JP2009243923A - 流量センサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】被計測流体が通過するオリフィスを有するダイアフラムが設けられた枠部を備えて構成される流量センサにおいて、被計測流体の漏れを抑えるようにする。
【解決手段】流量センサ１は、開口部１４を有する配線シート１１と、開口部１４の周囲において配線シート１１にフリップチップ実装された半導体チップ２と、半導体チップ２の内側において半導体チップ２と一体に設けられ、オリフィス５を有したダイアフラム４と、ダイアフラム４に形成された抵抗体６，７と、半導体チップ２と配線シート１１の接合部を被覆したパラキシリレン系樹脂による被膜２１と、を備える。
【選択図】図２

Description

本発明は、流量センサ及びその製造方法に関し、特にダイアフラム式の流量センサ及びその製造方法に関する。

従来、液体の流量を測定するために、各種の流量センサが開発されている。例えば、特許文献１に記載されているように、流量センサは圧力センサを応用したものであり、圧力センサ（１４）を構成するダイアフラム（１６）及び抵抗体（Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4）が用いられる。つまり、ダイアフラム（１６）に形成されたオリフィス（１６ａ）を流体が通過するときに、オリフィス（１６ａ）の前後の差圧によってダイアフラム（１６）に歪みが生じ、その歪みが抵抗体（Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4）によって電圧信号に変換される。そのため、抵抗体（Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4）の電圧の出力が流量や圧力に換算される。

また、例えば、特許文献２に記載された流量センサでは、半導体チップ（１０）にダイアフラム（１２）が設けられ、ダイアフラム（１２）に圧力センサ（１４）が設けられ、ダイアフラム（１２）にオリフィス（１６）が設けられている。この流量センサでは、オリフィス（１６）の前後で生じた差圧が圧力センサ（１４）によって電圧に変換され、その電圧から圧力や流量に換算される。
米国特許第６２５３６０５号明細書 特開昭６３−２３６９２３号公報

ところで、流量センサで変換された電圧の信号を入出力するために、流量センサを回路基板に実装する必要がある。実装方法としては、ワイヤボンディング法や絶縁性ペースト実装法等がある。ワイヤボンディング法により流量センサを実装した後に、電気的接触部を封止するので、その実装部分が大きくなってしまうという問題がある。一方、絶縁性ペースト実装法では、流量センサの実装と電気的接触部の絶縁封止を同時に行うので、実装部分が大きくなるという問題は殆どない。ところが、この場合には絶縁接着剤が対象物の流体に接触することになり、この絶縁接着剤が対象物の流体に対して耐性を持っていない場合、その絶縁接着剤から流体が漏れてしまうことがある。
そこで、本発明は、被計測流体が通過するオリフィスを有するダイアフラムが設けられた枠部を備えて構成される流量センサにおいて、被計測流体の漏れを抑えるようにすることを課題とする。

以上の課題を解決するために、請求項１に係る発明によれば、
一面上に形成された配線部と開口部とを有する基板と、
前記基板の一面上において、前記開口部の周囲に接合された枠部と、
前記枠部の内側において前記枠部と一体に設けられ、被計測流体が通過するオリフィスを有したダイアフラムと、
前記ダイアフラム上に形成された複数のピエゾ抵抗体と、
少なくとも前記枠部と前記基板との接合部を被覆するパラキシリレン系樹脂被膜と、を備えることを特徴とする流量センサが提供される。

請求項２に係る発明によれば、
前記枠部は、前記各ピエゾ抵抗体に接続された電極を有し、
前記接合部は、前記電極と前記配線部の一端とを電気的に接合する電気的接合部と、少なくとも前記枠部と前記基板の一面との間隙に設けられて、前記電気的接合部の周囲を覆う絶縁性接着剤と、を有し、
前記パラキシリレン系樹脂被膜は、前記絶縁性接着剤の周囲を覆うことを特徴とする請求項１に記載の流量センサが提供される。

請求項３に係る発明によれば、
前記パラキシリレン系樹脂被膜は、更に、前記枠部、前記各ピエゾ抵抗体を含む前記ダイアフラム及び前記基板の外周部を被覆していることを特徴とする請求項１又は２に記載の流量センサが提供される。

請求項４に係る発明によれば、
前記パラキシリレン系樹脂被膜の膜厚が０．２〜１．０μｍであることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の流量センサが提供される。

請求項５に係る発明によれば、
前記枠部及び前記ダイアフラムは、シリコン基板からなることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の流量センサが提供される。

請求項６に係る発明によれば、
前記基板は、可撓性を有するフレキシブル基板であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の流量センサが提供される。

請求項７に係る発明によれば、
枠部と、該枠部の内側において該枠部と一体に設けられ、被計測流体が通過するオリフィスを有するとともに複数のピエゾ抵抗体が形成されたダイアフラムとを形成し、
一面上に形成された配線部と開口部を有する基板の、前記基板の一面上において、前記開口部の周囲に前記枠部を接合し、
少なくとも前記枠部と前記基板の接合部を被覆するパラキシリレン系樹脂被膜を成膜する、ことを特徴とする流量センサの製造方法が提供される。

請求項８に係る発明によれば、
前記パラキシリレン系樹脂被膜を成膜する工程は、前記枠部、前記各ピエゾ抵抗体を含む前記ダイアフラム及び前記基板の外周部を被覆する工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の流量センサの製造方法が提供される。

請求項９に係る発明によれば、
前記パラキシリレン系樹脂被膜を成膜する工程は、前記パラキシリレン系樹脂被膜の膜厚を０．２〜１．０μｍにする、ことを特徴とする請求項７乃至８の何れかに記載の流量センサの製造方法が提供される。

本発明によれば、被計測流体が通過するオリフィスを有するダイアフラムが設けられた枠部を備えて構成される流量センサにおいて、少なくとも枠部と基板との接合部をパラキシリレン系樹脂被膜によって被覆することにより、被計測流体がオリフィス以外の部分から漏れることを防止することができて、信頼性を向上させることができるとともに、正確な流量検出を行うことができる。

以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。

図１は、流量センサ１を示した分解斜視図であり、図２は、流量センサ１の主要部を示した縦断面図である。

半導体チップ２は、シリコンといった半導体基板からなるものである。半導体チップ２が枠部である。つまり、半導体チップ２が枠状に形成され、半導体チップ２の内側にダイアフラム４が設けられ、半導体チップ２とダイアフラム４が一体となっている。ダイアフラム４もシリコンといった半導体基板からなる。

ダイアフラム４の中央部を流体（被計測流体）が通過するオリフィス５が貫通している。オリフィス５の周囲であってダイアフラム４には、４つのピエゾ抵抗体６〜９（図２ではピエゾ抵抗体６、７を図示）が形成されている。図３に示すように、これらピエゾ抵抗体６〜９によってホイートストンブリッジ回路１０が構成されている。

このホイートストンブリッジ回路１０においては、出力電圧Ｖoutは次式により求められる。
Ｖout ＝ ｛Ｒ₆／（Ｒ₆＋Ｒ₇） − Ｒ₉／（Ｒ₈＋Ｒ₉）｝・Ｖin …（１）
ここで、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₉はそれぞれピエゾ抵抗体６〜９の抵抗体、Ｖinは入力電圧である。流量センサ１の出力電圧は、流体がオリフィス５を通過したときに発生する差圧に応じてオリフィス５が変形することに伴って各ピエゾ抵抗体６〜９の抵抗値が変化し、各ピエゾ抵抗体６〜９の抵抗値が変化したことによって、このホイートストンブリッジ回路１０によって生じる出力電圧Ｖoutに、各部の配線抵抗やピエゾ抵抗体６〜９に残留する歪み等による、オリフィス５に発生する差圧に依存しないオフセット電圧Ｖoffsetを加えた電圧となる。なお、以下の説明において、流量センサ１の出力電圧は、このホイートストンブリッジ回路１０によって生じる出力電圧Ｖoutを指すものとする。

図１〜２に示すように、半導体チップ２は、例えばフリップチップ実装法によって可撓性の配線シート１１等からなるフレキシブル基板（Flexible PrintedCircuit:ＦＰＣ）に実装されている。配線シート１１はポリイミドをシート状に形成したものであり、配線シート１１に回路配線１２が形成されている。配線シート１１の端部１３には、開口部１４が形成されており、回路配線１２が開口部１４の周囲にも形成されている。開口部１４は半導体チップ２よりも小さく、半導体チップ２が開口部１４の周囲において配線シート１１に搭載され、開口部１４がダイアフラム４によって覆われている。
なお、本実施形態においては、可撓性の配線シート１１を、半導体チップ２を搭載する基板としたが、これに限るものではなく、可撓性のない配線基板をベースとしてもよい。すなわち、配線シート１１の代わりに、開口部を有した配線基板に半導体チップ２がフリップチップ実装法により実装されていてもよい。

配線シート１１の回路配線１２が形成された面には、ポリイミドからなるカバーシート１６が貼着されている。カバーシート１６によって回路配線１２が覆われている。カバーシート１６の端部には開口部１７が形成されている。この開口部１７は開口部１４及び半導体チップ２よりも大きく、開口部１４が開口部１７の内側に位置し、更に半導体チップ２は開口部１７の内側において配線シート１１に搭載されている。

半導体チップ２の実装部分について詳細に説明する。図２においては、半導体チップ２がスタッドバンプ１８及び絶縁接着剤１９によって配線シート１１にフリップチップ実装されている。具体的には、ダイアフラム４及び開口部１４の周囲において、半導体チップ２と配線シート１１との間にＡｕのスタッドバンプ１８が挟持されている。スタッドバンプ１８によって半導体チップ２に形成された電極（ピエゾ抵抗体６〜９の何れか１つ又は複数に接続された電極）と回路配線１２が接合されて、電気的に接触している。更に、ダイアフラム４及び開口部１４の周囲において、半導体チップ２と配線シート１１との間に絶縁接着剤１９が挟持されている。絶縁接着剤１９はアンダーフィルも兼ねており、スタッドバンプ１８が絶縁接着剤１９によって包み込まれている。絶縁接着剤１９は熱硬化性樹脂であり、スタッドバンプ１８が半導体チップ２と配線シート１１との間に挟まれて熱圧着されるのと同時に、その熱によって絶縁接着剤１９が硬化する。

図２においては、半導体チップ２と配線シート１１の接合は、フリップチップ実装の中でも、スタッドバンプ１８及び絶縁接着剤１９を用いたＮＣＰ（Non Conductive Paste）実装法によるものである。そのため、絶縁接着剤１９は、熱硬化前、ペースト状の絶縁材である。一方、絶縁接着剤１９が、ＮＣＦ（Non Conductive Film）実装法によるものであってもよい。つまり、絶縁接着剤１９は、熱硬化前、フィルム状の絶縁材であってもよい。

また、図４に示すように、半導体チップ２と配線シート１１の接合が、フリップチップ実装の中でも、異方性導電接着剤２０を用いたＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）実装法又はＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）実装法によるものであってもよい。具体的には、ダイアフラム４及び開口部１４の周囲において、半導体チップ２と配線シート１１との間に異方性導電接着剤２０が挟持され、異方性導電接着剤２０によって半導体チップ２と配線シート１１が接合されている。異方性導電接着剤２０は熱硬化性樹脂に導電性微粒子（例えば、金属微粒子）を分散させたものである。接合時には、シート状又はペースト状の異方性導電接着剤２０が半導体チップ２と配線シート１１との間に挟まれて熱圧着されると、その熱によって異方性導電接着剤２０が硬化し、更に、圧力により厚み方向の導電性が異方性導電接着剤２０に生じる。なお、異方性導電接着剤２０は、異方性導電性ペースト（ＡＣＰ）又は異方性導電性フィルム（ＡＣＦ）が硬化したものである。

配線シート１１の半導体チップ２が実装された面に対する反対側の面には、補強シート３１が接着剤３３によって接着されている。補強シート３１は、例えばポリイミドからなり、補強シート３１が枠状に設けられ、補強シート３１に開口部３２が形成されている。補強シート３１の開口部３２が配線シート１１の開口部１４に重なるようにして、補強シート３１が配線シート１１に接着されている。この補強シート３１によって半導体チップ２が支えられている。

本実施形態の流量センサ１においては、流量センサ１をなす構成部材の全体が被膜２１によって覆われている。すなわち、半導体チップ２及びダイアフラム４は、被膜２１によって覆われている。この被膜２１は、半導体チップ２及びダイアフラム４に加えて、半導体チップ２と配線シート１１の接合部（図２の場合、絶縁接着剤１９であり、図４の場合、異方性導電接着剤２０である。）も被覆し、更に、半導体チップ２及び接合部の周囲において配線シート１１、カバーシート１６及び補強シート３１も被覆している。

被膜２１は、パラキシリレン系樹脂からなるものである。パラキシリレン系樹脂としては、パリレン（登録商標）があり、例えば、ポリモノクロロパラキシレン（パリレンＣ）、ポリパラキシレン（パリレンＮ）がある。被膜２１の膜厚は０．２〜１．０μｍであることが好ましい。

被膜２１の材料となるパリレンは、安定な結晶性ポリマーであって、水蒸気・ガスに対してバリア性、耐薬品性、耐熱性に優れている。パリレンＣの水蒸気（湿度９０％、３７度）に対するバリア性は０．０８（ｇ・ｍｍ）（ｍ²・ｄ）であり、エポキシ（０．７１〜０．９４）やポリウレタン（１７，７１７）と比較して優れている。被膜２１は、蒸着法により成膜されたものである。

半導体チップ２と配線シート１１の接合部が被膜２１によって被覆されているので、この部分における止水性が非常に高くなっている。その接合部だけでなく、その周辺において半導体チップ２、ダイアフラム４、配線シート１１等も被膜２１によって被覆されているので、流れる流体の漏れを確実に防止することができる。特に、半導体チップ２と配線シート１１の接合部がメタノールに対して低い耐性であっても、被膜２１がメタノールに対して高い耐性を持つので、この流量センサ１は、メタノールの流量を測定するのに適している。

次に、流量センサ１の製造方法について説明する。
まず、配線シート１１の一方の面にカバーシート１６を貼着し、他方の面であって端部１３に補強シート３１を接着剤３３によって接着する。
一方、小片状の半導体部材をエッチング加工することによって、凹部３を形成する。半導体部材に凹部３を形成することで、ダイアフラム４が形成され、ダイアフラム４の周囲に枠状の半導体チップ２が形成される。そして、ダイアフラム４にピエゾ抵抗体６〜９を形成する。次いで、半導体チップ２のパッド部にスタットバンプ１８を形成し、配線シート１１のパッド部に熱硬化性の絶縁接着剤１９を塗布する。そして、ダイアフラム４で配線シート１１の開口部１４を覆い、配線シート１１に塗布した絶縁接着剤１９にスタットバンプ１８を埋め込み、配線シート１１に半導体チップ２を重ねる。そして、配線シート１１及び半導体チップ２を加熱し、これらを互いに押しつけて加圧する。そうすると、スタッドバンプ１８が配線シート１１のパッド部に接合し、絶縁接着剤１９が硬化する。絶縁接着剤１９が硬化することによってスタッドバンプ１８の電気的な接続とパッド部の封止が完了する。

そして、原料ダイマー（パラキシレン）を加熱蒸発させ、半導体チップ２、ダイアフラム４、接合部、配線シート１１、カバーシート１６及び補強シート３１に蒸着して重合することで、被膜２１を成膜する。被膜２１を成膜するに際しては、その膜厚を０．２〜１．０μｍにする。以上により、流量センサ１が完成する。

次に、図５の断面図を用いて、流量センサ１の取付構造の一例について説明する。
半導体チップ２の周囲において、カバーシート１６、配線シート１１及び補強シート３１がシール１０１，１０２の間に挟持されている。シール１０１，１０２はリング状に形成されており、シール１０１の内側に半導体チップ２が存する。

半導体チップ２の周囲において、シール１０１、カバーシート１６、配線シート１１、補強シート３１及びシール１０２がリング部材１０３，１０４の間に挟持されている。リング部材１０３の内側に半導体チップ２が存する。

シール１０１，１０２、リング部材１０３，１０４及び半導体チップ２等がハウジング１０５，１０６に装着され、ハウジング１０５，１０６の間にリング部材１０３、シール１０１、カバーシート１６、配線シート１１、補強シート３１がシール１０２、リング部材１０３が挟持されている。ハウジング１０５とリング部材１０３との間にリング状の止水材１０７が挟まれ、ハウジング１０６とリング部材１０４との間にリング状の止水材１０８が挟まれている。止水材１０７，１０８は弾性部材からなり、例えばゴム材料やフッ素樹脂材料（例えば、テフロン（登録商標））から形成され、ハウジング１０５とリング部材１０３との間に挟まれて圧縮されている。

ハウジング１０６には、内部空間に通じるアウトレットポート１１０が形成されている。ハウジング１０５には、内部空間に通じる孔１０９が形成され、孔１０９がカバー１１１によって覆われている。カバー１１１には、流路となる凹部１１２が形成され、この凹部１１２がハウジング１０５側に向いて、凹部１１２と孔１０９が通じ、カバー１１１がハウジング１０５に取り付けられている。

ハウジング１０６には、内部空間の周囲において、インレットポート１１４が形成され、ハウジング１０５には、孔１１３が形成され、孔１１３とインレットポート１１４が通じ、更に孔１１３が凹部１１２に通じている。インレットポート１１４及び孔１１３の周囲において、リング状のゴム止水材１１５がハウジング１０５とハウジング１０６との間に挟持され、ゴム止水材１１５が圧縮されている。

この取付構造においては、流体（主に液体）がインレットポート１１４に流れ込む。流体がインレットポート１１４、孔１１３、凹部１１２、孔１０９を通って、ハウジング１０５の内部空間に流れ込む。ハウジング１０５の内部空間１０５に流れ込んだ流体（被計測流体）はダイアフラム４のオリフィス５を通ってハウジング１０６の内部空間に流れ込み、アウトレットポート１１０を通って外部に流れ出る。

このように流体が流れている際に、オリフィス５で発生する差圧が出力電圧Ｖoutに換算される。オリフィス５で発生する差圧Δｐと流体の流量Ｑの関係は次式（２）で表される。
Δｐ ＝ ８π・η・Ｌ／Ａ² ＋ １／(２μ²)・ρ／Ａ²・Ｑ² …（２）
ここで、ρは質量密度、ηは［動粘度×質量密度］、Ｌは［オリフィス半径＋ダイアフラムの膜厚］、Ａはオリフィス面積、μは係数である。
よって、流体の流量Ｑに対応して出力電圧Ｖoutとして検知することができる。

次に、本実施形態におけるパラキシリレン系樹脂によるコーティングを行って、被膜２１を有する流量センサ１の出力電圧の特性について説明する。

図６は、被膜２１が無い状態の流量センサ１において、６０ｗｔ％のメタノール水溶液を流し、流す流量を時間的に変化させたときの流量センサの出力電圧の時間変化を示したものである。流量変化に対応して出力電圧の値は増減しなければならないが、図９に示すように、流量と流量センサの出力電圧の相関がとれていないことがわかる。これは、絶縁接着剤１９が６０ｗｔ％のメタノール水溶液に対して耐性を持っておらず、絶縁接着剤１９からの漏れが発生しているためと考えられる。これに対し、後述するように、本実施形態における、パラキシリレン系樹脂によるコーティングを行って、被膜２１を有する流量センサ１をメタノール含有流体に用いた場合には、流量変化に対応した出力電圧が得られることが確認された。

図７は、被膜２１を有する流量センサ１について、被計測流体を６０ｗｔ％のメタノール水溶液とし、オリフィス５の直径が８０μｍであり、被膜２１の膜厚が０．２μｍであるときの、流量センサ１の出力電圧と流量の関係についての実測値である。 図８は、被膜２１を有する流量センサ１について、被計測流体を６０ｗｔ％のメタノール水溶液とし、オリフィス５の直径が８０μｍであり、被膜２１の膜厚が１．０μｍであるときの、流量センサ１の出力電圧と流量の関係についての実測値である。図７、図８でわかるように、流量センサ１に被膜を有する場合でも、流量に対して、出力電圧が一義的に決まることが確認できる。

また、メタノールに対する耐久性の評価では、被膜２１が無い場合には、被計測流体としてメタノール水溶液を用いたとき、流体を流し始めて評価を開始してから７時間後に接触不良が発生し、センサ出力として電圧値を得られなくなった。一方、被膜２１が有る場合には、評価開始から100時間経過しても接触不良が生じず、センサ出力として電圧値を得られた。従って、被膜２１がＮＣＰ接合部で発生する接触不良を抑える効果が得られることが確認され、被膜２１が有る場合は、被膜２１が無い場合よりも、耐久性が良いことが実験の結果わかった。

以上のように、配線シート１１等によるフレキシブル基板をパラキシリレン系樹脂によってコーティングして、全体を覆う被膜２１を設けることによって、被計測流体としてメタノール又はメタノール水溶液を用いた場合に、ＮＣＰ接合部での接触不良の発生を防止して、信頼性を向上させることができる。
また本実施形態として、メタノールを含有する液体を被計測流体として用いているが、これに限らず、その他の液体でもパラキシリレン系樹脂が耐性を有するものであれば、それらの液体の流量センサに適用できる。

流量センサを分解して示した分解斜視図である。 流量センサの主要部を示した縦断面図である。 ホイートストンブリッジ回路を示した回路図である。 流量センサの要部断面の別例を示した断面図である。 流量センサの取付構造の一例の断面を示した断面図である。 パラキシリレン系樹脂による被膜が無い流量センサにおいて、流量を時間的に変化させたときの、流量センサの出力電圧の時間変化を示したグラフである。 本実施形態の流量センサにおいて、パラキシリレン系樹脂による被膜の膜厚が０．２μｍであるときの、流量と出力電圧の関係を示したグラフである。 本実施形態の流量センサにおいて、パラキシリレン系樹脂による被膜の膜厚が１．０μｍであるときの、流量と出力電圧の関係を示したグラフである。

符号の説明

１ 流量センサ
２ 半導体チップ
４ ダイアフラム
５ オリフィス
１１ 配線シート
１８ スタッドバンプ
１９ 絶縁接着剤
２０ 異方性導電接着剤
２１ 被膜

Claims (9)

1. 一面上に形成された配線部と開口部とを有する基板と、
   前記基板の一面上において、前記開口部の周囲に接合された枠部と、
   前記枠部の内側において前記枠部と一体に設けられ、被計測流体が通過するオリフィスを有したダイアフラムと、
   前記ダイアフラム上に形成された複数のピエゾ抵抗体と、
   少なくとも前記枠部と前記基板との接合部を被覆するパラキシリレン系樹脂被膜と、を備えることを特徴とする流量センサ。
2. 前記枠部は、前記各ピエゾ抵抗体に接続された電極を有し、
   前記接合部は、前記電極と前記配線部の一端とを電気的に接合する電気的接合部と、少なくとも前記枠部と前記基板の一面との間隙に設けられて、前記電気的接合部の周囲を覆う絶縁性接着剤と、を有し、
   前記パラキシリレン系樹脂被膜は、前記絶縁性接着剤の周囲を覆うことを特徴とする請求項１に記載の流量センサ。
3. 前記パラキシリレン系樹脂被膜は、更に、前記枠部、前記各ピエゾ抵抗体を含む前記ダイアフラム及び前記基板の外周部を被覆していることを特徴とする請求項１又は２に記載の流量センサ。
4. 前記パラキシリレン系樹脂被膜の膜厚が０．２〜１．０μｍであることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の流量センサ。
5. 前記枠部及び前記ダイアフラムは、シリコン基板からなることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の流量センサ。
6. 前記基板は、可撓性を有するフレキシブル基板であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の流量センサ。
7. 枠部と、該枠部の内側において該枠部と一体に設けられ、被計測流体が通過するオリフィスを有するとともに複数のピエゾ抵抗体が形成されたダイアフラムとを形成し、
   一面上に形成された配線部と開口部を有する基板の、前記基板の一面上において、前記開口部の周囲に前記枠部を接合し、
   少なくとも前記枠部と前記基板の接合部を被覆するパラキシリレン系樹脂被膜を成膜する、ことを特徴とする流量センサの製造方法。
8. 前記パラキシリレン系樹脂被膜を成膜する工程は、前記枠部、前記各ピエゾ抵抗体を含む前記ダイアフラム及び前記基板の外周部を被覆する工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の流量センサの製造方法。
9. 前記パラキシリレン系樹脂被膜を成膜する工程は、前記パラキシリレン系樹脂被膜の膜厚を０．２〜１．０μｍにする、ことを特徴とする請求項７乃至８の何れかに記載の流量センサの製造方法。

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