JP2009272317A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 基板上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層させた構成の多層反射膜を有する多層反射膜付基板の製造方法であって、前記高屈折率層は、高屈折率材料で構成され、前記低屈折率層は、Ｓｉ又はＳｉ化合物の低屈折率材料で構成されており、少なくとも前記高屈折率層は、前記高屈折率材料のスパッタリングターゲットからの飛散粒子が前記基板の表面から垂直な方向に対して、所定の角度を持って入射するように成膜する斜入射成膜で形成されることを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。
2. 前記高屈折率層は、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ及びＲｈからなる群より選ばれる材料であることを特徴とする請求項１記載の多層反射膜付基板の製造方法。
3. 前記所定の角度は、４０度以上９０度未満であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の多層反射膜付基板の製造方法。
4. 前記多層反射膜の低屈折率層は、Ｓｉターゲットからの飛散粒子が前記基板の表面に対して概ね垂直方向に入射するように成膜する直入射成膜で形成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の多層反射膜付基板の製造方法。
5. 前記直入射成膜は、前記Ｓｉターゲットからの飛散粒子が前記基板の表面から垂直な方向に対して０度以上４０度以下の角度を持って入射するように成膜することを特徴とする請求項４記載の多層反射膜付基板の製造方法。
6. 前記多層反射膜は、イオンビームスパッタリング法を用いて成膜されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の多層反射膜付基板の製造方法。
7. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の製造方法で得られた多層反射膜付基板の多層反射膜上に、露光光を吸収する吸収体膜を成膜して形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
8. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の製造方法で得られた多層反射膜付基板の多層反射膜上面に、Ｒｕを主成分とするバッファ膜を成膜し、該バッファ膜上面に露光光を吸収する吸収体膜を成膜して形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
9. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の製造方法で得られた多層反射膜付基板の多層反射膜上面に、Ｃｒを主成分とするバッファ膜を成膜し、該バッファ膜上面に露光光を吸収する吸収体膜を成膜して形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
10. 請求項７又は請求項８記載の製造方法により得られた反射型マスクブランクの前記吸収体膜に転写パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
11. 請求項９記載の製造方法により得られた反射型マスクブランクの前記吸収体膜及びバッファ膜に転写パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。