JP2009239114A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 内層配線導体に腐食が発生することがなく、かつ電気的な絶縁信頼性に優れる配線基板を得るこが可能な配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 平板状の絶縁基材1Pの両面に銅箔2Pが積層されて成り、配線基板本体6に対応する領域Aおよび開口部6aに対応する領域Bを有する銅張積層板3Pを準備し、次に銅張積層板3Pの銅箔2Pをエッチング加工して領域Aの両面に銅箔2Pから成る内層配線導体2を形成するとともに領域Bの両面に銅箔2Pから成るダミー導体2Dを形成し、次に内層配線導体2およびダミー導体2Dが加工形成された銅張積層板3Pの両面に領域Aおよび領域Bにわたって絶縁層4を形成するための絶縁シート4Pおよび表層配線導体5を形成するための銅箔5Pを積層して配線基板本体6用の積層体6Pを形成し、次に積層体6Pにおける領域Bを刳り抜く工程を備える。
【選択図】 図1

Description

本発明は半導体素子を搭載するための配線基板の製造方法に関し、より詳細には絶縁板の両面に銅箔から成る内層配線導体が被着形成されたコア基板と、該コア基板の両面に積層された絶縁層と、該絶縁層の表面に被着された表層配線導体とを具備し、その中央部の上面から下面にかけて貫通する半導体素子収納用の開口部を有する配線基板本体と、該配線基板本体の下面に前記開口部を塞ぐように接合され、該開口部内の上面に半導体素子が搭載される放熱板とから成る配線基板の製造方法に関するものである。
従来、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載する配線基板として、図3に示すように、ガラスクロス基材にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る絶縁板1の両面に銅箔から成る内層配線導体2が被着形成されたコア基板3と、このコア基板3の両面に積層された、ガラスクロス基材にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る絶縁層4と、この絶縁層4の表面に被着された表層配線導体5とを具備し、その中央部の上面から下面にかけて半導体素子Sを収容するための開口部6aを有する配線基板本体6と、配線基板本体6の下面に開口部6aを塞ぐように接着剤層7を介して接合されており、開口部6a内の上面に半導体素子Sが搭載される銅から成る放熱板8とから成る配線基板が知られている。
なお、この配線基板は、配線基板本体3における上面側の絶縁層4から下面の絶縁層4にかけて上下の内層配線導体2および表層配線導体5の所定のもの同士を電気的に接続する銅めっきから成るスルーホール導体が被着されたスルーホール9が形成されており、スルーホール9の内部には熱硬化性樹脂から成る孔埋め樹脂10が充填されている。さらに孔埋め樹脂10の一部は上面側の絶縁層4および表層配線導体5の一部を覆ってレジスト層を形成しており、下面側の絶縁層4および表層配線導体5は同じく熱硬化性樹脂から成るレジスト層11で被覆されている。
そして、この配線基板は、放熱板8の上面に半導体素子Sを接着剤12を介して搭載するとともに半導体素子Sの電極と表層配線導体5とをボンディングワイヤWを介して接続した後、開口部6a内およびその周辺の上面に図示しない封止樹脂を半導体素子SおよびボンディングワイヤWを覆うように被着させることにより製品としての半導体装置となる。
ところで、このような配線基板における配線基板本体6に開口部6aを形成するには、従来以下のような方法が採用されていた。先ず、図4(a)に示すように、ガラスクロス基材にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた平板状の絶縁基材1Pの両面に銅箔2Pが積層された銅張積層板3Pを準備する。銅張積層板3Pは配線基板本体6に対応する領域Aと開口部6aに対応する領域Bとを有している。なお、図4(a)〜(e)においては、配線基板本体6の1個分に対応する領域を抜き出して示しており、実際には領域AおよびBを備えた多数の区画が縦横の並びに一体的に配列されている。
次に、図4(b)に示すように、銅張積層板3Pの両面の銅箔2Pを所定のパターンにエッチングして配線基板本体6に対応する領域Aに内層配線導体2を形成する。
次に、図4(c)に示すように、ガラスクロス基材に未硬化のエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂成分を含浸させた未硬化の絶縁シート4Pと銅箔5Pとを準備する。これらの絶縁シート4Pおよび銅箔5Pも配線基板本体6に対応する領域Aおよび開口部6aの対応する領域Bを有している。
次に、図4(d)に示すように、配線基板本体6に対応する領域Aに内層配線導体2が形成された銅張積層板3Pの両面に未硬化の絶縁シート4Pおよび銅箔5Pを積層し、これらをプレス装置により加圧しながら加熱して絶縁シート4Pを熱硬化させることにより配線基板本体6用の積層体6Pを得る。
次に、図4(e)に示すように、積層体6Pにおける開口部6aに対応する領域Bをルータ等の切削装置を用いて刳り抜くことにより開口部6aを形成する。なお、このときスルーホール9も穿孔する。
ところで従来の方法によれば、内層配線導体が形成された銅張積層板の両面に絶縁シートおよび銅箔を積層し、これらを加圧および加熱して配線基板本体用の積層体を得る際に、銅張積層板の開口部に対応する領域には銅箔からなる導体が存在しないことから、開口部に対応する領域においては十分な圧力が付与されずに銅張積層板と絶縁シートとが強固に密着せずに剥離が発生することがあった。開口部に対応する領域は配線基板本体用の積層体を形成した後に刳り抜かれる領域であり、そのような剥離があっても問題ないと考えられていたが、開口部に対応する領域において銅張積層板と絶縁シートとが強固に密着していないと、開口部に対応する領域を刳り抜く際に発生する剥離が配線基板本体に対応する領域Aまで進行し、配線基板本体にける開口部近傍のコア基板とこれに積層された絶縁層との間に僅かな隙間が形成されてしまい、このような隙間を介して配線基板本体の内部に水分が侵入して内層配線導体に腐食を発生させたり電気的な絶縁信頼性を低下させてしまったりするという問題点があることが分かった。
特開平6−142153号公報
本発明は、かかる問題点に鑑み案出されたものであり、その課題は、配線基板本体における開口部近傍のコア基板と絶縁層との間に隙間が形成されることがなく、それにより内層配線導体に腐食が発生することがなく、かつ電気的な絶縁信頼性に優れる配線基板を得るこが可能な配線基板の製造方法を提供することにある。
本発明の配線基板の製造方法は、絶縁板の両面に銅箔から成る内層配線導体が被着形成されたコア基板と、該コア基板の両面に積層された絶縁層と、該絶縁層の表面に被着された表層配線導体とを具備し、その中央部の上面から下面にかけて貫通する半導体素子収納用の開口部を有する配線基板本体と、該配線基板本体の下面に前記開口部を塞ぐように接合され、該開口部内の上面に半導体素子が搭載される放熱板とから成る配線基板の製造方法であって、前記絶縁板を形成するための平板状の絶縁基材の両面に前記内層配線導体を形成するための銅箔が積層されて成り、前記配線基板本体に対応する領域および前記開口部に対応する領域を有する銅張積層板を準備する工程と、前記銅張積層板の前記銅箔をエッチング加工して前記配線基板本体に対応する領域の両面に前記銅箔から成る前記内層配線導体を形成するとともに前記開口部に対応する領域の両面に前記銅箔から成るダミー導体を形成する工程と、前記内層配線導体および前記ダミー導体が加工形成された前記銅張積層板の両面に前記配線基板本体に対応する領域および前記開口部に対応する領域にわたって前記絶縁層を形成するための絶縁シートおよび前記表層配線導体を形成するための銅箔を積層して配線基板本体用の積層体を形成する工程と、前記積層体における前記開口部に対応する領域を刳り抜く工程とを備えることを特徴とするものである。
さらに本発明の配線基板の製造方法は、前記ダミー導体がドット状のパターンであることを特徴とするものである。
本発明の配線基板の製造方法によれば、コア基板用の銅張積層板における配線基板本体に対応する領域の両面に銅箔から成る内層配線導体を形成するとともに開口部に対応する領域の両面に銅箔から成るダミー導体を形成し、その上に絶縁層用の絶縁シートおよび表層配線導体用の銅箔を積層することから、これらを加圧および加熱して配線基板本体用の積層体を得る際に、開口部に対応する領域においても十分な圧力が付与され強固に密着する。したがって、配線基板用の積層体における開口部に対応する領域を刳り抜く際にもコア基板とこれに積層された絶縁層との間に剥離が発生することはなく、それにより内層配線導体に腐食が発生することがなく、かつ電気的な絶縁信頼性に優れる配線基板を得ることが可能な配線基板の製造方法を提供することができる。
さらに、ダミーパターンをドット状のパターンとした場合、積層時のエアー抜け性が良く、強固に密着させることができるという利点がある。
次に、本発明の配線基板の製造方法を図1(a)〜(e)および図2(f),(g)に基づいて詳細に説明する。これらの図は本発明の配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図であり、これらの図で示した工程を経ることにより図3に示した配線基板が製造される。また、これらの図において、1は絶縁板、2は内層配線導体、3はコア基板、4は絶縁層、5は表層配線導体であり、1aは絶縁板1を形成するための絶縁基材、2aは内層配線導体2を形成するための銅箔、3aはコア基板3用の銅張積層板、4aは絶縁層4を形成するための絶縁シート、5aは表層配線導体5を形成するための銅箔である。なお、これらの図においては、図4(a)〜(e)の場合と同様に、配線基板本体6の1個分に対応する領域を抜き出して示している。
先ず、図1(a)に示すように、ガラスクロス基材にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた平板状の絶縁基材1Pの両面に銅箔2Pが積層された銅張積層板3Pを準備する。絶縁基材1Pは絶縁板1を形成するためのものであり、銅箔2Pは内層配線導体2および後述するダミー導体2Dを形成するためのものである。この張銅張積層板3Pからコア基板3が作成され、配線基板本体6に対応する領域Aと開口部6aに対応する領域Bとを有している。なお、絶縁基材1Pの厚みは0.06〜1.40mm程度であり、銅箔2Pの厚みは7〜35μm程度である。
次に、図1(b)に示すように、銅張積層板3Pの両面の銅箔2Pを所定のパターンにエッチングして配線基板本体6に対応する領域Aの両面に内層配線導体2を形成するとともに開口部6aに対応する領域Bの両面にダミー導体2Dを形成する。ダミー導体2Dは、例えば直径が30〜500μm程度の円形または多角形のドット状のパターンにより形成されていることが好ましく、隣接するドット同士の間隔が30〜500μmであることが好ましい。それにより後述するように銅張積層板3Pの両面に絶縁シート4Pおよび銅箔5Pを積層して加圧および加熱する際に銅張積層板3Pと絶縁シート4Pとの間のエア抜け性が向上する。なお、領域Bの面積に対するダミー導体2Dの面積比率は、領域Aの面積に対する内層配線導体2の面積比率の0.7〜1.3倍の範囲が好ましい。このような範囲にすることによって銅張積層板3Pの両面に絶縁シート4Pおよび銅箔5Pを積層して加圧および加熱する際に、全領域を略均一に加圧することができる。なおダミー導体2Dはドット状のパターンに限られず、ストライブ状のパターンやメッシュ状あるいはベタ状のパターンであってもよい。
次に、図1(c)に示すように、ガラスクロス基材に未硬化のエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂成分を含浸させた未硬化の絶縁シート(プリプレグ)4Pと銅箔5Pとを準備する。絶縁シート4Pは絶縁層4を形成するためのものであり、銅箔5Pは表層配線導体5を形成するためのものである。これらの絶縁シート4Pおよび銅箔5Pも配線基板本体6に対応する領域Aおよび開口部6aに対応する領域Bを有している。なお、絶縁シート4Pの厚みは0.02〜0.15mm程度であり、銅箔5Pの厚みは3〜35μm程度である。
次に、図1(d)に示すように、配線基板本体6に対応する領域Aの両面に内層配線導体2が形成されているとともに開口部6aに対応する領域Bの両面にダミー導体2Dが形成された銅張積層板3Pの両面に未硬化の絶縁シート4Pおよび銅箔5Pを積層し、これらをプレス装置により加圧しながら加熱して絶縁シート4Pを熱硬化させることにより配線基板本体6用の積層体6Pを得る。このとき、銅張積層板3Pの領域Bにはその両面に銅箔からなるダミー導体2Dが形成されているので、領域Bにおいても領域Aと同様に十分な圧力が付与され、積層体6Pの全領域において銅張積層板3Pと絶縁シート4Pとが強固に密着する。なお、加圧および加熱にはヒータを備えたプレス装置が用いられ、加圧の圧力は0.3〜5.0MPa、加熱の温度は180〜240℃、加熱および加圧の時間は2〜6時間程度である。
次に、図1(e)に示すように、積層体6Pにおける開口部6aに対応する領域Bをルータ等の切削装置を用いて刳り抜くことにより開口部6aを形成する。なお、領域Aにはスルーホール9を穿孔する。このとき、積層体6Pは銅張積層板3Pの領域Bの両面には銅箔からなるダミー導体2Dが形成されており、それによりその全領域において銅張積層板3Pと絶縁シート4Pとが強固に密着しているので、この積層体6Pにおける開口部6aに対応する領域Bを刳り抜く際にもコア基板3とこれに積層された絶縁層4との間に剥離が発生することはない。したがって、内層配線導体2に腐食が発生することがなく、かつ電気的な絶縁信頼性に優れる配線基板を得るこが可能となる。
次に、図2(f)に示すように、開口部6aの内壁およびスルーホール9の内壁ならびに銅箔5Pの表面に無電解銅めっきおよび電解銅めっきを施すとともに所謂半田剥離法により表層配線導体5およびスルホール導体を形成し、さらに孔埋め樹脂10およびレジスト層11を形成することにより本発明による配線基板本体6が完成し、しかる後、図2(g)に示すように、配線基板本体6の下面に銅板から成る放熱板8を接着剤層7を介して接合することにより半導体素子Sを搭載するための配線基板が完成する。
(a)〜(e)は、本発明の配線基板の製造方法を説明するための概略断面図である。 (f),(g)は、本発明の配線基板の製造方法を説明するための概略断面図である。 従来および本発明の製造方法により製造される配線基板の概略断面図である。 (a)〜(e)は、従来の配線基板の製造方法を説明するための概略断面図である。
符号の説明
1:絶縁板
1P:絶縁板1を形成するための絶縁基材
2:内層配線導体
2P:内層配線導体を形成するための銅箔
3:コア基板
3P:コア基板3用の銅張積層板
4:絶縁層
4P:絶縁層4を形成するための絶縁シート
5:表層配線導体
5P:表層配線導体を形成するための銅箔
6:配線基板本体
6P:配線基板本体6用の積層体

Claims (2)

  1. 絶縁板の両面に銅箔から成る内層配線導体が被着形成されたコア基板と、該コア基板の両面に積層された絶縁層と、該絶縁層の表面に被着された表層配線導体とを具備し、その中央部の上面から下面にかけて貫通する半導体素子収納用の開口部を有する配線基板本体と、該配線基板本体の下面に前記開口部を塞ぐように接合され、該開口部内の上面に半導体素子が搭載される放熱板とから成る配線基板の製造方法であって、前記絶縁板を形成するための平板状の絶縁基材の両面に前記内層配線導体を形成するための銅箔が積層されて成り、前記配線基板本体に対応する領域および前記開口部に対応する領域を有する銅張積層板を準備する工程と、前記銅張積層板の前記銅箔をエッチング加工して前記配線基板本体に対応する領域の両面に前記銅箔から成る前記内層配線導体を形成するとともに前記開口部に対応する領域の両面に前記銅箔から成るダミー導体を形成する工程と、前記内層配線導体および前記ダミー導体が加工形成された前記銅張積層板の両面に前記配線基板本体に対応する領域および前記開口部に対応する領域にわたって前記絶縁層を形成するための絶縁シートおよび前記表層配線導体を形成するための銅箔を積層して配線基板本体用の積層体を形成する工程と、前記積層体における前記開口部に対応する領域を刳り抜く工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
  2. 前記ダミー導体がドット状のパターンであることを特徴とする請求項1記載の配線基板の製造方法。
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