JP2009250818A - 赤外線検出素子及び赤外線検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】遠赤外領域を含む広い波長領域に感度を有する電子放出型の赤外線検出素子と赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】基板と、半導体素子を含む温度検知部を有してなり、支持脚を介して基板から離れて保持された赤外線検知部と、電子を放出する電子放出部と、を備え、半導体素子の温度変化に対応する電流電圧特性の変化に応じて電子放出部から放出される電子の放出量が変化する。
【選択図】図1
【解決手段】基板と、半導体素子を含む温度検知部を有してなり、支持脚を介して基板から離れて保持された赤外線検知部と、電子を放出する電子放出部と、を備え、半導体素子の温度変化に対応する電流電圧特性の変化に応じて電子放出部から放出される電子の放出量が変化する。
【選択図】図1
Description
本発明は、赤外線検出素子とそれを用いた赤外線検出装置に関する。
防犯、医療、各種検査、車載応用など様々な分野において、可視検出器および赤外検出器が用いられている。特に微弱光検出の分野において、感度の高いセンサは、光電子増倍管などの電子放出型の検出器である。例えば、イメージ・インテンシファイアは光電変換面とマルチチャンネルプレートの組み合わせで構成されており、光電変換面からの出力電子をマルチチャンネルプレートが低雑音で数万倍に増幅している。センサとして超高感度化に寄与しているのは、真空中での電子の増倍機能を持つマルチチャンネルプレートである。
電子放出型センサの光電変換面としては化合物半導体を使用したものがあり、可視光領域で非常に高感度である(特許文献1参照)。このほか、遠赤外領域の光電変換面としては焦電体を使用したものがある。この光電変換面では、真空中に保持された焦電体の両端にパルス電圧を印加することにより分極方向を変化させ、電子放出させる。焦電体の自発分極値は温度依存性を有するので、焦電体の温度変化に応じた電子放出が得られる(特許文献2参照)。
特開平09−213205号公報(2頁94行〜3頁36行、図1)
特開平10−48042号公報(2頁69行〜3頁61行、図1)
しかしながら、化合物半導体等を使用した光電変換面では、可視−近赤外領域では非常に高感度であるが遠赤外領域を検知することは出来ない。また、焦電体の光電変換面では遠赤外領域を検知できるが、焦電体自身が赤外吸収部かつ電子放出面であるので、高感度化のための低熱容量化、薄膜化が困難である。また、焦電体という特殊な材料を使用しなくてはならない。
そこで、本発明は、遠赤外領域を含む広い波長領域に感度を有する電子放出型の赤外線検出素子と赤外線検出装置を提供することを目的とする。
以上の目的を達成するために、本発明に係る赤外線検出素子は、基板と、半導体素子を含む温度検知部を有してなり、支持脚を介して基板から離れて保持された赤外線検知部と、電子を放出する電子放出部と、を備え、前記半導体素子の温度変化に対応する電流電圧特性の変化に応じて前記電子放出部から放出される電子の放出量が変化することを特徴とする。
以上のように構成された本発明に係る赤外線検出素子は、前記半導体素子の温度変化に対応する電流電圧特性の変化に応じて前記電子放出部から放出される電子の放出量が変化するので、遠赤外領域を含む広い波長領域に感度を有する電子放出型の赤外線検出素子と赤外線検出装置を提供することができる。
以下、図面を参照しながら、本発明に係る実施形態の赤外線検出器について説明する。
実施の形態1.
図1は、本発明に係る実施の形態1の電子放出型赤外線検出器の構成を概念的に示す模式図である。本実施形態1において、温度検知部は直列接続されたダイオード1によって構成されている。なお、温度検知部には赤外線吸収部が接合されていてもよい。また、接地された基板3には電界によって先端から電子を放出する電界放射型の微小な電子放出部2が形成され、電子放出部2の近くにゲート電極5が設けられている。このゲート電極5は、微小電子放出部2の先端に高電界を印加するために設けられており、その中央部に開口部が形成されて、微小電子放出部2から真空中に放出された電子を通過させる。
図1は、本発明に係る実施の形態1の電子放出型赤外線検出器の構成を概念的に示す模式図である。本実施形態1において、温度検知部は直列接続されたダイオード1によって構成されている。なお、温度検知部には赤外線吸収部が接合されていてもよい。また、接地された基板3には電界によって先端から電子を放出する電界放射型の微小な電子放出部2が形成され、電子放出部2の近くにゲート電極5が設けられている。このゲート電極5は、微小電子放出部2の先端に高電界を印加するために設けられており、その中央部に開口部が形成されて、微小電子放出部2から真空中に放出された電子を通過させる。
実施形態1では、このゲート電極5に、定電流駆動しているダイオード1の正電位側の端子が接続され、真空中で高電界を印加することにより微小電子放出部2からトンネル効果により固体内の電子が真空中に放出される。実施の形態1の電子放出型赤外線検出器では、以上のように配置された温度検知部を構成するダイオード1、微小電子放出部2及びゲート電極5によって、赤外線検出素子が構成される。なお、温度検知部には赤外線吸収部が接合されている場合には、赤外線検出素子は赤外線吸収部を含む。
この微小電子放出部2としては、指向性が高く、数nmの直径のカーボンナノチューブ等を用いることができる。効率良く、微小電子放出部2の先端に高電界を印加する為に、微小電子放出部2の鋭い先端を有することが好ましい。また、微小電子放出部2としては、カーボンナノチューブ以外にシリコン、ダイヤモンド、モリブデン、タングステン、金、チタンなどを用いることができる。
そして、赤外線検出素子から赤外線吸収量に応じて放出される電子を検出するために、ゲート電極5を挟んで微小電子放出部2に対向するように、マルチチャンネルプレート6が設けられる。マルチチャンネルプレート6は、微小電子放出部2から放出された放出電子を二次電子放出により増倍して、増倍された電子をアノード電極7に入射する。以上のように配置された赤外線検出素子(ダイオード1、微小電子放出部2及びゲート電極5)と、マルチチャンネルプレート6とアノード電極7とが真空容器15中に保持されて実施の形態1の電子放出型赤外線検出器が構成される。
以上のように構成された実施の形態1の電子放出型赤外線検出器において、直列接続されたダイオード1に定電流源4を接続して、赤外線検出器の駆動時には、一定の順方向電流を流す。この状態で、ダイオード1に、赤外領域の光を透過する赤外線透過窓16を通った光線が入射すると、赤外線の吸収によってダイオード1の温度が変化する。これにより、ダイオード1の順方向電圧が変化して、直列接続されたダイオード1の正電位側の端子と接続されているゲート電極5に印加される電圧も変化する。
微小電子放出部2からの電子放出量は、微小電子放出部2とゲート電極5の間の電圧に依存する為、ゲート電極5に印加される電圧が変化すると微小電子放出部2からの電子放出量が変化する。よって、検知部である直列接続されたダイオード1の赤外線吸収による温度変化により、微小電子放出部2からの電子放出量が変化する。
微小電子放出部2から放出された電子は、マルチチャンネルプレート6によって、数万倍に増倍され、アノード電極7からアノード電流として取り出される。
このようにして、実施形態1の電子放出型赤外線検出器では、温度変化に対応するダイオード1の電流電圧特性の変化に基づくアノード電極7から出力されるアノード電流の変化を電流計8によって検出して、入射された赤外線量を検出する。
このようにして、実施形態1の電子放出型赤外線検出器では、温度変化に対応するダイオード1の電流電圧特性の変化に基づくアノード電極7から出力されるアノード電流の変化を電流計8によって検出して、入射された赤外線量を検出する。
以上のように構成された実施の形態1の電子放出型赤外線検出器は、赤外線吸収量に応じた温度変化により微小電子放出部2から電子放出量を変化させて入射された赤外線量を検出しているので、高感度な電子放出型赤外線検出器が実現できる。
実施の形態2.
図2は、本発明に係る実施の形態2の電子放出型赤外線検出器の構成を概念的に示す模式図である。本実施の形態2の電子放出型赤外線検出器は、基板としてp型シリコン基板9を用いて、そのp型シリコン基板9にMOSFET(MOS電界効果トランジスタ)を形成して、そのドレイン領域に微小電子放出部2を形成した点が実施形態1とは異なっている。
図2は、本発明に係る実施の形態2の電子放出型赤外線検出器の構成を概念的に示す模式図である。本実施の形態2の電子放出型赤外線検出器は、基板としてp型シリコン基板9を用いて、そのp型シリコン基板9にMOSFET(MOS電界効果トランジスタ)を形成して、そのドレイン領域に微小電子放出部2を形成した点が実施形態1とは異なっている。
具体的には、p型シリコン基板9に、2つのn型シリコン領域10,11である拡散層が分離して形成され、MOSFETのゲート酸化膜12、ゲート電極13が形成されている。一方のn型シリコン領域10はドレイン領域であり、他方のn型シリコン領域11はソース領域である。そして、このMOSFETのドレイン領域(n型シリコン領域10)に微小電子放出部2が形成され、ソース領域は接地される。また、MOSFETのゲート電極13には、MOSFETの動作と非動作(選択および非選択)を切り替えるパルス電圧印加手段14が接続される。これにより、例えば、アレイ状に赤外線検出器を配置した時に各素子の選択と非選択のスイッチングが可能になる。
以上のように構成された実施の形態2の電子放出型赤外線検出器において、MOSFETがOFFのときは、微小電子放出部2からの電子放出は起こらない。MOSFETがONの時には、ドレイン−ソース間に電流が流れ、微小電子放出部2から電子放出される。このときの放出電子量は、微小電子放出部2のゲート電極5に印加されたダイオード1の順方向電圧により制御される。
以上のように構成された実施の形態2の電子放出型赤外線検出器は、実施の形態1と同様の作用・効果を有し、さらに、検出器を動作状態と非動作状態を切り替えることができる。
以上の実施の形態2の電子放出型赤外線検出器では、ダイオード1の正電位端をゲート電極5に接続し、MOSFETのゲート電極13にパルス電圧印加手段14を接続した。
しかしながら、本発明では、微小電子放出部2のゲート電極5にパルス電圧印加手段14を接続し、MOSFETのゲート電極13にダイオード1の正電位端を接続してもよい。
しかしながら、本発明では、微小電子放出部2のゲート電極5にパルス電圧印加手段14を接続し、MOSFETのゲート電極13にダイオード1の正電位端を接続してもよい。
このようにしても、ゲート電極5に接続されたパルス電圧印加手段14によって動作および非動作(選択および非選択)が制御され、ゲート電極13に接続されたダイオード1の正電位端の電位によってドレイン電流が制御され、微小電子放出部2から放出される放出電子量がゲート電極13に印加されたダイオード1の順方向電圧により制御される。
実施の形態3.
本発明に係る実施の形態3の電子放出型赤外線検出装置は、実施形態1の赤外線検出素子(それぞれダイオード、微小電子放出部及びゲート電極を含む)がマトリクス状に配置された赤外線検出素子アレイを含む電子放出型赤外線検出装置である。図3〜図5に示すように、赤外線検出素子はそれぞれ赤外線入射領域と電子放出領域とを含む。
なお、以下の説明において、画素というときは、各赤外線検出素子における赤外線入射領域を示す。
本発明に係る実施の形態3の電子放出型赤外線検出装置は、実施形態1の赤外線検出素子(それぞれダイオード、微小電子放出部及びゲート電極を含む)がマトリクス状に配置された赤外線検出素子アレイを含む電子放出型赤外線検出装置である。図3〜図5に示すように、赤外線検出素子はそれぞれ赤外線入射領域と電子放出領域とを含む。
なお、以下の説明において、画素というときは、各赤外線検出素子における赤外線入射領域を示す。
図3は、本実施の形態3の電子放出型赤外線検出装置の斜視図である。図4は、図3の1つの赤外線検出素子の部分を拡大して示す平面図であり、直列接続されたダイオード1の上に赤外線吸収部24が設けられている。図4では、理解を容易にする為に、赤外線吸収部24を透視して表示している。図5は、図4中に示すA−A’断面を矢印方向から見た断面図であり、一つの赤外線検出素子内で隣接する赤外線入射領域と電子放出領域の断面を模式的に示している。
実施の形態3において、ダイオードを含む温度検知部17と赤外線吸収部24とを有する赤外線検知部は、支持脚20のみによって基板3と接続されることにより、基板3と熱的に分離された構造となっている。なお、赤外線吸収部24は温度検知部と一部で繋がっている他は離間されて支持されている。また、支持脚20には、温度検知部17のダイオード1(ダイオード直列回路)と電子放出領域の第1ゲート5とを接続する配線が形成されている。図中、18の符号を付して示すものは、基板配線であり、22は基板配線18と支持脚配線とを接続するコンタクトである。
温度検知部17は、例えば、SOI(Silicon On Insulator)基板の埋め込み酸化膜19の上に作製されたダイオード1を感温素子として構成され、このダイオード1が熱電気変換素子として機能する。また、基板3の埋め込み酸化膜19の下はエッチングによりキャビティ21が形成されており、支持脚20によって基板3から離間して温度検知部(ダイオード1)が支持され、温度検知部から基板3への熱伝導が低減される。この構造はマイクロマシニング技術を用いて作製することができ、温度検知部分に直列接続して作製されたダイオード1の正電位側の端子は、図4に示すように、微小電子放出部2上のゲート電極5に接続されている。
また、上述したように、一つの赤外線検知部素子は、微小電子放出部2が形成された電子放出領域と、ダイオード1が形成された赤外線入射領域に分けられる。この実施形態3では、電子放出領域において、微小電子放出部2の上を除いて絶縁膜23が形成されて微小電子放出部2の上方には電子が放射される空間が形成されている。そして、その空間内に開口部が位置するように、ゲート電極5が絶縁膜23に一部が埋設されて保持される。この構成により、図5に示すように、電子は上方向に向かって放出される。
尚、この実施形態3では、赤外線は上方向から入射するように構成した。しかしながら、本発明では、下方向(基板3側)から入射するようにしてもよい。すなわち、基板3をシリコン基板とすると、シリコンは遠赤外領域の光を透過するため下方向からの赤外線入射でも赤外検知は可能である。また、赤外線入射領域の基板3は完全に除去して貫通させても良い。
また、実施形態1で説明したように、直列接続されたダイオード1には定電流源4が接続されて、一定の順方向電流が流される。
以上のように構成された実施の形態3の電子放出型赤外線検出装置において、赤外線が入射されると、各赤外線検出素子に入射される赤外線量に応じて各赤外線検出素子のダイオード1の温度がそれぞれ変化し、ダイオード1の順方向電圧が変化する。これにより、各赤外線検出素子に入射される赤外線量に応じてゲート電極5に印加される電圧もそれぞれ変化する。各赤外線検出素子における微小電子放出部2からの電子放出量は、微小電子放出部2とゲート電極5の間の電圧にそれぞれ依存して変化する。
したがって、マルチチャンネルプレート等によって、各赤外線検出素子における微小電子放出部2からの放出された電子を増倍して、検出することにより、高感度の赤外線イメージセンサが実現できる。
実施の形態4.
本発明に係る実施の形態4の電子放出型赤外線検出装置は、実施形態2の赤外線検出素子がマトリクス状に配置された赤外線検出素子アレイを含む電子放出型赤外線検出装置である。図6は、実施の形態4の電子放出型赤外線検出装置における1つの赤外線検出素子部分の断面図である。図6に示すように、本実施の形態4の電子放出型赤外線検出装置は、各赤外線検出素子において、電子放出領域の構成が異なる他は、実施の形態3の電子放出型赤外線検出装置と同様に構成される。
本発明に係る実施の形態4の電子放出型赤外線検出装置は、実施形態2の赤外線検出素子がマトリクス状に配置された赤外線検出素子アレイを含む電子放出型赤外線検出装置である。図6は、実施の形態4の電子放出型赤外線検出装置における1つの赤外線検出素子部分の断面図である。図6に示すように、本実施の形態4の電子放出型赤外線検出装置は、各赤外線検出素子において、電子放出領域の構成が異なる他は、実施の形態3の電子放出型赤外線検出装置と同様に構成される。
すなわち、実施形態4では、p型シリコン基板9に、MOSFET(MOS電界効果トランジスタ)が形成されている。このMOSFETのn型シリコン領域10からなるドレイン領域(拡散領域)に微小電子放出部2が形成され、ドレイン領域から離れて形成されたn型シリコン領域11からなるソース領域(拡散領域)は接地される。
また、MOSFETのゲート電極13は、ソース領域とドレイン領域の間の基板上に絶縁膜23を介して形成され、そのMOSFETのゲート電極13にはパルス電圧印加手段(図示しない)が接続される。ここで、実施形態4では、電子放出領域において、微小電子放出部2の上を除いて絶縁膜23が形成されて微小電子放出部2の上方には電子が放射される空間が形成されており、その空間内に開口部が位置するように、ゲート電極5が絶縁膜23に一部が埋設されて保持される。
以上のように構成された実施形態4の赤外線検出装置では、パルス電圧印加手段によってMOSFETの動作および非動作(選択および非選択)を切り替えることにより、各赤外線検出素子の駆動および非駆動状態(選択および非選択)を制御できる。
すなわち、MOSFETがONの時には、ドレイン−ソース間に電流が流れ、微小電子放出部2から電子が放出され、その放出電子量は、ゲート電極5に印加されたダイオード1の順方向電圧(赤外線照射量)に応じて変化する。なお、MOSFETがOFFのときは、微小電子放出部2からの電子放出は起こらない。
すなわち、MOSFETがONの時には、ドレイン−ソース間に電流が流れ、微小電子放出部2から電子が放出され、その放出電子量は、ゲート電極5に印加されたダイオード1の順方向電圧(赤外線照射量)に応じて変化する。なお、MOSFETがOFFのときは、微小電子放出部2からの電子放出は起こらない。
以上のように構成された実施形態4の赤外線検出装置は、実施形態3の赤外線検出装置と同様の作用効果を有しかつ各赤外線検出素子の駆動および非駆動状態(選択および非選択)を制御できる。
以上の実施形態4の赤外線検出装置では、MOSFETのゲート電極13にはパルス電圧印加手段を接続し、ゲート電極5にダイオードの正電位端を接続するようにした。
しかしながら、本発明は、これに限定されるものではなく、MOSFETのゲート電極13にダイオードの正電位端を接続し、ゲート電極5にパルス電圧印加手段を接続するようにしてもよい。このようにしても、パルス電圧印加手段によって、各赤外線検出素子の駆動および非駆動状態(選択および非選択)を制御でき、微小電子放出部2から放出される放出電子量をダイオード1の順方向電圧により制御できる。
しかしながら、本発明は、これに限定されるものではなく、MOSFETのゲート電極13にダイオードの正電位端を接続し、ゲート電極5にパルス電圧印加手段を接続するようにしてもよい。このようにしても、パルス電圧印加手段によって、各赤外線検出素子の駆動および非駆動状態(選択および非選択)を制御でき、微小電子放出部2から放出される放出電子量をダイオード1の順方向電圧により制御できる。
実施の形態5.
本発明に係る実施形態5の電子放出型赤外線検出装置は、赤外線吸収部24の構成が実施の形態3と異なっている他は、実施形態5の電子放出型赤外線検出装置と同様に構成される。図7は、本発明の実施の形態5の電子放出型赤外線検出装置における1つの赤外線検出素子部分の断面図である。
本発明に係る実施形態5の電子放出型赤外線検出装置は、赤外線吸収部24の構成が実施の形態3と異なっている他は、実施形態5の電子放出型赤外線検出装置と同様に構成される。図7は、本発明の実施の形態5の電子放出型赤外線検出装置における1つの赤外線検出素子部分の断面図である。
具体的には、本実施の形態5では、赤外線吸収部24が温度検知部と離間されて支持された構造体でなく温度検知部上にのみ赤外線吸収部24を形成している。この赤外線吸収部24を構成する赤外線吸収膜は、例えば、微小電子放出部2をカーボンナノチューブにより構成する場合には、同じカーボンナノチューブで構成することができる。これは、カーボンナノチューブは、赤外線吸収率も高いため赤外線吸収膜としても用いることができるためである。このように、本実施形態5では、例えば、カーボンナノチューブ等の微小電子放出部2を構成する材料と赤外線吸収部24を構成する材料を共通化でき、微小電子放出部2と赤外線吸収部24を作製する工程を同じにすることができる。
実施の形態6.
本発明に係る実施形態6の電子放出型赤外線検出装置は、各赤外線検知素子における電子放出領域の構成が実施の形態3と異なっている他は、実施の形態3の電子放出型赤外線検出装置と同様に構成される。すなわち、各赤外線検知素子における赤外線検知部の構成は、実施形態3の電子放出型赤外線検出装置と同様である。図8は、本発明の実施の形態6にかかる電子放出型赤外線検出装置の1つの赤外線検知素子部分の断面を示す。
本発明に係る実施形態6の電子放出型赤外線検出装置は、各赤外線検知素子における電子放出領域の構成が実施の形態3と異なっている他は、実施の形態3の電子放出型赤外線検出装置と同様に構成される。すなわち、各赤外線検知素子における赤外線検知部の構成は、実施形態3の電子放出型赤外線検出装置と同様である。図8は、本発明の実施の形態6にかかる電子放出型赤外線検出装置の1つの赤外線検知素子部分の断面を示す。
具体的には、本実施形態6の電子放出型赤外線検出装置では、温度検知部17と赤外線吸収部24とを有する赤外線検知部を基板3の上面側(一方の主面側)に形成し、電子放出部2及びゲート電極5等の電子放出部を構成する要素を基板3の下面側(他方の主面側)に形成している。そして、基板3には上面から下面に貫通する貫通孔が形成され、その貫通孔に形成された配線導体が形成されて、上面側で支持脚20に形成された配線が貫通孔に形成された貫通配線に接続される。また、貫通配線は、基板3の下面側でゲート電極5に接続されている。尚、図8において、符号18により示すものは、支持脚の配線に接続された配線導体であり、絶縁膜23に埋設されて、支持脚配線と貫通配線とを接続している。
このように、実施形態6の電子放出型赤外線検出装置では、赤外線検知部を基板3の上面側に設け、電子放出部を基板3の下面側に設けているので、基板3の上面に占める赤外線吸収部の面積率を大きくできる。
したがって、実施形態6の電子放出型赤外線検出装置は、小型でかつ赤外線検出感度を高くできる。
したがって、実施形態6の電子放出型赤外線検出装置は、小型でかつ赤外線検出感度を高くできる。
実施の形態7.
本発明に係る実施形態7の電子放出型赤外線検出器は、電子放出部2と赤外線検知部の構成が実施形態1の電子放出型赤外線検出器と異なっている他は、実施形態1の電子放出型赤外線検出器と同様に構成される。図9は、本発明に係る実施の形態7の電子放出型赤外線検出器の構成を概念的に示す模式図である。
本発明に係る実施形態7の電子放出型赤外線検出器は、電子放出部2と赤外線検知部の構成が実施形態1の電子放出型赤外線検出器と異なっている他は、実施形態1の電子放出型赤外線検出器と同様に構成される。図9は、本発明に係る実施の形態7の電子放出型赤外線検出器の構成を概念的に示す模式図である。
具体的には、実施形態7の電子放出型赤外線検出器においては、p型シリコン基板9の一方の面に、拡散層であるn型シリコン領域10が形成されて、pn接合ダイオードができる。そして、このn型拡散領域であるn型シリコン領域10上に微小電子放出部2が形成され、その微小電子放出部2の上方に実施形態1と同様にゲート電極5、マルチチャンネルプレート6及びアノード電極7が順に形成される。
以上のように構成された実施形態7の電子放出型赤外線検出器において、ゲート電極5を正の電圧を印加すると、微小電子放出部2が正電位となり、微小電子放出部2の直下のpn接合は逆バイアスされる。以上の構成の実施形態7の電子放出型赤外線検出器では、微小電子放出部2の直下のpn接合における逆方向飽和電流の温度依存性に基づいて赤外線を検出している。
すなわち、微小電子放出部2の直下のpn接合ダイオードに、赤外領域の光を透過する赤外線透過窓16を通った光線が入射すると、赤外線の吸収によってpn接合ダイオードの温度が変化して、pn接合ダイオードの温度が変化する。pn接合の逆方向飽和電流が変化する。このpn接合ダイオードの逆方向飽和電流は、拡散電流が支配的になるため、温度上昇に対して指数関数的に変化するので、温度変化に対して極めて敏感である。
実施形態7の電子放出型赤外線検出器では、pn接合ダイオードの温度に依存する逆方向飽和電流の電子が、トンネル効果により微小電子放出部2から真空中に放出され、微小電子放出部2から放出された電子がマルチチャンネルプレート6によって、数万倍に増倍され、アノード電極7からアノード電流として取り出される。
なお、本実施形態7では、pn接合ダイオードの温度変化を利用するものであるから、このpn接合ダイオードは十分を低熱容量化することが好ましく、これにより高感度にできる。
また、実施形態7の電子放出型赤外線検出器では、基板の一方の面に電子放出部2を形成し、基板の他方の面から検出すべき赤外線を入射させることができるので、赤外線吸収部の面積率を大きくでき、小型でかつ赤外線検出感度を高くできる。
実施の形態8.
本発明に係る実施形態8の電子放出型赤外線検出器は、図10に示すように、実施形態7の電子放出型赤外線検出器において、ゲート電極5を設けることなく構成したものである。実施形態8の電子放出型赤外線検出器は、ゲート電極5を設けていない点を除いて、実施形態7の電子放出型赤外線検出器と同様に構成される。
本発明に係る実施形態8の電子放出型赤外線検出器は、図10に示すように、実施形態7の電子放出型赤外線検出器において、ゲート電極5を設けることなく構成したものである。実施形態8の電子放出型赤外線検出器は、ゲート電極5を設けていない点を除いて、実施形態7の電子放出型赤外線検出器と同様に構成される。
すなわち、本実施形態8の電子放出型赤外線検出器では、マルチチャンネルプレート6入力側電極の電圧によって微小電子放出部2の直下のpn接合ダイオードに逆バイアスが印加されて、微小電子放出部2先端に十分電界集中が生じるように構成している。
以上のような構成により、本実施形態8の電子放出型赤外線検出器では、微小電子放出部2をマルチチャンネルプレート6の入力部に十分近づける事ができ、小型化が可能であり、かつゲート電極5を取り除くことができるので、構成を簡単にできる。
実施の形態9.
本発明に係る実施形態9の電子放出型赤外線検出器は、実施の形態7と同様、微小電子放出部2の直下のpn接合における逆方向飽和電流の温度依存性に基づいて赤外線を検出するものである。
本発明に係る実施形態9の電子放出型赤外線検出器は、実施の形態7と同様、微小電子放出部2の直下のpn接合における逆方向飽和電流の温度依存性に基づいて赤外線を検出するものである。
この実施形態9の電子放出型赤外線検出器は、赤外線吸収部24、温度検知部及び電子放出部2が一体化されており、その一体化された部分全体(赤外線検出構造体)が支持脚20により基板3から離れて保持されている。
具体的には、図11に示すように、p型シリコン層90の一方の面側に、n型シリコン領域10が形成され、そのn型シリコン領域10に微小電子放出部2が形成されている。また、電子放出領域において微小電子放出部2の上を除いて絶縁膜23が形成されて微小電子放出部2の上方には電子が放射される空間が形成されている。そして、その空間内に開口部が位置するように、ゲート電極5が絶縁膜23に一部が埋設されて保持される。そしてさらに、赤外線吸収部24が微小電子放出部2から放出される電子の進路を妨げないように、絶縁膜23に接合されている。
以上の赤外線検出構造体は、例えば、SOI(Silicon On Insulator)基板の埋め込み酸化膜19の上に、熱電気変換素子として機能するPN接合ダイオード等を順次形成して、埋め込み酸化膜19の下の基板3部分をエッチングにより除去してキャビティ21を形成することにより作製することができる。
実施形態9の電子放出型赤外線検出器において、電子は上方向に向かって放出され、その上に配置されるマルチチャンネルプレートで増倍されて、その増倍された2次電子がアノード電極7によって検出される。
本実施形態9では、赤外線は上方向から入射するように構成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板3として遠赤外領域を透過するシリコンを用いるか、赤外線が通過する貫通孔を設ける等により、赤外線が下方向(基板3側)から入射するように構成してもよい。
以上のように構成された実施形態9の電子放出型赤外線検出器において、赤外線吸収部24の赤外線の吸収によってpn接合ダイオードの温度が変化し、pn接合の逆方向飽和電流が変化する。そしてその逆方向飽和電流の電子が、トンネル効果により微小電子放出部2から真空中に放出され、マルチチャンネルプレートで増倍された後、アノード電極7によって検出される。
以上のようにして、赤外線の照射量に応じた電流が検出できる。
以上のようにして、赤外線の照射量に応じた電流が検出できる。
実施の形態10.
本発明に係る実施の形態10の電子放出型赤外線検出器は、図12に示すように、実施形態9の電子放出型赤外線検出器において、ゲート電極5を除いて構成した以外は、実施形態9の電子放出型赤外線検出器と同様に構成されている。
本発明に係る実施の形態10の電子放出型赤外線検出器は、図12に示すように、実施形態9の電子放出型赤外線検出器において、ゲート電極5を除いて構成した以外は、実施形態9の電子放出型赤外線検出器と同様に構成されている。
すなわち、本実施形態10の電子放出型赤外線検出器では、マルチチャンネルプレートの入力側電極の電圧によって微小電子放出部2の直下のpn接合ダイオードに逆バイアスが印加されて、微小電子放出部2先端に十分電界集中が生じるように構成している。
以上のような構成により、本実施形態10の電子放出型赤外線検出器では、微小電子放出部2をマルチチャンネルプレート6の入力部に十分近づける事ができ、小型化が可能であり、かつゲート電極5を取り除くことができるので、構成を簡単にできる。
実施の形態11.
本発明に係る実施の形態11の電子放出型赤外線検出器は、実施形態9の電子放出型赤外線検出器において、pn接合ダイオードに代えてMOS電界効果トランジスタを用いて構成した以外は、実施形態9の電子放出型赤外線検出器と同様に構成される。
本発明に係る実施の形態11の電子放出型赤外線検出器は、実施形態9の電子放出型赤外線検出器において、pn接合ダイオードに代えてMOS電界効果トランジスタを用いて構成した以外は、実施形態9の電子放出型赤外線検出器と同様に構成される。
具体的には、図13に示すように、ドレイン領域とソース領域となる2つのn型シリコン領域10,11が形成され、ソース領域とドレイン領域の間の基板上に絶縁膜23を介してゲート電極13が形成される。そして、実施形態11では、微小電子放出部2の上を除いて絶縁膜23が形成されて微小電子放出部2の上方には電子が放射される空間が確保され、その空間内に開口部が位置するように、ゲート電極5が絶縁膜23に一部が埋設されて保持される。そしてさらに、実施形態9と同様にして、赤外線吸収部24が微小電子放出部2から放出される電子の進路を妨げないように、絶縁膜23に接合されている。
以上のように構成された実施形態11の赤外線検出装置では、感温素子であるMOSFETをゲート電極13に印加するゲート電圧によりサブスレッショルド領域で動作させる。そうすると、サブスレッショルド領域では、拡散電流が支配的であるため、ドレイン−ソース間の電流は温度に対して敏感に変化し、その電流に対応する放出量の電子が微小電子放出部2によって真空中に放出される。
したがって、実施形態11の電子放出型赤外線検出器において、微小電子放出部2によって真空中に放出される電子を、その上に配置されるマルチチャンネルプレートで増倍して、その増倍された2次電子をアノード電極7によって検出することにより、入射される赤外線を検出することができる。
実施の形態12.
本発明に係る実施の形態12の電子放出型赤外線検出器は、図14に示すように、実施形態11の電子放出型赤外線検出器において、ゲート電極5を除いて構成した以外は、実施形態11の電子放出型赤外線検出器と同様に構成されている。
本発明に係る実施の形態12の電子放出型赤外線検出器は、図14に示すように、実施形態11の電子放出型赤外線検出器において、ゲート電極5を除いて構成した以外は、実施形態11の電子放出型赤外線検出器と同様に構成されている。
すなわち、本実施形態12の電子放出型赤外線検出器では、マルチチャンネルプレート6入力側電極の電圧によって微小電子放出部2先端に十分に電界集中させてゲート電極5を取り除いたものである。以上のような構成によっても実施形態11の電子放出型赤外線検出器と同様の動作をさせることができ、かつ構成を簡単にできる。
以上の実施の形態7〜12の電子放出型赤外線検出器を複数配列して、実施の形態3等で説明した電子放出型赤外線検出装置を構成することができることは言うまでもない。
本発明にかかる赤外線検出器の感温素子となるダイオード又はMOS電界効果トランジスタは、標準CMOSプロセスで製造できるため、特性ばらつきも小さくできる。
1 ダイオード、2 電子放出部、3 基板、4 定電流源、5 ゲート電極、6 マルチチャンネルプレート、7 アノード電極、8 電流計、9 p型シリコン基板、10,11 n型シリコン領域、12 MOSFETのゲート酸化膜、13 ゲート電極、14 パルス電圧印加手段、15 真空容器、16 赤外線透過窓、17 温度検知部、18 配線、19 埋め込み酸化膜、20 支持脚、21 キャビティ、22 コンタクト、23 絶縁膜、24 赤外線吸収部、90 p型シリコン層。
Claims (14)
- 基板と、
半導体素子を含む温度検知部を有してなり、支持脚を介して基板から離れて保持された赤外線検知部と、
電子を放出する電子放出部と、を備え、
前記半導体素子の温度変化に対応する電流電圧特性の変化に応じて前記電子放出部から放出される電子の放出量が変化することを特徴とする赤外線検出素子。 - 前記半導体素子として、1又は2以上の直列接続されたダイオードを含む請求項1記載の赤外線検出素子。
- 前記電子放出部から放出された電子を通過させる開口部を有する第1ゲート電極をさらに含み、前記第1ゲート電極に前記ダイオードの正電位端が接続された請求項2に記載の赤外線検出素子。
- 前記基板は、ソース領域、ドレイン領域及び前記ソース領域と前記ドレイン領域の間の前記基板上に絶縁膜を介して第2ゲート電極とを含むMOS電界効果トランジスタを有し、前記電子放出部が前記ドレイン領域上に設けられた請求項2又は3に記載の赤外線検出素子。
- 前記基板は、ソース領域、ドレイン領域及び前記ソース領域と前記ドレイン領域の間の前記基板上に絶縁膜を介して第2ゲート電極とを含むMOS電界効果トランジスタを有し、前記電子放出部が前記ドレイン領域上に設けられ、かつ前記第2ゲート電極に前記ダイオードの正電位端が接続された請求項2に記載の赤外線検出素子。
- 前記温度検知部には赤外線吸収部が接続されており、前記電子放出部と前記赤外線吸収部とが共通の材料により形成されている請求項1〜5のうちのいずれか1つに記載の赤外線検出素子。
- 前記赤外線検知部が前記基板の一方の面側に形成され、かつ前記電子放出部と前記第1ゲート電極が、前記基板の他方の面側に形成されており、前記半導体素子と前記第1ゲート電極とが前記基板に形成された貫通孔に設けられた貫通配線によって接続された請求項3記載の赤外線検出素子。
- 前記電子放出部が前記ダイオードのカソードに接続された請求項2又は3に記載の赤外線検出素子。
- 前記電子放出部が前記ダイオードを構成するn型領域に設けられた請求項8に記載の赤外線検出素子。
- 前記半導体素子としてMOS電界効果トランジスタを含み、前記電子放出部が前記MOS電界効果トランジスタのドレインに接続された請求項1記載の赤外線検出素子。
- 前記電子放出部が前記MOS電界効果トランジスタのドレイン領域に設けられた請求項10記載の赤外線検出素子。
- 前記MOS電界効果トランジスタのゲート電極とは別のゲート電極をさらに含み、その別のゲート電極が前記電子放出部から放出された電子を通過させる開口部を有する請求項10又は11に記載の赤外線検出素子。
- 請求項1〜12のうちのいずれか1つに記載の赤外線検出素子と、前記電子放出部から放出される電子を増倍する電子増倍部とを有する赤外線検出装置。
- 請求項1〜12のうちのいずれか1つに記載の赤外線検出素子が配列されてなる赤外線検知アレイと、前記各赤外線検出素子の電子放出部から放出される電子をそれぞれ増倍する複数のチャンネルを有するマルチチャンネルプレートとを含む赤外線検出装置。
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- 2008-04-08 JP JP2008100075A patent/JP2009250818A/ja active Pending
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