JP2009272914A - Fet増幅器のバイアス回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】FET増幅器のバイアス回路に関し、スイッチングスピードが低下せず、低コストで、実装面積が小さく、またデバイスの信頼性を損なわないバイアス回路を提供する。
【解決手段】ドレインラインに並列にコンデンサ4−3が接続されたFET増幅器4−1に対して、ドレインバイアス電圧を供給する経路に直列に第1のスイッチ1−1を挿入し、第1のスイッチ1−1でドレインバイアス電圧の供給と遮断とを切り替える。また、ドレインバイアス電圧を供給しているとき、ドレイン電流が通常増幅動作点の領域となる第1のゲートバイアス電圧を第2のスイッチ1−2により与え、ドレインバイアス電圧の供給の遮断と同時に、通常増幅動作点より大電流が流れる第2のゲートバイアス電圧を与えるよう第2のスイッチ1−2を切り替え、コンデンサ4−3に蓄積された電荷を、FET4−1の大電流ドレイン電流により放電させる。
【選択図】図1
【解決手段】ドレインラインに並列にコンデンサ4−3が接続されたFET増幅器4−1に対して、ドレインバイアス電圧を供給する経路に直列に第1のスイッチ1−1を挿入し、第1のスイッチ1−1でドレインバイアス電圧の供給と遮断とを切り替える。また、ドレインバイアス電圧を供給しているとき、ドレイン電流が通常増幅動作点の領域となる第1のゲートバイアス電圧を第2のスイッチ1−2により与え、ドレインバイアス電圧の供給の遮断と同時に、通常増幅動作点より大電流が流れる第2のゲートバイアス電圧を与えるよう第2のスイッチ1−2を切り替え、コンデンサ4−3に蓄積された電荷を、FET4−1の大電流ドレイン電流により放電させる。
【選択図】図1
Description
本発明はFET(電界効果トランジスタ)増幅器のバイアス回路に関し、特に、通信用装置の送信系高出力増幅器として用いられるFET増幅器のバイアス回路に関する。
送信と受信とを時分割的に切り替える、所謂時分割複信(TDD:Time Division Duplex)方式の通信用装置の送信系高出力増幅器は、電力高効率化及び受信系への回り込みの防止等のために、送信時のみアクティブ状態となるよう、該増幅器のバイアス電圧のレベルを送信時と受信時とで切り替えるスイッチング制御が行われる。
FETを用いた送信系高出力増幅器のバイアス電圧レベルをスイッチングし、該増幅器をアクティブ状態と非アクティブ状態とに切り替える方式としては、ドレインバイアススイッチング方式及びゲートバイアススイッチング方式が知られている。
ドレインバイアススイッチング方式の回路構成は、図4に示すようにFET4−1のドレインバイアス電圧を与える経路に直列にスイッチ4−2を挿入し、該スイッチ4−2のオン/オフを制御することにより、ドレインバイアス電圧の供給と遮断とを切り替えるものである。
FET4−1は、ドレインバイアス電圧が供給されたときにアクティブ状態(増幅動作可能状態)となり、また、ドレインバイアス電圧の供給が遮断されたときに非アクティブ状態になる。なお、スイッチ4−2には、通信用装置の送信と受信の切り替えを制御する時分割複信(TDD)制御信号が印加され、スイッチ4−2は送信と受信の切り替えタイミングに同期してオン/オフが切り替えられる。
しかし、FETのドレインバイアス電圧を与える回路には、電源のインピーダンスを低下させるために、ドレインラインと並列に(ドレイン端子と電源の正又は負電極との間に)数十uF程度のコンデンサ4−3が接続されている。このコンデンサ4−3の影響によって、ドレインバイアス電圧の立ち上がり及び立ち下がりに数十usec程度の遅延が生じることとなる。
図4のドレインバイアススイッチング方式のバイアス電圧のタイムチャートを図5に示す。同図の(a)は、時分割複信(TDD)制御信号の波形を示し、(b)はドレインバイアス電圧の波形を示し、(c)はゲートバイアス電圧の波形を示している。同図に示すように、ドレインバイアス電圧がハイレベルに達するまでのタイミング及びローレベルに落ちるまでのタイミングは、時分割複信(TDD)制御信号の切り替えタイミングから、コンデンサ4−3の影響による遅延が生じる。
この遅延を防ぐために、図6に示すようにドレイン電流が流れるドレインラインに並列に、第2のスイッチ6−1と抵抗6−2を追加し、コンデンサ4−3に蓄積された電荷を、該第2のスイッチ6−1及び抵抗6−2を介して放電させる手法がある。放電回路を設けたドレインバイアススイッチング方式のバイアス電圧のタイムチャートを図7に示す。
図7において、(a)はドレインバイアス電圧を切り替える第1のスイッチ4−2に加える第1の時分割複信(TDD)制御信号#1の波形を示す。(b)はコンデンサ4−3に蓄積された電荷を放電させる第2のスイッチ6−1に加える第2の時分割複信(TDD)制御信号#2の波形を示す。(c)はドレインバイアス電圧の波形を示し、(d)はゲートバイアス電圧の波形を示している。
同図に示すように、第1の時分割複信(TDD)制御信号#1の立ち上がりで第1のスイッチ4−2をオンにしてドレインバイアス電圧を供給し、その直後に、第2の時分割複信(TDD)制御信号#2をハイレベルとして第2のスイッチ6−1をオンにする。この状態で、第1の時分割複信(TDD)制御信号#1の立ち下がりにより第1のスイッチ4−2をオフ状態にしてドレインバイアス電圧の供給を遮断したとき、第2の時分割複信(TDD)制御信号#2をなおハイレベルの状態として第2のスイッチ6−1をオン状態としておくことにより、コンデンサ4−3に蓄積された電荷を、第2のスイッチ6−1及び抵抗6−2を介して放電する。
該コンデンサ4−3の放電が完了した後のタイミングで、第2の時分割複信(TDD)制御信号#2をローレベルに下げる。こうすることにより、第2のスイッチ6−1がオン状態のとき、コンデンサ4−3を含む充放電回路の時定数が減少し、ドレインバイアス電圧の立ち上がり及び立ち下がりの時間は、図5の場合に比べて短縮され、コンデンサ4−3の影響による遅延を減少させることができる。
しかし、コンデンサ4−3の充放電を短時間で完了させるには、抵抗6−2を含む充放電回路に大電流を流す必要があるため、回路規模が大きくなり、高コスト化、実装面積の増大化につながることとなる。
ゲートバイアススイッチング方式の回路構成を図8に示す。ゲートバイアススイッチング方式は、FET4−1のゲートバイアス電圧を、FET4−1のドレイン−ソース間を非導通状態にするピンチオフバイアス電圧と、FET4−1のドレイン−ソース間を導通状態にしてドレイン電流が通常増幅動作点の領域となる通常動作バイアス電圧とに切り替えるものである。
即ち、図8に示すように、ゲートバイアス電圧を与える経路に、スイッチ8−1を挿入し、スイッチ8−1によりピンチオフバイアス電圧と通常動作バイアス電圧の何れかを選択してFET4−1にゲートバイアス電圧を与える。スイッチ8−1には、通信用装置の送信と受信の切り替えタイミングに同期した時分割複信(TDD)制御信号を印加し、スイッチ8−1は該時分割複信(TDD)制御信号に同期してオン/オフが切り替わる。
図9にゲートバイアススイッチング方式のバイアス電圧のタイムチャートを示す。同図の(a)は、時分割複信(TDD)制御信号の波形を示し、(b)はドレインバイアス電圧の波形を示し、(c)はゲートバイアス電圧の波形を示している。同図(c)に示すように、ゲートバイアス電圧は、時分割複信(TDD)制御信号に同期して、ピンチオフバイアス電圧の設定と通常動作バイアス電圧の設定とに切り替わる。
ゲートバイアス電圧を切り替えるゲートバイアススイッチング方式のバイアス回路には、ドレインラインのように大電流が流れることはないため、回路構成が小規模のものとなり、低コストで小さい実装面積で構成することができる。しかし、デプリーション形のFETなどでは、ピンチオフバイアス電圧を印加することによってデバイスが破壊されるなど、デバイスの信頼性が損なわれる場合がある。
時分割複信(TDD)制御信号等によってドレインバイアス電圧又はゲートバイアス電圧を制御し、FET増幅器をパルス駆動する技術は、下記の特許文献1等によって知られている。
特開平11−205044号公報
ドレインバイアススイッチング方式では、ドレインラインに接続されたコンデンサの影響によって、ドレインバイアス電圧の立ち上がり及び立ち下がりに遅延を生じ、FETをアクティブ状態/非アクティブ状態に切替えるスイッチングスピードが低下するという問題が生じる。また、このコンデンサの影響を低減するために、コンデンサの充放電時間を短縮するには、大電流を流す充放電回路を設ける必要があり、回路規模が大きくなり、高コスト化、実装面積の増大化を招くという問題が生じる。
また、ゲートバイアスイッチング方式の場合は、使用するFETのデバイスによっては、ピンチオフバイアス電圧の印加時にデバイスが破壊する場合があり、信頼性確保の点で問題がある。本発明は、スイッチングスピードが低下せず、低コストで、実装面積が小さく、またデバイスの信頼性を損なうことがない、FET増幅器のバイアス回路を提供する。
上記課題を解決する開示のFET増幅器のバイアス回路は、ドレインラインに並列にコンデンサが接続されたFET増幅器に対して、ドレインバイアス電圧を供給する経路に直列に挿入され、ドレインバイアス電圧の供給と遮断とを切り替える第1のスイッチと、
前記FET増幅器に与えるゲートバイアス電圧を、ドレイン電流が通常増幅動作点の領域となる第1のゲートバイアス電圧と、該第1のバイアス電圧による動作点の領域で流れるドレイン電流より大きいドレイン電流が流れる第2のゲートバイアス電圧とに切り替える第2のスイッチとを備え、
前記第1のスイッチによりドレインバイアス電圧を供給しているとき、前記第2のスイッチにより前記第1のゲートバイアス電圧を供給し、前記第1のスイッチによるドレインバイアス電圧の供給の遮断と同時に、前記第2のスイッチによりゲートバイアス電圧を前記第2のゲートバイアス電圧に切り替える構成を有するものである。
前記FET増幅器に与えるゲートバイアス電圧を、ドレイン電流が通常増幅動作点の領域となる第1のゲートバイアス電圧と、該第1のバイアス電圧による動作点の領域で流れるドレイン電流より大きいドレイン電流が流れる第2のゲートバイアス電圧とに切り替える第2のスイッチとを備え、
前記第1のスイッチによりドレインバイアス電圧を供給しているとき、前記第2のスイッチにより前記第1のゲートバイアス電圧を供給し、前記第1のスイッチによるドレインバイアス電圧の供給の遮断と同時に、前記第2のスイッチによりゲートバイアス電圧を前記第2のゲートバイアス電圧に切り替える構成を有するものである。
このFET増幅器のバイアス回路では、ドレインバイアス電圧とゲートバイアス電圧の両バイアス電圧を駆使し、ドレインラインに接続されたコンデンサの電荷を大電流のドレイン電流によって放電させることにより、ドレインバイアススイッチング方式におけるコンデンサの影響を低減する放電回路が不要となる。そのため、スイッチングスピードが低下せず、低コストで実装面積が小さくて済み、また、ゲートバイアス電圧としてピンチオフ電圧を設定しないため、デバイスの信頼性を確保することができる。
開示のFET増幅器のバイアス回路の構成を図1に示す。同図に示すように、FET4−1のドレインバイアス電圧の供給経路に直列に第1のスイッチ1−1を挿入し、該第1のスイッチ1−1のオン/オフにより、ドレインバイアス電圧の供給と遮断とを切り替える。
また、FET4−1に与えるゲートバイアス電圧を第2のスイッチ1−2により切り替え、通常の線形増幅動作領域に設定する第1のバイアス電圧と、該第1のバイアス電圧による動作領域で流れるドレイン電流より大きいドレイン電流を流す動作領域に設定する第2のバイアス電圧とに切り替える。
図1のFET増幅器のバイアス回路によるバイアス電圧のタイムチャートを図2に示す。図2において、(a)は第1のスイッチ1−1に切り替え制御信号として与える第1の時分割複信(TDD)制御信号#1の波形を示す。第1の時分割複信(TDD)制御信号#1は、通信用装置の受信(Rx)と送信(Tx)とを切り替え、同図に示すように、例えば、受信(Rx)時にローレベル、送信(Tx)時にハイレベルとなる。
図1の(b)は第2のスイッチ1−2に切り替え制御信号として与える第2の時分割複信(TDD)制御信号#2の波形を示す。第2の時分割複信(TDD)制御信号#2は、同図(b)に示すように、立ち上がり時に、第1の時分割複信(TDD)制御信号#1より若干遅れたタイミングで立ち上がり、立ち下がり時に、第1の時分割複信(TDD)制御信号#1と同時のタイミングで立ち下がる。
第2の時分割複信(TDD)制御信号#2がローレベルのときは、前述の大電流のドレイン電流を流す第2のバイアス電圧を与え、ハイレベルのときは、前述の通常増幅動作のドレイン電流を流す第1のバイアス電圧を与えるよう、前記第2のスイッチ1−2を切り替える。
こうすることにより、通信用装置が受信(Rx)の状態から送信(Tx)の状態に切り替わるタイミングでは、ゲートバイアス電圧が大電流のドレイン電流を流す大電流モードに設定された状態となる。この状態で、第1の時分割複信(TDD)制御信号#1の立ち上がり(Hイレベル)をトリガに、第1のスイッチ1−1がオフからオンに切り替わったとき、ゲートバイアス電圧が大電流モードの設定になっているため、通常動作時よりドレイン電流が多く流れ、短時間でコンデンサ4−3に電荷がチャージされ、ドレインバイアス電圧が短時間でハイレベルに達し、FET4−1を短時間でアクティブ状態とすることができる。
第1の時分割複信(TDD)制御信号#1の立ち上がりからコンデンサ4−3の充電が完了するまでの時定数に基づいて、第2の時分割複信(TDD)制御信号#2の立ち上げ遅延タイミングを決定する。そして第2の時分割複信(TDD)制御信号#2の立ち上がり(Hレベル)をトリガに、第2のスイッチ1−2を、大電流モードのゲートバイアス電圧から通常の増幅動作領域のゲートバイアス電圧を与える設定に切り替える。この状態で通信用装置は送信(Tx)を行う。
送信(Tx)から受信(Rx)に切り替わるときは、第1の時分割複信(TDD)制御信号#1の立ち下がり(Lレベル)をトリガに、第1のスイッチ1−1をオンからオフに切り替える。また、このタイミングと同時に、第2の時分割複信(TDD)制御信号#2を立ち下げ、第2のスイッチ1−2を大電流モードのゲートバイアス電圧を与える設定に切り替える。この大電流モードのゲートバイアス電圧の設定に切り替えることにより、コンデンサ4−3に蓄積されていた電荷は、大電流のドレイン電流として瞬時に消費される。その後、通信用装置は受信(Rx)を行う。
つまり、送信(Tx)から受信(Rx)に切り替わり、ドレインバイアス電圧供給用の第1のスイッチ1−1をオフにしたとき、直ちにコンデンサ4−3の電荷を消費させるために、ゲートバイアス電圧を通常電流モードのバイアス設定から大電流モードのバイアス設定に切り替える。大電流モードのバイアス設定とは、通常電流モードのバイアス設定時のドレイン電流Idsqよりも、より多くのドレイン電流を流すゲートバイアス電圧を与える設定である。
通常電流モード及び大電流モードのゲートバイアス電圧の設定例について図3を参照して説明する。同図はデプリーション型のFETのゲート−ソース間電圧Vgsとドレイン−ソース間電流Idsとの関係を示し、横軸はゲート−ソース間電圧Vgsを、縦軸はドレイン−ソース間電流Idsを示している。
同図に示すように、通常電流モードのゲートバイアス電圧設定時のドレイン電流Idsqより大きい電流、例えば2倍のドレイン電流(2×Idsq)が流れるゲートバイアス電圧を、大電流モードのゲートバイアス電圧として設定する。こうすることにより、コンデンサ4−3を充放電する時定数は、ドレイン電流に反比例して1/2となる。
なお、同図に示すように、大電流モードのゲートバイアス電圧は、通常電流モードのバイアス電圧より、絶対値として低い電圧となる。大電流モードのゲートバイアス電圧の設定値は、FETの立ち上がり時間(Tr)及び立ち下がり時間(Tf)の規格値によって決定される。また、大電流モードのゲートバイアス電圧の設定値を変えることで、FETのアクティブ状態/非アクティブ状態の切り替えのスイッチングスピードを制御することも可能である。
このように、時分割複信(TDD)制御信号の立ち上がり時に、ゲートバイアス電圧を大電流バイアス設定にしておき、ドレイン−ソース間が導通状態になったとき、瞬時に大電流でコンデンサをチャージする。コンデンサのチャージが完了すると、通常動作ゲートバイアス電圧の設定に戻す。
また、時分割複信(TDD)制御信号の立ち下がりと同時に、ゲートバイアス電圧を大電流モードのバイアスに設定にし、コンデンサに蓄積された電荷を、大電流導通状態のドレイン−ソース間の電流経路により放電する。この動作を時分割複信(TDD)の送信(Tx)と受信(Rx)毎に繰り返す。
ただし、このバイアス回路では、ドレインバイアス電圧とゲートバイアス電圧とをそれぞれ制御しなければいけないため、2系統の時分割複信(TDD)制御信号が必要となるが、FPGA(Field Programmable Gate Array)等により容易に構成することができる。また、時分割複信(TDD)制御信号を1系統として、タイミング遅延回路を使用して、ドレインバイアス電圧の供給と遮断並びに第1及び第2のゲートバイアス電圧の切り替えを行う回路を組むことも容易に実施可能である。
前述のバイアス回路の具体例として、第1のスイッチ1−1及び第2のスイッチ1−2にパワーMOS使用した構成とすることができる。また、第1のスイッチスイッチ1−1にパワーMOSを使用し、第2のスイッチ1−2に2入力1出力スイッチを使用した構成とすることができる。また、第2のスイッチ1−1にパワーMOSを使用し、第2のスイッチ1−2に小信号トランジスタを使用した構成とすることができる。
また、第1のスイッチ1−1に絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を使用し、第2のスイッチ1−2にパワーMOSを使用した構成とすることができる。また、第1のスイッチ1−1に絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を使用し、第2のスイッチ1−2に2入力1出力スイッチを使用した構成とすることができる。また、第1のスイッチ1−1に絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を使用し、第2のスイッチ1−2に小信号トランジスタを使用した構成とすることができる。
従来のバイアススイッチング方式も含めた各々のバイアススイッチング方式について、デバイスの信頼性、スイッチングスピード、コスト及び実装面積についての評価の比較を図10の表に示す。図10に表において、評価項目としてデバイス信頼性及びスイッチングスピードは、FET増幅器の機能及び性能に密接に係る点で優先順位の高い項目とし、コスト及び実装面積を優先順位の低い項目としている。
また、図10の表において、各評価項目について高い優位性を有するものを○印、中程度の優位性を有するものを△印、優位性のないものを×印で示している。優先順位の低い評価項目について、○印に対して評価点を2、△印に対して評価点を1、×印に対して評価点を0としている。そして、優先順位の高い評価項目について、その2倍の評価点とし、○印に対して評価点を4、△印に対して評価点を2、×印に対して評価点を0として、評価点を与えている。但し、評価点は一例として与えたものである。
デバイスの信頼性及びスイッチングスピードは、優先順位の高い項目であり、これら2項目を満足する方式となると、図6の放電回路を設けたドレインバイアススイッチング方式と、図1のドレイン及びゲートバイアススイッチング方式となる。これら2つの方式をコスト面及び実装面積で比較すると、図1のドレイン及びゲートバイアススイッチング方式が優位である。
1−1 第1のスイッチ
1−2 第2のスイッチ
4−1 FET
4−3 コンデンサ
1−2 第2のスイッチ
4−1 FET
4−3 コンデンサ
Claims (3)
- ドレインラインに並列にコンデンサが接続されたFET増幅器に対して、ドレインバイアス電圧を供給する経路に直列に挿入され、ドレインバイアス電圧の供給と遮断とを切り替える第1のスイッチと、
前記FET増幅器に与えるゲートバイアス電圧を、ドレイン電流が通常増幅動作点の領域となる第1のゲートバイアス電圧と、該第1のバイアス電圧による動作点の領域で流れるドレイン電流より大きいドレイン電流が流れる第2のゲートバイアス電圧とに切り替える第2のスイッチとを備え、
前記第1のスイッチによりドレインバイアス電圧を供給しているとき、前記第2のスイッチにより前記第1のゲートバイアス電圧を供給し、前記第1のスイッチによるドレインバイアス電圧の供給の遮断と同時に、前記第2のスイッチによりゲートバイアス電圧を前記第2のゲートバイアス電圧に切り替える構成を有するFET増幅器のバイアス回路。 - 前記第1のスイッチでドレインバイアス電圧の供給を遮断しているとき、前記2のスイッチにより前記第2のゲートバイアス電圧を供給し、前記第1のスイッチによりドレインバイアス電圧の供給を開始した後、前記第2のゲートバイアス電圧でのドレイン電流による前記コンデンサの充電完了後に、前記第2のスイッチにより前記第1のゲートバイアス電圧に切り替える構成を有する請求項1に記載のFET増幅器のバイアス回路。
- 通信用装置の送信と受信とを切り替える時分割複信制御信号を用いて前記第1及び第2のスイッチの切り替えを制御し、該時分割複信制御信号が送信を示すとき、ドレインバイアス電圧を供給し、時分割複信制御信号が受信を示すときに、ドレインバイアス電圧の供給を遮断するよう前記第1のスイッチを切り替え、
時分割複信制御信号が送信を示すとき、前記コンデンサの充電完了のタイミング分遅延させて、前記第1のゲートバイアス電圧を供給するよう前記第2のスイッチを切り替え、時分割複信制御信号が受信を示すとき、前記第2のゲートバイアス電圧を供給するよう前記第2のスイッチを切り替える構成を有する請求項2に記載のFET増幅器のバイアス回路。
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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