JP2009239067A - 結合部材およびプラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマ処理装置の各構成部材が熱応力によって損害を受けることを回避する。
【解決手段】 プラズマを用いて基板を処理するプラズマ処理装置１の複数の構成部材を結合する結合部材４６であって、一方の構成部材４５を貫通し、他方の構成部材４０にねじ止めされるねじ棒部７２と、一方の構成部材４５を支持する、ねじ棒部７２よりも大きい径を有する頭部７０と、ねじ棒部７２と頭部７０との間に配置された弾性部７１を有し、弾性部７１は、ねじ棒部７２と頭部７０よりも外力に対する変形率が大きい。
【選択図】図２

Description

本発明は、例えば半導体ウェハやＬＣＤ用基板等の基板にプラズマエッチング処理等を施すプラズマ処理装置に関し、更に、プラズマ処理装置に好適に用いられる結合部材に関する。

従来から、プラズマによって、半導体ウェハやＬＣＤ用基板等の基板を処理するプラズマ処理装置が利用されている。例えば、半導体装置の製造工程においては、被処理基板としての半導体ウェハに、微細な電気回路を形成するための技術として、半導体ウェハ上に形成された酸化膜等を、プラズマを用いてエッチングして除去するプラズマエッチング処理装置が利用されている。

かかるプラズマ処理装置では、気密に閉塞された処理容器内に配置された下部電極（サセプタ）の上面に半導体ウェハが載置されるようになっている。また、処理容器内にプラズマを発生させる手段には、種々のタイプが知られている。そのうち、上下に対向するように設けられた一対の平行平板電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させるタイプの装置では、処理容器内において下部電極に対向して上部電極が配置されている。そして、これら上部電極と下部電極の一方または両方に高周波電力が付与されて、処理容器内にプラズマが生成され、エッチングが行われる（例えば、特許文献１〜３参照）。

特開２００４−９５９０９号公報 特開２００５−２３６１３８号公報 特開２００６−１６５０９３号公報

ところで、プラズマ処理中は、上部電極の下面や下部電極の周面などが、処理容器内に発生させられたプラズマに曝される。上部電極や下部電極は、導電性のあるアルミニウムなどの金属で構成されるが、金属がプラズマに曝されるとコンタミネーションを発生させてしまう。このため、上部電極の下面や下部電極の周面などには、石英などの保護部材が取り付けられている。この場合、従来はベスペル（登録商標）などの耐熱性プラスチックからなるねじを用いて、上部電極の下面や下部電極の周面などに保護部材が取り付けられている。

一方、プラズマ処理中、下部電極上に載置された半導体ウェハを所望の温度にする必要がある。そこで、下部電極を所望の温度に調節し、半導体ウェハに熱を伝達させて、半導体ウェハの温度を調節している。また、半導体ウェハの温度を一定に維持するために、上部電極なども所望の温度に調節されている。更に、処理容器内に生成されたプラズマなどの影響で、処理容器の壁面や上部電極などは温度上昇される。このように、プラズマ処理装置における上部電極や下部電極などの各構成部材には、プラズマ処理に伴う温度変化が発生する。

しかしながら、プラズマ処理装置の各構成部材は、全部が同じ材質というわけではなく、各構成部材の用途に応じて、それぞれの材質が選択されている。例えば、上述のように、上部電極や下部電極は、アルミニウムなどの金属であるが、その表面に取り付けられる保護部材は石英などである。このため、プラズマ処理装置の各構成部材の線膨張係数は区々であり、プラズマ処理に伴う温度変化により、各構成部材は熱応力を受けることになる。

そして、この熱応力の影響で、プラズマ処理装置の各構成部材や、それらを固定しているねじ等の結合部材を破損するといった問題があった。また、破損に至らずとも、各構成部材の変形を生じてしまう問題があった。

本発明の目的は、プラズマ処理装置の各構成部材が熱応力によって損害を受けることを回避することにある。

かかる目的を達成するために、本発明によれば、プラズマを用いて基板を処理するプラズマ処理装置の複数の構成部材を結合する結合部材であって、一方の構成部材を貫通し、他方の構成部材にねじ止めされるねじ棒部と、一方の構成部材を支持する、前記ねじ棒部よりも大きい径を有する頭部と、前記ねじ棒部と前記頭部との間に配置された弾性部を有し、前記弾性部は、前記ねじ棒部と前記頭部よりも外力に対する変形率が大きいことを特徴とする、結合部材が提供される。

この結合部材において、前記頭部の表面から、前記頭部と前記弾性部を貫通し、前記ねじ棒部の内部に達する穴が設けられていても良い。この場合、前記穴が複数設けられていても良い。また、前記複数の穴が、前記ねじ棒部の中心軸に対して対称の位置に設けられていても良い。

前記弾性部は、外力に対する変形率が相対的に大きい変形層と、外力に対する変形率が相対的に小さい剛体層を有しても良い。

また、前記弾性部には、基端側の径が相対的に小さく、先端側の径が相対的に大きい突出部が形成され、前記頭部には、前記突出部の基端側の径以上で先端側の径未満の径を有する係合穴が設けられていても良い。また、前記弾性部には、基端側の径が相対的に小さく、先端側の径が相対的に大きい突出部が形成され、前記ねじ棒部には、前記突出部の基端側の径以上で先端側の径未満の径を有する係合穴が設けられていても良い。

また、前記弾性部を貫通し、前記頭部と前記ねじ棒部を連結する芯材を有しても良い。この場合、前記頭部は、前記芯材に対して回転自在であっても良い。

また、本発明によれば、プラズマを用いて基板を処理するプラズマ処理装置であって、複数の構成部材が、前記結合部材で結合されていることを特徴とする、プラズマ処理装置が提供される。

このプラズマ処理装置において、前記複数の構成部材は、上部電極と、前記上部電極の下面に取り付けられる保護部材であっても良い。この場合、前記上部電極は例えばアルミニウムであり、前記保護部材は例えば石英である。

本発明によれば、プラズマ処理装置の複数の構成部材において、一方の構成部材と他方の構成部材の間に生ずる熱応力を、構成部材同士を結合している結合部材に設けられた弾性部の変形によって吸収し、両者間の熱応力を減少させることができる。そして、熱応力の減少により、プラズマ処理装置の各構成部材が破損しにくくなり、変形も回避できるようになる。

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照にして説明する。図１は、本発明の実施の形態にかかるプラズマ処理装置１の説明図である。図２は、上部電極４０の下面に対する保護部材４５の取り付け構造を示す部分拡大図である。なお、以下では、基板としての半導体ウェハ（ウェハＷ）をプラズマエッチング処理するプラズマ処理装置１について説明する。本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

プラズマ処理装置１は、例えばアルミニウムなどの導電性材料から成る円筒形状あるいは矩形状に成形された処理容器１０を有している。処理容器１０内には、モータなどの昇降機構１１により昇降運動自在に構成された、基板としてのウェハＷを載置させるための略円筒状の下部電極（サセプタ）１２が収容される。下部電極１２は、アルミニウムなどの導電性材料で構成される。下部電極１２の内部には、温度調節機構としての熱媒循環流路１３が設けられている。

熱媒循環流路１３には、図示しない温調手段により適当な温度に温調された熱媒が熱媒導入管１５を介して導入される。熱媒導入管１５から導入された熱媒は熱媒循環流路１３内を循環し、これにより、下部電極１２が所望の温度に調整される。そして、下部電極１２の熱が、下部電極１２の上面に載置されたウェハＷに伝達されて、ウェハＷが所望の温度に調節される。

なお、下部電極１２の温度を調節する温度調節機構は、冷却ジャケット、ヒータ等、その他の機構を用いることもできる。

下部電極１２の上部は、ウェハＷを静電吸着するための静電チャック２０に構成されている。静電チャック２０は、ウェハＷと同程度の直径の円板形状である。静電チャック２０は、ポリイミド樹脂などの高分子絶縁材料からなる２枚のフィルム２１、２２の間に、銅箔などの導電膜２３を配置した構造である。導電膜２３は、配線２４、コイル等のフィルタ２５を介して高圧電源２６に接続されている。プラズマ処理時には、高圧電源２６から、フィルタ２５で高周波をカットされた高圧電力（直流電圧）が、導電膜２３に付与される。こうして導電膜２３に付与された高圧電力で発生されたクーロン力により、下部電極１２の上面（静電チャック２０の上面（以下、同様））にウェハＷが静電吸着させられる。

下部電極１２の上面には、ウェハＷの裏面に向けて伝熱ガスを供給する多数の伝熱ガス供給穴３０が複数個所に設けられている。各伝熱ガス供給穴３０には、伝熱ガス供給管３１が接続されており、図示しないガス源よりヘリウムなどの伝熱ガスが、下部電極１２の上面とウェハＷの裏面との間に形成される微小空間に、例えば５Ｔｏｒｒ以上の圧力で供給される。これにより、下部電極１２の上面からウェハＷに効率よく熱が伝達される。

下部電極１２の上面の周囲には、下部電極１２の上面に載置されたウェハＷの外周を囲むように、環状のフォーカスリング３２が配置されている。フォーカスリング３２は、反応性イオンを引き寄せない絶縁性または導電性の材料からなり、反応性イオンを、内側のウェハＷにだけ効果的に入射せしめるように作用する。

下部電極１２と処理容器１０の内壁との間には、複数のバッフル孔が設けられた排気リング３３が配置されている。この排気リング３３により、処理ガスが処理容器１０内から均一に排気される。

下部電極１２の下面には、中空に成形された導体よりなる給電棒３５が接続されている。給電棒３５には、ブロッキングコンデンサなどから成る整合器３６を介して、第１の高周波電源３７が接続されている。プラズマ処理時には、第１の高周波電源３７から、例えば２ＭＨｚの高周波電力が、下部電極１２に付与される。

下部電極１２の上方には、上部電極４０が配置されている。上部電極４０は、アルミニウムなどの導電性材料で構成される。下部電極１２の上面と上部電極４０の下面は、互いに平行に、所定の間隔をあけて対向して配置されている。下部電極１２の上面と上部電極４０の下面の間隔は、昇降機構１１により調整される。

上部電極４０には、ブロッキングコンデンサなどから成る整合器４１を介して第２の高周波電源４２が接続されている。プラズマ処理時には、第２の高周波電源４２から、例えば６０ＭＨｚの高周波電力が、上部電極４０に付与される。このように、第１の高周波電源３７と第２の高周波電源４２から下部電極１２と上部電極４０に高周波電力が付与されることにより、処理容器１０の内部にプラズマが生成される。

上部電極４０の下面には、保護部材４５が取り付けられている。保護部材４５は、例えば石英からなり、上部電極４０の下面全体が、保護部材４５によって覆われており、上部電極４０の下面は、処理容器１０の内部に露出していない。

図２に示すように、保護部材４５は、上部電極４０の下面に、結合部材４６を用いて固定されている。保護部材４５の下面には、結合部材４６の頭部７０を収納する凹部４５’が形成されている。なお、結合部材４６の構成については、後に説明する。

上部電極４０の内部には中空部５０が形成されている。中空部５０には、処理ガス供給管５１が接続されている。処理ガス源５２から供給される処理ガスが、流量制御器（ＭＦＣ）５３で流量制御され、処理ガス供給管５１を介して、上部電極４０の中空部５０に導入される。処理ガスには、例えば、テトラフルオロメタン（ＣＦ_４）ジフルオロメタン（ＣＨ_２Ｆ_２）、酸素（Ｏ_２）等を含むプロセスガスが用いられる。

中空部５０の内部には、処理ガスの均一拡散を促進するためのバッフル板５５が設けられている。バッフル板５５には、多数の小孔が設けられている。上部電極４０の下面には、中空部５０から処理容器１０の内部に処理ガスを噴出させる多数の処理ガス噴出口５６が設けられている。

処理容器１０の下方には、真空ポンプなどからなる排気系に連通する排気管５７が接続されている。この排気管５７を通じて、処理容器１０の内部の圧力は、例えば１００ｍＴｏｒｒ以下に減圧される。

処理容器１０の側方には、ゲートバルブ６０を介してロードロック室６１が設置されている。ロードロック室６１の内部には、搬送アーム６２を備えた搬送機構６３が設置されている。ゲートバルブ６０を開き、搬送アーム６２によってウェハＷが、処理容器１０内に搬入され、処理容器１０内から搬出される。

図３は、結合部材４６の平面図、図４は、図３中のＸ−Ｘ断面における結合部材４６の縦断面図である。これら図３、４に示すように、結合部材４６は、頭部７０、弾性部７１、ねじ棒部７２で構成される。弾性部７１とねじ棒部７２は、同程度の直径を有する円筒形状である。ねじ棒部７２の周面には、ねじ山７３が設けられている。頭部７０は、弾性部７１およびねじ棒部７２よりも大きい直径の円板形状である。頭部７０、弾性部７１、ねじ棒部７２は、共通の中心軸Ｏを有し、頭部７０の下面中央に弾性部７１の上面が接合され、弾性部７１の下面にねじ棒部７２の上面が接合されることにより、一体的に結合部材４６が構成されている。なお、頭部７０と弾性部７１の接合、弾性部７１とねじ棒部７２の接合は、例えば加硫接合によって行われる。

頭部７０とねじ棒部７２は、例えばベスペル（登録商標）などの耐熱性プラスチック、金属などからなり、弾性部７１よりも、外力に対する変形率が小さい材料からなる。弾性部７１は、例えばゴム、樹脂などの弾性材料からなり、頭部７０とねじ棒部７２よりも、外力に対する変形率が大きい材料からなる。

結合部材４６には、頭部７０の表面（上面）に開口する２つの穴７５、７５が設けられている。この穴７５は、頭部７０の表面から、頭部７０と弾性部７１を貫通し、ねじ棒部７２の内部にまで到達する深さに形成されている。

２つの穴７５、７５は、いずれも中心軸Ｏと平行であり、かつ、中心軸Ｏから適当な間隔を開けて、同心円状に配置されている。また、２つの穴７５、７５は、中心軸Ｏに対して対称の位置に設けられている。即ち、中心軸Ｏを中心に、１８０°の対象位置に、２つの穴７５、７５が位置している。

図５は、結合部材４６を回転させるための工具８０の説明図である。工具８０は、棒状のレバー８１と、レバー８１の先端部８１’に取り付けられた、２つの突起８２を備えている。２つの突起８２は、結合部材４６の２つの穴７５、７５に同時に挿入される位置関係になっている。また、２つの突起８２は、いずれも結合部材４６の２つの穴７５、７５の最深部まで挿入される長さを有している。

図２に示すように、上部電極４０の下面に保護部材４５を取り付ける場合、保護部材４５に形成された開口部４５”に結合部材４６のねじ棒部７２を通し、結合部材４６を回転させて、ねじ棒部７２を上部電極４０にねじ止めする。この場合、工具８０の突起８２を結合部材４６の穴７５にそれぞれ挿入させて、レバー８１の基端部８１”を回転させることにより、ねじ棒部７２のねじ止めを容易に行うことができる。また、各突起８２を結合部材４６の２つの穴７５、７５の最深部まで挿入してレバー８１の先端部８１”を回転させることにより、レバー８１に加えたモーメントが、結合部材４６のねじ棒部７２に直接働くことになる。このため、結合部材４６のねじ棒部７２を上部電極４０に確実にねじ止めして固定できる。

このように、結合部材４６のねじ棒部７２が上部電極４０にねじ止めされることによって、保護部材４５の下面が結合部材４６の頭部７０で支持されている。なお、先に図２に示したように、保護部材４５の下面を結合部材４６の頭部７０で支持した状態では、結合部材４６の頭部７０が保護部材４５の下面に形成された凹部４５’に収納される。

以上のように構成されたプラズマ装置１において、ゲートバルブ６０が開かれ、処理対象であるウェハＷが、搬送アーム６２によって処理容器１０内に搬入され、下部電極１２の上面に載置される。その後、搬送アーム６２が処理容器１０内から退出し、ゲートバルブ６０が閉じられる。

次に、処理容器１０内において、下部電極１２の上面に載置されたウェハＷに対するプラズマ処理が開始される。プラズマ処理中、処理容器１０の内部は、排気管５７を通じて、例えば１００ｍＴｏｒｒに減圧される。また、処理ガス源５２から供給された処理ガスが、上部電極４０の下面の処理ガス噴出口５６から、処理容器１０の内部に均一に供給される。

そして、第１の高周波電源３７から下部電極１２に、例えば２ＭＨｚの高周波電力が付与され、第２の高周波電源４２から上部電極４０に、例えば６０ＭＨｚの高周波電力が付与される。これにより、処理容器１０の内部に供給された処理ガスがプラズマ化され、ウェハＷに対するプラズマ処理が行われる。

また、プラズマ処理中は、所定の直流電圧に設定された高圧電力が、高圧電源２６から静電チャック２０の導電膜２３に付与される。こうして静電チャック２０に付与された高圧電力で発生されたクーロン力により、下部電極１２の上面にウェハＷが静電吸着させられる。

そして、処理容器１０内における所定のプラズマ処理が終了すると、排気管５７を通じた減圧が停止され、処理容器１０内への処理ガスの供給も停止される。また、下部電極１２および上部電極４０への高周波電力ＲＦの付与が停止され、下部電極１２（静電チャック２０）への高圧電力ＨＶの付与も停止される。

そして、ウェハＷへのプラズマ処理が終了すると、ゲートバルブ６０が開かれ、処理済みのウェハＷが、搬送アーム６２によって処理容器１０内から搬出される。

かかるプラズマ処理装置１において、プラズマ処理中、下部電極１２上に載置されたウェハＷを所望の温度にするため、下部電極１２や上部電極４０、処理容器１０などの各構成部材は、所望の温度に調節される。また、プラズマ処理に伴う入熱により、これら各構成部材には温度変化が生ずる。そして、この温度変化に起因して、各構成部材は熱膨張する。

例えば、プラズマ処理装置１の構成部材として、保護部材４５と上部電極４０を例にして具体的に説明すると、一方の構成部材である保護部材４５は例えば石英からなり、石英の線膨張係数は５．９ｅ−７／℃（２０〜１００℃）程度である。また、他方の構成部材である上部電極４０は例えばアルミニウムからなり、アルミニウムの線膨張係数は２３．８ｅ−６／℃（２０〜１００℃）程度である。このため、温度変化によって保護部材４５と上部電極４０が熱膨張した場合、保護部材４５の膨張量よりも上部電極４０の膨張量が大きくなる。

この実施の形態で示したプラズマ処理装置１にあっては、上部電極４０の下面に保護部材４５を取り付けている結合部材４６により、上部電極４０と保護部材４５の膨張量の相違が緩和される。即ち、上部電極４０にねじ止めされたねじ棒部７２と、保護部材４５の下面を支持している頭部７０との間には、ゴム、樹脂等の弾性材料からなる弾性部７１が設けられている。このため、保護部材４５と上部電極４０の間で熱膨張量が相違した場合、弾性部７１が変形して、保護部材４５と上部電極４０相互間に加わる熱応力を減少させることができる。この熱応力の減少により、保護部材４５と上部電極４０の破損や変形が回避される。また、弾性部７１の変形により、結合部材４６全体にも過大な応力が加わらなくなり、結合部材４６の破損も防止できる。

以上、本発明の好ましい実施の形態の一例を説明したが、本発明は図示の形態に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

図６に示すように、結合部材４６の弾性部７１は、外力に対する変形率が相対的に大きい変形層８５と、外力に対する変形率が相対的に小さい剛体層８６によって構成しても良い。この場合、変形層８５は、例えばゴム、樹脂などの弾性材料からなり、剛体層８６は、例えばベスペル（登録商標）などの耐熱性プラスチック、金属などからなる。このように、結合部材４６の弾性部７１に、剛体層８６を部分的に設けることにより、結合部材４６全体の強度を向上させることができる。

図７に示すように、弾性部７１の上下に突出部８７、８８を形成し、これら突出部８７、８８を利用して、頭部７０と弾性部７１の接合、弾性部７１とねじ棒部７２の接合を行っても良い。上の突出部８７は、基端側８７’の径が相対的に小さく、先端側８７”の径が相対的に大きい。頭部７０には、突出部８７の基端側８７’の径以上で先端側８７”の径未満の径を有する係合穴９０が設けられている。そして、突出部８７の先端側８７”を頭部７０の係合穴９０に通して、頭部７０の上面側で先端側８７”を広げることによって、頭部７０と弾性部７１を接合させることができる。なお、このように突出部８７を利用して頭部７０と弾性部７１の接合させることに加えて、頭部７０と弾性部７１を加硫接合しても良い。

下の突出部８８も同様に、基端側８８’の径が相対的に小さく、先端側８８”の径が相対的に大きい。ねじ棒部７２には、突出部８８の基端側８８’の径以上で先端側８８”の径未満の径を有する係合穴９１が設けられている。そして、突出部８８の先端側８８”をねじ棒部７２の係合穴９１に通して、ねじ棒部７２の下面側で先端側８８”を広げることによって、ねじ棒部７２と弾性部７１を接合させることができる。なお、このように突出部８８を利用してねじ棒部７２と弾性部７１の接合させることに加えて、ねじ棒部７２と弾性部７１を加硫接合しても良い。

図８に示すように、結合部材４６の内部において、弾性部７１を貫通させて芯材９２を配置し、この芯材９２によって、頭部７０とねじ棒部９２を連結させても良い。芯材９２には、例えばワイヤ、バネ材等、柔軟性のある部材を用い、頭部７０と芯材９２の上端およびねじ棒部９２と芯材９２の下端を、例えば溶接等によりそれぞれ固定する。このように、芯材９２によって頭部７０とねじ棒部９２を連結させることにより、結合部材４６の軸方向における弾性部７１の伸びを抑制できる。例えば、結合部材４６によって、上部電極４０の下面に保護部材４５を取り付けた場合、弾性部７１の伸びを抑制することにより、保護部材４５の荷重を確実に支持でき、上部電極４０の下面に保護部材４５を確実に取り付けておくことができる。

図９に示すように、芯材９２の上端に球状のストッパ９３を設け、このストッパ９３によって、頭部７０の上面を抑えるようにしても良い。この場合、頭部７０は芯材９２の上端に対して固定せず、ストッパ９３によって上面を抑えられた状態で、ストッパ９３を中心に頭部７０が回転できる構成にする。かかる構成によれば、頭部７０が、芯材９２に対して回転自在であるため、例えば保護部材４５の傾きなども吸収できるようになる。

なお、結合部材４６を回転させるための穴７５を２箇所に設ける例を説明した。しかし、穴７５を２箇所に限られない。例えば、結合部材４６の中心軸Ｏに対して対称の位置に、３つ以上の穴７５を設けても良い。

図５では、棒状のレバー８１を備える工具８０を説明した。しかし、工具８０は、種々のものが考えられる。例えば、図１０に示すように、丸棒形状の軸９５の先端面に突起８２を取り付けても良い。このような軸９５の先端面に突起８２を取り付けた工具８０を用いれば、狭い限られた空間でも結合部材４６を回転させることができるようになる。

なお、以上では、プラズマ処理装置１の構成部材として、保護部材４５と上部電極４０を例にして説明した。しかし、本発明が適用されるプラズマ処理装置１の構成部材はこれらに限定されない。例えば、下部電極１２や処理容器１０も、それぞれ複数の構成部材で構成されている。本発明は、下部電極１２や処理容器１０の構成部材についても、同様に適用できる。

また、一対の平行平板電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させるプラズマ処理装置を例示したが、本発明は、マイクロ波を用いてプラズマを発生させるプラズマ処理装置についても同様に適用できる。また、プラズマエッチング装置を例に挙げて説明したが、その他にも、処理容器内でプラズマ処理を行う各種装置、例えばプラズマＣＶＤ装置、アッシング装置などにも適用することが可能である。また、本発明のプラズマ処理装置で処理される基板は、半導体ウェハ、有機ＥＬ基板、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用の基板等のいずれのものであってもよい。

本発明は、例えば半導体の製造分野に適用できる。

本発明の実施の形態にかかるプラズマ処理装置の説明図である。 上部電極の下面に対する保護部材の取り付け構造を示す部分拡大図である。 結合部材の平面図である。 図３中のＸ−Ｘ断面における結合部材の縦断面図である。 結合部材を回転させるための工具の説明図である。 弾性部が変形層と剛体層によって構成された結合部材の縦断面図である。 突出部を利用して頭部と弾性部の接合、弾性部とねじ棒部の接合を行った結合部材の縦断面図である。 芯材を設けた結合部材の縦断面図である。 芯材の上端に球状のストッパを設けた結合部材の縦断面図である。 図５と異なる工具の説明図である。

符号の説明

Ｗ ウェハ
１ プラズマ処理装置
１０ 処理容器
１２ 下部電極
１３ 熱媒循環流路
２０ 静電チャック
２６ 高圧電源
３０ 伝熱ガス供給穴
３７ 第１の高周波電源
４０ 上部電極
４２ 第２の高周波電源
４５ 保護部材
４６ 結合部材
５２ 処理ガス源
５７ 排気管
６０ ゲートバルブ
６１ ロードロック室
６２ 搬送アーム
７０ 頭部
７１ 弾性部
７２ ねじ棒部
７５ 穴
８０ 工具

Claims (12)

1. プラズマを用いて基板を処理するプラズマ処理装置の複数の構成部材を結合する結合部材であって、
   一方の構成部材を貫通し、他方の構成部材にねじ止めされるねじ棒部と、
   一方の構成部材を支持する、前記ねじ棒部よりも大きい径を有する頭部と、
   前記ねじ棒部と前記頭部との間に配置された弾性部を有し、
   前記弾性部は、前記ねじ棒部と前記頭部よりも外力に対する変形率が大きいことを特徴とする、結合部材。
2. 前記頭部の表面から、前記頭部と前記弾性部を貫通し、前記ねじ棒部の内部に達する穴が設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の結合部材。
3. 前記穴が複数設けられていることを特徴とする、請求項２に記載の結合部材。
4. 前記複数の穴が、前記ねじ棒部の中心軸に対して対称の位置に設けられていることを特徴とする、請求項３に記載の結合部材。
5. 前記弾性部は、外力に対する変形率が相対的に大きい変形層と、外力に対する変形率が相対的に小さい剛体層を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の結合部材。
6. 前記弾性部には、基端側の径が相対的に小さく、先端側の径が相対的に大きい突出部が形成され、
   前記頭部には、前記突出部の基端側の径以上で先端側の径未満の径を有する係合穴が設けられていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の結合部材。
7. 前記弾性部には、基端側の径が相対的に小さく、先端側の径が相対的に大きい突出部が形成され、
   前記ねじ棒部には、前記突出部の基端側の径以上で先端側の径未満の径を有する係合穴が設けられていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の結合部材。
8. 前記弾性部を貫通し、前記頭部と前記ねじ棒部を連結する芯材を有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の結合部材。
9. 前記頭部は、前記芯材に対して回転自在であることを特徴とする、請求項８に記載の結合部材。
10. プラズマを用いて基板を処理するプラズマ処理装置であって、
    複数の構成部材が、請求項１〜８のいずれかに記載の結合部材で結合されていることを特徴とする、プラズマ処理装置。
11. 前記複数の構成部材は、上部電極と、前記上部電極の下面に取り付けられる保護部材であることを特徴とする、請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
12. 前記上部電極はアルミニウムであり、前記保護部材は石英であることを特徴とする、請求項１１に記載のプラズマ処理装置。

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