。（４、図１）
（付記５）
前記検出部は、複数のトランジスタを有する付記１〜４のいずれかに記載の温度制御装置。（５、図２）
（付記６）
検出部及び温度制御部を有する温度制御装置による、半導体装置の温度を制御する温度制御方法であって、
前記検出部が、前記半導体装置のリーク電流を検出するステップと、
前記リーク電流が許容範囲から外れる場合、前記リーク電流を許容範囲内にするように、前記半導体装置の温度を制御する制御ステップと、を有することを特徴とする温度制御方法。（６、図１）
（付記７）
前記制御ステップは、前記温度制御部が前記半導体装置のクロック周波数を変えることで、前記半導体装置の温度を制御することを含む付記６に記載の温度制御方法。（７、図１）
（付記８）
前記温度制御装置は、ペルチェ素子をさらに有し、
前記制御ステップは、前記温度制御部が前記ペルチェ素子により冷却又は加熱することで、前記半導体装置の温度を制御することを含む付記６又は７に記載の温度制御方法。（８、図２）
（付記９）
回路ブロックと、
前記回路ブロックにクロックを供給するクロック供給部と、
前記回路ブロックのリーク電流を検出する検出部と、
前記リーク電流が許容範囲から外れる場合、前記リーク電流を許容範囲内にするように、前記半導体装置の温度を制御する温度制御部と、
を有することを特徴とする半導体装置。（９、図１）
（付記１０）
前記温度制御部は、前記回路ブロックのクロック周波数を変えることで、前記半導体装置の温度を制御する付記９に記載の半導体装置。（１０、図１）
（付記１１）
ペルチェ素子をさらに有し、
前記温度制御部は、前記ペルチェ素子により冷却又は加熱することで、前記半導体装置の温度を制御する付記９又は１０に記載の半導体装置。（図１及び６）
（付記１２）
前記検出部は、前記リーク電流の変動が大きな回路ブロックの近傍に設けられる付記９〜１１のいずれかに記載の半導体装置。（図１）
（付記１３）
前記検出部は、複数のトランジスタを有する付記９〜１２のいずれかに記載の半導体装置。（図１）

図１は、半導体装置の温度制御を行う温度制御装置の一例について説明する図である。 図２は、リーク電流検出部の一例を説明する図である。 図３は、半導体装置及び温度制御装置の構成の一例を説明する図である。 図４は、半導体装置におけるリーク電流検出部の配置の一例について説明する図である。 図５は、温度制御部によるクロック制御処理のフローの一例を説明する。 図６は、温度制御部によるペルチェ温度制御処理のフローの一例を説明する。

符号の説明

１、５ 半導体装置
２ 回路ブロック
３ クロック供給部
１０ 温度制御装置
１１ リーク電流検出部
１２ 温度制御部
１３ 冷却側温度センサ
１４ ペルチェ電流供給部
１５ ペルチェ素子
１６ 露点計

Claims (10)

1. 半導体装置の温度を制御する温度制御装置であって、
   前記半導体装置のリーク電流を検出する検出部と、
   前記リーク電流が許容範囲から外れる場合、前記リーク電流を許容範囲内にするように、前記半導体装置の温度を制御する温度制御部と、を有することを特徴とする温度制御装置。
2. 前記温度制御部は、前記半導体装置に入力されるクロック周波数を変えることで、前記半導体装置の温度を制御することを特徴とする請求項１に記載の温度制御装置。
3. 前記温度制御装置はさらに、ペルチェ素子を有し、
   前記温度制御部は、前記ペルチェ素子により冷却又は加熱することで、前記半導体装置の温度を制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の温度制御装置。
4. 前記半導体装置はさらに、複数の回路ブロックを有し、
   前記検出部は、前記複数の回路ブロックのうち、前記リーク電流の変動が大きな回路ブロックの近傍に設けられることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の温度制御装置。
5. 前記検出部は、複数のスイッチング素子を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の温度制御装置。
6. 検出部及び温度制御部を有する温度制御装置による、半導体装置の温度を制御する温度制御方法であって、
   前記検出部が、前記半導体装置のリーク電流を検出するステップと、
   前記リーク電流が許容範囲から外れる場合、前記リーク電流を許容範囲内にするように、前記半導体装置の温度を制御する制御ステップと、を有することを特徴とする温度制御方法。
7. 前記制御ステップは、前記温度制御部が前記半導体装置に入力されるクロック周波数を変えることで、前記半導体装置の温度を制御することを特徴とする請求項６に記載の温度制御方法。
8. 前記温度制御装置はさらに、ペルチェ素子を有し、
   前記制御ステップは、前記温度制御部が前記ペルチェ素子により冷却又は加熱することで、前記半導体装置の温度を制御することを特徴とする請求項６又は７に記載の温度制御方法。
9. 回路ブロックと、
   前記回路ブロックにクロックを供給するクロック供給部と、
   前記回路ブロックのリーク電流を検出する検出部と、
   前記リーク電流が許容範囲から外れる場合、前記リーク電流を許容範囲内にするように、前記半導体装置の温度を制御する温度制御部と、
   を有することを特徴とする半導体装置。
10. 前記温度制御部は、前記回路ブロックに入力されるクロック周波数を変えることで、前記半導体装置の温度を制御することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。

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