JP2009244576A - Method of manufacturing patterned body by vacuum ultraviolet light - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a patterned body which has a functional layer accurately decomposed and removed like a precise and complicated pattern by vacuum ultraviolet light, with a high sensitivity. <P>SOLUTION: A method of manufacturing the patterned body uses a substrate 1 for pattern formation having a functional layer 1b consisting of a functional material capable of being decomposed by irradiation with vacuum ultraviolet light and includes a step of disposing a metal mask 10 on the functional layer and a step of irradiating a surface of the functional layer with vacuum ultraviolet light through the metal mask under the existence of a reactant gas to remove part of the functional layer like a pattern. The metal mask includes a metal thin plate and has a metal mask body 11 having openings 12 and bridges 13 formed so as to bridge the openings, and the bridges are formed so that spaces through which the reactant gas can pass may be formed between the functional layer and the bridges when the metal mask is disposed on the functional layer. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、真空紫外光を用いたパターン形成体の製造方法等に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a pattern forming body using vacuum ultraviolet light.

現在、基材上に図案、画像、文字、回路等の種々のパターンを形成するパターン形成体の製造方法としては、様々な方法が提案されている。このようなパターン形成体の製造方法の代表的なものとしては、例えば、平版印刷や、オフセット印刷、ヒートモード記録材料を用いた平版印刷原版を作製する印刷法があり、このような印刷法は簡易的にパターン形成体を製造できるという利点を有することから広く用いられてきた。   At present, various methods have been proposed as a method for manufacturing a pattern forming body for forming various patterns such as designs, images, characters, and circuits on a substrate. Typical examples of the method for producing such a pattern-formed body include lithographic printing, offset printing, and a printing method for producing a lithographic printing original plate using a heat mode recording material. It has been widely used because it has an advantage that a pattern-formed body can be easily produced.

一方、近年では、上記印刷法に代わる方法としてフォトリソグラフィー法が主流となってきている。フォトリソグラフィー法とは、例えば、基材上に塗布したフォトレジスト層にパターン露光を行い、露光後、フォトレジストを現像し、さらにエッチングを行ったり、フォトレジストに機能性を有する物質を用いて、フォトレジストの露光によって目的とするパターンを直接形成することによりパターン形成体を製造する方法である。このようなフォトリソグラフィー法は、従来の印刷法に比べて高精細なパターニングが施されたパターン形成体を製造することが可能であるということから、例えば、液晶表示装置に用いられるカラーフィルターの製造方法等に用いられている。   On the other hand, in recent years, a photolithography method has become the mainstream as a method to replace the printing method. Photolithographic methods include, for example, pattern exposure on a photoresist layer coated on a substrate, development of the photoresist after exposure, further etching, or using a substance having functionality in the photoresist, This is a method for producing a pattern forming body by directly forming a target pattern by exposure of a photoresist. Such a photolithography method can produce a pattern-formed body that has been subjected to high-definition patterning as compared with the conventional printing method. For example, it can produce a color filter used in a liquid crystal display device. Used in methods.

しかしながら、このようなフォトリソグラフィー法においては、フォトレジストを用いるとともに、露光後に液体現像液によって現像を行ったり、エッチングを行う必要があるため、廃液を処理する必要が生じる等の問題があることから、フォトリソグラフィー法を用いたパターン形成体の製造方法は必ずしも生産性の高いものではなかった。また、フォトレジストとして機能性の物質を用いた場合には、現像の際に使用されるアルカリ液等によって劣化する等の問題もあり、材料選択の幅が狭いということも指摘されていた。   However, in such a photolithography method, there is a problem that a waste liquid needs to be processed because it is necessary to use a photoresist and develop or etch with a liquid developer after exposure. The method for producing a pattern forming body using the photolithography method is not always highly productive. In addition, it has been pointed out that when a functional substance is used as a photoresist, there is a problem that the material is deteriorated by an alkaline solution or the like used during development, and the range of material selection is narrow.

このような状況において、特許文献1には、真空紫外光を用いるパターン形成体の製造方法が開示されている。特許文献1に開示された方法は、基材および上記基材上に形成された有機物からなる有機分子膜を有するパターン形成用基板に、フォトマスクを介して上記有機分子膜にパターン状に真空紫外光を照射することにより、上記有機分子膜を分解除去し、パターン形成体を製造する方法である。このような真空紫外光を用いる方法は、フォトリソグラフィー法の欠点であった現像液の使用等を必要としないドライプロセスであるため、高生産性でパターン形成体を製造することができる点において有用である。   Under such circumstances, Patent Document 1 discloses a method for manufacturing a pattern forming body using vacuum ultraviolet light. In the method disclosed in Patent Document 1, a pattern forming substrate having a base material and an organic molecular film made of an organic substance formed on the base material is patterned in vacuum ultraviolet on the organic molecular film through a photomask. In this method, the organic molecular film is decomposed and removed by irradiating light to produce a pattern forming body. Such a method using vacuum ultraviolet light is a dry process that does not require the use of a developer, which was a drawback of the photolithography method, and is useful in that a pattern-formed body can be produced with high productivity. It is.

ところで、特許文献1に開示されているような真空紫外光によるパターンの形成は、有機分子膜が真空紫外光の作用により分解除去されて行われるものである。すなわち、真空紫外光の照射が行われると、有機分子膜の有機物の分子結合が、真空紫外光の作用により切断されたり、また酸素の存在下、酸素が励起されて発生する酸素原子ラジカルが有機物に作用を及ぼすことにより、有機分子膜の有機物が分解物となり、この分解物がパターン形成用基板上から揮発除去されることで、パターンが形成されるものである。
このようなことから、真空紫外光を用いるパターン形成体の製造方法においては、パターンを形成する基材表面に、常時真空紫外光と作用する酸素を存在させておくことが必要となる。
By the way, the pattern formation by vacuum ultraviolet light as disclosed in Patent Document 1 is performed by decomposing and removing the organic molecular film by the action of vacuum ultraviolet light. That is, when irradiation with vacuum ultraviolet light is performed, molecular bonds of organic substances in the organic molecular film are broken by the action of vacuum ultraviolet light, or oxygen atom radicals generated by oxygen excitation in the presence of oxygen are converted into organic substances. By acting on the organic matter, the organic matter of the organic molecular film becomes a decomposed product, and the decomposed product is volatilized and removed from the pattern forming substrate, whereby a pattern is formed.
For this reason, in the method for producing a pattern forming body using vacuum ultraviolet light, it is necessary that oxygen acting on the vacuum ultraviolet light always be present on the surface of the substrate on which the pattern is formed.

しかしながら、特許文献1のようなフォトマスクを用いる方法では、有機分子膜とフォトマスクとが近接しているため、真空紫外光を連続照射すると真空紫外光と作用する酸素が不足してしまい、結果として真空紫外光によるパターン形成の感度が低下してしまうという問題点があった。   However, in the method using a photomask as in Patent Document 1, since the organic molecular film and the photomask are close to each other, oxygen that acts on the vacuum ultraviolet light becomes insufficient when the vacuum ultraviolet light is continuously irradiated. As a problem, the sensitivity of pattern formation by vacuum ultraviolet light is reduced.

このような問題点に鑑み、本発明者らはメタルマスクを用いて真空紫外光によるパターン形成体を製造することを可能にする発明を完成している(特許文献2)。このようなメタルマスクを用いる方法は、真空紫外光を用いて高精細なパターン状の真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を高感度で製造できるという点において、特許文献1に記載されたような従来の方法に比べて著しく利点を有するものである。   In view of such problems, the present inventors have completed an invention that makes it possible to produce a pattern-formed body using vacuum ultraviolet light using a metal mask (Patent Document 2). A method using such a metal mask is described in Patent Document 1 in that a pattern formed body subjected to a high-definition pattern-shaped vacuum ultraviolet light irradiation treatment using vacuum ultraviolet light can be manufactured with high sensitivity. This is a significant advantage over the conventional methods.

しかしながら、上記メタルマスクはその性質上、パターンを高精細化するとそれに伴って厚みが薄くなる傾向を有することから、特許文献2に記載されたようなメタルマスクを用いる方法においても、例えば、上記メタルマスクとして比較的開口部が大きく形成されたものや、複雑な形状に開口部が形成されたもの等、高精細なパターン状に開口部が形成されたメタルマスクを用いた場合は、パターン形成体を製造する際に開口部の形状が変形してしまい、当初予定していたパターン状に真空紫外光照射処理を行うことが困難になるおそれがあった。
また、特許文献2に記載されたような方法は、従来のフォトマスクを用いた方法においては可能であった浮島パターンを形成することが困難であるという点において、改善の余地があった。
However, since the metal mask has a tendency to decrease in thickness as the pattern becomes higher in definition, the method using the metal mask described in Patent Document 2, for example, also includes the metal mask. If a metal mask with openings in a high-definition pattern, such as a mask with a relatively large opening or a complicated opening, is used as a mask. The shape of the opening is deformed when manufacturing the film, which may make it difficult to perform the vacuum ultraviolet light irradiation treatment in the pattern shape originally planned.
Further, the method described in Patent Document 2 has room for improvement in that it is difficult to form a floating island pattern, which was possible in the method using the conventional photomask.

特開2001−324816号公報JP 2001-324816 A 特開2007−178783号公報JP 2007-178783 A

本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、真空紫外光を用いて高精細かつ複雑なパターン状に、正確に真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を、高感度で製造することが可能な、真空紫外光によるパターン形成体の製造方法を提供することを主目的とするものである。   The present invention has been made in view of such problems, and a pattern formed body that has been subjected to a vacuum ultraviolet light irradiation treatment in a high-definition and complicated pattern shape using vacuum ultraviolet light has a high sensitivity. The main object of the present invention is to provide a method for producing a pattern forming body using vacuum ultraviolet light, which can be produced by the following method.

上記課題を解決するために本発明は、基板と、上記基板上に形成され、真空紫外光が照射されることにより分解されることが可能な機能性材料からなる機能性層とを有するパターン形成用基板を用い、上記パターン形成用基板の上記機能性層上にメタルマスクを配置するメタルマスク配置工程と、反応性ガスの存在下において、上記メタルマスクを介して上記機能性層の表面に真空紫外光を照射することにより、上記機能性層の一部をパターン状に除去する真空紫外光照射工程と、を有する真空紫外光によるパターン形成体の製造方法であって、上記メタルマスクが、金属薄板からなり、開口部を有するメタルマスク本体と、上記開口部を架橋するように形成されたブリッジ部分とを有し、かつ、上記機能性層上に配置された際に、上記機能性層と上記ブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、上記ブリッジ部分が形成されていることを特徴とする、真空紫外光によるパターン形成体の製造方法を提供する。   In order to solve the above problems, the present invention provides a pattern formation comprising a substrate and a functional layer formed on the substrate and made of a functional material that can be decomposed by irradiation with vacuum ultraviolet light. A metal mask placement step of placing a metal mask on the functional layer of the pattern forming substrate using a working substrate, and a vacuum on the surface of the functional layer through the metal mask in the presence of a reactive gas. A vacuum ultraviolet light irradiation step of removing a part of the functional layer in a pattern by irradiating with ultraviolet light, wherein the metal mask comprises a metal The metal mask main body made of a thin plate and having an opening, and a bridge portion formed so as to bridge the opening, and when placed on the functional layer, the function A method for producing a pattern forming body using vacuum ultraviolet light, characterized in that the bridge portion is formed so that a void through which the reactive gas can flow is formed between the layer and the bridge portion. I will provide a.

本発明によれば、上記メタルマスク配置工程に用いられるメタルマスクが、メタルマスク本体に形成された開口部が上記ブリッジ部分によって架橋された構造を有することにより、上記開口部を高精細かつ複雑な形状に形成したとしても、上記メタルマスク配置工程において当該メタルマスクが上記機能性層上に配置される際に、開口部の形状が変形することを防止できる。
また、上記メタルマスクにおけるブリッジ部分が、上記機能性層上に配置された際に、上記機能性層とブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように形成されていることにより、上記真空紫外光照射工程において上記機能性層に真空紫外光を照射した際に、ブリッジ部分によって真空紫外光が遮蔽され、ブリッジ部分の下側に位置する機能性層が分解除去されずに残存してしまうことを防止でき、ブリッジ部分の下側に位置する機能性層について分解除去することが可能になる。
このため、本発明の真空紫外光によるパターン形成体の製造方法によれば、上記メタルマスクとして高精細かつ複雑なパターン状に開口部が形成されたものを用いたとしても、当該開口部の形状どおりに、正確に機能性層が分解除去されたパターン形成体を、高感度で製造することができる。
According to the present invention, the metal mask used in the metal mask arranging step has a structure in which the opening formed in the metal mask main body is bridged by the bridge portion, thereby making the opening highly precise and complicated. Even if formed into a shape, it is possible to prevent the shape of the opening from being deformed when the metal mask is placed on the functional layer in the metal mask placement step.
In addition, when the bridge portion in the metal mask is disposed on the functional layer, a gap is formed so that the reactive gas can flow between the functional layer and the bridge portion. Therefore, when the functional layer is irradiated with vacuum ultraviolet light in the vacuum ultraviolet light irradiation step, the vacuum ultraviolet light is shielded by the bridge portion, and the functional layer located below the bridge portion is decomposed. It can prevent remaining without being removed, and the functional layer located below the bridge portion can be decomposed and removed.
For this reason, according to the method for manufacturing a pattern forming body using vacuum ultraviolet light according to the present invention, even if the metal mask having an opening formed in a high-definition and complicated pattern is used, the shape of the opening Similarly, a pattern formed body in which the functional layer is accurately decomposed and removed can be manufactured with high sensitivity.

本発明においては、上記メタルマスクが、上記メタルマスク本体の開口部内に形成された浮島部分を有し、かつ、上記ブリッジ部分が、上記メタルマスク本体と上記浮島部分とを接続するように形成されているものであってもよい。このような構造を有するメタルマスクが用いられることにより、本発明によって浮島パターン状に上記機能性層が分解除去されたパターン形成体を高感度で製造することができるからである。   In the present invention, the metal mask has a floating island portion formed in the opening of the metal mask main body, and the bridge portion is formed to connect the metal mask main body and the floating island portion. It may be. This is because, by using a metal mask having such a structure, a pattern forming body in which the functional layer is decomposed and removed in a floating island pattern according to the present invention can be manufactured with high sensitivity.

本発明に用いられるメタルマスクは、上記ブリッジ部分の厚みが、上記メタルマスク本体の厚みより薄いことが好ましい。また本発明に用いられるメタルマスクは、少なくとも一方の面からのハーフエッチングにより形成されたものであることが好ましい。これにより、上記真空紫外光照射工程において、上記ブリッジ部分と上記機能性層との間に十分な反応性ガスを通流させ、かつ、上記ブリッジ部分の下側に位置する機能性層の表面にも真空紫外光を照射することができるようになる結果、上記ブリッジ部分の下に位置する機能性層の表面も、所定の程度に分解除去することが容易になるからである。   In the metal mask used in the present invention, the bridge portion is preferably thinner than the metal mask main body. The metal mask used in the present invention is preferably formed by half etching from at least one surface. Thereby, in the vacuum ultraviolet light irradiation step, sufficient reactive gas is allowed to flow between the bridge portion and the functional layer, and on the surface of the functional layer located below the bridge portion. This is because, as a result of being able to irradiate vacuum ultraviolet light, the surface of the functional layer located under the bridge portion can be easily decomposed and removed to a predetermined extent.

また本発明においては上記メタルマスク配置工程に用いられるメタルマスクの上記ブリッジ部分の幅が5μm〜100μmの範囲内であることが好ましい。これにより上記真空紫外光照射工程において、上記ブリッジ部分の下部に形成される空隙に十分に真空紫外光を回り込ませることが可能になり、ブリッジ部分の下部に位置する機能性層が分解除去されなくなることを、より効果的に防止することができるからである。   Moreover, in this invention, it is preferable that the width | variety of the said bridge | bridging part of the metal mask used for the said metal mask arrangement | positioning process exists in the range of 5 micrometers-100 micrometers. As a result, in the vacuum ultraviolet light irradiation step, it becomes possible to sufficiently evacuate the vacuum ultraviolet light into the gap formed under the bridge portion, and the functional layer located under the bridge portion is not decomposed and removed. This is because this can be prevented more effectively.

本発明は、真空紫外光を用いて、機能性層が高精細かつ複雑なパターン状に分解除去されたパターン形成体を、高感度で製造できるという効果を奏する。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention has an effect that a pattern formed body in which a functional layer is decomposed and removed in a high-definition and complicated pattern using vacuum ultraviolet light can be manufactured with high sensitivity.

以下、本発明の真空紫外光によるパターン形成体の製造方法(以下、単に「本発明のパターン形成体の製造方法」と称する場合がある。)について説明する。   Hereinafter, a method for producing a patterned body using vacuum ultraviolet light according to the present invention (hereinafter sometimes simply referred to as “a method for producing a patterned body of the present invention”) will be described.

上述したように本発明のパターン形成体の製造方法は、基板と、上記基板上に形成され、真空紫外光が照射されることにより分解されることが可能な機能性材料からなる機能性層とを有するパターン形成用基板を用い、上記パターン形成用基板の上記機能性層上にメタルマスクを配置するメタルマスク配置工程と、反応性ガスの存在下において、上記メタルマスクを介して上記機能性層の表面に真空紫外光を照射することにより、上記機能性層の一部をパターン状に除去する真空紫外光照射工程と、を有するものであって、上記メタルマスクが、金属薄板からなり、開口部を有するメタルマスク本体と、上記開口部を架橋するように形成されたブリッジ部分とを有し、かつ、上記機能性層上に配置された際に、上記機能性層と上記ブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、上記ブリッジ部分が形成されていることを特徴とするものである。   As described above, the method for producing a pattern formed body of the present invention includes a substrate, and a functional layer formed on the substrate and made of a functional material that can be decomposed by irradiation with vacuum ultraviolet light. A metal mask disposing step of disposing a metal mask on the functional layer of the pattern forming substrate, and in the presence of a reactive gas, the functional layer via the metal mask. A vacuum ultraviolet light irradiation step of removing a part of the functional layer in a pattern by irradiating the surface of the substrate with vacuum ultraviolet light, wherein the metal mask is made of a thin metal plate and has an opening. A metal mask main body having a portion and a bridge portion formed so as to bridge the opening, and the functional layer and the bridge portion when disposed on the functional layer. The reactive gases so Tsuryu possible gap is formed, is characterized in that said bridge portion is formed between the.

このような本発明のパターン形成体の製造方法について図を参照しながら説明する。図1は本発明のパターン形成体の製造方法の一例を示す概略図である。図1に例示するように、本発明のパターン形成体の製造方法は、基板1aと、上記基板1a上に形成され、真空紫外光が照射されることにより分解されることが可能な機能性材料からなる機能性層1bとを有するパターン形成用基板1を用い(図1(a))、上記パターン形成用基板1の上記機能性層1bの表面上にメタルマスク10を配置するメタルマスク配置工程と(図1(b))、反応性ガスの存在下において、上記メタルマスク10を介して上記機能性層1bの表面に真空紫外光を照射することにより、上記機能性層1bの一部をパターン状に除去する真空紫外光照射工程と(図1(c))、を有し、基板1aと、上記基板1a上にパターン状に形成された機能性層1bとを有するパターン形成体を製造するものである(図1(d))。   Such a method for producing a pattern forming body of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view showing an example of a method for producing a pattern forming body of the present invention. As illustrated in FIG. 1, the pattern forming body manufacturing method of the present invention includes a substrate 1 a and a functional material that is formed on the substrate 1 a and can be decomposed by irradiation with vacuum ultraviolet light. A metal mask arranging step of arranging a metal mask 10 on the surface of the functional layer 1b of the pattern forming substrate 1 using the pattern forming substrate 1 having the functional layer 1b made of (FIG. 1A). (FIG. 1 (b)), in the presence of a reactive gas, the surface of the functional layer 1b is irradiated with vacuum ultraviolet light through the metal mask 10 so that a part of the functional layer 1b is formed. A vacuum ultraviolet light irradiation step for removing in a pattern (FIG. 1 (c)), and manufacturing a pattern forming body having a substrate 1a and a functional layer 1b formed in a pattern on the substrate 1a (Fig. 1 (d)) .

本発明のパターン形成体の製造方法は上記メタルマスク配置工程に用いられるメタルマスクに特徴を有するものである。図2は、上記メタルマスク配置工程に用いられるメタルマスクの一例を示す概略図である。図2(a)に例示するように、本発明に用いられるメタルマスク10は、金属薄板からなり、開口部12を有するメタルマスク本体11と、上記メタルマスク本体11の開口部12を架橋するように形成されたブリッジ部分13とを有するものである。
また、図2(b)は、図2(a)におけるX−X’線矢視断面図である。図2(b)に例示するように、本発明に用いられるメタルマスク10は、上記メタルマスク配置工程において、機能性層1b上に配置された際に、機能性層1bの表面とブリッジ部分13との間に反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、上記ブリッジ部分13が形成されていることを特徴とするものである。
The manufacturing method of the pattern formation body of this invention has the characteristics in the metal mask used for the said metal mask arrangement | positioning process. FIG. 2 is a schematic view showing an example of a metal mask used in the metal mask arranging step. As illustrated in FIG. 2A, the metal mask 10 used in the present invention is made of a thin metal plate and bridges the metal mask body 11 having the opening 12 and the opening 12 of the metal mask body 11. And a bridge portion 13 formed on the surface.
FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line XX ′ in FIG. As illustrated in FIG. 2B, when the metal mask 10 used in the present invention is arranged on the functional layer 1b in the metal mask arranging step, the surface of the functional layer 1b and the bridge portion 13 are arranged. The bridge portion 13 is formed so that a gap through which a reactive gas can flow is formed.

本発明によれば、上記メタルマスク配置工程に用いられるメタルマスクが、メタルマスク本体に形成された開口部が上記ブリッジ部分によって架橋された構造を有することにより、上記開口部を高精細かつ複雑な形状に形成したとしても、上記メタルマスク配置工程において当該メタルマスクが上記機能性層上に配置される際に、開口部の形状が変形することを防止できる。
また、上記メタルマスクにおけるブリッジ部分が、上記機能性層上に配置された際に、上記機能性層とブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように形成されていることにより、上記真空紫外光照射工程において上記機能性層に真空紫外光を照射した際に、ブリッジ部分によって真空紫外光が遮蔽され、ブリッジ部分の下側に位置する機能性層が分解除去されずに残存してしまうことを防止でき、ブリッジ部分の下側に位置する機能性層について分解除去することが可能になる。
このため、本発明の真空紫外光によるパターン形成体の製造方法によれば、上記メタルマスクとして高精細かつ複雑なパターン状に開口部が形成されたものを用いたとしても、当該開口部の形状どおりに、正確に機能性層が分解除去されたパターン形成体を、高感度で製造することができる。
According to the present invention, the metal mask used in the metal mask arranging step has a structure in which the opening formed in the metal mask main body is bridged by the bridge portion, thereby making the opening highly precise and complicated. Even if formed into a shape, it is possible to prevent the shape of the opening from being deformed when the metal mask is placed on the functional layer in the metal mask placement step.
In addition, when the bridge portion in the metal mask is disposed on the functional layer, a gap is formed so that the reactive gas can flow between the functional layer and the bridge portion. Therefore, when the functional layer is irradiated with vacuum ultraviolet light in the vacuum ultraviolet light irradiation step, the vacuum ultraviolet light is shielded by the bridge portion, and the functional layer located below the bridge portion is decomposed. It can prevent remaining without being removed, and the functional layer located below the bridge portion can be decomposed and removed.
For this reason, according to the method for manufacturing a pattern forming body using vacuum ultraviolet light according to the present invention, even if the metal mask having an opening formed in a high-definition and complicated pattern is used, the shape of the opening Similarly, a pattern formed body in which the functional layer is accurately decomposed and removed can be manufactured with high sensitivity.

本発明のパターン形成体の製造方法は、少なくともメタルマスク配置工程と、真空紫外光照射工程とを有するものであり、必要に応じて他の工程が用いられてもよいものである。以下、本発明に用いられる各工程について順に説明する。   The manufacturing method of the pattern formation body of this invention has a metal mask arrangement | positioning process and a vacuum ultraviolet light irradiation process at least, and another process may be used as needed. Hereafter, each process used for this invention is demonstrated in order.

1.メタルマスク配置工程
まず、本発明に用いられるメタルマスク配置工程について説明する。本工程は、基板と、上記基板上に形成され、真空紫外光が照射されることにより分解されることが可能な機能性材料からなる機能性層とを有するパターン形成用基板を用い、上記パターン形成用基板の上記機能性層の表面上にメタルマスクを配置する工程である。そして、本工程は、上記メタルマスクとして特定の構造を有するものが用いられることを特徴するものである。
以下、このようなメタルマスク配置工程について詳細に説明する。
1. Metal Mask Arrangement Step First, the metal mask arrangement step used in the present invention will be described. This step uses a pattern formation substrate having a substrate and a functional layer formed on the substrate and made of a functional material that can be decomposed by irradiation with vacuum ultraviolet light. This is a step of disposing a metal mask on the surface of the functional layer of the forming substrate. This process is characterized in that a metal mask having a specific structure is used.
Hereinafter, such a metal mask arrangement process will be described in detail.

(1)メタルマスク
まず、本工程に用いられるメタルマスクについて説明する。本工程に用いられるメタルマスクは、金属薄板からなり、開口部を有するメタルマスク本体と、上記開口部を架橋するように形成されたブリッジ部分とを有し、かつ、上記機能性層上に配置された際に、上記機能性層と上記ブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、上記ブリッジ部分が形成されたものであることを特徴とするものである。
(1) Metal mask First, the metal mask used for this process is demonstrated. The metal mask used in this process is made of a thin metal plate, has a metal mask body having an opening, and a bridge portion formed so as to bridge the opening, and is disposed on the functional layer. The bridge portion is formed so that a gap through which the reactive gas can flow is formed between the functional layer and the bridge portion. It is.

(ブリッジ部分)
上記ブリッジ部分は、メタルマスク本体に形成された開口部を架橋するように形成され、上記開口部の形状が変形してしまうことを防止する機能を有するものである。また、後述する真空紫外光照射工程において、パターン形成用基板の機能性層とブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙(以下、当該空隙を「真空紫外光照射処理用空隙」と称する場合がある。)ができるように、形成されているものである。このようなブリッジ部分が形成されている態様としては、上記真空紫外光照射処理用空隙を所望の大きさにできる態様であれば特に限定されるものではない。このような態様としては、例えば、メタルマスク本体に形成された開口部を架橋するようにアーチ状に形成された態様であってもよく、あるいは直線状に形成された態様であってもよい。
(Bridge part)
The bridge portion is formed so as to bridge the opening formed in the metal mask main body, and has a function of preventing the shape of the opening from being deformed. Further, in the vacuum ultraviolet light irradiation step to be described later, a gap through which the reactive gas can flow between the functional layer and the bridge portion of the pattern forming substrate (hereinafter referred to as “vacuum for vacuum ultraviolet light irradiation treatment”). It may be referred to as “.”). The form in which such a bridge portion is formed is not particularly limited as long as the above-described vacuum ultraviolet light irradiation treatment gap can be formed in a desired size. As such an aspect, the aspect formed in the arch shape so that the opening part formed in the metal mask main body might be bridge | crosslinked may be sufficient, for example, and the aspect formed linearly may be sufficient.

本工程に用いられるメタルマスクにおいて、ブリッジ部分が形成されている態様について図を参照しながら説明する。図3は、本工程に用いられるメタルマスクにおいてブリッジ部分が形成されている態様の一例を示す概略図である。図3に例示するように、本工程に用いられるメタルマスク10においてブリッジ部分13が形成されている態様は、メタルマスク本体11における開口部12を架橋するようにアーチ状に形成された態様であってもよく(図3(a)、(b))、あるいは直線状に形成された態様であってもよい(図3(c)、(d))。   A mode in which a bridge portion is formed in the metal mask used in this step will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a schematic view showing an example of a mode in which a bridge portion is formed in the metal mask used in this step. As illustrated in FIG. 3, the aspect in which the bridge portion 13 is formed in the metal mask 10 used in this step is an aspect in which the bridge portion 13 is formed in an arch shape so as to bridge the opening 12 in the metal mask main body 11. (Figs. 3 (a) and 3 (b)), or a linearly formed mode (Figs. 3 (c) and 3 (d)).

本発明におけるブリッジ部分はこれらのいずれの態様で形成されたものであってもよいが、なかでもメタルマスク本体における開口部を架橋するように直線状に形成された態様であることが好ましい。このような態様のブリッジ部分は、少なくとも一方の面からのハーフエッチングにより、上記開口部と同時に容易に形成することができるからである。すなわち、本工程に用いられるメタルマスクは、金属薄板を用い、当該金属薄板を一方の面から所望のパターンでハーフエッチングした後、逆の面から同一のパターンでハーフエッチングすることにより製造することができるが、このとき、ブリッジ部分に相当する位置については一方の面からのハーフエッチングしか行わないか、あるいはブリッジ部分に相当する位置についてはエッチングの条件を弱めることによって、上記ブリッジ部分と上記開口部とを同時に形成することができる。このような製造方法上の利点を考慮すると、上記ブリッジ部分は、一方の面からのハーフエッチングにより形成されたものであることが特に好ましい。   The bridge portion in the present invention may be formed in any of these modes, but it is preferable that the bridge portion is formed in a straight line so as to bridge the opening in the metal mask body. This is because such a bridge portion can be easily formed simultaneously with the opening by half-etching from at least one surface. That is, the metal mask used in this step can be manufactured by using a metal thin plate, half-etching the metal thin plate with a desired pattern from one surface, and then half-etching with the same pattern from the opposite surface. However, at this time, only the half etching from one surface is performed at the position corresponding to the bridge portion, or the etching condition is weakened at the position corresponding to the bridge portion, so that the bridge portion and the opening portion are Can be formed simultaneously. In consideration of such advantages in the manufacturing method, the bridge portion is particularly preferably formed by half etching from one surface.

また、上記ブリッジ部分によって形成される真空紫外光照射処理用空隙の大きさとしては、後述する真空紫外光照射工程に用いられる真空紫外光の波長や、ブリッジ部分の厚み、あるいはブリッジ部分の幅等に応じて、上記真空紫外光照射処理用空隙に酸素等の反応性ガスを存在させることができ、かつ真空紫外光を回り込ませることができる範囲内であれば特に限定されるものではない。なかでも本工程においては、上記真空紫外光照射処理用空隙の高さが1μm以上であることが好ましく、10μm以上であることがより好ましく、30μm以上であることがさらに好ましい。上記真空紫外光照射処理用空隙の高さが上記範囲よりも低いと、上記真空紫外光照射処理用空隙内に反応性ガスを通流させたり、あるいは真空紫外光を回り込ませることが困難となる場合があるからである。   Further, the size of the vacuum ultraviolet light irradiation treatment gap formed by the bridge portion includes the wavelength of vacuum ultraviolet light used in the vacuum ultraviolet light irradiation step described later, the thickness of the bridge portion, the width of the bridge portion, etc. Accordingly, there is no particular limitation as long as a reactive gas such as oxygen can be present in the vacuum ultraviolet light irradiation processing gap and vacuum ultraviolet light can be circulated. Especially in this process, it is preferable that the height of the said vacuum ultraviolet irradiation process space | gap is 1 micrometer or more, It is more preferable that it is 10 micrometers or more, It is further more preferable that it is 30 micrometers or more. If the height of the vacuum ultraviolet light irradiation treatment gap is lower than the above range, it will be difficult to allow a reactive gas to flow into the vacuum ultraviolet light irradiation treatment gap or to circulate the vacuum ultraviolet light. Because there are cases.

また、本工程におけるブリッジ部分は後述するメタルマスク本体よりも厚みが薄いものであることが好ましい。これにより、ブリッジ部分によって形成される真空紫外光照射処理用空隙に、十分に真空紫外光を回り込ませることが容易になるからである。   Moreover, it is preferable that the bridge | bridging part in this process is a thing thinner than the metal mask main body mentioned later. This is because it becomes easy to sufficiently circulate the vacuum ultraviolet light into the vacuum ultraviolet light irradiation processing gap formed by the bridge portion.

さらに上記ブリッジ部分は、後述するメタルマスク本体に形成された開口部を架橋するように形成されたものであるが、1つの開口部に対して形成されるブリッジ部分の数は特に限定されるものではなく、開口部の形状等に応じて適宜その数を決定することができる。したがって、1つの開口部に対して形成されるブリッジ部分の数は、1つであってもよく、あるいは複数であってもよい。   Further, the bridge portion is formed so as to bridge an opening formed in the metal mask body described later, but the number of bridge portions formed for one opening is particularly limited. Instead, the number can be appropriately determined according to the shape of the opening. Accordingly, the number of bridge portions formed for one opening may be one or plural.

図4は、本工程に用いられるメタルマスクにおいてブリッジ部分が形成されている一例を示す概略図である。図4に例示するように、本工程に用いられるメタルマスク10においてブリッジ部分13が形成されている態様としては、1つの開口部12に対してブリッジ部分13が1つのみ形成されている態様であってもよく(図4(a))、あるいは1つの開口部12に対して複数のブリッジ部分13が形成されている態様であってもよい(図4(b)、(c))。   FIG. 4 is a schematic view showing an example in which a bridge portion is formed in the metal mask used in this step. As illustrated in FIG. 4, as an aspect in which the bridge portion 13 is formed in the metal mask 10 used in this step, only one bridge portion 13 is formed with respect to one opening 12. There may be a mode in which a plurality of bridge portions 13 are formed with respect to one opening portion 12 (FIG. 4A) (FIGS. 4B and 4C).

上記ブリッジ部分が形成された態様としては、上記のいずれの態様であってもよいが、なかでも1つの開口部に対して複数のブリッジ部分が形成されていることが好ましい。これにより、開口面積が小さく、複雑に屈曲した開口部が形成されている場合であっても、当該開口部が変形することを効果的に防止することができるからである。   The aspect in which the bridge portion is formed may be any of the above-described aspects, but it is preferable that a plurality of bridge parts are formed with respect to one opening. Thereby, even if the opening area is small and a complicatedly bent opening is formed, it is possible to effectively prevent the opening from being deformed.

ブリッジ部分に用いられる材料としては、ブリッジ部分を所望の形態で形成できるものであれば特に限定されるものではないが、通常、後述するメタルマスク本体と同一の金属材料が用いられる。   The material used for the bridge portion is not particularly limited as long as the bridge portion can be formed in a desired form. Usually, the same metal material as that of the metal mask body described later is used.

(メタルマスク本体)
次に、上記メタルマスク本体について説明する。本工程に用いられるメタルマスク本体は金属薄板からなるものであり、開口部を有するものである。
(Metal mask body)
Next, the metal mask main body will be described. The metal mask main body used in this step is made of a thin metal plate and has an opening.

本工程に用いられるメタルマスク本体は金属薄板からなるものであるが、当該金属薄板を構成する金属材料としては、真空紫外光を遮蔽できるものであれば特に限定されるものではない。このような金属材料としては、例えば、42アロイ、46アロイ、インバー材等のNi−Fe系や、SUS403、その他の鋼板等のFe系材料を挙げることができる。本工程においてはこれらのいずれの金属材料であっても好適に用いることができるが、なかでも42アロイが好適に用いられる。   The metal mask body used in this step is made of a thin metal plate, but the metal material constituting the thin metal plate is not particularly limited as long as it can shield vacuum ultraviolet light. Examples of such metal materials include Ni-Fe materials such as 42 alloy, 46 alloy, and Invar material, and SUS403 and other Fe materials such as steel plates. Any of these metal materials can be preferably used in this step, and 42 alloy is particularly preferably used.

なお、上記金属材料は1種類のみであってもよく、あるいは2種類以上であってもよい。   In addition, the said metal material may be only 1 type, or 2 or more types may be sufficient as it.

また、上記金属薄板の厚みとしては、所望の形状の開口部パターンを形成できる範囲内であれば特に限定されるものではないが、なかでも5μm〜500μmの範囲内であることが好ましく、10μm〜200μmの範囲内であることがより好ましく、50μm〜100μmの範囲内であることがさらに好ましい。一般的に厚みが厚くなると高精細なパターン状の開口部を形成することが困難になる場合があるからである。また厚みが上記範囲よりも薄いと、本工程に用いられるメタルマスクが変形しやすくなってしまい、後述する真空紫外光照射工程においてメタルマスクに形成されたパターン通りに機能性層を分解除去することが困難になる場合があるからである。   Further, the thickness of the metal thin plate is not particularly limited as long as it is within a range in which an opening pattern having a desired shape can be formed, but in particular, it is preferably within a range of 5 μm to 500 μm. More preferably, it is in the range of 200 μm, more preferably in the range of 50 μm to 100 μm. This is because, in general, when the thickness is increased, it may be difficult to form a high-definition patterned opening. If the thickness is less than the above range, the metal mask used in this step is likely to be deformed, and the functional layer is decomposed and removed according to the pattern formed on the metal mask in the vacuum ultraviolet light irradiation step described later. This may be difficult.

なお、本工程に用いられるメタルマスク本体は開口部を有するものであるが、当該開口部の形状等については、本発明によってパターン形成体の用途等に応じて、適宜決定することができる。   In addition, although the metal mask main body used for this process has an opening part, it can determine suitably according to the use etc. of a pattern formation body by this invention about the shape of the said opening part.

(メタルマスク)
本発明に用いられるメタルマスクは、上記メタルマスク本体の開口部内に形成された浮島部分を有し、上記ブリッジ部分が、上記メタルマスク本体と、上記浮島部分とを接続するように形成されているものであってもよい。
(Metal mask)
The metal mask used in the present invention has a floating island portion formed in the opening of the metal mask body, and the bridge portion is formed to connect the metal mask body and the floating island portion. It may be a thing.

このような構造を有するメタルマスクについて図を参照しながら説明する。図5は本工程に用いられるメタルマスクの他の例を示す概略図である。図5に例示するように本工程に用いられるメタルマスク10は、上記メタルマスク本体11の開口部12内に配置された浮島部分14を有し、かつ、ブリッジ部分13が上記浮島部分14と、メタルマスク本体11とを接続するように形成されたものであってもよい。   A metal mask having such a structure will be described with reference to the drawings. FIG. 5 is a schematic view showing another example of a metal mask used in this step. As illustrated in FIG. 5, the metal mask 10 used in this step has a floating island portion 14 disposed in the opening 12 of the metal mask main body 11, and the bridge portion 13 includes the floating island portion 14. It may be formed so as to be connected to the metal mask main body 11.

このような構造を有するメタルマスクが用いられることにより、本発明によって浮島パターン状に上記機能性層が分解除去されたパターン形成体を高感度で製造することができる。
すなわち、本発明のパターン形成体の製造方法は、上記機能性層の表面に真空紫外光をパターン状に照射することにより、機能性層がパターン状に除去されたパターン形成体を製造するものである。そして、このような真空紫外光による分解除去は、機能性層に用いられる機能性材料が真空紫外光の照射によって切断されたり、または酸素に代表される反応性ガスの存在下、真空紫外光によって酸素が励起されて発生する酸素原子ラジカルが機能性層に作用を及ぼすことにより、機能性材料が分解され、分解物が機能性層から揮発除去されることによってパターンが形成されるものである。このため、本発明において真空紫外光によって機能性層を分解除去するには、機能性層の表面に酸素等の反応性ガスが接することが可能な条件が必要となる。この点において、メタルマスクを用いる真空紫外光リソグラフィー法は、機能性層の表面上に酸素を常時存在させることができるため、高感度でパターン形成体を製造することができるため、非常に有用なものである。
しかしながら、メタルマスクでは、例えば、図6(a)に例示するような浮島部分を含むパターンは、浮島部分が脱落してしまうことから(図6(b))、図6(a)のような浮島部分を含むパターンを形成することは物理的に困難であり、このようなパターンを形成するには、通常、図6(c)に例示するような浮島部分を支持するブリッジ部分を設けることが必須とされていた。ところが、真空紫外光リソグラフィー法においては、上述したようにパターンを形成するには酸素等の反応性ガスが機能性層に接している状態で真空紫外光が照射されることが必要であるため、上記ブリッジ部分を設けるとブリッジ部分の下面に位置する機能性層が分解除去されなくなってしまうという問題点があった。そして、その結果として、浮島部分のみをパターン状に真空紫外光照射処理することは不可能であった。
この点、上記構造を有するメタルマスク(図5参照)は、上記ブリッジ部分が、上記機能性層とブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように形成されていることにより、ブリッジ部分の下に位置する機能性層にも酸素等の反応性ガスが接触する状態にすることができる。また、真空紫外光は指向性のない分散光であることから、ブリッジ部分の下に空隙が形成されることにより、光の回り込みを利用して、その部分にも真空紫外光が照射することが可能になる。このようなことから、本工程においては、上記構造を有するメタルマスクを用いることにより、浮島パターン状に機能性層が分解除去されたパターン形成体を製造することができる。
By using a metal mask having such a structure, a patterned body in which the functional layer is decomposed and removed in a floating island pattern according to the present invention can be manufactured with high sensitivity.
That is, the method for producing a patterned product of the present invention produces a patterned product from which the functional layer has been removed in a pattern by irradiating the surface of the functional layer with vacuum ultraviolet light in a pattern. is there. Such decomposition and removal by vacuum ultraviolet light is performed by cutting the functional material used for the functional layer by irradiation with vacuum ultraviolet light, or by vacuum ultraviolet light in the presence of a reactive gas typified by oxygen. The oxygen atom radical generated by the excitation of oxygen acts on the functional layer, whereby the functional material is decomposed, and the decomposition product is volatilized and removed from the functional layer to form a pattern. For this reason, in order to decompose and remove the functional layer with vacuum ultraviolet light in the present invention, a condition in which a reactive gas such as oxygen can come into contact with the surface of the functional layer is required. In this respect, the vacuum ultraviolet light lithography method using a metal mask is very useful because oxygen can always exist on the surface of the functional layer, and a pattern-formed body can be produced with high sensitivity. Is.
However, in the case of a metal mask, for example, in a pattern including a floating island portion as illustrated in FIG. 6A, the floating island portion is dropped (FIG. 6B), as shown in FIG. 6A. It is physically difficult to form a pattern including a floating island portion. To form such a pattern, a bridge portion that supports the floating island portion as illustrated in FIG. 6C is usually provided. It was mandatory. However, in the vacuum ultraviolet lithography method, it is necessary to irradiate vacuum ultraviolet light in a state where a reactive gas such as oxygen is in contact with the functional layer in order to form a pattern as described above. When the bridge portion is provided, there is a problem that the functional layer located on the lower surface of the bridge portion is not decomposed and removed. As a result, it has been impossible to perform vacuum ultraviolet light irradiation treatment in a pattern on only the floating island portion.
In this respect, the metal mask having the above structure (see FIG. 5) is formed such that the bridge portion forms a gap through which the reactive gas can flow between the functional layer and the bridge portion. Therefore, a reactive gas such as oxygen can be brought into contact with the functional layer located under the bridge portion. In addition, since vacuum ultraviolet light is non-directional dispersed light, a void is formed under the bridge part, so that the part can be irradiated with vacuum ultraviolet light using the wraparound of light. It becomes possible. For this reason, in this step, by using the metal mask having the above structure, a pattern formed body in which the functional layer is decomposed and removed in a floating island pattern shape can be manufactured.

上記浮島部分は、上述したメタルマスク本体の開口部内に形成されるものであるが、上記メタルマスク本体に形成された開口部のすべてに対して形成されることを必須とするものではなく、一部の開口部にのみ形成されていてもよい。また、上記浮島部分の形状は、本発明によって製造されるパターン形成体の用途等に応じて、適宜決定することができるものであり、特に限定されるものではない。   The floating island portion is formed in the opening of the metal mask main body described above. However, it is not essential that the floating island portion be formed in all the openings formed in the metal mask main body. It may be formed only at the opening of the part. In addition, the shape of the floating island portion can be appropriately determined according to the use of the pattern forming body produced according to the present invention, and is not particularly limited.

上記浮島部分は、真空紫外光を遮蔽できるものであれば特に限定されるものではないが、通常、上記メタルマスク本体と同一の金属薄板によって形成される。   Although the said floating island part will not be specifically limited if it can shield a vacuum ultraviolet light, Usually, it forms with the same metal thin plate as the said metal mask main body.

(2)パターン形成用基板
次に、本工程に用いられるパターン形成用基板について説明する。本工程に用いられるパターン形成用基板は、基板と、上記基板上に形成され、真空紫外光が照射されることにより分解されることが可能な機能性材料からなる機能性層とを有するものである。
以下、このようなパターン形成用基板について詳細に説明する。
(2) Pattern Forming Substrate Next, the pattern forming substrate used in this step will be described. The substrate for pattern formation used in this step has a substrate and a functional layer formed on the substrate and made of a functional material that can be decomposed by irradiation with vacuum ultraviolet light. is there.
Hereinafter, such a pattern forming substrate will be described in detail.

(機能性層)
本工程に用いられる機能性層は真空紫外光が照射されることによって分解されることが可能な機能性材料からなるものである。
本工程に用いられる機能性材料としては、本発明によって形成されるパターン形成体の用途等に応じて適宜決定することができるものである。このような機能性材料としては有機材料または無機材料のいずれであっても好適に用いることができる。本発明に用いられる機能性材料としては、例えば、有機半導体材料や有機EL材料、色素材料、また、一部有機鎖を有する無機材料としてシリコーン材料、自己組織化単分子膜等を挙げることができる。
(Functional layer)
The functional layer used in this step is made of a functional material that can be decomposed by irradiation with vacuum ultraviolet light.
The functional material used in this step can be appropriately determined according to the use of the pattern forming body formed by the present invention. As such a functional material, either an organic material or an inorganic material can be preferably used. Examples of the functional material used in the present invention include an organic semiconductor material, an organic EL material, a dye material, and a silicone material, a self-assembled monolayer as an inorganic material partially having an organic chain. .

本工程に用いられる機能性層の厚みとしては、上記機能性材料の種類に応じて、後述する真空紫外光照射工程において真空紫外光を所定量照射した際に、機能性層を分解除去できる範囲内であれば特に限定されるものではない。なかでも本工程における機能性層の厚みは、1nm〜10μmの範囲内であることが好ましく、5nm〜1μmの範囲内であることがより好ましく、10nm〜100nmの範囲内であることがさらに好ましい。   The thickness of the functional layer used in this step is a range in which the functional layer can be decomposed and removed when a predetermined amount of vacuum ultraviolet light is irradiated in the vacuum ultraviolet light irradiation step described later, depending on the type of the functional material. If it is in, it will not specifically limit. In particular, the thickness of the functional layer in this step is preferably in the range of 1 nm to 10 μm, more preferably in the range of 5 nm to 1 μm, and still more preferably in the range of 10 nm to 100 nm.

(基板)
次に、本工程におけるパターン形成用基板に用いられる基板について説明する。本工程に用いられる基板としては、上記機能性層を支持することが可能なものであれば特に限定されるものではなく、本発明により製造されるパターン形成体の用途等に応じて適宜選択して用いることができる。このような基板としては、例えば、有機材料からなるもの、または、無機材料からなるものを挙げることができ、より具体的には、樹脂製フィルム、ガラス、セラミック、金属からなるもの等を挙げることができる。
(substrate)
Next, the substrate used for the pattern forming substrate in this step will be described. The substrate used in this step is not particularly limited as long as it can support the functional layer, and is appropriately selected depending on the use of the pattern forming body produced by the present invention. Can be used. Examples of such a substrate include those made of an organic material or those made of an inorganic material, and more specifically, those made of a resin film, glass, ceramic, metal, etc. Can do.

(3)メタルマスクの配置方法
次に、本工程において上記パターン形成用基板の機能性層上に上記メタルマスクを配置する方法について説明する。
本工程においてメタルマスクを上記パターン形成用基板の機能性層上に配置する方法としては、メタルマスクを上記機能性層上の所定の位置に配置できる方法であれば特に限定されるものではない。なかでも本工程においてメタルマスクを配置する方法は、上記メタルマスクを上記パターン形成用基板の上記機能性層とは反対面側から磁石によって固定することを伴う方法であることが好ましい。これにより、上記メタルマスクとして、高精細かつ複雑なパターン状の開口部が形成され、かつ厚みが薄いものを用いられた場合であっても、上記メタルマスクを機能性層上に密接させた状態で固定できるため、高精細なパターン状に機能性層が分解除去されたパターン形成体を製造することができるからである。
すなわち、本発明のパターン形成体の製造方法は、上記パターン形成用基板の機能性層上にメタルマスクを介して真空紫外光を照射する方法を採用しているが、上記メタルマスクはその性質上パターンを高精細化するとそれに伴って厚みが薄くなる傾向を有している。そして、厚みが薄いメタルマスクは平面性に欠け、表面が波打つように変形する傾向があることから、これを単に機能性層上に配置するのみでは機能性層とメタルマスクとの間に隙間が生じることが不可避となってしまう。また、真空紫外光は指向性のない分散光であることから、このような隙間があるとその部位にも真空紫外光が照射されてしまい、高精細な開口部が形成されたメタルマスクを用いたとしてもそれに対応したパターンを形成することができないという事態が生じる可能性がある。
しかしながら、本工程においてメタルマスクを、上記パターン形成用基板の上記機能性層とは反対側から磁石によって固定することにより、たとえ高精細で厚みの薄いメタルマスクを用いられた場合であっても、上記メタルマスクを上記機能性層上に隙間の無いように密接させた状態で固定できるため、上記機能性層が高精細なパターン状に分解除去されたパターン形成体を製造することができることになるのである。
(3) Method for Arranging Metal Mask Next, a method for arranging the metal mask on the functional layer of the pattern forming substrate in this step will be described.
In this step, the method for disposing the metal mask on the functional layer of the pattern forming substrate is not particularly limited as long as the metal mask can be disposed at a predetermined position on the functional layer. In particular, the method of arranging the metal mask in this step is preferably a method involving fixing the metal mask with a magnet from the side opposite to the functional layer of the pattern forming substrate. As a result, the metal mask is in close contact with the functional layer even when a high-definition and complicated pattern-shaped opening is formed and a thin thickness is used as the metal mask. This is because a pattern forming body in which the functional layer is decomposed and removed in a high-definition pattern can be manufactured.
That is, the pattern forming body manufacturing method of the present invention employs a method of irradiating the functional layer of the pattern forming substrate with vacuum ultraviolet light through a metal mask. As the pattern becomes higher in definition, the thickness tends to be reduced accordingly. Since a thin metal mask lacks flatness and tends to be deformed so that the surface undulates, simply placing it on the functional layer creates a gap between the functional layer and the metal mask. It will be unavoidable. In addition, since vacuum ultraviolet light is non-directional dispersed light, if there is such a gap, the part is also irradiated with vacuum ultraviolet light, and a metal mask with a high-definition opening is used. Even if it exists, the situation where the pattern corresponding to it cannot be formed may arise.
However, in this step, by fixing the metal mask with a magnet from the side opposite to the functional layer of the pattern forming substrate, even when a high-definition and thin metal mask is used, Since the metal mask can be fixed on the functional layer in close contact with no gap, it is possible to manufacture a pattern forming body in which the functional layer is decomposed and removed into a high-definition pattern. It is.

本工程においてメタルマスクを磁石を用いて固定する方法としては、上記パターン形成用基板の機能性層とは反対面側から上記磁石の磁力によって固定できる方法であれば特に限定されない。このような方法としては、例えば、パターン形成用基板の機能性層上にメタルマスクを配置した後に、上記パターン形成用基板の機能性層とは反対面側に上記磁石を配置することにより固定する方法、および、上記磁石上にパターン形成用基板を配置した後に、上記磁石上に配置されたパターン形成用基板の機能性層上にメタルマスクを配置することにより固定する方法等を挙げることができる。また、上記磁石として電磁石を用いる場合は、通電されていない電磁石上にパターン形成用基板を配置した後、上記電磁石上に配置されたパターン形成用基板の機能性層上にメタルマスクを配置し、次いで上記電磁石に通電することにより固定する方法を挙げることができる。   The method for fixing the metal mask using a magnet in this step is not particularly limited as long as it can be fixed by the magnetic force of the magnet from the side opposite to the functional layer of the pattern forming substrate. As such a method, for example, after a metal mask is disposed on the functional layer of the pattern forming substrate, the magnet is disposed on the side opposite to the functional layer of the pattern forming substrate. And a method of fixing by arranging a metal mask on the functional layer of the pattern forming substrate disposed on the magnet after the pattern forming substrate is disposed on the magnet. . When an electromagnet is used as the magnet, after placing the pattern forming substrate on the electromagnet that is not energized, a metal mask is placed on the functional layer of the pattern forming substrate placed on the electromagnet, Next, a method of fixing by energizing the electromagnet can be mentioned.

本工程に用いられる磁石としては、上記パターン形成用基板の機能性層側の面の裏面側から上記メタルマスクを固定できる程度の磁力を発生できるものであれば特に限定されない。このような磁石としては、永久磁石、電磁石のいずれであってもよく、また、異方性多極または等方性多極のいずれの着磁形態を有していてもよい。なかでも本工程においては電磁石を用いることが好ましい。電磁石は磁力のスイッチングが可能であることから、例えば、通電していない電磁石上に上記パターン形成用基板を配置し、さらに上記パターン形成用基板の機能性層上にメタルマスクを配置し、次いでメタルマスクのアライメントを行った後に、上記電磁石に通電して磁力を発生させる等の方法を採用することも可能になり、メタルマスクの配置精度を向上できる等の利点を有するからである。   The magnet used in this step is not particularly limited as long as it can generate a magnetic force that can fix the metal mask from the back side of the functional layer side surface of the pattern forming substrate. Such a magnet may be either a permanent magnet or an electromagnet, and may have any magnetization form of anisotropic multipolar or isotropic multipolar. Among these, it is preferable to use an electromagnet in this step. Since the electromagnet can switch the magnetic force, for example, the pattern forming substrate is disposed on an electromagnet that is not energized, and a metal mask is disposed on the functional layer of the pattern forming substrate. This is because it is possible to adopt a method such as energizing the electromagnet to generate a magnetic force after the mask alignment, which has the advantage of improving the placement accuracy of the metal mask.

本工程に用いられる磁石は1種類のみであってもよく、または、2種類以上を用いてもよい。2種類以上の磁石を用いる場合は、磁力が等しい磁石を複数個用いてもよく、または、磁力の異なる磁石を組み合わせて用いてもよい。   Only one type of magnet may be used in this step, or two or more types may be used. When two or more types of magnets are used, a plurality of magnets having the same magnetic force may be used, or magnets having different magnetic forces may be used in combination.

また、本工程に用いられる磁石の大きさとしては、上記メタルマスクを上記パターン形成用基板の機能性層に密接させて固定できる範囲内であれば特に限定されないが、少なくとも上記メタルマスクの面積よりも大きい面積を有することが好ましい。上記メタルマスクの面積よりも小さいと、上記メタルマスクが磁石によって固定されない部位ができてしまい、高精細なパターン状に機能性層を分解除去することが困難となる場合があるからである。
なお、本工程において複数の磁石を用いる場合は、個々の磁石が上記メタルマスクの面積よりも大きい面積を有している必要はなく、複数の磁石を組み合わせた際の面積が、上記メタルマスクの面積よりも大きくなればよい。
Further, the size of the magnet used in this step is not particularly limited as long as it is within a range where the metal mask can be fixed in close contact with the functional layer of the pattern forming substrate, but at least from the area of the metal mask. It is preferable to have a large area. This is because if the area is smaller than the area of the metal mask, a portion where the metal mask is not fixed by a magnet is formed, and it may be difficult to disassemble and remove the functional layer in a high-definition pattern.
In addition, when using a several magnet in this process, it is not necessary for each magnet to have an area larger than the area of the said metal mask, The area at the time of combining several magnets is the said metal mask. It only needs to be larger than the area.

2.真空紫外光照射工程
次に、本発明における真空紫外光照射工程について説明する。本工程は、反応性ガスの存在下において、上記メタルマスク配置工程において上記パターン形成用基板の機能性層上に固定されたメタルマスクを介して、上記機能性層に真空紫外光を照射することにより、上記機能性層をパターン状に分解除去する工程である。
2. Vacuum ultraviolet light irradiation process Next, the vacuum ultraviolet light irradiation process in this invention is demonstrated. In this step, the functional layer is irradiated with vacuum ultraviolet light through the metal mask fixed on the functional layer of the pattern forming substrate in the metal mask placement step in the presence of a reactive gas. In this step, the functional layer is decomposed and removed in a pattern.

本工程において照射される真空紫外光の波長は、上記機能性層に用いられる機能性材料の種類に応じて、機能性層を分解除去することが可能な範囲内であれば特に限定されるものでないが、通常100nm〜260nmの範囲内であることが好ましく、なかでも150nm〜200nmの範囲内であることが好ましい。波長が上記範囲よりも長いと、酸素ラジカルの発生効率が低くなり、上記機能性層に用いられる機能性材料の種類によっては感度が低くなってしまう場合があるからである。また、波長が上記範囲よりも短いと、安定した真空紫外光の照射が困難となる可能性があるからである。   The wavelength of the vacuum ultraviolet light irradiated in this step is particularly limited as long as the functional layer can be decomposed and removed according to the type of functional material used for the functional layer. However, it is usually preferably in the range of 100 nm to 260 nm, and more preferably in the range of 150 nm to 200 nm. This is because if the wavelength is longer than the above range, the generation efficiency of oxygen radicals is lowered, and the sensitivity may be lowered depending on the type of the functional material used for the functional layer. In addition, if the wavelength is shorter than the above range, stable irradiation with vacuum ultraviolet light may be difficult.

本工程において、真空紫外光の照射に用いることできる光源としては、例えば、エキシマランプ、低圧水銀ランプ、その他種々の光源を挙げることができる。   In this step, examples of a light source that can be used for irradiation with vacuum ultraviolet light include an excimer lamp, a low-pressure mercury lamp, and various other light sources.

本工程における真空紫外光の照射量としては、上記機能性層に用いられる機能性材料の種類に応じて、上記機能性層を所望の程度に分解除去ができる範囲内であれば特に限定されない。
ここで、本工程においては真空紫外光が照射される部位の機能性層を完全に除去するまで真空紫外光を照射してもよく、あるいは機能性層の一部を分解除去するのみであってもよい。
The irradiation amount of the vacuum ultraviolet light in this step is not particularly limited as long as it is within a range in which the functional layer can be decomposed and removed to a desired degree according to the type of functional material used for the functional layer.
Here, in this step, vacuum ultraviolet light may be irradiated until the functional layer at the site irradiated with vacuum ultraviolet light is completely removed, or only a part of the functional layer is decomposed and removed. Also good.

本工程において真空紫外光を上記機能性層に照射する方法としては、上記機能性層に均一な照射量で真空紫外光を照射できる方法であれば特に限定されない。このような照射方法としては、例えば、上記機能性層の全面を同時に照射する方法、および、光源またはパターン形成用基板の少なくとも一方を移動させながら、上記機能性層を順次に照射する方法とを挙げることができる。なかでも本工程においては、上記機能性層を順次に照射する方法が好ましい。その理由は次の通りである。
すなわち、真空紫外光は指向性のない分散光であるため、上記機能性層の全面を同時に照射する方法では、例えば、大面積の機能性層に真空紫外光を照射する場合に、中央部と端部とで真空紫外光の照射量に差が生じてしまう可能性がある。しかしながら、上記機能性層を順次に照射する方法によれば、たとえ大面積の機能性層に真空紫外光を照射する場合であっても、全面に対して均一に照射することが容易になるからである。
The method of irradiating the functional layer with vacuum ultraviolet light in this step is not particularly limited as long as the method can irradiate the functional layer with vacuum ultraviolet light with a uniform dose. Examples of such irradiation methods include a method of simultaneously irradiating the entire surface of the functional layer, and a method of sequentially irradiating the functional layer while moving at least one of the light source or the pattern forming substrate. Can be mentioned. Especially in this process, the method of irradiating the said functional layer sequentially is preferable. The reason is as follows.
That is, since vacuum ultraviolet light is non-directional dispersed light, in the method of irradiating the entire surface of the functional layer simultaneously, for example, when irradiating vacuum ultraviolet light to a large-area functional layer, There may be a difference in the irradiation amount of vacuum ultraviolet light between the ends. However, according to the method of sequentially irradiating the functional layer, it is easy to uniformly irradiate the entire surface even when the functional layer having a large area is irradiated with vacuum ultraviolet light. It is.

また本工程においては、上記機能性層を順次に照射する方法のなかでも、上記パターン形成用基板を固定し、上記光源を移動させながら照射する方法が好ましい。このような方法によれば、大面積の機能性層に均一に真空紫外光を照射することが容易になるからである。   In this step, among the methods of sequentially irradiating the functional layer, a method of irradiating while moving the light source while fixing the pattern forming substrate is preferable. This is because, according to such a method, it becomes easy to uniformly irradiate the functional layer having a large area with vacuum ultraviolet light.

なお、本工程に用いられる真空紫外光の光源は、1つであってもよく、または、複数個を用いてもよい。また、複数個の光源を用いる場合において、本工程における真空紫外光の照射方法として光源を移動させながら照射する方法を用いる場合は、複数個の光源を同時に移動させてもよく、または、個別に移動させてもよい。   Note that the number of vacuum ultraviolet light sources used in this step may be one, or a plurality of light sources may be used. In the case of using a plurality of light sources, when using the method of irradiating while moving the light source as the vacuum ultraviolet light irradiation method in this step, the plurality of light sources may be moved simultaneously or individually. It may be moved.

また、本工程は反応性ガスの存在下において真空紫外光を照射するものであるが、本工程に用いられる反応性ガスとしては、例えば、酸素、含フッ素ガス等を挙げることができる。本工程においてはこれらのいずれの反応性ガスであっても好適に用いることができるが、なかでも前述した真空紫外光によるパターン形成用基板への作用機構により、上記反応性ガスとしては少なくとも酸素が用いられることが好ましい。   Moreover, although this process irradiates vacuum ultraviolet light in presence of reactive gas, as reactive gas used for this process, oxygen, a fluorine-containing gas, etc. can be mentioned, for example. Any of these reactive gases can be suitably used in this step, but at least oxygen as the reactive gas is the above-mentioned mechanism of action on the pattern forming substrate by vacuum ultraviolet light. It is preferable to be used.

3.用途
本発明のパターン形成体の製造方法の用途としては、例えば、液晶表示装置用のカラーフィルターに用いられるパターン形成体の製造、有機トランジスタのソース/ドレイン配線の形成、有機ELの正孔注入層や発光層の形成、マイクロレンズの形成、バイオチップの形成等に用いることができる。
3. Uses Examples of the use of the method for producing a patterned product of the present invention include the production of a pattern product used for a color filter for a liquid crystal display device, the formation of source / drain wiring of an organic transistor, and the hole injection layer of an organic EL And a light emitting layer, a microlens, and a biochip.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples.

[実施例1]
図2のようなパターンのメタルマスク(厚み50μm、ブリッジ幅20μm、真空紫外光照射処理用空隙の高さ30μm)を準備した。
次いで、メチレンブルー水溶液をガラス基板にスピンコートにて塗布し、水分を蒸発させ、メチレンブルーの膜(厚さ約500nm)を形成した。
これに、先のメタルマスクを磁石にて密着させ、酸素の存在下においてメタルマスク側から真空紫外光(172nm)を10mW/cmの照度で照射し、パターンを形成した。このとき、照射部及びブリッジ部分下部のメチレンブルーが分解除去されるまで、20秒であった。
[Example 1]
A metal mask having a pattern as shown in FIG. 2 (thickness: 50 μm, bridge width: 20 μm, vacuum ultraviolet light irradiation treatment gap height: 30 μm) was prepared.
Next, a methylene blue aqueous solution was applied to a glass substrate by spin coating, the water was evaporated, and a methylene blue film (thickness: about 500 nm) was formed.
The previous metal mask was brought into close contact with the magnet, and vacuum ultraviolet light (172 nm) was irradiated from the metal mask side with an illuminance of 10 mW / cm 2 in the presence of oxygen to form a pattern. At this time, it was 20 seconds until the methylene blue at the lower part of the irradiated part and the bridge part was decomposed and removed.

[比較例1]
図2のようなパターンであり、真空紫外光照射処理用空隙の高さが0μmのメタルマスク(厚み50μm、ブリッジ幅20μm)を準備し、実施例1同様にパターンを形成したが、ブリッジ部分下部のメチレンブルーは分解されずに、パターンとして残った。
[Comparative Example 1]
A metal mask (thickness: 50 μm, bridge width: 20 μm) with a vacuum ultraviolet light irradiation treatment gap height of 0 μm was prepared and the pattern was formed in the same manner as in Example 1, but the bottom of the bridge portion. The methylene blue was not decomposed and remained as a pattern.

[実施例2]
図2のようなパターンのメタルマスク(厚み100μm、ブリッヂ幅30μm、真空紫外光照射処理用空隙の高さ50μm)を準備した。
次いで、炭素鎖が8のフルオロアルキルシランをメタノールに溶解した液を用意し、ガラス基板を24時間浸漬することで、ガラス基板上に自己組織化単分子膜を形成した。
これに、先のメタルマスクを磁石にて密着させ、酸素の存在下においてメタルマスク側から真空紫外光(172nm)を10mW/cmの照度で照射し、パターンを形成した。このとき、照射部及びブリッジ部分下部の水の接触角が104度から10度以下になるまで30秒であった。
[Example 2]
A metal mask having a pattern as shown in FIG. 2 (thickness: 100 μm, bridge width: 30 μm, vacuum ultraviolet light irradiation treatment gap height: 50 μm) was prepared.
Next, a liquid in which fluoroalkylsilane having 8 carbon chains was dissolved in methanol was prepared, and the glass substrate was immersed for 24 hours to form a self-assembled monolayer on the glass substrate.
The previous metal mask was brought into close contact with the magnet, and vacuum ultraviolet light (172 nm) was irradiated from the metal mask side in the presence of oxygen at an illuminance of 10 mW / cm 2 to form a pattern. At this time, it was 30 seconds until the contact angle of water at the lower part of the irradiation part and the bridge part decreased from 104 degrees to 10 degrees or less.

[比較例2]
図2のようなパターンであり、真空紫外光照射処理用空隙の高さが0μmのメタルマスク(厚み100μm、ブリッヂ幅30μm)を準備し、実施例2同様にパターンを形成したが、ブリッヂ部下部の自己組織化単分子膜は分解されずに、水の接触角が104度であった。
[Comparative Example 2]
A metal mask (thickness 100 μm, bridge width 30 μm) with a vacuum ultraviolet light irradiation treatment gap height of 0 μm was prepared and the pattern was formed in the same manner as in Example 2, but the bottom of the bridge portion. The self-assembled monolayer was not decomposed and the water contact angle was 104 degrees.

[実施例3]
図2のようなパターンのメタルマスク(厚み100μm、ブリッジ幅30μm、真空紫外光照射処理用空隙の高さ50μm)を準備した。
次いで、有機半導体材料であるpoly(3−hexylthiophene)を厚さ40nmでSiO基板上に成膜した。
これに、先のメタルマスクを磁石にて密着させ、酸素の存在下においてメタルマスク側から真空紫外光(172nm)を10mW/cmの照度で照射し、パターンを形成した。このとき、照射部及びブリッジ部分下部のpoly(3−hexylthiophene)が分解除去されるまで、25秒であった。
[Example 3]
A metal mask having a pattern as shown in FIG. 2 (thickness 100 μm, bridge width 30 μm, vacuum ultraviolet light irradiation treatment gap height 50 μm) was prepared.
Next, poly (3-hexylthiophene), which is an organic semiconductor material, was formed on the SiO 2 substrate with a thickness of 40 nm.
The previous metal mask was brought into close contact with the magnet, and vacuum ultraviolet light (172 nm) was irradiated from the metal mask side with an illuminance of 10 mW / cm 2 in the presence of oxygen to form a pattern. At this time, it was 25 seconds until the poly (3-hexylthiophene) at the lower part of the irradiation part and the bridge part was decomposed and removed.

[比較例3]
図2のようなパターンであり、真空紫外光照射処理用空隙の高さが0μmのメタルマスク(厚み100μm、ブリッジ幅30μm)を準備し、実施例3同様にパターンを形成したが、ブリッジ部分下部のpoly(3−hexylthiophene)は分解されずに残った。
[Comparative Example 3]
A metal mask (thickness: 100 μm, bridge width: 30 μm) with a vacuum ultraviolet light irradiation treatment gap height of 0 μm was prepared, and a pattern was formed in the same manner as in Example 3. Poly (3-hexylthiophene) remained undegraded.

本発明の真空紫外光によるパターン形成体の製造方法の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the manufacturing method of the pattern formation body by the vacuum ultraviolet light of this invention. 本発明に用いられるメタルマスクの一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the metal mask used for this invention. 本発明に用いられるメタルマスクの他の例を示す概略図である。It is the schematic which shows the other example of the metal mask used for this invention. 本発明に用いられるメタルマスクの他の例を示す概略図である。It is the schematic which shows the other example of the metal mask used for this invention. 本発明に用いられるメタルマスクの他の例を示す概略図である。It is the schematic which shows the other example of the metal mask used for this invention. 真空紫外光用メタルマスクの一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the metal mask for vacuum ultraviolet light.

符号の説明Explanation of symbols

1 … パターン形成用基板
1a … 基板
1b … 機能性層
10 … メタルマスク
11 … メタルマスク本体
12 … 開口部
13 … ブリッジ部分
14 … 浮島部分
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Pattern formation board | substrate 1a ... Board | substrate 1b ... Functional layer 10 ... Metal mask 11 ... Metal mask main body 12 ... Opening part 13 ... Bridge part 14 ... Floating island part

Claims (5)

基板と、前記基板上に形成され、真空紫外光が照射されることにより分解されることが可能な機能性材料からなる機能性層と、を有するパターン形成用基板を用い、
前記パターン形成用基板の上記機能性層上にメタルマスクを配置するメタルマスク配置工程と、
反応性ガスの存在下において、前記メタルマスクを介して前記機能性層の表面に真空紫外光を照射することにより、上記機能性層の一部をパターン状に除去する真空紫外光照射工程と、を有する真空紫外光によるパターン形成体の製造方法であって、
前記メタルマスクが、金属薄板からなり、開口部を有するメタルマスク本体と、前記開口部を架橋するように形成されたブリッジ部分とを有し、かつ、前記機能性層上に配置された際に、前記機能性層と前記ブリッジ部分との間に前記反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、前記ブリッジ部分が形成されていることを特徴とする、真空紫外光によるパターン形成体の製造方法。
Using a substrate for pattern formation having a substrate and a functional layer formed on the substrate and made of a functional material that can be decomposed by irradiation with vacuum ultraviolet light,
A metal mask placement step of placing a metal mask on the functional layer of the pattern forming substrate;
In the presence of a reactive gas, by irradiating the surface of the functional layer with vacuum ultraviolet light through the metal mask, a vacuum ultraviolet light irradiation step of removing a part of the functional layer in a pattern, A method for producing a pattern formed body by vacuum ultraviolet light having:
When the metal mask is made of a thin metal plate, has a metal mask body having an opening, and a bridge portion formed so as to bridge the opening, and is disposed on the functional layer. The pattern formation by vacuum ultraviolet light is characterized in that the bridge portion is formed so that a void through which the reactive gas can flow is formed between the functional layer and the bridge portion. Body manufacturing method.
前記メタルマスクが、前記メタルマスク本体の開口部内に形成された浮島部分を有し、かつ、前記ブリッジ部分が前記メタルマスク本体と、前記浮島部分とを接続するように形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の真空紫外光によるパターン形成体の製造方法。   The metal mask has a floating island portion formed in an opening of the metal mask main body, and the bridge portion is formed to connect the metal mask main body and the floating island portion. The manufacturing method of the pattern formation body by the vacuum ultraviolet light of Claim 1. 前記メタルマスクの前記ブリッジ部分の厚みが、前記メタルマスク本体の厚みより薄いことを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の真空紫外光によるパターン形成体の製造方法。   The method of manufacturing a pattern forming body using vacuum ultraviolet light according to claim 1 or 2, wherein a thickness of the bridge portion of the metal mask is thinner than a thickness of the metal mask main body. 前記メタルマスクの前記ブリッジ部分が、少なくとも一方の面からのハーフエッチングにより形成されたものであることを特徴とする、請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載の真空紫外光によるパターン形成体の製造方法。   The vacuum ultraviolet light according to any one of claims 1 to 3, wherein the bridge portion of the metal mask is formed by half-etching from at least one surface. The manufacturing method of the pattern formation body by this. 前記メタルマスクの前記ブリッジ部分の幅が5μm〜100μmの範囲内であることを特徴とする、請求項1から請求項4までのいずれかの請求項に記載の真空紫外光によるパターン形成体の製造方法。   The width | variety of the said bridge | bridging part of the said metal mask exists in the range of 5 micrometers-100 micrometers, The manufacture of the pattern formation body by the vacuum ultraviolet light in any one of Claim 1 to 4 characterized by the above-mentioned. Method.
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