JP2009239036A - Led substrate - Google Patents
Led substrate Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009239036A JP2009239036A JP2008083504A JP2008083504A JP2009239036A JP 2009239036 A JP2009239036 A JP 2009239036A JP 2008083504 A JP2008083504 A JP 2008083504A JP 2008083504 A JP2008083504 A JP 2008083504A JP 2009239036 A JP2009239036 A JP 2009239036A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led
- led substrate
- hole
- reflection member
- wiring board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
本発明は、LED素子に代表される発光素子を搭載するLED基板に関し、より詳細には、搭載した発光素子から発光される光を効率よく反射し、かつ放熱性のよい反射部材を有するLED基板に関する。 The present invention relates to an LED substrate on which a light emitting element typified by an LED element is mounted, and more specifically, an LED substrate having a reflecting member that efficiently reflects light emitted from the mounted light emitting element and has good heat dissipation. About.
発光素子から発光される光を反射させる反射部材として、銅箔に銅めっきや金めっきを使用したLED基板が知られているが、このようなLED基板では、LED素子からの光が赤色系の反射光となり、反射率が低下する。このため、十分な発光輝度が得難い。そこで、反射部材の表面に、銀、ニッケルなどの銀白色系の金属めっき薄膜を備えたLED基板が開示されている(特許文献1、2)。
しかしながら、反射部材の表面が銀の場合、反射率が比較的高く、初期の発光輝度は得られるものの、点灯時間と共に発光輝度が低下する経時変化が生じ易い。このため、照明用途の場合は、輝度半減寿命4万時間が目標とされるが、このような要求には対応が難しい。 However, when the surface of the reflecting member is silver, the reflectance is relatively high and an initial light emission luminance can be obtained, but a change with time in which the light emission luminance decreases with the lighting time tends to occur. For this reason, in the case of lighting applications, the luminance half life of 40,000 hours is targeted, but it is difficult to meet such demands.
また、照明用途では、発光輝度の大きいことが要求されるが、同時に発熱も大きくなるため、LED基板としての劣化が生じ易い。このため、劣化抑制のために、放熱性向上が要求されるが、上記従来技術では、反射部材にめっきを行うため、使用できる反射部材の材質が限られていた。したがって、アルミニウムのような放熱性の高い部材を使用することが難しかった。 In addition, in lighting applications, it is required to have a high emission luminance, but at the same time, heat generation also increases, so that deterioration as an LED substrate is likely to occur. For this reason, although heat dissipation improvement is requested | required in order to suppress deterioration, in the said prior art, since the reflecting member is plated, the material of the reflecting member which can be used was restricted. Therefore, it is difficult to use a member with high heat dissipation such as aluminum.
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、反射率と放熱性が高い反射部材を選択できることにより、発光効率が高く、輝度の経時的な変化が少ないうえ、高放熱性で劣化の少ないLED基板を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and by selecting a reflective member having high reflectivity and heat dissipation, it has high luminous efficiency, little change in luminance over time, and deterioration due to high heat dissipation. An object of the present invention is to provide an LED substrate with a small amount.
本発明は、次のものに関する。
(1) 反射部材と、この反射部材に接着層により接着される配線板とを備え、上記配線板が、反射部材を露出させる貫通孔を有し、この貫通孔内であって、反射部材の直上にLED素子を配置するLED基板。
(2) (1)において、配線板が、絶縁層と、その片面に回路形成面を有する片面板であり、前記回路形成面と反対の面を反射部材に接着するLED基板。
(3) (1)又は(2)において、回路形成面の高さが、LED素子高さ以下であるLED基板。
(4) (1)乃至(3)の何れかにおいて、反射部材が、その表面に酸化皮膜を有するLED基板。
(5) (1)乃至(4)の何れかにおいて、貫通孔の周縁が、回路形成面の配線回路との間に離間を有するLED基板。
The present invention relates to the following.
(1) A reflecting member and a wiring board bonded to the reflecting member by an adhesive layer, the wiring board having a through hole exposing the reflecting member, the inside of the through hole, An LED substrate on which LED elements are arranged immediately above.
(2) The LED substrate according to (1), wherein the wiring board is an insulating layer and a single-sided board having a circuit forming surface on one side thereof, and a surface opposite to the circuit forming surface is bonded to a reflecting member.
(3) In (1) or (2), the LED board whose height of a circuit formation surface is below LED element height.
(4) The LED substrate according to any one of (1) to (3), wherein the reflecting member has an oxide film on the surface thereof.
(5) In any one of (1) to (4), the peripheral edge of the through hole is spaced from the wiring circuit on the circuit forming surface.
本発明によれば、反射率と放熱性が高い反射部材を選択できることにより、発光効率が高く、輝度の経時的な変化が少ないうえ、高放熱性で劣化の少ないLED基板を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to select a reflective member having high reflectance and heat dissipation, and thus it is possible to provide an LED substrate that has high luminous efficiency, little change in luminance over time, and high heat dissipation and little deterioration. .
図1に、本発明のLED基板16の一例の断面図を示す。本発明のLED基板16は、反射部材4と、この反射部材4に接着層2により接着される配線板15とを備え、上記配線板15が、反射部材4を露出させる貫通孔3を有し、この貫通孔3内であって、反射部材4の直上にLED素子6を配置するLED基板16である。
In FIG. 1, sectional drawing of an example of the
本発明の反射部材4は、LED素子6からの発光を反射するとともに、生じた熱を放熱するためのものである。反射部材4は、LED素子6からの発光を反射し、放熱性を有し、かつ後述する接着層2により接着可能なものであれば使用できる。例えば、銅や金等の赤色系金属材料や、銀、ニッケル、アルミニウムなどの銀白色系の金属材料が挙げられる。LED素子6からの発光が青色の場合(超高輝度LED素子)は、反射部材4として、銀、ニッケル、アルミニウムなどの銀白色系の金属材料が望ましい。また、室内照明用途等で、高い発光強度とともに高放熱性が要求される場合は、反射面を鏡面に調整した、いわゆる高反射アルミニウムであって、板厚が0.1〜0.8mmのものを用いるのが望ましい。なお、高反射アルミニウムとは、金属アルミニウムの表面を鏡面に仕上げたうえで、その表面に反射率の高い酸化皮膜を形成したものである。これにより、超高輝度LED素子を搭載した場合でも、LED素子6からの発光を効率で反射でき、放熱性もよいので、高い発光強度とともに高放熱性が実現できる。このように、反射率と放熱性が高い反射部材4を選択できることにより、発光効率が高く、輝度の経時的な変化が少ないうえ、高放熱性で劣化の少ないLED基板16を提供することができる。
The reflecting member 4 of the present invention reflects light emitted from the
本発明の接着層2は、配線板15と反射部材4とを接着するものである。配線板15の絶縁層1と接着層2とを直接接着するものに限定されず、これらの間に銅箔や銅めっき等の他の部材を介在して接着するものを含む。接着層2としては、仮接着可能であるものであればよく、一般のパッケージ基板の製造において、構成材間の接着に使用されているものを使用することができる。例えば、高分子量エポキシ樹脂を主成分とする接着シート2等を使用することができる。接着シート2としては、AS−3000、AS2600W(日立化成工業株式会社製 商品名)等が例示できる。接着シート2の厚みは、LED素子6の発光面の高さが約0.1mmであるため、これと同等以下の0.01〜0.10mmとするのが好ましい。
The
本発明の配線板15は、絶縁層1と、その表層に形成された配線回路14と、これらを貫通する貫通孔3とを有する。絶縁層1は、一般のパッケージ基板に用いられるものを使用することができ、例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を含浸させた、いわゆるガラスエポキシ基板やガラスポリイミド基板を用いることができる。配線回路14は、LED素子6への電力を供給するものであり、銅箔や銅めっきをエッチングすること等により形成され、表面にはワイアボンディングやはんだ付け性を付与するため、ニッケル−金めっき12等により被覆される。配線回路14は、絶縁層1の片面または両面に形成され、配線回路14を形成した面を、回路形成面8という。貫通孔3は、配線板15と反射部材4が接着層2により一体化された際に、反射部材4が露出する領域を設けるためのものであり、この領域内にLED素子6を搭載するものである。例えば、絶縁基板をルータ、ドリル、レーザ等で加工することにより形成することができる。
The
反射部材4は、接着層2によって配線板15と接着され、貫通孔3内に表面が露出する。このような構成により、反射部材4の表面を、高反射状態(鏡面状態)のまま、貫通孔3内に露出させることができる。また、接着層2により配線板15と接着したままの状態で、めっき等を行わずに反射部材4として使用するので、反射部材4の材質を選択する際の自由度が拡大する。これにより、高反射率でかつ高放熱性である高反射アルミニウムを使用することも可能であり、LED素子6からの発光が青色の場合でも、LED素子6からの発光を高効率で反射できるので、高い発光強度が実現でき、また、反射率の経時変化も抑制される。さらに、LED素子6からの発熱が大きくても、放熱性が優れるので、長期間使用しても、熱による基板自体の劣化が少ないLED基板16を提供できる。
The reflecting member 4 is bonded to the
本発明において、LED(Light Emitting Diode)素子は、光を放射する発光素子6の一種をいう。本発明で使用するLED素子6としては、一般にLED基板16に使用されるものが使用できるが、特には青色の、いわゆる超高輝度LED素子であると、高反射率でかつ高放熱性である特徴を生かすことができるため望ましい。
In the present invention, an LED (Light Emitting Diode) element refers to a kind of
LED素子6は、貫通孔3内であって、反射部材4の直上に搭載される。つまり、貫通孔3内であって、反射部材4の露出面5に、直接、ダイボンド剤等により搭載される。これにより、LED素子6の上部が開放された状態となる。このため、LED素子6から上方への発光に、反射部材4からの反射が加わり、開放された上方への発光を高効率で実現できる。
The
配線板15が、絶縁層1と、その片面に回路形成面8を有する片面板であり、前記回路形成面8と反対の面を反射部材4に接着するのが望ましい。これにより、絶縁層1と接着層2とが接着されるので、配線回路14と接着層2とを接着する場合に比べて、高い接着強度を得ることができる。配線回路14と接着層2とを接着する場合は、配線回路14の表面を、化学研磨や機械研磨等により粗面化することで、接着強度を満足することが可能となる。
The
回路形成面8の高さが、LED素子6高さ以下であるのが望ましい。これにより、LED素子6の上面が回路形成面8と同等以上の高さになるため、少なくとも、LED素子6の上面からの発光は貫通孔3の内壁に妨げられることがないため、上方に向かう発光輝度を確保できる。
It is desirable that the height of the
反射部材4が、その表面に酸化皮膜を有するのが望ましい。つまり、反射部材4が金属の場合に、金属自体がLED素子6からの発光を反射するのではなく、金属表面に形成した酸化皮膜の反射率が高いことによって、LED素子6からの発光を高効率で反射するのが望ましい。金属は一般に腐食を起こすいため、経時的に反射率が変化しやすいが、安定な酸化皮膜を形成し、この酸化皮膜に反射機能を持たせることにより、金属の腐食の進行を抑制し、反射率の経時変化を抑制することが可能になる。このような酸化皮膜は、例えば、高反射アルミニウムを使用することで実現できる。
It is desirable that the reflecting member 4 has an oxide film on its surface. That is, when the reflecting member 4 is a metal, the metal itself does not reflect the light emitted from the
貫通孔3の周縁が、回路形成面8の配線回路14との間に離間9を有するのが望ましい。これにより、配線板15に貫通孔3を設ける際に、ルータやドリルで加工する場合、加工する部分に配線回路14がないので、バリが発生し難いため、配線板15を複数枚重ねて貫通孔3を加工する際の加工性が向上する。また、レーザで貫通孔3を加工する場合も、加工する部分に配線回路14がないので、絶縁層1のみを加工することになるため、加工が容易となる。このため、貫通孔3の仕上りが良好で、バリ除去の必要がないため、低コストでの加工が可能となる。
It is desirable that the periphery of the through-
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれに限定されない。 Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited thereto.
絶縁基板の両面に、18μmの銅箔を有した、厚さ0.06mmのCCL−HL820(三菱ガス化学株式会社製 商品名)を準備し、一方の面(L1面)だけを全面マスキングし、他方の面(L2面)の全面の銅箔をエッチングで除去した。一方の面(L1面)にエッチングにより、配線回路14を形成し、片面板を作成した。
Prepare CCL-HL820 (trade name, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) with a thickness of 18 μm on both sides of the insulating substrate, and mask only one side (L1 side). The copper foil on the entire surface of the other surface (L2 surface) was removed by etching. A
次に、配線回路14を形成した回路形成面8に、ソルダーレジスト18を形成し、必要部分に金めっき処理を行った。使用したソルダーレジスト18は、DSR−2200 W10−13(タムラ化研株式会社製 商品名)である。
Next, a solder resist 18 was formed on the
次に、ニッケル−金めっき12処理後、全面エッチングを行った面(L2面)に、接着シート2を仮付けした。使用した接着シート2は、AS−3000(日立化成工業株式会社製 商品名)の25μmタイプである。仮付け条件は、140℃、4MPa、30分である。
Next, after the nickel-
次に、接着シート2を仮付けした状態で、LED搭載部となるアルミ面を露出させるための貫通孔3の穴あけを行った。穴あけは、ドリルまたはエンドミル、レーザのいずれを用いてもよい。貫通孔3は、長径6mm×短径1mm〜長径20mm×短径2mmである。
Next, with the
次に、穴あけ後、高反射アルミニウムと、接着シート2を仮付けした状態の配線板15を、加熱加圧して本接着した。使用した高反射アルミニウムは、ACA425OE(ACA社製 商品名)、または、MIRO2(ALANOD社製 商品名)である。板厚は、0.8mmのものを用いた。本接着は、180℃、4MPa、60分の条件で行う。これにより、貫通孔3内に、高反射アルミニム板の鏡面仕上げの面が露出したLED基板16が形成される。
Next, after drilling, the highly reflective aluminum and the
1.絶縁層、2.接着層(接着シート)、3.貫通孔、4.反射部材、5.反射部材の露出面(貫通孔内露出面)、6.LED素子、8.回路形成面、9.離間、12.ニッケル−金めっき、13.金ワイヤ、14.配線回路、15.配線板、16.LED基板、17…ボンディングパッド、18…ソルダーレジスト 1. Insulation layer, 2. 2. adhesive layer (adhesive sheet); Through hole, 4. Reflective member, 5. 5. Exposed surface of reflective member (exposed surface in through hole), LED element, 8. Circuit forming surface, 9. Separation, 12. Nickel-gold plating, 13. Gold wire, 14. Wiring circuit, 15. Wiring board, 16. LED substrate, 17 ... bonding pad, 18 ... solder resist
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008083504A JP2009239036A (en) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | Led substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008083504A JP2009239036A (en) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | Led substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009239036A true JP2009239036A (en) | 2009-10-15 |
Family
ID=41252629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008083504A Pending JP2009239036A (en) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | Led substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009239036A (en) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101814574A (en) * | 2010-04-16 | 2010-08-25 | 惠州市华阳多媒体电子有限公司 | Light emitting diode base plate heat radiation structure and manufacture method thereof |
WO2012011363A1 (en) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | シャープ株式会社 | Light-emitting device and manufacturing method therefor |
CN102403436A (en) * | 2010-09-07 | 2012-04-04 | 昆山科技大学 | Method for manufacturing heat sink of semi-conductor light emitting component |
JP2012079780A (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Hitachi Chem Co Ltd | Substrate for mounting led and manufacturing method therefor |
JP2012079779A (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Hitachi Chem Co Ltd | Substrate for mounting led and manufacturing method therefor |
JP2012195587A (en) * | 2011-03-14 | 2012-10-11 | Samsung Led Co Ltd | Light-emitting element package and manufacturing method for the same |
JP2012209472A (en) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Hitachi Chem Co Ltd | Led mounting board |
JP2012212823A (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Hitachi Chem Co Ltd | Led mount substrate and method of manufacturing the same |
JP2012212824A (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Hitachi Chem Co Ltd | Led mount substrate |
JP2013183089A (en) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Idec Corp | Light emitting device, lighting device, light emitting device aggregate, and manufacturing method of light emitting device |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005117041A (en) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Agilent Technol Inc | High-power light emitting diode device |
JP2006005290A (en) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Citizen Electronics Co Ltd | Light emitting diode |
JP2007510297A (en) * | 2003-11-07 | 2007-04-19 | トリドニック オプトエレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Structure of light-emitting diode having a heat sink |
JP2007109701A (en) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Hitachi Aic Inc | Substrate for mounting light emitting element |
JP2007109945A (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Fujifilm Holdings Corp | Light source |
JP2007123329A (en) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Hitachi Aic Inc | Wiring plate for loading light-emitting element, and light-emitting device using the same |
JP2007300106A (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Taida Electronic Ind Co Ltd | Light emitting device |
JP2008022037A (en) * | 2007-10-03 | 2008-01-31 | Hitachi Chem Co Ltd | Connection member, connection structure of electrode using the same, and connection method |
JP2008041546A (en) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Showa Denko Kk | Light-emitting device, display device and cover attaching member |
-
2008
- 2008-03-27 JP JP2008083504A patent/JP2009239036A/en active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005117041A (en) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Agilent Technol Inc | High-power light emitting diode device |
JP2007510297A (en) * | 2003-11-07 | 2007-04-19 | トリドニック オプトエレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Structure of light-emitting diode having a heat sink |
JP2006005290A (en) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Citizen Electronics Co Ltd | Light emitting diode |
JP2007109701A (en) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Hitachi Aic Inc | Substrate for mounting light emitting element |
JP2007109945A (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Fujifilm Holdings Corp | Light source |
JP2007123329A (en) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Hitachi Aic Inc | Wiring plate for loading light-emitting element, and light-emitting device using the same |
JP2007300106A (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Taida Electronic Ind Co Ltd | Light emitting device |
JP2008041546A (en) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Showa Denko Kk | Light-emitting device, display device and cover attaching member |
JP2008022037A (en) * | 2007-10-03 | 2008-01-31 | Hitachi Chem Co Ltd | Connection member, connection structure of electrode using the same, and connection method |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101814574A (en) * | 2010-04-16 | 2010-08-25 | 惠州市华阳多媒体电子有限公司 | Light emitting diode base plate heat radiation structure and manufacture method thereof |
CN102959747A (en) * | 2010-07-23 | 2013-03-06 | 夏普株式会社 | Light-emitting device and manufacturing method therefor |
WO2012011363A1 (en) * | 2010-07-23 | 2012-01-26 | シャープ株式会社 | Light-emitting device and manufacturing method therefor |
TWI513064B (en) * | 2010-07-23 | 2015-12-11 | Sharp Kk | A light emitting device and a manufacturing method thereof |
JP5756803B2 (en) * | 2010-07-23 | 2015-07-29 | シャープ株式会社 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
US9065031B2 (en) | 2010-07-23 | 2015-06-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device with liquid-repellent layer and manufacturing method therefore |
CN102403436A (en) * | 2010-09-07 | 2012-04-04 | 昆山科技大学 | Method for manufacturing heat sink of semi-conductor light emitting component |
JP2012079780A (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Hitachi Chem Co Ltd | Substrate for mounting led and manufacturing method therefor |
JP2012079779A (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Hitachi Chem Co Ltd | Substrate for mounting led and manufacturing method therefor |
JP2012195587A (en) * | 2011-03-14 | 2012-10-11 | Samsung Led Co Ltd | Light-emitting element package and manufacturing method for the same |
JP2012209472A (en) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Hitachi Chem Co Ltd | Led mounting board |
JP2012212824A (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Hitachi Chem Co Ltd | Led mount substrate |
JP2012212823A (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Hitachi Chem Co Ltd | Led mount substrate and method of manufacturing the same |
JP2013183089A (en) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Idec Corp | Light emitting device, lighting device, light emitting device aggregate, and manufacturing method of light emitting device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009239036A (en) | Led substrate | |
JP4674282B2 (en) | LED module for line light source | |
US8894245B2 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same | |
JP4960099B2 (en) | Light emitting device and lighting apparatus or liquid crystal display device using the same | |
JP5177319B2 (en) | Metal substrate and light source device | |
JP4877571B2 (en) | Light-emitting element mounting substrate | |
JP3872490B2 (en) | Light emitting element storage package, light emitting device, and lighting device | |
JP2006339224A (en) | Substrate for led and led package | |
JP2005039100A (en) | Circuit component for highly thermally conductive light emitting device, and high heat dissipation module | |
JP2005167086A (en) | Substrate for mounting light emitting element and fabrication method thereof | |
JP2007109656A (en) | Led back light unit | |
JP2011044593A (en) | Led substrate and led package | |
WO2011004798A1 (en) | Element mounting ceramic substrate, led mounting ceramic substrate, led lamp, and head light, and electronic component | |
JP2004259958A (en) | Package for housing light emitting element, and light emitting device | |
JP2010140820A (en) | Lamp unit, circuit board, and method of manufacturing the circuit board | |
JP5063555B2 (en) | Light-emitting element mounting substrate | |
JP2008042158A (en) | Element for sml type light-emitting diode lamp and manufacturing method thereof | |
WO2011077900A1 (en) | Light emitting diode element, light source device, surface light source illumination device, and liquid crystal display device | |
JP2009290167A (en) | Light emitting module | |
JP5057129B2 (en) | Wiring board for mounting component elements | |
JP2012212824A (en) | Led mount substrate | |
JP2007165735A (en) | Led mounting substrate and its manufacturing method | |
US20090008671A1 (en) | LED packaging structure with aluminum board and an LED lamp with said LED packaging structure | |
JP2011029420A (en) | Optical semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP4835917B2 (en) | WIRING BOARD FOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20090930 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120809 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121005 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121220 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130218 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130314 |