JP2009270903A - 半導体装置の試験装置および試験方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 試験装置は、入力端子IN、出力端子OUTおよび制御端子CTRLを含み、制御端子CTRLに印加された制御信号に基づき出力端子がハイインピーダンス状態となる動作を含む半導体装置1を試験する。試験装置は、テスト信号供給回路20と、出力端子から出力された出力信号と基準電圧とを比較する比較回路30と、基準電圧をハイレベル側またはローレベル側の電圧に設定する基準電圧設定部40と、制御信号が印加されたとき、出力信号に負荷電圧を供給する負荷電圧供給回路50とを有する。負荷電圧供給回路50は、基準電圧がハイレベル側に設定されたとき、当該ハイレベル側の電圧よりも高い負荷電圧を出力信号に供給し、基準電圧がローレベル側に設定されたとき、当該ローレベル側の電圧よりも低い負荷電圧を出力信号に供給する。
【選択図】 図1
Description
被測定対象である半導体装置1は、入力端子IN、出力端子OUT、制御端子CTRL、電源供給端子Vcc、グランド端子GNDを含み、入力端子INに入力されたハイまたはローレベルの信号に応答して出力端子OUTからハイまたはローレベルの信号を出力する。制御端子CTRLは、印加された制御信号のハイまたはローレベルに応じて半導体装置1の動作を制御する。例えば、制御信号がハイレベルのとき、入力端子INと出力端子OUTは、内部の論理回路を介して電気的に接続され、出力端子OUTからは、論理回路の論理式に従った信号が出力される。他方、制御信号がローレベルのとき、入力端子INと出力端子OUTは切り離され、出力端子OUTは、入力端子の信号のレベルに無関係にハイインピーダンス状態となる。
また、負荷電圧Vthを基準電圧Vcmpより大きくした条件で且つハイインピーダンスになっていない場合には、出力信号Toutがローになるテスト信号Tinを印加するようにしたので、テスト信号Tinのレベルと反転したレベルの期待値信号Texpを得ることができ、これによりハイインピーダンス状態を判定することが可能になる。このように本実施例によれば、1つの比較回路を用いて、効率よく多様なファンクションテストを実施することができる。
20:テスト信号供給回路
22:電圧生成回路
30:比較回路
40:基準電圧設定部
50:負荷電圧供給回路
60:判定回路
DRV、PIN、LOAD:スイッチ
Claims (8)
- 入力端子、出力端子および制御端子を含み、制御端子に印加された制御信号に基づき出力端子がハイインピーダンス状態となる動作を含む半導体装置を試験する試験装置であって、
前記入力端子に印加されたテスト信号を供給する供給回路と、
テスト信号に応答して前記出力端子から出力された出力信号と基準電圧とを比較し、ハイまたはローレベルの期待値信号を出力する比較回路と、
前記基準電圧をハイレベル側またはローレベル側の電圧に設定する基準電圧設定部と、
前記制御信号が印加されたとき、前記出力信号に負荷電圧を供給する負荷電圧供給回路とを有し、
前記負荷電圧供給回路は、前記基準電圧がハイレベル側に設定されたとき、当該ハイレベル側の電圧よりも高い負荷電圧を前記出力信号に供給し、前記基準電圧がローレベル側に設定されたとき、当該ローレベル側の電圧よりも低い負荷電圧を前記出力信号に供給する、試験装置。 - 前記基準電圧設定部は、前記制御信号が印加されたとき、ハイレベルのテスト信号に対してローレベル側の基準電圧を設定し、ローレベルのテスト信号に対してハイレベル側の基準電圧を設定する、請求項1に記載の試験装置。
- 前記負荷電圧供給回路は、前記制御信号に応答して開閉するスイッチを含み、前記スイッチは、前記制御信号が印加されたとき閉じ、負荷電圧を前記出力信号に供給する、請求項1に記載の試験装置。
- 負荷電圧供給回路は、半導体装置の入力端子または出力端子に負荷電流を供給する機能を有する、請求項1に記載の試験装置。
- 試験装置はさらに、比較回路から出力された期待値信号とテスト信号とが真理値表に一致するか否かを判定する判定回路を含む、請求項1ないし4いずれか1つに記載の試験装置。
- 入力端子、出力端子および制御端子を含み、制御端子に印加された制御信号に基づき出力端子がハイインピーダンス状態となる動作を含む半導体装置のファンクションを試験する方法であって、
前記入力端子にテスト信号を印加し、かつ前記制御端子に制御信号を印加するステップと、
前記出力端子に現れた出力信号に負荷電圧を供給するステップと、
前記負荷電圧が供給された出力信号と基準電圧とを比較するステップと、
比較結果である期待値信号とテスト信号からファンクションが正常であるか否かを判定するステップを含み、
前記テスト信号がハイレベルのとき前記基準電圧がローレベル側の電圧に設定され、前記テスト信号がローレベルのとき前記基準電圧がハイレベル側の電圧に設定され、前記負荷電圧は、前記基準電圧がハイレベル側のとき当該ハイレベル側の電圧よりも高く、前記基準電圧がローレベル側のとき当該ローレベル側の電圧よりも低い、試験方法。 - 試験方法はさらに、前記入力端子にテスト信号を印加するステップと、
前記出力信号に現れた出力信号と基準電圧とを比較するステップと、
比較結果である期待値信号とテスト信号からファンクションが正常であるか否かを判定するステップを含む、請求項6に記載の試験方法。 - 入力端子、出力端子および制御端子を含み、制御端子に印加された制御信号に基づき出力端子がハイインピーダンス状態となる動作を含む半導体装置のファンクションを試験する方法であって、
比較回路の基準電圧が第1レベルのときに、前記入力端子にテスト信号を印加して前記出力端子に現れた出力信号と第1レベルの基準電圧を比較し、かつ、前記入力端子にテスト信号を印加するとともに前記制御端子に制御信号を印加し、前記出力信号に第1の負荷電圧を供給し、当該第1の負荷電圧が供給された出力信号と第1レベルの基準電圧を比較し、第1のファンクションテストを行う第1のステップと、
比較回路の基準電圧が第2レベルのときに、前記入力端子にテスト信号を印加して前記出力端子に現れた出力信号と第2レベルの基準電圧を比較し、かつ、前記入力端子にテスト信号を印加するとともに前記制御端子に制御信号を印加し、前記出力信号に第2の負荷電圧を供給し、当該第2の負荷電圧が供給された出力信号と第2レベルの基準電圧を比較し、第2のファンクションテストを行う第2のステップとを有し、
第1のステップまたは第2のステップのいずれかが先に実行され、
基準電圧の第1レベルが第2レベルよりも大きいとき、第1の負荷電圧は第1レベルよりも大きく、第2の負荷電圧は第2レベルよりも小さい、
試験方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103744031A (zh) * | 2013-12-13 | 2014-04-23 | 珠海瑞捷电气有限公司 | 电源检测装置 |
JP2018040762A (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | Necプラットフォームズ株式会社 | 検査装置、検査システム、検査方法、及び検査プログラム |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1873537B1 (fr) * | 2006-06-29 | 2011-02-16 | St Microelectronics S.A. | Détection de type de détecteur de pics parasites dans l'alimentation d'un circuit intégré |
CN102175962B (zh) * | 2011-01-30 | 2013-03-13 | 深圳创维数字技术股份有限公司 | 一种测试方法及测试设备 |
US9134395B2 (en) | 2012-03-07 | 2015-09-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for testing comparator and device therefor |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6144371A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体試験装置 |
JPH06324105A (ja) * | 1993-05-11 | 1994-11-25 | Hitachi Ltd | 半導体試験装置 |
JPH09166649A (ja) * | 1995-12-13 | 1997-06-24 | Advantest Corp | Icテストシステムにおけるi/oピン測定方法 |
JPH11101850A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Ando Electric Co Ltd | Ic試験装置 |
JP2000267881A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Advantest Corp | 半導体デバイスシミュレート装置及びそれを用いた半導体試験用プログラムデバッグ装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3617621B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2005-02-09 | シャープ株式会社 | 半導体集積回路の検査装置及びその検査方法 |
DE10064478B4 (de) * | 2000-12-22 | 2005-02-24 | Atmel Germany Gmbh | Verfahren zur Prüfung einer integrierten Schaltung und Schaltungsanordnung |
US6876218B1 (en) * | 2003-02-14 | 2005-04-05 | Xilinx, Inc. | Method for accurate output voltage testing |
-
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-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6144371A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体試験装置 |
JPH06324105A (ja) * | 1993-05-11 | 1994-11-25 | Hitachi Ltd | 半導体試験装置 |
JPH09166649A (ja) * | 1995-12-13 | 1997-06-24 | Advantest Corp | Icテストシステムにおけるi/oピン測定方法 |
JPH11101850A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Ando Electric Co Ltd | Ic試験装置 |
JP2000267881A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Advantest Corp | 半導体デバイスシミュレート装置及びそれを用いた半導体試験用プログラムデバッグ装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103744031A (zh) * | 2013-12-13 | 2014-04-23 | 珠海瑞捷电气有限公司 | 电源检测装置 |
CN103744031B (zh) * | 2013-12-13 | 2017-01-11 | 珠海瑞捷电气股份有限公司 | 电源检测装置 |
JP2018040762A (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | Necプラットフォームズ株式会社 | 検査装置、検査システム、検査方法、及び検査プログラム |
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