JP2009248420A - モールド用離型シート及びその製造法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 122
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims abstract description 65
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims abstract description 65
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 67
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 13
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 55
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 34
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 161
- 239000010408 film Substances 0.000 description 133
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 116
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 56
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 45
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 45
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 26
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 239000000047 product Substances 0.000 description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 14
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 6
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 5
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 4
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 4
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 4
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229920002818 (Hydroxyethyl)methacrylate Polymers 0.000 description 2
- JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 2-methylpent-2-ene Chemical compound CCC=C(C)C JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 2
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000371 poly(diallyldimethylammonium chloride) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- YPFNIPKMNMDDDB-UHFFFAOYSA-K 2-[2-[bis(carboxylatomethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetate;iron(3+) Chemical compound [Fe+3].OCCN(CC([O-])=O)CCN(CC([O-])=O)CC([O-])=O YPFNIPKMNMDDDB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminium flouride Chemical compound F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000012674 dispersion polymerization Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007759 kiss coating Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229920005615 natural polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000447 polyanionic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000001055 reflectance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007763 reverse roll coating Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010558 suspension polymerization method Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】 1層もしくは2層以上の層からなるプラスチックフィルムの少なくとも片面に多孔質層を形成してなるモールド用離型シート。多孔質層としては、微粒子積層膜が好ましく、その微粒子は、無機微粒子であること、また、その平均一次粒子径が1〜100nmであることが好ましい。多孔質層はその面積1m2あたり0.02cc以上の空隙体積を有することが好ましい。
【選択図】 なし
Description
1. 1層もしくは2層以上の層からなるプラスチックフィルムの少なくとも片面に多孔質層を形成してなるモールド用離型シート。
2. 多孔質層が微粒子積層膜である項1記載のモールド用離型シート。
3. 多孔質層である微粒子積層膜が、交互積層法により作製されたものである項1記載のモールド用離型シート。
4. 微粒子積層膜を構成する微粒子が無機微粒子である項2又は3記載のモールド用離型シート。
5. 微粒子積層膜を構成する微粒子の平均一次粒子径が1〜100nmである項2〜4のいずれかに記載のモールド用離型シート。
6. 多孔質層の空隙体積が、多孔質層の面積1m2あたり0.02cc以上である項1〜5のいずれかに記載のモールド用離型シート。
7. 多孔質層の空隙率が、20〜80%である項1〜6のいずれかに記載のモールド用離型シート。
8.1層もしくは2層以上の層からなるプラスチックフィルムの少なくとも片面に交互積層法により微粒子積層膜から成る多孔質層を形成することを特徴とするモールド用離型シートの製造法。
また、同様に、上記モールド用離型シートは、パッケージ成形後、金型から剥離しやすいものである。特に、金型解放直後に自然に剥離するか、僅かな剥離力で剥離する物が好ましく、25mm幅、180℃、剥離角度180°、剥離速度2m/分の条件で測定したとき、好ましくは2N/25mm以下、より好ましくは0.5N/25mm以下、より好ましくは0.001〜0.1N/25mmである。パッケージ成形後の金型開放直後に自然に剥離する場合は、0N/25mmと認識できる。
従って、本発明におけるモールド用離型シートにおけるプラスチックフィルム及び多孔質層は、それぞれ、パッケージの成型温度に対する耐熱性を有するものが使用される。例えば、パッケージの成型温度(例えば、150〜200℃)を越える融点又は分解点を有するものである。
また、基材であるプラスチックフィルムが直接パッケージ成形品に接触する場合には、パッケージ成形後に、そのパッケージと接触する面が剥離しやすいものである。たとえば、25mm幅、180℃、剥離角度180°、剥離速度2m/分の条件で測定したとき、好ましくは2N/25mm以下、より好ましくは0.5N/25mm以下、より好ましくは0.001〜0.1N/25mmである。パッケージ成形後の金型開放直後に自然に剥離する場合は、0N/25mmと認識できる。
前記した耐熱性を有するアクリル酸ポリマーおよび/またはメタアクリル酸ポリマーを主成分としたアクリル樹脂(例えばアクリル酸ブチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸、アクリロニトリル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等の重合物またはこれら2種以上の共重合物、さらにこれら重合物、共重合物と酢酸ビニルとの共重合物)、合成ゴム(例えば、ポリイソブチレン、ポリブタジエン)等からは、成形品から容易に剥離しやすいものを簡単に選択することができるが、これらはフィルム状に形態を保持する能力(自己支持性)に劣るため、支持フィルムに積層しておくことが好ましい。このように自己支持性が劣り、前記の耐熱性と成形品に対する剥離性を有する材料からなる層(A層)を使用する場合は、自己支持性のフィルム(支持体フィルム;B層)上に、積層して使用される。前記の耐熱性と成形品に対する剥離性を有し、しかも自己支持性を有する材料からなる層(A層)であっても、さらに、耐熱性の補強その他の役目を担う層(B層;最低限前記した耐熱性を有する)を積層してプラスチックフィルムとしてもよい。
B層としては、ポリエステル、ポリアミド、メチルペンテン、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリイミド等がある。
また、A層の厚みは特に限定されないが、0.1〜100μmであることが好ましい。
上記B層は、成形時にA層より金型に近く配置するようにする層である。B層の厚みは特に制限はないが、5〜50μmであることが望ましい。
プラスチックフィルム、又は、A層とB層は金型内面に設置され、その厚みはパッケージ肉厚に影響するため、大きすぎない方がよい。
例えば、押出機を用いて1層のプラスチックフィルムを得ることができる。また、T型ダイやインフレーション用ダイをもつ押出機を用いて、共押出法により各層を所定の厚さをもつシートに加工し各層をラミネートして2層以上の層からなるプラスチックフィルムを作製することもできる。ラミネートにあたっては必要に応じて適切な接着剤を介することやコロナ放電処理等の表面処理を施すこともある。また、溶剤に溶解し又は加熱溶融したA層材料を、B層に塗布することにより2層のプラスチックフィルムを作製することもできる。
この多孔質層は、前記したとおり耐熱性を有するものであり、また、金型からの剥離性を有するものであるが、さらに、汚染抑制機能を有する。
この汚染抑制機能は、多孔質層が有する空孔、空隙等に汚染源となる樹脂成分を吸収・吸着させ、さらに保持する機能である。この多孔質層は汚染源となる樹脂成分を吸収・吸着することにより、金型材料の汚染を抑制する。
金型は、モールド時にモールド用離型シートの構成材料であるプラスチックフィルムや封止剤に含まれ、また、発生する金型の汚染源となる樹脂成分が付着することにより汚染される。金型とプラスチックフィルムの間に多孔質層が配置されるようにプラスチックフィルム上に多孔質層を形成することで、金型の汚染源となる樹脂成分を多孔質層の内部の空孔、空隙等により捕捉させることができる。
汚染源となる樹脂成分を吸収するために、多孔質層の内部の空隙率は20%以上80%以下が好ましい。空隙率が20%未満では、汚染源となる樹脂成分の捕捉性能が不十分になる傾向があり、また、80%よりも大きいと、膜としての形状を留めておくことが困難となる傾向があり、膜強度の観点から空隙率は70%以下であることがより好ましい。
また、多孔質層内の空孔・空隙は、多孔質層の厚さ方向に繋がっていることが好ましく、特に、表面から裏面(基材側の面)まで連続してつながっていることが好ましい。
このような多孔質層の汚染源の捕捉性能は、毛細管現象により発揮されるものと考えられる。
プラスチックフィルムや封止材からの汚染物質は多孔質層に吸収され、その層を通過して金型の界面に達することはないため、多孔質層表面の金型に対する剥離性は、成型後も保持される。
本発明に係るモールド用離型シートには、さらに、成形品に接する面にも多孔質層を設けて良い。この場合、多孔質層は、成形品から剥離しやすいものであるが、無機材料により多孔質層を形成することにより、そのような特性を確保しやすくなる。
また、この場合、モールド用離型シートにおいて、プラスチックフィルムが、多孔質層から剥離するものであってもよい。この場合、成形後プラスチックフィルムを剥離したときには、成形品表面に多孔質層が残存することになるが、多孔質層の素材としては、残存しても製品に悪影響のない材料(例えば、シリカ等)を選ぶことが好ましい。また、成形品表面に残存した多孔質層は、酸、アルカリにより容易に溶解し、除去することができるものが好ましい。
微粒子の一次粒子径が1〜100nmの場合、このような微粒子を積層することで、微粒子積層膜の内部に1〜100nmのサイズの空隙を導入できる。この微粒子積層膜の内部の空隙は、微粒子積層膜の表面から裏面(基材側の面)まで連続してつながっている。
1〜100nmのサイズの連続した空隙は毛細管現象を起こす。そのため、微粒子積層膜の内部の空隙は、接触した汚染源を吸収できる。特に、主な金型汚染源となる分子量数百程度の樹脂成分は、多くの樹脂材料や無機材料にぬれ広がるため、空隙に毛管現象により吸収される。モールド時に気化した汚染源となる樹脂成分は、空隙の内壁に吸着する。そのため、多孔質層の空隙内部の表面積は大きいほど、揮発した樹脂成分を多く吸着できる。ただし、空隙のサイズが小さいほど空隙内部の表面積は大きくなるため、空隙のサイズは100nm以下が望ましい。
空隙のサイズはガス吸着法により評価できる。まず、温度一定の多孔質層に窒素を吸着させて吸着平衡後の窒素吸着量を測定し、窒素の圧力を変化させながら測定を繰り返すことで多孔質層の窒素の吸着等温線を得る。次いで、例えば、空隙の形状を円筒形だと仮定し(BJH法)、円筒の体積を縦軸、円筒の半径を横軸にした細孔分布を吸着等温線から算出する。その結果、どの半径の円筒形の空隙が最も体積を占めて存在するかがわかる。この空隙体積が最大となる空隙の半径は、多孔質中に存在する代表的な空隙のサイズとして評価できる。また、前記の細孔分布に最大値が現れない際等に、次のようにして空隙のサイズを評価することもできる。まず、吸着等温線を測定し、BETプロットすることで比表面積を求める。次いで、窒素の相対圧が1に近い状態での窒素吸着量に、すなわち多孔質層中の全空隙体積に、2をかけて前記の比表面積で割ると、平均細孔半径が求められる。この計算は空隙が平均細孔半径の円筒のみからなると仮定したものである。この平均細孔半径も多孔質中に存在する代表的な空隙のサイズとして評価できる。
汚染源となる樹脂成分を吸収するために、微粒子積層膜の内部の空隙率は20%以上80%以下が好ましい。空隙率が20%未満では、汚染源となる樹脂成分の捕捉性能が不十分になる傾向があり、また、80%よりも大きいと、粒子間の結着が不十分なために、膜としての形状を留めておくことが困難となる傾向があり、膜強度の観点から空隙率は70%以下であることがより好ましい。なお、均一な球状の粒子が理想的に最密充填されたときの空隙率は26%(面心立方格子構造)である。
前記微粒子積層膜の厚みは、上記の空隙の体積を与えるのに必要なだけあれば良い。例えば、空隙率30%の微粒子積層膜は70nm以上の厚みがあれば、0.02cc/m2の空隙体積を有することができる。0.02cc〜2.0ccの空隙体積を得るために必要な微粒子積層膜の厚みは、空隙率30%の場合は70nm〜7μmで良く、空隙率60%の場合は35nm〜3.5μmあれば良い。
また、微粒子を積層する際に、微粒子分散溶媒を基材に複数回接触させることで、微粒子の吸着を複数回繰り返したり、微粒子分散溶媒の塗布と乾燥を繰り返して微粒子積層膜を形成したりする場合、微粒子は大きな空隙を埋めるように積層配置される。そのため、厚み方向に空隙が連続して重なることがなく、サイズが小さくなる部分が配置される。つまり、分子量の比較的小さな樹脂成分は、空隙サイズの小さい部分が妨げになって、空隙サイズのより大きな部分に留まる。このようにして、微粒子積層膜は比較的分子量の大きな樹脂成分から分子量の比較的小さな樹脂成分まで吸着・吸収できる。
多孔質層の形成方法にディップコート法、交互積層法などを採用する場合には、1層もしくは2層以上の層からなるプラスチックフィルムの片面にカバーフィルムを設置することで、カバーフィルムの反対面にのみ多孔質層を形成することができる。
プラスチックフィルムを高分子電解質溶液(ポリカチオンまたはポリアニオン)と微粒子分散溶液に交互に浸し、微粒子積層膜をプラスチックフィルム上に作製する。
プラスチックフィルムの表面電荷がマイナスであれば、はじめにカチオン性の溶液に浸漬する。逆に、プラスチックフィルムの表面電荷がプラスであれば、はじめにアニオン性の溶液に浸漬する。浸漬時間はポリマーや微粒子、積層したい膜厚によって適宜調整する。微粒子積層膜が、適当な膜厚になるまで、高分子電解質溶液と微粒子分散溶液への浸漬を交互に繰り返す。反対電荷を有する溶液又は分散液に浸漬する前に溶媒のみのリンスによって余剰の溶液を洗い流す工程を経ることが好ましい。微粒子積層膜が、適当な膜厚になるまで、高分子電解質溶液と微粒子分散溶液への浸漬を交互に繰り返す。また、積層された高分子電解質や微粒子が膜を形成しているが、互いに静電的に吸着しているために、このリンス工程で剥離することはない。また、リンス工程は、反対電荷の溶液に、静電的に吸着していない高分子電解質または微粒子、言い換えれば、分子間力などの弱い結合によって吸着しており、脱離しやすいものを次の作業又は工程に持ち込むことを防ぐために、リンス工程は、行った方が好ましい。反対電荷を有する物質を次の作業又は工程に持ち込むことによって溶液内でカチオン、アニオンが混ざり、沈殿を起こすことがある。高分子電解質溶液への浸漬後にリンス工程を行うことによって、微粒子の間に入り込んだ余分の高分子電解質を取り除く効果がある。
高分子電解質の濃度及び微粒子の濃度は、それぞれ、0.00001重量%以上30重量%以下の範囲から適宜選択することが好ましく、0.001重量%以上20重量%以下がさらに好ましく、0.01重量%以上10重量%以下が特に好ましい。高分子電解質溶液及び微粒子分散液による浸漬時間は、それぞれ、1秒間以上120分間以下の間で適宜選択することが好ましく、10秒間以上300秒間以下の範囲であることがより好ましい。
形成された、微粒子積層膜の中に含まれる、高分子電解質の比率は、1重量%以下であり、微粒子間の空隙を埋めるものではない。
なお、シリカ膜の膜厚は、自動エリプソメータと瞬間分光光度計のような光学測定と解析により評価できる。プラスチックフィルムが平坦ではなく、光を散乱する場合には、そのプラスチックフィルムに形成したシリカ膜の膜厚は赤外線吸収により測定しても良い。まず、シリコンウエハ上のシリカ膜の膜厚を光学測定と解析から評価し、シリカ膜の赤外線吸光度を測定することで、シリカ膜の赤外線吸光度と膜厚の関係を評価する。次いで、プラスチックフィルム上のシリカ膜の赤外線吸光度を測定し、前記の吸光度と膜厚の関係から膜厚を算出することができる。
このような場合、ガス吸着法により多孔質層内の空隙体積を評価すると良い。吸着ガスには窒素、アルゴン、クリプトンガス、二酸化炭素を用いることができる。これらのガスを多孔質層に吸着させ、吸着等温線を測定する。この吸着等温線を解析することで、多孔質内の空隙直径に対する空隙体積の分布が測定できる。なお、解析上、空隙は細孔とみなされる。毛管凝縮現象が起きる2〜100nmの空隙直径の範囲で空隙容積を積分することで、多孔質層が有する空隙の総体積を評価することができる。また、ガスの相体圧が十分に1に近い状態、すなわち飽和蒸気圧付近の圧力にて、吸着ガスの量を測定し、液体に換算することで多孔質層内の空隙の総体積を求めても良い。また、ガス吸着法と同様な評価方法として水銀圧入法を用いても良い。
この2層のプラスチックフィルムに、以下に示す交互積層法によりシリカ膜を形成した。BET法で測定した平均一次粒子径が15nmのシリカ微粒子が分散したシリカ水分散液(スノーテックス(ST)20、日産化学工業(株)製)を6.6重量部に対して、超純水93.4重量部を加えてシリカゾルとして用いた。重量平均分子量100,000〜200,000のポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド(PDDA)20%水溶液(アルドリッチ(株)製)1.5重量部に対して超純水98.5重量部を加え、水酸化ナトリウム1規定水溶液を加えてpH9に調整したものを電解質ポリマー水溶液として用いた。2層のプラスチックフィルムを、電解質ポリマー水溶液に1分間浸漬し、リンス用の超純水に3分間浸漬する工程(ア)、シリカゾルに1分間浸漬した後、リンス用の超純水に3分間浸漬する工程(イ)をこの順に施した。この工程(ア)1回と工程(イ)1回を順に行うのを1サイクルとし、このサイクルを11回(微粒子交互積層回数)行い、2層のプラスチックフィルムにシリカ膜を形成し、シリカ膜/A層/B層/シリカ膜からなるモールド用離型シートを得た。
前記と同じ条件でシリコンウエハにシリカ膜を形成し、自動エリプソメータ(ファイブラボ(株)製、MARY−102)にて屈折率と膜厚を測定した結果、シリカ膜の屈折率は波長632.8nmでは1.30であり、膜厚は110nmであった。これより、シリカ膜からなる多孔質層の空隙率が42%であり、面積1m2の多孔質層が有する空隙体積は0.05ccであることがわかった。
この半導体モールド用離型シートを、下型に半導体ベアチップをセットしたトランスファーモールド金型の上型に装着し、真空で固定した後、型締めし、封止材をトランスファーモールドした。金型温度は180℃、成形圧力1.96MPa(20kgf/cm2)、成形時間90秒とした。成形後に上型の真空吸引孔を大気圧に戻した後、金型を開放すると、この半導体モールド用離型シートは金型から自然に剥離した。成形品に付着している半導体モールド用離型シートを、180℃にて剥離角度180°剥離速度2m/分で剥離すると、0.01N/25mmの剥離力で剥離した。以上の工程を1回の成形試験とした。1回の成形試験が終了するごとに半導体モールド用離型シートを新しいものと取り替えさらに9回成形を行ったところ、各回の成形毎に上記と同様の結果が得られた。
また、異物試験を次のようにして行った。金型と離型シートの間にハードクロムめっきされたステンレス板をハードクロムめっき面が離型シート側を向くように挿入し、半導体モールド用離型シートを毎回新しいものと取り替えながら(ただし、ハードクロムめっきされたステンレス板はそのままにして取り替えずに)、上記の成型試験を続けて10回行った。この後ハードクロムめっきされたステンレス板のハードクロム表面を5000倍の倍率で任意に22箇所(1カ所の面積0.00046mm2)について走査型電子顕微鏡(エフイーアイカンパニィ(FEI Company)製 XL30 ESEM)にて観察し、直径0.5μm以上の異物数を数えた。その結果、上記ステンレス板のハードクロムめっき表面には観察総面積(0.01mm2)に対して最大長さが0.5μm以上の異物が、何個付着しているかを調べた。この異物試験の結果、異物数は、10個であった。また、異物をエネルギー分散型蛍光X線(EDX)分析装置にて元素分析した結果、炭素のピークが強く現れ、異物が有機物からなることがわかった。
微粒子交互積層回数を15回としたこと以外は、実施例1と同様にシリカ膜/A層/B層/シリカ膜からなるモールド用離型シートを得た。
微粒子交互積層回数を80回としたこと以外は、実施例1と同様にシリコンウエハにシリカ膜を形成し、実施例1と同様に屈折率と膜厚を測定した結果、シリカ膜の屈折率は波長632.8nmでは1.30であり、膜厚は800nmであった。これより、シリカ膜からなる多孔質層の空隙率が42%であり、面積1m2の多孔質層が有する空隙体積は0.34ccであることがわかった。
前記モールド用離型シートを用いて、実施例1と同じ条件で成形試験を行なった。成形後に上型の真空吸引孔を大気圧に戻した後、金型を開放すると、この半導体モールド用離型シートは金型から自然に剥離した。成形品に付着している半導体モールド用離型シートを、180℃にて剥離角度180°剥離速度2m/分で剥離すると、0.01N/25mmの剥離力で剥離した。また、半導体モールド用離型シートにシワは見られず、破れも見られなかった。以上の工程を1回の成形試験とした。1回の成形試験が終了するごとに半導体モールド用離型シートを新しいものと取り替え、さらに9回成形を行ったところ、各回の成形毎に上記と同様の結果が得られた。
また、実施例1と同様にして異物試験を行った。その結果、異物数は1個であった。異物をEDX分析装置にて元素分析した結果、炭素のピークが強く現れ、異物が有機物からなることがわかった。
BET法で測定した平均一次粒子径が8nmのシリカ微粒子が分散したシリカIPA分散液(IPA−ST−UP)を33重量部に対して、IPA67重量部を加えてシリカゾルとして用いた。2層のプラスチックフィルムにシリカゾルをバーコートし、A層/B層/シリカ膜からなるモールド用離型シートを得た。
前記と同じ条件でシリコンウエハにシリカ膜を形成し、実施例1と同様に屈折率と膜厚を測定した結果、シリカ膜の屈折率は波長632.8nmでは1.22であり、膜厚は1000nmであった。これより、シリカ膜からなる多孔質層の空隙率が59%であり、面積1m2の多孔質層が有する空隙体積は0.59ccであることがわかった。
前記モールド用離型シートを用いて、実施例1と同じ条件で成形試験を行なった。成形後に上型の真空吸引孔を大気圧に戻した後、金型を開放すると、この半導体モールド用離型シートは金型から自然に剥離した。成形品に付着している半導体モールド用離型シートを、180℃にて剥離角度180°剥離速度2m/分で剥離すると、0.01N/25mmの剥離力で剥離した。また、半導体モールド用離型シートにシワは見られず、破れも見られなかった。以上の工程を1回の成形試験とした。1回の成形試験が終了するごとに半導体モールド用離型シートを新しいものと取り替え、さらに9回成形を行ったところ、各回の成形毎に上記と同様の結果が得られた。
また、実施例1と同様にして異物試験を行った。その結果、異物数は1個であった。異物をEDX分析装置にて元素分析した結果、炭素のピークが強く現れ、異物が有機物からなることがわかった。
BET法で測定した平均一次粒子径が8nmのシリカ微粒子が分散したシリカIPA分散液(IPA−ST−UP)を67重量部に対して、IPA33重量部を加えてシリカゾルとして用いた。2層のプラスチックフィルムにシリカゾルをバーコートし、A層/B層/シリカ膜からなるモールド用離型シートを得た。
実施例1と同様にシリコンウエハにシリカ膜を形成し、実施例1と同様に屈折率と膜厚を測定した結果、シリカ膜の屈折率は波長632.8nmでは1.22であり、膜厚は3000nmであった。これより、シリカ膜からなる多孔質層の空隙率が59%であり、面積1m2の多孔質層が有する空隙体積は1.77ccであることがわかった。
前記モールド用離型シートを用いて、実施例1と同じ条件で成形試験を行なった。成形後に上型の真空吸引孔を大気圧に戻した後、金型を開放すると、この半導体モールド用離型シートは金型から自然に剥離した。成形品に付着している半導体モールド用離型シートを、180℃にて剥離角度180°剥離速度2m/分で剥離すると、0.01N/25mmの剥離力で剥離した。また、半導体モールド用離型シートにシワは見られず、破れも見られなかった。以上の工程を1回の成形試験とした。1回の成形試験が終了するごとに半導体モールド用離型シートを新しいものと取り替え、さらに9回成形を行ったところ、各回の成形毎に上記と同様の結果が得られた。
また、実施例1と同様にして異物試験を行った。その結果、異物数は0個であった。異物をEDX分析装置にて元素分析した結果、炭素のピークが強く現れ、異物が有機物からなることがわかった。
実施例1と同様に2層のプラスチックフィルムを得た。
この2層のプラスチックフィルムを用いて、実施例1と同じ条件で成形試験を行なった。成形後に上型の真空吸引孔を大気圧に戻した後、金型を開放すると、この半導体モールド用離型シートは金型から自然に剥離した。成形品に付着している半導体モールド用離型シートを、180℃にて剥離角度180°剥離速度2m/分で剥離すると、0.01N/25mmの剥離力で剥離した。また、半導体モールド用離型シートにシワは見られず、破れも見られなかった。以上の工程を1回の成形試験とした。1回の成形試験が終了するごとに半導体モールド用離型シートを新しいものと取り替え、さらに9回成形を行ったところ、各回の成形毎に上記と同様の結果が得られた。
また、実施例1と同様にして異物試験を行った。その結果、異物数は300個であった。異物をEDX分析装置にて元素分析した結果、炭素のピークが強く現れ、異物が有機物からなることがわかった。
実施例1と同様に2層のプラスチックフィルムを得た。
この2層のプラスチックフィルムにスパッタ法によりシリカ膜を形成し、A層/B層/シリカ膜からなるモールド用離型シートを得た。
前記と同じ条件でシリコンウエハにシリカ膜を形成し、実施例1と同様に屈折率と膜厚を測定した結果、シリカ膜の屈折率は波長632.8nmでは1.47であり、膜厚は50nmであった。このシリカ膜の表面をSEM観察した結果、外接円の直径が10〜100nmの空孔やへこみが観察されなかった。これらより、バルク状のシリカ膜は、実質的に空隙率は0%であり、面積1m2のバルク状のシリカ膜が有する空隙体積は実質的に0ccであることがわかった。
前記モールド用離型シートを用いて、実施例1と同じ条件で成形試験を行なった。成形後に上型の真空吸引孔を大気圧に戻した後、金型を開放すると、この半導体モールド用離型シートは金型から自然に剥離した。成形品に付着している半導体モールド用離型シートを、180℃にて剥離角度180°剥離速度2m/分で剥離すると、0.01N/25mmの剥離力で剥離した。また、半導体モールド用離型シートにシワは見られず、破れも見られなかった。以上の工程を1回の成形試験とした。1回の成形試験が終了するごとに半導体モールド用離型シートを新しいものと取り替え、さらに9回成形を行ったところ、各回の成形毎に上記と同様の結果が得られた。
また、、実施例1と同様にして異物試験を行った。その結果、異物数は280個であった。異物をEDX分析装置にて元素分析した結果、炭素のピークが強く現れ、異物が有機物からなることがわかった。
Claims (8)
- 1層もしくは2層以上の層からなるプラスチックフィルムの少なくとも片面に多孔質層を形成してなるモールド用離型シート。
- 多孔質層が微粒子積層膜である請求項1記載のモールド用離型シート。
- 多孔質層である微粒子積層膜が、交互積層法により作製されたものである請求項1記載のモールド用離型シート。
- 微粒子積層膜を構成する微粒子が無機微粒子である請求項2又は3記載のモールド用離型シート。
- 微粒子積層膜を構成する微粒子の平均一次粒子径が1〜100nmである請求項2〜4のいずれかに記載のモールド用離型シート。
- 多孔質層の空隙体積が、多孔質層の面積1m2あたり0.02cc以上である請求項1〜5のいずれかに記載のモールド用離型シート。
- 多孔質層の空隙率が、20〜80%である請求項1〜6のいずれかに記載のモールド用離型シート。
- 1層もしくは2層以上の層からなるプラスチックフィルムの少なくとも片面に交互積層法により微粒子積層膜から成る多孔質層を形成することを特徴とするモールド用離型シートの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008098122A JP5392527B2 (ja) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | モールド用離型シート及びその製造法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008098122A JP5392527B2 (ja) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | モールド用離型シート及びその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009248420A true JP2009248420A (ja) | 2009-10-29 |
JP5392527B2 JP5392527B2 (ja) | 2014-01-22 |
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
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---|---|---|---|---|
CN111183010A (zh) * | 2017-10-06 | 2020-05-19 | 东丽薄膜先端加工股份有限公司 | 模塑成型用脱模膜及模塑成型法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2008
- 2008-04-04 JP JP2008098122A patent/JP5392527B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP5392527B2 (ja) | 2014-01-22 |
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