JP2009242674A - ガスハイドレート製造方法及び製造設備 - Google Patents

Abstract

【課題】ガスハイドレートペレットの脱圧工程における分解を防止するために、ペレットに１０μｍから５００μｍの薄くてかつ均一な水膜を形成し、前記ペレットを冷却することで氷膜を形成したガス含有率が高い高品質ペレットの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】ガスハイドレートの生成条件下でガスハイドレートを生成する生成工程と、前記ハイドレートを脱水・圧搾成型してハイドレートペレット２０を成型する成型工程と、前記ペレット２０にマイナスに帯電した前記ペレット２０の原料水３０を噴霧し表面に水膜を形成する水膜形成工程と、前記ペレット２０を冷却する冷却工程と、脱圧して大気圧とする脱圧工程からなる。
【選択図】図１

Description

本発明は、天然ガス、メタン、エタン、プロパン等のガスハイドレートを形成する気体状のガスハイドレート形成物質と水との包接化合物であるガスハイドレートを製造するガスハイドレート製造方法及び製造設備に関するものである。

ガスハイドレートとは、水分子と気体分子からなる氷状の固体結晶であり、水分子が構築する立体構造の籠（ケージ）の内部に気体分子が介在する包接（クラスレート）水和物（ハイドレート）の総称である。

天然ガスハイドレートは１ｍ^３のガスハイドレートの中に天然ガスを約１６５Nｍ^３も包蔵している。このため、天然ガスの輸送及び貯蔵手段としてガスハイドレートを利用する研究開発が盛んに行われている。

天然ガスをハイドレート化する利点としては、（ａ）天然ガスハイドレートの大気圧下の平衡温度条件が−８０℃（１９３Ｋ）以下であるため、既に、実用化されている液化天然ガス（ＬＮＧ）の大気圧下における貯蔵及び輸送温度（−１６３℃（１１０Ｋ））よりも緩やかな温度条件で貯蔵や輸送が可能となること、（ｂ）また、上記のように、天然ガスハイドレートの大気圧下の平衡温度条件が−８０℃（１９３Ｋ）以下であることから、貯蔵や輸送設備の耐久性や断熱性を大幅に簡略化できること等を挙げることができる。

また、天然ガスハイドレートは、自己保存効果（Self-Preservation）と称する特殊な性能を有するため、平衡条件外でも比較的安定した状態で存在することが知られている。自己保存状態にある天然ガスハイドレートの表面には透明氷膜が形成されており、この氷膜が自己保存性を発現させていることが明らかになりつつある。

この自己保存効果によると−２０℃（２５３Ｋ）付近における天然ハイドレートの分解量が最も少なく、この現象を利用すれば天然ガスハイドレートを比較的安定した状態で保存することができる（例えば特許文献１）。

図８はガスハイドレートのペレットが分解していく様子を模式的に示している。図８（A）のガスハイドレートペレット２０はガス２１と水分子の籠２２と氷膜２３で形成されている。ペレット２０の大気圧下における固気平衡温度条件を上回る温度、例えば天然ガスハイドレートの場合は−８０℃（１９３K）以上の際、ガスハイドレート表面が分解し、分解した際に表面に氷膜２３を形成することで、ガスハイドレートの自己保存性を発現している。これがガスハイドレートの自己保存効果であり、前記氷膜２３が形成されている事が最も重要なことである。

ここで、湿度の低い場合はガスハイドレート表面の氷膜２３が昇華し、水蒸気２４としてペレット２０から放出され、同時にガス２１も放出される。図８（Ｃ）に示すように、氷膜２３の昇華が発生し氷膜２３の存在しない箇所では、氷膜２３が再形成される。上記のように氷膜２３の昇華を繰り返しながらペレット２０の分解は進んでいく。

上述のように、ガスハイドレートの自己保存効果は、ペレット２０の表面に形成される氷膜２３を維持することが重要であり、氷膜２３を長期間維持することで、ガスハイドレートの分解を抑制することが可能となる。

また、ガスハイドレート製造は低温高圧下で行われ、特に天然ガスハイドレートの場合は圧力が約５ＭＰａ、温度が約５℃の環境下で、原料ガスと原料水を水和反応させハイドレートを生成する生成工程と、前記ハイドレートを脱水・圧搾成型してペレットを成型する成型工程と、前記ペレットを約−２０℃まで冷却する冷却工程と、前記ペレットを大気圧下に戻すための脱圧工程からなり、前記ペレットはアーモンド状、レンズ状、球形状又は不定形状等の成型物やブロック状の大型成型物に成型されているため、貯蔵や運搬が容易となる。

さらに、自己保存効果を発揮させるためにあらかじめガスハイドレートペレットに原料水や水等を噴霧し、その後に冷却することでペレットの表面に氷膜２３を形成することで、氷膜形成のために分解するガスハイドレートの量を抑制しながら自己保存効果を発揮させる方法が提案されている（例えば特許文献２参照）。
特開２００３−２８７１９９号公報 特許３１７１６１１号公報

上記のように前記ペレットの運搬及び貯蔵時にペレットの分解を比較的抑制するための発明が成されてきている。しかしながら、ガスハイドレートペレット製造工程における前記脱圧工程でガスハイドレートは生成条件を外れ、非平衡状態を通過するためハイドレートの分解が発生してしまい、ガス含有率が低下してしまう問題がある。

例えば天然ガスハイドレートをペレットに成型後、脱圧する場合はペレット表面のハイドレートが分解し、ペレットのガス含有率が約９％程度低下してしまう。この分解が９％程度で停止するのは、ハイドレートの分解に伴いペレット表面に氷膜２３が形成され自己保存効果が発揮されるためであるが、脱圧工程での１割近いガス含有率の低下は、前記ペレットの運搬効率を著しく低下させてしまう。即ち、ガスハイドレートの運搬は、水を極力含まない状態でガスを運搬する方が望ましく、ガス含有率の低いペレット運搬は水を運搬しているも同然となることを意味する。ガスハイドレートの効率的な運搬及び貯蔵を実現するためには、前記ペレットのガス含有率を高める高品質化が必要不可欠となっている。

また、特許文献２に記載の方法によりガスハイドレートペレットに水を噴霧するスプレー方式では、ペレットの表面における水粒子の付着は不均一となり、均一な氷膜の形成ができず、十分なハイドレートの自己保存効果を発揮させることが困難であった。

そこで、本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、ガスハイドレートペレットの脱圧工程における分解を防止しするために、ペレットに１０μｍから５００μｍの薄くてかつ均一な水膜を形成し、前記ペレットを冷却することで氷膜を形成したガス含有率が高い高品質ペレットの製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、請求項１に記載の発明に係るガスハイドレートペレット製造方法は、ガスハイドレートの生成条件下でガスハイドレートを生成する生成工程と、前記ハイドレートを脱水・圧搾成型してハイドレートペレットを成型する成型工程と、前記ペレットにマイナスに帯電した前記ペレットの原料水を噴霧し表面に水膜を形成する水膜形成工程と、前記ペレットを冷却する冷却工程と、脱圧して大気圧とする脱圧工程からなることを特徴とする。

請求項２に記載の発明に係るガスハイドレートペレット製造方法は、天然ガスハイドレートの生成条件下で天然ガスハイドレートを生成する生成工程と、前記ハイドレートを脱水・圧搾成型してハイドレートペレットを成型する成型工程と、前記ペレットにマイナスに帯電した前記ペレットの原料水を噴霧し表面に水膜を形成する水膜形成工程と、前記ペレットを−５℃から−２５℃に冷却する冷却工程と、脱圧して大気圧とする脱圧工程からなることを特徴とする。

請求項３に記載の発明に係るガスハイドレートペレット製造方法は、前記水膜形成工程において噴霧する原料水３０を−３０ｋＶから−１５０ｋＶに帯電し、前記ペレットを０Ｖのアースとすることを特徴とする。

請求項４に記載の発明に係るガスハイドレートペレット製造方法は、前記水膜形成工程において前記ペレットに厚さが１０μｍから５００μｍの水膜を形成するよう前記原料水を噴霧することを特徴とする。

請求項５に記載の発明に係るガスハイドレートペレット製造装置は、ガスハイドレートを生成するハイドレート生成槽５０と、前記ハイドレートを脱水する脱水装置５１と、前記ハイドレートを圧搾成型してペレット２０とするペレット成型器５２と、前記ペレット２０の表面に水膜２７を形成する水膜形成装置１０と、前記ペレット２０を冷却する冷却装置５３と、加圧雰囲気下にある前記ペレット２０を脱圧する脱圧装置５４を具備したことを特徴とする。

請求項６に記載の発明に係るガスハイドレートペレット製造装置は、前記ペレット２０の原料水３０をマイナスに帯電させ霧状に噴霧する噴霧ノズル１１と、前記原料水３０を−３０ｋＶから−１５０ｋＶに帯電する高圧電源１２と、前記ペレット２０を搬送するための搬送装置とを備えた前記水膜形成装置１０を具備したことを特徴とする。

請求項７に記載の発明に係るガスハイドレートペレット製造装置は、前記搬送装置をベルトコンベア１４としたことを特徴とする。

請求項８に記載の発明に係るガスハイドレートペレット製造装置は、前記ペレット２０が自転して移動可能な樋を設けた板状物又は枠体状物の搬送路４４と、前記搬送路４４の下部に前記搬送路４４を振動させるための駆動装置４５を有した前記搬送装置を具備したことを特徴とする。

ガスハイドレート製造工程において、ガスハイドレートの自己保存効果を発揮させる氷膜２３を形成するために、水膜形成工程で水膜２７を形成し、冷却工程で冷却することでペレット２０に氷膜２３が形成され、脱圧工程におけるハイドレートの分解を抑制し、ガス含有率の高い高品質なガスハイドレートペレットの製造を可能とした。

水膜形成工程で噴霧する原料水３０（例えば水）をマイナスに帯電し、ペレット２０に静電気により付着させる所謂静電塗装の原理により、従来の原料水３０を噴霧するのみのスプレー方式では実現されなかった均一かつ薄い水膜２７の形成が可能となった。例えば直径２０ｍｍ程度のペレット２０に対しては、水膜２７の厚さを１０μｍから５００μｍ程度の薄さとし、望ましくは１０μｍから１００μｍとする。

上記の厚さより薄いと十分な氷膜２３が形成されず、自己保存効果が十分に発揮されなくなり、厚いと氷（水）の割合が増大し、ペレットのガス含有率が低下(ガス包蔵量が低下)してしまう。そのため、上記の範囲に水膜２７の厚さを制御する必要があり、本発明は原料水３０の噴霧量と原料水３０を帯電させる際の電圧等で、水膜２７の厚さを制御することを可能としている。

ここで、静電塗装の原理とは、静電気を持つ２つの物体がそれぞれマイナスとプラスに帯電している場合にお互いが引き合う性質を利用したものである。自動車等のボディー塗装では塗料を噴射するノズルの先端に、−４０ｋＶから−９０ｋＶ程度の高電圧を発生させる高電圧発生器のマイナス側が接続され、アースに落とされたボディー等の被塗装物との間にコロナ放電が発生するよう構成している。

このコロナ放電は電気力線の集中する電極近傍で発生するため、微粒化された塗料粒子はマイナスイオンを受け取りマイナスに帯電する。マイナスに帯電した塗料粒子はエアの流れと電気力線によって被塗装物近傍まで進み、数ｍｍから２ｃｍの距離になると静電気のプラス（被塗装物）とマイナス（塗装粒子）が引き合う性質により被塗装物に付着するというものである。

前記の静電塗装の原理をガスハイドレートペレット２０の水膜形成工程に利用し、原料水３０を−３０ｋＶから−１５０ｋＶに帯電し、ペレット２０を０Ｖのアースとすることで、原料水３０の水粒子２６ペレット３０の間に静電気により引き合う力を発生させ、噴霧した原料水３０が均一かつ薄い水膜２７をペレット２０の表面に形成することを可能とした。

前記水膜形成装置１０において、ペレット２０の搬送路４４を板状又は枠体状の樋とすることで、例えば球形状のペレット２０を自転させながら搬送することが可能となり、ペレット２０の全面に均一に水粒子２６を噴霧することが可能となった。

また、前記搬送路４４を振動させるための駆動装置４５を設置したことで、自転しにくい例えばアーモンド状に成型されたペレット等であっても、全面に水粒子２６を噴霧することが可能となった。即ち、搬送路４４上で常に下面となっている部分はなく、方向を変えながら搬送されるため、水粒子２６がペレット２０の全面に付着しやすいため、自己保存性を十分に発揮し得る氷膜２３の形成が可能となった。

さらに、枠体状の樋であれば下方から水粒子２６を噴霧することも可能となっており、ペレット２０に均一、かつ膜厚が例えば１０μｍから５００μｍ程度の薄い水膜２７を形成することを可能とした。

以下、本発明を図に示す実施例を参照して具体的に説明する。

図７は本発明を実施した際のガスハイドレート製造工程を示した工程図である。圧力や温度等の条件は天然ガスハイドレートのものを記載しているが、他のガスハイドレートに関しても本発明は同様に実施可能である。

生成工程は天然ガスハイドレートの生成条件である圧力が約５ＭＰａ、温度が約５℃となっている雰囲気の中で原料ガス３１である天然ガスと原料水３０である水を水和反応させてガスハイドレートを生成し、成型工程では前記ガスハイドレートを脱水・圧搾成型することでガス含有率が９０％以上と高いペレット２０に成型し、水膜形成工程でペレット２０の表面に水膜２７を形成し、冷却工程で−２０℃まで冷却し、脱圧工程にて大気圧まで脱圧し、貯蔵するよう構成している。

ここで、冷却工程で−２０℃まで冷却するのは、冷却せずに脱圧すると大気圧下で５℃の環境にペレット２０はさらされ、ハイドレートの分解が急速に進むのを防止するためである。しかしながら、−２０℃まで冷却してもハイドレートの分解は進み、前述したように約９％程度ガス含有率が低下してしまうため、成型工程でガス含有率が９０％を超えるペレット２０を成型したとしても、貯蔵時には８０％前後のペレット２０となってしまう。

そこで、本発明では成型工程の後に、ペレット２０の表面に水膜２７を形成する水膜形成工程を設け、水膜形成の後に冷却してペレット２０の表面に氷膜２３を形成し、ハイドレートを分解することなく自己保存効果を発揮できる状態のペレット２０を脱圧工程に送ることで、脱圧時に発生していたハイドレートの分解を抑制することを実現した。

図６は本発明の具体的な天然ガスハイドレート製造装置の概略を示しており、圧力が約５ＭＰａ、温度が約５℃の天然ガスハイドレート生成条件下のハイドレート生成槽５０で生成したハイドレートスラリー２８はスラリー輸送管５６により、脱水装置５１に運ばれ、前記脱水装置５１でガスハイドレート含有率が４０％程度となるまで脱水されたハイドレートはペレット成型器５２に運ばれ、前記ペレット成型器５２で脱水・圧搾成型されペレット２０に成型されペレット搬送路５７により水膜形成装置１０に運ばれる。前記水膜形成装置１０でペレット２０の表面に１０μｍから５００μｍ、望ましくは１０μｍから１００μｍの均一な水膜２７を形成し、冷却装置５３に運ばれる。前記冷却装置５３で−５℃から−２５℃に冷却されたペレットは、脱圧装置５４に送られ、大気圧まで脱圧されペレット貯槽５５に貯蔵される。

図１は前記水膜形成装置１０とその前後に設置されているペレット成型器５２と冷却装置５３の拡大図を示しており、ペレット成型器５２で脱水・圧搾成型されたペレット２０が水膜形成装置１０に供給され、前記水膜形成装置１０でペレット２０の表面に水膜２７を形成し、冷却装置５３に供給されるよう構成している。

水膜形成装置１０のペレット２０が供給される供給口１５の下方に、前記ペレット２０を搬送するベルトコンベア１４を設置し、前記ベルトコンベア１４の上方にペレット２０に水膜２７を形成する噴霧ノズル１１を設置し、前記ベルトコンベア１４の端部に排出口１６を設置し、前記ペレット２０は前記排出口１６から冷却装置５３に送られるよう構成している。

前記噴霧ノズル１１は、水槽１３からポンプ１７を介し供給水ライン４１により送られてくる原料水３０を水粒子２６として噴霧し、かつ水粒子２６を噴霧する際、高圧電源１２により−３０ｋＶから−１５０ｋＶに帯電するよう構成している。

ここで、噴霧ノズル１１は小さい孔からポンプ１７により加圧された原料水３０をフイルム状に噴出させ、気体との衝突によって霧化させるエアレス霧化方式、ノズルより噴出した棒状の原料水３０に対して、ブロア１８により圧縮し、供給ガスライン４２を運搬された原料ガス３１を衝突させ、その勢いで液体の原料水３０を変形・分散させて細かい粒子状にするエア霧化方式、又は円板やカップを高速回転させ、原料水３０をフイルム状に薄く延ばした後に、エッジ部分で微粒化させる回転霧化方式等がある。

そのため、原料水３０が、前記原料水３０を貯蔵する水槽１３からポンプ１７及び供給水ライン４１を介して噴霧ノズル１１に供給されるよう構成しており、前記エア霧化方式を採用する場合は、原料ガス３１をブロア１８、供給ガスライン４２を介して噴霧ノズル１１に供給するよう構成している。

前記噴霧ノズル１１でマイナスに帯電された水粒子２６は、前記ペレット成型器５２に接続されたアース４６により０Ｖとされたペレット２０の数ｍｍから２ｃｍの近傍まで進むと、静電気により引きつけられ、ペレット２０の表面に付着し水膜２７を形成していく。

水膜２７を形成されたペレット２０は排出口１６から冷却装置５３に運ばれ、−５℃から−２５℃まで冷却されることで、前記水膜２７が凍結し氷膜２３としてペレット表面を覆うように形成され、自己保存効果に付与する。

また、水膜形成装置１０の下部には、ペレット２０に付着せずに落下し、凝集した水滴２５を回収するための回収水ライン１９とポンプ１７を設けてあり、回収された原料水３０は水槽１３に戻されるよう構成されている。

図２はペレット２０に噴霧された水粒子２６が接近・付着し水膜２７を形成する模式図を示している。水粒子２６は静電気によりペレット２０に引き寄せられるため、ペレット２０に均一に付着し、均一な水膜２７を形成することを実現した。

ここで、水粒子２６の噴霧する量を制御することでペレット２０の表面に形成する水膜２７の厚さを制御することが可能となっており、水膜２７を冷却して形成される氷膜２３の厚さは、ペレット２０が自己保存効果を発揮する範囲で最も薄く形成することが望ましい。これはペレット２０に含まれる水の量は少ない方が、ペレット運搬の効率がよくなるためである。

また、図９に示すようにペレット径を２０ｍｍとした場合、氷膜２３の厚さとペレット２０に対する氷膜２３の質量比は、ペレット２０が球形であると仮定し算出することが可能であり、任意の膜厚である氷膜２３をペレット２０に形成するためには、膜厚から必要な原料水３０の噴霧量を下記の数式１より算出し、この噴霧量を満たすように原料水３０を噴霧することで、水膜２７を形成し、冷却することで氷膜２３を任意の膜厚に制御することが可能となる。

ここに、ｒ〔ｍ〕はペレット相当半径、ｔ〔ｍ〕は氷の膜厚、ρ_ｐ〔ｋｇ／ｍ^３〕はペレット密度、ρ_ｗ〔ｋｇ／ｍ^３〕は水密度、Ｗ_ｗ〔ｋｇ／ｈｒ〕は水粒子量、Ｗ_ｐ〔ｋｇ／ｈｒ〕はペレット流量とする。

例えばペレット２０の膜厚を２０μｍとし、ペレット相当半径を２０ｍｍ、ペレット密度を９１５ｋｇ／ｍ^３、水密度を１０００ｋｇ／ｍ^３、ペレット流量を１０ｋｇ／ｈｒとすると、必要となる水粒子量は２７．５ｇ／ｈｒと計算される。

しかし、ここで噴霧ノズル１１によって噴霧された水粒子２６のすべてが、ペレット２０に付着し水膜２７を形成するとは限らず、ペレット２０に付着せずに前記回収水ライン１９より回収される原料水３０も存在する。

そこで噴霧量は歩留に応じＷ_ｗの１から２倍程度とすることが望ましいが、正確に水膜２７の膜厚を把握するには、回収水ライン１９の流量と噴霧された原料水３０の量の関係より求めることが可能である。これにより噴霧量の歩留も明らかになり、ペレット２０の処理速度や大きさ等により、任意の厚さの氷膜２３を形成することが可能となった。

図３は本発明の異なる実施例を示しており、水膜形成装置４０におけるペレット搬送路４４をベルトコンベア１４から変更したものである。供給口１５から供給されたペレット２０は下り勾配に設置された搬送路４４を自転しながら移動し、排出口１６より図示しない冷却装置５３に送られるよう構成している。

ここで、搬送路４４の設置角度を水平面から１度乃至１０度程度の下り勾配とし、ペレット２０を自転させながら運搬することで、ペレット２０の周囲全体に水粒子２６が付着するようになり、より均一な水膜２７を形成することを可能とした。

また、搬送路４４を振動させるための駆動装置４５を設置することで、ペレット２０に横方向の回転をさせ、かつ小さな下り勾配であっても自転して転がるよう構成している。

図４は搬送路４４を雨樋型搬送路４４ａとした際の斜視図を示している。雨樋型搬送路４４ａは、ペレット２０の周囲を可能な限り覆わないよう構成することで、水粒子２６とより効率的に接触し、水膜２７を形成しやすいよう構成している。

また、前記雨樋型搬送路４４ａをアルミニウムやステンレス等の金属で形成しアース４６と接続することで、ペレット２０の電位を０Ｖに保ち、効率的に水粒子２６を付着させるように構成することも可能である。

図５は搬送路４４を枠体型搬送路４４ｂとした際の斜視図を示している。搬送路４４を枠体とすることで、ペレット２０に付着しなかった水粒子２６が効率的に落下し、回収水ライン１９に流入しやすいよう構成している。このように水粒子２６が搬送路４４上に停滞することを少なくしたことで、噴霧した水粒子２６の量と回収した原料水３０の量を正確に検知することが可能となり、ペレット２０に形成されている水膜２７の膜厚を正確に検知することが可能となった。そのため、膜厚制御が細かく行えるようになり、ペレット２０の品質管理が容易となった。

また、下方から原料水３０を噴霧することも可能となったため、ペレット２０に水粒子２６を付着させる速度が上がり、水膜形成装置１０におけるペレット２０の処理量を増加させることが可能であり、そのため、処理能力の高い水膜形成装置１０を提供することを可能とした。

上述のように、本発明のガスハイドレートペレットの製造方法及び装置により、ガスハイドレートペレットを脱圧する際に発生するハイドレートの分解を抑制し、ガス含有率の極めて高い高品質なペレットを生産することを可能とした。具体的にはガス含有率が９０％を超えるペレット２０の製造を可能とした。

さらにガスハイドレートペレットの自己保存効果を発揮させるための氷膜形成を、マイナスに帯電した水粒子を利用して行ったため、極めて薄い氷膜を形成することが可能となり、また、氷膜の膜厚を任意に制御し、かつ検知することが可能となり、高品質なペレットの製造を実現し、かつ品質管理を容易にした。

本発明の実施例の１つを示した概略図である。 ペレットに形成される水膜の概略図である。 本発明の実施例の１つを示した概略図である。 搬送路の実施例の１つを示した斜視図である。 搬送路の実施例の１つを示した斜視図である。 ガスハイドレート製造工程の概略図である。 本発明を利用したガスハイドレート製造工程の工程図である。 ガスハイドレートの自己保存効果が発揮される概略を示した概略図である。 ペレットに対する氷膜の占める質量の割合と氷膜の厚さの関係を示したグラフである。

符号の説明

１０ 水膜形成装置
１１ 噴霧ノズル
１２ 高圧電源
１３ 水槽
１４ ベルトコンベア
１５ 供給口
１６ 排出口
１７ ポンプ
１８ ブロア
１９ 回収水ライン
２０ ペレット
２３ 氷膜
２６ 水粒子
２７ 水膜
４４ａ 雨樋型搬送路
４４ｂ 枠体型搬送路

Claims (8)

1. ガスハイドレートの生成条件下でガスハイドレートを生成する生成工程と、前記ハイドレートを脱水・圧搾成型してハイドレートペレットを成型する成型工程と、前記ペレットにマイナスに帯電した前記ペレットの原料水を噴霧し表面に水膜を形成する水膜形成工程と、前記ペレットを冷却する冷却工程と、脱圧して大気圧とする脱圧工程からなることを特徴とするガスハイドレートペレット製造方法。
2. 天然ガスハイドレートの生成条件下で天然ガスハイドレートを生成する生成工程と、前記ハイドレートを脱水・圧搾成型してハイドレートペレットを成型する成型工程と、前記ペレットにマイナスに帯電した前記ペレットの原料水を噴霧し表面に水膜を形成する水膜形成工程と、前記ペレットを−５℃から−２５℃に冷却する冷却工程と、脱圧して大気圧とする脱圧工程からなることを特徴とするガスハイドレートペレット製造方法。
3. 前記水膜形成工程において噴霧する原料水を−３０ｋＶから−１５０ｋＶに帯電し、前記ペレットを０Ｖのアースとすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のガスハイドレートペレット製造方法。
4. 前記水膜形成工程において前記ペレットに厚さが１０μｍから５００μｍの水膜を形成するよう前記原料水を噴霧することを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載のガスハイドレートペレット製造方法。
5. ガスハイドレートを生成するハイドレート生成槽と、前記ハイドレートを脱水する脱水装置と、前記ハイドレートを圧搾成型してペレットとするペレット成型器と、前記ペレットの表面に水膜を形成する水膜形成装置と、前記ペレットを冷却する冷却装置と、加圧雰囲気下にある前記ペレットを脱圧する脱圧装置を具備したことを特徴とするガスハイドレートペレット製造装置。
6. 前記ペレットの原料水をマイナスに帯電させ霧状に噴霧する噴霧ノズルと、前記原料水を−３０ｋＶから−１５０ｋＶに帯電する高圧電源と、前記ペレットを搬送するための搬送装置とを備えた前記水膜形成装置を具備したことを特徴とする請求項５に記載のガスハイドレートペレット製造装置。
7. 前記搬送装置をベルトコンベアとしたことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載のガスハイドレートペレット製造装置。
8. 前記ペレットが自転して移動可能な樋を設けた板状物又は枠体状物の搬送路と、前記搬送路の下部に前記搬送路を振動させるための駆動装置を有した前記搬送装置を具備したことを特徴とする請求項５乃至請求項７に記載のガスハイドレートペレット製造装置。