JPH08181092A - Holding plate for polishing semiconductor wafer - Google Patents
Holding plate for polishing semiconductor waferInfo
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- JPH08181092A JPH08181092A JP32110294A JP32110294A JPH08181092A JP H08181092 A JPH08181092 A JP H08181092A JP 32110294 A JP32110294 A JP 32110294A JP 32110294 A JP32110294 A JP 32110294A JP H08181092 A JPH08181092 A JP H08181092A
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハを研磨す
る際に使用する半導体ウエハを保持するためのプレート
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plate for holding a semiconductor wafer used when polishing the semiconductor wafer.
【0002】[0002]
【従来の技術】研磨する際に半導体ウエハ(以下、単に
「ウエハ」と記す)を保持する方式として、現在下記の
3つの方法が用いられている。2. Description of the Related Art The following three methods are currently used as a method of holding a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as "wafer") during polishing.
【0003】(1) ワックスによる高平面精度のプレート
への貼り付け。(1) Attaching to a plate with high plane accuracy using wax.
【0004】(2) 真空吸着方式による高平面精度のプレ
ートへの貼り付け。(2) Attaching to a plate with high flatness accuracy by a vacuum suction method.
【0005】(3) テンプレート方式(バッキングプレー
ト方式)による保持。(3) Holding by the template method (backing plate method).
【0006】(1) のワックスによる貼り付け方式は、ま
ずウエハの裏面に一様にワックスを塗布し、次にヒータ
ー付基盤上でワックスを溶融しつつ、アルミナ等の高平
面精度のプレートに高圧プレス機を用いてウエハを貼り
付けるものである。In the pasting method using the wax of (1), first, the wax is uniformly applied to the back surface of the wafer, and then the wax is melted on a substrate with a heater, and a high-precision plate such as alumina is applied with high pressure. The wafer is attached using a press machine.
【0007】(2) の真空吸着方式による貼り付け方式を
図8を用いて説明する。図8は真空吸着方式のプレート
とウエハの一部縦断面を表した図である。The sticking method by the vacuum suction method (2) will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a partial vertical cross-sectional view of a vacuum suction plate and a wafer.
【0008】真空吸着方式は高平面精度を有するプレー
ト3の表面に真空に引くための微小な孔または微小な溝
2を設け、真空ポンプ(図示していない)を作動させて
微小な孔または溝2に発生する吸引力を利用してウエハ
1の全面に一様に吸着力をかけ、ウエハ1を高平面精度
のプレート3の表面には貼り付けるものである。プレー
ト3のウエハ1を乗せる側の面に均一に多数の真空引き
用の溝または孔2が設けてある。また、プレート3の表
面は高平面精度に仕上げてある。In the vacuum suction method, minute holes or minute grooves 2 for drawing a vacuum are provided on the surface of a plate 3 having high plane accuracy, and a vacuum pump (not shown) is operated to cause minute holes or grooves. The suction force generated in 2 is used to uniformly apply a suction force to the entire surface of the wafer 1, and the wafer 1 is attached to the surface of the plate 3 having high plane accuracy. A large number of grooves or holes 2 for vacuuming are uniformly provided on the surface of the plate 3 on which the wafer 1 is placed. Further, the surface of the plate 3 is finished with high plane accuracy.
【0009】(3) のテンプレート(型板)方式による保
持方法を図9を用いて説明する。図9はテンプレート方
式のプレートとウエハの一部縦断面を表した図である。The holding method by the template (template) method of (3) will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a view showing a partial vertical cross section of a template plate and a wafer.
【0010】テンプレート方式は、特開平4−206946号
公報に開示されているように高平面精度のプレート3の
表面上にバッキングプレート5(軟質の人工皮革等を有
する不織布)を貼り付け、更にこの上に、ウエハ1の外
形に沿うようにくり抜いた樹脂製のテンプレート4を設
置してウエハ1をはめ込む方法である。In the template method, a backing plate 5 (a non-woven fabric having soft artificial leather or the like) is attached on the surface of a plate 3 having high flatness accuracy as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-206946, and This is a method in which a resin-made template 4 which is hollowed out along the outer shape of the wafer 1 is installed on the upper side and the wafer 1 is fitted therein.
【0011】しかし、これらのウエハを保持する方式に
はそれぞれ次のような問題がある。However, each of the methods for holding these wafers has the following problems.
【0012】(1) のワックスによる貼り付け方式の大き
な欠点は、工程数が多くかつそれぞれの工程は厳重管理
のもとで行わなければならないことである。この方法を
実施するには、ウエハにワックスを塗布する工程、塗布
済のウエハを加熱してプレートに貼り付ける工程、ウエ
ハをプレートから剥がす工程およびワックスを除去する
工程を行わなければならない。[0012] The major drawback of the pasting method using wax of (1) is that the number of steps is large and each step must be performed under strict control. In order to carry out this method, it is necessary to perform a step of applying wax to the wafer, a step of heating the applied wafer to attach it to the plate, a step of peeling the wafer from the plate, and a step of removing the wax.
【0013】ワックスを塗布する工程では、ワックス内
へのパーティクルの混入を防ぐための厳重な管理が必要
であり、研磨後のウエハの平面度の悪化につながるワッ
クスの塗布むらに注意を払わなければならない。プレー
トに貼り付ける工程では、ウエハを加熱しつつ全面に均
一に荷重をかけることが必要である。プレートから剥す
工程は、自動化することが困難なものであり、ウエハに
欠けを生じないように一枚ずつ慎重に手作業で取り外さ
なければならない。ワックスを除去する工程では有機溶
媒を用いた洗浄を過酷な条件下で行うのでウエハの表面
に悪い影響を与えかねない。In the step of applying the wax, strict control is required to prevent the mixing of particles into the wax, and attention must be paid to the unevenness of the wax application which leads to deterioration of the flatness of the wafer after polishing. I won't. In the step of adhering to the plate, it is necessary to apply a uniform load to the entire surface while heating the wafer. The process of stripping from the plate is difficult to automate and must be manually removed one by one carefully to avoid chipping the wafer. In the step of removing the wax, cleaning with an organic solvent is performed under severe conditions, so that the surface of the wafer may be adversely affected.
【0014】(2) の真空吸着による貼り付け方式の欠点
はウエハの表面に欠陥を生じさせることである。それを
図10を用いて説明する。図10は真空吸着方式によるウエ
ハの研磨工程を表した図である。A drawback of the (2) attachment method by vacuum suction is that defects are generated on the surface of the wafer. This will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a diagram showing a wafer polishing process by the vacuum suction method.
【0015】真空に引くことによって発生する吸着力で
ウエハ1を保持しようとすると、ウエハ1の厚みは薄い
ので、真空吸着を行うために設けた真空孔若しくは真空
溝2に沿って局所的なたわみが発生し、研磨後のウエハ
1の表面に真空孔または真空溝の痕跡が残る。When an attempt is made to hold the wafer 1 by the suction force generated by pulling a vacuum, since the thickness of the wafer 1 is thin, the wafer 1 is locally bent along the vacuum hole or the vacuum groove 2 provided for vacuum suction. Occurs, and traces of vacuum holes or vacuum grooves remain on the surface of the wafer 1 after polishing.
【0016】また、高平面精度を有する真空吸着台は、
その表面の硬度が高くなければならず、そうするとウエ
ハ1と真空吸着台との間に異物が混入した場合にウエハ
1の表面にディンプル(凹み)を発生させてしまう。Further, the vacuum suction table having high plane accuracy is
The hardness of the surface must be high, and if foreign matter enters between the wafer 1 and the vacuum suction table, dimples (dents) will be generated on the surface of the wafer 1.
【0017】(3) の テンプレートおよびバッキングプ
レートによる保持方式の欠点は、ウエハの平面度を悪化
させることである。それを図11を用いて説明する。図11
はテンプレートによる保持方式のプレート等とウエハの
一部縦断面を表した図である。A drawback of the holding method using the template and backing plate of (3) is that the flatness of the wafer is deteriorated. This will be described with reference to FIG. Figure 11
FIG. 4 is a diagram showing a partial vertical cross section of a wafer and a plate of a holding system by a template.
【0018】この方式はバッキングプレート5とウエハ
1との間に異物7が混入した場合には弾性材であるバッ
キングプレート5が局所的に変形することでディンプル
の発生を防止している。しかし、ウエハ1とバッキング
プレート5は単にその相互間の摩擦力によってのみ保持
されているので、研磨時に、ウエハ1にかかる研磨圧力
のむらが発生するとウエハ1とバッキングプレート5の
間に隙間が生じ、そこへ気泡6が溜まってしまう場合が
ある。バッキングプレート5は通気性がないために一度
溜まってしまった気泡6は逃げ場がなく、その結果ウエ
ハ1には局所的ではない大きなたわみが生じてしまい、
ウエハ1の平面度は悪化する。In this system, when foreign matter 7 is mixed between the backing plate 5 and the wafer 1, the backing plate 5 which is an elastic material is locally deformed to prevent the occurrence of dimples. However, since the wafer 1 and the backing plate 5 are held only by the frictional force between them, unevenness in the polishing pressure applied to the wafer 1 during polishing causes a gap between the wafer 1 and the backing plate 5, Bubbles 6 may accumulate there. Since the backing plate 5 has no air permeability, the air bubbles 6 that have once accumulated do not have a place to escape, and as a result, a large non-local bending is generated on the wafer 1,
The flatness of the wafer 1 deteriorates.
【0019】[0019]
【発明が解決しようとする課題】上述したようにウエハ
を研磨する際に用いる従来の方式はそれぞれ欠点を有し
ており満足できるものではなかった。As described above, each of the conventional methods used for polishing a wafer has drawbacks and is not satisfactory.
【0020】本発明が解決しようとする課題は、従来の
方式に対し、工程数の削減、工程管理の簡便化、ウエハ
の表面に生じるディンプルの低減、ウエハのたわみの低
減および平面度の向上を図ることができる新たなウエハ
研磨用保持プレートを提供することである。The problem to be solved by the present invention is to reduce the number of steps, simplify the step control, reduce the dimples generated on the surface of the wafer, reduce the deflection of the wafer and improve the flatness, as compared with the conventional method. (EN) Provided is a new wafer polishing holding plate which can be manufactured.
【0021】[0021]
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は「通気可
能なセラミックスプレートの表面の半導体ウエハを保持
する位置に、通気性と弾性を有するシートを備えた半導
体ウエハ研磨用保持プレート」にある。SUMMARY OF THE INVENTION The gist of the present invention is "a semiconductor wafer polishing holding plate having a breathable and elastic sheet at a position for holding a semiconductor wafer on the surface of a breathable ceramic plate". .
【0022】[0022]
【作用】図1は本発明のウエハ研磨用保持プレートの1
例の縦断面を表した図である。FIG. 1 shows a wafer polishing holding plate 1 according to the present invention.
It is a figure showing the longitudinal section of an example.
【0023】図1の(a) は通気可能なセラミックスプレ
ート3に繊維状もしくは多孔質であって通気性と弾性を
有するシート10を通気性を保ったままで接着剤9によっ
て貼り付けたものである。図1の(b) は繊維状もしくは
多孔質であって通気性と弾性を有するシート10を通気可
能なセラミックスプレート3上に治具12により一定張力
をかけて張り上げて固定しているものである。符号8は
真空ポンプ(図示していない)からの配管または孔であ
って、シート10に繋がっているものである。符号11はシ
ート10の通気を遮断してある部分である。FIG. 1 (a) shows a sheet 10 which is fibrous or porous and has air permeability and elasticity is attached to an air permeable ceramic plate 3 with an adhesive 9 while keeping air permeability. . FIG. 1 (b) shows that a fibrous or porous sheet 10 having air permeability and elasticity is fixed on a breathable ceramic plate 3 by a jig 12 while applying a constant tension. . Reference numeral 8 is a pipe or a hole from a vacuum pump (not shown), which is connected to the seat 10. Reference numeral 11 is a portion of the seat 10 where ventilation is blocked.
【0024】本発明のウエハ研磨用保持プレートはウエ
ハを研磨する際に外部の真空ポンプを作動させて発生す
る吸引力を利用してシート10の上に乗せたウエハ1を保
持するものである。The wafer polishing holding plate of the present invention holds the wafer 1 placed on the sheet 10 by utilizing the suction force generated by operating an external vacuum pump when polishing the wafer.
【0025】以下、本発明の半導体ウエハ研磨用保持プ
レートを詳細に説明する。The holding plate for polishing a semiconductor wafer according to the present invention will be described in detail below.
【0026】セラミックスプレート3の素材は熱膨張係
数が小さくかつ剛性率が高いものを用いる必要がある。
この例としてはアルミナ、石英、低熱膨張ガラスなどの
セラミックスがある。As the material of the ceramic plate 3, it is necessary to use a material having a small coefficient of thermal expansion and a high rigidity.
Examples of this include ceramics such as alumina, quartz, and low thermal expansion glass.
【0027】図2の(1) 、(2) および(3) は本発明のウ
エハ研磨用保持プレートの拡大断面図を表したものであ
る。セラミックスプレート3の表面付近には真空ポンプ
に通じる配管8(図2には示していない)に接続されて
いて真空に引くための微小な孔15(図2の(1) 参照)や
同心円状の溝2(図2の(2) 参照)が多数設けられてい
る。図2の(3) に示すようにセラミックスプレート3の
素材が通気性のある多孔質状(ポーラス状)のものであ
れば、孔や溝を設ける必要がないだけでなく、多数の細
かい通気孔が得られてウエハに対する影響が小さいので
好ましい。2 (1), (2) and (3) are enlarged sectional views of the wafer polishing holding plate of the present invention. Near the surface of the ceramic plate 3 is a microscopic hole 15 (see (1) in FIG. 2) or a concentric circle that is connected to a pipe 8 (not shown in FIG. 2) leading to a vacuum pump to draw a vacuum. A large number of grooves 2 (see (2) in FIG. 2) are provided. As shown in (3) of FIG. 2, if the material of the ceramic plate 3 is a porous (porous) material with air permeability, it is not necessary to provide holes or grooves, and a large number of fine air holes are provided. Is obtained and the influence on the wafer is small, which is preferable.
【0028】シート10を備える側の平面精度は研磨後の
ウエハの平面精度に影響を及ぼすのでなるべく高い方が
望ましい。The plane accuracy of the side provided with the sheet 10 affects the plane accuracy of the wafer after polishing, so that it is desirable to be as high as possible.
【0029】セラミックスプレート3の表面のウエハを
保持する位置には通気性と弾性を有している目の細かい
多孔質もしくは繊維状のシート10が備えてある。シート
10の素材の例として不織布(フェルトに液状の人工皮革
材料を浸透させたもの)、ゴム、樹脂、紙、皮、人工皮
革等がある。シート10の厚さは 600μm 程度以下とする
のがよい。A fine porous or fibrous sheet 10 having air permeability and elasticity is provided at a position for holding a wafer on the surface of the ceramic plate 3. Sheet
Examples of the 10 materials include non-woven fabric (felt infiltrated with liquid artificial leather material), rubber, resin, paper, leather, artificial leather, and the like. The thickness of the sheet 10 is preferably about 600 μm or less.
【0030】シート10は、ウエハ1を載せる部分が通気
性で、ウエハ1と接していない部分は通気性を持たない
ようにする必要がある。図1で示した例では符号10の部
分が通気性を有するシートの部分であり、符号11の部分
が通気性を有しないシートの部分である。In the sheet 10, it is necessary that the portion on which the wafer 1 is placed is breathable and the portion not in contact with the wafer 1 is not breathable. In the example shown in FIG. 1, the reference numeral 10 is a breathable sheet portion, and the reference numeral 11 is a non-breathable sheet portion.
【0031】このようにシートの一部分には通気性を持
たせ、他の部分は通気を遮断するには、図2に示すよう
にウエハが接触しない部分だけにシートに何らかの物質
を添加して通気性を遮断するか、または通気性のないテ
ンプレートかテープ若しくは埋め込むことの可能なシー
ル材等13によってシート10のウエハが接触しない部分を
上から覆えばよい。あるいは逆に通気性のないテンプレ
ートのウエハが接触する部分をくり貫いてその部分にウ
エハの形の通気性のあるシート10を嵌め込んでも構わな
い。As described above, in order to give air permeability to a part of the sheet and block air passage to the other part, as shown in FIG. The sheet 10 may be covered with a non-breathable template or tape or a sealable material 13 that can be embedded, and the portion of the sheet 10 that is not in contact with the wafer may be covered from above. Alternatively, conversely, a portion of the non-breathable template that is in contact with the wafer may be pierced and a breathable sheet 10 in the form of a wafer may be fitted into that portion.
【0032】要はプレート3の表面のウエハを保持する
位置に通気性と弾性を有するシート10が備えられてお
り、プレート3のウエハを保持しない位置は、通気性の
ないシート11やテンプレートを用いて通気を遮断するよ
うに覆われている構造であればよい。このような構造の
ものであれば真空ポンプを作動させた場合シート10の位
置のみにウエハを保持するための吸着力を発生させるこ
とができる。The point is that a sheet 10 having air permeability and elasticity is provided on the surface of the plate 3 at a position for holding a wafer, and a sheet 11 or a template having no air permeability is used at a position on the plate 3 where the wafer is not held. Any structure may be used as long as it is covered so as to block ventilation. With such a structure, when the vacuum pump is operated, a suction force for holding the wafer can be generated only at the position of the sheet 10.
【0033】シート10、11は図1の(a) のように接着剤
9によってプレート3に固定するか図1の(b) のように
シート10、11に一定張力をかけたまま治具12によってプ
レート3に固定すればよい。The sheets 10 and 11 are fixed to the plate 3 with an adhesive 9 as shown in FIG. 1 (a) or the jig 12 with a constant tension applied to the sheets 10 and 11 as shown in FIG. 1 (b). It may be fixed to the plate 3 by.
【0034】本発明のウエハ研磨用保持プレートを用い
てウエハを保持するには、まずウエハ1をシート10に載
せた後に外部の真空ポンプによって吸引力を発生させ
る。シート10はウエハ1の全面にわたって一様に収縮す
るのでシート10の表面は平面に保たれている。これによ
ってウエハ1を高平面精度に研磨することができる。In order to hold a wafer using the wafer polishing holding plate of the present invention, first, the wafer 1 is placed on the sheet 10, and then a suction force is generated by an external vacuum pump. Since the sheet 10 contracts uniformly over the entire surface of the wafer 1, the surface of the sheet 10 is kept flat. As a result, the wafer 1 can be polished with high planar accuracy.
【0035】シート10は弾性を有しているので多少の異
物やゴミ等をウエハとの間に挟んでもシート10側でその
異物は吸収され、ウエハの表面に疵や局所的な変形(デ
ィンプル)が生じることはない。また、目の細かい繊維
状若しくは多孔質状のシート10を用いる程、真空に引く
ためのシート10の空気孔の径が小さく、かつ多数になる
ので、ウエハ1にかかる吸着力はウエハ1の表面に対し
てより均一に分散してかかることになる。その結果、研
磨後のウエハ1のシート10に接していた面には真空で保
持した痕跡は残らず、高品質のウエハを得ることができ
る。Since the sheet 10 has elasticity, even if some foreign matter or dust is sandwiched between it and the wafer, the foreign matter is absorbed on the sheet 10 side, and the surface of the wafer is flawed or locally deformed (dimples). Does not occur. Further, as the finer fibrous or porous sheet 10 is used, the diameter of the air holes of the sheet 10 for drawing a vacuum becomes smaller and the number becomes larger, so that the suction force applied to the wafer 1 is the surface of the wafer 1. It will be more evenly distributed and applied. As a result, the surface of the wafer 1 after polishing that was in contact with the sheet 10 does not leave a trace of being held in vacuum, and a high quality wafer can be obtained.
【0036】さらに本発明のウエハ研磨用保持プレート
は、真空に引く際の吸引力を利用してウエハ1を保持し
ているのでウエハ1とシート10との間に気泡が入ること
はなく、それによるウエハの変形も生じない。ウエハを
研磨した後は真空吸引を止めることにより、容易にウエ
ハを研磨用保持プレートから取り外すことができる。Further, since the wafer polishing holding plate of the present invention holds the wafer 1 by utilizing the suction force when pulling a vacuum, air bubbles do not enter between the wafer 1 and the sheet 10, and Deformation of the wafer due to the above does not occur. After polishing the wafer, the vacuum suction can be stopped to easily remove the wafer from the polishing holding plate.
【0037】本発明のウエハ研磨用保持プレートで保持
するために要する工程は、ウエハを保持する工程と外す
工程のみであり、前述したワックスによる貼り付け方式
と比較すると非常に少ない工程で、かつ容易に実施でき
るので工程の自動化も可能である。The steps required to hold the wafer polishing holding plate of the present invention are only the steps of holding the wafer and removing the wafer, which are very few steps as compared with the above-mentioned wax sticking method, and are easy. Since it can be carried out, it is possible to automate the process.
【0038】[0038]
【実施例】本発明のウエハ研磨用保持プレートを実際の
研磨装置に適用した例を図4と図5に示す。図4はバッ
チ方式の研磨装置に適用したものである。この例では本
発明のウエハ研磨用保持プレート(図では符号3、10お
よび11を合わせたもの)は一度に2枚以上のウエハ1を
保持できる構造となっている。EXAMPLE An example in which the wafer polishing holding plate of the present invention is applied to an actual polishing apparatus is shown in FIGS. FIG. 4 is applied to a batch type polishing apparatus. In this example, the wafer polishing holding plate of the present invention (combined reference numerals 3, 10 and 11 in the figure) has a structure capable of holding two or more wafers 1 at a time.
【0039】図5は枚葉式の研磨装置に適用したもので
ある。この例では本発明のウエハ研磨用保持プレートは
1枚のウエハ1を保持できる構造になっている。FIG. 5 is applied to a single-wafer polishing apparatus. In this example, the wafer polishing holding plate of the present invention has a structure capable of holding one wafer 1.
【0040】ウエハ研磨用保持プレートの表面の孔や溝
(図示していない)は真空ポンプ14からの配管8に繋が
っており、真空ポンプ14を作動させた場合にはプレート
3の表面に備えられたシート10にウエハ1を吸着する力
が働く。真空ポンプ14の回転部と停止部はロータリジョ
イント16によって繋がっている。Holes and grooves (not shown) on the surface of the wafer polishing holding plate are connected to the pipe 8 from the vacuum pump 14, and are provided on the surface of the plate 3 when the vacuum pump 14 is operated. A force for adsorbing the wafer 1 on the sheet 10 acts. The rotary portion and the stop portion of the vacuum pump 14 are connected by a rotary joint 16.
【0041】ウエハ1を本発明のウエハ研磨用保持プレ
ートによって保持した後に研磨定盤17を回転させてその
表面に備える研磨パッド18でウエハ1の表面を研磨す
る。After the wafer 1 is held by the wafer polishing holding plate of the present invention, the polishing platen 17 is rotated and the surface of the wafer 1 is polished by the polishing pad 18 provided on the surface thereof.
【0042】図6は、ウエハの研磨工程において、工程
の合理化のためにウエハ研磨用保持プレート上でのウエ
ハの脱着を自動操作によって行う装置に本発明のウエハ
研磨用保持プレートを適用した例を示すものである。FIG. 6 shows an example in which the wafer polishing holding plate of the present invention is applied to a device for automatically attaching and detaching a wafer on the wafer polishing holding plate for the purpose of streamlining the process in the wafer polishing process. It is shown.
【0043】搬送装置21によってウエハ1はウエハ研磨
用保持装置に搬送されて来る。オートハンドラーアーム
20の先に取り付けてある真空チャック19はオートハンド
ラーアーム20が水平回動、垂直回動および上下運動を行
うことによって、搬送されて来たウエハ1を吸着する位
置まで移動する。次に真空チャック19は真空に引く際の
吸引力を利用してウエハ1を吸着する。真空ポンプ(図
示していない)からの配管はオートハンドラーアーム20
を介して真空チャック19まで引いてある。ウエハを吸着
した真空チャック19はオートハンドラーアーム20が上下
運動、水平回動および垂直回動することによってウエハ
研磨用保持プレートのウエハを保持する所定の位置(シ
ート10の位置)まで移動する。次にオートハンドラーア
ーム20の先端の真空チャック19の真空を開放し、ウエハ
保持プレート側の真空ポンプ14を作動させて配管8を介
してシート10に吸引力を発生させ、その力を利用してウ
エハ1を保持する。The wafer 1 is transferred to the wafer polishing holding device by the transfer device 21. Auto handler arm
The vacuum chuck 19 attached to the tip of 20 moves to a position where the wafer 1 that has been transferred is attracted by the horizontal, vertical and vertical movements of the auto handler arm 20. Next, the vacuum chuck 19 attracts the wafer 1 by utilizing the suction force when pulling a vacuum. The piping from the vacuum pump (not shown) is the auto handler arm 20.
It is pulled up to the vacuum chuck 19 through. The vacuum chuck 19 that has attracted the wafer moves to a predetermined position (position of the sheet 10) for holding the wafer on the wafer polishing holding plate by the vertical movement, horizontal rotation and vertical rotation of the auto handler arm 20. Next, the vacuum of the vacuum chuck 19 at the tip of the auto-handler arm 20 is released, the vacuum pump 14 on the wafer holding plate side is operated to generate a suction force on the sheet 10 via the pipe 8, and the force is utilized. Hold the wafer 1.
【0044】ウエハ1の研磨は研磨定盤17上の研磨パッ
ド18をウエハに接触させて回転させることによって研磨
する。The wafer 1 is polished by bringing the polishing pad 18 on the polishing platen 17 into contact with the wafer and rotating the wafer.
【0045】研磨後はオートハンドラーの真空チャック
19がウエハ1を保持し、研磨後の搬送系(図示していな
い)にウエハ1を送る。これら一連の動作は、すべて自
動で行うことができる。After polishing, vacuum chuck of auto handler
19 holds the wafer 1 and sends the wafer 1 to a transfer system (not shown) after polishing. All of these series of operations can be performed automatically.
【0046】図7は本発明のウエハ保持プレートを用い
て実際にウエハを保持し、研磨した場合のシートの厚さ
とウエハの厚さのばらつきとの関係を示したものであ
る。なお、シートとして不織布(フジボウ愛媛(株) 製
のDOLYPAS #1200 FILM)を用いた。図7の縦軸のTTV
とは研磨後の半導体ウエハにおいて、厚みが最も厚い部
分と最も薄い部分との差を表したものである。FIG. 7 shows the relationship between the sheet thickness and the wafer thickness variation when the wafer is actually held and polished using the wafer holding plate of the present invention. A non-woven fabric (DOLYPAS # 1200 FILM manufactured by Fuji Bow Ehime Co., Ltd.) was used as the sheet. TTV on the vertical axis of FIG.
Is the difference between the thickest part and the thinnest part of the semiconductor wafer after polishing.
【0047】図7から次のようなことがわかる。シート
の厚さが厚いほどTTVの値は大きくなる。従ってシー
トの厚さはウエハの表面に真空溝の跡が残らない程度に
できるだけ薄くする方が望ましい。シートとして上記の
不織布を用いる場合には、例えばウエハの研磨後の厚さ
のばらつきを1.5 μm 以下にするには不織布の厚さを0.
5 mm以下とすればよい。The following can be seen from FIG. The thicker the sheet, the higher the TTV value. Therefore, it is desirable that the thickness of the sheet be as thin as possible so that no trace of the vacuum groove is left on the surface of the wafer. When the above non-woven fabric is used as a sheet, for example, the non-woven fabric thickness is set to 0.
It should be 5 mm or less.
【0048】[0048]
【発明の効果】本発明のウエハ研磨用保持プレートは、
それを用いてウエハを保持するために必要な工程が少な
くかつ簡単なので保持工程を自動化でき、従来の方式と
比較して作業効率が向上する。The wafer polishing holding plate of the present invention comprises:
Since the number of steps required to hold a wafer using it is small and simple, the holding step can be automated, and the work efficiency is improved as compared with the conventional method.
【0049】本発明のウエハ研磨用保持プレートは、高
平面精度を有するプレートの表面に薄くて通気性と弾性
を有するシートを取り付けたものであるから、真空に引
く力によってシートはウエハが接している全面において
一様に変形し、ウエハを平面に保持することが可能であ
る。また、真空に引くので、ウエハとウエハ研磨用保持
プレートとの間に気泡が入ることはない。また、シート
は、適度な弾性を有しているのでウエハと保持プレート
との間にゴミ、異物を挟んだ場合においてもシートが局
所的に変形し、ウエハの表面に発生するディンプルを防
ぐことができる。なお、目の細かい繊維状もしくは多孔
質状のシートを用いるほど研磨後のウエハの表面に真空
孔や真空溝の痕跡が残らない。Since the wafer polishing holding plate of the present invention has a thin sheet having air permeability and elasticity attached to the surface of the plate having high plane accuracy, the sheet is brought into contact with the wafer by the force of drawing a vacuum. It is possible to hold the wafer flat by deforming uniformly over the entire surface. Further, since the vacuum is pulled, no air bubbles enter between the wafer and the wafer polishing holding plate. Further, since the sheet has an appropriate elasticity, the sheet is locally deformed even when dust or foreign matter is sandwiched between the wafer and the holding plate, so that the dimples generated on the surface of the wafer can be prevented. it can. The finer the fibrous or porous sheet is, the less traces of vacuum holes and grooves are left on the surface of the wafer after polishing.
【図1】本発明のウエハ研磨用保持プレートの一部縦断
面を表す図である。FIG. 1 is a diagram showing a partial vertical cross section of a wafer polishing holding plate of the present invention.
【図2】本発明のウエハ研磨用保持プレートの拡大縦断
面を表す図である。FIG. 2 is an enlarged vertical cross-sectional view of a wafer polishing holding plate of the present invention.
【図3】本発明のウエハ研磨用保持プレートのシートの
構造を表す図である。FIG. 3 is a diagram showing a structure of a sheet of a wafer polishing holding plate of the present invention.
【図4】本発明のウエハ研磨用保持プレートをバッチ式
の研磨装置に適用した場合の構成を表す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration when the wafer polishing holding plate of the present invention is applied to a batch type polishing apparatus.
【図5】本発明のウエハ研磨用保持プレートを枚葉式の
研磨装置に適用した場合の構成を表す図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration when the wafer polishing holding plate of the present invention is applied to a single-wafer polishing apparatus.
【図6】本発明のウエハ研磨用保持プレートをウエハの
自動搬送装置を備えた研磨装置に適用した場合の構成を
表す図である。FIG. 6 is a diagram showing a configuration when the wafer polishing holding plate of the present invention is applied to a polishing apparatus having an automatic wafer transfer device.
【図7】本発明のウエハ研磨用保持プレートのシートの
厚さと研磨後のウエハの厚さのばらつきとの関係を表し
た図である。FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the thickness of the sheet of the wafer polishing holding plate of the present invention and the variation in the thickness of the wafer after polishing.
【図8】従来の吸着方式のウエハ研磨用保持プレートの
一部縦断面を表す図である。FIG. 8 is a partial vertical cross-sectional view of a conventional suction-type wafer polishing holding plate.
【図9】従来のテンプレート方式のウエハ研磨用保持プ
レートの一部縦断面を表す図である。FIG. 9 is a diagram showing a partial vertical cross section of a conventional template-type wafer polishing holding plate.
【図10】従来の吸着方式によってウエハを保持した場合
に発生する表面の局所的変形を表す図である。FIG. 10 is a diagram showing local deformation of a surface that occurs when a wafer is held by a conventional suction method.
【図11】従来のテンプレート方式によってウエハを保持
した場合に発生する変形を表す図である。FIG. 11 is a diagram showing a deformation that occurs when a wafer is held by a conventional template method.
1 ウエハ、 2 溝、3 セラミッ
クスプレート、 4 テンプレート、5 バッキング
プレート、 6 気泡、7 ゴミや異物、
8 真空引き用配管、9 接着剤、
10 通気性のあるシート、11 通気性のないシー
ト、 12 治具、13 通気性のないテンプレート、
14 真空ポンプ、15 孔、 16
ロータリージョイント、17 研磨定盤、
18 研磨パッド、19 真空チャック、 20
オートハンドラーアーム、21 搬送装置、1 wafer, 2 grooves, 3 ceramics plate, 4 template, 5 backing plate, 6 air bubbles, 7 dust and foreign matter,
8 vacuum piping, 9 adhesive,
10 breathable sheets, 11 non-breathable sheets, 12 jigs, 13 non-breathable templates,
14 vacuum pump, 15 holes, 16
Rotary joint, 17 polishing surface plate,
18 polishing pad, 19 vacuum chuck, 20
Auto handler arm, 21 transfer device,
Claims (1)
半導体ウエハを保持する位置に、通気性と弾性を有する
シートを備えた半導体ウエハ研磨用保持プレート。1. A holding plate for polishing a semiconductor wafer, comprising a breathable and elastic sheet at a position for holding a semiconductor wafer on the surface of a breathable ceramic plate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32110294A JPH08181092A (en) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | Holding plate for polishing semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32110294A JPH08181092A (en) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | Holding plate for polishing semiconductor wafer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08181092A true JPH08181092A (en) | 1996-07-12 |
Family
ID=18128848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32110294A Pending JPH08181092A (en) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | Holding plate for polishing semiconductor wafer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08181092A (en) |
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1994
- 1994-12-26 JP JP32110294A patent/JPH08181092A/en active Pending
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