JP2009289277A

JP2009289277A - 不揮発性半導体メモリドライブ

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Publication number: JP2009289277A
Application number: JP2009199350A
Authority: JP
Inventors: Toshio Tsukazawa; 寿夫塚澤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2009-08-31
Filing date: 2009-08-31
Publication date: 2009-12-10
Anticipated expiration: 2027-12-27
Also published as: JP4679656B2

Abstract

【課題】複数の不揮発性半導体メモリを基板上に効率良く配置することができる不揮発性半導体メモリドライブを提供する。
【解決手段】不揮発性半導体メモリドライブ１０は、矩形状の基板１００と、基板１００上に設けられ、長辺と短辺からなる外形を有する複数の不揮発性半導体メモリ１０４と、基板１００上に設けられて複数の不揮発性半導体メモリ１０４の動作を制御するメモリコントローラ１０３と、複数の不揮発性半導体メモリ１０４のうち少なくとも２つの不揮発性半導体メモリ１０４は、長辺と短辺とが互いに隣接するように基板１００に実装され、少なくとも２つの不揮発性半導体メモリ１０４の一方の不揮発性半導体メモリ１０４の長辺に隣接した領域に、他の電子部品（１０１）又は固定用の貫通穴１００ｇを配置して構成される。
【選択図】図５

Description

本発明は、不揮発性半導体メモリドライブに関する。

従来、メモリチップ、温度センサ及び温度検出回路を備えたメモリモジュールが知られている（例えば、特許文献１参照）。

このメモリモジュールは、基板上に実装されたメモリチップと、メモリチップの温度を測定する温度センサと、温度センサにより測定された温度と予め設定された設定温度とを比較する温度検出回路とを備える。したがって、メモリモジュールは、温度センサによりメモリチップの温度を測定し、その測定した温度が設定温度を超えているか否かを温度検出回路により検出することができる。

特開２００７−２５７０６２号公報

従って、本発明の目的は、複数の不揮発性半導体メモリを基板上に効率良く配置することができる不揮発性半導体メモリドライブを提供することにある。

本発明は、上記目的を達成するため、矩形状の基板と、前記基板上に設けられ、長辺と短辺からなる外形を有する複数の不揮発性半導体メモリと、前記基板上に設けられて前記複数の不揮発性半導体メモリの動作を制御するメモリコントローラと、前記複数の前記不揮発性半導体メモリのうち少なくとも２つの前記不揮発性半導体メモリは、前記長辺と前記短辺とが互いに隣接するように前記基板に実装され、前記少なくとも２つの不揮発性半導体メモリの一方の前記不揮発性半導体メモリの前記長辺に隣接した前記基板の領域に、他の電子部品又は固定用の貫通穴を配置したことを特徴とする不揮発性半導体メモリドライブを提供する。

本発明によれば、複数の不揮発性半導体メモリを基板上に効率良く配置することができる。

本発明の第１の実施の形態に係る情報処理装置の外観を示す概略図である。情報処理装置の本体の内部を示す平面図である。情報処理装置の本体の内部を示す底面図である。情報処理装置の概略構成を示すブロック図である。ＳＳＤの外観の一例を示す斜視図である。ＳＳＤの概略構成を示すブロック図である。（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係るＳＳＤの外観を示す概略図、（ｂ）は、ＳＳＤの平面図、（ｃ）は、ＳＳＤの底面図である。

以下に、本発明の情報処理装置の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。

［第１の実施の形態］
（情報処理装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る情報処理装置の外観を示す概略図である。この情報処理装置１は、本体２と、本体２に取り付けられた表示ユニット３とから構成されている。

本体２は、箱状の筐体４を有し、その筐体４は、上壁４ａ、周壁４ｂ及び下壁４ｃを備える。筐体４の上壁４ａは、情報処理装置１を操作するユーザに近い側から順にフロント部４０、中央部４１及びバック部４２を有する。下壁４ｃは、この情報処理装置１が置かれる設置面に対向する。周壁４ｂは、前壁４ｂａ、後壁４ｂｂ及び左右の側壁４ｂｃ，４ｂｄを有する。

フロント部４０は、ポインティングデバイスであるタッチパッド２０と、パームレスト２１と、情報処理装置１の各部の動作に連動して点灯するＬＥＤ２２とを備える。

中央部４１は、文字情報等を入力可能なキーボード２３ａが取り付けられるキーボード載置部２３を備える。

バック部４２は、着脱可能に取り付けられたバッテリパック２４と、バッテリパック２４の右側に情報処理装置１の電源を投入するための電源スイッチ２５と、バッテリパック２４の左右に表示ユニット３を回転可能に支持する一対のヒンジ部２６ａ，２６ｂとを備える。

筐体４の左の側壁４ｂｃには、筐体４内から外部に対して風Ｗを排出する排出口２９が設けられている。また、右の側壁４ｂｄには、例えば、ＤＶＤ等の光記憶媒体にデータを読み書き可能なＯＤＤ（Optical Disc Drive）２７と、各種のカード２８０が出し入れされるカードスロット２８とが配置されている。

筐体４は、周壁４ｂの一部及び上壁４ａを含む筐体カバーと、周壁４ｂの一部及び下壁４ｃを含む筐体ベースとにより形成されている。筐体カバーは、筐体ベースに対して着脱自在に組み合わされ、筐体ベースとの間に収容空間を形成する。この収容空間には、不揮発性半導体記憶装置としてのＳＳＤ（Solid State Drive）１０等が収容される。なお、ＳＳＤ１０の詳細は後述する。

表示ユニット３は、開口部３０ａを有するディスプレイハウジング３０と、表示画面３１ａに画像を表示可能なＬＣＤ等からなる表示部３１とを備える。表示部３１はディスプレイハウジング３０に収容され、表示画面３１ａは開口部３０ａを通じてディスプレイハウジング３０の外部に露出している。

図２は、本体２の平面図であり、図３は、本体２を下方から見た下面図である。筐体４内のレイアウトを示すために、図２では筐体カバー５を省略し、図３では筐体ベース６を省略している。筐体カバー５及び筐体ベース６には、複数のボス４３が設けられている。

筐体４内には、上述のＳＳＤ１０、バッテリパック２４、ＯＤＤ２７及びカードスロット２８の他に、メイン回路基板１１、拡張モジュール１２及びファン１３等が収容されている。

メイン回路基板１１は、複数の電子部品が実装され、それら電子部品が機能することにより所定の動作を行うユニットである。また、メイン回路基板１１は、コネクタ１１０に結合されたケーブル１１０ａを介してＳＳＤ１０に接続されるとともに、図示しないケーブルを介してバッテリパック２４、ＯＤＤ２７、カードスロット２８、拡張モジュール１２及びファン１３等に接続されている。

ＯＤＤ２７は、筐体４内に収容されるケース２７０と、ケース２７０内に引き出し可能に収容されるとともに光記憶媒体を載せるディスクトレイ２７１とを有する。

カードスロット２８は、例えば、ＰＣカードスロットやＥｘｐｒｅｓｓＣａｒｄ(登録商標)スロット等の規格により形状が定められている。

拡張モジュール１２は、拡張回路基板１２０と、拡張回路基板１２０に設けられたカードソケット１２１と、カードソケット１２１に挿入された拡張モジュール基板１２２とを備える。カードソケット１２１は、例えば、Ｍｉｎｉ−ＰＣＩ等の規格に基づいており、拡張モジュール基板１２２は、例えば、３Ｇ（3rd Generation）モジュール、テレビチューナー、ＧＰＳモジュール、及びＷｉｍａｘ(登録商標)モジュール等が挙げられる。

ファン１３は、筐体４内を送風に基づいて冷却する冷却部であり、筐体４内の空気を排出口２９を介して風Ｗとして外部に排出する。また、ファン１３と排出口２９との間にはヒートパイプ１３０の一端が設けられており、ヒートパイプ１３０の他端はＣＰＵ１１５に接するように設けられている（図示せず）。ヒートパイプ１３０は、内部に封入された作動液が加熱部であるＣＰＵ１１５側で蒸発し、蒸気となってパイプ内を移動して低温部である排出口側に移動して凝縮する際に蒸発潜熱を放出する。凝縮した作動液は加熱部に還流する。

ＳＳＤ１０は、基板１００を備え、その基板１００が有する面１００ａには、温度センサ１０１、コネクタ１０２及び制御部（メモリコントローラ）１０３等が実装されている。筐体４内において、ＳＳＤ１０は、ファン１３により筐体４内から外部にかけての風Ｗの上流側に制御部１０３が位置し、風Ｗの下流側に温度センサ１０１が位置するように収容されている。また、ＳＳＤ１０とメイン回路基板１１とを電気的に接続するコネクタ１０２は、筐体４内から外部にかけて流れる風Ｗに対し、制御部１０３よりもさらに上流側に配置されている。

図４は、情報処理装置の概略構成を示すブロック図である。この情報処理装置１は、上述のＳＳＤ１０、拡張モジュール１２、ファン１３、タッチパッド２０、キーボード２３ａ、ＬＥＤ２２、電源スイッチ２５、ＯＤＤ２７、カードスロット２８及び表示部３１の他に、各部を制御する組込システムであるＥＣ（Embedded Controller）１１１と、ＢＩＯＳ（Basic Input Output System）１１２ａを格納するフラッシュメモリ１１２と、ＬＳＩ（Large Scale Integration）チップであり各種バス及びＩ／Ｏコントローラとして機能するサウスブリッジ１１３と、ＬＳＩチップであり後述するＣＰＵ（Central Processing Unit）１１５、ＧＰＵ（Graphic Processing Unit）１１６、メインメモリ１１７及び各種バスとの接続を制御するノースブリッジ１１４と、各種信号を演算処理するＣＰＵ１１５と、映像信号を演算処理して表示制御するＧＰＵ１１６と、ＣＰＵ１１５により読み書きされるメインメモリ１１７とを有する。

なお、ＥＣ１１１、フラッシュメモリ１１２、サウスブリッジ１１３、ノースブリッジ１１４、ＣＰＵ１１５、ＧＰＵ１１６及びメインメモリ（主記憶装置）１１７は、メイン回路基板１１に実装された電子部品である。

（ＳＳＤの構成）
図５は、ＳＳＤの外観の一例を示す斜視図である。このＳＳＤ１０は、面１００ａ〜１００ｆを有する基板１００を備え、基板１００の面１００ａにそれぞれ実装された温度センサ１０１、コネクタ１０２、制御部１０３、８つのＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈ及びＤＲＡＭ１０５を備える。ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈは同一の形状を有する。このＳＳＤ１０は、データやプログラムを記憶し、電源を供給しなくても記録が消えない外部記憶装置である。従来のハードディスクドライブのような磁気ディスクやヘッド等の駆動機構を持たないが、基板１００上に実装される８つのＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈの記憶領域に、ＯＳ（Operating System）等のプログラム、ユーザやソフトウエアの実行に基づいて作成されたデータ等を従来のハードディスクドライブと同様に読み書き可能に長期的に保存でき、情報処理装置１の起動ドライブとして動作することのできる不揮発性半導体メモリからなるドライブである。

ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈは、例えば、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａに示すように、長辺１０４ａおよび短辺１０４ｂからなる外形をそれぞれ有する。ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｄは、基板１００の右側面に沿って長辺１０４ａが互いに隣接するように実装されている。また、ＮＡＮＤメモリ１０４Ｅ〜１０４Ｈは、長辺１０４ａと短辺１０４ｂとが互いに隣接するように組み合わされて基板１００に実装されている。

温度センサ１０１は、ＮＡＮＤメモリ１０４Ｈの長辺と制御部１０３の一辺との間に位置し、これら両辺に隣接して設けられている。また、制御部１０３の温度センサ１０１が設けられる側とは反対側に、ＳＳＤ１０を外部と接続するためのコネクタ１０２が設けられている。

図６は、ＳＳＤの概略構成を示すブロック図である。制御部１０３は、温度センサ１０１、コネクタ１０２、８つのＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈ、ＤＲＡＭ１０５、及び電源回路１０６にそれぞれ接続されている。また、制御部１０３は、コネクタ１０２を介してホスト装置８に接続され、必要に応じて外部装置９に接続される。

電源７は、バッテリパック２４又は図示しないＡＣアダプタであり、例えば、ＤＣ３．３Ｖがコネクタ１０２を介して電源回路１０６に供給される。また、電源７は、情報処理装置１全体に対して電力を供給する。

ホスト装置８は、本実施の形態ではメイン回路基板１１であり、メイン回路基板１１に実装されたサウスブリッジ１１３と制御部１０３との間が接続されている。サウスブリッジ１１３と制御部１０３との間は、例えば、シリアルＡＴＡ等の規格に基づいてデータの送受信が行われる。

外部装置９は、情報処理装置１とは異なる他の情報処理装置である。外部装置９は、情報処理装置１から取り外されたＳＳＤ１０に対して、例えば、ＲＳ−２３２Ｃ等の規格に基づいて制御部１０３に接続され、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈに記憶されたデータを読み出す機能を有する。

（ＳＳＤの各部の構成）
基板１００は、例えば、１．８インチタイプ又は２．５インチタイプのＨＤＤ（Hard disk drive）と同等の外形サイズを有する。なお、本実施の形態では、１．８インチタイプと同等である。また、基板１００を筐体４に固定するための複数の貫通穴１００ｇを有する。

温度センサ１０１は、基板１００上において、ともに熱源となる制御部１０３とＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈとの間に設けられている。図５の例では、温度センサ１０１は、制御部１０３とＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈによって囲まれるように基板の中央付近に設けられ、その位置における温度を測定する。温度センサ１０１により測定された測定温度は、温度情報として制御部１０３に送られる。なお、本実施の形態では、半導体のＰＮ接合部の電圧が温度により変化する特性を利用した半導体温度センサを用いたが、例えば、サーミスタ等の他の方式による温度センサを用いてもよい。

上記の位置に設けられた温度センサ１０１による測定温度は、ＳＳＤ１０が動作中の場合は、例えば、５０℃〜６０℃であり、基板１００の他の領域に比較して１０℃程度高い。

制御部１０３は、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈに対する動作を制御する。具体的には、制御部１０３は、ホスト装置８としてのメイン回路基板１１からの要求に応じて、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈに対するデータの読み書きを制御する。データの転送速度は、例えば、データ読み出し時で１００ＭＢ／Ｓｅｃ、書き込み時で４０ＭＢ／Ｓｅｃである。

また、制御部１０３は、温度センサ１０１から温度情報を一定の周期で取得し、その取得した温度情報をその取得した取得日時とともにＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈの所定のアドレスに書き込む。

ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈは、長辺と短辺からなる外形を有し、例えば、その厚みは３ｍｍである。ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈは、基板１００上で非対称な配置に実装されている。すなわち、図５の例では、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈのうち４つのＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｄは、長辺が略平行になるように揃えた状態で配置され、他の４つのＮＡＮＤメモリ１０４Ｅ〜１０４Ｈは、短辺と長辺とが対向するように組み合わされた状態で配置されている。

ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈは、１つの記憶容量が、例えば、１６ＧＢの不揮発性の半導体メモリであって、例えば、１つのメモリセルに２ビットを記録可能なＭＬＣ（Multi Level Cell）−ＮＡＮＤメモリ（多値ＮＡＮＤメモリ）である。ＭＬＣ−ＮＡＮＤメモリは、ＳＬＣ（Single Level Cell）−ＮＡＮＤメモリに比較して、一般に書き換え可能回数は劣るが、記憶容量の大容量化は容易である。また、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈは、設置された環境温度によりデータを保持可能な期間が変動する特性を有する。

ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈは、制御部１０３の制御により書き込まれたデータを記憶するとともに、温度情報及び取得日時を温度履歴として記憶する。

ＤＲＡＭ１０５は、制御部１０３の制御によりＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈに対するデータの読み書きが行われる際に一時的にデータが格納されるバッファである。

コネクタ１０２は、シリアルＡＴＡ等の規格に基づいた形状を有する。なお、制御部１０３及び電源回路１０６は、別々のコネクタによりホスト装置８及び電源７にそれぞれ接続されていてもよい。

電源回路１０６は、電源７から供給されたＤＣ３．３Ｖを、例えば、ＤＣ１．８Ｖ、１．２Ｖ等に変換するとともに、それら３種類の電圧をＳＳＤ１０の各部の駆動電圧に合わせて各部に供給する。

（第１の実施の形態の動作）
以下に、本発明の第１の実施の形態に係る情報処理装置の動作について説明する。まず、ユーザが電源スイッチ２５を押下すると、その電源スイッチ２５の押下を検出したＥＣ１１１は、電源７から情報処理装置１の各部に電力の供給を開始する。そして、ＥＣ１１１は、ＢＩＯＳ１１２ａに基づいて情報処理装置１の起動を行う。

次に、情報処理装置１の起動が完了すると、ユーザは表示部３１の表示画面３１ａを視認しながら、タッチパッド２０及びキーボード２３ａを用いて情報処理装置１に対する操作を行う。

次に、情報処理装置１は、ユーザによる操作を受け付けると、その操作に応じて所定の動作を行う。例えば、情報処理装置１のＣＰＵ１５が、ＳＳＤ１０に記憶されたデータを表示部３１に表示する操作を受け付けた場合には、ＣＰＵ１１５は、ＳＳＤ１０に対してデータの読み出しを命令する。次に、ＳＳＤ１０の制御部１０３は、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈからデータを読み出し、そのデータをサウスブリッジ１１３及びノースブリッジ１１４を介して、ＧＰＵ１１６に送る。そして、ＧＰＵ１１６は、そのデータを表示部３１に画像として表示する。

情報処理装置１が上記のような動作を行っている間、ＳＳＤ１０の温度センサ１０１は、温度センサ１０１が設けられた位置における温度を測定する。

そして、制御部１０３は、温度センサ１０１による測定温度を一定の周期で温度情報として取得し、その取得した温度情報を取得日時とともに、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈの所定のアドレスに温度履歴として記憶する。

その後、ユーザが、情報処理装置１に対してＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈに記憶された温度履歴を表示するように指示した場合には、制御部１０３は、その温度履歴を読み出して、その読み出した温度履歴をＧＰＵ１１６を介して表示部３１に表示する。

また、ＳＳＤ１０が筐体４から取り外された場合には、その取り外されたＳＳＤ１０に対して外部装置９が接続される。そして、外部装置９から制御部１０３に対して温度履歴の読み出しを命令するコマンドを送ると、制御部１０３は、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈに記憶された温度履歴を読み出して、外部装置９に送信する。そして、外部装置９は温度履歴を受信すると、その温度履歴を外部装置９が有する表示部に表示する。

上記した本発明の第１の実施の形態によると、温度センサ１０１を制御部１０３とＮＡＮＤメモリ１０４Ｈとの間に設けたため、基板１００の他の領域に比較して高温になる領域の温度を測定することができる。

また、複数のＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈを基板１００上で長辺１０４ａと短辺１０４ｂとを組み合わせて実装したため、制御部１０３、ＤＲＡＭ１０５等の他の電子部品を基板１００上に効率よく配置することができる。

また、温度センサを制御部１０３と複数のＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈとに囲まれた位置に設けたため、基板１００上に複数の温度センサを配置する必要がなく、製造コストを低減することができる。

また、ＳＳＤ１００の制御部１０３をファン１３による風Ｗの上流側に位置し、温度センサ１０１を下流側に位置することにより、風Ｗにより冷却された制御部１０３よりも高温となる可能性が高い位置の温度を計測することができる。

また、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈに温度履歴を記憶することにより、ＳＳＤ１０が使用された状況での環境温度を時系列的に確認することができる。なお、温度履歴は、制御部１０３による読み出しだけでなく、例えば、ＳＳＤ１０の温度を低下させる処理を行うにあたってサウスブリッジ１１３による読み出しも可能である。

［第２の実施の形態］
図７（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係るＳＳＤの外観を示す概略図である。第１の実施の形態に係るＳＳＤ１０は、面１００ａにＮＡＮＤメモリが実装されていたのに対し、このＳＳＤ１０は、図７（ａ）に例示するように、面１００ａ，１００ｂの両方にＮＡＮＤメモリが実装されている。

すなわち、ＳＳＤ１０は、図７（ｂ）の平面図に例示するように、面１００ａに温度センサ１０１、コネクタ１０２、制御部１０３、８つのＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈ及びＤＲＡＭ１０５Ａを備える。また、ＳＳＤ１０は、図７（ｃ）の底面図に例示するように、面１００ｂに更に８つのＮＡＮＤメモリ１０４Ｉ〜１０４Ｐ及びＤＲＡＭ１０５Ｂを備える。なお、各部の構成は第１の実施の形態と同様のため、説明を省略する。

面１００ａに設けられたＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈと、面１００ｂに設けられたＮＡＮＤメモリ１０４Ｉ〜１０４Ｐは、基板１００の長辺方向に対して左右対称に配置されている。なお、ＮＡＮＤメモリ１０４Ｉ〜１０４Ｐは、基板１００の短辺方向に対して左右対称に配置されていてもよい。また、面１００ａと面１００ｂとで１８０度回転した状態で配置してもよい。

上記した本発明の第２の実施の形態によると、ＳＳＤ１０の両面にＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｐを実装したため、基板１００の占有面積当たりの記憶容量を増加することができる。

また、ＳＳＤ１０両面にＮＡＮＤメモリを左右対称に配置することにより、ＳＳＤ１０全体における温度分布を均等にし、環境温度によるＳＳＤ１０のデータ保持期間の短縮を抑制することができる。

［他の実施の形態］
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々な変形が可能である。

１…情報処理装置、２…本体、３…表示ユニット、４…筐体、４ａ…上壁、４ｂ…周壁、４ｂａ…前壁、４ｂｂ…後壁、４ｂｃ，４ｂｄ…側壁、４ｃ…下壁、５…カバー、６…筐体ベース、７…電源、８…ホスト装置、９…外部装置、１０…ＳＳＤ、１１…メイン回路基板、１２…拡張モジュール、１３…ファン、２０…タッチパッド、２１…パームレスト、２２…ＬＥＤ、２３…キーボード載置部、２３ａ…キーボード、２４…バッテリパック、２５…電源スイッチ、２６ａ，２６ｂ…ヒンジ部、２７…ＯＤＤ、２８…カードスロット、２９…排出口、３０…ディスプレイハウジング、３０ａ…開口部、３１…表示部、３１ａ…表示画面、４０…フロント部、４１…中央部、４２…バック部、４３…ボス、１００…基板、１００ａ〜１００ｆ…面、１００ｇ…貫通穴、１０１…温度センサ、１０２…コネクタ、１０３…制御部、１０４Ａ〜１０４Ｐ…ＮＡＮＤメモリ、１０４ａ…長辺、１０４ｂ…短辺、１０５，１０５Ａ，１０５Ｂ…ＤＲＡＭ、１０６…電源回路、１１０…コネクタ、１１０ａ…ケーブル、１１１…ＥＣ、１１２…フラッシュメモリ、１１２ａ…ＢＩＯＳ、１１３…サウスブリッジ、１１４…ノースブリッジ、１１５…ＣＰＵ、１１６…ＧＰＵ、１１７…メインメモリ、１２０…拡張回路基板、１２１…カードソケット、１２２…拡張モジュール基板、１３０…ヒートパイプ、２７０…ケース、２７１…ディスクトレイ、２８０…カード

Claims

矩形状の基板と、
前記基板上に設けられ、長辺と短辺からなる外形を有する複数の不揮発性半導体メモリと、
前記基板上に設けられて前記複数の不揮発性半導体メモリの動作を制御するメモリコントローラと、
前記複数の前記不揮発性半導体メモリのうち少なくとも２つの前記不揮発性半導体メモリは、前記長辺と前記短辺とが互いに隣接するように前記基板に実装され、
前記少なくとも２つの不揮発性半導体メモリの一方の前記不揮発性半導体メモリの前記長辺に隣接した前記基板の領域に、他の電子部品又は固定用の貫通穴を配置したことを特徴とする不揮発性半導体メモリドライブ。
前記複数の前記不揮発性半導体メモリのうち１つの前記不揮発性半導体メモリを前記基板の一辺に前記短辺を近接させ、前記１つの不揮発性半導体メモリの前記長辺に前記短辺が隣接するように前記１つの不揮発性半導体メモリの両側に２つの前記不揮発性半導体メモリを配置させ、前記２つの不揮発性半導体メモリの前記長辺に隣接した前記基板の領域に前記固定用の貫通穴を配置した請求項１に記載の不揮発性半導体メモリドライブ。
前記複数の不揮発性半導体メモリは、それぞれ多値ＮＡＮＤメモリである請求項１又は２に記載の不揮発性半導体メモリドライブ。