JP2009244188A - 電気化学センサ及び電気化学センサシステム - Google Patents
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
【解決手段】0.002原子%以上1原子%以下の塩素を含む導電性のダイヤモンド膜又はDLC膜を有する作用極2を備える、化学物質の濃度を測定する電気化学センサ1。
【効果】前記電気化学センサの感度が改善され、感度が良好であることから、例えば細胞外液のグルコース濃度を測定するための非侵襲のグルコースセンサとしても用いられ得る。また、前記電気化学センサにおいては残余電流が小さいことから、電気信号のドリフトが抑制され、精度を確保するための校正を必ずしも必要とされず、測定の作業性も良好である。
【選択図】図3
Description
n型(100)面単結晶シリコンウエハを、対向して配置された電極を備える真空成膜装置内に置いた。そして、シリコンウエハを400℃に加熱しながら、原料ガスとしてエチレン、塩化メチレン及び窒素を5:0.01:5sccmで導入し、13.56MHzの周波数で500Wの電力にて真空装置内をプラズマ化させることにより、シリコンウエハ上に導電性のDLC膜を形成させた。形成されたDLC膜の抵抗率は0.2Ωcmであった。その組成分析を、二次イオン質量分析法(SIMS)により、一次イオン種Cs+、一次加速電圧14.5kV、検出領域30μmΦにて行ったところ、水素10原子%、窒素5原子%、塩素0.002原子%、炭素85原子%であった。DLC膜を成膜したシリコンウエハを5mm角に切り分けて、n型単結晶シリコン基板上にDLC膜が形成されたチップを得た。
実施例1と同様の方法で、エチレン、塩化メチレンと窒素ガスの導入比率を、それぞれ1〜10sccm、0.001〜0.1sccm、0.1〜1sccmの間で変化させることにより、組成の異なる導電性のDLC膜をシリコン基板上に形成させた。それぞれのDLC膜について、その組成、膜厚及び抵抗率を測定した。さらに、実施例1と同様の手順で電気化学センサシステムを構成し、ブランク及び8−OHdGの濃度の測定を行った。結果を表1に示す。また、いずれの電気化学センサシステムの残余電流も0.2μA/cm2以下であった。40torr、2.45GHzの周波数で500Wの電力にて真空装置内をプラズマ化させ、800℃に加熱したシリコンウエハ上に導電性のダイヤモンド膜を形成させた。形成したダイヤモンド膜について、その組成、膜厚及び抵抗率を測定した。さらに、実施例1と同様の手順で電気化学センサシステムを構成し、ブランク及び8−OHdGの濃度の測定を行った。結果を表1に示す。また、残余電流は0.2μA/cm2以下であった。
作用電極として白金板を用いたことの他は実施例1と同様の方法で電気化学センサシステムを準備した。得られた電気化学センサシステムを用いて、実施例1と同様の手順でブランク及び8−OHdGの濃度の測定を行ったところ、0.20μMと計算された。測定誤差は77%であった。また、残余電流は48μA/cm2であった。
作用電極としてグラシーカーボンを用いたことの他は実施例1と同様の方法で電気化学センサシステムを準備した。得られた電気化学センサシステムを用いて、実施例1と同様の手順でブランク及び8−OHdGの濃度の測定を試みたところ、残余電流が98μA/cm2と大きいために、有効に測定を行うことができなかった。
作用電極としてスパッタリングによって成膜された導電性のDLC膜を用いたことの他は実施例1と同様の方法で導電性のDLC膜をシリコン基板上に形成した。電気化学センサシステムを準備した。このDLC膜は、グラファイトをターゲットとし用い、プラズマ中でスパッタリングによって成膜されたものであり、sp2結合が主体のアモルファス状の膜である。得られた電気化学センサシステムを用いて、実施例1と同様の手順でブランク及び8−OHdGの濃度の測定を試みたところ、残余電流が98μA/cm2と大きいために、有効に測定を行うことができなかった。
原料ガスとしてエチレン、塩化メチレン及び窒素を5:0.02:5sccmで導入した以外は、実施例1と同様の方法で、導電性のDLC膜をn型シリコン基板上に形成させ、その組成、膜厚及び抵抗率を測定した。さらに、実施例1と同様の手順で電気化学センサシステムを構成し、ブランク及び8−OHdGの濃度の測定を試みた。抵抗率は3.2Ωcmであり、8−OHdGの濃度は0.13μMと計算された。測定誤差は30%であった。
原料ガスとしてエチレン、塩化メチレン及び窒素を5:0.05:1sccmで導入した以外は、実施例1と同様の方法で、導電性のDLC膜をn型シリコン基板上に形成させ、その組成、膜厚及び抵抗率を測定した。さらに、実施例1と同様の手順で電気化学センサシステムを構成し、ブランク及び8−OHdGの濃度の測定を試みた。抵抗率は5.0Ωcmであり、抵抗が大きいため8−OHdGの濃度を測定することが出来なかった。
成膜の際に、原料ガスとしてエチレン及び窒素を5:5sccmで導入し、13.56MHzの周波数で500Wの電力にて真空装置内をプラズマ化させることの他は、実施例1と同様の方法で電気化学システムを準備した。形成したダイヤモンド膜について、その組成、膜厚及び抵抗率を測定した。さらに、実施例1と同様の手順で電気化学センサシステムを構成し、ブランク及び8−OHdGの濃度の測定を行った。ダイヤモンド膜の抵抗率が1.0×10−1Ωcmであり、8−OHdGは0.13μMと検出され、その誤差は30%であった。
実施例1〜10と同様の方法で、n型単結晶シリコン基板上にダイヤモンド膜又はDLC膜を形成したチップを得た。実施例11〜17ではDLC膜、実施例18〜20ではダイヤモンド膜を形成させた。成膜条件は、DLC膜は実施例1〜7、ダイヤモンド膜は実施例8〜10と同様である。形成されたダイヤモンド膜およびDLC膜の抵抗率、組成を表3に示す。
比較例1〜6で作成した電極上に、実施例11〜20で行ったのと同様に機能膜を形成した。上記機能膜及びDLC膜を作用極として用いたことの他は実施例1と同様にして電気化学センサシステムを構成した。駆動用ソフトウェアは検出電位を参照電極に対して1.2Vとなるように設定した。
Claims (6)
- 0.002原子%以上1原子%以下の塩素を含む導電性のダイヤモンド膜又はDLC膜を有する作用極を備える、化学物質の濃度を測定する電気化学センサ。
- 前記ダイヤモンド膜及び前記DLC膜が、窒素、リン、ヒ素、アンチモン及びビスマスからなる群から選ばれる0.01原子%以上30原子%以下の元素を含むn型半導体膜である、請求項1記載の電気化学センサ。
- 前記ダイヤモンド膜及び前記DLC膜が、ホウ素、ガリウム及びインジウムからなる群から選ばれる0.01原子%以上30原子%以下の元素を含むp型半導体膜である、請求項1記載の電気化学センサ。
- 前記DLC膜が10原子%以上40原子%以下の水素と30原子%以上85原子%以下の炭素とを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の電気化学センサ。
- 前記作用極が、前記ダイヤモンド膜又は前記DLC膜上に形成された、前記化学物質の電気化学反応を選択的に生じさせる機能膜を更に有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の電気化学センサ。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の電気化学センサと、該電気化学センサにおいて生じる酸化還元電流を検出する制御部と、を具備する電気化学センサシステム。
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