JP2000308961A - Affixing plate and manufacture of same - Google Patents

Affixing plate and manufacture of same

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JP2000308961A
JP2000308961A JP11849199A JP11849199A JP2000308961A JP 2000308961 A JP2000308961 A JP 2000308961A JP 11849199 A JP11849199 A JP 11849199A JP 11849199 A JP11849199 A JP 11849199A JP 2000308961 A JP2000308961 A JP 2000308961A
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JP
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plate
polishing
layer
collar
wafer
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Japanese (ja)
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Toshihiro Kiyono
敏廣 清野
Takashi Tanaka
敬 田中
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Original Assignee
SpeedFam-IPEC Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an affixing plate with a was-free holding device that prevents maldistribution of water and has no influence upon the form of wafers during polishing by polishing machines. SOLUTION: In a polishing machine with a rotatable surface plate for polishing and a pressure plate, an affixing plate 11 for holding and pressing a workpiece surface against the surface of the polishing surface plate in parallel relation comprises an appreciably rigid and dense ceramics plate, one or more porous ceramics plates 15 having gas-and-water-permeabilities, and a backing pad 12 consisting of a layer 13 of soft foam and a collar 16.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、IC、LSIある
いは超LSI等の半導体デバイスの素材であるシリコン
ウェーハや化合物半導体のウェーハ、コンピュータ外部
記憶装置の担体であるアルミディスクさらにはLCD用
に使用される超薄板状ガラスウェーハ等の加工を行う工
程において使用するポリッシング加工機に付属する貼付
プレートに係り、更に詳しくは被ポリッシング加工体
(以下ワークと略記する)を把持するための手段が例え
ばワックス等を用いた接着法によるものではなく、バッ
キングパッドと水とを用いて吸着保持する方法による貼
付プレートの構造およびその製法に係る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used for a silicon wafer or a compound semiconductor wafer as a material of a semiconductor device such as an IC, an LSI or a super LSI, an aluminum disk as a carrier of a computer external storage device, and an LCD. The present invention relates to an attaching plate attached to a polishing machine used in a process of processing an ultra-thin glass wafer or the like, and more specifically, means for gripping a workpiece to be polished (hereinafter abbreviated as a workpiece) is, for example, wax. The present invention relates to a structure of a sticking plate and a method of manufacturing the same by a method of adsorbing and holding by using a backing pad and water instead of an adhesive method using a method such as the above.

【0002】[0002]

【従来技術】近年、半導体業界を例に挙げれば、IC、
LSIあるいは超LSI等(以下IC等と記す)の半導
体デバイスの集積度が飛躍的に増大し、16Mビット、
64Mビット、256Mビット更にはその上のG(ギ
ガ)ビット単位へと進行中である。かかる状況下におい
ては、その基板であるウェーハの表面の品位の向上に対
する要求が益々高度化して来ている。それに伴って、化
学的、電気的な性状の高度化に関する要求は当然なこと
であるが、IC等の集積度を高めるためには、ウェーハ
上に設けられるデバイスを構成する回路図の最小線幅
が、ますます細くなり、0.5μmから0.25μm更
には0.18μmへとその要求は高度化しつつある。更
にその生産性を高めるためにウェーハサイズの大口径化
の動きも盛んである。現段階でのウェーハサイズは8イ
ンチのものが主流であるが、今後導入が計画されている
12インチ以上の大口径のウェーハについてはその加工
技術の確立が急がれている。
2. Description of the Related Art In recent years, in the semiconductor industry, for example, ICs,
The degree of integration of semiconductor devices such as LSIs or super LSIs (hereinafter referred to as ICs, etc.) has dramatically increased, and 16 Mbits,
Progress is being made to 64 Mbits, 256 Mbits and even G (giga) bit units above them. Under such circumstances, the demand for improving the quality of the surface of the wafer as the substrate has been increasingly sophisticated. Along with this, it is natural that there is a demand for the advancement of chemical and electrical properties, but in order to increase the degree of integration of ICs and the like, the minimum line width of a circuit diagram constituting a device provided on a wafer is required. However, the requirements are becoming increasingly finer, and the requirements are increasing from 0.5 μm to 0.25 μm and further to 0.18 μm. Furthermore, in order to increase the productivity, there is an increasing movement to increase the wafer size. At present, the wafer size is generally 8 inches, but the processing technology is urgently required for large diameter wafers of 12 inches or more, which are planned to be introduced in the future.

【0003】このような高精緻な処理を可能ならしめる
ために、物理的にウェーハの表面の平坦性すなわち厚み
方向の形状精度に対する要求を高清浄度と同時に達成し
なければならないという要求が益々強くなってきてい
る。すなわち、最終の鏡面仕上げ加工後のウェーハは、
全面積に亘る厚み浮動(トータルシックネスバリエーシ
ョン、TTV)が1μm以下、一個のICチップとなる
べき大きさ全体に亘る厚み浮動(サイトシックネスイン
ジケーテッドリーディング、STIR)が0.2μm以
下の精度が要求されるようになって来ている。かかる高
い要求精度を達成するためには、ウェーハの加工工程に
おいては多段階に加工を行い、ウェーハの表面粗さ及び
平坦度に優れたウェーハを製作しているが、加工の前段
階においては、薄板状のウェーハの両面を同時に加工を
行い、後半、特に最終の鏡面仕上げを行うポリッシング
工程においては片面のみの加工が行われるのが通常であ
る。従来、上記のような片面のみをポリッシング加工す
る場合においては、ポリッシング加工を行なわない方の
ワークの面にワックスを塗布し、硬質(高剛性・高密
度)セラミックスよりなる貼付プレートの面に接着し把
持する方法が、前述した平坦度を確保する最も有効な手
段として用いられてきている。すなわち、硬質(高剛性
・高密度)セラミックスよりなる貼付プレートの高精度
に平坦な面に、極度に薄膜化したワックス接着層により
把持させたワーク表面を、ポリッシング加工により倣わ
せるという方法で行ってきた。つまり、ワーク裏面を基
準平面とした加工を施してきていた。
In order to enable such high-precision processing, there is an increasing demand that the requirement for physical flatness of the wafer surface, that is, the shape accuracy in the thickness direction must be achieved simultaneously with high cleanliness. It has become to. That is, the wafer after the final mirror finishing is
It is required that the thickness floating (total thickness variation, TTV) over the entire area is 1 μm or less, and that the thickness floating (site thickness indication reading, STIR) over the entire size to be one IC chip is 0.2 μm or less. It is coming. In order to achieve such high required accuracy, in the processing step of the wafer, processing is performed in multiple stages, and a wafer having excellent surface roughness and flatness of the wafer is manufactured. Normally, only one side is processed in the polishing step in which both sides of a thin wafer are processed at the same time and the latter half, particularly, the final mirror finish is performed. Conventionally, when polishing only one surface as described above, wax is applied to the surface of the work not to be polished and adhered to the surface of the sticking plate made of hard (high rigidity / high density) ceramics. The gripping method has been used as the most effective means for ensuring the flatness described above. In other words, the work surface held by the extremely thin wax adhesive layer on the highly accurate flat surface of the attachment plate made of hard (high rigidity / high density) ceramics is copied by polishing. Have been. That is, the work has been performed with the back surface of the work as the reference plane.

【0004】このようなワックスを用いた接着法による
ワーク把持の手段を用いた場合、ポリッシング加工完了
後にワークを貼付プレートから剥離させた後、ワーク裏
面及び貼付プレート表面に残留する接着剤残留物を洗
浄、除去するための膨大な設備が必要であるとともに、
これら残留物あるいは洗浄物がダストになりワーク自体
および周辺環境を汚染することから、将来要求されるワ
ークの高度の清浄度を達成することが非常に困難になっ
て来た。
[0004] In the case of using such a means for gripping a work by a bonding method using wax, after the polishing work is completed, the work is peeled off from the adhering plate, and then the adhesive residue remaining on the back surface of the work and the surface of the adhering plate is removed. Huge equipment is needed for cleaning and removal,
Since these residues or cleaning substances become dust and contaminate the work itself and the surrounding environment, it has become extremely difficult to achieve a high degree of cleanliness of the work required in the future.

【0005】上述の問題点を解決するために、バッキン
グパッドの軟質発泡体の層に含水させ、その上にワーク
を載置させた後、一定の応力をかけてワークを加圧する
ことにより、水の表面張力と発泡体の層から水が押し出
される際に発生する負圧を利用してワークを吸着させる
という所謂ワックスレスマウント法が多く提案されてい
るが(例えば、特開平7−58066号公報)、いずれ
の方法においても期待通りの加工精度を達成すること能
わず、更にはバッキングパッドを貼付プレートに貼付け
る際に空気を巻き込み気泡を発生したり皺が発生したり
するなどの問題を惹起し、その表面精度を著しく阻害し
て、直接的にワークにその好ましからざる表面形状が転
写され、ワークの表面精度を低下せしめる要因となって
いた。また、軟質発泡体層に含まれた過剰な水の逃げ道
がないため、軟質発泡体とワークの間に水の集結が起こ
り、これも加工精度に悪影響を与えるなど、その取り扱
いが難しい方法であった。
[0005] In order to solve the above-mentioned problems, the soft foam layer of the backing pad is impregnated with water, and the work is placed on the soft foam layer. A so-called waxless mounting method has been proposed in which a work is adsorbed by utilizing the surface tension of the foam and the negative pressure generated when water is extruded from the foam layer (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-58066). ), Any of the methods cannot achieve the expected processing accuracy, and furthermore, when the backing pad is attached to the attaching plate, there is a problem that air is involved and bubbles are generated and wrinkles are generated. This causes the surface accuracy to be significantly impaired, and the undesired surface shape is directly transferred to the work, which is a factor that lowers the surface accuracy of the work. In addition, since there is no way for excess water contained in the soft foam layer to escape, water is collected between the soft foam and the work, which also adversely affects the processing accuracy, and is a difficult method to handle. Was.

【0006】図1は一般的なワックスレスポリッシング
加工機の例を示す図面である。円環状の金属製定盤1の
表面にはポリッシングパッド2が貼付されてなり、中央
には回転軸3を有する。定盤の上部には回転可能な4台
のプレッシャープレート5が均等に配置され(図面では
1台のみ示す)、定盤のパッド面2に相対するように配
置される。該プレッシャープレートには、シリコンウェ
ーハ等のワーク4をバッキングパッド12の吸着力にて
吸着した貼付プレート11が装着され、定盤上のポリッ
シングパッド2にプレッシャープレート5を介して圧接
される。プレッシャープレート5は回転軸17を中心に
回転する構造を有し、加工に係る荷重の加圧の方法は例
えばエア圧を利用した加圧シリンダー方式、プレッシャ
ープレートに錘を乗せる方式あるいはプレッシャープレ
ートの自重を利用する方式で一定の荷重になるように調
節する。ポリッシング加工に要する加工液はノズル6か
らポリッシングパッド上に供給される。ポリッシング加
工に際しては定盤1は回転軸3を中心に回転し、その上
にワーク4が貼付プレート11に吸着された状態でポリ
ッシングパッドに圧接される。プレッシャープレート5
は定盤1の回転に従動して回転するが、自身が回転する
タイプであってもよい。加工液はポリッシングパッド2
上に供給され、ワーク4との間隙に入り込み、回転力と
加工圧と加工液の作用によりポリッシングが進行する。
FIG. 1 is a view showing an example of a general waxless polishing machine. A polishing pad 2 is attached to the surface of an annular metal platen 1, and has a rotating shaft 3 in the center. Four rotatable pressure plates 5 are evenly arranged on the upper part of the surface plate (only one is shown in the drawing), and are arranged so as to face the pad surface 2 of the surface plate. The pressure plate is provided with a sticking plate 11 on which a work 4 such as a silicon wafer is sucked by the suction force of a backing pad 12, and is pressed against the polishing pad 2 on the surface plate via a pressure plate 5. The pressure plate 5 has a structure that rotates around the rotation shaft 17, and a method of applying a load related to processing is, for example, a pressure cylinder method using air pressure, a method of putting a weight on the pressure plate, or a weight of the pressure plate. It is adjusted so as to have a constant load by using a method. The working fluid required for the polishing process is supplied from the nozzle 6 onto the polishing pad. During polishing, the surface plate 1 rotates about the rotating shaft 3, and the work 4 is pressed against the polishing pad with the work 4 being adsorbed on the attaching plate 11. Pressure plate 5
Rotates following the rotation of the surface plate 1, but may be of a type that rotates itself. Working fluid is polishing pad 2
It is supplied to the upper side and enters the gap between the workpiece 4 and the polishing proceeds by the action of the rotating force, the processing pressure and the processing liquid.

【0007】図3に軟質発泡体層に軟質フィルムを用い
たバッキングパッドによる一般的なワックスレス保持法
の概要を示す。軟質発泡フィルム13の層は粘着テープ
14等の層を介して貼付プレート11に貼付されウェー
ハ等ワーク4の位置を決めるため及び飛び出し防止用と
してカラー16が軟質発泡フィルムの層13の上に接着
されている。バッキングパッド用の軟質発泡フィルムと
しては、ナップ層あるいはマイクロポア層を有するバッ
キングパッドが用いられているのであるが、加工の際の
研磨荷重による圧縮弾性率や粘弾性変化が起こり、バッ
キングパッドの形状変化が加工精度に影響を与え、従来
のワックス法よりも加工精度が劣る点が問題点として指
摘されている。この問題点に対応して、ナップ層などの
軟質発泡層や粘着剤の厚味を極限まで薄くすることが行
われている。ところが、薄膜化したバッキングプパッド
材はそれ自体の剛性が低く、貼付プレートに貼り付ける
際に皺が寄ったり、気泡を巻き込んだために、剥がして
再度接着し直そうとすると伸びて塑性変形してしまうこ
とが多く、貼付け作業における難度が極めて高くなると
いう新たな問題点が出てきている。
FIG. 3 shows an outline of a general waxless holding method using a backing pad using a soft film for a soft foam layer. The layer of the flexible foam film 13 is adhered to the attaching plate 11 via a layer of an adhesive tape 14 or the like, and a collar 16 is adhered on the flexible foam film layer 13 to determine the position of the work 4 such as a wafer and to prevent popping out. ing. As the soft foam film for the backing pad, a backing pad having a nap layer or a micropore layer is used, but the compression elastic modulus and viscoelasticity change due to the polishing load during processing occurs, and the backing pad shape It has been pointed out that the change affects the processing accuracy and is inferior to the conventional wax method in processing accuracy. In response to this problem, the thickness of a soft foam layer such as a nap layer and the thickness of an adhesive have been reduced to the utmost. However, the thinned backing pad material has low rigidity itself, and when it is attached to the attachment plate, it becomes wrinkled or contains air bubbles, and it expands and plastically deforms when it is peeled off and reattached. In many cases, there is a new problem that the difficulty in the pasting operation becomes extremely high.

【0008】このような構造体の場合のウェーハ貼付け
の機構は、軟質発泡フィルムに適量の水を含ませ均質に
分散させた後、非加工面を吸着面としてウェーハを載置
し、上から均一な押し付け力により軟質発泡層(ナップ
層あるいはマイクロポア層)の水を押し出す際に発生す
る負圧によりウェーハを吸着させる。抑え付けにより押
し出された水は、一部分はカラーとウェーハの隙間から
系外に排出されるが、大部分はウェーハとナップ層ある
いはマイクロポア層との間に集中し、ウェーハ中央部が
凸状に突き出し、ポリッシング後は中凹状に加工される
という問題も発生する。また、同様にウェーハ外周分に
押し出された水はカラーの縁によって逃げ場を失い局部
的に溜り、ウェーハを押し上げた上、応力集中を受けて
研磨されるため外周部のダレを発生させる原因になる。
In the case of such a structure, the mechanism for attaching the wafer is as follows. After a soft foamed film contains an appropriate amount of water and is uniformly dispersed, the wafer is placed with the non-processed surface as an adsorption surface, and the wafer is uniformly placed from above. The wafer is adsorbed by the negative pressure generated when the water of the soft foam layer (nap layer or micropore layer) is extruded by a small pressing force. Part of the water pushed out by the pressing is discharged out of the system from the gap between the collar and the wafer, but most of it is concentrated between the wafer and the nap layer or micropore layer, and the center of the wafer becomes convex. There is also a problem that the protrusion is formed into a concave shape after polishing and polishing. Similarly, the water extruded to the outer periphery of the wafer loses a relief area due to the edge of the collar and locally accumulates, pushes up the wafer, and is subjected to stress concentration and polished, thereby causing sagging of the outer periphery. .

【0009】また、ワックス接着法の問題点の他の対策
として、例えばウェーハを接着固定する貼付プレートと
して多数の小孔を有する硬質セラミックスを用い、プレ
ッシャープレート背面より減圧吸引を行ないその吸着力
を利用してウェーハを把持する方法がある。この方法の
場合、真空による吸引力を応用してウェーハを貼付けブ
ロックの面に吸着把持させるのであるから、その吸引力
によりウェーハが僅かに変形しホルダーの小孔の凹凸形
状がポリッシング後のウェーハに残留して好ましくな
く、また、プレッシャープレートに真空引き用のライン
を設けることが必要となり、設備が複雑大型化して好ま
しくない。
As another measure against the problem of the wax bonding method, for example, a hard ceramic having a large number of small holes is used as a sticking plate for bonding and fixing a wafer, and suction pressure is applied from the back surface of a pressure plate to utilize the suction power. There is a method of gripping the wafer. In the case of this method, the wafer is sucked and gripped on the surface of the bonding block by applying the suction force by vacuum, so the wafer is slightly deformed by the suction force, and the uneven shape of the small hole of the holder is changed to the wafer after polishing. It is not preferable because it remains, and it is necessary to provide a line for evacuation in the pressure plate, which is not preferable because the equipment becomes complicated and large.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、上述の
軟質発泡体のバッキングパッドを用いた一般的なワック
スレス保持法の持つ問題点に鑑み、鋭意研究を行ない本
発明を完成するに至ったものであり、その目的とする所
は、ポリッシング加工機によるポリッシング加工時に、
水の偏在を防止しウェーハの形状に影響を与えることの
ないワックスレス保持装置を有する貼付プレートを提供
するにあり、更に本発明の他の目的はその貼付プレート
を製造する方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems of the general waxless holding method using a soft foam backing pad, the present inventors have made intensive studies to complete the present invention. The purpose of that is when polishing with a polishing machine,
It is an object of the present invention to provide an adhesive plate having a waxless holding device that prevents uneven distribution of water and does not affect the shape of a wafer. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing the adhesive plate. is there.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上述の目的は、回転自在
なポリッシング用定盤と、プレッシャープレートとを具
備するポリッシング加工機において、前記ポリッシング
用定盤の面に対して被加工体の面を平行状態で把持し圧
接する貼付プレートが、高剛性で高密度のセラミックス
プレートと、一枚またはそれ以上の通気、通水性を有す
る多孔質セラミックスプレートと、軟質発泡体の層とカ
ラーからなるバッキングパッドとから構成されたことを
特徴とする貼付プレートにて達成される。また、本発明
の他の目的は、高剛性で高密度のセラミックスプレート
と多孔質セラミックスプレートとを合成樹脂系熱硬化性
接着剤あるいは酸化珪素系のバインダーで接着し、然る
後前記多孔質セラミックスプレートの面に軟質発泡体の
層とカラーとからなるバッキングパッドを貼付すること
を特徴とする貼付プレートの製法にて達成される。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a polishing machine having a rotatable polishing surface plate and a pressure plate, wherein a surface of a workpiece is formed with respect to the surface of the polishing surface plate. The backing pad consists of a high-rigidity, high-density ceramic plate, one or more porous and air-permeable ceramic plates, and a layer of soft foam and a collar. This is achieved by a sticking plate characterized by comprising: Another object of the present invention is to bond a high-rigidity, high-density ceramic plate and a porous ceramics plate with a synthetic resin-based thermosetting adhesive or a silicon oxide-based binder, and then the porous ceramics plate. This is achieved by a method of manufacturing a sticking plate, wherein a backing pad made of a layer of a soft foam and a collar is stuck to the surface of the plate.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明でいうポリッシング加工機
とは、シリコンウェーハ、化合物半導体ウェーハ等半導
体の原材料となるもの、アルミディスク基板やガラスデ
ィスク基板等コンピュータ外部記憶装置の担体、ガラス
ウェーハ、水晶ウェーハ等LCD用に使用されるもの
等、薄板状の物品の加工を行なう装置のうち、特に最終
の鏡面仕上げを行なう装置を言い、ワークの片面を鏡面
に仕上げてゆくタイプのものを指す。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A polishing machine referred to in the present invention is a semiconductor material such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, a carrier of a computer external storage device such as an aluminum disk substrate or a glass disk substrate, a glass wafer, a quartz crystal. Among devices for processing thin plate-like articles such as those used for LCDs such as wafers, it refers to a device for performing a final mirror finish, and refers to a device for finishing one side of a work to a mirror surface.

【0013】図2は本発明になる貼付プレートの一実施
例を備えたプレッシャープレートを具体的に示した図面
である。プレッシャープレート5は回転軸17により各
々回転自在な構造を有しており、プレッシャープレート
に把持された高剛性で高密度なセラミックスからなる貼
付プレート11のワーク4に対向する面には通気、通水
性を有する軟質発泡体13の層が粘着テープ14の層を
介して多孔質セラミックスプレート15に貼付されてい
る。多孔質セラミックスプレート15は貼付プレート1
1の面に固定されており、その固定手段については特に
限定を受けるものではないが、その接着強度および微量
成分の溶出を抑える目的から、特に合成樹脂系熱硬化性
接着剤あるいは酸化珪素系バインダー等で接着すること
が好ましい。更に軟質発泡体13の層の表面にはワーク
の保持と飛び出し防止用としてカラー16が取り付けら
れており、多孔質セラミックスプレートに接着するため
の粘着テープの層と前述の軟質発泡体とカラーとでバッ
キングパッド12を構成する。図3は従来の一般的なワ
ックスレス保持法によるプレッシャープレートの構造を
示す図面であり、軟質発泡体12の層が粘着テープ13
の層を介して直接貼付プレート11に貼付けられてい
る。
FIG. 2 is a drawing specifically showing a pressure plate provided with an embodiment of the sticking plate according to the present invention. The pressure plate 5 has a structure rotatable by a rotating shaft 17. The surface of the sticking plate 11 made of high-rigidity and high-density ceramics, which is gripped by the pressure plate, faces the work 4, and has ventilation and water permeability. Is adhered to the porous ceramic plate 15 via the layer of the adhesive tape 14. The porous ceramic plate 15 is the attachment plate 1
The fixing means is not particularly limited, but is preferably a synthetic resin-based thermosetting adhesive or a silicon oxide-based binder for the purpose of suppressing the adhesive strength and elution of trace components. It is preferable to bond them by using the method described above. Further, a collar 16 is attached to the surface of the layer of the flexible foam 13 for holding and preventing the work from jumping out. The layer of the adhesive tape for bonding to the porous ceramic plate and the above-described flexible foam and the collar are used. The backing pad 12 is configured. FIG. 3 is a view showing a structure of a pressure plate according to a conventional general waxless holding method.
Is directly stuck on the sticking plate 11 via the above layer.

【0014】一つの貼付プレートに貼り付けるワークの
枚数は図2の実施例に示すように1枚のものもあるが、
ワークのサイズによっては複数枚を収納するものであっ
てもよい。この場合、ワークのサイズと同等あるいはや
や大き目の多孔質セラミックスプレートを準備し、高剛
性・高密度セラミックスプレートに穿孔した孔に嵌め込
むようにして貼りつけその上に軟質発泡体とをカラーを
接着して用いてもよいし、また高剛性・高密度セラミッ
クスプレートよりわずかに小さい直径の多孔質セラミッ
クスプレートを高剛性・高密度セラミックスプレートの
表面に貼付し、更にその上に同サイズかまたは小さめの
バッキングパッドを貼付けて、ワークのサイズと枚数に
合わせた形状のカラーをその上に取り付けるようにして
もよい。
As shown in the embodiment of FIG. 2, there is a single work as shown in FIG.
Depending on the size of the work, a plurality of pieces may be stored. In this case, prepare a porous ceramic plate that is the same size or a little larger than the size of the work, attach it to the high-rigidity, high-density ceramic plate so that it fits into the perforated hole, and glue the soft foam with the collar. It may be used, or a porous ceramic plate with a diameter slightly smaller than that of the high-rigidity / high-density ceramic plate is attached to the surface of the high-rigidity / high-density ceramic plate, and a backing pad of the same size or smaller is further placed thereon. May be attached, and a collar having a shape corresponding to the size and the number of the workpieces may be attached thereon.

【0015】通水、通気性を有する軟質発泡体13(ナ
ップ層あるいはマイクロポア層)とその内層の接着剤ま
たは粘着材14と軟質発泡体13の表面に接着されるカ
ラーとの構造体からなるバッキングパッドにおいて、軟
質発泡体13に水を含有させた状態でワーク4をおいて
荷重をかけることによりワーク4は軟質発泡体13の吸
着面にしっかりと吸着し容易なことでは剥離しない。こ
れは軟質発泡層の中の水が外部応力によって押し出され
た際に発生する負圧と薄い水の表面張力によるものであ
り、両者の平面度が優れているほどその力は強いが、こ
の吸着力は横方向(貼付プレートと平行な面)の応力に
対しては有効ではなく、僅かな力で横にズレてしまう。
このズレ現象やひどい時には飛び出してしまう現象を防
止するために、カラー16が取り付けられている。ワー
ク4を吸着することにより、軟質発泡体13の層に過剰
に含有されていた水は、ワークとカラーの間の僅かな隙
間から排出されるとともに、軟質発泡体の上層に配置さ
れた多孔質セラミックスプレート15の持つ気孔部分に
入り込むか、さらに貼付プレート外へ排出される。よっ
て、過剰な水がワーク中央部を凸状に突き出したり、ワ
ークの外周部に集中的に溜まり、加工精度、加工形状お
よび外周ダレに悪影響を与えたりするという従来の装置
が持つ好ましからざる現象を未然に防止することができ
る。即ち、過剰に含まれた水に対する緩衝材としての効
果を有するものである。前述の如く、軟質発泡体層の平
面度は優れているほど良好な効果があるため、多孔質セ
ラミックスプレートに軟質発泡体層を貼り付けた後、そ
の表面を研削して基準表面を形成させ、然る後カラーを
接着してもよい。
A flexible foam 13 (a nap layer or a micropore layer) having water permeability and air permeability, an adhesive or adhesive material 14 in its inner layer, and a collar bonded to the surface of the flexible foam 13 are provided. In the backing pad, by applying a load while placing the work 4 in a state where the soft foam 13 contains water, the work 4 is firmly adsorbed on the suction surface of the soft foam 13 and does not easily peel off. This is due to the negative pressure generated when water in the soft foam layer is extruded due to external stress and the surface tension of the thin water. The force is not effective against the stress in the lateral direction (the plane parallel to the attaching plate), and the lateral force is shifted by a small force.
A collar 16 is attached in order to prevent the displacement phenomenon and the phenomenon of jumping out in a severe case. By adsorbing the work 4, the water excessively contained in the layer of the soft foam 13 is discharged from a slight gap between the work and the collar, and the porous material disposed in the upper layer of the soft foam is removed. It enters the pores of the ceramic plate 15 or is discharged further out of the sticking plate. Therefore, the undesirable phenomenon of the conventional apparatus that excessive water protrudes from the center of the work in a convex shape or collects intensively on the outer periphery of the work and adversely affects the processing accuracy, the processed shape, and the outer peripheral sag. It can be prevented beforehand. In other words, it has an effect as a buffer against excessively contained water. As described above, since the flatness of the soft foam layer is better as the flatness is better, the soft foam layer is attached to the porous ceramic plate, and then the surface is ground to form a reference surface, Thereafter, the collar may be bonded.

【0016】更に上述の過剰の水を抜く効果を高めるた
めに図4に示すように貼付けプレート11に縦に貫通す
る複数の小孔18を設けることも有効である。この場
合、更に水抜き効果を上げるためにこの小孔を介して、
プレッシャープレート背面より減圧吸引を行うことも可
能である。図面に示す通り、この場合には、多孔質セラ
ミックスプレート15の外周寸法を、バッキングパッド
12の外周寸法と同等かあるいはそれより小さくなるよ
うに設定する。このようにすることにより漏洩を防止し
上述の吸引効果を高くすることができる。
It is also effective to provide a plurality of small holes 18 vertically penetrating the sticking plate 11 as shown in FIG. 4 in order to enhance the effect of draining excess water. In this case, through this small hole to further increase the drainage effect,
It is also possible to perform vacuum suction from the back of the pressure plate. As shown in the drawing, in this case, the outer peripheral dimension of the porous ceramic plate 15 is set to be equal to or smaller than the outer peripheral dimension of the backing pad 12. By doing so, leakage can be prevented and the above-mentioned suction effect can be enhanced.

【0017】本発明になるポリッシング加工機のプレッ
シャープレートに把持される貼付プレートは、ワークの
面を均等に圧接し円滑な回転を行ない、かつ加工液に含
まれる薬剤にも耐えるものであり、温度による寸法変化
が少なく、また耐磨耗性にも優れたものであることが求
められる。本発明においては、貼付プレート11として
は高剛性で高密度のセラミックス素材を選定することが
好ましく、就中、高剛性で破損しにくく化学的にも強い
セラミックス、具体的には耐酸耐アルカリ性のアルミナ
質、炭化硼素質、ジルコニア質、窒化硼素質、窒化アル
ミニウム質等の高密度セラミックス素材やパイレックス
ガラス素材を選定することが好ましい。また、ここで用
いる多孔質セラミックスプレート15は上述の如く、水
を吸収保持ししかも容易に移行し速やかに分散平均化さ
せるという作用が必要なのであるから、微細連続気孔構
造のものであることが好ましい。また、硬脆材料である
ウェーハ等のワークを寸法精度よく仕上るためのもので
あるから、それ自体が外力によって変形するものであっ
てはならず、前述の貼付プレートに要求されるのと同様
な性能が要求されるのである。従って、多孔質セラミッ
クスプレート用素材としても、高剛性で破損しにくく化
学的にも強いセラミックス、具体的にはアルミナ質、炭
化硼素質、ジルコニア質、窒化硼素質、窒化アルミニウ
ム質などの高密度セラミックス素材やパイレックスガラ
ス質または石英ガラス質の素材あるいは前述の素材をビ
ーズ状として成型した後、気孔のあるプレートに形成し
た素材を選定することが好ましい。
The sticking plate gripped by the pressure plate of the polishing machine according to the present invention uniformly presses the surface of the work, rotates smoothly, and withstands the chemical contained in the working fluid. It is required that the dimensional change is small and that the abrasion resistance is excellent. In the present invention, it is preferable to select a high-rigidity, high-density ceramic material for the attachment plate 11, particularly, a high-rigidity, hard-to-break and chemically-resistant ceramic, specifically, an acid- and alkali-resistant alumina. It is preferable to select a high-density ceramics material such as porcelain, boron carbide, zirconia, boron nitride, and aluminum nitride, or a Pyrex glass material. Further, as described above, the porous ceramic plate 15 used here is required to have a function of absorbing and retaining water and easily transferring and quickly dispersing and averaging, so that it has a fine continuous pore structure. . Further, since it is for finishing a work such as a wafer, which is a hard and brittle material, with high dimensional accuracy, the work itself must not be deformed by an external force, and is the same as that required for the above-mentioned attachment plate. Performance is required. Therefore, as a material for a porous ceramic plate, high-rigidity ceramics such as alumina, boron carbide, zirconia, boron nitride, aluminum nitride, etc., which are highly rigid, hard to break, and chemically strong, are also used as materials for porous ceramic plates. It is preferable to select a raw material, a Pyrex glass material or a quartz glass material, or a material formed on a plate having pores after molding the above-mentioned material into a bead shape.

【0018】通気、通水性を有する軟質発泡体13の層
は多孔質セラミックスプレート15に貼付されており、
その貼付の手段については特に限定を受けるものではな
く接着剤を用いる方法、粘着テープを用いる方法等を適
宜用いることができる。しかしながら、多孔質セラミッ
クスの層が軟質発泡体に含有される水を吸収するという
作用を妨げるような密閉性の高いものであってはなら
ず、多孔性のフィルムを基材としたものを用いることが
好ましい。また、密閉性の高いものである場合には、そ
の面に多数の小孔を穿孔して用いてもよい。
A layer of the flexible foam 13 having ventilation and water permeability is attached to a porous ceramic plate 15,
The means for sticking is not particularly limited, and a method using an adhesive, a method using an adhesive tape, or the like can be appropriately used. However, the porous ceramic layer must not have a high hermeticity that hinders the action of absorbing water contained in the soft foam, and should be based on a porous film. Is preferred. In the case where the airtightness is high, a large number of small holes may be formed in the surface.

【0019】[0019]

【実施例】以下実施例をあげて本発明を具体的に説明す
るが、それにより特に限定を受けるものではない。ま
た、以下の実施例、比較例においては200mmサイズ
のエッチング後のシリコンウェーハをワークとしてポリ
ッシング加工を行なうもので一つの貼付プレートには5
枚のワークが貼付されているものであり、また、具体的
な諸条件は以下に示す通りである。 <加工条件> ・ポリッシング加工機:ポリッシング装置59SPAW
−II型(スピードファムジャパン社製) 定盤直径:1504mm 加工圧力:25kPa以下 定盤回転数:40rpm 加工液流量:Nalco2371−10倍純水希釈 加工液流量:10〜20L/minの循環使用 加工液温度:20〜23℃
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, which should not be construed as limiting the invention thereto. In the following Examples and Comparative Examples, polishing is performed using a 200 mm-sized etched silicon wafer as a work.
Sheets of work are attached, and specific conditions are as follows. <Processing conditions>-Polishing machine: Polishing device 59SPAW
-II type (manufactured by Speed Fam Japan) Surface plate diameter: 1504 mm Processing pressure: 25 kPa or less Surface plate rotation speed: 40 rpm Processing fluid flow rate: Nalco 2371-10 times pure water dilution Processing fluid flow rate: 10 to 20 L / min circulation processing Liquid temperature: 20-23 ° C

【0020】また使用した貼付プレート及びその他の主
要部分の構成は以下の通りである。 <貼付プレート構成> ・高剛性・高密度セラミックス:アルミナA479(京
セラ社製) A479サイズ:φ586×厚さ22mm ・多孔質セラミックス:ポーラスアルミナ試作品(気孔
率:40%) サイズ:φ580×厚さ10mm 高剛性・高密度アルミナプレートの中にガラス質バイン
ダーで嵌合した後、平面研磨を行なったもの。 ・バッキングパッド:R305試作品(ロデール・ニッ
タ社製) 軟質発泡体厚さ:80μm 粘着材厚さ:20μm カラー厚さ:550μm 〈ポリッシングパッド〉 ・SUBA400(ロデール、ニッタ社製)
The configuration of the pasting plate and other main parts used is as follows. <Attachment plate configuration>-High rigidity and high density ceramics: Alumina A479 (manufactured by Kyocera Corporation) A479 size: φ586 x 22 mm-Porous ceramics: Porous alumina prototype (porosity: 40%) Size: φ580 x thickness 10mm Surface-polished after fitting into a high-rigidity, high-density alumina plate with a vitreous binder.・ Backing pad: R305 prototype (Rodel Nitta) Soft foam thickness: 80 μm Adhesive thickness: 20 μm Color thickness: 550 μm <Polishing pad> SUBA400 (Rodel Nitta)

【0021】実施例、比較例 前述の本発明になる構成の貼付プレートを実施例として
用い、また従来の構成のものを比較例として用い、前述
の加工条件にて、200mmサイズのエッチング後のシ
リコンウェーハをワークとしてポリッシング加工を行な
った。サンプル5枚をとり、ポリッシング加工前後のT
TV値の測定を行なった。測定結果を表1に示す。
Examples and Comparative Examples Using the pasting plate having the above-described structure according to the present invention as an example, and using a conventional structure as a comparative example, a 200 mm-sized etched silicon under the above-described processing conditions was used. Polishing was performed using the wafer as a work. Take 5 samples, T before and after polishing
The TV value was measured. Table 1 shows the measurement results.

【0022】[0022]

【表1】 [Table 1]

【0023】表1の結果から明らかな通り、本発明にな
る貼付プレートを用いた実施例においてはポリッシング
加工を行なったワークのTTV値は1μm以下の良好な
値を示しており、またその数値のバラツキも極めて少な
く、従来のワックスレス方式の貼付プレートを備えたポ
リッシング加工機の問題点を十分に解決している。ま
た、ワークの着脱や取り扱いの容易さについては、従来
のワックスレス方式の貼付プレートと全く差がなく良好
であった。
As is clear from the results shown in Table 1, in the embodiment using the sticking plate according to the present invention, the TTV value of the polished work shows a good value of 1 μm or less. The variation is extremely small, and the problem of the polishing machine equipped with the conventional waxless type attaching plate is sufficiently solved. In addition, there was no difference between the attachment and detachment of the work and the easiness of handling, and there was no difference from the conventional waxless type attachment plate.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上の結果から明らかな通り、本発明に
なる装置にてシリコンウェーハの加工を行なえば、ウェ
ーハの着脱が極めて容易でウェーハの汚染もなく、しか
も一枚のウェーハの中での品質のバラツキや形状精度の
不良を抑えたポリッシング加工が精度よくできることは
明らかである。すなわち、従来のワックス法による接着
法がシリコンウェーハの加工工程において最も熟練を要
する手作業であったのを単純化し、自動化を容易ならし
めたものである。また、不十分な方法であったワックス
レス法を完全なものとなし、ポリッシング加工における
効率アップ、歩留まり向上、省力、時間短縮を達成した
ものであり、その業界に及ぼす効果は極めて大である。
As is evident from the above results, if a silicon wafer is processed by the apparatus according to the present invention, it is extremely easy to attach / detach the wafer, there is no contamination of the wafer, and moreover, it is possible to use a single wafer. It is clear that polishing processing can be performed with high precision while suppressing variations in quality and poor shape accuracy. That is, the conventional bonding method using the wax method is a manual operation that requires the most skill in the processing step of a silicon wafer, and is simplified and automation is facilitated. In addition, the waxless method, which was an insufficient method, was completed, and the efficiency of polishing processing was improved, the yield was improved, labor was saved, and time was shortened. The effect on the industry was extremely large.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】一般的なワックスレスポリッシング加工機の要
部側面図である。
FIG. 1 is a side view of a main part of a general waxless polishing machine.

【図2】本発明になるポリッシング加工機のプレッシャ
ープレートの一実施例の要部側面拡大図である。
FIG. 2 is an enlarged side view of a main part of an embodiment of a pressure plate of the polishing machine according to the present invention.

【図3】従来の一般的なワックスレス保持法によるプレ
ッシャープレートの要部側面拡大図である。
FIG. 3 is an enlarged side view of a main part of a pressure plate by a conventional general waxless holding method.

【図4】本発明になるポリッシング加工機のプレッシャ
ープレートの他の実施例の要部側面拡大図である。
FIG. 4 is an enlarged side view of a main part of another embodiment of the pressure plate of the polishing machine according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:金属定盤、 2:ポリッシングパッド、 3:回転
軸、4:ワーク、 5:プレッシャープレート、 6:
ノズル、11:貼付プレート、 12:バッキングパッ
ド、 13:軟質発泡体、14:粘着テープ、 15:
多孔質セラミックスプレート、16:カラー、 17:
回転軸、 18:微細貫通孔
1: Metal surface plate, 2: Polishing pad, 3: Rotation axis, 4: Workpiece, 5: Pressure plate, 6:
Nozzle, 11: sticking plate, 12: backing pad, 13: flexible foam, 14: adhesive tape, 15:
Porous ceramic plate, 16: color, 17:
Rotation axis, 18: fine through hole

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 回転自在なポリッシング用定盤と、プレ
ッシャープレートとを具備するポリッシング加工機にお
いて、前記ポリッシング用定盤の面に対して被加工体の
面を平行状態で把持し圧接する貼付プレートが、高剛性
で高密度のセラミックスプレートと、一枚またはそれ以
上の通気、通水性を有する多孔質セラミックスプレート
と、通気通水性を有する軟質発泡体の層とカラーからな
るバッキングパッドとから構成されたことを特徴とする
貼付プレート。
1. A polishing machine comprising a rotatable polishing surface plate and a pressure plate, wherein an attaching plate grips and presses a surface of a workpiece in parallel with a surface of the polishing surface plate. Is composed of a high-rigidity and high-density ceramic plate, one or more porous ceramic plates having air permeability and water permeability, and a backing pad made of a layer of a soft foam body and a collar having air permeability and water permeability. An attachment plate, characterized in that:
【請求項2】 多孔質セラミックスプレートの外周寸法
が、軟質発泡体の層とカラーからなるバッキングパッド
の外周寸法と同等かあるいはそれより大きくなるように
設置されたことを特徴とする請求項第1項に記載の貼付
プレート。
2. The method according to claim 1, wherein the outer peripheral dimension of the porous ceramic plate is set to be equal to or larger than the outer peripheral dimension of the backing pad composed of the layer of the soft foam and the collar. An attachment plate according to the item.
【請求項3】 多孔質セラミックスプレートの外周寸法
が、軟質発泡体の層とカラーからなるバッキングパッド
の外周寸法と同等かあるいはそれより小さくなるように
設置され、かつ、セラミックスプレートには微細貫通孔
が設けられていることを特徴とする請求項第1項に記載
の貼付プレート。
3. A porous ceramic plate is installed such that its outer peripheral dimension is equal to or smaller than the outer peripheral dimension of a backing pad made of a layer of a soft foam and a collar. The attachment plate according to claim 1, wherein the attachment plate is provided.
【請求項4】 高剛性で高密度のセラミックスプレート
と多孔質セラミックスプレートとを合成樹脂系熱硬化性
接着剤あるいは酸化珪素系バインダーで接着し、然る後
前記多孔質セラミックスプレートの面に軟質発泡体の層
とカラーからなるバッキングパッドを貼付することを特
徴とする請求項第1項ないし第3項に記載の貼付プレー
トの製法。
4. A high-rigidity, high-density ceramic plate and a porous ceramics plate are bonded with a synthetic resin-based thermosetting adhesive or a silicon oxide-based binder, and then a soft foam is formed on the surface of the porous ceramics plate. 4. The method of claim 1, wherein a backing pad comprising a body layer and a collar is attached.
【請求項5】 高剛性で高密度のセラミックスプレート
と多孔質セラミックスプレートとを合成樹脂系熱硬化性
接着剤あるいは酸化珪素系バインダーで接着し、更に前
記多孔質セラミックスプレートの面に軟質発泡体の層を
貼付しその表面を研削して基準表面を形成させた後、そ
の上にカラー材を接着することを特徴とする請求項第1
項ないし第3項に記載の貼付プレートの製法。
5. A high-rigidity, high-density ceramic plate and a porous ceramic plate are bonded to each other with a synthetic resin-based thermosetting adhesive or a silicon oxide-based binder. 2. The method according to claim 1, further comprising: attaching a layer, grinding the surface to form a reference surface, and then bonding a color material thereon.
Item 4. The method for producing a sticking plate according to Item 3.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002071461A1 (en) 2001-03-06 2002-09-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing compound semiconductor wafer
US7078343B2 (en) 2001-03-06 2006-07-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing compound semiconductor wafer
CN114302563A (en) * 2021-12-28 2022-04-08 龙南骏亚柔性智能科技有限公司 Production method applied to grinding of ultrathin circuit board
CN115056045A (en) * 2022-06-30 2022-09-16 成都泰美克晶体技术有限公司 Wafer single-side polishing device and method

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002071461A1 (en) 2001-03-06 2002-09-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing compound semiconductor wafer
JP2002261058A (en) * 2001-03-06 2002-09-13 Sumitomo Electric Ind Ltd Method for manufacturing compound semiconductor wafer
US7078343B2 (en) 2001-03-06 2006-07-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing compound semiconductor wafer
CN100405553C (en) * 2001-03-06 2008-07-23 住友电气工业株式会社 Method of manufacturing compound semiconductor wafer
CN114302563A (en) * 2021-12-28 2022-04-08 龙南骏亚柔性智能科技有限公司 Production method applied to grinding of ultrathin circuit board
CN115056045A (en) * 2022-06-30 2022-09-16 成都泰美克晶体技术有限公司 Wafer single-side polishing device and method
CN115056045B (en) * 2022-06-30 2023-10-20 成都泰美克晶体技术有限公司 Wafer single-sided polishing device and method

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