JP2009260929A - スプリッタ回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】出力ポート間のアイソレーションを改善する。
【解決手段】入力ポート1と、出力ポート2と、出力ポート3と、入力ポート1と出力ポート2間にあって、入力ポート1の信号を増幅して出力ポート2に出力するFET6と、入力ポート1と出力ポート3間にあって、入力ポート1の信号を増幅して出力ポート3に出力するFET11と、出力ポート2、3間に接続されるインピーダンス回路と、を備える。インピーダンス回路は、一端を出力ポート2に接続する、インダクタ15とダイオード17を直列形態で含む直列回路と、一端を出力ポート3に接続するインダクタ16とダイオード18を直列形態で含む直列回路と、2つの直列回路の他端と接地との間に接続される抵抗素子19と、を備える。ダイオード17、18は、FET6、11に電源の電圧が与えられる場合に順方向に電流が流れるように接続される。
【選択図】図1
【解決手段】入力ポート1と、出力ポート2と、出力ポート3と、入力ポート1と出力ポート2間にあって、入力ポート1の信号を増幅して出力ポート2に出力するFET6と、入力ポート1と出力ポート3間にあって、入力ポート1の信号を増幅して出力ポート3に出力するFET11と、出力ポート2、3間に接続されるインピーダンス回路と、を備える。インピーダンス回路は、一端を出力ポート2に接続する、インダクタ15とダイオード17を直列形態で含む直列回路と、一端を出力ポート3に接続するインダクタ16とダイオード18を直列形態で含む直列回路と、2つの直列回路の他端と接地との間に接続される抵抗素子19と、を備える。ダイオード17、18は、FET6、11に電源の電圧が与えられる場合に順方向に電流が流れるように接続される。
【選択図】図1
Description
本発明は、スプリッタ回路に関し、特にアクティブ素子を含むスプリッタ回路に関する。
スプリッタ回路は、CATV/デジタルTV用STB(セットトップボックス)/TV等に広く使用されている。FET等のアクティブ素子を含むスプリッタ回路(アクティブスプリッタ回路)は、ゲインが必要な場合に使用される。このようなスプリッタ回路の重要な性能の一つとして、出力ポート間のアイソレーションが挙げられる。通常は、広帯域化のために、出力から入力へのフィードバック回路が搭載されるため、アクティブ素子であるFETのアイソレーションを改善するだけでは、十分な性能が得られず、FET周辺の回路で、アイソレーションを改善する必要がある。
図9は、特許文献1に記載されているスプリッタ回路の回路図である。入力端子116は、容量素子Cを介して接地すると共に、インダクタL1を介してFETQ1、Q2のゲートに接続される。FETQ1は、ソースを接地し、ドレインを出力ポート118に接続し、ドレインとゲート間にインダクタL2と抵抗素子R1からなるフィードバック回路121を接続する。FETQ2は、ソースを接地し、ドレインを出力ポート120に接続し、ドレインとゲート間にインダクタL3と抵抗素子R2からなるフィードバック回路123を接続する。また、出力ポート118および出力ポート120のアイソレーションを改善するために、抵抗R3およびインダクタL4で構成される回路114が出力ポート118、120間に接続される。
以上のような構成のスプリッタ回路において、FETQ1およびFETQ2が動作しているとき、出力ポート118から入力されたRF信号は、回路114を通過する信号と、FETQ1のフィードバック回路121もしくはFETQ1を通過する信号に分岐する。回路121もしくはFETQ1を通過した信号は、さらにパス110、112を通過して、FETQ2に入力され増幅される。この際、位相が180度シフトして、出力ポート120へと出力される。一方、回路114を通過した信号は、位相シフトされないまま、出力ポート120へと達する。このため、出力ポート120では、位相がシフトしていない信号と、180度シフトした信号とでそれぞれキャンセルされて出力ポート120における信号は減衰し、アイソレーションが改善される。
また、同様に動作する回路が特許文献2においても記載されている。
以下の分析は本発明において与えられる。
図9において、FETQ1およびQ2がオン状態のときは、アイソレーションが改善される。しかしながら、FETQ1およびQ2がオフ状態のときは、FETQ1、Q2は、RF信号に対してほぼオープンとなり、出力ポート118から入力された信号は、回路114を通って出力ポート120に出力されてしまい、アイソレーションが劣化する。したがって、スプリッタ回路の電源がオフのときは、出力ポート118、120に接続された回路、デバイスが相互に影響を受けることになる。
図10は、従来回路におけるアイソレーション特性を示す図である。図10において、曲線AはFETQ1、Q2が動作状態のときの特性であり、曲線BはFETQ1、Q2がオフ状態のときの特性である。図10の曲線Bに示すように、FETがオフのときはアイソレーションが悪化していることが分かる。
本発明の1つのアスペクト(側面)に係るスプリッタ回路は、入力端子と、第1の出力端子と、第2の出力端子と、入力端子と第1の出力端子との間にあって、入力端子の信号を増幅して第1の出力端子に出力する第1の増幅器と、入力端子と第2の出力端子との間にあって、入力端子の信号を増幅して第2の出力端子に出力する第2の増幅器と、第1および第2の出力端子間に接続されるインピーダンス回路と、を備える。インピーダンス回路は、第1の電源が第1および第2の増幅器に供給される場合に所定のインピーダンスとなり、第1の電源が第1および第2の増幅器に供給されない場合に開放状態となるように構成される。
本発明の他のアスペクト(側面)に係るスプリッタ回路は、入力端子と、第i(i=1〜nの整数、nは2以上の整数)の出力端子と、入力端子と第iの出力端子との間にあって、入力端子の信号を増幅して第iの出力端子に出力する第iの増幅器と、第j(j=1〜n−1の整数)および第k(k=j+1〜nの整数)の出力端子間に接続されるインピーダンス回路と、を備え、インピーダンス回路は、第1の電源が第jおよび第kの増幅器に供給される場合に所定のインピーダンスとなり、第1の電源が第jおよび第kの増幅器に供給されない場合に開放状態となるように構成される。
本発明のさらに他のアスペクト(側面)に係るスプリッタ回路は、入力端子と、第i(i=1〜nの整数、nは2以上の整数)の出力端子と、入力端子と第iの出力端子との間にあって、入力端子の信号を増幅して第iの出力端子に出力する第iの増幅器と、第1〜第nの出力端子の内2個以上の出力端子に接続されるインピーダンス回路と、を備え、インピーダンス回路は、第1の電源が2個以上の出力端子にそれぞれ対応する増幅器に供給される場合に、2個以上の出力端子から選択される2個の出力端子間が所定のインピーダンスとなり、第1の電源が供給されない場合に、選択される2個の出力端子におけるインピーダンスが開放状態となるように構成される。
本発明によれば、増幅器における電源供給の有無によらず、第1および第2の出力端子間のアイソレーションを改善することができる。
本発明の実施形態に係るスプリッタ回路は、入力端子(入力ポート)と、第1の出力端子(出力ポート)と、第2の出力端子と、入力端子と第1の出力端子との間にあって、入力端子の信号を増幅して第1の出力端子に出力する第1の増幅器と、入力端子と第2の出力端子との間にあって、入力端子の信号を増幅して第2の出力端子に出力する第2の増幅器と、第1および第2の出力端子間に接続されるインピーダンス回路と、を備える。インピーダンス回路は、第1の電源が第1および第2の増幅器に供給される場合に所定のインピーダンスとなり、第1の電源が第1および第2の増幅器に供給されない場合に開放状態となるように構成される。
本発明のスプリッタ回路において、インピーダンス回路は、一端を第1の出力端子に接続する、第1のインダクタと第1のダイオードを直列形態で含む第1の直列回路と、一端を第2の出力端子に接続する、第2のインダクタと第2のダイオードを直列形態で含む第2の直列回路と、第1および第2の直列回路の他端と第2の電源との間に接続される抵抗素子と、を備える。第1および第2のダイオードは、第1の電源と第2の電源の電圧が異なる場合に順方向に電流が流れるように接続されることが好ましい。
本発明のスプリッタ回路において、第1の電源の電圧が第2の電源の電圧より高く設定され、第1のダイオードは、アノードを第1のインダクタを介して第1の出力端子に接続し、カソードを抵抗素子の一端に接続し、第2のダイオードは、アノードを第2のインダクタを介して第2の出力端子に接続し、カソードを抵抗素子の一端に接続し、抵抗素子の他端を第2の電源に接続することが好ましい。
本発明の半導体装置において、上記のスプリッタ回路を含むことが好ましい。
本発明のスプリッタ装置において、抵抗素子を除く上記のスプリッタ回路を含む半導体装置を含み、抵抗素子は、半導体装置の外部にあって、半導体装置とボンディングワイヤを介して接続されるようにしてもよい。
以上のようなスプリッタ回路において、第1の電源が第1および第2の増幅器に供給される場合、出力端子において、位相シフトが無い信号と180度シフトする信号とによるキャンセルが生じる。また、第1の電源が第1および第2の増幅器に供給されない場合、出力端子間が開放状態となったインピーダンス回路で遮断される。したがって、第1の電源の供給の有無によらず、出力端子間のアイソレーションを維持することができる。
以下、実施例に即し、図面を参照して詳しく説明する。
図1は、本発明の第1の実施例に係るスプリッタ回路の回路図である。図1において、1は入力ポート、2、3は出力ポートを表す。入力ポート1には、DCカット用の容量素子5、10を介して増幅用のFET6、11のゲートが接続される。FET6、11のソースは、それぞれソース回路20、21を介して接地される。またFET6、11のドレインは、それぞれフィードバック回路4、9を介して入力ポート1に接続されると共に、それぞれ出力ポート2、3にも接続される。またDC電圧を供給するため、FET6、11のゲートは、それぞれゲートバイアス回路7、12を介して電源8へ接続され、それぞれのドレインもドレインバイアス回路13、14を介して電源8へ接続される。ゲートバイアス回路7、12およびドレインバイアス回路13、14は、RF信号を通さない回路、例えばインダクタ、抵抗素子、これらの組み合わせ等で構成される。
また、ダイオード17、18のアノードは、それぞれインダクタ15、16を介して出力ポート2、3に接続される。ダイオード17のカソードとダイオード18のカソードは、共通に接続され、抵抗素子19を介して接地される。ここで、抵抗素子19の抵抗値は、ダイオード17、18のオン抵抗値にくらべ十分大きい値とする。また、抵抗素子19の抵抗値は、FET6、11が動作状態、すなわち電源8から例えば5Vの電圧が供給されている場合に、ダイオード17および18がオン状態になるようにアノード、カソード間に電圧がかかるよう、最適化されているとする。
図1において、FET6、11が動作状態の場合、すなわち電源8から例えば5Vの電圧が供給されている場合は、以下のように動作する。この際、ダイオード17、18は、最適化された抵抗素子19により、オン状態となっている。
ポート2から入力されたRF信号は、フィードバック回路4もしくはFET6を通る信号とインダクタ15を通る信号とに分岐する。フィードバック回路4もしくはFET6を通る信号は、FET11のゲートへと入力され、増幅されてポート3へと出力され、この際位相が180度シフトする。一方、インダクタ15、16の値が小さく、抵抗素子19の抵抗値がダイオード17、18のオン抵抗より十分大きい場合、インダクタ15を通る信号は、位相シフトされずに、ダイオード17、18、インダクタ16を通ってポート3へと出力される。したがって、ダイオード17、18のオン抵抗を最適化すれば、ポート3において、位相が180度シフトした信号と、位相シフトが無い信号との間でキャンセレーションが起き、ポート3からの信号は減衰するため、ポート2、3間のアイソレーションが改善される。また、キャンセルする2つの信号の位相差が、配線やFET特性等の影響で、180度とならない場合には、インダクタ15、16のインダクタンスを、位相差が180度となってキャンセルするよう調整する。また、ポート3から入力されたRF信号についても同様にポート2においてキャンセルされる。
一方、図1において、FET6、11がオフ状態の場合、すなわち電源8が例えば0Vである場合は、以下のように動作する。この際、ダイオード17、18は、アノード、カソード間に電圧がかからないため、オフ状態となっている。
ポート2から入力されたRF信号は、FET6、ダイオード17がオフ状態であるため、ほとんどがフィードバック回路4および9を介してポート3から出力される。この場合、フィードバック回路4、9は、一般に高抵抗であるので、ポート3における信号は小さく、アイソレーションは悪化しない。また、ポート3から入力されたRF信号についても同様にポート2において信号は小さく、アイソレーションは悪化しない。
図2は、本発明の第1の実施例に係るスプリッタ回路におけるアイソレーション特性を示す図である。曲線AはFETが動作状態のとき、曲線BはFETがオフ状態のときの特性であって、オン、オフにかかわらず、良好なアイソレーション特性が維持されていることが示される。すなわち、従来のスプリッタ回路における出力ポート間の抵抗R3を、本実施例では、FETのオフ時にあわせてオフするダイオード17、18に置き換えることで、オフ時のアイソレーション特性を大幅に改善することができる(図10の曲線B対図2の曲線B)。
図3は、本発明の第2の実施例に係るスプリッタ回路の回路図である。図3において、図1と同一の符号は同一物を表し、その説明を省略する。図3の抵抗素子19aは、図1の抵抗素子19と同様のものであるが、ICの外部部品として構成される点が第1の実施例と異なる。22は、ICと外部部品とされる抵抗素子19aを接続するためのボンディングワイヤであって、ダイオード17、18のカソードと抵抗素子19aの一端とを接続する。第2の実施例に係るスプリッタ回路の動作は、実施例1と同様であり、同様の効果を奏する。
本実施例では、抵抗素子19aを外部部品とすることで、ポート2、3間のアイソレーション特性を変更するための抵抗素子19aの抵抗値の調整が、外部において調整可能であり容易である。また、抵抗素子19aとして、適切な温度特性をもつ部品を使用することで、出力ポート間のアイソレーション特性における温度特性を改善することができる。
図4は、本発明の第3の実施例に係るスプリッタ回路の回路図である。図4において、入力ポートIN、出力ポートOUT1〜OUTn、容量素子C1〜Cn、FETMN1〜MNn、ソース回路SC1〜SCn、フィードバック回路FC1〜FCn、ゲートバイアス回路GC1〜GCn、ドレインバイアス回路DC1〜DCn、電源VDD、ダイオードD12〜Dnn−1、インダクタL12〜Lnn−1、抵抗素子R12〜Rn−1nは、図1の入力ポート1、出力ポート2、3、容量素子5、10、FET6、11、ソース回路20、21、フィードバック回路4、9、ゲートバイアス回路7、12、ドレインバイアス回路13、14、電源8、ダイオード17、18、インダクタ15、16、抵抗素子19にそれぞれ相当し、同様に動作する。
図1のスプリッタ回路は、入力端子を共通とする2個の増幅部が存在している。これに対し、図4のスプリッタ回路は、入力端子を共通とするn個の増幅部が存在し、2個の増幅部の出力端子間にそれぞれインピーダンス回路が配される。これらのインピーダンス回路は、第1の実施例と同様に、増幅部内のFETが動作状態のときに、出力ポートにおいて、位相が180度シフトした信号と、位相シフトが無い信号との間でキャンセレーションが起き、出力ポートからの信号は減衰する。したがって、2個の増幅部の出力端子間のアイソレーションが改善される。一方、2個の増幅部内のFETがオフ状態のときに、インピーダンス回路がハイインピーダンスとなり、2個の増幅部の出力端子間のアイソレーションは、悪化しない。
図5は、本発明の第3の実施例に係るスプリッタ回路におけるアイソレーション特性を示す図である。曲線AはFETが動作状態のとき、曲線BはFETがオフ状態のときの特性であって、オン、オフにかかわらず、良好なアイソレーション特性が維持されていることが示される。
第3の実施例に係るスプリッタ回路によれば、3分岐以上の場合の構成であっても、第1の実施例と同様に出力端子間のアイソレーションを維持することができる。なお、抵抗素子R12〜Rn−1nを外部部品とし、これらをボンディングワイヤで接続するようにしてもよいことは、第2の実施例と同様である。なお、上記において、n=2とすれば図1と一致する。
図6は、本発明の第4の実施例に係るスプリッタ回路の回路図である。図6において、図4と同一の符号は、同一物を表し、その説明を省略する。図6に示すスプリッタ回路は、図4のダイオードD12〜Dnn−1、インダクタL12〜Lnn−1、抵抗素子R12〜Rn−1nに替え、ダイオードD1〜Dn、インダクタL1〜Ln、抵抗素子R0を備える。
インダクタLi、ダイオードDiからなる直列回路は、出力ポートOUTiと抵抗素子R0の一端との間に備えられる。抵抗素子R0は、一端をダイオードD1〜Dnのカソードに共通に接続し、他端を接地する。
このような構成のスプリッタ回路は、入力端子を共通とするn個の増幅部が存在し、n個の増幅部の出力端子間にインピーダンス回路が配される。このインピーダンス回路は、第1の実施例と同様に、増幅部内のFETが動作状態のときに、出力ポートにおいて、位相が180度シフトした信号と、位相シフトが無い信号との間でキャンセレーションが起き、出力ポートからの信号は減衰する。したがって、2個の増幅部の出力端子間のアイソレーションが改善される。一方、2個の増幅部内のFETがオフ状態のときに、インピーダンス回路がハイインピーダンスとなり、2個の増幅部の出力端子間のアイソレーションは、悪化しない。
図7は、本発明の第4の実施例に係るスプリッタ回路におけるアイソレーション特性を示す図である。曲線AはFETが動作状態のとき、曲線BはFETがオフ状態のときの特性であって、オン、オフにかかわらず、良好なアイソレーション特性が維持されていることが示される。
第4の実施例に係るスプリッタ回路によれば、3分岐以上の場合の構成であっても、第1の実施例と同様に出力端子間のアイソレーションを維持することができる。なお、抵抗素子R0を外部部品とし、これらをボンディングワイヤで接続するようにしてもよいことは、第2の実施例と同様である。なお、上記において、n=2とすれば図1と一致する。
図8は、本発明の第5の実施例に係るスプリッタ回路の回路図である。図8において、図6と同一の符号は、同一物を表し、その説明を省略する。図8に示すスプリッタ回路は、図6のダイオードD2、D4〜Dn、インダクタL2、L4〜Lnを省いた回路である。このスプリッタ回路は、出力ポートOUT1、OUT3に関し、第1の実施例に係るスプリッタ回路と同一構成となる。
全ての出力ポート間の良好なアイソレーション特性が必要なく、例えば出力ポートOUT1、OUT3の間のアイソレーションのみ必要な場合、出力ポートOUT1、OUT3のみにインダクタL1、L3およびダイオードD1、D3をそれぞれ接続する。このような構成によれば、実施例3、4に比べて回路の簡略化が図られる。
なお、前述の特許文献等の各開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示(請求の範囲を含む)の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
1 入力ポート
2、3 出力ポート
4、9 フィードバック回路
5、10 容量素子
6、11 FET
7、12 ゲートバイアス回路
8 電源
13、14 ドレインバイアス回路
15、16 インダクタ
17、18 ダイオード
19、19a 抵抗素子
20、21 ソース回路
22 ボンディングワイヤ
C1〜Cn 容量素子
D1〜Dn、D12〜Dnn−1 ダイオード
DC1〜DCn ドレインバイアス回路
FC1〜FCn フィードバック回路
GC1〜GCnゲートバイアス回路
IN 入力ポート
L1〜Ln、L12〜Lnn−1 インダクタ
MN1〜MNn FET
OUT1〜OUTn 出力ポート
R0、R12〜Rn−1n 抵抗素子
SC1〜SCn ソース回路
VDD 電源
2、3 出力ポート
4、9 フィードバック回路
5、10 容量素子
6、11 FET
7、12 ゲートバイアス回路
8 電源
13、14 ドレインバイアス回路
15、16 インダクタ
17、18 ダイオード
19、19a 抵抗素子
20、21 ソース回路
22 ボンディングワイヤ
C1〜Cn 容量素子
D1〜Dn、D12〜Dnn−1 ダイオード
DC1〜DCn ドレインバイアス回路
FC1〜FCn フィードバック回路
GC1〜GCnゲートバイアス回路
IN 入力ポート
L1〜Ln、L12〜Lnn−1 インダクタ
MN1〜MNn FET
OUT1〜OUTn 出力ポート
R0、R12〜Rn−1n 抵抗素子
SC1〜SCn ソース回路
VDD 電源
Claims (11)
- 入力端子と、
第1の出力端子と、
第2の出力端子と、
前記入力端子と前記第1の出力端子との間にあって、前記入力端子の信号を増幅して前記第1の出力端子に出力する第1の増幅器と、
前記入力端子と前記第2の出力端子との間にあって、前記入力端子の信号を増幅して前記第2の出力端子に出力する第2の増幅器と、
前記第1および第2の出力端子間に接続されるインピーダンス回路と、
を備え、
前記インピーダンス回路は、第1の電源が前記第1および第2の増幅器に供給される場合に所定のインピーダンスとなり、前記第1の電源が前記第1および第2の増幅器に供給されない場合に開放状態となるように構成されることを特徴とするスプリッタ回路。 - 前記インピーダンス回路は、
一端を前記第1の出力端子に接続する、第1のインダクタと第1のダイオードを直列形態で含む第1の直列回路と、
一端を前記第2の出力端子に接続する、第2のインダクタと第2のダイオードを直列形態で含む第2の直列回路と、
前記第1および第2の直列回路の他端と第2の電源との間に接続される抵抗素子と、
を備え、
前記第1および第2のダイオードは、前記第1の電源と第2の電源の電圧が異なる場合に順方向に電流が流れるように接続されることを特徴とする請求項1記載のスプリッタ回路。 - 前記第1の電源の電圧が前記第2の電源の電圧より高く設定され、
前記第1のダイオードは、アノードを前記第1のインダクタを介して前記第1の出力端子に接続し、カソードを前記抵抗素子の一端に接続し、
前記第2のダイオードは、アノードを前記第2のインダクタを介して前記第2の出力端子に接続し、カソードを前記抵抗素子の一端に接続し、
前記抵抗素子の他端を前記第2の電源に接続することを特徴とする請求項2記載のスプリッタ回路。 - 入力端子と、
第i(i=1〜nの整数、nは2以上の整数)の出力端子と、
前記入力端子と第iの出力端子との間にあって、前記入力端子の信号を増幅して第iの出力端子に出力する第iの増幅器と、
第j(j=1〜n−1の整数)および第k(k=j+1〜nの整数)の出力端子間に接続されるインピーダンス回路と、
を備え、
前記インピーダンス回路は、第1の電源が第jおよび第kの増幅器に供給される場合に所定のインピーダンスとなり、前記第1の電源が第jおよび第kの増幅器に供給されない場合に開放状態となるように構成されることを特徴とするスプリッタ回路。 - 前記インピーダンス回路は、
一端を前記第jの出力端子に接続する、第jのインダクタと第jのダイオードを直列形態で含む第jの直列回路と、
一端を前記第kの出力端子に接続する、第kのインダクタと第kのダイオードを直列形態で含む第kの直列回路と、
前記第jおよび第kの直列回路の他端と第2の電源との間に接続される抵抗素子と、
を備え、
前記第jおよび第kのダイオードは、前記第1の電源と第2の電源の電圧が異なる場合に順方向に電流が流れるように接続されることを特徴とする請求項4記載のスプリッタ回路。 - 前記第1の電源の電圧が前記第2の電源の電圧より高く設定され、
前記第jのダイオードは、アノードを前記第jのインダクタを介して前記第jの出力端子に接続し、カソードを前記抵抗素子の一端に接続し、
前記第kのダイオードは、アノードを前記第kのインダクタを介して前記第kの出力端子に接続し、カソードを前記抵抗素子の一端に接続し、
前記抵抗素子の他端を前記第2の電源に接続することを特徴とする請求項5記載のスプリッタ回路。 - 入力端子と、
第i(i=1〜nの整数、nは2以上の整数)の出力端子と、
前記入力端子と第iの出力端子との間にあって、前記入力端子の信号を増幅して第iの出力端子に出力する第iの増幅器と、
第1〜第nの出力端子の内2個以上の出力端子に接続されるインピーダンス回路と、
を備え、
前記インピーダンス回路は、第1の電源が前記2個以上の出力端子にそれぞれ対応する増幅器に供給される場合に、前記2個以上の出力端子から選択される2個の出力端子間が所定のインピーダンスとなり、前記第1の電源が供給されない場合に、前記選択される2個の出力端子におけるインピーダンスが開放状態となるように構成されることを特徴とするスプリッタ回路。 - 前記インピーダンス回路は、
前記2個以上の出力端子にそれぞれ対応して、一端を接続する、インダクタとダイオードを直列形態で含むそれぞれの直列回路と、
前記それぞれの直列回路の他端と第2の電源との間に接続される抵抗素子と、
を備え、
前記ダイオードは、前記第1の電源と第2の電源の電圧が異なる場合に順方向に電流が流れるように接続されることを特徴とする請求項7記載のスプリッタ回路。 - 前記第1の電源の電圧が前記第2の電源の電圧より高く設定され、
それぞれの前記ダイオードは、アノードを前記インダクタを介して前記2個以上の出力端子のそれぞれに接続し、カソードを前記抵抗素子の一端に接続し、
前記抵抗素子の他端を前記第2の電源に接続することを特徴とする請求項8記載のスプリッタ回路。 - 請求項1乃至9のいずれか一に記載のスプリッタ回路を含む半導体装置。
- 前記抵抗素子を除く請求項2、3、5、6、8、9のいずれか一に記載のスプリッタ回路を含む半導体装置を含み、
前記抵抗素子は、前記半導体装置の外部にあって、前記半導体装置とボンディングワイヤを介して接続されることを特徴とするスプリッタ装置。
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