JP2009289882A - Carrier plate and polishing device using the same - Google Patents

Carrier plate and polishing device using the same Download PDF

Info

Publication number
JP2009289882A
JP2009289882A JP2008139332A JP2008139332A JP2009289882A JP 2009289882 A JP2009289882 A JP 2009289882A JP 2008139332 A JP2008139332 A JP 2008139332A JP 2008139332 A JP2008139332 A JP 2008139332A JP 2009289882 A JP2009289882 A JP 2009289882A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carrier plate
wafer
mark
polishing
depression
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008139332A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuyoshi Oshima
和喜 大嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2008139332A priority Critical patent/JP2009289882A/en
Publication of JP2009289882A publication Critical patent/JP2009289882A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a carrier plate preventing a mark used for specifying a wafer sticking position arranged in the carrier plate from being not recognized by loss or disappearance due to friction with a supporting roller, and by breakage at the time of handling. <P>SOLUTION: The carrier plate 1 is formed of disk-like ceramic. One main face is set to be a sticking face of a wafer 5, and a depression 2 is given to a side by leaving a flush side part on a sticking face side in a circumferential direction with the side. A mark 3 whose color tone differs from that of ceramic is formed on a base of the depression 2. At the time of polishing the wafer 5, a trouble is not given to support and rotation by the supporting roller 18, and an amount of polishing solution 16 invading the depression 2 is suppressed. Even if polishing solution 16 is stuck to the side of the carrier plate 1, the supporting roller 18 is not brought into contact with the mark 3. Thus, a possibility that the mark 3 is lost or disappears can be reduced. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、ウエハ貼り付け装置およびウエハの研磨装置に用いられるキャリアプレートに関する。   The present invention relates to a wafer bonding apparatus and a carrier plate used for a wafer polishing apparatus.

従来、半導体素子の製造に使われるシリコンやガリウムヒ素等からなるウエハの表面の研磨には、アルミナや炭化珪素等のセラミックスからなる円板状のキャリアプレートにウエハを貼り付けるウエハ貼り付け装置およびキャリアプレートに貼り付けられたウエハを研磨する研磨装置が用いられている。   Conventionally, for polishing a surface of a wafer made of silicon, gallium arsenide, or the like used for manufacturing a semiconductor element, a wafer bonding apparatus and a carrier for attaching the wafer to a disk-shaped carrier plate made of ceramics such as alumina or silicon carbide A polishing apparatus that polishes a wafer attached to a plate is used.

図5は、従来のウエハ貼り付け装置の例を示す概略図である。
このウエハ貼り付け装置50は、キャリアプレート51を載置する回転台57と、回転台57の回転を制御する回転制御装置59と、ウエハ55を吸着しキャリアプレート51上に搬送する吸着パッド58とから構成されている。そして、キャリアプレート51へのウエハ55の貼り付け方法は、まず、キャリアプレート51を回転台57上に載置する。次に、ウエハ55を吸着パッド58で吸着し、接着剤54を塗布した後、キャリアプレート51上に搬送して貼り付ける。また、回転制御装置59にて回転台57を回転させ、別のウエハ55の貼り付け部を確保することにより、複数のウエハ55をキャリアプレート51に貼り付けることができる。
FIG. 5 is a schematic view showing an example of a conventional wafer bonding apparatus.
This wafer bonding apparatus 50 includes a turntable 57 on which the carrier plate 51 is placed, a rotation control device 59 that controls the rotation of the turntable 57, a suction pad 58 that sucks the wafer 55 and conveys it onto the carrier plate 51, It is composed of In the method of attaching the wafer 55 to the carrier plate 51, first, the carrier plate 51 is placed on the turntable 57. Next, the wafer 55 is adsorbed by the adsorbing pad 58, applied with the adhesive 54, and then transported and pasted onto the carrier plate 51. Further, by rotating the turntable 57 by the rotation control device 59 and securing a bonding portion for another wafer 55, a plurality of wafers 55 can be bonded to the carrier plate 51.

図6は、従来のウエハの研磨装置の例を示す、(a)は概略断面図であり、(b)は研磨装置の研磨定盤およびキャリアプレートの回転方向を示す概略図である。
この研磨装置60は、円板状のセラミックスからなるキャリアプレート51と、キャリアプレート51を押圧し回転可能な押圧部61と、キャリアプレート51の側面を支持して回転させる支持ローラ68と、キャリアプレート51に接着剤54を介して貼り付けられたウエハ55の表面を研磨するためのクロス62および回転テーブル63から構成されるウエハ研磨定盤64と、ウエハ研磨定盤64を回転させる回転軸65と、ウエハ研磨定盤64上に研磨液66を供給するノズル67とから構成されている。
6A and 6B show an example of a conventional wafer polishing apparatus. FIG. 6A is a schematic cross-sectional view, and FIG. 6B is a schematic view showing a rotation direction of a polishing surface plate and a carrier plate of the polishing apparatus.
The polishing apparatus 60 includes a carrier plate 51 made of a disk-shaped ceramic, a pressing portion 61 that presses and rotates the carrier plate 51, a support roller 68 that supports and rotates the side surface of the carrier plate 51, and a carrier plate A wafer polishing surface plate 64 composed of a cross 62 and a rotary table 63 for polishing the surface of the wafer 55 attached to 51 via an adhesive 54, and a rotating shaft 65 for rotating the wafer polishing surface plate 64. The nozzle 67 supplies the polishing liquid 66 onto the wafer polishing surface plate 64.

この研磨装置60を用いたウエハ55の研磨方法は、図5に示す例のウエハ貼り付け装置50を用いて、一方の主面である貼り付け面に接着剤54を介してウエハ55が貼り付けられたキャリアプレート51を、キャリアプレート51の一方の主面すなわちウエハ55の加工面がウエハ研磨定盤64に対向するようにウエハ研磨定盤64上に載置し、支持ローラ68でキャリアプレート51の側面を支持する。次に、キャリアプレート51の他方の主面に、回転可能な押圧部61をセットする。そして、ノズル67より研磨液66をウエハ研磨定盤64上に供給しながら、動力源(図示せず)から回転軸65へ伝達された回転力によってウエハ研磨定盤64を回転させ、キャリアプレート51の他方の主面を押圧部61で押圧する。   The polishing method of the wafer 55 using this polishing apparatus 60 is performed by using the wafer bonding apparatus 50 of the example shown in FIG. 5 to attach the wafer 55 to the bonding surface which is one main surface via the adhesive 54. The carrier plate 51 is placed on the wafer polishing surface plate 64 so that one main surface of the carrier plate 51, that is, the processing surface of the wafer 55 faces the wafer polishing surface plate 64, and the carrier plate 51 is supported by the support roller 68. Support the sides. Next, a rotatable pressing portion 61 is set on the other main surface of the carrier plate 51. Then, while supplying the polishing liquid 66 from the nozzle 67 onto the wafer polishing surface plate 64, the wafer polishing surface plate 64 is rotated by the rotational force transmitted from the power source (not shown) to the rotating shaft 65, and the carrier plate 51 is rotated. The other main surface is pressed by the pressing portion 61.

このようにウエハ研磨定盤64が回転すると、供給された研磨液66は、回転による遠心力でウエハ研磨定盤64の表面を外周方向に向かって移動し、ウエハ55とウエハ研磨定盤64の表面すなわちクロス62との接触面に入り込む。また、図6(b)に示す例のように、キャリアプレート51は支持ローラ68により支持された位置で、貼り付けられたウエハ55とウエハ研磨定盤64との間の摩擦力によってウエハ研磨定盤64と同じ方向に回転することにより、ウエハ55の表面が研磨される。   When the wafer polishing surface plate 64 rotates in this way, the supplied polishing liquid 66 moves on the surface of the wafer polishing surface plate 64 toward the outer periphery by centrifugal force due to rotation, and the wafer 55 and the wafer polishing surface plate 64 It enters the surface, that is, the contact surface with the cloth 62. Further, as in the example shown in FIG. 6B, the carrier plate 51 is supported at the position supported by the support roller 68 by the frictional force between the adhered wafer 55 and the wafer polishing surface plate 64. By rotating in the same direction as the board 64, the surface of the wafer 55 is polished.

そして、研磨後に、各種溶剤を用いて接着剤54を溶かすことによってキャリアプレート51からウエハ55を剥がし、ウエハ55を剥がした後のキャリアプレート51は各種溶剤により洗浄した後に繰り返し使用される。ところが、このキャリアプレート51には、ウエハ55を貼り付けた部分と貼り付けていない部分とには微小な面精度に差が生じ、面精度に差が生じている部分にウエハ55を貼り付けて研磨すると研磨後のウエハ55の面精度に影響を与えるという問題があった。   After the polishing, the adhesive 54 is dissolved using various solvents to peel the wafer 55 from the carrier plate 51, and the carrier plate 51 after the wafer 55 is peeled off is repeatedly used after being cleaned with various solvents. However, the carrier plate 51 has a slight difference in surface accuracy between the portion where the wafer 55 is attached and the portion where the wafer 55 is not attached, and the wafer 55 is attached to the portion where the surface accuracy is different. When polished, there is a problem that the surface accuracy of the polished wafer 55 is affected.

この問題に対して、特許文献1では、キャリアプレート(ウエーハ貼付板)にマーク(識別子)を設け、このマークを検知するセンサーを具備し、センサーの検知信号によりキャリアプレートを円周方向の定位置に位置決めし、ウエハの貼り付け位置を常に同じ位置とすることのできるウエハ貼り付け装置が提案されている。これによれば、キャリアプレートのウエハの貼り付け面において、ウエハを貼り付けた部分と貼り付けていない部分とに微小な面精度の差が生じたとしても、常に均質な状態のウエハ貼り付け面上の同じ位置にウエハを貼り付けることができるので、ウエハの面精度に影響を与えることがないというものである。また、マークは、ウエハの貼り付け面から側面にわたって凹所を形成し、この凹所内にマークを入れて透明の部材を接合して覆ったり、透明性のある物質を充填したりすることが記載されている。   With respect to this problem, in Patent Document 1, a mark (identifier) is provided on a carrier plate (wafer affixing plate), a sensor for detecting the mark is provided, and the carrier plate is positioned in a circumferential position by a detection signal of the sensor. There has been proposed a wafer bonding apparatus that can be positioned at the same position so that the wafer bonding position is always the same. According to this, even if there is a slight difference in surface accuracy between the portion where the wafer is attached and the portion where the wafer is not attached on the wafer attachment surface of the carrier plate, the wafer attachment surface is always homogeneous. Since the wafer can be attached at the same position above, the surface accuracy of the wafer is not affected. Further, it is described that the mark forms a recess from the wafer attachment surface to the side surface, and the mark is put in the recess to cover and cover the transparent member or to be filled with a transparent substance. Has been.

また、特許文献2では、キャリアプレートにマークを設け、このマークを検出する複数のマーク検出器を備えたウエハ貼り付け装置が提案されている。これによれば、複数のマーク検出器のいずれか1つによって、マークの位置を基準位置として素早く検出でき、その基準位置に基づいてキャリアプレート上のウエハの貼り付け位置を割り出すことができるというものであり、キャリアプレートの定位置にウエハを貼り付けることや、貼り付け位置を少しずつずらして変位させてキャリアプレートの全面を均一に用いることができることが記載されている。
実開平8−1330号公報 特開2000−84839号公報
Patent Document 2 proposes a wafer bonding apparatus provided with a mark on a carrier plate and provided with a plurality of mark detectors for detecting the mark. According to this, the mark position can be quickly detected as a reference position by any one of a plurality of mark detectors, and the wafer attachment position on the carrier plate can be determined based on the reference position. It is described that the wafer can be attached to a fixed position of the carrier plate, or the entire surface of the carrier plate can be used uniformly by shifting the attaching position little by little.
Japanese Utility Model Publication No.8-1330 JP 2000-84839 A

しかしながら、特許文献1,2に記載のウエハ貼り付け装置では、キャリアプレートの貼り付け面や貼り付け面から側面にかけてマークを設けているので、ウエハ貼り付け装置においては正確にマークを検出することができるものの、その後の研磨装置によるウエハの表面の研磨では、キャリアプレートの側面を支持ローラに接触させて研磨を実施しているので、加工時間の経過とともに、研磨液が付着した側面と支持ローラとの摩擦によって側面のマークが傷つき磨耗して、マークが欠損あるいは消失してしまい、ウエハの貼り付け時にマークが認識できなくなるという問題があった。   However, in the wafer bonding apparatus described in Patent Documents 1 and 2, since the mark is provided from the bonding surface of the carrier plate or from the bonding surface to the side surface, the wafer bonding apparatus can accurately detect the mark. However, in the subsequent polishing of the wafer surface with the polishing apparatus, the side surface of the carrier plate is brought into contact with the support roller, and polishing is performed. As a result of the friction, the marks on the side surface are damaged and worn, and the marks are lost or lost, which makes it impossible to recognize the marks when attaching the wafer.

また、マークがキャリアプレートの貼り付け面から側面にかけて、すなわち貼り付け面と側面との境界であるエッジ部に設けられているので、キャリアプレートの取り扱い時に誤ってエッジ部を他のものにぶつけたときにマークが破損するおそれがあるという問題があった。また、マークを、透明の部材を接合して覆ったり透明性のある物質を凹所に充填したりして設けると、マークを設けるためのコストが高くなるという問題もあった。   In addition, since the mark is provided from the attachment surface to the side surface of the carrier plate, that is, at the edge portion that is the boundary between the attachment surface and the side surface, the edge portion is accidentally bumped against another when handling the carrier plate. There was a problem that sometimes the mark could be damaged. In addition, when the mark is provided by bonding a transparent member and filling the recess with a transparent substance, there is a problem that the cost for providing the mark increases.

本発明は、上記のような従来の技術における問題を解決すべく案出されたものであり、キャリアプレートに設けられたウエハ貼り付け位置を特定するために用いられるマークが、支持ローラとの摩擦による欠損あるいは消失、または取り扱い時の破損などにより認識できなくなることを防止することが可能なキャリアプレートを提供し、また、そのキャリアプレートを用いた研磨装置を提供することを目的とする。   The present invention has been devised to solve the above-described problems in the prior art, and the mark used for specifying the wafer attachment position provided on the carrier plate is the friction with the support roller. It is an object of the present invention to provide a carrier plate capable of preventing a loss or disappearance due to the occurrence of damage due to damage or loss during handling, and to provide a polishing apparatus using the carrier plate.

本発明のキャリアプレートは、円板状のセラミックスからなり、一方の主面をウエハの貼り付け面とし、側面に、前記貼り付け面側に前記側面と周方向で面一の側面部分をおいて窪みを有しており、該窪みの底面に前記セラミックスと色調の異なるマークを有していることを特徴とするものである。   The carrier plate of the present invention is made of a disk-shaped ceramic, and has one main surface as a wafer attachment surface, and a side surface portion that is flush with the side surface in the circumferential direction on the attachment surface side. It has a depression, and has a mark having a color tone different from that of the ceramics on the bottom surface of the depression.

また、本発明のキャリアプレートは、上記構成において、前記側面の前記窪みから他方の主面側に、前記側面と周方向で面一の第2の側面部分を有していることを特徴とするものである。   Moreover, the carrier plate of the present invention is characterized in that, in the above configuration, the second side surface portion that is flush with the side surface in the circumferential direction is provided from the depression on the side surface to the other main surface side. Is.

また、本発明のキャリアプレートは、上記構成のいずれかにおいて、前記マークの表面が前記窪みの底面と前記側面との間に位置していることを特徴とするものである。   The carrier plate according to the present invention is characterized in that, in any of the above-described configurations, the surface of the mark is located between the bottom surface and the side surface of the recess.

また、本発明のキャリアプレートは、上記構成のいずれかにおいて、前記マークがレーザー光の照射によるものであることを特徴とするものである。   Moreover, the carrier plate of the present invention is characterized in that, in any of the above configurations, the mark is formed by laser light irradiation.

また、本発明のキャリアプレートは、上記構成のいずれかにおいて、前記マークが前記セラミックスと色調の異なる板部材からなることを特徴とするものである。   The carrier plate according to the present invention is characterized in that, in any of the above-described configurations, the mark is made of a plate member having a color tone different from that of the ceramic.

また、本発明のキャリアプレートは、上記構成のいずれかにおいて、前記セラミックスがアルミナ,ジルコニア,コージェライト,炭化珪素,窒化珪素および窒化アルミニウムのいずれか1種からなることを特徴とするものである。   The carrier plate according to the present invention is characterized in that, in any of the above-described configurations, the ceramic is made of any one of alumina, zirconia, cordierite, silicon carbide, silicon nitride, and aluminum nitride.

また、本発明の研磨装置は、上記いずれかの構成の本発明のキャリアプレートをウエハの研磨用部品として備えたことを特徴とするものである。   The polishing apparatus of the present invention is characterized in that the carrier plate of the present invention having any one of the above-described configurations is provided as a wafer polishing component.

本発明のキャリアプレートによれば、円板状のセラミックスからなり、一方の主面をウエハの貼り付け面とし、側面に、貼り付け面側に側面と周方向で面一の側面部分をおいて窪みを有しており、窪みの底面にセラミックスと色調の異なるマークを有していることにより、研磨液がキャリアプレートの側面に付着して窪みに浸入したとしても、側面に当接して側面を支持する支持ローラとマークとは接触しないので、マークが欠損したり消失したりするおそれが少ない。また、窪みと貼り付け面との間に側面と周方向で面一の側面部分を有しているので、支持ローラによるキャリアプレートの支持および回転に支障を与えるおそれが少ない。さらに、マークは窪みの底面に設けられているので、側面と窪みとの段差により保護され、キャリアプレートの取り扱い時にマークが欠損するおそれが少なく、長期間にわたって良好にマークを保持して検出することができるので、ウエハの正確な位置決めや正確な研磨情報を得ることができる。   According to the carrier plate of the present invention, it is made of a disk-shaped ceramic, and one main surface is used as a wafer attachment surface, and the side surface has a side surface portion that is flush with the side surface on the attachment surface side in the circumferential direction. Because it has a dent and has a mark with a color tone different from that of ceramics on the bottom of the dent, even if the polishing liquid adheres to the side of the carrier plate and enters the dent, Since the supporting roller and the mark to be supported do not come into contact with each other, there is little possibility that the mark is lost or lost. Further, since the side surface portion is flush with the side surface in the circumferential direction between the depression and the attachment surface, there is little possibility of hindering support and rotation of the carrier plate by the support roller. Furthermore, since the mark is provided on the bottom surface of the recess, it is protected by a step between the side surface and the recess, and there is little risk of the mark being lost when handling the carrier plate. Therefore, accurate positioning of the wafer and accurate polishing information can be obtained.

また、本発明のキャリアプレートによれば、側面の窪みから他方の主面側に、側面と周方向で面一の第2の側面部分を有しているときには、キャリアプレートの側面を支持する支持ローラが窪みの部分を通過する際の接触面積を増加できるため、また窪みの上下で偏りなく支持することもできるため、安定してキャリアプレートを支持するとともに回転させることができる。   Further, according to the carrier plate of the present invention, when the second main surface side is flush with the side surface from the side depression to the other main surface side, the support for supporting the side surface of the carrier plate is provided. Since the contact area when the roller passes through the depression can be increased, and the roller can be supported evenly above and below the depression, the carrier plate can be stably supported and rotated.

また、本発明のキャリアプレートによれば、マークの表面が窪みの底面と側面との間に位置しているときには、キャリアプレートの側面に研磨液が付着し、支持ローラとの摩擦等により窪みに研磨液が浸入したとしても、研磨液がマークの表面に付着することは少なく、また、マークの表面と支持ローラとは接触しないので、マークが欠損したり消失したりするおそれをさらに少なくすることができる。そのため、より長期間にわたって安定してマークを保持して高精度なウエハの研磨を実施することができる。   Further, according to the carrier plate of the present invention, when the surface of the mark is located between the bottom surface and the side surface of the recess, the polishing liquid adheres to the side surface of the carrier plate, and the recess is caused by friction with the support roller. Even if the polishing liquid penetrates, the polishing liquid is less likely to adhere to the surface of the mark, and the mark surface and the support roller are not in contact with each other, thereby further reducing the possibility of the mark being lost or lost. Can do. Therefore, the wafer can be polished with high accuracy while holding the mark stably for a longer period of time.

また、本発明のキャリアプレートによれば、マークがレーザー光の照射によるものであるときには、キャリアプレートの洗浄に各種溶剤が用いられたとしてもマークが溶解して欠損したり消失したりするおそれが少ない。   Further, according to the carrier plate of the present invention, when the mark is caused by laser light irradiation, the mark may be dissolved and lost or lost even if various solvents are used for cleaning the carrier plate. Few.

また、本発明のキャリアプレートによれば、マークがセラミックスと色調の異なる板部材からなるときには、キャリアプレートの洗浄に各種溶剤が用いられたとしてもマークが溶解して欠損したり消失したりするおそれが少ない。   Also, according to the carrier plate of the present invention, when the mark is made of a plate member having a color tone different from that of ceramics, the mark may be dissolved and lost or lost even if various solvents are used for cleaning the carrier plate. Less is.

また、本発明のキャリアプレートによれば、セラミックスがアルミナ,ジルコニア,コージェライト,炭化珪素,窒化珪素および窒化アルミニウムのうちいずれか1種からなるときには、高い剛性を有しているためキャリアプレートが撓みにくく、各種溶剤による洗浄に耐え得る高い耐食性を有しているので、平坦度の高いウエハを得ることができる。   Further, according to the carrier plate of the present invention, when the ceramic is made of any one of alumina, zirconia, cordierite, silicon carbide, silicon nitride, and aluminum nitride, the carrier plate is bent because of high rigidity. Since it is difficult and has high corrosion resistance that can withstand cleaning with various solvents, a wafer with high flatness can be obtained.

また、本発明の研磨装置によれば、本発明のキャリアプレートをウエハの研磨用部品として用いることから、マークを安定して保持して検出することができ、高い平坦度のウエハを長期間にわたって得ることが可能となる。   Further, according to the polishing apparatus of the present invention, since the carrier plate of the present invention is used as a wafer polishing component, the mark can be stably held and detected, and a wafer with high flatness can be detected over a long period of time. Can be obtained.

以下、本発明のキャリアプレートおよびこれを用いた研磨装置の実施の形態の例について説明する。   Hereinafter, examples of embodiments of the carrier plate of the present invention and a polishing apparatus using the same will be described.

図1は、本発明のキャリアプレートにウエハを貼り付けるウエハ貼り付け装置の例を示す概略図である。
このウエハ貼り付け装置10は、キャリアプレート1を載置する回転台7と、キャリアプレート1に設けられたマーク3を検出するマーク検出器6と、ウエハ5を吸着してキャリアプレート1上に搬送する吸着パッド8と、マーク検出器6より得られたキャリアプレート1の位置情報を基に回転台7の回転を制御する回転制御装置9とから構成されている。
FIG. 1 is a schematic view showing an example of a wafer attaching apparatus for attaching a wafer to a carrier plate of the present invention.
The wafer bonding apparatus 10 includes a turntable 7 on which a carrier plate 1 is placed, a mark detector 6 that detects a mark 3 provided on the carrier plate 1, and a wafer 5 that is sucked and transferred onto the carrier plate 1. And a rotation control device 9 that controls the rotation of the turntable 7 based on the position information of the carrier plate 1 obtained from the mark detector 6.

キャリアプレート1へのウエハ5の貼り付け方法は、まず、一方の主面であるウエハ5の貼り付け面を上にしてキャリアプレート1を回転台7上に載置する。次に、回転制御装置9により回転台7を回転させて、キャリアプレート1に設けられたマーク3をマーク検出器6で検出し、キャリアプレート1の位置決めを行なう。その後、ウエハ5を吸着パッド8で吸着し、接着剤4を塗布した後、キャリアプレート1上に搬送して貼り付ける。そして、次のウエハ5を貼り付けるときには、次のウエハ5の貼り付け部を確保するために、回転制御装置9により決定されたマーク検出器6で検出した基準位置からの変位量分だけ回転台7を回転させて、次のウエハ5を貼り付ける。これを繰り返すことにより、複数枚のウエハ5をキャリアプレート1の貼り付け面に貼り付けることができる。   In the method of attaching the wafer 5 to the carrier plate 1, first, the carrier plate 1 is placed on the turntable 7 with the attachment surface of the wafer 5, which is one main surface, facing up. Next, the turntable 7 is rotated by the rotation control device 9, the mark 3 provided on the carrier plate 1 is detected by the mark detector 6, and the carrier plate 1 is positioned. Thereafter, the wafer 5 is sucked by the suction pad 8 and the adhesive 4 is applied, and then conveyed and pasted on the carrier plate 1. When the next wafer 5 is attached, the turntable is moved by the amount of displacement from the reference position detected by the mark detector 6 determined by the rotation control device 9 in order to secure the attachment portion of the next wafer 5. 7 is rotated to attach the next wafer 5. By repeating this, a plurality of wafers 5 can be attached to the attachment surface of the carrier plate 1.

このように、本発明のキャリアプレート1は、円板状のセラミックスからなり、一方の主面をウエハ5の貼り付け面とし、側面に、貼り付け面側に側面と周方向で面一の側面部分をおいて窪み2を有しており、窪み2の底面にセラミックスと色調の異なるマーク3を有していることが重要である。このように、キャリアプレート1がセラミックスと色調の異なるマークを有していることにより、マーク3を容易に検出して認識することができ、ウエハ5の貼り付け位置を定位置に位置させる、または順次変位させるなど制御することができる。   Thus, the carrier plate 1 of the present invention is made of disk-shaped ceramics, and has one main surface as a bonding surface of the wafer 5, and the side surface is flush with the side surface on the bonding surface side in the circumferential direction. It is important to have a recess 2 at a portion, and to have a mark 3 having a color tone different from that of ceramics on the bottom surface of the recess 2. Thus, since the carrier plate 1 has a mark having a color tone different from that of ceramics, the mark 3 can be easily detected and recognized, and the attachment position of the wafer 5 is positioned at a fixed position, or It can be controlled by sequentially displacing.

図2は、本発明のキャリアプレートをウエハの研磨用部品として備えた研磨装置の実施の形態の一例を示す、(a)は概略断面図であり、(b)は研磨装置の研磨定盤およびキャリアプレートの回転方向を示す概略図である。   2A and 2B show an example of an embodiment of a polishing apparatus provided with the carrier plate of the present invention as a wafer polishing component. FIG. 2A is a schematic sectional view, and FIG. 2B is a polishing surface plate of the polishing apparatus. It is the schematic which shows the rotation direction of a carrier plate.

本発明の研磨装置20は、本発明のキャリアプレート1と、キャリアプレート1を押圧しつつ回転可能な押圧部11と、キャリアプレート1の側面を支持して回転させる支持ローラ18と、キャリアプレート1に接着剤4を介して貼り付けられたウエハ5の表面を研磨するためのクロス12および回転テーブル13から構成されるウエハ研磨定盤14と、ウエハ研磨定盤14を回転させる回転軸15と、ウエハ研磨定盤14上に研磨液16を供給するノズル17とから構成されている。   The polishing apparatus 20 of the present invention includes a carrier plate 1 of the present invention, a pressing portion 11 that can rotate while pressing the carrier plate 1, a support roller 18 that supports and rotates the side surface of the carrier plate 1, and the carrier plate 1. A wafer polishing surface plate 14 composed of a cloth 12 and a rotary table 13 for polishing the surface of the wafer 5 attached to the substrate 5 with an adhesive 4, a rotating shaft 15 for rotating the wafer polishing surface plate 14, The nozzle 17 is configured to supply the polishing liquid 16 onto the wafer polishing surface plate 14.

この研磨装置20を用いたウエハ5の研磨方法は、図1に示す例のウエハ貼り付け装置10を用いて、一方の主面である貼り付け面に接着剤4を介してウエハ5が貼り付けられたキャリアプレート1を、キャリアプレート1の一方の主面すなわちウエハ5の加工面がウエハ研磨定盤14に対向するようにウエハ研磨定盤14上に載置し、支持ローラ18でキャリアプレート1の側面を支持する。次に、キャリアプレート1の他方の主面に、回転可能な押圧部11をセットする。そして、ノズル17より研磨液16をウエハ研磨定盤14上に供給しながら、動力源(図示せず)から回転軸15へ伝達された回転力によってウエハ研磨定盤14を回転させ、キャリアプレート1の他方の主面を押圧部11で押圧する。   The polishing method of the wafer 5 using the polishing apparatus 20 is performed by using the wafer bonding apparatus 10 shown in FIG. 1 to attach the wafer 5 to the bonding surface which is one main surface via the adhesive 4. The carrier plate 1 is placed on the wafer polishing surface plate 14 so that one main surface of the carrier plate 1, that is, the processing surface of the wafer 5 faces the wafer polishing surface plate 14, and the carrier plate 1 is supported by the support roller 18. Support the sides. Next, a rotatable pressing portion 11 is set on the other main surface of the carrier plate 1. Then, while supplying the polishing liquid 16 from the nozzle 17 onto the wafer polishing platen 14, the wafer polishing platen 14 is rotated by the rotational force transmitted from the power source (not shown) to the rotating shaft 15, and the carrier plate 1. The other main surface is pressed by the pressing portion 11.

このように、ウエハ研磨定盤14が回転すると、供給された研磨液16は、回転による遠心力でウエハ研磨定盤14の表面を外周方向に向かって移動し、ウエハ5とウエハ研磨定盤14の表面すなわちクロス12との接触面に入り込む。また、図6(b)に示す例のように、キャリアプレート1は支持ローラ18により側面を支持された位置で、貼り付けられたウエハ5とウエハ研磨定盤14との間の摩擦力によってウエハ研磨定盤14と同じ方向に回転することにより、ウエハ5の表面を研磨することができる。なお、ウエハ研磨定盤14の回転速度は、研磨装置20に設置された回転制御部(図示せず)により、低速から高速まで様々な回転数の制御が可能である。   As described above, when the wafer polishing platen 14 rotates, the supplied polishing liquid 16 moves on the surface of the wafer polishing platen 14 toward the outer periphery by the centrifugal force caused by the rotation, and the wafer 5 and the wafer polishing platen 14 are moved. Enters the surface of the surface, that is, the contact surface with the cloth 12. Further, as in the example shown in FIG. 6B, the carrier plate 1 is supported by the frictional force between the attached wafer 5 and the wafer polishing surface plate 14 at the position where the side surface is supported by the support roller 18. By rotating in the same direction as the polishing surface plate 14, the surface of the wafer 5 can be polished. The rotational speed of the wafer polishing surface plate 14 can be controlled at various rotational speeds from a low speed to a high speed by a rotation control unit (not shown) installed in the polishing apparatus 20.

また、図2(b)に示す例のように、キャリアプレート1の側方にマーク3を検出するマーク検出器6を備え、マーク検出器6がキャリアプレート1の側面の窪み2の底面に設けられたマーク3を検出し、マーク3の通過回数すなわち検出回数のデータを回転制御部へ送り、このデータを基に最適な加工精度が得られる回転条件の設定を行なうことができる。   2B, a mark detector 6 for detecting the mark 3 is provided on the side of the carrier plate 1, and the mark detector 6 is provided on the bottom surface of the depression 2 on the side surface of the carrier plate 1. The detected mark 3 is detected, the number of passes of the mark 3, that is, the data of the number of detections is sent to the rotation control unit, and the rotation condition for obtaining the optimum machining accuracy can be set based on this data.

この研磨装置20を用いたウエハ5の研磨において、本発明のキャリアプレート1は、側面に、貼り付け面側に側面と周方向で面一の側面部分をおいて窪み2を有しているので、側面に当接させて用いる支持ローラ18による支持および回転に支障を与えるおそれが少ない。また、窪み2の底面にセラミックスと色調の異なるマーク3を有しているので、研磨液16がキャリアプレート1の側面に付着したとしても、支持ローラ18とマーク3とは接触しないので、研磨液16の影響によってマーク3が欠損したり消失したりするおそれが少ない。   In the polishing of the wafer 5 using the polishing apparatus 20, the carrier plate 1 of the present invention has the depression 2 on the side surface, with the side surface portion being flush with the side surface in the circumferential direction on the bonding surface side. There is little risk of hindering support and rotation by the support roller 18 used in contact with the side surface. Further, since the bottom surface of the recess 2 has the mark 3 having a color tone different from that of ceramics, even if the polishing liquid 16 adheres to the side surface of the carrier plate 1, the support roller 18 and the mark 3 do not come into contact with each other. There is little possibility that the mark 3 is lost or lost due to the effect of 16.

そして、ウエハ5の研磨加工後に、溶剤等を用いて接着剤4を溶かし、ウエハ5をキャリアプレート1から剥がす。ウエハ5を剥がした後のキャリアプレート1は、洗浄後に再び図1に示す例のウエハ貼り付け装置10によりウエハ5の貼り付けが行なわれる。このとき、本発明のキャリアプレート1は、研磨装置20を用いたウエハ5の研磨において、マーク3は欠損あるいは消失することなく良好に識別できる状態を維持できているので、マーク検出器6により正確な位置情報を得ることができるので、ウエハ5の貼り付け位置を定位置に位置させる、または順次変位させるなど制御することができる。   Then, after polishing the wafer 5, the adhesive 4 is dissolved using a solvent or the like, and the wafer 5 is peeled off from the carrier plate 1. The carrier plate 1 from which the wafer 5 has been peeled off is again attached after cleaning by the wafer attaching apparatus 10 shown in FIG. At this time, the carrier plate 1 of the present invention can maintain a state in which the mark 3 can be satisfactorily identified without being lost or lost during polishing of the wafer 5 using the polishing apparatus 20. Therefore, it is possible to control the position of attaching the wafer 5 to a fixed position or sequentially shifting the position.

図3は、本発明のキャリアプレートの実施の形態の一例を示す、(a)は側面の一方の主面側に側面と周方向で面一の側面部分をおいて窪みを有するキャリアプレートの斜視図であり、(b)は他方の主面側にも側面と周方向で面一の第2の側面部分をおいて窪みを有するキャリアプレートの斜視図である。   FIG. 3 shows an example of an embodiment of a carrier plate according to the present invention. FIG. 3A is a perspective view of a carrier plate having a recess on one main surface side of the side surface with a side surface portion that is flush with the side surface in the circumferential direction. It is a figure, (b) is a perspective view of the carrier plate which has a hollow also in the other main surface side, and has the 2nd side surface part which is flush with the side surface in the circumferential direction.

図3(a)に示す例のように、本発明のキャリアプレート1は、円板状のセラミックスからなり、一方の主面をウエハの貼り付け面30とし、側面31に、貼り付け面30側に側面31と周方向で面一の側面部分32をおいて窪み2を有しており、窪み2の底面33にセラミックスと色調の異なるマーク3を有している。このような構成のキャリアプレート1にすることにより、マーク3はウエハ5の貼り付け面30や側面31ではなく窪み2の底面33に設けられているので、研磨液16がキャリアプレート1の側面に付着したとしてもマーク3に対する悪影響は抑えられ、支持ローラ18とマーク3とは接触しないので、マーク3が欠損したり消失したりするおそれは少ない。   As in the example shown in FIG. 3A, the carrier plate 1 of the present invention is made of a disk-shaped ceramic, and has one main surface as the wafer attachment surface 30 and the side surface 31 on the attachment surface 30 side. The side surface portion 32 is flush with the side surface 31 in the circumferential direction and has a recess 2, and the bottom surface 33 of the recess 2 has a mark 3 having a color tone different from that of ceramics. By using the carrier plate 1 having such a configuration, the mark 3 is provided on the bottom surface 33 of the recess 2 instead of the attachment surface 30 or the side surface 31 of the wafer 5, so that the polishing liquid 16 is applied to the side surface of the carrier plate 1. Even if it adheres, the adverse effect on the mark 3 is suppressed, and the support roller 18 and the mark 3 are not in contact with each other, so that there is little possibility that the mark 3 is lost or lost.

また、貼り付け面30側すなわちウエハ5の研磨加工面側に側面31と周方向で面一の側面部分32を有しているので、側面31に当接させて用いる支持ローラ18によるキャリアプレート1の支持および回転に支障を与えるおそれは少なく、側面31と周方向で面一の側面部分32があることで、窪み2へ浸入する研磨液16の量を抑えることができる。   Further, since the side surface portion 32 which is flush with the side surface 31 in the circumferential direction is provided on the bonding surface 30 side, that is, the polishing surface side of the wafer 5, the carrier plate 1 by the support roller 18 used in contact with the side surface 31. There is little risk of hindering the support and rotation, and the presence of the side surface portion 32 that is flush with the side surface 31 in the circumferential direction can suppress the amount of the polishing liquid 16 that enters the recess 2.

このように、本発明のキャリアプレート1に設けられているマーク3は、欠損あるいは消失するおそれが少ないので、マーク3はマーク検出器6により良好に検出され、設定された回転条件を確実に実施することができることから、長期間にわたって安定して高精度なウエハ5の研磨を実施することが可能となる。また、マーク3はキャリアプレート1を構成するセラミックスと異なる色調をしており、光の反射率が異なるため光学センサー等のマーク検出器6により容易にマーク3を検出して認識することができる。   Thus, since the mark 3 provided on the carrier plate 1 of the present invention is less likely to be lost or lost, the mark 3 is detected well by the mark detector 6 and the set rotation condition is reliably implemented. Therefore, it is possible to polish the wafer 5 stably and accurately over a long period of time. Further, the mark 3 has a color tone different from that of the ceramics constituting the carrier plate 1 and has a different light reflectance, so that the mark 3 can be easily detected and recognized by the mark detector 6 such as an optical sensor.

また、本発明のキャリアプレート1は、図3(b)に示す例のように、側面31の窪み2から他方の主面側に、側面31と周方向で面一の第2の側面部分34を有していることが好ましい。このような構成のキャリアプレート1とすることにより、図3(a)に示す例のキャリアプレート1と同様に、マーク3は欠損したり消失したりするおそれが少なくなる。さらに、側面31の窪み2から他方の主面側に、側面31と周方向で面一の第2の側面部分34を有しているときには、キャリアプレート1の側面31を支持する支持ローラ18が窪み2の部分を通過する際の接触面積を増加できるため、また支持ローラ18を窪み2の上下で偏りなく接触させて支持し、回転力を与えることができるため、安定してキャリアプレート1を支持するとともに回転させることができる。   In addition, the carrier plate 1 of the present invention has a second side surface portion 34 that is flush with the side surface 31 in the circumferential direction from the recess 2 of the side surface 31 to the other main surface side, as in the example shown in FIG. It is preferable to have. By using the carrier plate 1 having such a configuration, the possibility that the mark 3 is lost or lost is reduced as in the case of the carrier plate 1 in the example shown in FIG. Further, when the second side surface portion 34 that is flush with the side surface 31 is provided from the recess 2 of the side surface 31 to the other main surface side, the support roller 18 that supports the side surface 31 of the carrier plate 1 is provided. Since the contact area when passing through the recess 2 can be increased, and the support roller 18 can be supported in a balanced manner above and below the recess 2 to provide a rotational force, the carrier plate 1 can be stably provided. It can be supported and rotated.

図4は、本発明のキャリアプレートの実施の形態の他の例を示す、(a)はマークの表面が窪みの底面と側面との間に位置しているキャリアプレートの斜視図であり、(b)は(a)におけるA−A’線での断面図である。   FIG. 4 shows another example of the embodiment of the carrier plate of the present invention. (A) is a perspective view of the carrier plate in which the surface of the mark is located between the bottom surface and the side surface of the depression. b) is a sectional view taken along line AA ′ in FIG.

図4に示す例のように、本発明のキャリアプレート1は、マーク3の表面が窪み2の底面33と側面31との間に位置していることが好ましい。このような構成とすることにより、研磨装置20を用いたウエハ5の研磨中に、キャリアプレート1の側面31に研磨液が付着し、支持ローラ18との摩擦等により窪み2に研磨液が入り込んだとしても、マーク3の表面が窪み2の底面33と側面31との間に位置しているときには、研磨液がマーク3の表面に付着することが少なく、また、マーク3の表面と支持ローラ18とは接触しないので、マーク3が欠損したり消失したりするおそれをさらに少なくすることができる。そのため、より長期間にわたって高精度なウエハ5の研磨を実施することができる。   As in the example shown in FIG. 4, in the carrier plate 1 of the present invention, the surface of the mark 3 is preferably located between the bottom surface 33 and the side surface 31 of the recess 2. With this configuration, during polishing of the wafer 5 using the polishing apparatus 20, the polishing liquid adheres to the side surface 31 of the carrier plate 1, and the polishing liquid enters the recess 2 due to friction with the support roller 18. Even so, when the surface of the mark 3 is located between the bottom surface 33 and the side surface 31 of the recess 2, the polishing liquid hardly adheres to the surface of the mark 3, and the surface of the mark 3 and the support roller Since there is no contact with 18, it is possible to further reduce the possibility that the mark 3 is lost or disappears. Therefore, it is possible to polish the wafer 5 with high accuracy over a longer period.

また、本発明のキャリアプレート1は、マーク3がレーザー光の照射による、いわゆるレーザー加工により設けられたものであることが好ましい。キャリアプレート1は、ウエハ5を剥がした後、各種溶剤にて洗浄されるため、この洗浄の際にマーク3が溶解して消失しないように設ける必要がある。そのため、予めマーク3を設ける部分に炭素源となる樹脂組成物、例えばカーボンと酸化チタンを配合した熱可塑性ポリエステル樹脂や、アミノ基含有トリアジン類の塩を配合したポリアミド系樹脂などを塗布し、これにCOレーザー光やYAGレーザー光等を照射し、化学反応させてセラミックスと色調の異なるマーク3を設けるのが好適である。 Moreover, it is preferable that the carrier plate 1 of this invention is what the mark 3 was provided by what is called laser processing by irradiation of a laser beam. Since the carrier plate 1 is cleaned with various solvents after the wafer 5 is peeled off, it is necessary to provide the carrier plate 1 so that the mark 3 does not dissolve and disappear during this cleaning. Therefore, a resin composition serving as a carbon source, for example, a thermoplastic polyester resin blended with carbon and titanium oxide, a polyamide resin blended with a salt of an amino group-containing triazine, or the like is applied to the portion where the mark 3 is provided in advance. It is preferable to provide a mark 3 having a color tone different from that of ceramics by irradiating the substrate with a CO 2 laser beam, a YAG laser beam, or the like to cause chemical reaction.

なお、マーク3の形状については、円形状,三角形状,四角形状,その他の多角形状,バーコードやその他の文字など、側面31よりも突出しないように窪み2内に設けるものであれば、どのような形状であっても適用可能である。   As for the shape of the mark 3, any shape such as a circular shape, a triangular shape, a quadrangular shape, other polygonal shapes, a bar code or other characters provided in the depression 2 so as not to protrude from the side surface 31 can be used. Even if it is such a shape, it is applicable.

また、本発明のキャリアプレート1は、マーク3がセラミックスと色調の異なる板部材からなることが好ましい。キャリアプレート1を各種溶剤にて洗浄したときに、マーク3が溶解して消失しないように、使用する溶剤によって溶解することが少なく、キャリアプレート1を構成するセラミックスと色調の異なる金属あるいはセラミックス等を板状に加工して、板部材としてマーク3とすることが好適である。なお、この板部材は、各種溶剤の洗浄に耐え得る接着剤を用いて貼り付けるか、あるいは焼き嵌めや冷やし嵌めなどにより嵌め込むことにより、板部材からなるマーク3を設ければよい。   In the carrier plate 1 of the present invention, the mark 3 is preferably made of a plate member having a color tone different from that of ceramics. In order to prevent the mark 3 from dissolving and disappearing when the carrier plate 1 is washed with various solvents, it is rarely dissolved by the solvent used, and a metal or ceramic having a color tone different from that of the ceramic constituting the carrier plate 1 is used. It is preferable that the plate is processed into a mark 3 as a plate member. The plate member may be provided with a mark 3 made of a plate member by being attached using an adhesive that can withstand washing of various solvents, or by being fitted by shrink fitting or cold fitting.

また、本発明のキャリアプレート1は、セラミックスがアルミナ,ジルコニア,コージェライト,炭化珪素,窒化珪素および窒化アルミニウムのいずれか1種からなることが好ましい。キャリアプレート1には、ウエハ5の研磨時に変形しない高い剛性や各種溶剤による洗浄に耐え得る高い耐食性が求められるが、アルミナ,ジルコニア,コージェライト,炭化珪素,窒化珪素および窒化アルミニウムは、いずれも高い剛性および耐食性を有しているので、本発明のキャリアプレート1に好適なセラミックスである。これらの材質の中でも特にアルミナは、原料単価が安価であり、キャリアプレート1のウエハ5の貼り付け面をより高精度に加工することが可能であることから、キャリアプレート1に用いる材料としてより好適である。   In the carrier plate 1 of the present invention, the ceramic is preferably made of any one of alumina, zirconia, cordierite, silicon carbide, silicon nitride, and aluminum nitride. The carrier plate 1 is required to have high rigidity that does not deform during polishing of the wafer 5 and high corrosion resistance that can withstand cleaning with various solvents, but all of alumina, zirconia, cordierite, silicon carbide, silicon nitride, and aluminum nitride are high. Since it has rigidity and corrosion resistance, it is a ceramic suitable for the carrier plate 1 of the present invention. Among these materials, alumina is particularly suitable as a material used for the carrier plate 1 because the raw material unit price is low and the attaching surface of the wafer 5 of the carrier plate 1 can be processed with higher accuracy. It is.

また、本発明のキャリアプレート1をウエハ5の研磨用部品として用いた、図2に示す例のような本発明の研磨装置20は、高い平坦度のウエハ5を長期間にわたって得ることが可能である。   Further, the polishing apparatus 20 of the present invention as shown in FIG. 2 using the carrier plate 1 of the present invention as a polishing component for the wafer 5 can obtain the wafer 5 with high flatness over a long period of time. is there.

次に、本発明のキャリアプレート1の製造方法の一例を説明する。
まず、本発明のキャリアプレート1の基体となる円板状のセラミックスの製造を行なう。ここで、キャリアプレート1に用いられるセラミック材料として、原料単価が安価であり、加工性の良好なアルミナを用いた例について説明する。
Next, an example of the manufacturing method of the carrier plate 1 of this invention is demonstrated.
First, disk-shaped ceramics that serve as the base of the carrier plate 1 of the present invention are manufactured. Here, as the ceramic material used for the carrier plate 1, an example in which alumina having a low raw material unit price and good workability will be described.

原料として、純度が99%以上で平均粒径が0.5〜5μmのアルミナ1次原料を用意し、これにバインダおよび溶媒を添加してスラリーとした後、スプレードライヤーにて噴霧造粒してアルミナ2次原料を作製する。次に、アルミナ2次原料を湿式静水圧プレス成形法(ラバープレス法)にて50〜150MPaの成形圧力で円板状に成形する。この円板状の成形体が所定の外径および厚さとなるように切削加工を施す。次に、切削加工を施した円板状の成形体を、焼成炉にて1500〜1700℃の最高温度となる焼成条件で焼成し、円板状の焼結体を得る。   As a raw material, a primary alumina raw material having a purity of 99% or more and an average particle size of 0.5 to 5 μm is prepared, and a binder and a solvent are added thereto to form a slurry, followed by spray granulation with a spray dryer to obtain alumina 2 The next raw material is prepared. Next, the alumina secondary raw material is molded into a disk shape by a hydrostatic pressure press molding method (rubber press method) at a molding pressure of 50 to 150 MPa. Cutting is performed so that the disk-shaped molded body has a predetermined outer diameter and thickness. Next, the disk-shaped molded body that has been subjected to the cutting process is fired in a firing furnace under the firing conditions at a maximum temperature of 1500 to 1700 ° C. to obtain a disk-shaped sintered body.

その後、円板状の焼結体の両主面および側面に研削加工を施し、両主面と側面との境界であるエッジ部に面取り加工を施すことにより、外径が300〜1500mmで厚さが10〜50mmの円板状の焼結体を得る。その後、この円板状の焼結体の両主面を高精度な平坦面に加工するため、大型の平面研削盤を用いて両主面に研削加工を施し、さらに大型の研磨加工機で両主面の表面の粗さおよび平面度が数μm以下となるまで研磨加工する。特にウエハの貼り付け面となる一方の主面については、研磨加工機の研磨定盤の番手を上げながら数nmの粗さや平坦度が得られるまで研磨加工する。なお、表面形状の測定については、真直度計や平面度測定器を用いて実施する。   After that, grinding is performed on both main surfaces and side surfaces of the disc-shaped sintered body, and chamfering processing is performed on the edge portion that is the boundary between both main surfaces and the side surfaces, so that the outer diameter is 300 to 1500 mm. A disk-shaped sintered body having a diameter of 10 to 50 mm is obtained. After that, in order to machine both main surfaces of this disk-shaped sintered body into a highly accurate flat surface, both main surfaces are ground using a large surface grinder, and both are further processed by a large polishing machine. Polishing is performed until the roughness and flatness of the main surface become several μm or less. In particular, one main surface, which is the wafer attachment surface, is polished until a roughness or flatness of several nanometers is obtained while increasing the number of the polishing surface plate of the polishing machine. In addition, about the measurement of surface shape, it implements using a straightness meter and a flatness measuring device.

この後に行なう窪み2の形成については、図3(a)に示す例のキャリアプレート1の窪み2の作製例について説明する。   Regarding the formation of the recess 2 performed thereafter, an example of manufacturing the recess 2 of the carrier plate 1 in the example shown in FIG.

まず、円板状の焼結体の両主面の研磨加工を終えた後、側面31を研削加工し、さらに側面31に、万能研削加工機によって、ウエハ5の貼り付け面30側に側面31と周方向で面一の側面部分32をおいた窪み2を設ける。次に、この窪み2の底面33に目的とするマーク3の形状となるよう樹脂組成物を塗布して乾燥させた後、マーク3の形状部分にCOレーザー光やYAGレーザー光等を照射して瞬時に高温加熱してアルミナと樹脂組成物を反応させ、アルミナ炭化物からなるマーク3を設けることにより、円板状のアルミナ質焼結体からなる、図3(a)に示す例の本発明のキャリアプレート1を得ることができる。 First, after finishing polishing of both main surfaces of the disk-shaped sintered body, the side surface 31 is ground, and further, the side surface 31 is formed on the side surface 31 on the bonding surface 30 side of the wafer 5 by a universal grinding machine. And a recess 2 having a side surface portion 32 that is flush with the circumferential direction. Next, the resin composition is applied to the bottom surface 33 of the recess 2 so as to have the desired mark 3 shape and dried, and then the mark 3 is irradiated with CO 2 laser light, YAG laser light, or the like. The present invention of the example shown in FIG. 3 (a) is made of a disc-like alumina sintered body by providing a mark 3 made of alumina carbide by reacting alumina and a resin composition by instantaneously heating to high temperature. The carrier plate 1 can be obtained.

他の材質についても、最高温度等の焼成条件を変更して、同様の円板状の焼結体を用意すれば、同様の工程にて製造可能である。また、万能研削加工機による研削の際に、ウエハ5の貼り付け面30側に側面31と周方向で面一の側面部分32および他方の主面側にも側面31と周方向で面一の第2の側面部分34が残るように研削して、窪み2の底面33にマーク3を設けることにより、図3(b)に示す例の本発明のキャリアプレート1を得ることができる。さらに、マーク3の表面が窪み2の底面33と側面31との間に位置するように研削してマーク3を設けることにより、図4に示す例の本発明のキャリアプレート1を得ることができる。   Other materials can also be manufactured in the same process by changing the firing conditions such as the maximum temperature and preparing a similar disk-shaped sintered body. Further, during grinding by the universal grinding machine, the side surface portion 32 is flush with the side surface 31 on the bonding surface 30 side of the wafer 5 and is flush with the side surface 31 on the other main surface side. By grinding so that the second side surface portion 34 remains and providing the mark 3 on the bottom surface 33 of the recess 2, the carrier plate 1 of the example of the present invention shown in FIG. 3B can be obtained. Further, by providing the mark 3 by grinding so that the surface of the mark 3 is positioned between the bottom surface 33 and the side surface 31 of the recess 2, the carrier plate 1 of the example of the present invention shown in FIG. 4 can be obtained. .

また、マーク3については、特にセラミックスが白色系の材質である場合には、同様に樹脂組成物を塗布してレーザー光を照射することにより鮮明な黒色のマーク3を得ることができ、セラミックスが黒色系の材質である場合には、特殊なレーザーマーキング用樹脂を塗布してレーザー光を照射することにより白色のマーク3を形成することができる。   As for the mark 3, in particular, when the ceramic is a white material, a clear black mark 3 can be obtained by applying a resin composition and irradiating laser light in the same manner. In the case of a black material, the white mark 3 can be formed by applying a special laser marking resin and irradiating it with laser light.

以下、本発明の実施例について詳細を説明する。   Details of the embodiments of the present invention will be described below.

(実施例1)
本発明のキャリアプレート1と従来のキャリアプレートとを製造し、図1に示す例のウエハ貼り付け装置10を用いてこれらのキャリアプレートにウエハ5を貼り付け,図2に示す例の研磨装置20を用いてウエハ5の研磨加工を実施した。
(Example 1)
The carrier plate 1 of the present invention and the conventional carrier plate are manufactured, the wafer 5 is attached to these carrier plates using the wafer attaching apparatus 10 shown in FIG. 1, and the polishing apparatus 20 shown in FIG. The wafer 5 was polished using the above.

まず、本発明および従来のキャリアプレートの基体となる円板状のセラミックスの製造を行なった。原料として、純度が99%以上で平均粒径が1μmのアルミナ1次原料を用意し、これにバインダおよび溶媒を添加してスラリーとした後、スプレードライヤーにて噴霧造粒してアルミナ2次原料を得た。次に、このアルミナ2次原料を用いて、湿式静水圧プレス成形法(ラバープレス法)にて100MPaの成形圧力で円板状の成形体を得た。そして、この円板状の成形体が所定の外径および厚さとなるように切削加工を施した。次に、切削加工を施した円板状の成形体を、焼成炉にて1600℃の最高温度となる焼成条件で焼成し、円板状の焼結体を得た。   First, the disk-shaped ceramics used as the base of the present invention and the conventional carrier plate were manufactured. As a raw material, an alumina primary raw material having a purity of 99% or more and an average particle diameter of 1 μm is prepared, and a binder and a solvent are added to form a slurry, followed by spray granulation with a spray dryer, and then an alumina secondary raw material. Got. Next, using this alumina secondary material, a disk-shaped molded body was obtained by a wet isostatic press molding method (rubber press method) at a molding pressure of 100 MPa. And it cut so that this disk-shaped molded object might become a predetermined | prescribed outer diameter and thickness. Next, the disk-shaped molded body that had been subjected to the cutting process was fired in a firing furnace under the firing conditions at a maximum temperature of 1600 ° C. to obtain a disk-shaped sintered body.

次に、円板状の焼結体の両主面および側面に研削加工を施し、両主面と側面との境界であるエッジ部に面取り加工を施すことにより、外径が500mmで厚さが25mmの円板状の焼結体とした。その後、この円板状の焼結体の両主面を高精度に平坦面に加工するため、大型の平面研削盤を用いて両主面全体を粗加工した後、大型の研磨加工機を用いて表面の粗さが1.5μm以下で、平面度が1μm以下となるまで研磨加工した。研磨加工後、さらにその側面を万能研削盤などにより仕上げ加工することによって、円板状のアルミナ質焼結体を製造し、これを4枚用意した。   Next, grinding is performed on both main surfaces and side surfaces of the disk-shaped sintered body, and chamfering processing is performed on the edge portion that is the boundary between both main surfaces and the side surfaces, whereby the outer diameter is 500 mm and the thickness is increased. A 25 mm disk-shaped sintered body was obtained. After that, in order to process both main surfaces of this disk-shaped sintered body into a flat surface with high accuracy, after roughing both main surfaces using a large surface grinder, a large polishing machine is used. Then, the surface was polished until the surface roughness was 1.5 μm or less and the flatness was 1 μm or less. After polishing, the side surface was further finished with a universal grinder or the like to produce a disk-shaped alumina sintered body, and four of them were prepared.

次に、得られた円板状のアルミナ質焼結体を万能研削加工機により加工して、図3(a)および(b)に示す例の本発明のキャリアプレート1を作製した。1枚目の円板状のアルミナ質焼結体に、ウエハ5の貼り付け面30側に側面31と周方向で面一の側面部分32をおいた窪み2を設け、2枚目の円板状のアルミナ質焼結体に、ウエハ5の貼り付け面30側に側面31と周方向で面一の側面部分32をおいて、他方の主面側にも側面31と周方向で面一の第2の側面部分34が残るように窪み2を設けた。そして、これらの窪み2の底面33に円形のマーク3の形状となるよう樹脂組成物としてカーボンと酸化チタンを配合した熱可塑性ポリエステル樹脂を塗布した後、50〜100℃の温風を30分程度当てて乾燥させ、次いでCOレーザー光を照射して樹脂組成物を塗布した部分にφ15mmの黒色で円形のマーク3を形成し、それぞれ図3(a)および(b)に示す例の本発明のキャリアプレート1を得た。 Next, the obtained disk-shaped alumina sintered body was processed by a universal grinding machine, and the carrier plate 1 of the example of the present invention shown in FIGS. 3A and 3B was manufactured. The first disk-shaped alumina sintered body is provided with a recess 2 having a side surface portion 32 that is flush with the side surface 31 on the bonding surface 30 side of the wafer 5, and a second disk. A side surface portion 32 that is flush with the side surface 31 in the circumferential direction on the bonding surface 30 side of the wafer 5 is placed on the shaped alumina sintered body, and the other main surface side is also flush with the side surface 31 in the circumferential direction. The depression 2 was provided so that the second side surface portion 34 remained. And after applying the thermoplastic polyester resin which mix | blended carbon and titanium oxide as a resin composition so that it may become the shape of the circular mark 3 to the bottom face 33 of these hollows 2, hot air of 50-100 degreeC is applied for about 30 minutes. Then, the sample is irradiated with CO 2 laser light and then irradiated with a CO 2 laser beam to form a black circular mark 3 with a diameter of 15 mm, which is an example of the present invention shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b), respectively. Carrier plate 1 was obtained.

次に、3枚目の円板状のアルミナ質焼結体について、ウエハ5の貼り付け面30側に側面31と周方向で面一の側面部分32をおいて、他方の主面側にも側面31と周方向で面一の第2の側面部分34が残るように、また、マーク3の表面が窪み2の底面33と側面31との間に位置するように、万能研削加工機を用いて研削した。そして、マーク3の表面となる部分に樹脂組成物としてカーボンと酸化チタンを配合した熱可塑性ポリエステル樹脂を塗布した後、50〜100℃の温風を30分程度当てて乾燥させ、COレーザー光を照射して樹脂組成物を塗布した部分にφ15mmの黒色で円形のマーク3を形成し、図4に示す例の本発明のキャリアプレート1を得た。 Next, with respect to the third disk-shaped alumina sintered body, a side surface portion 32 that is flush with the side surface 31 on the bonding surface 30 side of the wafer 5 is provided on the other main surface side. A universal grinding machine is used so that the second side surface portion 34 that is flush with the side surface 31 remains in the circumferential direction, and that the surface of the mark 3 is located between the bottom surface 33 and the side surface 31 of the recess 2. And ground. Then, after coating the thermoplastic polyester resin blended with carbon and titanium oxide on the surface portion serving as the resin composition of the marks 3, dried by blowing a 50 to 100 ° C. hot air about 30 minutes, CO 2 laser beam Was applied to form a black circular mark 3 with a diameter of 15 mm, and the carrier plate 1 of the present invention of the example shown in FIG. 4 was obtained.

次に、4枚目の円板状のアルミナ質焼結体について、ウエハの貼り付け面から側面にかかる部分の表面に樹脂組成物としてカーボンと酸化チタンを配合した熱可塑性ポリエステル樹脂を塗布した後、50〜100℃の温風を30分程度当てて乾燥させ、COレーザー光を照射して、ウエハの貼り付け面から側面にかかる部分にマークを設けることによって、従来のキャリアプレートを得た。 Next, after applying a thermoplastic polyester resin compounded with carbon and titanium oxide as a resin composition on the surface of the portion of the fourth disk-shaped alumina sintered body from the wafer attachment surface to the side surface A conventional carrier plate was obtained by applying a hot air of 50 to 100 ° C. for about 30 minutes, drying, irradiating with CO 2 laser light, and providing a mark on the portion from the wafer attachment surface to the side surface. .

次に、この本発明および従来のキャリアプレートを用いて、図1に示す例のウエハ貼り付け装置10を用いて貼り付け面30にウエハ5を貼り付け、図2に示す例の研磨装置20を用いてウエハ5の研磨加工を行なった。まず、一方の主面であるウエハ5の貼り付け面を上にしてキャリアプレートを回転台7上に載置した。次に、回転制御装置9により回転台7を回転させて、キャリアプレートに設けられたマーク3をマーク検出器6で検出し、キャリアプレートの位置決めを行なった。その後、ウエハ5を吸着パッド8で吸着し、接着剤4を塗布した後、キャリアプレート上に搬送して貼り付け面に貼り付けた。そして、次のウエハ5の貼り付けについては、次のウエハ5の貼り付け部を確保するために、回転制御装置9により決定されたマーク検出器6で検出した基準位置からの変位量分だけ回転台7を回転させて、次の貼り付け部に次のウエハ5を貼り付け、これを繰り返すことにより4枚のウエハ5をキャリアプレートに貼り付けた。   Next, using the present invention and the conventional carrier plate, the wafer 5 is attached to the attaching surface 30 using the wafer attaching apparatus 10 shown in FIG. 1, and the polishing apparatus 20 shown in FIG. Using this, the wafer 5 was polished. First, the carrier plate was placed on the turntable 7 with the bonding surface of the wafer 5 as one main surface facing up. Next, the turntable 7 was rotated by the rotation control device 9, the mark 3 provided on the carrier plate was detected by the mark detector 6, and the carrier plate was positioned. Thereafter, the wafer 5 was sucked by the suction pad 8 and the adhesive 4 was applied, and then transferred onto the carrier plate and pasted on the pasting surface. Then, the next wafer 5 is pasted by the amount of displacement from the reference position detected by the mark detector 6 determined by the rotation control device 9 in order to secure the pasting portion of the next wafer 5. The table 7 was rotated to attach the next wafer 5 to the next attaching portion, and by repeating this, four wafers 5 were attached to the carrier plate.

次に、研磨装置20を用いて、一方の主面である貼り付け面に接着剤4を介してウエハ5が貼り付けられたキャリアプレートを、キャリアプレートの一方の主面である貼り付け面ここではウエハ5の加工面がウエハ研磨定盤14に対向するようにウエハ研磨定盤14上に載置し、支持ローラ18でキャリアプレートの側面を支持した。次に、キャリアプレートの他方の主面に、回転可能な押圧部11をセットした。そして、ノズル17より研磨液16をウエハ研磨定盤14上に供給しながら、動力源(図示せず)から回転軸15へ伝達された回転力によってウエハ研磨定盤14を回転させ、支持ローラ18で支持しながらキャリアプレートの他方の主面を押圧部11で押圧して、ウエハ5の研磨を実施した。   Next, using the polishing apparatus 20, a carrier plate in which the wafer 5 is bonded to the bonding surface which is one main surface via the adhesive 4 is attached to the bonding surface which is one main surface of the carrier plate. The wafer 5 was placed on the wafer polishing platen 14 so that the processing surface of the wafer 5 was opposed to the wafer polishing platen 14, and the support roller 18 supported the side surface of the carrier plate. Next, a rotatable pressing portion 11 was set on the other main surface of the carrier plate. Then, while supplying the polishing liquid 16 from the nozzle 17 onto the wafer polishing platen 14, the wafer polishing platen 14 is rotated by the rotational force transmitted from the power source (not shown) to the rotating shaft 15, thereby supporting the roller 18. The other main surface of the carrier plate was pressed by the pressing portion 11 while being supported by, and the wafer 5 was polished.

そして、このウエハ5の研磨→研磨後の溶剤によるウエハ5の剥がし→キャリアプレートの洗浄→ウエハ5を貼り付けてウエハ5の研磨というサイクルを、1日10時間行ない、これを1週間実施した。なお、ウエハ5は、マーク検出器6で検出した基準位置からの変位量を変えず、毎回、ウエハ5が定位置になるようにキャリアプレートに貼り付けた。   Then, a cycle of polishing the wafer 5 → peeling the wafer 5 with the solvent after polishing → cleaning the carrier plate → attaching the wafer 5 and polishing the wafer 5 was performed for 10 hours a day, and this was performed for one week. The wafer 5 was attached to the carrier plate so that the wafer 5 was at a fixed position every time without changing the displacement from the reference position detected by the mark detector 6.

その結果、従来のキャリアプレートは、開始当初から3日目までは平坦度が高い高精度なウエハ5が得られていたものの、4日目以降はウエハ5の平坦度が低くなり、最後の2日間に研磨したものは開始当初の平坦度と比較して80%以上の低下が生じた。そして、この従来のキャリアプレートを確認したところ、ウエハ5の貼り付け面から側面にかかる部分に設けたマーク3にはウエハ5の研磨の際に支持ローラ18との摩擦により多数の傷が付いており、マーク検出器6によるマーク3の検出に不具合が生じていることが判明した。   As a result, in the conventional carrier plate, a highly accurate wafer 5 with high flatness was obtained from the beginning to the third day, but the flatness of the wafer 5 was lowered after the fourth day, and the last 2 What was polished for one day had a reduction of more than 80% compared to the flatness at the beginning. Then, when this conventional carrier plate was confirmed, the marks 3 provided on the portion extending from the bonding surface of the wafer 5 to the side surface were damaged by a large amount of friction with the support roller 18 when the wafer 5 was polished. Thus, it has been found that there is a problem in the detection of the mark 3 by the mark detector 6.

これに対し、本発明のキャリアプレート1は、いずれも1週間後おいてもウエハ5の平坦度の低下は10%未満に抑えられており、長期間にわたって良好なウエハ5の研磨加工が実施できることが確認された。また、試験終了後にマーク3の状態を確認したところ、図3(a)および(b)に示す例の本発明のキャリアプレート1のマーク3に微小な傷が見られたものの、依然として鮮明な色調および形状を確保しており、マーク検出器6にて検出可能なレベルであり問題ないことが確認された。また、図4に示す例の本発明のキャリアプレート1については、マーク3に微小な傷も見られず、より良好な結果であった。   On the other hand, the carrier plate 1 according to the present invention has a flatness reduction of less than 10% even after one week, and the wafer 5 can be satisfactorily polished over a long period of time. Was confirmed. Further, when the state of the mark 3 was confirmed after the test was completed, a minute scratch was seen on the mark 3 of the carrier plate 1 of the present invention shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b), but still a clear color tone. Further, it was confirmed that the shape was secured and the level could be detected by the mark detector 6 and there was no problem. In addition, with respect to the carrier plate 1 of the example of the present invention shown in FIG.

本発明のキャリアプレートにウエハを貼り付けるウエハ貼り付け装置の例を示す概略図である。It is the schematic which shows the example of the wafer sticking apparatus which affixes a wafer on the carrier plate of this invention. 本発明のキャリアプレートをウエハの研磨用部品として備えた研磨装置の実施の形態の一例を示す、(a)は概略断面図であり、(b)は研磨装置の研磨定盤およびキャリアプレートの回転方向を示す概略図である。1 shows an example of an embodiment of a polishing apparatus provided with the carrier plate of the present invention as a wafer polishing component, (a) is a schematic cross-sectional view, and (b) is a rotation of a polishing platen and carrier plate of the polishing apparatus. It is the schematic which shows a direction. 本発明のキャリアプレートの実施の形態の一例を示す、(a)は側面の一方の主面側に側面と周方向で面一の側面部分をおいて窪みを有するキャリアプレートの斜視図であり、(b)は他方の主面側にも側面と周方向で面一の第2の側面部分をおいて窪みを有するキャリアプレートの斜視図である。An example of an embodiment of a carrier plate of the present invention is shown, (a) is a perspective view of a carrier plate having a depression on one main surface side of the side surface with a side surface portion that is flush with the side surface in the circumferential direction, (B) is a perspective view of a carrier plate having a recess on the other main surface side with a second side surface portion that is flush with the side surface in the circumferential direction. 本発明のキャリアプレートの実施の形態の他の例を示す、(a)はマークの表面が窪みの底面と側面との間に位置しているキャリアプレートの斜視図であり、(b)は(a)におけるA−A’線での断面図である。The other example of embodiment of the carrier plate of this invention is shown, (a) is a perspective view of the carrier plate in which the surface of a mark is located between the bottom face and side surface of a hollow, (b) is ( It is sectional drawing in the AA 'line in a). 従来のウエハ貼り付け装置の例を示す概略図である。It is the schematic which shows the example of the conventional wafer sticking apparatus. 従来のウエハの研磨装置の例を示す。(a)は断面概略図であり、(b)は研磨装置の研磨定盤およびキャリアプレートの回転方向を示す概略図である。An example of a conventional wafer polishing apparatus is shown. (A) is a schematic cross-sectional view, and (b) is a schematic view showing the rotation direction of the polishing platen and carrier plate of the polishing apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1:キャリアプレート
2:窪み
3:マーク
4:接着剤
5:ウエハ
6:マーク検出器
7:回転台
8:吸着パッド
9:回転制御装置
10:ウエハ貼り付け装置
11:押圧部
12:クロス
13:回転テーブル
14:ウエハ研磨定盤
15:回転軸
16:研磨液
17:ノズル
18:支持ローラ
20:研磨装置
30:貼り付け面
31:側面
32:側面部分
33:底面
34:第2の側面部分
1: Carrier plate 2: Depression 3: Mark 4: Adhesive 5: Wafer 6: Mark detector 7: Turntable 8: Suction pad 9: Rotation control device
10: Wafer pasting equipment
11: Pressing part
12: Cross
13: Rotating table
14: Wafer polishing surface plate
15: Rotation axis
16: Polishing liquid
17: Nozzle
18: Support roller
20: Polishing equipment
30: Pasting surface
31: Side
32: Side part
33: Bottom
34: Second side portion

Claims (7)

円板状のセラミックスからなり、一方の主面をウエハの貼り付け面とし、側面に、前記貼り付け面側に前記側面と周方向で面一の側面部分をおいて窪みを有しており、該窪みの底面に前記セラミックスと色調の異なるマークを有していることを特徴とするキャリアプレート。 It is made of disk-shaped ceramics, has one main surface as a wafer attachment surface, and has a depression on the side surface, with the side surface portion being flush with the side surface in the circumferential direction on the attachment surface side, A carrier plate having a mark having a color tone different from that of the ceramics on a bottom surface of the recess. 前記側面の前記窪みから他方の主面側に、前記側面と周方向で面一の第2の側面部分を有していることを特徴とする請求項1に記載のキャリアプレート。 The carrier plate according to claim 1, further comprising a second side surface portion that is flush with the side surface in the circumferential direction from the depression on the side surface to the other main surface side. 前記マークの表面が前記窪みの底面と前記側面との間に位置していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のキャリアプレート。 The carrier plate according to claim 1 or 2, wherein a surface of the mark is located between a bottom surface and the side surface of the depression. 前記マークがレーザー光の照射によるものであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のキャリアプレート。 The carrier plate according to any one of claims 1 to 3, wherein the mark is formed by laser light irradiation. 前記マークが前記セラミックスと色調の異なる板部材からなることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のキャリアプレート。 The carrier plate according to any one of claims 1 to 3, wherein the mark is made of a plate member having a color tone different from that of the ceramic. 前記セラミックスがアルミナ,ジルコニア,コージェライト,炭化珪素,窒化珪素および窒化アルミニウムのいずれか1種からなることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のキャリアプレート。 6. The carrier plate according to claim 1, wherein the ceramic is made of any one of alumina, zirconia, cordierite, silicon carbide, silicon nitride, and aluminum nitride. 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のキャリアプレートをウエハの研磨用部品として備えたことを特徴とする研磨装置。 A polishing apparatus comprising the carrier plate according to any one of claims 1 to 6 as a wafer polishing component.
JP2008139332A 2008-05-28 2008-05-28 Carrier plate and polishing device using the same Pending JP2009289882A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008139332A JP2009289882A (en) 2008-05-28 2008-05-28 Carrier plate and polishing device using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008139332A JP2009289882A (en) 2008-05-28 2008-05-28 Carrier plate and polishing device using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009289882A true JP2009289882A (en) 2009-12-10

Family

ID=41458831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008139332A Pending JP2009289882A (en) 2008-05-28 2008-05-28 Carrier plate and polishing device using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009289882A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111469290A (en) * 2020-05-28 2020-07-31 陈斌武 Crystal marking and processing integrated device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0499829U (en) * 1991-02-05 1992-08-28
JPH11320393A (en) * 1998-05-01 1999-11-24 Fujikoshi Mach Corp Method and device for mounting wafer
JP2000084839A (en) * 1998-09-11 2000-03-28 Fujikoshi Mach Corp Affixing device for wafer
JP2002205260A (en) * 2001-01-09 2002-07-23 Fujikoshi Mach Corp Method and device for affixing wafer
JP2003282502A (en) * 2002-03-27 2003-10-03 Kyocera Corp Black based ceramic board
JP2007201290A (en) * 2006-01-27 2007-08-09 Kyocera Corp Package for storing electronic component, and electronic device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0499829U (en) * 1991-02-05 1992-08-28
JPH11320393A (en) * 1998-05-01 1999-11-24 Fujikoshi Mach Corp Method and device for mounting wafer
JP2000084839A (en) * 1998-09-11 2000-03-28 Fujikoshi Mach Corp Affixing device for wafer
JP2002205260A (en) * 2001-01-09 2002-07-23 Fujikoshi Mach Corp Method and device for affixing wafer
JP2003282502A (en) * 2002-03-27 2003-10-03 Kyocera Corp Black based ceramic board
JP2007201290A (en) * 2006-01-27 2007-08-09 Kyocera Corp Package for storing electronic component, and electronic device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111469290A (en) * 2020-05-28 2020-07-31 陈斌武 Crystal marking and processing integrated device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5847789B2 (en) Method for manufacturing carrier for double-side polishing apparatus and double-side polishing method for wafer
US20090247057A1 (en) Polishing platen and polishing apparatus
JP2014144500A (en) One-side polishing method for sapphire wafer, and method for producing sapphire wafer
JP2018049973A (en) Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus
JP2007123687A (en) Grinding method for underside of semiconductor wafer and grinding apparatus for semiconductor wafer
KR20130007424A (en) Method for grinding piece to be processed
US6406357B1 (en) Grinding method, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP4591830B2 (en) Wafer chamfering equipment
US20150306727A1 (en) Polishing method and holder
JP2009289882A (en) Carrier plate and polishing device using the same
JP7171140B2 (en) Workpiece processing method and resin sheet unit
JP3239764B2 (en) Polishing apparatus and polishing polisher for CMP
JP4793680B2 (en) Semiconductor wafer polishing method
JP2008018502A (en) Substrate polishing device, substrate polishing method, and substrate treating device
JP6508003B2 (en) Method of manufacturing template assembly, polishing method using the template assembly, and template assembly
JP2009166214A (en) Grinder
JP2009160706A (en) Work piece holding frame member and work piece holding tool
JP4054119B2 (en) Wafer sticking device
JP2008023625A (en) Workpiece retaining material
JP2020096044A (en) Workpiece processing method and resin sheet unit
JP6439963B2 (en) Holding tool and manufacturing method thereof
JP2019087604A (en) Wafer processing method
JP2007069295A (en) Holder for polishing object
JP7171139B2 (en) Workpiece processing method
JP2000308961A (en) Affixing plate and manufacture of same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101215

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120914

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120925

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121204

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130121

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130702