JP2009237234A - 液晶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】素子基板10および対向基板10の少なくとも一方の液晶層50側には、柱状スペーサ40が配置された領域Dr,10bで比較した場合に、表示領域10aの外側の周辺領域10bにおける基板間隔Sbを表示領域10aにおける基板間隔Saよりも大きくするようなギャップ調整層15が形成され、表示領域10aに配置された柱状スペーサ40は、素子基板10および対向基板20の双方に接し、周辺領域10bに配置された柱状スペーサ40は、素子基板10および対向基板20のいずれか一方に接していることを特徴とする。
【選択図】図4
Description
このような液晶装置として、一画素に対応して複数本の柱状スペーサを用い、スペーサの高さを変えて、高い方のスペーサが外部荷重により収縮したときに、低い方のスペーサもともに外部荷重を受けるようにしたものが開示されている(例えば、特許文献1参照)。また、一画素内に反射部と透過部とを備えたマルチギャップ半透過型液晶表示装置において、柱状スペーサの高さの違いに起因するセルギャップ不良をなくすものが開示されている(例えば、特許文献2参照)。
また、基板強度や環境対策の観点から液晶装置の表示領域の外側の周辺領域には樹脂遮光膜が用いられる。樹脂遮光膜の厚さは、クロム等の金属からなるブラックマトリクスやカラーフィルタ層等、表示領域における他の層の厚さと比較して大きく形成される。そのため、周辺領域における基板の間隔が表示領域における基板の間隔よりも小さくなる。
しかし、セルギャップが小さく、柱状スペーサの高さが十分に確保できない場合には、製造工程による制約や製造装置等の制約から、高さの異なる柱状スペーサを製造するのは困難である。
そのため、いずれかの基板の外面を押す力が作用すると、まず、双方の基板に接した表示領域の柱状スペーサが弾性変形して圧縮され、表示領域及び周辺領域の基板間隔が徐々に小さくなっていく。そして、周辺領域において柱状スペーサと基板との間に間隙がなくなり、柱状スペーサが双方の基板に接すると、基板の外面を押す力に対して周辺領域の柱状スペーサによる抗力が作用する。
すなわち、所定値よりも小さい外力に対しては表示領域の柱状スペーサのみによって抗力を発生させ、所定値以上の外力に対しては表示領域および周辺領域の双方の柱状スペーサによって抗力を発生させることができる。
したがって、本発明の液晶装置によれば、従来よりも基板間隔(セルギャップ)が小さく、周辺領域に膜厚の大きい樹脂遮光膜が形成されている場合であっても、基板の間隔を保持し、かつ液晶層に真空気泡が発生することを防止できる。
また、前記反射凹凸形成層は、前記表示領域のみに形成されていることを特徴とする。
また、前記反射凹凸形成層は、前記周辺領域における層厚が前記表示領域における層厚よりも小さく形成されていることを特徴とする
また、本発明の液晶装置は、前記ギャップ調整層は、前記樹脂遮光膜上に形成されたオーバーコート層を有することを特徴とする。
以下、本発明の第一実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各図面では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を適宜変更している。
なお、図1(b)では図示を省略しているが、本実施形態の液晶装置100は、対向基板20の液晶層50側に、各々の画素電極9に対応して、RGBのカラーフィルタ層24が設けられている(図4(a)及び図4(b)参照)。
このような構成の液晶装置100においては、走査線3aから供給した走査信号によってTFT30をスイッチングすることで、データ線6aから供給される画像信号が所定のタイミングで画素電極9に書き込まれる。そして、図1(b)に示すように、液晶層50を挟持して対向する画素電極9と対向電極21との間で画像信号を保持するよう構成されている。
図4(a)に示すように、TFTアレイ基板10は、例えば、ガラスや石英、プラスチック等の透光性を有する材料により形成された基板本体10Aを備えている。基板本体10Aの液晶層50側には、酸化シリコン等からなる下地絶縁膜11が形成されている。下地絶縁膜11上には、TFT30が形成されている。
ここで、ソース電極36aは、図3に示すように、データ線6aの一部を画素電極9側へ分岐して形成されている。また、ドレイン電極36bは矩形の島状に形成され、その一部が半導体層30sと平面的に重なるように配置されている。
また、図4(b)に示すように、本実施形態の反射凹凸形成層15は、液晶装置100のTFT30及び画素電極9が配置された表示領域10aのみに形成されている。すなわち、表示領域10aの外側である周辺領域10bにおいては、反射凹凸形成層15が形成されていない。
配向膜16は、例えばポリイミド等の有機材料や無機透明酸化膜等、液晶層50の液晶の特性に応じた材料により形成されている。また、基板本体10Aの外側(液晶層50と反対側)には、偏光板や位相差板等の光学フィルム17が接合されている。
また、対向基板20の外側(液晶層50と反対側)には、TFTアレイ基板10側の光学フィルム17に対応する位相差板や偏光板等の光学フィルム27が接合されている。
そのため、図4(a)に示すように、反射表示領域Drに配置された柱状スペーサ40は、TFTアレイ基板10と対向基板20との双方に接している。一方、図4(b)に示すように、表示領域10aの外側の周辺領域10bに配置された柱状スペーサ40は、対向基板20のみに接している。
本実施形態では、上述のように反射凹凸形成層15を表示領域10aのみに形成して、表示領域10aの反射表示領域Drにおける基板間隔Saを周辺領域10bの基板間隔Sbよりも小さくするギャップ調整層として利用している。これにより、柱状スペーサ40の高さを均一に形成し、反射表示領域Drに配置された柱状スペーサ40の高さHaと、周辺領域10bに配置された柱状スペーサ40の高さHbを略等しくした場合であっても、周辺領域10bの柱状スペーサ40とTFTアレイ基板10との間に間隙S1を形成することができる。
この場合には、作用する外力や衝撃力に応じて間隙S1を最適化し、より効果的にTFTアレイ基板10と対向基板20との間隔を保持し、かつ液晶層50に真空気泡が発生することを防止できる。
次に、本発明の第二実施形態について、図1〜図4(a)を援用し、図5を用いて説明する。本実施形態の液晶装置200では、周辺領域10bに反射凹凸形成層15Bが形成されている点で、上述の第一実施形態で説明した液晶装置100と異なっている。その他の点は第一実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
次に、本発明の第三実施形態について、図1〜図4(a)を援用し、図6を用いて説明する。本実施形態の液晶装置300では、周辺領域10bの周辺遮光膜53上にカラーフィルタ層24が形成されている点で、上述の第一実施形態で説明した液晶装置100と異なっている。その他の点は第一実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
次に、本発明の第四実施形態について、図1〜図3を援用し、図7(a)及び図7(b)を用いて説明する。本実施形態の液晶装置400は、対向基板20上にブラックマトリクス23、カラーフィルタ層24、および周辺遮光膜53を覆うオーバーコート層28を備え、周辺領域10bにおいて反射凹凸形成層15が形成され、周辺遮光膜53上には液晶層厚調整層25が形成されていない点で、上述の第一実施形態で説明した液晶装置100と異なっている。その他の点は第一実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
また、本実施形態では、液晶層厚調整層25の層厚Tdは、周辺遮光膜53の膜厚Tcとカラーフィルタ層24の層厚Tbとの層厚差ΔTよりも大きく形成されている。
次に、本発明の第五実施形態について、図1〜図3、図7(a)を援用し、図8を用いて説明する。本実施形態の液晶装置500は、対向基板20上にブラックマトリクス23、カラーフィルタ層24、および周辺遮光膜53を覆うオーバーコート層28を備えている点で、上述の第一実施形態で説明した液晶装置100と異なっている。その他の点は第一実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
したがって、周辺遮光膜53上においてオーバーコート層28の層厚Teを調整することで、オーバーコート層28をギャップ調整層として利用して、柱状スペーサ40とTFTアレイ基板10との間の間隙S5を調整することができる。
また、上述の実施形態では、半導体層にLTPS(Low Temperature Poly Silicon)を用いたTFTについて説明したが、半導体層にアモルファスシリコンを用いたTFT(α―TFT)を用いてもよい。
また、上述の実施形態では、表示領域の柱状スペーサが配置された領域にカラーフィルタ層が形成されている場合について説明したが、表示領域の柱状スペーサが配置された領域には、カラーフィルタ層が形成されていなくてもよい。
Claims (8)
- 複数の表示素子がマトリクス状に配置された素子基板と、前記素子基板に対向配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層と、を備え、前記対向基板には表示領域を囲む額縁状の樹脂遮光膜が形成され、前記素子基板と前記対向基板との基板間隔を規定する複数の柱状スペーサを備えた液晶装置であって、
前記素子基板および前記対向基板の少なくとも一方の前記液晶層側には、前記柱状スペーサが配置された領域で比較した場合に、前記表示領域の外側の周辺領域における基板間隔を前記表示領域における基板間隔よりも大きくするようなギャップ調整層が形成され、
前記表示領域に配置された前記柱状スペーサは、前記素子基板および前記対向基板の双方に接し、前記周辺領域に配置された前記柱状スペーサは、前記素子基板および前記対向基板のいずれか一方に接していることを特徴とする液晶装置。 - 前記柱状スペーサの高さは均一であることを特徴とする請求項1記載の液晶装置。
- 前記ギャップ調整層は、前記素子基板の液晶層側に形成された反射凹凸形成層を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の液晶装置。
- 前記反射凹凸形成層は、前記表示領域のみに形成されていることを特徴とする請求項3記載の液晶装置。
- 前記反射凹凸形成層は、前記表示領域における層厚が前記周辺領域における層厚よりも大きく形成されていることを特徴とする請求項3記載の液晶装置。
- 前記ギャップ調整層は、前記対向基板の液晶層側に形成されて前記液晶層の層厚を調整する液晶層厚調整層を有し、
前記液晶層厚調整層は、前記表示領域のみに形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の液晶装置。 - 前記ギャップ調整層は、前記樹脂遮光膜上に形成されたカラーフィルタ層を有することを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の液晶装置。
- 前記ギャップ調整層は、前記樹脂遮光膜上に形成されたオーバーコート層を有することを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の液晶装置。
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