JP2009289882A - Carrier plate and polishing device using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウエハ貼り付け装置およびウエハの研磨装置に用いられるキャリアプレートに関する。 The present invention relates to a wafer bonding apparatus and a carrier plate used for a wafer polishing apparatus.
従来、半導体素子の製造に使われるシリコンやガリウムヒ素等からなるウエハの表面の研磨には、アルミナや炭化珪素等のセラミックスからなる円板状のキャリアプレートにウエハを貼り付けるウエハ貼り付け装置およびキャリアプレートに貼り付けられたウエハを研磨する研磨装置が用いられている。 Conventionally, for polishing a surface of a wafer made of silicon, gallium arsenide, or the like used for manufacturing a semiconductor element, a wafer bonding apparatus and a carrier for attaching the wafer to a disk-shaped carrier plate made of ceramics such as alumina or silicon carbide A polishing apparatus that polishes a wafer attached to a plate is used.
図5は、従来のウエハ貼り付け装置の例を示す概略図である。
このウエハ貼り付け装置50は、キャリアプレート51を載置する回転台57と、回転台57の回転を制御する回転制御装置59と、ウエハ55を吸着しキャリアプレート51上に搬送する吸着パッド58とから構成されている。そして、キャリアプレート51へのウエハ55の貼り付け方法は、まず、キャリアプレート51を回転台57上に載置する。次に、ウエハ55を吸着パッド58で吸着し、接着剤54を塗布した後、キャリアプレート51上に搬送して貼り付ける。また、回転制御装置59にて回転台57を回転させ、別のウエハ55の貼り付け部を確保することにより、複数のウエハ55をキャリアプレート51に貼り付けることができる。
FIG. 5 is a schematic view showing an example of a conventional wafer bonding apparatus.
This
図6は、従来のウエハの研磨装置の例を示す、(a)は概略断面図であり、(b)は研磨装置の研磨定盤およびキャリアプレートの回転方向を示す概略図である。
この研磨装置60は、円板状のセラミックスからなるキャリアプレート51と、キャリアプレート51を押圧し回転可能な押圧部61と、キャリアプレート51の側面を支持して回転させる支持ローラ68と、キャリアプレート51に接着剤54を介して貼り付けられたウエハ55の表面を研磨するためのクロス62および回転テーブル63から構成されるウエハ研磨定盤64と、ウエハ研磨定盤64を回転させる回転軸65と、ウエハ研磨定盤64上に研磨液66を供給するノズル67とから構成されている。
6A and 6B show an example of a conventional wafer polishing apparatus. FIG. 6A is a schematic cross-sectional view, and FIG. 6B is a schematic view showing a rotation direction of a polishing surface plate and a carrier plate of the polishing apparatus.
The
この研磨装置60を用いたウエハ55の研磨方法は、図5に示す例のウエハ貼り付け装置50を用いて、一方の主面である貼り付け面に接着剤54を介してウエハ55が貼り付けられたキャリアプレート51を、キャリアプレート51の一方の主面すなわちウエハ55の加工面がウエハ研磨定盤64に対向するようにウエハ研磨定盤64上に載置し、支持ローラ68でキャリアプレート51の側面を支持する。次に、キャリアプレート51の他方の主面に、回転可能な押圧部61をセットする。そして、ノズル67より研磨液66をウエハ研磨定盤64上に供給しながら、動力源(図示せず)から回転軸65へ伝達された回転力によってウエハ研磨定盤64を回転させ、キャリアプレート51の他方の主面を押圧部61で押圧する。
The polishing method of the
このようにウエハ研磨定盤64が回転すると、供給された研磨液66は、回転による遠心力でウエハ研磨定盤64の表面を外周方向に向かって移動し、ウエハ55とウエハ研磨定盤64の表面すなわちクロス62との接触面に入り込む。また、図6(b)に示す例のように、キャリアプレート51は支持ローラ68により支持された位置で、貼り付けられたウエハ55とウエハ研磨定盤64との間の摩擦力によってウエハ研磨定盤64と同じ方向に回転することにより、ウエハ55の表面が研磨される。
When the wafer
そして、研磨後に、各種溶剤を用いて接着剤54を溶かすことによってキャリアプレート51からウエハ55を剥がし、ウエハ55を剥がした後のキャリアプレート51は各種溶剤により洗浄した後に繰り返し使用される。ところが、このキャリアプレート51には、ウエハ55を貼り付けた部分と貼り付けていない部分とには微小な面精度に差が生じ、面精度に差が生じている部分にウエハ55を貼り付けて研磨すると研磨後のウエハ55の面精度に影響を与えるという問題があった。
After the polishing, the
この問題に対して、特許文献1では、キャリアプレート(ウエーハ貼付板)にマーク(識別子)を設け、このマークを検知するセンサーを具備し、センサーの検知信号によりキャリアプレートを円周方向の定位置に位置決めし、ウエハの貼り付け位置を常に同じ位置とすることのできるウエハ貼り付け装置が提案されている。これによれば、キャリアプレートのウエハの貼り付け面において、ウエハを貼り付けた部分と貼り付けていない部分とに微小な面精度の差が生じたとしても、常に均質な状態のウエハ貼り付け面上の同じ位置にウエハを貼り付けることができるので、ウエハの面精度に影響を与えることがないというものである。また、マークは、ウエハの貼り付け面から側面にわたって凹所を形成し、この凹所内にマークを入れて透明の部材を接合して覆ったり、透明性のある物質を充填したりすることが記載されている。
With respect to this problem, in
また、特許文献2では、キャリアプレートにマークを設け、このマークを検出する複数のマーク検出器を備えたウエハ貼り付け装置が提案されている。これによれば、複数のマーク検出器のいずれか1つによって、マークの位置を基準位置として素早く検出でき、その基準位置に基づいてキャリアプレート上のウエハの貼り付け位置を割り出すことができるというものであり、キャリアプレートの定位置にウエハを貼り付けることや、貼り付け位置を少しずつずらして変位させてキャリアプレートの全面を均一に用いることができることが記載されている。
しかしながら、特許文献1,2に記載のウエハ貼り付け装置では、キャリアプレートの貼り付け面や貼り付け面から側面にかけてマークを設けているので、ウエハ貼り付け装置においては正確にマークを検出することができるものの、その後の研磨装置によるウエハの表面の研磨では、キャリアプレートの側面を支持ローラに接触させて研磨を実施しているので、加工時間の経過とともに、研磨液が付着した側面と支持ローラとの摩擦によって側面のマークが傷つき磨耗して、マークが欠損あるいは消失してしまい、ウエハの貼り付け時にマークが認識できなくなるという問題があった。
However, in the wafer bonding apparatus described in
また、マークがキャリアプレートの貼り付け面から側面にかけて、すなわち貼り付け面と側面との境界であるエッジ部に設けられているので、キャリアプレートの取り扱い時に誤ってエッジ部を他のものにぶつけたときにマークが破損するおそれがあるという問題があった。また、マークを、透明の部材を接合して覆ったり透明性のある物質を凹所に充填したりして設けると、マークを設けるためのコストが高くなるという問題もあった。 In addition, since the mark is provided from the attachment surface to the side surface of the carrier plate, that is, at the edge portion that is the boundary between the attachment surface and the side surface, the edge portion is accidentally bumped against another when handling the carrier plate. There was a problem that sometimes the mark could be damaged. In addition, when the mark is provided by bonding a transparent member and filling the recess with a transparent substance, there is a problem that the cost for providing the mark increases.
本発明は、上記のような従来の技術における問題を解決すべく案出されたものであり、キャリアプレートに設けられたウエハ貼り付け位置を特定するために用いられるマークが、支持ローラとの摩擦による欠損あるいは消失、または取り扱い時の破損などにより認識できなくなることを防止することが可能なキャリアプレートを提供し、また、そのキャリアプレートを用いた研磨装置を提供することを目的とする。 The present invention has been devised to solve the above-described problems in the prior art, and the mark used for specifying the wafer attachment position provided on the carrier plate is the friction with the support roller. It is an object of the present invention to provide a carrier plate capable of preventing a loss or disappearance due to the occurrence of damage due to damage or loss during handling, and to provide a polishing apparatus using the carrier plate.
本発明のキャリアプレートは、円板状のセラミックスからなり、一方の主面をウエハの貼り付け面とし、側面に、前記貼り付け面側に前記側面と周方向で面一の側面部分をおいて窪みを有しており、該窪みの底面に前記セラミックスと色調の異なるマークを有していることを特徴とするものである。 The carrier plate of the present invention is made of a disk-shaped ceramic, and has one main surface as a wafer attachment surface, and a side surface portion that is flush with the side surface in the circumferential direction on the attachment surface side. It has a depression, and has a mark having a color tone different from that of the ceramics on the bottom surface of the depression.
また、本発明のキャリアプレートは、上記構成において、前記側面の前記窪みから他方の主面側に、前記側面と周方向で面一の第2の側面部分を有していることを特徴とするものである。 Moreover, the carrier plate of the present invention is characterized in that, in the above configuration, the second side surface portion that is flush with the side surface in the circumferential direction is provided from the depression on the side surface to the other main surface side. Is.
また、本発明のキャリアプレートは、上記構成のいずれかにおいて、前記マークの表面が前記窪みの底面と前記側面との間に位置していることを特徴とするものである。 The carrier plate according to the present invention is characterized in that, in any of the above-described configurations, the surface of the mark is located between the bottom surface and the side surface of the recess.
また、本発明のキャリアプレートは、上記構成のいずれかにおいて、前記マークがレーザー光の照射によるものであることを特徴とするものである。 Moreover, the carrier plate of the present invention is characterized in that, in any of the above configurations, the mark is formed by laser light irradiation.
また、本発明のキャリアプレートは、上記構成のいずれかにおいて、前記マークが前記セラミックスと色調の異なる板部材からなることを特徴とするものである。 The carrier plate according to the present invention is characterized in that, in any of the above-described configurations, the mark is made of a plate member having a color tone different from that of the ceramic.
また、本発明のキャリアプレートは、上記構成のいずれかにおいて、前記セラミックスがアルミナ,ジルコニア,コージェライト,炭化珪素,窒化珪素および窒化アルミニウムのいずれか1種からなることを特徴とするものである。 The carrier plate according to the present invention is characterized in that, in any of the above-described configurations, the ceramic is made of any one of alumina, zirconia, cordierite, silicon carbide, silicon nitride, and aluminum nitride.
また、本発明の研磨装置は、上記いずれかの構成の本発明のキャリアプレートをウエハの研磨用部品として備えたことを特徴とするものである。 The polishing apparatus of the present invention is characterized in that the carrier plate of the present invention having any one of the above-described configurations is provided as a wafer polishing component.
本発明のキャリアプレートによれば、円板状のセラミックスからなり、一方の主面をウエハの貼り付け面とし、側面に、貼り付け面側に側面と周方向で面一の側面部分をおいて窪みを有しており、窪みの底面にセラミックスと色調の異なるマークを有していることにより、研磨液がキャリアプレートの側面に付着して窪みに浸入したとしても、側面に当接して側面を支持する支持ローラとマークとは接触しないので、マークが欠損したり消失したりするおそれが少ない。また、窪みと貼り付け面との間に側面と周方向で面一の側面部分を有しているので、支持ローラによるキャリアプレートの支持および回転に支障を与えるおそれが少ない。さらに、マークは窪みの底面に設けられているので、側面と窪みとの段差により保護され、キャリアプレートの取り扱い時にマークが欠損するおそれが少なく、長期間にわたって良好にマークを保持して検出することができるので、ウエハの正確な位置決めや正確な研磨情報を得ることができる。 According to the carrier plate of the present invention, it is made of a disk-shaped ceramic, and one main surface is used as a wafer attachment surface, and the side surface has a side surface portion that is flush with the side surface on the attachment surface side in the circumferential direction. Because it has a dent and has a mark with a color tone different from that of ceramics on the bottom of the dent, even if the polishing liquid adheres to the side of the carrier plate and enters the dent, Since the supporting roller and the mark to be supported do not come into contact with each other, there is little possibility that the mark is lost or lost. Further, since the side surface portion is flush with the side surface in the circumferential direction between the depression and the attachment surface, there is little possibility of hindering support and rotation of the carrier plate by the support roller. Furthermore, since the mark is provided on the bottom surface of the recess, it is protected by a step between the side surface and the recess, and there is little risk of the mark being lost when handling the carrier plate. Therefore, accurate positioning of the wafer and accurate polishing information can be obtained.
また、本発明のキャリアプレートによれば、側面の窪みから他方の主面側に、側面と周方向で面一の第2の側面部分を有しているときには、キャリアプレートの側面を支持する支持ローラが窪みの部分を通過する際の接触面積を増加できるため、また窪みの上下で偏りなく支持することもできるため、安定してキャリアプレートを支持するとともに回転させることができる。 Further, according to the carrier plate of the present invention, when the second main surface side is flush with the side surface from the side depression to the other main surface side, the support for supporting the side surface of the carrier plate is provided. Since the contact area when the roller passes through the depression can be increased, and the roller can be supported evenly above and below the depression, the carrier plate can be stably supported and rotated.
また、本発明のキャリアプレートによれば、マークの表面が窪みの底面と側面との間に位置しているときには、キャリアプレートの側面に研磨液が付着し、支持ローラとの摩擦等により窪みに研磨液が浸入したとしても、研磨液がマークの表面に付着することは少なく、また、マークの表面と支持ローラとは接触しないので、マークが欠損したり消失したりするおそれをさらに少なくすることができる。そのため、より長期間にわたって安定してマークを保持して高精度なウエハの研磨を実施することができる。 Further, according to the carrier plate of the present invention, when the surface of the mark is located between the bottom surface and the side surface of the recess, the polishing liquid adheres to the side surface of the carrier plate, and the recess is caused by friction with the support roller. Even if the polishing liquid penetrates, the polishing liquid is less likely to adhere to the surface of the mark, and the mark surface and the support roller are not in contact with each other, thereby further reducing the possibility of the mark being lost or lost. Can do. Therefore, the wafer can be polished with high accuracy while holding the mark stably for a longer period of time.
また、本発明のキャリアプレートによれば、マークがレーザー光の照射によるものであるときには、キャリアプレートの洗浄に各種溶剤が用いられたとしてもマークが溶解して欠損したり消失したりするおそれが少ない。 Further, according to the carrier plate of the present invention, when the mark is caused by laser light irradiation, the mark may be dissolved and lost or lost even if various solvents are used for cleaning the carrier plate. Few.
また、本発明のキャリアプレートによれば、マークがセラミックスと色調の異なる板部材からなるときには、キャリアプレートの洗浄に各種溶剤が用いられたとしてもマークが溶解して欠損したり消失したりするおそれが少ない。 Also, according to the carrier plate of the present invention, when the mark is made of a plate member having a color tone different from that of ceramics, the mark may be dissolved and lost or lost even if various solvents are used for cleaning the carrier plate. Less is.
また、本発明のキャリアプレートによれば、セラミックスがアルミナ,ジルコニア,コージェライト,炭化珪素,窒化珪素および窒化アルミニウムのうちいずれか1種からなるときには、高い剛性を有しているためキャリアプレートが撓みにくく、各種溶剤による洗浄に耐え得る高い耐食性を有しているので、平坦度の高いウエハを得ることができる。 Further, according to the carrier plate of the present invention, when the ceramic is made of any one of alumina, zirconia, cordierite, silicon carbide, silicon nitride, and aluminum nitride, the carrier plate is bent because of high rigidity. Since it is difficult and has high corrosion resistance that can withstand cleaning with various solvents, a wafer with high flatness can be obtained.
また、本発明の研磨装置によれば、本発明のキャリアプレートをウエハの研磨用部品として用いることから、マークを安定して保持して検出することができ、高い平坦度のウエハを長期間にわたって得ることが可能となる。 Further, according to the polishing apparatus of the present invention, since the carrier plate of the present invention is used as a wafer polishing component, the mark can be stably held and detected, and a wafer with high flatness can be detected over a long period of time. Can be obtained.
以下、本発明のキャリアプレートおよびこれを用いた研磨装置の実施の形態の例について説明する。 Hereinafter, examples of embodiments of the carrier plate of the present invention and a polishing apparatus using the same will be described.
図1は、本発明のキャリアプレートにウエハを貼り付けるウエハ貼り付け装置の例を示す概略図である。
このウエハ貼り付け装置10は、キャリアプレート1を載置する回転台7と、キャリアプレート1に設けられたマーク3を検出するマーク検出器6と、ウエハ5を吸着してキャリアプレート1上に搬送する吸着パッド8と、マーク検出器6より得られたキャリアプレート1の位置情報を基に回転台7の回転を制御する回転制御装置9とから構成されている。
FIG. 1 is a schematic view showing an example of a wafer attaching apparatus for attaching a wafer to a carrier plate of the present invention.
The wafer bonding apparatus 10 includes a
キャリアプレート1へのウエハ5の貼り付け方法は、まず、一方の主面であるウエハ5の貼り付け面を上にしてキャリアプレート1を回転台7上に載置する。次に、回転制御装置9により回転台7を回転させて、キャリアプレート1に設けられたマーク3をマーク検出器6で検出し、キャリアプレート1の位置決めを行なう。その後、ウエハ5を吸着パッド8で吸着し、接着剤4を塗布した後、キャリアプレート1上に搬送して貼り付ける。そして、次のウエハ5を貼り付けるときには、次のウエハ5の貼り付け部を確保するために、回転制御装置9により決定されたマーク検出器6で検出した基準位置からの変位量分だけ回転台7を回転させて、次のウエハ5を貼り付ける。これを繰り返すことにより、複数枚のウエハ5をキャリアプレート1の貼り付け面に貼り付けることができる。
In the method of attaching the
このように、本発明のキャリアプレート1は、円板状のセラミックスからなり、一方の主面をウエハ5の貼り付け面とし、側面に、貼り付け面側に側面と周方向で面一の側面部分をおいて窪み2を有しており、窪み2の底面にセラミックスと色調の異なるマーク3を有していることが重要である。このように、キャリアプレート1がセラミックスと色調の異なるマークを有していることにより、マーク3を容易に検出して認識することができ、ウエハ5の貼り付け位置を定位置に位置させる、または順次変位させるなど制御することができる。
Thus, the
図2は、本発明のキャリアプレートをウエハの研磨用部品として備えた研磨装置の実施の形態の一例を示す、(a)は概略断面図であり、(b)は研磨装置の研磨定盤およびキャリアプレートの回転方向を示す概略図である。 2A and 2B show an example of an embodiment of a polishing apparatus provided with the carrier plate of the present invention as a wafer polishing component. FIG. 2A is a schematic sectional view, and FIG. 2B is a polishing surface plate of the polishing apparatus. It is the schematic which shows the rotation direction of a carrier plate.
本発明の研磨装置20は、本発明のキャリアプレート1と、キャリアプレート1を押圧しつつ回転可能な押圧部11と、キャリアプレート1の側面を支持して回転させる支持ローラ18と、キャリアプレート1に接着剤4を介して貼り付けられたウエハ5の表面を研磨するためのクロス12および回転テーブル13から構成されるウエハ研磨定盤14と、ウエハ研磨定盤14を回転させる回転軸15と、ウエハ研磨定盤14上に研磨液16を供給するノズル17とから構成されている。
The polishing
この研磨装置20を用いたウエハ5の研磨方法は、図1に示す例のウエハ貼り付け装置10を用いて、一方の主面である貼り付け面に接着剤4を介してウエハ5が貼り付けられたキャリアプレート1を、キャリアプレート1の一方の主面すなわちウエハ5の加工面がウエハ研磨定盤14に対向するようにウエハ研磨定盤14上に載置し、支持ローラ18でキャリアプレート1の側面を支持する。次に、キャリアプレート1の他方の主面に、回転可能な押圧部11をセットする。そして、ノズル17より研磨液16をウエハ研磨定盤14上に供給しながら、動力源(図示せず)から回転軸15へ伝達された回転力によってウエハ研磨定盤14を回転させ、キャリアプレート1の他方の主面を押圧部11で押圧する。
The polishing method of the
このように、ウエハ研磨定盤14が回転すると、供給された研磨液16は、回転による遠心力でウエハ研磨定盤14の表面を外周方向に向かって移動し、ウエハ5とウエハ研磨定盤14の表面すなわちクロス12との接触面に入り込む。また、図6(b)に示す例のように、キャリアプレート1は支持ローラ18により側面を支持された位置で、貼り付けられたウエハ5とウエハ研磨定盤14との間の摩擦力によってウエハ研磨定盤14と同じ方向に回転することにより、ウエハ5の表面を研磨することができる。なお、ウエハ研磨定盤14の回転速度は、研磨装置20に設置された回転制御部(図示せず)により、低速から高速まで様々な回転数の制御が可能である。
As described above, when the
また、図2(b)に示す例のように、キャリアプレート1の側方にマーク3を検出するマーク検出器6を備え、マーク検出器6がキャリアプレート1の側面の窪み2の底面に設けられたマーク3を検出し、マーク3の通過回数すなわち検出回数のデータを回転制御部へ送り、このデータを基に最適な加工精度が得られる回転条件の設定を行なうことができる。
2B, a
この研磨装置20を用いたウエハ5の研磨において、本発明のキャリアプレート1は、側面に、貼り付け面側に側面と周方向で面一の側面部分をおいて窪み2を有しているので、側面に当接させて用いる支持ローラ18による支持および回転に支障を与えるおそれが少ない。また、窪み2の底面にセラミックスと色調の異なるマーク3を有しているので、研磨液16がキャリアプレート1の側面に付着したとしても、支持ローラ18とマーク3とは接触しないので、研磨液16の影響によってマーク3が欠損したり消失したりするおそれが少ない。
In the polishing of the
そして、ウエハ5の研磨加工後に、溶剤等を用いて接着剤4を溶かし、ウエハ5をキャリアプレート1から剥がす。ウエハ5を剥がした後のキャリアプレート1は、洗浄後に再び図1に示す例のウエハ貼り付け装置10によりウエハ5の貼り付けが行なわれる。このとき、本発明のキャリアプレート1は、研磨装置20を用いたウエハ5の研磨において、マーク3は欠損あるいは消失することなく良好に識別できる状態を維持できているので、マーク検出器6により正確な位置情報を得ることができるので、ウエハ5の貼り付け位置を定位置に位置させる、または順次変位させるなど制御することができる。
Then, after polishing the
図3は、本発明のキャリアプレートの実施の形態の一例を示す、(a)は側面の一方の主面側に側面と周方向で面一の側面部分をおいて窪みを有するキャリアプレートの斜視図であり、(b)は他方の主面側にも側面と周方向で面一の第2の側面部分をおいて窪みを有するキャリアプレートの斜視図である。 FIG. 3 shows an example of an embodiment of a carrier plate according to the present invention. FIG. 3A is a perspective view of a carrier plate having a recess on one main surface side of the side surface with a side surface portion that is flush with the side surface in the circumferential direction. It is a figure, (b) is a perspective view of the carrier plate which has a hollow also in the other main surface side, and has the 2nd side surface part which is flush with the side surface in the circumferential direction.
図3(a)に示す例のように、本発明のキャリアプレート1は、円板状のセラミックスからなり、一方の主面をウエハの貼り付け面30とし、側面31に、貼り付け面30側に側面31と周方向で面一の側面部分32をおいて窪み2を有しており、窪み2の底面33にセラミックスと色調の異なるマーク3を有している。このような構成のキャリアプレート1にすることにより、マーク3はウエハ5の貼り付け面30や側面31ではなく窪み2の底面33に設けられているので、研磨液16がキャリアプレート1の側面に付着したとしてもマーク3に対する悪影響は抑えられ、支持ローラ18とマーク3とは接触しないので、マーク3が欠損したり消失したりするおそれは少ない。
As in the example shown in FIG. 3A, the
また、貼り付け面30側すなわちウエハ5の研磨加工面側に側面31と周方向で面一の側面部分32を有しているので、側面31に当接させて用いる支持ローラ18によるキャリアプレート1の支持および回転に支障を与えるおそれは少なく、側面31と周方向で面一の側面部分32があることで、窪み2へ浸入する研磨液16の量を抑えることができる。
Further, since the
このように、本発明のキャリアプレート1に設けられているマーク3は、欠損あるいは消失するおそれが少ないので、マーク3はマーク検出器6により良好に検出され、設定された回転条件を確実に実施することができることから、長期間にわたって安定して高精度なウエハ5の研磨を実施することが可能となる。また、マーク3はキャリアプレート1を構成するセラミックスと異なる色調をしており、光の反射率が異なるため光学センサー等のマーク検出器6により容易にマーク3を検出して認識することができる。
Thus, since the
また、本発明のキャリアプレート1は、図3(b)に示す例のように、側面31の窪み2から他方の主面側に、側面31と周方向で面一の第2の側面部分34を有していることが好ましい。このような構成のキャリアプレート1とすることにより、図3(a)に示す例のキャリアプレート1と同様に、マーク3は欠損したり消失したりするおそれが少なくなる。さらに、側面31の窪み2から他方の主面側に、側面31と周方向で面一の第2の側面部分34を有しているときには、キャリアプレート1の側面31を支持する支持ローラ18が窪み2の部分を通過する際の接触面積を増加できるため、また支持ローラ18を窪み2の上下で偏りなく接触させて支持し、回転力を与えることができるため、安定してキャリアプレート1を支持するとともに回転させることができる。
In addition, the
図4は、本発明のキャリアプレートの実施の形態の他の例を示す、(a)はマークの表面が窪みの底面と側面との間に位置しているキャリアプレートの斜視図であり、(b)は(a)におけるA−A’線での断面図である。 FIG. 4 shows another example of the embodiment of the carrier plate of the present invention. (A) is a perspective view of the carrier plate in which the surface of the mark is located between the bottom surface and the side surface of the depression. b) is a sectional view taken along line AA ′ in FIG.
図4に示す例のように、本発明のキャリアプレート1は、マーク3の表面が窪み2の底面33と側面31との間に位置していることが好ましい。このような構成とすることにより、研磨装置20を用いたウエハ5の研磨中に、キャリアプレート1の側面31に研磨液が付着し、支持ローラ18との摩擦等により窪み2に研磨液が入り込んだとしても、マーク3の表面が窪み2の底面33と側面31との間に位置しているときには、研磨液がマーク3の表面に付着することが少なく、また、マーク3の表面と支持ローラ18とは接触しないので、マーク3が欠損したり消失したりするおそれをさらに少なくすることができる。そのため、より長期間にわたって高精度なウエハ5の研磨を実施することができる。
As in the example shown in FIG. 4, in the
また、本発明のキャリアプレート1は、マーク3がレーザー光の照射による、いわゆるレーザー加工により設けられたものであることが好ましい。キャリアプレート1は、ウエハ5を剥がした後、各種溶剤にて洗浄されるため、この洗浄の際にマーク3が溶解して消失しないように設ける必要がある。そのため、予めマーク3を設ける部分に炭素源となる樹脂組成物、例えばカーボンと酸化チタンを配合した熱可塑性ポリエステル樹脂や、アミノ基含有トリアジン類の塩を配合したポリアミド系樹脂などを塗布し、これにCO2レーザー光やYAGレーザー光等を照射し、化学反応させてセラミックスと色調の異なるマーク3を設けるのが好適である。
Moreover, it is preferable that the
なお、マーク3の形状については、円形状,三角形状,四角形状,その他の多角形状,バーコードやその他の文字など、側面31よりも突出しないように窪み2内に設けるものであれば、どのような形状であっても適用可能である。
As for the shape of the
また、本発明のキャリアプレート1は、マーク3がセラミックスと色調の異なる板部材からなることが好ましい。キャリアプレート1を各種溶剤にて洗浄したときに、マーク3が溶解して消失しないように、使用する溶剤によって溶解することが少なく、キャリアプレート1を構成するセラミックスと色調の異なる金属あるいはセラミックス等を板状に加工して、板部材としてマーク3とすることが好適である。なお、この板部材は、各種溶剤の洗浄に耐え得る接着剤を用いて貼り付けるか、あるいは焼き嵌めや冷やし嵌めなどにより嵌め込むことにより、板部材からなるマーク3を設ければよい。
In the
また、本発明のキャリアプレート1は、セラミックスがアルミナ,ジルコニア,コージェライト,炭化珪素,窒化珪素および窒化アルミニウムのいずれか1種からなることが好ましい。キャリアプレート1には、ウエハ5の研磨時に変形しない高い剛性や各種溶剤による洗浄に耐え得る高い耐食性が求められるが、アルミナ,ジルコニア,コージェライト,炭化珪素,窒化珪素および窒化アルミニウムは、いずれも高い剛性および耐食性を有しているので、本発明のキャリアプレート1に好適なセラミックスである。これらの材質の中でも特にアルミナは、原料単価が安価であり、キャリアプレート1のウエハ5の貼り付け面をより高精度に加工することが可能であることから、キャリアプレート1に用いる材料としてより好適である。
In the
また、本発明のキャリアプレート1をウエハ5の研磨用部品として用いた、図2に示す例のような本発明の研磨装置20は、高い平坦度のウエハ5を長期間にわたって得ることが可能である。
Further, the polishing
次に、本発明のキャリアプレート1の製造方法の一例を説明する。
まず、本発明のキャリアプレート1の基体となる円板状のセラミックスの製造を行なう。ここで、キャリアプレート1に用いられるセラミック材料として、原料単価が安価であり、加工性の良好なアルミナを用いた例について説明する。
Next, an example of the manufacturing method of the
First, disk-shaped ceramics that serve as the base of the
原料として、純度が99%以上で平均粒径が0.5〜5μmのアルミナ1次原料を用意し、これにバインダおよび溶媒を添加してスラリーとした後、スプレードライヤーにて噴霧造粒してアルミナ2次原料を作製する。次に、アルミナ2次原料を湿式静水圧プレス成形法(ラバープレス法)にて50〜150MPaの成形圧力で円板状に成形する。この円板状の成形体が所定の外径および厚さとなるように切削加工を施す。次に、切削加工を施した円板状の成形体を、焼成炉にて1500〜1700℃の最高温度となる焼成条件で焼成し、円板状の焼結体を得る。
As a raw material, a primary alumina raw material having a purity of 99% or more and an average particle size of 0.5 to 5 μm is prepared, and a binder and a solvent are added thereto to form a slurry, followed by spray granulation with a spray dryer to obtain
その後、円板状の焼結体の両主面および側面に研削加工を施し、両主面と側面との境界であるエッジ部に面取り加工を施すことにより、外径が300〜1500mmで厚さが10〜50mmの円板状の焼結体を得る。その後、この円板状の焼結体の両主面を高精度な平坦面に加工するため、大型の平面研削盤を用いて両主面に研削加工を施し、さらに大型の研磨加工機で両主面の表面の粗さおよび平面度が数μm以下となるまで研磨加工する。特にウエハの貼り付け面となる一方の主面については、研磨加工機の研磨定盤の番手を上げながら数nmの粗さや平坦度が得られるまで研磨加工する。なお、表面形状の測定については、真直度計や平面度測定器を用いて実施する。 After that, grinding is performed on both main surfaces and side surfaces of the disc-shaped sintered body, and chamfering processing is performed on the edge portion that is the boundary between both main surfaces and the side surfaces, so that the outer diameter is 300 to 1500 mm. A disk-shaped sintered body having a diameter of 10 to 50 mm is obtained. After that, in order to machine both main surfaces of this disk-shaped sintered body into a highly accurate flat surface, both main surfaces are ground using a large surface grinder, and both are further processed by a large polishing machine. Polishing is performed until the roughness and flatness of the main surface become several μm or less. In particular, one main surface, which is the wafer attachment surface, is polished until a roughness or flatness of several nanometers is obtained while increasing the number of the polishing surface plate of the polishing machine. In addition, about the measurement of surface shape, it implements using a straightness meter and a flatness measuring device.
この後に行なう窪み2の形成については、図3(a)に示す例のキャリアプレート1の窪み2の作製例について説明する。
Regarding the formation of the
まず、円板状の焼結体の両主面の研磨加工を終えた後、側面31を研削加工し、さらに側面31に、万能研削加工機によって、ウエハ5の貼り付け面30側に側面31と周方向で面一の側面部分32をおいた窪み2を設ける。次に、この窪み2の底面33に目的とするマーク3の形状となるよう樹脂組成物を塗布して乾燥させた後、マーク3の形状部分にCO2レーザー光やYAGレーザー光等を照射して瞬時に高温加熱してアルミナと樹脂組成物を反応させ、アルミナ炭化物からなるマーク3を設けることにより、円板状のアルミナ質焼結体からなる、図3(a)に示す例の本発明のキャリアプレート1を得ることができる。
First, after finishing polishing of both main surfaces of the disk-shaped sintered body, the
他の材質についても、最高温度等の焼成条件を変更して、同様の円板状の焼結体を用意すれば、同様の工程にて製造可能である。また、万能研削加工機による研削の際に、ウエハ5の貼り付け面30側に側面31と周方向で面一の側面部分32および他方の主面側にも側面31と周方向で面一の第2の側面部分34が残るように研削して、窪み2の底面33にマーク3を設けることにより、図3(b)に示す例の本発明のキャリアプレート1を得ることができる。さらに、マーク3の表面が窪み2の底面33と側面31との間に位置するように研削してマーク3を設けることにより、図4に示す例の本発明のキャリアプレート1を得ることができる。
Other materials can also be manufactured in the same process by changing the firing conditions such as the maximum temperature and preparing a similar disk-shaped sintered body. Further, during grinding by the universal grinding machine, the
また、マーク3については、特にセラミックスが白色系の材質である場合には、同様に樹脂組成物を塗布してレーザー光を照射することにより鮮明な黒色のマーク3を得ることができ、セラミックスが黒色系の材質である場合には、特殊なレーザーマーキング用樹脂を塗布してレーザー光を照射することにより白色のマーク3を形成することができる。
As for the
以下、本発明の実施例について詳細を説明する。 Details of the embodiments of the present invention will be described below.
(実施例1)
本発明のキャリアプレート1と従来のキャリアプレートとを製造し、図1に示す例のウエハ貼り付け装置10を用いてこれらのキャリアプレートにウエハ5を貼り付け,図2に示す例の研磨装置20を用いてウエハ5の研磨加工を実施した。
(Example 1)
The
まず、本発明および従来のキャリアプレートの基体となる円板状のセラミックスの製造を行なった。原料として、純度が99%以上で平均粒径が1μmのアルミナ1次原料を用意し、これにバインダおよび溶媒を添加してスラリーとした後、スプレードライヤーにて噴霧造粒してアルミナ2次原料を得た。次に、このアルミナ2次原料を用いて、湿式静水圧プレス成形法(ラバープレス法)にて100MPaの成形圧力で円板状の成形体を得た。そして、この円板状の成形体が所定の外径および厚さとなるように切削加工を施した。次に、切削加工を施した円板状の成形体を、焼成炉にて1600℃の最高温度となる焼成条件で焼成し、円板状の焼結体を得た。 First, the disk-shaped ceramics used as the base of the present invention and the conventional carrier plate were manufactured. As a raw material, an alumina primary raw material having a purity of 99% or more and an average particle diameter of 1 μm is prepared, and a binder and a solvent are added to form a slurry, followed by spray granulation with a spray dryer, and then an alumina secondary raw material. Got. Next, using this alumina secondary material, a disk-shaped molded body was obtained by a wet isostatic press molding method (rubber press method) at a molding pressure of 100 MPa. And it cut so that this disk-shaped molded object might become a predetermined | prescribed outer diameter and thickness. Next, the disk-shaped molded body that had been subjected to the cutting process was fired in a firing furnace under the firing conditions at a maximum temperature of 1600 ° C. to obtain a disk-shaped sintered body.
次に、円板状の焼結体の両主面および側面に研削加工を施し、両主面と側面との境界であるエッジ部に面取り加工を施すことにより、外径が500mmで厚さが25mmの円板状の焼結体とした。その後、この円板状の焼結体の両主面を高精度に平坦面に加工するため、大型の平面研削盤を用いて両主面全体を粗加工した後、大型の研磨加工機を用いて表面の粗さが1.5μm以下で、平面度が1μm以下となるまで研磨加工した。研磨加工後、さらにその側面を万能研削盤などにより仕上げ加工することによって、円板状のアルミナ質焼結体を製造し、これを4枚用意した。 Next, grinding is performed on both main surfaces and side surfaces of the disk-shaped sintered body, and chamfering processing is performed on the edge portion that is the boundary between both main surfaces and the side surfaces, whereby the outer diameter is 500 mm and the thickness is increased. A 25 mm disk-shaped sintered body was obtained. After that, in order to process both main surfaces of this disk-shaped sintered body into a flat surface with high accuracy, after roughing both main surfaces using a large surface grinder, a large polishing machine is used. Then, the surface was polished until the surface roughness was 1.5 μm or less and the flatness was 1 μm or less. After polishing, the side surface was further finished with a universal grinder or the like to produce a disk-shaped alumina sintered body, and four of them were prepared.
次に、得られた円板状のアルミナ質焼結体を万能研削加工機により加工して、図3(a)および(b)に示す例の本発明のキャリアプレート1を作製した。1枚目の円板状のアルミナ質焼結体に、ウエハ5の貼り付け面30側に側面31と周方向で面一の側面部分32をおいた窪み2を設け、2枚目の円板状のアルミナ質焼結体に、ウエハ5の貼り付け面30側に側面31と周方向で面一の側面部分32をおいて、他方の主面側にも側面31と周方向で面一の第2の側面部分34が残るように窪み2を設けた。そして、これらの窪み2の底面33に円形のマーク3の形状となるよう樹脂組成物としてカーボンと酸化チタンを配合した熱可塑性ポリエステル樹脂を塗布した後、50〜100℃の温風を30分程度当てて乾燥させ、次いでCO2レーザー光を照射して樹脂組成物を塗布した部分にφ15mmの黒色で円形のマーク3を形成し、それぞれ図3(a)および(b)に示す例の本発明のキャリアプレート1を得た。
Next, the obtained disk-shaped alumina sintered body was processed by a universal grinding machine, and the
次に、3枚目の円板状のアルミナ質焼結体について、ウエハ5の貼り付け面30側に側面31と周方向で面一の側面部分32をおいて、他方の主面側にも側面31と周方向で面一の第2の側面部分34が残るように、また、マーク3の表面が窪み2の底面33と側面31との間に位置するように、万能研削加工機を用いて研削した。そして、マーク3の表面となる部分に樹脂組成物としてカーボンと酸化チタンを配合した熱可塑性ポリエステル樹脂を塗布した後、50〜100℃の温風を30分程度当てて乾燥させ、CO2レーザー光を照射して樹脂組成物を塗布した部分にφ15mmの黒色で円形のマーク3を形成し、図4に示す例の本発明のキャリアプレート1を得た。
Next, with respect to the third disk-shaped alumina sintered body, a
次に、4枚目の円板状のアルミナ質焼結体について、ウエハの貼り付け面から側面にかかる部分の表面に樹脂組成物としてカーボンと酸化チタンを配合した熱可塑性ポリエステル樹脂を塗布した後、50〜100℃の温風を30分程度当てて乾燥させ、CO2レーザー光を照射して、ウエハの貼り付け面から側面にかかる部分にマークを設けることによって、従来のキャリアプレートを得た。 Next, after applying a thermoplastic polyester resin compounded with carbon and titanium oxide as a resin composition on the surface of the portion of the fourth disk-shaped alumina sintered body from the wafer attachment surface to the side surface A conventional carrier plate was obtained by applying a hot air of 50 to 100 ° C. for about 30 minutes, drying, irradiating with CO 2 laser light, and providing a mark on the portion from the wafer attachment surface to the side surface. .
次に、この本発明および従来のキャリアプレートを用いて、図1に示す例のウエハ貼り付け装置10を用いて貼り付け面30にウエハ5を貼り付け、図2に示す例の研磨装置20を用いてウエハ5の研磨加工を行なった。まず、一方の主面であるウエハ5の貼り付け面を上にしてキャリアプレートを回転台7上に載置した。次に、回転制御装置9により回転台7を回転させて、キャリアプレートに設けられたマーク3をマーク検出器6で検出し、キャリアプレートの位置決めを行なった。その後、ウエハ5を吸着パッド8で吸着し、接着剤4を塗布した後、キャリアプレート上に搬送して貼り付け面に貼り付けた。そして、次のウエハ5の貼り付けについては、次のウエハ5の貼り付け部を確保するために、回転制御装置9により決定されたマーク検出器6で検出した基準位置からの変位量分だけ回転台7を回転させて、次の貼り付け部に次のウエハ5を貼り付け、これを繰り返すことにより4枚のウエハ5をキャリアプレートに貼り付けた。
Next, using the present invention and the conventional carrier plate, the
次に、研磨装置20を用いて、一方の主面である貼り付け面に接着剤4を介してウエハ5が貼り付けられたキャリアプレートを、キャリアプレートの一方の主面である貼り付け面ここではウエハ5の加工面がウエハ研磨定盤14に対向するようにウエハ研磨定盤14上に載置し、支持ローラ18でキャリアプレートの側面を支持した。次に、キャリアプレートの他方の主面に、回転可能な押圧部11をセットした。そして、ノズル17より研磨液16をウエハ研磨定盤14上に供給しながら、動力源(図示せず)から回転軸15へ伝達された回転力によってウエハ研磨定盤14を回転させ、支持ローラ18で支持しながらキャリアプレートの他方の主面を押圧部11で押圧して、ウエハ5の研磨を実施した。
Next, using the polishing
そして、このウエハ5の研磨→研磨後の溶剤によるウエハ5の剥がし→キャリアプレートの洗浄→ウエハ5を貼り付けてウエハ5の研磨というサイクルを、1日10時間行ない、これを1週間実施した。なお、ウエハ5は、マーク検出器6で検出した基準位置からの変位量を変えず、毎回、ウエハ5が定位置になるようにキャリアプレートに貼り付けた。
Then, a cycle of polishing the
その結果、従来のキャリアプレートは、開始当初から3日目までは平坦度が高い高精度なウエハ5が得られていたものの、4日目以降はウエハ5の平坦度が低くなり、最後の2日間に研磨したものは開始当初の平坦度と比較して80%以上の低下が生じた。そして、この従来のキャリアプレートを確認したところ、ウエハ5の貼り付け面から側面にかかる部分に設けたマーク3にはウエハ5の研磨の際に支持ローラ18との摩擦により多数の傷が付いており、マーク検出器6によるマーク3の検出に不具合が生じていることが判明した。
As a result, in the conventional carrier plate, a highly
これに対し、本発明のキャリアプレート1は、いずれも1週間後おいてもウエハ5の平坦度の低下は10%未満に抑えられており、長期間にわたって良好なウエハ5の研磨加工が実施できることが確認された。また、試験終了後にマーク3の状態を確認したところ、図3(a)および(b)に示す例の本発明のキャリアプレート1のマーク3に微小な傷が見られたものの、依然として鮮明な色調および形状を確保しており、マーク検出器6にて検出可能なレベルであり問題ないことが確認された。また、図4に示す例の本発明のキャリアプレート1については、マーク3に微小な傷も見られず、より良好な結果であった。
On the other hand, the
1:キャリアプレート
2:窪み
3:マーク
4:接着剤
5:ウエハ
6:マーク検出器
7:回転台
8:吸着パッド
9:回転制御装置
10:ウエハ貼り付け装置
11:押圧部
12:クロス
13:回転テーブル
14:ウエハ研磨定盤
15:回転軸
16:研磨液
17:ノズル
18:支持ローラ
20:研磨装置
30:貼り付け面
31:側面
32:側面部分
33:底面
34:第2の側面部分
1: Carrier plate 2: Depression 3: Mark 4: Adhesive 5: Wafer 6: Mark detector 7: Turntable 8: Suction pad 9: Rotation control device
10: Wafer pasting equipment
11: Pressing part
12: Cross
13: Rotating table
14: Wafer polishing surface plate
15: Rotation axis
16: Polishing liquid
17: Nozzle
18: Support roller
20: Polishing equipment
30: Pasting surface
31: Side
32: Side part
33: Bottom
34: Second side portion
Claims (7)
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JP2008139332A JP2009289882A (en) | 2008-05-28 | 2008-05-28 | Carrier plate and polishing device using the same |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111469290A (en) * | 2020-05-28 | 2020-07-31 | 陈斌武 | Crystal marking and processing integrated device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0499829U (en) * | 1991-02-05 | 1992-08-28 | ||
JPH11320393A (en) * | 1998-05-01 | 1999-11-24 | Fujikoshi Mach Corp | Method and device for mounting wafer |
JP2000084839A (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-28 | Fujikoshi Mach Corp | Affixing device for wafer |
JP2002205260A (en) * | 2001-01-09 | 2002-07-23 | Fujikoshi Mach Corp | Method and device for affixing wafer |
JP2003282502A (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Kyocera Corp | Black based ceramic board |
JP2007201290A (en) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Kyocera Corp | Package for storing electronic component, and electronic device |
-
2008
- 2008-05-28 JP JP2008139332A patent/JP2009289882A/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0499829U (en) * | 1991-02-05 | 1992-08-28 | ||
JPH11320393A (en) * | 1998-05-01 | 1999-11-24 | Fujikoshi Mach Corp | Method and device for mounting wafer |
JP2000084839A (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-28 | Fujikoshi Mach Corp | Affixing device for wafer |
JP2002205260A (en) * | 2001-01-09 | 2002-07-23 | Fujikoshi Mach Corp | Method and device for affixing wafer |
JP2003282502A (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Kyocera Corp | Black based ceramic board |
JP2007201290A (en) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Kyocera Corp | Package for storing electronic component, and electronic device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111469290A (en) * | 2020-05-28 | 2020-07-31 | 陈斌武 | Crystal marking and processing integrated device |
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