JP2009244581A - Mask for vacuum-ultraviolet light, and method and apparatus for manufacturing pattern-formed body using vacuum-ultraviolet light - Google Patents

Mask for vacuum-ultraviolet light, and method and apparatus for manufacturing pattern-formed body using vacuum-ultraviolet light Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a metal mask for vacuum-ultraviolet light, by which a pattern-formed body can be manufactured with high sensitivity, wherein the pattern-formed body is accurately subjected to vacuum-ultraviolet light radiation by using the vacuum-ultraviolet light in a high-definition and complex pattern. <P>SOLUTION: The metal mask 10 for vacuum-ultraviolet light is used for the method of manufacturing the pattern-formed body whose pattern-forming surface is subjected to the vacuum-ultraviolet light radiation in a pattern by: using a substrate for forming the pattern; arranging the metal mask on the pattern-forming surface of the substrate for forming the pattern; and irradiating the pattern-forming surface with the vacuum-ultraviolet light through the metal mask in the presence of a reactant gas. The metal mask includes: a metal mask body 1 consisting of a metal thin plate and having an opening 2; and a bridge portion 3 formed to form a bridge across the opening, wherein the bridge portion is formed so that an air gap through which the reactant gas can be passed is formed between the pattern-forming surface and the bridge portion when the bridge portion is arranged on the substrate 101 for forming the pattern. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、真空紫外光を用いたパターン形成体の製造方法等に関するものであり、より詳しくはメタルマスクを用いてパターン状に真空紫外光照射処理を行うパターン形成体の製造方法、当該製造方法に用いられる真空紫外光用マスク、および当該製造方法を実施するためのパターン形成体製造装置に関するものである。   The present invention relates to a method for producing a pattern forming body using vacuum ultraviolet light, and more specifically, a method for producing a pattern forming body that performs vacuum ultraviolet light irradiation processing in a pattern using a metal mask, and the manufacturing method. The present invention relates to a vacuum ultraviolet light mask used for the above-mentioned and a pattern forming body manufacturing apparatus for carrying out the manufacturing method.

現在、基材上に図案、画像、文字、回路等の種々のパターンを形成するパターン形成体の製造方法としては、様々な方法が提案されている。このようなパターン形成体の製造方法の代表的なものとしては、例えば、平版印刷や、オフセット印刷、ヒートモード記録材料を用いた平版印刷原版を作製する印刷法があり、このような印刷法は簡易的にパターン形成体を製造できるという利点を有することから広く用いられてきた。   At present, various methods have been proposed as a method for manufacturing a pattern forming body for forming various patterns such as designs, images, characters, and circuits on a substrate. Typical examples of the method for producing such a pattern-formed body include lithographic printing, offset printing, and a printing method for producing a lithographic printing original plate using a heat mode recording material. It has been widely used because it has an advantage that a pattern-formed body can be easily produced.

一方、近年では、上記印刷法に代わる方法としてフォトリソグラフィー法が主流となってきている。フォトリソグラフィー法とは、例えば、基材上に塗布したフォトレジスト層にパターン露光を行い、露光後、フォトレジストを現像し、さらにエッチングを行ったり、フォトレジストに機能性を有する物質を用いて、フォトレジストの露光によって目的とするパターンを直接形成することによりパターン形成体を製造する方法である。このようなフォトリソグラフィー法は、従来の印刷法に比べて高精細なパターニングが施されたパターン形成体を製造することが可能であるということから、例えば、液晶表示装置に用いられるカラーフィルターの製造方法等に用いられている。   On the other hand, in recent years, a photolithography method has become the mainstream as a method to replace the printing method. Photolithographic methods include, for example, pattern exposure on a photoresist layer coated on a substrate, development of the photoresist after exposure, further etching, or using a substance having functionality in the photoresist, This is a method for producing a pattern forming body by directly forming a target pattern by exposure of a photoresist. Such a photolithography method can produce a pattern-formed body that has been subjected to high-definition patterning as compared with the conventional printing method. For example, it can produce a color filter used in a liquid crystal display device. Used in methods.

しかしながら、このようなフォトリソグラフィー法においては、フォトレジストを用いるとともに、露光後に液体現像液によって現像を行ったり、エッチングを行う必要があるため、廃液を処理する必要が生じる等の問題があることからフォトリソグラフィー法を用いたパターン形成体の製造方法は必ずしも生産性の高いものではなかった。また、フォトレジストとして機能性の物質を用いた場合には、現像の際に使用されるアルカリ液等によって劣化する等の問題もあり、材料選択の幅が狭いということも指摘されていた。   However, in such a photolithography method, there is a problem that a waste liquid needs to be processed because it is necessary to use a photoresist and develop or etch with a liquid developer after exposure. A method for producing a pattern-formed body using a photolithography method has not always been highly productive. In addition, it has been pointed out that when a functional substance is used as a photoresist, there is a problem that the material is deteriorated by an alkaline solution or the like used during development, and the range of material selection is narrow.

このような状況において、特許文献1には、真空紫外光を用いるパターン形成体の製造方法が開示されている。特許文献1に開示された方法は、基材および上記基材上に形成された有機物からなる有機分子膜を有するパターン形成用基板に、フォトマスクを介して上記有機分子膜にパターン状に真空紫外光を照射することにより、上記有機分子膜を分解除去し、パターン形成体を製造する方法である。このような真空紫外光を用いる方法は、フォトリソグラフィー法の欠点であった現像液の使用等を必要としないドライプロセスであるため、高生産性でパターン形成体を製造することができる点において有用である。   Under such circumstances, Patent Document 1 discloses a method for manufacturing a pattern forming body using vacuum ultraviolet light. In the method disclosed in Patent Document 1, a pattern forming substrate having a base material and an organic molecular film made of an organic substance formed on the base material is patterned in vacuum ultraviolet on the organic molecular film through a photomask. In this method, the organic molecular film is decomposed and removed by irradiating light to produce a pattern forming body. Such a method using vacuum ultraviolet light is a dry process that does not require the use of a developer, which was a drawback of the photolithography method, and is useful in that a pattern-formed body can be produced with high productivity. It is.

ところで、特許文献1に開示されているような真空紫外光によるパターンの形成は、有機分子膜が真空紫外光の作用により分解除去されて行われるものである。すなわち、真空紫外光の照射が行われると、有機分子膜の有機物の分子結合が、真空紫外光の作用により切断されたり、また酸素の存在下、酸素が励起されて発生する酸素原子ラジカルが有機物に作用を及ぼすことにより、有機分子膜の有機物が分解物となり、この分解物がパターン形成用基板上から揮発除去されることで、パターンが形成されるものである。
このようなことから、真空紫外光を用いるパターン形成体の製造方法においては、パターンを形成する基材表面に、常時真空紫外光と作用する酸素を存在させておくことが必要となる。
By the way, the pattern formation by vacuum ultraviolet light as disclosed in Patent Document 1 is performed by decomposing and removing the organic molecular film by the action of vacuum ultraviolet light. That is, when irradiation with vacuum ultraviolet light is performed, molecular bonds of organic substances in the organic molecular film are broken by the action of vacuum ultraviolet light, or oxygen atom radicals generated by oxygen excitation in the presence of oxygen are converted into organic substances. By acting on the organic matter, the organic matter of the organic molecular film becomes a decomposed product, and the decomposed product is volatilized and removed from the pattern forming substrate, whereby a pattern is formed.
For this reason, in the method for producing a pattern forming body using vacuum ultraviolet light, it is necessary that oxygen acting on the vacuum ultraviolet light always be present on the surface of the substrate on which the pattern is formed.

しかしながら、特許文献1のようなフォトマスクを用いる方法では、有機分子膜とフォトマスクとが近接しているため、真空紫外光を連続照射すると真空紫外光と作用する酸素が不足してしまい、結果として真空紫外光によるパターン形成の感度が低下してしまうという問題点があった。   However, in the method using a photomask as in Patent Document 1, since the organic molecular film and the photomask are close to each other, oxygen that acts on the vacuum ultraviolet light becomes insufficient when the vacuum ultraviolet light is continuously irradiated. As a problem, the sensitivity of pattern formation by vacuum ultraviolet light is reduced.

このような問題点に鑑み、本発明者らはメタルマスクを用いて真空紫外光によるパターン形成体を製造することを可能にする発明を完成している(特許文献2)。このようなメタルマスクを用いる方法は、真空紫外光を用いて高精細なパターン状の真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を高感度で製造できるという点において、特許文献1に記載されたような従来の方法に比べて著しく利点を有するものである。   In view of such problems, the present inventors have completed an invention that makes it possible to produce a pattern-formed body using vacuum ultraviolet light using a metal mask (Patent Document 2). A method using such a metal mask is described in Patent Document 1 in that a pattern formed body subjected to a high-definition pattern-shaped vacuum ultraviolet light irradiation treatment using vacuum ultraviolet light can be manufactured with high sensitivity. This is a significant advantage over the conventional methods.

しかしながら、上記メタルマスクはその性質上、パターンを高精細化するとそれに伴って厚みが薄くなる傾向を有することから、特許文献2に記載されたようなメタルマスクを用いる方法においても、例えば、上記メタルマスクとして比較的開口部が大きく形成されたものや、複雑な形状に開口部が形成されたもの等、高精細なパターン状に開口部が形成されたメタルマスクを用いた場合は、パターン形成体を製造する際に開口部の形状が変形してしまい、当初予定していたパターン状に真空紫外光照射処理を行うことが困難になるおそれがあった。   However, since the metal mask has a tendency to decrease in thickness as the pattern becomes higher in definition, the method using the metal mask described in Patent Document 2, for example, also includes the metal mask. If a metal mask with openings in a high-definition pattern, such as a mask with a relatively large opening or a complicated opening, is used as a mask. The shape of the opening is deformed when manufacturing the film, which may make it difficult to perform the vacuum ultraviolet light irradiation treatment in the pattern shape originally planned.

特開2001−324816号公報JP 2001-324816 A 特開2007−178783号公報JP 2007-178783 A

本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、真空紫外光を用いて高精細かつ複雑なパターン状に、正確に真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を、高感度で製造できる真空紫外光用メタルマスク、これが用いられた真空紫外光によるパターン形成体の製造方法、および当該製造方法を実施可能な真空紫外光によるパターン形成体の製造装置を提供することを主目的とするものである。   The present invention has been made in view of such problems, and a pattern formed body that has been subjected to a vacuum ultraviolet light irradiation treatment in a high-definition and complicated pattern shape using vacuum ultraviolet light has a high sensitivity. The object of the present invention is to provide a vacuum ultraviolet light metal mask that can be manufactured by the method, a method for manufacturing a pattern forming body using vacuum ultraviolet light using the metal mask, and a device for manufacturing a pattern forming body using vacuum ultraviolet light that can perform the manufacturing method. It is what.

上記課題を解決するために本発明は、パターン形成用基板を用い、上記パターン形成用基板のパターン形成面上にメタルマスクを配置し、反応性ガスの存在下において上記メタルマスクを介して上記パターン形成面に真空紫外光を照射することにより、上記パターン形成面がパターン状に真空紫外光照射処理されたパターン形成体を製造する方法に用いられる真空紫外光用メタルマスクであって、金属薄板からなり、開口部を有するメタルマスク本体と、上記開口部を架橋するように形成されたブリッジ部分とを有し、かつ、上記パターン形成用基板上に配置された際に、上記パターン形成面とブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、上記ブリッジ部分が形成されていることを特徴とする、真空紫外光用メタルマスクを提供する。   In order to solve the above problems, the present invention uses a pattern forming substrate, disposes a metal mask on the pattern forming surface of the pattern forming substrate, and the pattern is formed through the metal mask in the presence of a reactive gas. A vacuum ultraviolet light metal mask for use in a method of manufacturing a pattern forming body in which the pattern forming surface is subjected to vacuum ultraviolet light irradiation treatment in a pattern by irradiating the forming surface with vacuum ultraviolet light, comprising: And having a metal mask body having an opening and a bridge portion formed so as to bridge the opening, and when arranged on the pattern forming substrate, the pattern forming surface and the bridge For the vacuum ultraviolet light, wherein the bridge portion is formed so that a gap through which the reactive gas can flow is formed between the portion and the portion. To provide a Tarumasuku.

本発明の真空紫外光用メタルマスクによれば、開口部が上記ブリッジ部分によって架橋されていることにより、上記開口部を高精細かつ複雑な形状に形成したとしても、開口部の形状が変形することを防止できる。また、本発明の真空紫外光用メタルマスクが、上記パターン形成用基板上に配置された際に、上記パターン形成面とブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、上記ブリッジ部分が形成されていることにより、本発明の真空紫外光用メタルマスクを用いてパターン形成体を製造する際に、ブリッジ部分によって真空紫外光が遮蔽され、ブリッジ部分の下側に位置するパターン形成面が真空紫外光照射処理されなくなることを防止することができる。
このため、本発明の真空紫外光用メタルマスクによれば、真空紫外光を用いて、高精細かつ複雑なパターン状に、正確に真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を、高感度で製造することができる。
According to the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention, since the opening is bridged by the bridge portion, the shape of the opening is deformed even if the opening is formed in a high-definition and complicated shape. Can be prevented. Further, when the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention is disposed on the pattern forming substrate, a gap through which the reactive gas can flow is formed between the pattern forming surface and the bridge portion. As described above, when the bridge portion is formed, the vacuum ultraviolet light is shielded by the bridge portion when the pattern forming body is manufactured using the metal mask for vacuum ultraviolet light according to the present invention. It is possible to prevent the pattern formation surface located on the side from being subjected to the vacuum ultraviolet light irradiation treatment.
For this reason, according to the metal mask for vacuum ultraviolet light of the present invention, a pattern formed body that has been subjected to vacuum ultraviolet light irradiation treatment in a high-definition and complicated pattern shape using vacuum ultraviolet light has high sensitivity. Can be manufactured.

本発明の真空紫外光用メタルマスクにおいては、上記ブリッジ部分の厚みが、上記メタルマスク本体の厚みより薄いことが好ましい。また、上記ブリッジ部分は、少なくとも一方の面からのハーフエッチングにより形成されたものであることが好ましい。これにより反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように上記ブリッジ部分を形成することが容易になるからである。   In the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention, it is preferable that the bridge portion is thinner than the metal mask main body. Moreover, it is preferable that the bridge portion is formed by half etching from at least one surface. This is because it becomes easy to form the bridge portion so that a void through which the reactive gas can flow is formed.

また本発明の真空紫外光用メタルマスクにおいては、上記ブリッジ部分の幅が5μm〜100μmの範囲内であることが好ましい。これにより、本発明の真空紫外光用メタルマスクを用いてパターン形成体を製造する際に、上記ブリッジ部分の下部に形成される空隙に十分に真空紫外光を回り込ませることが可能になり、ブリッジ部分の下部に位置するパターン形成面が真空紫外光照射処理が施されなくなることを、より効果的に防止することができるからである。   Moreover, in the metal mask for vacuum ultraviolet light of this invention, it is preferable that the width | variety of the said bridge | bridging part exists in the range of 5 micrometers-100 micrometers. As a result, when the pattern forming body is manufactured using the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention, it becomes possible to sufficiently circulate the vacuum ultraviolet light into the gap formed in the lower portion of the bridge portion. It is because it can prevent more effectively that the pattern formation surface located in the lower part of a part is no longer subjected to a vacuum ultraviolet light irradiation process.

また上記課題を解決するために本発明は、パターン形成用基板を用い、上記パターン形成用基板のパターン形成面上に、上記本発明に係る真空紫外光用メタルマスクを配置するメタルマスク配置工程と、反応性ガスの存在下において、上記真空紫外光用メタルマスクを介して上記パターン形成面に真空紫外光を照射する真空紫外光照射工程と、を有することを特徴とする真空紫外光によるパターン形成体の製造方法を提供する。   In order to solve the above problems, the present invention provides a metal mask arranging step of using a pattern forming substrate and arranging the vacuum ultraviolet light metal mask according to the present invention on the pattern forming surface of the pattern forming substrate. Vacuum ultraviolet light irradiation step of irradiating the pattern formation surface with vacuum ultraviolet light through the vacuum ultraviolet light metal mask in the presence of a reactive gas. A method for manufacturing a body is provided.

本発明によればパターン状に真空紫外光照射処理を行うために用いられるメタルマスクとして、上記本発明に係る真空紫外光用メタルマスクが用いられているため、真空紫外光を用いて高精細かつ複雑なパターン状に、正確に真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を高感度で製造することができる。   According to the present invention, since the metal mask for vacuum ultraviolet light according to the present invention is used as a metal mask used for performing the vacuum ultraviolet light irradiation treatment in a pattern, the vacuum ultraviolet light is used for high definition and It is possible to manufacture with high sensitivity a pattern forming body in which a vacuum ultraviolet light irradiation treatment is accurately performed in a complicated pattern.

本発明においては、上記メタルマスク配置工程が上記真空紫外光用メタルマスクを上記パターン形成用基板の上記パターン形成面とは反対面側から磁石によって固定するものであることが好ましい。これにより、上記本発明に係る真空紫外光用メタルマスクとして、高精細かつ複雑なパターンが形成され、かつ厚みが薄いものを用いた場合であっても、上記真空紫外光用メタルマスクを上記パターン形成面上に密接させた状態で固定できるため、上記パターン形成面が高精細かつ複雑なパターン状に、正確に真空紫外光照射処理されたパターン形成体を製造することができるからである。   In this invention, it is preferable that the said metal mask arrangement | positioning process fixes the said metal mask for vacuum ultraviolet light with a magnet from the surface opposite to the said pattern formation surface of the said pattern formation board | substrate. As a result, even if a high-definition and complicated pattern is formed as a metal mask for vacuum ultraviolet light according to the present invention and a thin mask is used, the metal mask for vacuum ultraviolet light is used as the pattern. This is because it can be fixed in close contact with the forming surface, so that a pattern forming body in which the pattern forming surface is subjected to a vacuum ultraviolet light irradiation treatment accurately in a high-definition and complicated pattern can be manufactured.

さらに本発明は、パターン形成用基板を支持する、パターン形成用基板支持部と、上記パターン形成用基板支持部に支持されるパターン形成用基板のパターン形成面上配置されるように設置された真空紫外光用メタルマスクと、上記パターン形成用基板支持部に支持されたパターン形成用基板のパターン形成面に上記真空紫外光用メタルマスクを介して真空紫外光を照射する真空紫外光照射部と、を有する真空紫外光によるパターン形成体製造装置であって、上記真空紫外光用メタルマスクが、上記本発明に係る真空紫外光用メタルマスクであることを特徴とする、真空紫外光によるパターン形成体製造装置を提供する。   Furthermore, the present invention provides a pattern-forming substrate support portion that supports the pattern-forming substrate, and a vacuum placed so as to be disposed on the pattern-forming surface of the pattern-forming substrate supported by the pattern-forming substrate support portion. An ultraviolet light metal mask, and a vacuum ultraviolet light irradiation unit that irradiates the pattern formation surface of the pattern formation substrate supported by the pattern formation substrate support part with vacuum ultraviolet light through the vacuum ultraviolet light metal mask, A pattern forming body using vacuum ultraviolet light, characterized in that the vacuum ultraviolet light metal mask is the vacuum ultraviolet light metal mask according to the present invention. Providing manufacturing equipment.

本発明によれば、上記真空紫外光メタルマスクが、上記本発明に係る真空紫外光用メタルマスクであることにより、真空紫外光を用いて高精細かつ複雑なパターン状に、正確な真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を高感度で製造することができる。また、本発明の真空紫外光によるパターン形成体製造装置は、上記本発明に係る真空紫外光によるパターン形成体の製造方法を好適に実施することができる。   According to the present invention, since the vacuum ultraviolet light metal mask is the vacuum ultraviolet light metal mask according to the present invention, accurate vacuum ultraviolet light is obtained in a high-definition and complicated pattern using vacuum ultraviolet light. A pattern formed body that has been subjected to irradiation treatment can be produced with high sensitivity. Moreover, the pattern formation body manufacturing apparatus by the vacuum ultraviolet light of this invention can implement suitably the manufacturing method of the pattern formation body by the vacuum ultraviolet light which concerns on the said invention.

また、本発明の真空紫外光によるパターン形成体の製造装置は、上記真空紫外光用メタルマスクを、上記パターン形成用基板支持部に支持されるパターン形成用基板のパターン形成面とは反対面側から磁力によって固定する磁力発生部を有することが好ましい。これにより、上記メタルマスク支持部に支持される真空紫外光用メタルマスクとして、高精細かつ複雑なパターンが形成され、かつ厚みが薄いものが用いられた場合であっても、上記真空紫外光用メタルマスクを上記パターン形成面上に密接させた状態で固定できるため、上記パターン形成面がパターン通りに、正確に真空紫外光照射処理されたパターン形成体を製造することができるからである。   The apparatus for producing a pattern forming body using vacuum ultraviolet light according to the present invention is such that the vacuum ultraviolet light metal mask is opposite to the pattern forming surface of the pattern forming substrate supported by the pattern forming substrate support. It is preferable to have a magnetic force generator fixed by magnetic force. As a result, even if a high-definition and complicated pattern is formed and a thin mask is used as the vacuum ultraviolet light metal mask supported by the metal mask support, the vacuum ultraviolet light is used. This is because the metal mask can be fixed in close contact with the pattern forming surface, so that a pattern forming body in which the pattern forming surface is accurately subjected to the vacuum ultraviolet light irradiation processing according to the pattern can be manufactured.

本発明は、真空紫外光を用いて高精細かつ複雑なパターン状に、正確に真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を、高感度で製造できるという効果を奏する。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention has an effect that it is possible to manufacture with high sensitivity a pattern forming body that has been subjected to a vacuum ultraviolet light irradiation process accurately in a high-definition and complicated pattern using vacuum ultraviolet light.

本発明は、真空紫外光用メタルマスク、真空紫外光によるパターン形成体の製造方法、および真空紫外光によるパターン形成体製造装置に関するものである。
以下、これらの各発明について順に説明する。
The present invention relates to a metal mask for vacuum ultraviolet light, a pattern forming body manufacturing method using vacuum ultraviolet light, and a pattern forming body manufacturing apparatus using vacuum ultraviolet light.
Hereinafter, each of these inventions will be described in order.

A.真空紫外光用メタルマスク
まず、本発明の真空紫外光用メタルマスクについて説明する。上述したように本発明の真空紫外光用メタルマスクは、パターン形成用基板を用い、上記パターン形成用基板のパターン形成面上にメタルマスクを配置し、反応性ガスの存在下において上記メタルマスクを介して上記パターン形成面に真空紫外光を照射することにより、上記パターン形成面がパターン状に真空紫外光照射処理されたパターン形成体を製造する方法に用いられるものであって、金属薄板からなり、開口部を有するメタルマスク本体と、上記開口部を架橋するように形成されたブリッジ部分とを有し、かつ、上記パターン形成用基板上に配置された際に、上記パターン形成面とブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、上記ブリッジ部分が形成されていることを特徴とするものである。
A. First, the metal mask for vacuum ultraviolet light of the present invention will be described. As described above, the metal mask for vacuum ultraviolet light of the present invention uses a pattern forming substrate, disposes the metal mask on the pattern forming surface of the pattern forming substrate, and the metal mask in the presence of a reactive gas. The pattern forming surface is used for a method of manufacturing a pattern forming body in which the pattern forming surface is subjected to vacuum ultraviolet light irradiation processing in a pattern by irradiating the pattern forming surface with a vacuum ultraviolet light. The pattern forming surface and the bridge portion when the metal mask main body having an opening and a bridge portion formed so as to bridge the opening are disposed on the pattern forming substrate. The bridge portion is formed so as to form a gap through which the reactive gas can flow.

このような本発明の真空紫外光用メタルマスクについて説明するために、先に本発明の真空紫外光用メタルマスクの用途である、真空紫外光によるパターン形成体の製造方法について説明する。本発明の真空紫外光用メタルマスクは、パターン形成用基板を用い、上記パターン形成用基板のパターン形成面上にメタルマスクを配置し、反応性ガスの存在下において上記メタルマスクを介して上記パターン形成面に真空紫外光を照射することにより、上記パターン形成面がパターン状に真空紫外光照射処理されたパターン形成体を製造する、いわゆる真空紫外光リソグラフィー法に用いられるものである。   In order to describe the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention, a method for producing a pattern forming body using vacuum ultraviolet light, which is an application of the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention, will be described first. The vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention uses a pattern forming substrate, disposes a metal mask on the pattern forming surface of the pattern forming substrate, and passes the pattern through the metal mask in the presence of a reactive gas. By irradiating the formation surface with vacuum ultraviolet light, the pattern formation surface is used in a so-called vacuum ultraviolet light lithography method for producing a pattern-formed body in which the pattern formation surface is subjected to vacuum ultraviolet light irradiation treatment in a pattern.

このような真空紫外光リソグラフィー法の具体例について図を参照しながら説明する。図1は本発明の真空紫外光用メタルマスクの用途である真空紫外光によるパターン形成体の製造方法の一例を示す概略図である。図1に例示するように、本発明の真空紫外光用メタルマスクは、真空紫外光が照射されることによって真空紫外光照射処理されることが可能なパターン形成面Pを有するパターン形成用基板101を用い(図1(a))、上記パターン形成用基板101のパターン形成面P上に、メタルマスク102を配置するメタルマスク配置工程と(図1(b))、反応性ガスの存在下において、メタルマスク102を介して上記パターン形成面Pに真空紫外光(VUV)を照射する真空紫外光照射工程(図1(c))と、を有することにより、パターン形成面Pがパターン状に真空紫外光照射処理されたパターン形成体100を製造する(図1(d))、真空紫外光によるパターン形成体の製造方法に用いられるものである。すなわち、本発明の真空紫外光用メタルマスクは、上記図1におけるメタルマスク102として用いられるものである。   A specific example of such a vacuum ultraviolet light lithography method will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view showing an example of a method for producing a pattern forming body using vacuum ultraviolet light, which is an application of the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention. As illustrated in FIG. 1, the metal mask for vacuum ultraviolet light of the present invention has a pattern forming substrate 101 having a pattern forming surface P that can be subjected to vacuum ultraviolet light irradiation treatment by being irradiated with vacuum ultraviolet light. (FIG. 1A), a metal mask placement step of placing the metal mask 102 on the pattern formation surface P of the pattern formation substrate 101 (FIG. 1B), in the presence of a reactive gas. And a vacuum ultraviolet light irradiation step (FIG. 1C) for irradiating the pattern forming surface P with vacuum ultraviolet light (VUV) through the metal mask 102, whereby the pattern forming surface P is vacuum-patterned. The pattern forming body 100 subjected to the ultraviolet light irradiation treatment is manufactured (FIG. 1 (d)), which is used in a method for manufacturing a pattern forming body using vacuum ultraviolet light. That is, the metal mask for vacuum ultraviolet light of the present invention is used as the metal mask 102 in FIG.

次に、本発明の真空紫外光用メタルマスクについて図を参照しながら説明する。図2は本発明の真空紫外光用メタルマスクの一例を示す概略図である。図2(a)に例示するように、本発明の真空紫外光用メタルマスク10は、金属薄板からなり、開口部2を有するメタルマスク本体1と、上記メタルマスク本体1の開口部2を架橋するように形成されたブリッジ部分3とを有するものである。
また図2(b)は、図2(a)におけるX−X’線矢視断面図である。図2(b)に例示するように、本発明の真空紫外光用メタルマスク10は、実際に、真空紫外光リソグラフィー法において、パターン形成用基板101上に配置された際に、上記パターン形成用基板101のパターン形成面とブリッジ部分3との間に反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、上記ブリッジ部分3が形成されていることを特徴とするものである。
Next, the metal mask for vacuum ultraviolet light of this invention is demonstrated, referring a figure. FIG. 2 is a schematic view showing an example of a metal mask for vacuum ultraviolet light according to the present invention. As illustrated in FIG. 2A, the vacuum ultraviolet light metal mask 10 of the present invention is made of a thin metal plate and bridges the metal mask body 1 having the opening 2 and the opening 2 of the metal mask body 1. And a bridge portion 3 formed in such a manner.
FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line XX ′ in FIG. As illustrated in FIG. 2B, when the vacuum ultraviolet light metal mask 10 of the present invention is actually disposed on the pattern forming substrate 101 in the vacuum ultraviolet light lithography method, the pattern forming metal mask 10 is used. The bridge portion 3 is formed so that a gap through which a reactive gas can flow is formed between the pattern forming surface of the substrate 101 and the bridge portion 3.

本発明の真空紫外光用メタルマスクによれば、開口部が上記ブリッジ部分によって架橋されていることにより、上記開口部を高精細かつ複雑な形状に形成したとしても、開口部の形状が変形することを防止できる。また、本発明の真空紫外光用メタルマスクが、上記パターン形成用基板上に配置された際に、上記パターン形成面とブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、上記ブリッジ部分が形成されていることにより、本発明の真空紫外光用メタルマスクを用いてパターン形成体を製造する際に、ブリッジ部分によって真空紫外光が遮蔽され、ブリッジ部分の下側に位置するパターン形成面が真空紫外光照射処理されなくなることを防止することができる。
このため、本発明の真空紫外光用メタルマスクによれば、真空紫外光を用いて、高精細かつ複雑なパターン状に、正確に真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を、高感度で製造することができる。
According to the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention, since the opening is bridged by the bridge portion, the shape of the opening is deformed even if the opening is formed in a high-definition and complicated shape. Can be prevented. Further, when the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention is disposed on the pattern forming substrate, a gap through which the reactive gas can flow is formed between the pattern forming surface and the bridge portion. As described above, when the bridge portion is formed, the vacuum ultraviolet light is shielded by the bridge portion when the pattern forming body is manufactured using the metal mask for vacuum ultraviolet light according to the present invention. It is possible to prevent the pattern formation surface located on the side from being subjected to the vacuum ultraviolet light irradiation treatment.
For this reason, according to the metal mask for vacuum ultraviolet light of the present invention, a pattern formed body that has been subjected to vacuum ultraviolet light irradiation treatment in a high-definition and complicated pattern shape using vacuum ultraviolet light has high sensitivity. Can be manufactured.

本発明の真空紫外光用メタルマスクは、メタルマスク本体と、ブリッジ部分とを有するものである。
以下、本発明のメタルマスクに用いられる各構成について順に説明する。
The metal mask for vacuum ultraviolet light of this invention has a metal mask main body and a bridge part.
Hereafter, each structure used for the metal mask of this invention is demonstrated in order.

1.ブリッジ部分
まず、本発明の真空紫外光用メタルマスクに用いられるブリッジ部分について説明する。本発明に用いられるブリッジ部分は、メタルマスク本体に形成された開口部を架橋するように形成され、上記開口部の形状が変形してしまうことを防止する機能を有するものである。そして、本発明に用いられるブリッジ部分は、本発明の真空紫外光用メタルマスクがパターン形成用基板上に配置された際に、パターン形成面とブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙ができるように、形成されていることを特徴とするものである。
以下、このようなブリッジ部分について詳細に説明する。
1. Bridge part First, the bridge part used for the metal mask for vacuum ultraviolet light of this invention is demonstrated. The bridge portion used in the present invention is formed so as to bridge the opening formed in the metal mask body, and has a function of preventing the shape of the opening from being deformed. The bridge portion used in the present invention allows the reactive gas to flow between the pattern formation surface and the bridge portion when the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention is disposed on the pattern formation substrate. It is characterized by being formed so that possible voids are formed.
Hereinafter, such a bridge portion will be described in detail.

上述したように本発明に用いられるブリッジ部分は、本発明の真空紫外光用メタルマスクが真空紫外光リソグラフィー法に用いられ、パターン形成用基板上に配置された際に、パターン形成面とブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙(以下、当該空隙を「真空紫外光照射処理用空隙」と称する場合がある。)ができるように、形成されていることを特徴とするものである。したがって、上記ブリッジ部分が形成されている態様としては、上記真空紫外光照射処理用空隙を所望の大きさにできる態様であれば特に限定されるものではない。このような態様としては、例えば、メタルマスク本体に形成された開口部を架橋するようにアーチ状に形成された態様であってもよく、あるいは直線状に形成された態様であってもよい。   As described above, when the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention is used in the vacuum ultraviolet light lithography method and disposed on the pattern forming substrate, the bridge portion used in the present invention is the pattern forming surface and the bridge portion. It is formed so that the space | gap which the said reactive gas can flow between (it is hereafter called the space | gap for a vacuum ultraviolet light irradiation process) may be formed between these. Is. Therefore, the aspect in which the bridge part is formed is not particularly limited as long as the vacuum ultraviolet light irradiation processing gap can be formed in a desired size. As such an aspect, the aspect formed in the arch shape so that the opening part formed in the metal mask main body might be bridge | crosslinked may be sufficient, for example, and the aspect formed linearly may be sufficient.

本発明におけるブリッジ部分が形成されている態様について図を参照しながら説明する。図3は、本発明におけるブリッジ部分が形成されている態様の一例を示す概略図である。図3に例示するように、本発明におけるブリッジ部分3は、メタルマスク本体1における開口部2を架橋するようにアーチ状に形成された態様であってもよく(図3(a)、(b))、あるいは直線状に形成された態様であってもよい(図3(c)、(d))。   The aspect in which the bridge part in this invention is formed is demonstrated referring a figure. FIG. 3 is a schematic view showing an example of an aspect in which a bridge portion in the present invention is formed. As illustrated in FIG. 3, the bridge portion 3 in the present invention may be formed in an arch shape so as to bridge the opening 2 in the metal mask main body 1 (FIGS. 3A and 3B). )), Or a linearly formed mode (FIGS. 3C and 3D).

本発明におけるブリッジ部分はこれらのいずれの態様で形成されたものであってもよいが、なかでもメタルマスク本体における開口部を架橋するように直線状に形成された態様であることが好ましい。このような態様のブリッジ部分は、少なくとも一方の面からのハーフエッチングにより、上記開口部と同時に容易に形成することができるからである。すなわち、後述するように本発明の真空紫外光用メタルマスクは、金属薄板を用い、当該金属薄板を一方の面から所望のパターンでハーフエッチングした後、逆の面から同一のパターンでハーフエッチングすることにより製造することができるが、このとき、ブリッジ部分に相当する位置については一方の面からのハーフエッチングしか行わないか、あるいはブリッジ部分に相当する位置についてはエッチングの条件を弱めることによって、上記ブリッジ部分と上記開口部とを同時に形成することができる。このような製造方法上の利点を考慮すると、本発明におけるブリッジ部分は、一方の面からのハーフエッチングにより形成されたものであることが特に好ましい。   The bridge portion in the present invention may be formed in any of these modes, but it is preferable that the bridge portion is formed in a straight line so as to bridge the opening in the metal mask body. This is because such a bridge portion can be easily formed simultaneously with the opening by half-etching from at least one surface. That is, as will be described later, the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention uses a metal thin plate, and after half-etching the metal thin plate with a desired pattern from one surface, half-etching with the same pattern from the opposite surface However, at this time, only the half etching from one surface is performed on the position corresponding to the bridge portion, or the etching condition is weakened on the position corresponding to the bridge portion. The bridge portion and the opening can be formed at the same time. Considering such advantages in the manufacturing method, it is particularly preferable that the bridge portion in the present invention is formed by half etching from one surface.

また、本発明におけるブリッジ部分によって形成される真空紫外光照射処理用空隙の大きさとしては、本発明の真空紫外光用メタルマスクを用いて実施される真空紫外光リソグラフィー法に用いられる真空紫外光の波長や、ブリッジ部分の厚み、あるいはブリッジ部分の幅等に応じて、上記真空紫外光照射処理用空隙に酸素等の反応性ガスを存在させることができ、かつ真空紫外光を回り込ませることができる範囲内であれば特に限定されるものではない。なかでも本発明におけるブリッジ部分によって形成される真空紫外光照射処理用空隙は、高さが1μm以上であることが好ましく、10μm以上であることがより好ましく、30μm以上であることがさらに好ましい。上記真空紫外光照射処理用空隙の高さが上記範囲よりも低いと、上記真空紫外光照射処理用空隙内に反応性ガスを通流させたり、あるいは真空紫外光を回り込ませることが困難となる場合があるからである。   In addition, the size of the vacuum ultraviolet light irradiation treatment gap formed by the bridge portion in the present invention is the vacuum ultraviolet light used in the vacuum ultraviolet light lithography method performed using the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention. Depending on the wavelength, the thickness of the bridge portion, the width of the bridge portion, etc., a reactive gas such as oxygen can be present in the vacuum ultraviolet light irradiation treatment gap, and vacuum ultraviolet light can be circulated. There is no particular limitation as long as it is within a possible range. Among them, the vacuum ultraviolet light irradiation treatment gap formed by the bridge portion in the present invention has a height of preferably 1 μm or more, more preferably 10 μm or more, and further preferably 30 μm or more. If the height of the vacuum ultraviolet light irradiation treatment gap is lower than the above range, it will be difficult to allow a reactive gas to flow into the vacuum ultraviolet light irradiation treatment gap or to circulate the vacuum ultraviolet light. Because there are cases.

また、本発明に用いられるブリッジ部分は後述するメタルマスク本体よりも厚みが薄いものであることが好ましい。これにより、本発明におけるブリッジ部分によって形成される真空紫外光照射処理用空隙に、十分に真空紫外光を回り込ませることが容易になるからである。   Moreover, it is preferable that the bridge | bridging part used for this invention is a thing thinner than the metal mask main body mentioned later. This is because it becomes easy to sufficiently circulate the vacuum ultraviolet light into the vacuum ultraviolet light irradiation processing gap formed by the bridge portion in the present invention.

本発明におけるブリッジ部分は、後述するメタルマスク本体に形成された開口部を架橋するように形成されたものであるが、1つの開口部に対して形成されるブリッジ部分の数は特に限定されるものではなく、開口部の形状等に応じて適宜その数を決定することができる。したがって、本発明において、1つの開口部に対して形成されるブリッジ部分の数は、1つであってもよく、あるいは複数であってもよい。   The bridge portion in the present invention is formed so as to bridge an opening formed in the metal mask main body to be described later, but the number of bridge portions formed for one opening is particularly limited. It is not a thing, but the number can be determined suitably according to the shape of an opening part, etc. Therefore, in the present invention, the number of bridge portions formed for one opening may be one or plural.

図4は、本発明の真空紫外光用メタルマスクにおいてブリッジ部分が形成されている一例を示す概略図である。図4に例示するように、本発明の真空紫外光用メタルマスクにおいてブリッジ部分が形成されている態様としては、1つの開口部2に対してブリッジ部分3が1つのみ形成されている態様であってもよく(図4(a))、あるいは1つの開口部2に対して複数のブリッジ部分3が形成されている態様であってもよい(図4(b)、(c))。   FIG. 4 is a schematic view showing an example in which a bridge portion is formed in the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention. As illustrated in FIG. 4, the aspect in which the bridge portion is formed in the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention is an aspect in which only one bridge portion 3 is formed for one opening 2. There may be a mode in which a plurality of bridge portions 3 are formed for one opening 2 (FIG. 4A) (FIGS. 4B and 4C).

本発明におけるブリッジ部分はこれらのいずれの態様で形成されたものであってもよいが、なかでも1つの開口部に対して複数のブリッジ部分が形成されていることが好ましい。これにより、開口面積が小さく、複雑に屈曲した開口部が形成されている場合であっても、当該開口部が変形することを効果的に防止することができるからである。   The bridge portion in the present invention may be formed in any of these modes, but it is preferable that a plurality of bridge portions are formed with respect to one opening. Thereby, even if the opening area is small and a complicatedly bent opening is formed, it is possible to effectively prevent the opening from being deformed.

本発明におけるブリッジ部分に用いられる材料としては、ブリッジ部分を所望の形態で形成できるものであれば特に限定されるものではないが、通常、後述するメタルマスク本体と同一の金属材料が用いられる。このような金属材料については、後述する「2.メタルマスク本体」の項において説明するため、ここでの説明は省略する。   The material used for the bridge portion in the present invention is not particularly limited as long as the bridge portion can be formed in a desired form. Usually, the same metal material as that of the metal mask body described later is used. Since such a metal material will be described later in the section “2. Metal Mask Body”, description thereof is omitted here.

2.メタルマスク本体
次に、本発明に用いられるメタルマスク本体について説明する。本発明に用いられるメタルマスク本体は金属薄板からなるものであり、開口部を有するものである。
2. Metal Mask Body Next, the metal mask body used in the present invention will be described. The metal mask main body used in the present invention is made of a thin metal plate and has an opening.

本発明に用いられるメタルマスク本体は金属薄板からなるものであるが、本発明に用いられる金属薄板を構成する金属材料としては、真空紫外光を遮蔽できるものであれば特に限定されるものではない。このような金属材料としては、例えば、42アロイ、46アロイ、インバー材等のNi−Fe系や、SUS403、その他の鋼板等のFe系材料を挙げることができる。本発明においてはこれらのいずれの金属材料であっても好適に用いることができるが、なかでも42アロイが好適に用いられる。   The metal mask body used in the present invention is made of a metal thin plate, but the metal material constituting the metal thin plate used in the present invention is not particularly limited as long as it can shield vacuum ultraviolet light. . Examples of such metal materials include Ni-Fe materials such as 42 alloy, 46 alloy, and Invar material, and SUS403 and other Fe materials such as steel plates. In the present invention, any of these metal materials can be preferably used, and among these, 42 alloy is preferably used.

なお、本発明に用いられる金属材料は1種類のみであってもよく、あるいは2種類以上であってもよい。   In addition, the metal material used for this invention may be only one type, or may be two or more types.

また、上記金属薄板の厚みとしては、所望の形状の開口部パターンを形成できる範囲内であれば特に限定されるものではないが、なかでも5μm〜500μmの範囲内であることが好ましく、10μm〜200μmの範囲内であることがより好ましく、50μm〜100μmの範囲内であることがさらに好ましい。一般的に厚みが厚くなると高精細なパターン状の開口部を形成することが困難になる場合があるからである。また厚みが上記範囲よりも薄いと、本発明の真空紫外光用メタルマスクが変形しやすくなってしまい、マスクに形成されたパターン通りに真空紫外光照射処理を行うことが困難になる場合があるからである。   Further, the thickness of the metal thin plate is not particularly limited as long as it is within a range in which an opening pattern having a desired shape can be formed, but in particular, it is preferably within a range of 5 μm to 500 μm. More preferably, it is in the range of 200 μm, more preferably in the range of 50 μm to 100 μm. This is because, in general, when the thickness is increased, it may be difficult to form a high-definition patterned opening. If the thickness is less than the above range, the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention is likely to be deformed, and it may be difficult to perform the vacuum ultraviolet light irradiation treatment according to the pattern formed on the mask. Because.

なお、本発明に用いられるメタルマスク本体は開口部を有するものであるが、当該開口部の形状等については、本発明の真空紫外光用メタルマスクを用いて形成するパターン形成体の用途等に応じて、適宜決定することができる。   Although the metal mask body used in the present invention has an opening, the shape of the opening and the like are used for a pattern forming body formed using the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention. It can be determined accordingly.

3.真空紫外光用メタルマスクの製造方法
次に、本発明の真空紫外光用メタルマスクの製造方法について説明する。本発明の真空紫外光用メタルマスクは、金属薄板をエッチングすることによって製造することができる。ここで、本発明の真空紫外光用メタルマスクを製造するために金属薄板をエッチングする方法としては、金属薄板を所望のパターン状にエッチングし、開口部を形成できる方法であれば特に限定されるものではない。このようなエッチング方法としては、一般的に公知のエッチング方法を用いることができる。なかでも本発明の真空紫外光用メタルマスクを製造するために好適に用いられるエッチング方法としては、次のような方法を挙げることができる。
3. Manufacturing method of metal mask for vacuum ultraviolet light Next, the manufacturing method of the metal mask for vacuum ultraviolet light of this invention is demonstrated. The metal mask for vacuum ultraviolet light of this invention can be manufactured by etching a metal thin plate. Here, the method for etching the metal thin plate in order to produce the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention is not particularly limited as long as it is a method capable of etching the metal thin plate into a desired pattern to form an opening. It is not a thing. As such an etching method, generally known etching methods can be used. Among them, as an etching method suitably used for producing the vacuum ultraviolet light metal mask of the present invention, the following method can be exemplified.

(第1の方法)
まず、第1の方法としては、以下の工程を順に行う方法を挙げることができる。
(1)金属薄板の両面に感光性レジストを塗布し、所定のパターン版を用いて、抜き部分となる部位には両面に開口部を持つとともにブリッジ部分となる部位には他方の面のみに開口部を持つ所定形状のレジストパターンを形成した後、ブリッジ部分に対応する開口部のない他方の面に再剥離が可能なフィルムを貼り付ける工程。
(2)両面に所定形状のレジストパターンが形成され、他方の面にフィルムを貼り付けてなる金属薄板に対して腐蝕液による第1回目のエッチング加工をブリッジ部分として残す厚さに達するまで行った後、他方の面にあるフィルムを剥離する工程。
(3)ブリッジ部分に対応する開口部のある一方の面側をレジストパターニングの上からエッチング抵抗層で覆う工程。
(4)エッチング抵抗層を設けた金属薄板に対して腐蝕液による第2回目のエッチング加工を行い、抜き部分を貫通させる工程。
(5)エッチング抵抗層とレジストパターンを剥離する工程。
(First method)
First, examples of the first method include a method of sequentially performing the following steps.
(1) A photosensitive resist is applied to both sides of a thin metal plate, and a predetermined pattern plate is used. The part to be a cut-out part has openings on both sides and the part to be a bridge part is opened only on the other side. A step of attaching a re-peelable film to the other surface having no opening corresponding to the bridge portion after forming a resist pattern of a predetermined shape having a portion.
(2) A resist pattern having a predetermined shape was formed on both surfaces, and the first etching process using a corrosive solution was performed on a metal thin plate formed by attaching a film to the other surface until reaching a thickness that left a bridge portion. Then, the process of peeling the film in the other side.
(3) A step of covering one surface side having an opening corresponding to the bridge portion with an etching resistance layer from above the resist patterning.
(4) A step of performing a second etching process using a corrosive liquid on the metal thin plate provided with the etching resistance layer and penetrating the punched portion.
(5) A step of peeling the etching resistance layer and the resist pattern.

(第2の方法)
次に、第2の方法としては、以下の工程を順に行う方法を挙げることができる。
(1)金属薄板の両面に感光性レジストを塗布し、所定のパターン版を用いて、抜き部分となる部位には両面に開口部を持つとともにブリッジ部分となる部位には他方の面のみに開口部を持つ所定形状のレジストパターンを形成する工程。
(2)所定形状のレジストパターンが形成された金属薄板の両面から腐蝕液による第1回目のエッチング加工を抜き部分が貫通する手前であってブリッジ部分が他方の面側に形成されるまで行う工程。
(3)ブリッジ部分に対応する開口部のある一方の面側をレジストパターニングの上からエッチング抵抗層で覆う工程。
(4)エッチング抵抗層を設けた金属薄板に対して腐蝕液による第2回目のエッチング加工を行い、抜き部分を貫通させる工程。
(5)エッチング抵抗層とレジストパターンを剥離する工程。
(Second method)
Next, as a 2nd method, the method of performing the following processes in order can be mentioned.
(1) A photosensitive resist is applied to both sides of a thin metal plate, and a predetermined pattern plate is used. The part to be a cut-out part has openings on both sides and the part to be a bridge part is opened only on the other side. Forming a resist pattern of a predetermined shape having a portion.
(2) A step of performing the first etching process with the corrosive liquid from both surfaces of the thin metal plate on which the resist pattern having a predetermined shape is formed until the portion is penetrated and the bridge portion is formed on the other surface side. .
(3) A step of covering one surface side having an opening corresponding to the bridge portion with an etching resistance layer from above the resist patterning.
(4) A step of performing a second etching process using a corrosive liquid on the metal thin plate provided with the etching resistance layer and penetrating the punched portion.
(5) A step of peeling the etching resistance layer and the resist pattern.

(第3の方法)
次に、第3の方法としては、以下の工程を順に行う方法を挙げることができる。
(1)金属薄板の両面に感光性レジストを塗布し、所定のパターン版を用いて、抜き部分となる部位には両面に開口部を持つとともにブリッジ部分となる部位には他方の面のみに開口部を持つ所定形状のレジストパターンを形成した後、ブリッジ部分に対応する開口部のある一方の面に再剥離が可能なフィルムを貼り付ける工程。
(2)両面に所定形状のレジストパターンが形成され、一方の面に再剥離が可能なフィルムを貼り付けてなる金属薄板に対して腐蝕液による第1回目のエッチング加工を板厚方向の深さが所定量になるまで行った後、再剥離が可能なフィルムを剥離する工程。
(3)ブリッジ部分に対応する開口部のない他方の面側をレジストパターニングの上からエッチング抵抗層で覆う工程。
(4)エッチング抵抗層を設けた金属薄板に対して腐蝕液による第2回目のエッチング加工を行い、抜き部分を貫通させるとともに他方の面側にブリッジ部分を形成する工程。
(5)エッチング抵抗層とレジストパターンを剥離する工程。
(Third method)
Next, as the third method, a method of sequentially performing the following steps can be exemplified.
(1) A photosensitive resist is applied to both sides of a thin metal plate, and a predetermined pattern plate is used. The part to be a cut-out part has openings on both sides and the part to be a bridge part is opened only on the other side. A step of applying a re-peelable film to one surface having an opening corresponding to the bridge portion after forming a resist pattern of a predetermined shape having a portion.
(2) Depth in the thickness direction of the first etching process with a corrosive solution on a thin metal plate formed with a resist pattern of a predetermined shape on both sides and a film that can be removed again on one side The process which peels the film which can be re-peeled after performing until it becomes predetermined amount.
(3) A step of covering the other surface side having no opening corresponding to the bridge portion with an etching resistance layer from above the resist patterning.
(4) A step of performing a second etching process using a corrosive liquid on the metal thin plate provided with the etching resistance layer, penetrating the punched portion and forming a bridge portion on the other surface side.
(5) A step of peeling the etching resistance layer and the resist pattern.

(第4の方法)
次に、第4の方法としては、以下の工程を順に行う方法を挙げることができる。
(1)金属薄板の両面に感光性レジストを塗布し、所定のパターン版を用いて、抜き部分となる部位及びブリッジ部分となる部位ともにそれぞれ両面に開口部を持つ所定形状のレジストパターンを形成する工程。
(2)所定形状のレジストパターンが形成された金属薄板の両面から腐蝕液による第1回目のエッチング加工をブリッジ部分として残す厚さに達するまで行う工程。
(3)抜き部分に対応する開口部のうちの一方の開口部だけを残して両面をエッチング抵抗層で覆う工程。
(4)エッチング抵抗層を設けた金属薄板に対して腐蝕液による第2回目のエッチング加工を行い、抜き部分を貫通させるとともに厚さ方向の真ん中を残してブリッジ部分を形成する工程。
(5)エッチング抵抗層とレジストパターンを剥離する工程。
(Fourth method)
Next, as a 4th method, the method of performing the following processes in order can be mentioned.
(1) A photosensitive resist is applied to both surfaces of a thin metal plate, and a resist pattern having a predetermined shape having openings on both surfaces is formed in both the portion to be a punched portion and the portion to be a bridge portion using a predetermined pattern plate. Process.
(2) A step of performing a first etching process using a corrosive solution from both surfaces of a thin metal plate on which a resist pattern having a predetermined shape is formed to a thickness that remains as a bridge portion.
(3) A step of covering both surfaces with an etching resistance layer while leaving only one of the openings corresponding to the extracted portion.
(4) A step of performing a second etching process using a corrosive liquid on the metal thin plate provided with the etching resistance layer, penetrating the punched portion and forming a bridge portion leaving the middle in the thickness direction.
(5) A step of peeling the etching resistance layer and the resist pattern.

B.真空紫外光用によるパターン形成体の製造方法
次に、本発明の真空紫外光によるパターン形成体の製造方法(以下、単に「本発明のパターン形成体の製造方法」と称する場合がある。)について説明する。上述したように本発明のパターン形成体の製造方法は、パターン形成用基板を用い、上記パターン形成用基板のパターン形成面上に、上記本発明に係る真空紫外光用メタルマスクを配置するメタルマスク配置工程と、反応性ガスの存在下において、上記真空紫外光用メタルマスクを介して上記パターン形成面に真空紫外光を照射する真空紫外光照射工程と、を有することを特徴とするものである。
B. Method for Producing Pattern Formed Body Using Vacuum Ultraviolet Light Next, a method for producing a pattern formed body using vacuum ultraviolet light according to the present invention (hereinafter sometimes simply referred to as “method for producing pattern formed body according to the present invention”). explain. As described above, the pattern forming body manufacturing method of the present invention uses a pattern forming substrate, and the metal mask for vacuum ultraviolet light according to the present invention is disposed on the pattern forming surface of the pattern forming substrate. And a vacuum ultraviolet light irradiation step of irradiating the pattern formation surface with vacuum ultraviolet light through the vacuum ultraviolet light metal mask in the presence of a reactive gas. .

このような本発明のパターン形成体の製造方法について図を参照しながら説明する。図5は本発明のパターン形成体の製造方法の一例を示す概略図である。図5に例示するように、本発明のパターン形成体の製造方法は、パターン形成用基板20’を用い(図5(a))、上記パターン形成用基板20’のパターン形成面P上に、上記本発明に係る真空紫外光用メタルマスク10を配置するメタルマスク配置工程と(図5(b))、反応性ガスの存在下において、上記真空紫外光用メタルマスク10を介して上記パターン形成面Pに真空紫外光を照射する真空紫外光照射工程と(図5(c))、を有し、パターン形成用基板20’のパターン形成面Pがパターン状に真空紫外光照射処理されたパターン形成体20を製造するものである(図5(d))。   Such a method for producing a pattern forming body of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 5 is a schematic view showing an example of a method for producing a pattern forming body of the present invention. As illustrated in FIG. 5, the pattern forming body manufacturing method of the present invention uses the pattern forming substrate 20 ′ (FIG. 5A), and on the pattern forming surface P of the pattern forming substrate 20 ′, The metal mask placement step of placing the vacuum ultraviolet light metal mask 10 according to the present invention (FIG. 5B), and the pattern formation through the vacuum ultraviolet light metal mask 10 in the presence of a reactive gas. A vacuum ultraviolet light irradiation process for irradiating the surface P with vacuum ultraviolet light (FIG. 5C), and the pattern forming surface P of the pattern forming substrate 20 ′ is subjected to vacuum ultraviolet light irradiation processing in a pattern shape The formed body 20 is manufactured (FIG. 5D).

本発明によればパターン状に真空紫外光照射処理を行うために用いられるメタルマスクとして、上記本発明に係る真空紫外光用メタルマスクが用いられているため、真空紫外光を用いて高精細かつ複雑なパターン状に、正確に真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を高感度で製造することができる。   According to the present invention, since the metal mask for vacuum ultraviolet light according to the present invention is used as a metal mask used for performing the vacuum ultraviolet light irradiation treatment in a pattern, the vacuum ultraviolet light is used for high definition and It is possible to manufacture with high sensitivity a pattern forming body in which a vacuum ultraviolet light irradiation treatment is accurately performed in a complicated pattern.

本発明のパターン形成体の製造方法は、少なくともメタルマスク配置工程と、真空紫外光照射工程とを有するものであり、必要に応じて他の工程を有してもよいものである。
以下、本発明に用いられる各工程について順に説明する。
The manufacturing method of the pattern formation body of this invention has a metal mask arrangement | positioning process and a vacuum ultraviolet light irradiation process at least, and may have another process as needed.
Hereafter, each process used for this invention is demonstrated in order.

1.メタルマスク配置工程
まず、本発明に用いられるメタルマスク配置工程について説明する。本工程は、パターン形成用基板を用い、上記パターン形成用基板のパターン形成面上にメタルマスクを配置する工程であり、上記メタルマスクとして上記本発明に係る真空紫外光用メタルマスクが用いられることを特徴とするものである。
以下、このようなメタルマスク配置工程について説明する。
1. Metal Mask Arrangement Step First, the metal mask arrangement step used in the present invention will be described. This step is a step of using a pattern forming substrate and placing a metal mask on the pattern forming surface of the pattern forming substrate, and the metal mask for vacuum ultraviolet light according to the present invention is used as the metal mask. It is characterized by.
Hereinafter, such a metal mask arrangement process will be described.

(1)パターン形成用基板
まず、本工程に用いられるパターン形成用基板について説明する。本工程に用いられるパターン形成用基板は、後述する真空紫外光照射工程において、パターン形成面に真空紫外光がパターン状に照射されることによって、パターン形成面がパターン状に真空紫外光照射処理されたパターン形成体を構成することができるものである。
ここで、上記「パターン形成面」とは、パターン形成用基板のうち本工程において真空紫外光用メタルマスクが配置され、真空紫外光照射処理される表面を指すものとする。
(1) Pattern Forming Substrate First, the pattern forming substrate used in this step will be described. The pattern forming substrate used in this step is subjected to vacuum ultraviolet light irradiation treatment in a pattern shape by irradiating the pattern forming surface with vacuum ultraviolet light in a pattern shape in a vacuum ultraviolet light irradiation step described later. A pattern forming body can be formed.
Here, the “pattern forming surface” refers to a surface of the pattern forming substrate on which a vacuum ultraviolet light metal mask is disposed in this step and subjected to a vacuum ultraviolet light irradiation treatment.

本工程に用いられるパターン形成用基板としては、一般的に、真空紫外光照射によってパターン形成面に所望の真空紫外光照射処理が施されるものが用いられる。このようなパターン形成用基板としては、真空紫外光照射処理によって所望の特性変化が生じる特性変化材料からなる単一層の構成を有する特性変化基板であってもよく、また、任意の支持基板上に真空紫外光照射処理によって所望の特性が変化する特性変化層が積層された構成を有する特性変化型積層体であってもよい。
また、上記パターン形成用基板としては、任意の支持基板上に真空紫外光照射処理によって酸化分解される分解除去材料からなる分解除去層が積層された構成を有する分解除去型積層体であってもよい。
ここで、上記分解除去層と上記特性変化層とは、前者が真空紫外光照射によって完全に除去されてしまうものであるのに対し、後者は真空紫外光照射によって表面の特性が変化するが、特性変化層自体は残存する点において異なるものである。
以下、このような上記特性変化基板、上記特性変化型積層体、および、上記分解除去型積層体について説明する。
As the pattern forming substrate used in this step, a substrate whose pattern forming surface is subjected to a desired vacuum ultraviolet light irradiation treatment by vacuum ultraviolet light irradiation is generally used. Such a pattern formation substrate may be a property change substrate having a single-layer structure made of a property change material that causes a desired property change by vacuum ultraviolet light irradiation treatment, and may be formed on an arbitrary support substrate. It may be a characteristic change type laminate having a structure in which a characteristic change layer whose desired characteristic is changed by vacuum ultraviolet light irradiation treatment is laminated.
The pattern forming substrate may be a decomposition / removal type laminate having a structure in which a decomposition / removal layer made of a decomposition / removal material that is oxidatively decomposed by vacuum ultraviolet light irradiation treatment is laminated on any support substrate Good.
Here, the decomposition and removal layer and the property change layer are those in which the former is completely removed by irradiation with vacuum ultraviolet light, whereas the latter changes the surface characteristics by irradiation with vacuum ultraviolet light, The characteristic change layer itself is different in that it remains.
Hereinafter, the characteristic change substrate, the characteristic change type laminate, and the decomposition / removal type laminate will be described.

(特性変化基板)
まず、上記特性変化基板について説明する。上記特性変化基板を構成する上記特性変化材料としては、所望の自己支持性を発現することができ、かつ、本発明により製造されるパターン形成体の用途等に応じて所望の特性変化が生じる材料であれば特に限定されるものではない。このような特性変化材料の真空紫外光照射によって変化が生じる特性としては、例えば、濡れ性、特定の物質との接着性、表面粗さ、化学結合性等を例示することができる。なかでも本工程においては、上記特性変化材料として真空紫外光の作用により表面の濡れ性が変化するものを用いることが好ましい。このような特性変化材料を用いることにより、例えば、本発明により製造されるパターン形成体を、パターン形成面にパターン状に機能性塗工液を塗布するのに好適なものにすることができるからである。
(Characteristic change board)
First, the characteristic change substrate will be described. As the property change material constituting the property change substrate, a material capable of expressing desired self-supporting property and causing desired property change depending on the use of the pattern forming body produced by the present invention. If it is, it will not specifically limit. Examples of the characteristics that change due to the vacuum ultraviolet light irradiation of the characteristic change material include wettability, adhesion to a specific substance, surface roughness, chemical bondability, and the like. In particular, in this step, it is preferable to use a material whose surface wettability is changed by the action of vacuum ultraviolet light as the property changing material. By using such a characteristic changing material, for example, the pattern forming body manufactured according to the present invention can be made suitable for applying the functional coating liquid in a pattern on the pattern forming surface. It is.

このような真空紫外光の作用により表面の濡れ性が変化する特性変化材料としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサルフォン、セルローストリアセテート等のポリマーを挙げることができる。   Examples of the property changing material whose surface wettability is changed by the action of vacuum ultraviolet light include polymers such as polycarbonate, polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, and cellulose triacetate. Can do.

また、上記特性変化基板の厚みは本発明により製造されるパターン形成体の用途等に応じて、任意に決定すればよいが、通常0.01mm〜5mmの範囲内であることが好ましく、なかでも0.1mm〜1mmの範囲内であることが好ましく、特に0.2mm〜0.4mmの範囲内であることが好ましい。   In addition, the thickness of the characteristic change substrate may be arbitrarily determined according to the use of the pattern forming body produced according to the present invention, but is preferably within a range of 0.01 mm to 5 mm. It is preferably within a range of 0.1 mm to 1 mm, and particularly preferably within a range of 0.2 mm to 0.4 mm.

(特性変化型積層体)
次に、上記特性変化型積層体について説明する。上記特性変化型積層体を構成する上記特性変化層としては、真空紫外光照射により表面の特性が変化するものであれば特に限定されない。このような真空紫外光との作用によって変化する特性としては、例えば、濡れ性、特定の物質との接着性、表面粗さ、化学結合性等を例示することができる。なかでも本工程においては、上記特性変化層として、真空紫外光の作用により表面の濡れ性が変化するものを用いることが好ましい。このような特性変化層を用いることにより、本発明により製造されるパターン形成体を、パターン形成面にパターン状に機能性塗工液を塗布するのに好適なものにすることができるからである。
(Characteristic change type laminate)
Next, the characteristic change type laminate will be described. The property change layer constituting the property change type laminate is not particularly limited as long as the surface property is changed by irradiation with vacuum ultraviolet light. Examples of the characteristics that change due to the action with vacuum ultraviolet light include wettability, adhesion to a specific substance, surface roughness, chemical bonding, and the like. In particular, in this step, it is preferable to use a layer whose surface wettability is changed by the action of vacuum ultraviolet light as the property change layer. This is because by using such a characteristic change layer, the pattern formed body produced according to the present invention can be made suitable for applying a functional coating liquid in a pattern on the pattern forming surface. .

このような真空紫外光の作用により濡れ性が変化する特性変化層としては、例えばオルガノポリシロキサンを含有する層等を用いることができる。より具体的には特開2001−074928号公報に記載されているようなオルガノポリシロキサン等を含有する層を用いることができる。また、このようなオルガノポリシロキサンの他に、界面活性剤や添加剤等を用いることができる。このような添加剤については例えば、特開2001−074928号公報に記載されているようなものを挙げることができる。   As such a characteristic change layer whose wettability is changed by the action of vacuum ultraviolet light, for example, a layer containing organopolysiloxane can be used. More specifically, a layer containing an organopolysiloxane or the like as described in JP-A-2001-074928 can be used. In addition to such organopolysiloxanes, surfactants, additives and the like can be used. Examples of such additives include those described in JP-A-2001-074928.

上記特性変化層の膜厚としては、特性変化層の種類や本発明により形成されるパターン形成体の用途等に応じて適宜選択されるものであるが、通常、0.01μm〜1mmの範囲内であることが好ましく、なかでも0.1μm〜0.1mmの範囲内であることが好ましい。   The film thickness of the characteristic change layer is appropriately selected according to the type of the characteristic change layer, the use of the pattern-formed body formed according to the present invention, etc., but is usually within a range of 0.01 μm to 1 mm. It is preferable that it is in the range of 0.1 micrometer-0.1 mm especially.

なお、上記特性変化型積層体に用いられる支持基板としては、上記特性変化層を支持することが可能なものであれば特に限定されるものではなく、本発明により製造されるパターン形成体の用途等に応じて適宜選択して用いることができる。このような支持基板としては、例えば、有機材料からなるもの、または、無機材料からなるものを挙げることができ、より具体的には、樹脂製フィルム、ガラス、セラミック、金属からなるもの等を挙げることができる。   The support substrate used in the property change type laminate is not particularly limited as long as it can support the property change layer, and the use of the pattern forming body produced by the present invention is not limited. It can be appropriately selected and used according to the above. Examples of such a support substrate include those made of an organic material or those made of an inorganic material, and more specifically, those made of a resin film, glass, ceramic, metal or the like. be able to.

(分解除去型積層体)
次に、上記分解除去型積層体について説明する。上記分解除去型積層体の分解除去層としては、真空紫外光照射により分解除去される層であれば特に限定されない。このような分解除去層としては、例えば、LB膜、交互吸着膜等の薄膜等を挙げることができる。
(Decomposition removal type laminate)
Next, the decomposition removal type laminate will be described. The decomposition / removal layer of the decomposition / removal type laminate is not particularly limited as long as it is a layer that can be decomposed and removed by irradiation with vacuum ultraviolet light. Examples of such a decomposition removal layer include thin films such as LB films and alternating adsorption films.

上記分解除去層の厚みとしては、分解除去層を構成する材料等に応じて真空紫外光を所望量照射した際に、分解除去層を分解除去できる範囲内であれば特に限定されない。なかでも本工程においては上記厚みが0.01mm〜5mmの範囲内であることが好ましく、特に0.1mm〜1mmの範囲内であることが好ましく、さらには0.2mm〜0.4mmの範囲内であることが好ましい。   The thickness of the decomposition / removal layer is not particularly limited as long as it is within a range in which the decomposition / removal layer can be decomposed and removed when a desired amount of vacuum ultraviolet light is irradiated according to the material constituting the decomposition / removal layer. In particular, in this step, the thickness is preferably in the range of 0.01 mm to 5 mm, particularly preferably in the range of 0.1 mm to 1 mm, and more preferably in the range of 0.2 mm to 0.4 mm. It is preferable that

なお、上記分解除去型積層体に用いられる支持基板としては、上記分解除去層を支持することが可能なものであれば特に限定されるものではなく、本発明により製造されるパターン形成体の用途等に応じて適宜選択して用いることができる。上記特性変化型積層体に用いられる支持基板と同様であるためここでの説明は省略する。   The support substrate used in the decomposition / removal type laminate is not particularly limited as long as it can support the decomposition / removal layer, and the use of the pattern forming body produced by the present invention is not limited. It can be appropriately selected and used according to the above. Since it is the same as that of the support substrate used for the characteristic changeable laminate, description thereof is omitted here.

本工程においては上記特性変化基板、上記特性変化型積層体、および、上記分解除去型積層体のいずれであってもパターン形成用基板として好適に用いることができる。上記パターン形成用基板として上記分解除去型積層体を用いた場合、本発明により製造されるパターン形成体は真空紫外光が照射された部位と、真空紫外光が照射されていない部位とが異なる材料から構成されるものになる。   In this step, any one of the characteristic change substrate, the characteristic change laminate, and the decomposition / removal laminate can be suitably used as a pattern forming substrate. When the decomposition / removal-type laminate is used as the pattern forming substrate, the pattern forming body manufactured according to the present invention is a material in which a portion irradiated with vacuum ultraviolet light is different from a portion not irradiated with vacuum ultraviolet light. It will consist of

(2)真空紫外光用メタルマスク
本工程に用いられる真空紫外光用メタルマスクは、上記本発明に係る真空紫外光用メタルマスクである。したがって、本工程に用いられる真空紫外光用メタルマスクについては、上記「A.真空紫外光用メタルマスク」の項において説明したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。
(2) Vacuum ultraviolet light metal mask The vacuum ultraviolet light metal mask used in this step is the vacuum ultraviolet light metal mask according to the present invention. Therefore, the vacuum ultraviolet light metal mask used in this step is the same as that described in the section “A. Vacuum ultraviolet light metal mask”, and the description thereof is omitted here.

(3)真空紫外光用メタルマスクの配置方法
次に、本工程において上記パターン形成用基板のパターン形成面上に真空紫外光用メタルマスクを配置する方法について説明する。本工程において真空紫外光用メタルマスクを上記パターン形成用基板のパターン形成面に配置する方法としては、上記真空紫外光用メタルマスクを上記パターン形成面上の所定の位置に配置できる方法であれば特に限定されるものではない。なかでも本工程において真空紫外光用メタルマスクを配置する方法は、上記真空紫外光用メタルマスクを上記パターン形成用基板の上記パターン形成面とは反対面側から磁石によって固定することを伴うものであることが好ましい。これにより、上記本発明に係る真空紫外光用メタルマスクとして、高精細かつ複雑なパターン状の開口部が形成され、かつ厚みが薄いものを用いた場合であっても、上記真空紫外光用メタルマスクを上記パターン形成面上に密接させた状態で固定できるため、上記パターン形成面が高精細なパターン状に正確に真空紫外光照射処理されたパターン形成体を製造することができるからである。
すなわち、本発明のパターン形成体の製造方法は、上記パターン形成用基板のパターン形成面上に真空紫外光用メタルマスクを介して真空紫外光を照射する方法を採用しているが、上記メタルマスクはその性質上パターンを高精細化するとそれに伴って厚みが薄くなる傾向を有している。そして、厚みが薄いメタルマスクは平面性に欠け、表面が波打つように変形する傾向があることから、これを単にパターン形成面上に配置するのみではパターン形成面とメタルマスクとの間に隙間が生じることが不可避となってしまう。また、真空紫外光は指向性のない分散光であることから、このような隙間があるとその部位にも真空紫外光が照射されてしまい、高精細なメタルマスクを用いたとしてもそれに対応したパターンを形成することができないという事態が生じる可能性がある。
しかしながら、本工程において真空紫外光用メタルマスクを上記パターン形成面とは反対側から磁石によって固定することにより、たとえ高精細で厚みの薄いメタルマスクを用いた場合であっても、上記メタルマスクを上記パターン形成面上に隙間の無いように密接させた状態で固定できるため、上記パターン形成面が高精細なパターン状に真空紫外光照射処理されたパターン形成体を製造することができることになるのである。
(3) Method for Arranging Vacuum Ultraviolet Light Metal Mask Next, a method for arranging the vacuum ultraviolet light metal mask on the pattern forming surface of the pattern forming substrate in this step will be described. In this step, the vacuum ultraviolet light metal mask can be arranged on the pattern forming surface of the pattern forming substrate as long as the vacuum ultraviolet light metal mask can be arranged at a predetermined position on the pattern forming surface. It is not particularly limited. In particular, the method of arranging the vacuum ultraviolet light metal mask in this step involves fixing the vacuum ultraviolet light metal mask with a magnet from the side opposite to the pattern forming surface of the pattern forming substrate. Preferably there is. As a result, even if the vacuum ultraviolet light metal mask according to the present invention has a high-definition and complicated pattern-shaped opening and is thin, the vacuum ultraviolet light metal mask is used. This is because, since the mask can be fixed in close contact with the pattern forming surface, it is possible to manufacture a pattern forming body in which the pattern forming surface is precisely subjected to vacuum ultraviolet light irradiation processing in a high-definition pattern.
That is, the pattern forming body manufacturing method of the present invention employs a method in which vacuum ultraviolet light is irradiated onto the pattern forming surface of the pattern forming substrate through a vacuum ultraviolet light metal mask. Due to its nature, when the pattern is made high-definition, the thickness tends to decrease accordingly. Since a thin metal mask lacks flatness and tends to deform so that the surface undulates, simply placing it on the pattern formation surface will leave a gap between the pattern formation surface and the metal mask. It will be unavoidable. Also, since vacuum ultraviolet light is a non-directed dispersed light, if there is such a gap, that part is also irradiated with vacuum ultraviolet light, and even if a high-definition metal mask is used, it corresponds to it. There is a possibility that a pattern cannot be formed.
However, by fixing the metal mask for vacuum ultraviolet light with a magnet from the side opposite to the pattern forming surface in this step, the metal mask is removed even when a high-definition and thin metal mask is used. Since it can be fixed in close contact with the pattern forming surface without any gaps, the pattern forming surface can be manufactured in a pattern with a high-definition pattern and subjected to vacuum ultraviolet light irradiation treatment. is there.

本工程において真空紫外光用メタルマスクを上述したように磁石を用いて固定する方法としては、上記パターン形成用基板のパターン形成面とは反対面側から上記磁石の磁力によって固定できる方法であれば特に限定されない。このような方法としては、例えば、パターン形成用基板のパターン形成面上にメタルマスクを配置した後に、上記パターン形成用基板のパターン形成面とは反対面側に上記磁石を配置することにより固定する方法、および、上記磁石上にパターン形成用基板を配置した後に、上記磁石上に配置されたパターン形成用基板の表面(パターン形成面)にメタルマスクを配置することにより固定する方法等を挙げることができる。また、上記磁石として電磁石を用いる場合は、通電されていない電磁石上にパターン形成用基板を配置した後、上記電磁石上に配置されたパターン形成用基板の表面(パターン形成面)にメタルマスクを配置し、次いで上記電磁石に通電することにより固定する方法を挙げることができる。   As a method for fixing the vacuum ultraviolet light metal mask in this step using a magnet as described above, any method can be used as long as it can be fixed by the magnetic force of the magnet from the side opposite to the pattern forming surface of the pattern forming substrate. There is no particular limitation. As such a method, for example, after a metal mask is disposed on the pattern formation surface of the pattern formation substrate, the magnet is disposed on the surface opposite to the pattern formation surface of the pattern formation substrate. And a method of fixing by placing a metal mask on the surface (pattern forming surface) of the pattern forming substrate arranged on the magnet after arranging the pattern forming substrate on the magnet. Can do. When an electromagnet is used as the magnet, a pattern forming substrate is disposed on an electromagnet that is not energized, and then a metal mask is disposed on the surface (pattern forming surface) of the pattern forming substrate disposed on the electromagnet. Then, a method of fixing by energizing the electromagnet can be mentioned.

また、本工程に用いられる磁石としては、上記パターン形成用基板のパターン形成面の裏面側から上記メタルマスクを固定できる程度の磁力を発生できるものであれば特に限定されない。このような磁石としては、永久磁石、電磁石のいずれであってもよく、また、異方性多極または等方性多極のいずれの着磁形態を有していてもよい。なかでも本工程においては電磁石を用いることが好ましい。電磁石は磁力のスイッチングが可能であることから、例えば、通電していない電磁石上に上記パターン形成用基板を配置し、さらに上記パターン形成用基板のパターン形成面にメタルマスクを配置し、次いでメタルマスクのアライメントを行った後に、上記電磁石に通電して磁力を発生させる等の方法を採用することも可能になり、メタルマスクの配置精度を向上できる等の利点を有するからである。   The magnet used in this step is not particularly limited as long as it can generate a magnetic force that can fix the metal mask from the back side of the pattern forming surface of the pattern forming substrate. Such a magnet may be either a permanent magnet or an electromagnet, and may have any magnetization form of anisotropic multipolar or isotropic multipolar. Among these, it is preferable to use an electromagnet in this step. Since the electromagnet can switch the magnetic force, for example, the pattern forming substrate is disposed on an electromagnet that is not energized, and a metal mask is disposed on the pattern forming surface of the pattern forming substrate. This is because it is possible to adopt a method such as energizing the electromagnet to generate a magnetic force after the alignment is performed, and there is an advantage that the arrangement accuracy of the metal mask can be improved.

本工程に用いられる磁石は1種類のみであってもよく、または、2種類以上を用いてもよい。2種類以上の磁石を用いる場合は、磁力が等しい磁石を複数個用いてもよく、または、磁力の異なる磁石を組み合わせて用いてもよい。   Only one type of magnet may be used in this step, or two or more types may be used. When two or more types of magnets are used, a plurality of magnets having the same magnetic force may be used, or magnets having different magnetic forces may be used in combination.

また、本工程に用いられる磁石の大きさとしては、上記メタルマスクを上記パターン形成用基板のパターン形成面に密接させて固定できる範囲内であれば特に限定されないが、少なくとも上記メタルマスクの面積よりも大きい面積を有することが好ましい。上記メタルマスクの面積よりも小さいと、上記メタルマスクが磁石によって固定されない部位ができてしまい、高精細なパターン状に真空紫外光照射処理を行うことが困難となる場合があるからである。
なお、本工程において複数の磁石を用いる場合は、個々の磁石が上記メタルマスクの面積よりも大きい面積を有している必要はなく、複数の磁石を組み合わせた際の面積が、上記メタルマスクの面積よりも大きくなればよい。
The size of the magnet used in this step is not particularly limited as long as it is within a range where the metal mask can be fixed in close contact with the pattern forming surface of the pattern forming substrate, but at least from the area of the metal mask. It is preferable to have a large area. If the area is smaller than the area of the metal mask, a portion where the metal mask is not fixed by a magnet is formed, and it may be difficult to perform the vacuum ultraviolet light irradiation process in a high-definition pattern.
In addition, when using a several magnet in this process, it is not necessary for each magnet to have an area larger than the area of the said metal mask, The area at the time of combining several magnets is the said metal mask. It only needs to be larger than the area.

2.真空紫外光照射工程
次に、本発明における真空紫外光照射工程について説明する。本工程は、上記メタルマスク配置工程において上記パターン形成面上に固定された真空紫外光用メタルマスクを介して、上記パターン形成面に真空紫外光を照射することにより、上記パターン形成面をパターン状に真空紫外光照射処理する工程である。
2. Vacuum ultraviolet light irradiation process Next, the vacuum ultraviolet light irradiation process in this invention is demonstrated. In this step, the pattern forming surface is patterned by irradiating the pattern forming surface with vacuum ultraviolet light through the vacuum ultraviolet light metal mask fixed on the pattern forming surface in the metal mask arranging step. Is a step of performing a vacuum ultraviolet light irradiation treatment.

本工程において照射される真空紫外光の波長は、酸素と作用することにより酸素ラジカルを発生できる範囲内であれば特に限定されるものでないが、通常100nm〜260nmの範囲内であることが好ましく、なかでも150nm〜200nmの範囲内であることが好ましい。波長が上記範囲よりも長いと、酸素ラジカルの発生効率が低くなり、真空紫外光照射処理の態様によっては感度が低くなってしまう場合があるからである。また、波長が上記範囲よりも短いと、安定した真空紫外光の照射が困難となる可能性があるからである。   The wavelength of the vacuum ultraviolet light irradiated in this step is not particularly limited as long as it is within a range where oxygen radicals can be generated by acting with oxygen, but it is usually preferably within a range of 100 nm to 260 nm. Especially, it is preferable that it exists in the range of 150 nm-200 nm. This is because if the wavelength is longer than the above range, the generation efficiency of oxygen radicals is lowered, and the sensitivity may be lowered depending on the mode of vacuum ultraviolet light irradiation treatment. In addition, if the wavelength is shorter than the above range, stable irradiation with vacuum ultraviolet light may be difficult.

本工程において、真空紫外光の照射に用いることできる光源としては、例えば、エキシマランプ、低圧水銀ランプ、その他種々の光源を挙げることができる。   In this step, examples of a light source that can be used for irradiation with vacuum ultraviolet light include an excimer lamp, a low-pressure mercury lamp, and various other light sources.

本工程における真空紫外光の照射量としては、本工程において上記パターン形成面に施す真空紫外光照射処理の種類に応じて、所望の程度の真空紫外光照射処理ができる範囲内であれば特に限定されない。   The irradiation amount of vacuum ultraviolet light in this step is particularly limited as long as it is within a range where a desired degree of vacuum ultraviolet light irradiation treatment can be performed according to the type of vacuum ultraviolet light irradiation treatment applied to the pattern forming surface in this step. Not.

本工程において真空紫外光を上記パターン形成面に照射する方法としては、上記パターン形成面に均一な照射量で真空紫外光を照射できる方法であれば特に限定されない。このような照射方法としては、例えば、上記パターン形成面の全面を同時に照射する方法、および、光源またはパターン形成用基板の少なくとも一方を移動させながら、上記パターン形成面を順次に照射する方法とを挙げることができる。なかでも本工程においては、上記パターン形成面を順次に照射する方法が好ましい。その理由は次の通りである。
すなわち、真空紫外光は指向性のない分散光であるため、上記パターン形成面の全面を同時に照射する方法では、例えば、大面積のパターン形成面に真空紫外光を照射する場合に、中央部と端部とで真空紫外光の照射量に差が生じてしまう可能性がある。しかしながら、上記パターン形成面を順次に照射する方法によれば、たとえ大面積のパターン形成面に真空紫外光を照射する場合であっても、全面に対して均一に照射することが容易になるからである。
The method of irradiating the pattern forming surface with vacuum ultraviolet light in this step is not particularly limited as long as the method can irradiate the pattern forming surface with vacuum ultraviolet light with a uniform dose. Examples of such an irradiation method include a method of simultaneously irradiating the entire surface of the pattern forming surface and a method of sequentially irradiating the pattern forming surface while moving at least one of the light source or the pattern forming substrate. Can be mentioned. In particular, in this step, a method of sequentially irradiating the pattern forming surface is preferable. The reason is as follows.
That is, since vacuum ultraviolet light is non-directional dispersed light, the method of simultaneously irradiating the entire pattern formation surface, for example, when irradiating vacuum ultraviolet light to a large area pattern formation surface, There may be a difference in the irradiation amount of vacuum ultraviolet light between the ends. However, according to the method of sequentially irradiating the pattern forming surface, it is easy to uniformly irradiate the entire surface even if the pattern forming surface having a large area is irradiated with vacuum ultraviolet light. It is.

また本工程においては、上記パターン形成面を順次に照射する方法のなかでも、上記パターン形成用基板を固定し、上記光源を移動させながら照射する方法が好ましい。このような方法によれば、大面積のパターン形成面に均一に真空紫外光を照射することが容易になるからである。   In this step, among the methods of sequentially irradiating the pattern forming surface, a method of irradiating while moving the light source while fixing the pattern forming substrate is preferable. This is because such a method makes it easy to uniformly irradiate a large area pattern forming surface with vacuum ultraviolet light.

なお、本工程に用いられる真空紫外光の光源は、1つであってもよく、または、複数個を用いてもよい。また、複数個の光源を用いる場合において、本工程における真空紫外光の照射方法として光源を移動させながら照射する方法を用いる場合は、複数個の光源を同時に移動させてもよく、または、個別に移動させてもよい。   Note that the number of vacuum ultraviolet light sources used in this step may be one, or a plurality of light sources may be used. In the case of using a plurality of light sources, when using the method of irradiating while moving the light source as the vacuum ultraviolet light irradiation method in this step, the plurality of light sources may be moved simultaneously or individually. It may be moved.

本工程により上記パターン形成面に施される真空紫外光照射処理の種類は、上記パターン形成用基板の種類によって異なるものである。例えば、上記パターン形成用基板として上記特性変化基板、または、特性変化型積層体を用いる場合は、上記真空紫外光照射処理は特性変化となり、一方、上記パターン形成面用基板として上記分解除去型積層体を用いる場合は、上記真空紫外光照射処理は上記分解除去層の分解除去になる。   The type of vacuum ultraviolet light irradiation treatment applied to the pattern formation surface in this step varies depending on the type of the pattern formation substrate. For example, when the characteristic change substrate or the characteristic change type laminate is used as the pattern formation substrate, the vacuum ultraviolet light irradiation process changes the characteristic, while the decomposition removal type laminate is used as the pattern formation surface substrate. In the case of using a body, the vacuum ultraviolet light irradiation treatment decomposes and removes the decomposition removal layer.

また、本工程は反応性ガスの存在下において真空紫外光を照射するものであるが、本工程に用いられる反応性ガスとしては、例えば、酸素、含フッ素ガス等を挙げることができる。本工程においてはこれらのいずれの反応性ガスであっても好適に用いることができるが、なかでも前述した真空紫外光によるパターン形成用基板への作用機構により、上記反応性ガスとしては少なくとも酸素が用いられることが好ましい。   Moreover, although this process irradiates vacuum ultraviolet light in presence of reactive gas, as reactive gas used for this process, oxygen, a fluorine-containing gas, etc. can be mentioned, for example. Any of these reactive gases can be suitably used in this step, but at least oxygen as the reactive gas is the above-mentioned mechanism of action on the pattern forming substrate by vacuum ultraviolet light. It is preferable to be used.

3.用途
本発明のパターン形成体の製造方法の用途としては、例えば、液晶表示装置用のカラーフィルターに用いられるパターン形成体の製造、有機トランジスタのソース/ドレイン配線の形成、有機ELの正孔注入層や発光層の形成、マイクロレンズの形成、バイオチップの形成等に用いることができる。
3. Uses Examples of the use of the method for producing a patterned product of the present invention include the production of a pattern product used for a color filter for a liquid crystal display device, the formation of source / drain wiring of an organic transistor, and the hole injection layer of an organic EL And a light emitting layer, a microlens, and a biochip.

C.真空紫外光によるパターン形成体製造装置
次に、本発明の真空紫外光用によるパターン形成体製造装置(以下、単に「本発明のパターン形成体製造装置」と称する場合がある。)について説明する。上述したように本発明のパターン形成体用製造装置は、パターン形成用基板を支持するパターン形成用基板支持部と、上記パターン形成用基板支持部に支持されるパターン形成用基板のパターン形成面上配置されるように設置された真空紫外光用メタルマスクと、上記パターン形成用基板支持部に支持されたパターン形成用基板のパターン形成面に上記真空紫外光用メタルマスクを介して真空紫外光を照射する真空紫外光照射部と、を有するものであって、上記真空紫外光用メタルマスクが上記本発明に係る真空紫外光用メタルマスクであることを特徴とするものである。
C. Next, a pattern forming body manufacturing apparatus for vacuum ultraviolet light according to the present invention (hereinafter may be simply referred to as “pattern forming body manufacturing apparatus according to the present invention”) will be described. As described above, the pattern forming body manufacturing apparatus according to the present invention includes a pattern forming substrate support part for supporting a pattern forming substrate and a pattern forming surface of the pattern forming substrate supported by the pattern forming substrate support part. A vacuum ultraviolet light metal mask disposed so as to be disposed, and a vacuum ultraviolet light through the vacuum ultraviolet light metal mask on the pattern formation surface of the pattern formation substrate supported by the pattern formation substrate support. A vacuum ultraviolet light irradiating portion for irradiation, wherein the vacuum ultraviolet light metal mask is the vacuum ultraviolet light metal mask according to the present invention.

このような本発明のパターン形成体製造装置について図を参照しながら説明する。図6は本発明のパターン形成体製造装置の一例を示す概略図である。図6に例示するように、本発明のパターン形成体製造装置30は、パターン形成用基板101を支持する、パターン形成用基板支持部31と、上記パターン形成用基板支持部31に支持されるパターン形成用基板101のパターン形成面P上配置される真空紫外光用メタルマスク10と、上記パターン形成用基板支持部31に支持されたパターン形成用基板101のパターン形成面Pに上記真空紫外光用メタルマスク10を介して真空紫外光を照射する、真空紫外光照射部32と、を有するものである。
このような例において、本発明のパターン形成体製造装置30は、上記真空紫外光用メタルマスク10が、上記本発明に係る真空紫外光用メタルマスクであることを特徴とするものである。
Such a pattern forming body manufacturing apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 6 is a schematic view showing an example of a pattern forming body manufacturing apparatus of the present invention. As illustrated in FIG. 6, the pattern forming body manufacturing apparatus 30 according to the present invention supports a pattern forming substrate 101 and a pattern supported by the pattern forming substrate support 31. The vacuum ultraviolet light metal mask 10 disposed on the pattern formation surface P of the formation substrate 101 and the pattern formation surface P of the pattern formation substrate 101 supported by the pattern formation substrate support 31 are used for the vacuum ultraviolet light. A vacuum ultraviolet light irradiation unit 32 that irradiates vacuum ultraviolet light through the metal mask 10.
In such an example, the pattern forming body manufacturing apparatus 30 of the present invention is characterized in that the vacuum ultraviolet light metal mask 10 is the vacuum ultraviolet light metal mask according to the present invention.

本発明によれば、上記真空紫外光メタルマスクが、上記本発明に係る真空紫外光用メタルマスクであることにより、真空紫外光を用いて高精細かつ複雑なパターン状に、正確な真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を高感度で製造することができる。また、本発明の真空紫外光によるパターン形成体製造装置は、上記本発明に係る真空紫外光によるパターン形成体の製造方法を好適に実施することができる。   According to the present invention, since the vacuum ultraviolet light metal mask is the vacuum ultraviolet light metal mask according to the present invention, accurate vacuum ultraviolet light is obtained in a high-definition and complicated pattern using vacuum ultraviolet light. A pattern formed body that has been subjected to irradiation treatment can be produced with high sensitivity. Moreover, the pattern formation body manufacturing apparatus by the vacuum ultraviolet light of this invention can implement suitably the manufacturing method of the pattern formation body by the vacuum ultraviolet light which concerns on the said invention.

本発明のパターン形成体製造装置は、少なくとも上記パターン形成用基板支持部と、真空紫外光用メタルマスクと、真空紫外光照射部とを有するものであり、必要に応じて他の構成を有してもよいものである。
以下、本発明に用いられる各構成について順に説明する。
The pattern forming body manufacturing apparatus of the present invention has at least the above-mentioned pattern forming substrate support section, a vacuum ultraviolet light metal mask, and a vacuum ultraviolet light irradiation section, and has other configurations as necessary. It may be.
Hereafter, each structure used for this invention is demonstrated in order.

1.真空紫外光用メタルマスク
まず、本発明に用いられる真空紫外光用メタルマスクについて説明する。本発明に用いられる真空紫外光用メタルマスクは、後述するパターン形成用基板支持部に支持されるパターン形成用基板のパターン形成面上に配置されるように設置されたものである。
1. First, the metal mask for vacuum ultraviolet light used in the present invention will be described. The metal mask for vacuum ultraviolet light used in the present invention is placed so as to be disposed on the pattern formation surface of the pattern formation substrate supported by the pattern formation substrate support portion described later.

本発明のパターン形成体製造装置において真空紫外光用メタルマスクが設置される位置としては、後述するパターン形成用基板支持部に支持されるパターン形成用基板のパターン形成面上に配置することが可能であり、かつ、後述する真空紫外光照射部により、真空紫外光用メタルマスクを介して、上記パターン形成面に真空紫外光を照射することができる位置であれば特に限定されるものではない。
また、本発明において真空紫外光用メタルマスクが設置されている態様としては、メタルマスクを上記パターン形成用基板のパターン形成面上に配置することが可能なように形成されたメタルマスク支持部に支持される態様であってもよい。
In the pattern forming body manufacturing apparatus of the present invention, the vacuum ultraviolet metal mask can be placed on the pattern forming surface of the pattern forming substrate supported by the pattern forming substrate support section described later. And if it is a position which can irradiate the said pattern formation surface with a vacuum ultraviolet light through the vacuum ultraviolet light metal mask by the vacuum ultraviolet light irradiation part mentioned later, it will not specifically limit.
Moreover, as an aspect in which the vacuum ultraviolet light metal mask is installed in the present invention, the metal mask is formed on the metal mask support portion formed so that the metal mask can be disposed on the pattern forming surface of the pattern forming substrate. It may be a supported mode.

なお、本発明に用いられる真空紫外光用メタルマスクについては、上記「A.真空紫外光用メタルマスク」の項において説明したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。   The metal mask for vacuum ultraviolet light used in the present invention is the same as that described in the above section “A. Metal mask for vacuum ultraviolet light”, and the description thereof is omitted here.

2.パターン形成用基板支持部
次に、本発明のパターン形成体製造装置におけるパターン形成用基板支持部について説明する。本発明のパターン形成体製造装置におけるパターン形成用基板支持部は、パターン形成用基板を、安定して支持することが可能なものであれば特に限定されるものではない。このようなパターン形成用基板支持部の形状等は、本発明のパターン形成体製造装置を用いて真空紫外光が照射されるパターン形成用基板の形状や、本発明のパターン形成体製造装置を用いて形成されるパターン形成体の用途等に合わせて適宜選択すればよく、例えばパターン形成用基板の全面を支えるような構造であってもよく、またパターン形成用基板の一部を支持するような構造であってもよい。
2. Next, the pattern forming substrate support in the pattern forming body manufacturing apparatus of the present invention will be described. The pattern forming substrate support part in the pattern forming body manufacturing apparatus of the present invention is not particularly limited as long as it can stably support the pattern forming substrate. The shape and the like of the pattern forming substrate support unit is the shape of the pattern forming substrate irradiated with vacuum ultraviolet light using the pattern forming body manufacturing apparatus of the present invention and the pattern forming body manufacturing apparatus of the present invention. May be selected as appropriate in accordance with the use of the pattern forming body to be formed, for example, may be a structure that supports the entire surface of the pattern forming substrate, or may support a part of the pattern forming substrate. It may be a structure.

このようなパターン形成用基板支持部の構成材料としては、パターン形成用基板を支持することが可能な強度を有するものであれば特に限定されるものではなく、例えば金属やセラミック等の無機材料や、プラスチック等の有機材料も用いることができる。なお、上記パターン形成用基板支持部により支持されるパターン形成用基板としては、上述した「B.パターン形成体の製造方法」で説明したパターン形成用基板と同様であるため、ここでの説明は省略する。   The constituent material of such a pattern-forming substrate support is not particularly limited as long as it has strength capable of supporting the pattern-forming substrate. For example, an inorganic material such as a metal or ceramic, Organic materials such as plastic can also be used. The pattern forming substrate supported by the pattern forming substrate support section is the same as the pattern forming substrate described in the above-mentioned “B. Method for producing pattern forming body”. Omitted.

また、本発明に用いられるパターン形成用基板支持部は、パターン形成用基板を移動させて真空紫外光をパターン形成面に順次に照射するための移動装置を有するものであってもよい。   The pattern forming substrate support used in the present invention may have a moving device for moving the pattern forming substrate and sequentially irradiating the pattern forming surface with vacuum ultraviolet light.

3.真空紫外光照射部
次に、本発明に用いられる真空紫外光照射部について説明する。本発明に用いられる真空紫外光照射部は、上記パターン形成用基板に所望の波長を有する真空紫外光を照射できる光源を有するものであれば特に限定されない。本発明における真空紫外光照射部から照射される真空紫外光の波長としては、通常、100nm〜260nmの範囲内であることが好ましく、なかでも150nm〜200nmの範囲内であることが好ましい。
3. Vacuum ultraviolet light irradiation part Next, the vacuum ultraviolet light irradiation part used for this invention is demonstrated. The vacuum ultraviolet light irradiation part used for this invention will not be specifically limited if it has a light source which can irradiate the said pattern formation board | substrate with the vacuum ultraviolet light which has a desired wavelength. As a wavelength of the vacuum ultraviolet light irradiated from the vacuum ultraviolet light irradiation part in this invention, it is usually preferable to be in the range of 100 nm to 260 nm, and it is particularly preferable to be in the range of 150 nm to 200 nm.

このような波長の真空紫外光を照射することが可能な光源としては、例えばエキシマラ
ンプ、低圧水銀ランプ等を挙げることができる。
Examples of a light source that can irradiate vacuum ultraviolet light having such a wavelength include an excimer lamp and a low-pressure mercury lamp.

また、本発明のパターン形成体製造装置においてはこのような光源が1つのみ用いられていてもよく、または、複数個用いられていてもよい。   In the pattern forming body manufacturing apparatus of the present invention, only one such light source may be used, or a plurality of such light sources may be used.

さらに、上記真空紫外光照射部は、光源を移動させて上記パターン形成用基板支持部に支持されたパターン形成用基板のパターン形成面に順次に真空紫外光を照射するための移動装置を有するものであってもよい。   Further, the vacuum ultraviolet light irradiation unit has a moving device for sequentially irradiating the pattern forming surface of the pattern forming substrate supported by the pattern forming substrate support unit by moving the light source to the vacuum ultraviolet light. It may be.

4.その他の構成
本発明のパターン形成体製造装置は、上記以外の他の構成を有するものであってもよい。本発明に用いられる他の構成としては、本発明のパターン形成体製造装置によって製造するパターン形成体の種類や用途等に応じて、適宜選択して用いることができる。中でも本発明においては、このような他の構成としては、上記真空紫外光用メタルマスクを、上記パターン形成用基板支持部に支持されるパターン形成用基板のパターン形成面とは反対面側から磁力によって固定する磁力発生部を有することが好ましい。これにより、上記メタルマスク支持部に支持される真空紫外光用メタルマスクとして、高精細で複雑な形状のパターンが形成され、かつ厚みが薄いものが用いられた場合であっても、上記真空紫外光用メタルマスクを上記パターン形成面上に密接させた状態で固定できるため、上記パターン形成面が高精細なパターン状に正確に真空紫外光照射処理されたパターン形成体を製造することができるからである。
4). Other Configurations The pattern forming body manufacturing apparatus of the present invention may have a configuration other than the above. Other configurations used in the present invention can be appropriately selected and used according to the type and application of the pattern forming body manufactured by the pattern forming body manufacturing apparatus of the present invention. In particular, in the present invention, as such another configuration, the vacuum ultraviolet light metal mask is magnetically applied from the side opposite to the pattern formation surface of the pattern formation substrate supported by the pattern formation substrate support. It is preferable to have a magnetic force generating part that is fixed by. As a result, even if a high-definition and complicated pattern is formed as a metal mask for vacuum ultraviolet light supported by the metal mask support part and a thin mask is used, the vacuum ultraviolet light is used. Since the metal mask for light can be fixed in close contact with the pattern forming surface, a pattern forming body in which the pattern forming surface is precisely subjected to vacuum ultraviolet light irradiation processing into a high-definition pattern can be manufactured. It is.

本発明のパターン形成体製造装置が、上記磁力発生部を有する場合について図を参照しながら説明する。図7は本発明のパターン形成体製造装置の他の例を示す概略図である。図7に例示するように本発明のパターン形成体製造装置30は、上記真空紫外光用メタルマスク10を、上記パターン形成用基板支持部31に支持されるパターン形成用基板101のパターン形成面Pとは反対面側から磁力によって固定する磁力発生部33を有するものであってもよい。   The case where the pattern forming body manufacturing apparatus of the present invention has the magnetic force generation unit will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a schematic view showing another example of the pattern forming body manufacturing apparatus of the present invention. As illustrated in FIG. 7, the pattern forming body manufacturing apparatus 30 according to the present invention includes the pattern forming surface P of the pattern forming substrate 101 that is supported by the pattern forming substrate support 31 on the vacuum ultraviolet light metal mask 10. It may have a magnetic force generator 33 that is fixed by a magnetic force from the opposite side.

本発明に用いられる磁力発生部としては、上述したパターン形成用基板支持部に支持されるパターン形成用基板のパターン形成面上に配置される真空紫外光用メタルマスクを、上記パターン形成用基板のパターン形成面とは反対面側から磁力によって固定できる程度の磁力を発生できるものであれば特に限定されない。このような磁力発生部としては、通常、磁石が用いられる。   As the magnetic force generating portion used in the present invention, a vacuum ultraviolet light metal mask disposed on the pattern forming surface of the pattern forming substrate supported by the pattern forming substrate supporting portion described above is used. There is no particular limitation as long as it can generate a magnetic force that can be fixed by a magnetic force from the side opposite to the pattern forming surface. As such a magnetic force generation part, a magnet is usually used.

上記磁力発生部に用いられる磁石としては、永久磁石、電磁石のいずれであってもよく、また、異方性多極または等方性多極のいずれの着磁形態を有していてもよい。なかでも本工程においては電磁石を用いることが好ましい。   The magnet used for the magnetic force generator may be either a permanent magnet or an electromagnet, and may have any magnetization form of anisotropic multipolar or isotropic multipolar. Among these, it is preferable to use an electromagnet in this step.

また、上記磁力発生部に用いられる磁石は1種類のみであってもよく、または、2種類以上を用いてもよい。2種類以上の磁石を用いる場合は、磁力が等しい磁石を複数個用いてもよく、または、磁力の異なる磁石を組み合わせて用いてもよい。   Moreover, the magnet used for the said magnetic force generation | occurrence | production part may be only one type, or may use two or more types. When two or more types of magnets are used, a plurality of magnets having the same magnetic force may be used, or magnets having different magnetic forces may be used in combination.

なお、上記磁力発生部に用いられる磁石の大きさとしては、上記「B.パターン形成体の製造方法」の項に記載した内容と同様であるため、ここでの説明は省略する。   The size of the magnet used for the magnetic force generation unit is the same as the content described in the above-mentioned section “B. Method for producing pattern-formed body”, and thus the description thereof is omitted here.

本発明のパターン形成体製造装置においては、上記パターン形成用基板支持部と上記磁力発生部とが一体となって構成されているものであってもよい。このような構成を有することにより、本発明のパターン形成体製造装置の構成を機能を損なわずに簡略化することができる。   In the pattern forming body manufacturing apparatus of the present invention, the pattern forming substrate support portion and the magnetic force generation portion may be configured integrally. By having such a structure, the structure of the pattern formation body manufacturing apparatus of this invention can be simplified, without impairing a function.

また、本発明のパターン形成体製造装置は、上記以外の他の構成を有していてもよい。このような他の構成としては、例えば、パターン形成体製造用装置内の温度を制御する温度制御部や、パターン形成体製造用装置内の湿度を制御するための湿度制御部、および、上記パターン形成用基板支持部に支持されたパターン形成用基板の上記パターン形成面の反対面と、上記磁力発生部との距離を調整する磁力発生部−パターン形成用基板間距離制御部等を挙げることができる。   Moreover, the pattern formation body manufacturing apparatus of this invention may have other structures other than the above. Such other configurations include, for example, a temperature control unit for controlling the temperature in the pattern forming body manufacturing apparatus, a humidity control unit for controlling the humidity in the pattern forming body manufacturing apparatus, and the pattern Examples include a magnetic force generator-pattern forming substrate distance controller that adjusts the distance between the surface opposite to the pattern forming surface of the pattern forming substrate supported by the forming substrate support and the magnetic force generator. it can.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples.

[実施例]
図2のようなパターンの真空紫外光用メタルマスク(厚み50μm、ブリッジ幅20μm、真空紫外光照射処理用空隙の高さ30μm)を準備した。
次いで、厚さ100μmのPET基板(マイラー(登録商標)米国デュポン社製)上に、先の真空紫外光用メタルマスクを磁石にて密着させて配置し、酸素の存在下において真空紫外光用メタルマスク側から真空紫外光(172nm)を10mW/cmの照度で照射し、パターンを形成した。このとき、照射部及びブリッジ部分下部の水の接触角が66度から20度以下になるまで20秒であった。
なお、このとき図8に示すような真空紫外光によるパターン形成体製造装置を用いた。
[Example]
A metal mask for vacuum ultraviolet light having a pattern as shown in FIG. 2 (thickness 50 μm, bridge width 20 μm, height of vacuum ultraviolet light irradiation treatment gap 30 μm) was prepared.
Next, a vacuum ultraviolet light metal mask is placed on a PET substrate having a thickness of 100 μm (Mylar (registered trademark) manufactured by DuPont, USA) in close contact with a magnet, and in the presence of oxygen, a metal for vacuum ultraviolet light. Vacuum ultraviolet light (172 nm) was irradiated from the mask side with an illuminance of 10 mW / cm 2 to form a pattern. At this time, it was 20 seconds until the contact angle of water at the lower part of the irradiation part and the bridge part became 66 degrees to 20 degrees or less.
At this time, a pattern forming body manufacturing apparatus using vacuum ultraviolet light as shown in FIG. 8 was used.

[比較例]
図2のようなパターンであり、真空紫外光照射処理用空隙の高さが0μmの真空紫外光用メタルマスク(厚み50μm、ブリッジ幅20μm)を準備し、実施例同様にパターンを形成したが、ブリッジ部分下部のPETは分解されずに、水の接触角は未露光部位と同値であった。
[Comparative example]
A vacuum ultraviolet light metal mask (thickness 50 μm, bridge width 20 μm) with a vacuum ultraviolet light irradiation treatment gap height of 0 μm was prepared and the pattern was formed in the same manner as in the example. The PET under the bridge part was not decomposed, and the contact angle of water was the same as that of the unexposed part.

真空紫外光によるパターン形成体の製造方法の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the manufacturing method of the pattern formation body by a vacuum ultraviolet light. 本発明の真空紫外光用メタルマスクの一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the metal mask for vacuum ultraviolet light of this invention. 本発明の真空紫外光用メタルマスクの他の例を示す概略図である。It is the schematic which shows the other example of the metal mask for vacuum ultraviolet light of this invention. 本発明の真空紫外光用メタルマスクの他の例を示す概略図である。It is the schematic which shows the other example of the metal mask for vacuum ultraviolet light of this invention. 本発明の真空紫外光によるパターン形成体の製造方法の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the manufacturing method of the pattern formation body by the vacuum ultraviolet light of this invention. 本発明の真空紫外光によるパターン形成体製造装置の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the pattern formation body manufacturing apparatus by the vacuum ultraviolet light of this invention. 本発明の真空紫外光によるパターン形成体製造装置の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the pattern formation body manufacturing apparatus by the vacuum ultraviolet light of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 … メタルマスク本体
2 … 開口部
3 … ブリッジ部分
10 … 真空紫外光用メタルマスク
20 … パターン形成体
20’ … パターン形成体用基板
30 … パターン形成体製造装置
31 … パターン形成用基板支持部
32 … 真空紫外光照射部
33 … 磁力発生部
100 … パターン形成体
101 … パターン形成体用基板
102 … メタルマスク
P … パターン形成面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Metal mask main body 2 ... Opening part 3 ... Bridge part 10 ... Vacuum ultraviolet light metal mask 20 ... Pattern formation body 20 '... Pattern formation body substrate 30 ... Pattern formation body manufacturing apparatus 31 ... Pattern formation board | substrate support part 32 ... Vacuum ultraviolet light irradiation part 33 ... Magnetic force generation part 100 ... Pattern formation body 101 ... Substrate for pattern formation body 102 ... Metal mask P ... Pattern formation surface

Claims (8)

パターン形成用基板を用い、前記パターン形成用基板のパターン形成面上にメタルマスクを配置し、反応性ガスの存在下において、前記メタルマスクを介して前記パターン形成面に真空紫外光を照射することにより、前記パターン形成面がパターン状に真空紫外光照射処理されたパターン形成体を製造する方法に用いられる真空紫外光用メタルマスクであって、
金属薄板からなり、開口部を有するメタルマスク本体と、前記開口部を架橋するように形成されたブリッジ部分とを有し、かつ、前記パターン形成用基板上に配置された際に、前記パターン形成面とブリッジ部分との間に前記反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、前記ブリッジ部分が形成されていることを特徴とする、真空紫外光用メタルマスク。
Using a pattern formation substrate, placing a metal mask on the pattern formation surface of the pattern formation substrate, and irradiating the pattern formation surface with vacuum ultraviolet light through the metal mask in the presence of a reactive gas Thus, the pattern forming surface is a vacuum ultraviolet light metal mask used in a method of manufacturing a pattern forming body in which the pattern is subjected to vacuum ultraviolet light irradiation treatment,
When the metal mask main body made of a thin metal plate and having an opening and a bridge portion formed so as to bridge the opening is disposed on the pattern forming substrate, the pattern is formed. The metal mask for vacuum ultraviolet light, wherein the bridge portion is formed so that a gap through which the reactive gas can flow is formed between the surface and the bridge portion.
前記ブリッジ部分の厚みが、前記メタルマスク本体の厚みより薄いことを特徴とする、請求項1に記載の真空紫外光用メタルマスク。   The metal mask for vacuum ultraviolet light according to claim 1, wherein the bridge portion has a thickness smaller than that of the metal mask main body. 前記ブリッジ部分が、少なくとも一方の面からのハーフエッチングにより形成されたものであることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の真空紫外光用メタルマスク。   3. The vacuum ultraviolet light metal mask according to claim 1, wherein the bridge portion is formed by half etching from at least one surface. 前記ブリッジ部分の幅が5μm〜100μmの範囲内であることを特徴とする、請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載の真空紫外光用メタルマスク。   The metal mask for vacuum ultraviolet light according to any one of claims 1 to 3, wherein a width of the bridge portion is in a range of 5 µm to 100 µm. パターン形成用基板を用い、前記パターン形成用基板のパターン形成面上に請求項1から請求項4までのいずれかの請求項に記載の真空紫外光用メタルマスクを配置するメタルマスク配置工程と、
反応性ガスの存在下において、前記真空紫外光用メタルマスクを介して前記パターン形成面に真空紫外光を照射する真空紫外光照射工程と、を有することを特徴とする真空紫外光によるパターン形成体の製造方法。
A metal mask placement step of placing a vacuum ultraviolet light metal mask according to any one of claims 1 to 4 on a pattern formation surface of the pattern formation substrate using a pattern formation substrate,
A vacuum ultraviolet light irradiation step of irradiating the pattern formation surface with vacuum ultraviolet light through the vacuum ultraviolet light metal mask in the presence of a reactive gas. Manufacturing method.
前記メタルマスク配置工程が、前記真空紫外光用メタルマスクを前記パターン形成用基板の前記パターン形成面とは反対面側から磁石によって固定するものであることを特徴とする、請求項5に記載の真空紫外光によるパターン形成体の製造方法。   The said metal mask arrangement | positioning process fixes the said metal mask for vacuum ultraviolet light with a magnet from the surface opposite to the said pattern formation surface of the said pattern formation board | substrate, The Claim 5 characterized by the above-mentioned. A method for producing a pattern-formed body using vacuum ultraviolet light. パターン形成用基板を支持するパターン形成用基板支持部と、
前記パターン形成用基板支持部に支持されるパターン形成用基板のパターン形成面上に配置されるように設置された真空紫外光用メタルマスクと、
前記パターン形成用基板支持部に支持されたパターン形成用基板のパターン形成面に前記真空紫外光用メタルマスクを介して真空紫外光を照射する真空紫外光照射部と、を有する真空紫外光によるパターン形成体製造装置であって、
前記真空紫外光用メタルマスクが、請求項1から請求項4までのいずれかの請求項に記載の真空紫外光用メタルマスクであることを特徴とする、真空紫外光によるパターン形成体製造装置。
A pattern forming substrate support part for supporting the pattern forming substrate;
A vacuum ultraviolet light metal mask installed so as to be disposed on the pattern formation surface of the pattern formation substrate supported by the pattern formation substrate support;
A vacuum ultraviolet light pattern comprising: a vacuum ultraviolet light irradiating unit configured to irradiate a vacuum ultraviolet light through the vacuum ultraviolet light metal mask on a pattern forming surface of the pattern forming substrate supported by the pattern forming substrate support part. Forming body manufacturing apparatus,
The vacuum ultraviolet light metal mask according to any one of claims 1 to 4, wherein the vacuum ultraviolet light metal mask is the vacuum ultraviolet light metal mask.
前記真空紫外光用メタルマスクを、前記パターン形成用基板支持部に支持されるパターン形成用基板のパターン形成面とは反対面側から磁力によって固定する磁力発生部を有することを特徴とする、請求項7に記載の真空紫外光によるパターン形成体製造装置。   The vacuum ultraviolet light metal mask has a magnetic force generation part for fixing by a magnetic force from a surface opposite to the pattern forming surface of the pattern forming substrate supported by the pattern forming substrate support part. Item 8. A pattern forming body manufacturing apparatus using vacuum ultraviolet light according to Item 7.
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