JP2009231686A - 表示装置の製造方法および表示装置、ならびに薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガラス基板1上にゲート電極14aを形成する工程と、ゲート電極14を覆う状態でガラス基板1上にゲート絶縁膜31および非晶質の半導体薄膜32をこの順に成膜する工程と、少なくともゲート電極14a上方における半導体薄膜32に対して、ゲート電極14aの延設方向にレーザ光Lhを走査させながら照射することにより、半導体薄膜32を結晶化させる工程とを含んでガラス基板1上に複数の薄膜トランジスタを形成し、さらにこのガラス基板1上に、各薄膜トランジスタに接続された複数の発光素子を形成する表示装置の製造方法。
【選択図】図3
Description
図1および図2を用いて第1実施形態の製造方法を実施するための薄膜トランジスタ基板のレイアウトを説明する。
図8は、第1実施形態の変形例としての第2実施形態を説明するためのレイアウト図である。この図を用いて説明する第2実施形態と先の第1実施形態との異なるところは、走査線11の延設方向に隣接配置された副画素a,aのレイアウトを信号線13に対して反転させているところにある。これにより、2つの副画素a,aで、電源線12の一部を共有しており、製造手順の構成は第1実施形態と同様である。
図9および図10を用いて第3実施形態の製造方法を実施するための薄膜トランジスタ基板のレイアウトを説明する。
図12は、第3実施形態の変形例としての第4実施形態を説明するためのレイアウト図である。この図を用いて説明する第4実施形態が、先の第3実施形態との異なるところは、走査線11方向に隣接配置された副画素a,aのレイアウトを信号線13に対して反転させているところにある。これにより、2つの副画素a,aで、電源線12の一部を共有しており、製造手順の構成は第3実施形態と同様である。
以上説明した本発明に係る製造方法によって得られる表示装置は、図13〜図17に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
Claims (9)
- 基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆う状態で前記基板上にゲート絶縁膜および非晶質の半導体薄膜をこの順に成膜する工程と、
少なくとも前記ゲート電極上方における前記半導体薄膜に対して、当該ゲート電極の延設方向にエネルギー線を走査させながら照射することにより、当該半導体薄膜を結晶化させる工程と、
前記ゲート電極、ゲート絶縁膜、および結晶化された半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタに接続された発光素子を前記基板上に形成する工程と
を有する表示装置の製造方法。 - 請求項1記載の表示装置の製造方法において、
前記薄膜トランジスタおよび前記発光素子が配置される表示領域の長辺に対して、前記ゲート電極を平行にパターン形成する
表示装置の製造方法。 - 請求項2記載の表示装置の製造方法において、
前記表示領域の長辺に対して、走査線を平行にパターン形成し、かつ信号線を垂直にパターン形成する
表示装置の製造方法。 - 請求項1記載の表示装置の製造方法において、
前記薄膜トランジスタおよび前記発光素子が配置される表示領域の長辺に対して、前記ゲート電極を平行にパターン形成し、
前記表示領域の短辺に対して、走査線を平行にパターン形成し、かつ信号線を垂直にパターン形成する
表示装置の製造方法。 - 請求項1記載の表示装置の製造方法において、
前記ゲート電極は、モリブデンを用いて形成される
表示装置の製造方法。 - 請求項1記載の表示装置の製造方法において、
前記エネルギー線は、固体レーザから照射されたレーザ光である
表示装置の製造方法。 - ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体薄膜部分の結晶性が、当該ゲート電極の延設方向におけるチャネル領域の両端側で異なる薄膜トランジスタと、
前記各薄膜トランジスタに接続された複数の発光素子と
を備えた表示装置。 - 基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆う状態で前記基板上にゲート絶縁膜および非晶質の半導体薄膜をこの順に成膜する工程と、
少なくとも前記ゲート電極上方における前記半導体薄膜に対して、当該ゲート電極の延設方向にエネルギー線を走査させながら照射することにより、当該半導体薄膜を結晶化させる工程と
を有する薄膜トランジスタの製造方法。 - ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極上におけるチャネル領域の両端側で結晶性が異なる状態で前記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体薄膜と
を備えた薄膜トランジスタ。
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