JP4830596B2 - Resist pattern forming substrate, resist pattern forming method, and panel - Google Patents
Resist pattern forming substrate, resist pattern forming method, and panel Download PDFInfo
- Publication number
- JP4830596B2 JP4830596B2 JP2006107944A JP2006107944A JP4830596B2 JP 4830596 B2 JP4830596 B2 JP 4830596B2 JP 2006107944 A JP2006107944 A JP 2006107944A JP 2006107944 A JP2006107944 A JP 2006107944A JP 4830596 B2 JP4830596 B2 JP 4830596B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- resist
- substrate
- layer
- pattern forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本発明は、リソグラフィーによるリフトオフ法を採用する際、あるいは有機エレクトロルミネセンス表示装置(有機EL表示装置)における金属膜分離隔壁を形成する際に用いて好適なレジストパターン形成用基板、レジストパターン形成方法およびパネルに関する。 The present invention relates to a resist pattern forming substrate and a resist pattern forming method suitable for use in employing a lift-off method by lithography or forming a metal film separation partition in an organic electroluminescence display device (organic EL display device). And panel.
薄膜電極などの金属膜のパターニング方法としては、金属膜の上に感光性樹脂組成物を塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜をパターン露光/描画した後現像してレジストパターンを形成し、その後ウェット/ドライエッチングする方法、あるいは、基板上のレジスト膜をパターン露光/描画した後現像し得られたレジストパターンを有する基板上に金属膜を蒸着/スパッタリング等で形成し、その後レジストパターンを剥離除去するリフトオフ法の2つが一般的なものである。
後者のリフトオフ法においては、レジストパターンを有する基板上に金属膜を蒸着/スパッタリング等で形成すると金属膜がレジストパターン上及び基板上に形成されるが、このときレジストパターンの断面形状がオーバーハング状または逆テーパー状であれば、基板上に形成される金属膜は、レジストパターン上に形成される金属膜と非連続となり、電極を形成するに当たって好ましいことは既によく知られている。
As a patterning method for a metal film such as a thin film electrode, a photosensitive resin composition is applied on the metal film to form a resist film, and this resist film is subjected to pattern exposure / drawing and then developed to form a resist pattern. Then, a method of performing wet / dry etching, or forming a metal film on the substrate having a resist pattern obtained by pattern exposure / drawing and developing a resist film on the substrate by vapor deposition / sputtering, etc., and then forming the resist pattern Two lift-off methods for peeling and removing are common.
In the latter lift-off method, when a metal film is formed on a substrate having a resist pattern by vapor deposition / sputtering or the like, the metal film is formed on the resist pattern and the substrate. Alternatively, it is well known that a metal film formed on a substrate is discontinuous with a metal film formed on a resist pattern in the case of an inversely tapered shape, which is preferable for forming an electrode.
一方、近年、有機EL材料を用いた表示装置の形成技術に関する新たな提案がなされている。
例えば、透明基板上にインジウム錫酸化物(ITO)からなる複数のストライプ状のパターンを形成して、それを第一電極(陽極)とし、その上から基板全面にネガレジストを塗布してレジスト膜を形成し、ITOのストライプ状パターンと直交するストライプ状のフォトマスクを介して露光後、現像してストライプ状且つ断面形状がオーバーハング形状のネガレジストパターンを形成し、この基板上に有機EL材料を順次製膜し、さらにその上にAlなどの金属を蒸着して第二電極(陰極)とした、有機EL表示装置を製造する方法が提案されている(特許文献1参照)。
On the other hand, in recent years, a new proposal has been made regarding a technology for forming a display device using an organic EL material.
For example, a plurality of striped patterns made of indium tin oxide (ITO) are formed on a transparent substrate, which is used as a first electrode (anode), and a negative resist is applied over the entire surface of the substrate to form a resist film And a negative resist pattern having a stripe shape and an overhang shape in cross section is formed after exposure through a stripe photomask orthogonal to the ITO stripe pattern, and an organic EL material is formed on the substrate. A method of manufacturing an organic EL display device has been proposed in which a film such as Al is sequentially deposited and a metal such as Al is vapor-deposited thereon to form a second electrode (cathode) (see Patent Document 1).
これらオーバーハング形状または逆テーパー形状の断面形状を持つレジストパターンの形成方法として、基板上にネガ型レジストを塗布し、パターン幅が異なるフォトマスクを用いて2回感光することにより所望の幅の庇部とこれを支える柱部からなる断面構造のレジスト層を形成する方法(特許文献2参照)や、現像液に対する残膜感度の異なる2種類以上のレジスト膜を積層した多層レジスト基板を用い、リソグラフィーを行うことにより逆テーパー形状のパターンを形成する方法(特許文献3参照)が提案されている。 As a method for forming a resist pattern having a cross-sectional shape with an overhang shape or an inverse taper shape, a negative resist is applied on a substrate and exposed twice using a photomask having a different pattern width so as to have a desired width. Lithography using a method of forming a resist layer having a cross-sectional structure consisting of a portion and a pillar supporting the same (see Patent Document 2), or a multilayer resist substrate in which two or more resist films having different sensitivity to a developing solution are laminated A method of forming a reverse taper-shaped pattern by performing (see Patent Document 3) has been proposed.
また、活性光線による露光、または露光の後に引き続き行われる熱処理によって架橋する成分、アルカリ可溶性樹脂及び露光する活性光線を吸収する化合物を少なくとも一種含有し、且つアルカリ性水溶液を現像液とするネガレジスト組成物を用い、該ネガレジスト組成物中に活性光線を吸収する化合物を含有させると、露光時にレジスト膜の深さ方向に行く光を吸収するため、断面がオーバーハング状または逆テーパー状のレジストパターンを形成できることが提案されている。(特許文献4参照)
前述した従来の技術にあっては、次の問題があった。
すなわち、特許文献2,3に記載された技術の場合、露光工程や塗布工程を2回以上行う必要があり、レジストパターン形成工程が煩雑になってしまうことに加えて、最適な露光条件や積層するレジスト膜の最適な組み合わせが制限され、良好なレジストパターンを得ることが困難であった。
また、特許文献4に記載された技術の場合、レジスト組成物中に活性光線を吸収する化合物を含有させる必要があるため、現像処理後における残渣発生の問題や、露光後ベーク(PEB)や金属膜の蒸着/スパッタリング工程で高温にさらされる場合には、該化合物が昇華して装置を汚染してしまう問題があった。
The prior art described above has the following problems.
That is, in the case of the techniques described in
Further, in the case of the technique described in Patent Document 4, it is necessary to include a compound that absorbs actinic rays in the resist composition, so that there is a problem of residue generation after development processing, post-exposure baking (PEB) and metal. When exposed to high temperatures in the film deposition / sputtering process, there is a problem that the compound sublimes and contaminates the apparatus.
本発明は、これらの問題点を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、レジストパターン形成プロセスが簡便で、レジストパターン形成プロセスにおける現像残渣及びその後のプロセスにおける装置汚染が生ずることの無い、微細、且つ高解像性のオーバーハング形状または逆テーパー形状の断面形状を有するレジストパターンを形成することのできるレジストパターン形成用基板、レジストパターン形成方法およびパネルを提供することにある。 The present invention has been made to solve these problems. The object of the present invention is to provide a simple resist pattern forming process, which causes development residues in the resist pattern forming process and equipment contamination in the subsequent processes. It is an object to provide a resist pattern forming substrate, a resist pattern forming method, and a panel capable of forming a resist pattern having a fine, high resolution, overhang shape or reverse taper cross section. .
上記の課題を解決するために、本発明の請求項1に係るレジストパターン形成用基板は、基板の上方にレジスト膜層を有するレジストパターン形成用基板において、前記基板上に透明電極が形成され、前記透明電極上に水溶性のアミン化合物からなる酸失活層が形成され、前記酸失活層上に化学増幅型ネガレジスト組成物からなる前記レジスト膜層が形成されていることを特徴とする。
ここで、酸失活層とは、酸と反応して酸を失活させる機能を果たす層をいう。
In order to solve the above problems, a resist pattern forming substrate according to
Here, the acid deactivation layer refers to a layer that functions to react with an acid to deactivate the acid.
本発明の請求項2に係るレジストパターンの形成方法は、請求項1に記載のレジストパターン形成用基板に、露光光線または描画ビームを照射し、その後現像処理することにより、オーバーハング形状または逆テーパー形状のレジストパターンを形成することを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for forming a resist pattern, wherein the resist pattern forming substrate according to the first aspect is irradiated with an exposure light beam or a drawing beam, and thereafter developed to form an overhang shape or a reverse taper. A resist pattern having a shape is formed.
本発明の請求項3に係るパネルは、請求項1に記載のレジストパターン形成用基板に、露光処理および現像処理が施されて、オーバーハング形状または逆テーパー形状のレジストパターンが形成されてなることを特徴とする前記塩基性物質が、アミン化合物からなることを特徴とする。A panel according to a third aspect of the present invention is obtained by subjecting the resist pattern forming substrate according to the first aspect to an exposure process and a development process to form a resist pattern having an overhang shape or a reverse taper shape. The basic substance characterized by comprising an amine compound.
本発明によれば、レジスト膜層を有するパターン形成用基板において、レジスト膜直下に酸失活層を有しており、レジスト膜層に対して露光光線による露光あるいは電子ビームを用いた描画、さらにそれらの後に行われるベーク処理の際に、レジスト膜層の奥方、つまり酸失活層との界面においては、レジスト膜中に発生/拡散した酸が酸失活層と反応するため、酸とレジスト膜層中の架橋剤との反応が阻害されて潜像ができにくくなる。このため、レジスト膜層の奥方では、レジスト膜層表面と比べてレジストパターンが細くなり、この結果、レジスト膜層は、オーバーハング形状もしくは逆テーパー形状の断面形状を有するレジストパターン潜像を得る。 According to the present invention, a pattern forming substrate having a resist film layer has an acid deactivation layer immediately below the resist film, and exposure to the resist film layer by exposure light or drawing using an electron beam, At the back of the resist film layer, that is, at the interface with the acid deactivation layer, the acid generated / diffused in the resist film reacts with the acid deactivation layer during the baking process performed after them. The reaction with the cross-linking agent in the film layer is hindered to make it difficult to form a latent image. For this reason, the resist pattern becomes thinner in the depth of the resist film layer than the resist film layer surface. As a result, the resist film layer obtains a resist pattern latent image having a cross-sectional shape of an overhang shape or a reverse taper shape.
結局、上述したオーバーハング形状もしくは逆テーパー形状の断面形状を有するレジストパターン潜像を有するレジスト膜層を現像処理することにより、レジストパターン形成プロセスが簡便で、かつ、レジストパターン形成プロセスにおける現像残渣及びその後のプロセスにおける装置汚染が生ずることが無く、微細、且つ高解像性のオーバーハング形状または逆テーパー形状の断面形状を有するレジストパターンを容易に形成することができる。 After all, by developing the resist film layer having the resist pattern latent image having the cross-sectional shape of the above-described overhang shape or reverse taper shape, the resist pattern formation process is simple, and the development residue in the resist pattern formation process and There is no contamination of the apparatus in the subsequent process, and a resist pattern having a fine and high-resolution overhang shape or a reverse taper cross-sectional shape can be easily formed.
以下、本発明のレジストパターン形成用基板、レジストパターン形成方法およびパネルの一例を、図面に基づき詳細に説明する。 Hereinafter, examples of a resist pattern forming substrate, a resist pattern forming method, and a panel according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は本発明に係るパネルの断面図であり、図2(a)〜(d)はこのパネルを形成するための手順を示す工程図である。
図1において符号Pはパネルを示す。パネルPは基板1を有する。基板1上には酸失活層2が形成されている。また、酸失活層2の上側には、個々のパターン6aが逆テーパー形状の断面形状とされたレジストパターン6が形成されている。
FIG. 1 is a sectional view of a panel according to the present invention, and FIGS. 2A to 2D are process diagrams showing a procedure for forming this panel.
In FIG. 1, symbol P indicates a panel. The panel P has a
基板1としては、石英基板、ガラス基板、シリコン基板やポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルサルフォン、エポキシ樹脂やポリプロピレン、ポリカーボネートなどのプラスチック基板等が使用できる。
As the
酸失活層2の材料としては、酸と中和反応する塩基性物質を使用することができ、好ましくはアンモニアやメチルアミン、ジメチルアミン等のアミン化合物を用いることができる。また、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)やN−メチルピロリドン等のように基板1に形成することにより塩基性物質を生成する材料を使用することもできる。
As a material of the
また、酸失活層2の膜厚は、単分子層あれば十分であり、2.0nm以下、より好ましくは1.0nm以下に設定するのがよい。またその下限には特に制限はないが、酸失活効果が維持できる膜厚である必要があり、通常は、0.2nm〜0.7nm程度とすれば足りる。
Moreover, the film thickness of the
レジストパターン6は、後述するように、酸失活層2上に形成されたレジスト膜層3がフォトリソグラフィ工程を経て(図2(c)、(d)参照)、個々のパターン6aが逆テーパー形状の断面形状となるように形成される。レ
ジスト膜層3の材料としては、化学増幅型ネガレジスト組成物が好適に用いられる。レジスト膜層3の膜厚は、1μm〜5μm程度に設定するのが好ましい。
As will be described later, the resist pattern 6 is formed by subjecting the
このようなパネルPは、個々のパターン6aが逆テーパー形状の断面形状とされたレジストパターン6を有しているため、追加工、例えば、予め、基板1上に透明電極(第一電極)を形成するとともに、酸失活層2上に有機EL層を積層し、さらに有機EL層上に(第二電極)を形成することにより、有機EL表示装置用として好適に利用することができる。
Since such a panel P has the resist pattern 6 in which each
次に、上記構成のパネルの製造方法について説明する。
まず、図2(a)、(b)で示すように、基板1上に酸失活層2の材料に応じて、酸失活層2の材料雰囲気に浸漬するベーパ法や直接塗布するスピンコート法やスリットコート法等の既存の膜(層)形成手段を用いて酸失活層2を形成する。直接塗布する場合においては、材料に応じて酸失活層2が形成された基板1を加熱することにより酸失活層2の膜厚を制御することができる。
Next, a method for manufacturing the panel having the above configuration will be described.
First, as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), depending on the material of the
また、パネルPを有機EL表示装置に利用する場合には、予め、基板1上に図示せぬ透明電極をスパッタリング法等により形成した後に、酸失活層2を形成する。
透明電極の材料としては、ITO(酸化インジウム錫)、IZO(酸化インジウム亜鉛)、ZnO、SnO2、In2O3等の透明電極材が使用できる。
When the panel P is used for an organic EL display device, the
As a material of the transparent electrode, transparent electrode materials such as ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), ZnO, SnO 2 , In 2 O 3 can be used.
またさらに、パネルPを有機EL表示装置に利用する場合は、透明電極(陽極)上に酸失活層2が形成されたまま有機EL層を積層すると、透明電極から有機EL層へ正孔が移動する際に、妨げ(電気的抵抗が増大する)となってしまう可能性がある。
Furthermore, when using the panel P for an organic EL display device, if the organic EL layer is laminated with the
そこで、この場合には、酸失活層2の材料としてアンモニア等の水溶性物質を用いるのが好ましい。酸失活層2の材料としてアンモニア等の水溶性物質を用いると、後述する現像工程の際に、レジスト膜層3のパターニングと同時に酸失活層2もパターニングされて、不要な酸失活層2を除去することができるため、透明電極から有機EL層への正孔の移動を酸失活層2が妨げるといった問題は生じない。
Therefore, in this case, it is preferable to use a water-soluble substance such as ammonia as the material of the
次に、図2(c)に示すように、酸失活層2が形成された基板1上にレジスト膜層3をスピンコート法、スリットコート法、ダイコート法、ロールコート法等の既存塗布技術を用いて形成する。なお、レジスト膜層3は、材料に応じて塗布工程後にベークすることができる。
Next, as shown in FIG. 2C, an existing coating technique such as a spin coat method, a slit coat method, a die coat method, or a roll coat method is applied to the resist
前述したとおり、レジスト膜層3の材料は化学増幅型ネガレジスト組成物が好適であり、その膜厚は1μm〜5μm程度に設定するのが好ましいが、パネルPを有機EL表示装置に利用する場合は、レジスト膜層3の膜厚は、透明電極(陽極)上に積層するホール輸送層、有機EL層、電子輸送層、金属電極(陰極)等の合計膜厚より厚ければよく、好ましくは、上記合計膜厚の150%程度あればよい。
このようにして基板1上に酸失活層2およびレジスト膜層3を備えるレジストパターン形成用基板Paを得ることができる。
As described above, the material of the resist
In this manner, a resist pattern forming substrate Pa including the
次に、図2(d)に示すように、フォトマスク4を介して露光光線5により、上述の方法により得られたレジストパターン形成用基板Paを露光する。
また、フォトマスクを介さず、電子ビームを用いて描画を行うこともできる。
Next, as shown in FIG. 2D, the resist pattern forming substrate Pa obtained by the above-described method is exposed with the
In addition, drawing can be performed using an electron beam without using a photomask.
ここで、フォトマスク4は、フィルムマスク、ガラスマスク、エマルジョンマスク、ハードマスク、位相シフトマスク等のLSI用フォトマスク、LCD用フォトマスク等を用いることができる。 Here, as the photomask 4, an LSI photomask such as a film mask, a glass mask, an emulsion mask, a hard mask, or a phase shift mask, a photomask for LCD, or the like can be used.
また、露光光線5としては、紫外線、i線、g線、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUVのような光線やX線、電子線を用いることができ、露光/描画するレジスト膜層の材料に最適なものを用いることができる。
Further, as the
次に、露光を行った基板を露光後ベーク(PEB:Post Exposure Bake)処理する。
PEBにより、前述した露光によってレジスト膜層3中に発生した酸の拡散を行い、酸が拡散しながらレジスト膜層3中の架橋剤と反応することによりレジスト膜層3に潜像ができる。
一方、酸失活層2とレジスト膜層3との界面では、レジスト膜中に発生/拡散した酸が酸失活層2と反応(中和反応)するため、レジスト膜層3中の架橋剤との反応が阻害され、前記界面において潜像ができにくく、レジスト膜層3表面と比べてレジストパターンが細くなる。
これによりレジスト膜層3は、オーバーハング形状もしくは逆テーパー形状の断面形状を有するレジストパターン潜像を得ることができる。
Next, the exposed substrate is subjected to a post-exposure bake (PEB) process.
PEB diffuses the acid generated in the resist
On the other hand, since the acid generated / diffused in the resist film reacts with the acid deactivation layer 2 (neutralization reaction) at the interface between the
Thereby, the resist
最後に上述した方法によりレジスト膜層3に潜像を持った基板を、所定の現像液で所定の現像時間現像することにより、図1に示すような、個々のパターン6aが逆テーパー形状の断面形状とされたレジストパターン6を得ることができる。
Finally, the substrate having the latent image on the resist
現像液としては、レジスト膜層3の材料に適合するものを使用することができ、アルカリ水溶液、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニアなどの無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミンなどの1級アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミンなどの2級アミン類、トリメチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエチルアミン、トリエチルアミンなどの3級アミン類、ピリジン、コリジン、ルチジン、キノリンなどの芳香族3級アミンルイ、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドなどの4級アンモニウム塩の水溶液を使用することができる。また上記アルカリ水溶液にメタノール、エタノールなどの水溶性有機溶媒および/または界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。
As the developing solution, a material suitable for the material of the resist
本発明における現像時間は、レジスト膜層3の材料、膜厚及び必要なレジスト形状により設定することができるが、通常は、40秒〜120秒程度、さらに60秒〜90秒程度が好ましい。
The development time in the present invention can be set depending on the material and film thickness of the resist
なお、本発明は、前記実施の形態に限定されるものでなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜設計変更可能である。
例えば、前記実施の形態では、基板1上に、酸失活層2とレジスト膜層3を1層ずつ形成しているが、これに限られることなく、それらを複数層形成する場合にも、本発明は適用可能である。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed in design without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the above-described embodiment, the
図1および図2を参考にして本発明における実施例を説明する。まず、石英からなる基板1をヘキサメチルジシラザン(HMDS)雰囲気で充満したチャンバー内に60秒間保持し、ベーパ法により膜厚0.2nmの酸失活層2を形成した。
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. First, the
その後、酸失活層2上に化学増幅型ネガレジストをスリットコート法により塗布し、プレベークを120℃で90秒間行い、3.0μmのレジスト膜層3を形成した。
Thereafter, a chemically amplified negative resist was applied onto the
次に、フォトマスク4を介して高圧水銀ランプより放射される紫外線5により、レジスト膜層3を露光した。
Next, the resist
さらに露光後ベーク処理を110℃で90秒間行い、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)濃度2.38%水溶液からなる現像液を用いて60秒間、現像を行った。 Further, post-exposure baking was performed at 110 ° C. for 90 seconds, and development was performed for 60 seconds using a developer composed of a 2.38% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) concentration aqueous solution.
このレジストパターン形成用基板及びレジストパターン形成方法でレジストパターンを形成し断面形状を走査電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)を用いて観察したところ良好な逆テーパー状レジストパターン6を確認することができた。 When a resist pattern is formed by the resist pattern forming substrate and the resist pattern forming method and the cross-sectional shape is observed using a scanning electron microscope (SEM), a good reverse tapered resist pattern 6 can be confirmed. It was.
1…基板
2…酸失活膜
3…レジスト膜層
4…フォトマスク
5…露光光線
6…逆テーパー状レジストパターン
P…パネル
Pa…レジストパターン形成用基
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記基板上に透明電極が形成され、
前記透明電極上に水溶性のアミン化合物からなる酸失活層が形成され、
前記酸失活層上に化学増幅型ネガレジスト組成物からなる前記レジスト膜層が形成されていることを特徴とするレジストパターン形成用基板。 In a resist pattern forming substrate having a resist film layer above the substrate,
A transparent electrode is formed on the substrate;
An acid deactivation layer made of a water-soluble amine compound is formed on the transparent electrode,
A resist pattern forming substrate, wherein the resist film layer made of a chemically amplified negative resist composition is formed on the acid deactivation layer .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006107944A JP4830596B2 (en) | 2006-04-10 | 2006-04-10 | Resist pattern forming substrate, resist pattern forming method, and panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006107944A JP4830596B2 (en) | 2006-04-10 | 2006-04-10 | Resist pattern forming substrate, resist pattern forming method, and panel |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007281304A JP2007281304A (en) | 2007-10-25 |
JP4830596B2 true JP4830596B2 (en) | 2011-12-07 |
Family
ID=38682429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006107944A Expired - Fee Related JP4830596B2 (en) | 2006-04-10 | 2006-04-10 | Resist pattern forming substrate, resist pattern forming method, and panel |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4830596B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI420571B (en) * | 2009-06-26 | 2013-12-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | Methods of forming electronic devices |
JP6318922B2 (en) * | 2014-07-04 | 2018-05-09 | 豊田合成株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
JP6685791B2 (en) * | 2016-03-25 | 2020-04-22 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2989064B2 (en) * | 1991-12-16 | 1999-12-13 | 日本ゼオン株式会社 | Pattern forming method of metal deposition film |
JP3813217B2 (en) * | 1995-03-13 | 2006-08-23 | パイオニア株式会社 | Method for manufacturing organic electroluminescence display panel |
JP2783154B2 (en) * | 1994-03-30 | 1998-08-06 | 日本電気株式会社 | Method of forming resist pattern |
JP3636242B2 (en) * | 1995-04-04 | 2005-04-06 | 信越化学工業株式会社 | Chemically amplified positive resist material |
JP2001028295A (en) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of luminescent device |
JP2002124448A (en) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Nippon Zeon Co Ltd | Multilayer resist substrate, manufacturing method of the multilayer resist substrate, and utilization of the multilayer resist substrate |
JP4322097B2 (en) * | 2003-11-14 | 2009-08-26 | 東京応化工業株式会社 | EL display element partition wall and EL display element |
JP4513965B2 (en) * | 2004-03-31 | 2010-07-28 | 日本ゼオン株式会社 | Radiation sensitive resin composition |
-
2006
- 2006-04-10 JP JP2006107944A patent/JP4830596B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007281304A (en) | 2007-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI483079B (en) | Pattern formation method | |
KR100811431B1 (en) | Method of Manufacturing Semiconductor Device | |
KR20070122049A (en) | Forming method of fine pattern using double exposure process | |
JP2009111329A (en) | Fine patterning method for semiconductor element | |
US6811959B2 (en) | Hardmask/barrier layer for dry etching chrome films and improving post develop resist profiles on photomasks | |
KR20070059877A (en) | Patterning method of organic materials of organic electric device and organic thin film transistor and organic electronic emitting device | |
US20060257749A1 (en) | Method for reducing critical dimension | |
KR100641006B1 (en) | Printing Plate | |
TWI638226B (en) | Resist layer with blank, method of manufacturing the same, mask blank and imprint mold blank, and transfer mask, imprint mold and method of manufacturing the same | |
TWI324791B (en) | ||
JP4830596B2 (en) | Resist pattern forming substrate, resist pattern forming method, and panel | |
US9891522B2 (en) | Method and composition of a chemically amplified copolymer resist | |
JP2003107675A (en) | Mask blank and mask | |
US20160041471A1 (en) | Acidified conductive water for developer residue removal | |
KR20090040614A (en) | Method for fabricating halftone phase shift mask | |
KR101211735B1 (en) | High Definition Printing Plate of Liquid Crystal Display and Method for Manufacture using the same | |
US20170052442A1 (en) | Lithography Mask and Fabricating the Same | |
US8383323B2 (en) | Selective imaging through dual photoresist layers | |
CN108073032B (en) | Method for forming phase shift photomask | |
JP2005310406A (en) | Removal plate, manufacturing method of organic el display device and manufacturing device of organic el display device | |
JP2021182099A (en) | Method for manufacturing mask blank, mask blank, and photomask | |
JP2009194207A (en) | Pattern forming method, and manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device manufacturing apparatus | |
KR101168393B1 (en) | Forming method of fine pattern using double exposure process | |
JP4574976B2 (en) | Fine pattern forming method | |
JP2009109768A (en) | Resist pattern forming method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110419 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110620 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110823 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110905 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140930 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |