JP2009224360A - 薄膜トランジスタの製造方法および表示装置の製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタの製造方法および表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009224360A JP2009224360A JP2008063938A JP2008063938A JP2009224360A JP 2009224360 A JP2009224360 A JP 2009224360A JP 2008063938 A JP2008063938 A JP 2008063938A JP 2008063938 A JP2008063938 A JP 2008063938A JP 2009224360 A JP2009224360 A JP 2009224360A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- hydrogen
- thin film
- film
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【課題】チャネル領域における欠陥準位を完全に補完することができ、これによって素子間で均一な特性が得られる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に、チャネル領域を構成する微結晶シリコン薄膜7aと、シリコンに結合した水素[Si−H]を8×1021個/cm3以上含む窒化シリコン(SiNx)からなる水素含有シリコン系絶縁膜13とを積層成膜する。その後、水素含有シリコン系絶縁膜13をパターニングしてなるチャネル保護層13aから微結晶シリコン薄膜7aに対して、水素を導入するための水素化アニール処理を行う。尚、窒化シリコンからなる水素含有シリコン系絶縁膜13には、窒素に結合した水素[N−H]よりもシリコンに結合した水素[Si−H]を多く含むことが好ましい。
【選択図】図1
【解決手段】基板1上に、チャネル領域を構成する微結晶シリコン薄膜7aと、シリコンに結合した水素[Si−H]を8×1021個/cm3以上含む窒化シリコン(SiNx)からなる水素含有シリコン系絶縁膜13とを積層成膜する。その後、水素含有シリコン系絶縁膜13をパターニングしてなるチャネル保護層13aから微結晶シリコン薄膜7aに対して、水素を導入するための水素化アニール処理を行う。尚、窒化シリコンからなる水素含有シリコン系絶縁膜13には、窒素に結合した水素[N−H]よりもシリコンに結合した水素[Si−H]を多く含むことが好ましい。
【選択図】図1
Description
本発明は、薄膜トランジスタの製造方法および、この薄膜トランジスタを用いて構成される表示装置の製造方法に関する。
フラットパネルディスプレイの1つとして、有機EL(Electro Luminescence)現象を利用して映像を表示する表示装置が注目されている。この表示装置、すなわち有機ELディスプレイは、有機電界発光素子(有機EL素子)自体の発光現象を利用している為に視野角が広く、消費電力が低いなどの優れた特徴を備えている。さらに、高精細度の高速ビデオ信号に対しても高い応答性を示す事から、特に映像分野等において、実用化に向けた開発が進められている。
有機ELディスプレイの駆動方式のうち、薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)による駆動素子が用いられるアクティブマトリックス方式は、従来のパッシブマトリックス方式に比べて応答時間や解像度の点で優れている。このため、前述した特徴を有する有機ELディスプレイには、特に適した駆動方式と考えられている。このようなアクティブマトリックス型の有機ELディスプレイは、少なくとも有機発光材料を有する有機EL素子と共に各有機EL素子を駆動させる為の駆動素子(薄膜トランジスタ)が設けられた駆動パネルを有し、この駆動パネルと封止パネルとが有機EL素子を挟むように接着層を介して貼り合わされた構成を有している。
また有機ELディスプレイに設けられる上記薄膜トランジスタとしては、少なくとも画素の明暗を制御するスイッチトランジスタと、有機EL素子の発光を制御する駆動トランジスタとが必要である。このうち、駆動トランジスタは、有機EL素子を発光させている限り通電した状態を維持する必要がある。しかしながら、従来のチャネル領域が非晶質シリコン(α−Si)で構成された薄膜トランジスタ(すなわちα−SiTFT)においては、ゲート電極に電圧が印加された状態が続くと閾値電圧がシフトする事が知られており、発光期間中に駆動トランジスタを流れる電流量が変動し易く、結果として各画素を構成する発光素子の輝度が変化する。
近年では、このようなα−SiTFTの閾値シフトを軽減する為に、チャネル領域を結晶性シリコンによる半導体層で構成した薄膜トランジスタを用いた有機ELディスプレイが開発されている。結晶性シリコンによる薄膜トランジスタの形成は、一般に、ガラス基板上に非晶質シリコン膜を形成した後、この非晶質シリコン膜に対してエキシマレーザーによる結晶化アニール処理を行うことでポリシリコン(pory−Si)膜とする方法が一般的である。そしてこのようなポリシリコン(pory−Si)プロセスを適用し得られた薄膜トランジスタ(すなわちpoly−SiTFT)は、液晶ディスプレイの駆動素子として既に実用化されている。
しかしながら、エキシマレーザーにより非晶質シリコンを結晶化させたポリシリコン膜は、結晶粒径が大きくトランジスタの移動度は大きいものの、各トランジスタ間の特性ばらつきも大きくなる。このため、電流駆動である有機ELディスプレイに用いた場合、ムラとして視認されてしまい、大幅な歩留まり低下をまねいてしまう。
そこで近年では、レーザーアニールなどにより非晶質シリコンをポリシリコンよりも小さいサイズに結晶化させた微結晶シリコン膜をチャネル領域に採用する研究が盛んである。この微結晶シリコン膜をチャネル領域に用いて作製した薄膜トランジスタは、α−SiTFTよりもキャリア移動度μが大きく、poly-SiTFTよりもトランジスタ間のばらつきが格段に小さいという特性を持つ。
ところで、有機ELディスプレイは前述したとおり電流駆動であり、駆動トランジスタのオン電流(Ion)の特性向上は、そのままピーク輝度の向上や有機ELパネルの低消費電力化に大きく寄与する。このため、オン電流(Ion)の特性と密接に関係するキャリア移動度(μ)を向上させる研究が盛んである。
薄膜トランジスタのキャリア移動度μを向上させる方法として、チャネル領域中の欠陥準位の終端化がある。非晶質シリコン中や、ポリシリコンおよび微結晶シリコン等の結晶性シリコン中には、単結晶シリコン中には存在しない多数の欠陥準位が存在している。欠陥準位は、薄膜トランジスタの電気特性(キャリア移動度μ、閾値電圧Vth、オン電流)を大きく低下させる事が知られている。また、各薄膜トランジスタ間での欠陥準位のばらつきは、そのままキャリア移動度μ、閾値電圧Vthのばらつきにつながり、ムラとして視認される為、歩留まりを大きく低下させる要因であった。
上述の欠陥準位は、チャネル領域中の未結合手(ダングリングボンド)が主な原因であり、この未結合手を水素原子などで補完する事で、欠陥準位が無くなり半導体素子の特性が向上することが知られている。このような技術の一つに、チャネル領域を構成する非晶質シリコン膜や結晶性シリコン膜中に、水素を含む酸化シリコン(SiO2)膜や窒化シリコン(SiN)膜中から水素を供給する方法がある。
例えば下記特許文献1においては、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜上に、チャネル領域となる水素化非晶質シリコン膜、および窒化シリコンチャネル保護層がこの順に積層形成された構成が示されている。そして、窒化シリコンチャネル保護層中においては、シリコンに結合する水素[Si−H]の量よりも窒素に結合する水素[N−H]の量が多いことが好ましいとしている。
さらに下記特許文献2においては、多結晶シリコン膜上にプラズマCVDによりシリコン窒化膜を形成し、熱アニールを施すことによりシリコン窒化膜に含まれた水素原子が適量、多結晶シリコン膜に移動し未結合手を終端するとしている。
しかしながら、上述したような水素を含む膜中からチャネル領域を構成する非晶質シリコン膜や結晶性シリコン膜中に水素を供給する方法では、チャネル領域における欠陥準位を完全に補完することができず、各薄膜トランジスタ間におけるチャネル領域の未結合手の数にばらつきが出てしまい、それが素子間の特性ばらつきとなる問題があった。
例えば特許文献1の方法構成では、非晶質シリコン膜の上部に設けた窒化シリコンチャネル保護層中においては、シリコンに結合する水素[Si−H]の量よりも窒素に結合する水素[N−H]の量が多いことが好ましいとしているが、このような構成を結晶性シリコン膜に適用した場合、上述したような素子間の特性ばらつきが大きくなることが分かった。
そこで本発明は、チャネル領域における欠陥準位を完全に補完することができ、これによって素子間で均一な特性が得られる薄膜トランジスタの製造方法を提供すること、さらにはこの製造方法を適用することにより画素間の輝度ばらつきが抑えられた表示特性良好な表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
このような目的を達成するための本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板上に、チャネル領域を構成するシリコン薄膜と、シリコンに結合した水素[Si−H]を8×1021個/cm3以上含む水素含有シリコン系絶縁膜とを積層成膜する工程を行う。その後、シリコン薄膜に対して水素含有シリコン系絶縁膜から水素を導入するための水素化アニール処理を行うことを特徴としている。
また本発明の表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタを有する画素駆動回路に発光素子を接続させた表示装置の製造方法であり、この薄膜トランジスタを作製する際に、上記工程を行うことを特徴としている。
このような製造方法では、水素含有シリコン系絶縁膜に含有させる水素を、シリコンに結合した水素[Si−H]の状態として8×1021個/cm3以上含ませた構成としている。このような構成では、次の実施形態で詳細に説明するように、水素含有シリコン系絶縁膜からシリコン薄膜に対して十分な量の水素が供給され、チャネル領域を構成するシリコン薄膜の欠陥準位を完全に補完することができ、素子間の特性ばらつきが抑えられた薄膜トランジスタが得られることが確認された。
以上説明したように本発明によれば、チャネル領域における欠陥準位を完全に補完することができ、これによって素子間で均一な特性を有する薄膜トランジスタを得ることが可能であり、またこの薄膜トランジスタを画素駆動回路に備えることにより画素間の輝度ばらつきが抑えられた表示特性良好な表示装置を得ることが可能になる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、各実施形態においては、先ずボトムゲート型(逆スタガ型)の微結晶シリコン薄膜トランジスの製造方法に本発明を適用した実施の形態を説明し、さらに続けてこの薄膜トランジスタを備えた表示装置の製造方法を説明する。
<薄膜トランジスタの製造方法>
図1〜図3は実施形態の薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図である。
図1〜図3は実施形態の薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図である。
先ず、図1(1)に示したように、ガラス材料やプラスチック材料などからなる絶縁性の基板1上に、ゲート電極3をパターン形成し、これを覆う状態でゲート絶縁膜5を成膜し、さらにチャネル領域を構成する非晶質シリコン薄膜7、バッファ層9、および光熱変換層11をこの順に形成する。
具体的には、ゲート電極3の形成には、例えばスパッタ法により、基板1上に厚さが100nm程度のモリブデン(Mo)膜を一様に形成した後、エッチングして所定の形状にパターニングすることによって行う。この所定の形状へのパターニングは、例えばフォトリソグラフィ法などによって行う。なお、このゲート電極3はMoにより構成されているとは限らず、後の熱工程において変質しにくい高融点の金属であればよい。
ゲート絶縁膜5の形成には、例えばプラズマCVD法により、ゲート電極3を含む基板1上に、厚さが160nm程度の酸化シリコン(SiO2)を一様に形成することによって行う。なお、このゲート絶縁膜5は酸化シリコン(SiO2)により構成されているとは限らず、例えば酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(SiNx)または酸窒化シリコン(SiON)のうちの少なくとも1種からなる絶縁材料によって構成するようにしてもよい。また、このゲート絶縁膜5は、水素量の少ない膜として成膜することとする。水素量の少ない膜とは、以降に行う非晶質シリコン薄膜7の結晶化の際に、水素突沸をおこさない量であればよい。
非晶質シリコン薄膜7の形成には、例えばプラズマCVD法により、ゲート絶縁膜5上に、厚さが15nm程度で一様に形成することによって行う。またこの非晶質シリコン薄膜7も、結晶化の際の水素突沸をおこさない程度に水素量の少ない膜として成膜することが望ましい。
また、バッファ層9の形成には、例えばプラズマCVD法により、非晶質シリコン薄膜7上に、厚さが40nm程度の酸化シリコン(SiO2)膜を一様に形成することによって行う。なお、このバッファ層9も酸化シリコン(SiO2)により構成されているとは限らず、例えば酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(SiNx)または酸窒化シリコン(SiON)のうちの少なくとも1種からなる絶縁材料によって構成するようにしてもよい。尚、このバッファ層9は、以降に行う水素化アニール処理の際にも残される膜であれば、素を透過できる材質で構成することが重要である。
また、光熱変換層11の形成には、例えばスパッタ法により、バッファ層9上に厚さが100nm程度のMoを一様に形成することによって行う。この光熱変換層11は、後述するレーザビームなどを吸収し、光エネルギーを熱エネルギーに変換するためのものである。したがって、この光熱変換層11としては、後に行う結晶化アニールの際に使用するレーザ光の吸収率が高いこと、バッファ層9や非晶質シリコン薄膜7への熱拡散速度が低いこと、後の結晶化の際に生じる熱によっても変質しにくい高融点の材料であること、などの条件を満たせばどのような材料であってもよく、例えば他に炭素(C)などを用いるようにしてもよい。
続いて、図1(2)に示したように、光熱変換層11に対してレーザ光Lhを照射し、この光熱変換層11およびバッファ層9を介して非晶質シリコン薄膜7に間接的に加熱処理を施す。これにより非晶質シリコン薄膜7におけるレーザ光Lhの照射部をナノメートルオーダーの結晶粒に結晶化させた微結晶シリコン薄膜7aとする。
その後、図1(3)に示したように、上記非晶質シリコン薄膜7の結晶化には不要となる光熱変換層11を、エッチングにより除去する。
次に、図1(4)に示したように、例えばプラズマCVD法により、バッファ層9上に、水素含有シリコン系絶縁膜13を成膜する。この水素含有シリコン系絶縁膜13は、シリコンに結合した水素[Si−H]を8×1021個/cm3以上含むことが重要である。このため、この水素含有シリコン系絶縁膜13は、水素を多量に含有した膜を成膜し易い窒化シリコン(SiNx)膜を用いて構成されていることが好ましい。なお、水素含有シリコン系絶縁膜13は、窒化シリコン(SiNx)膜のみで構成される膜に限定されることはなく、全体としてシリコンに結合した水素[Si−H]を8×1021個/cm3以上含む膜であれば、例えば酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(SiNx)または酸窒化シリコン(SiON)のうちの少なくとも1種からなる絶縁材料からなる膜の単層構造はたは積層構造であっても良い。
また、水素含有シリコン系絶縁膜13に窒化シリコン(SiNx)膜を用いる場合には、膜中においての水素含有量が、窒素に結合した水素[N−H]よりも[Si−H]を多く含むことが重量である。さらに、膜中の水素含有量は[Si−H]量と、[N−H]量との合計が3×1022個/cm3以下であることが好ましい。
ここでは例えば、水素含有シリコン系絶縁膜13として、窒化シリコン(SiNx)膜を単層で用いることとする。この場合、窒化シリコン(SiNx)膜は、シランガス(SiH4)ガスとアンモニア(NH3)ガスとをプラズマ放電によって分解して成膜するCVD成膜が一般的に行われる。この際、成膜される窒化シリコン(SiNx)膜中の水素濃度は、シラン(SiH4)ガスの流量によって[Si−H]の量を制御し、アンモニア(NH3)ガスの流量によって[N−H]の量を制御する。また、成膜温度を200〜300℃とすることで、[Si−H]量が多い窒化シリコン膜を成膜することができる。
以上の後、図2(1)に示すように、水素含有シリコン系絶縁膜13とバッファ層9とを、ゲート電極3と略同一形状にパターニングし、チャネル保護層13aを形成する。この際、基板1側からゲート電極3をマスクにしたパターン露光を行うことで水素含有シリコン系絶縁膜13上にレジストパターン(図示省略)を形成し、これをマスクにして水素含有シリコン系絶縁膜13とバッファ層9とをパターンエッチングする。このパターンエッチングの際には、ゲート電極3と略同一形状にパターン形成されるチャネル保護層13aによって微結晶シリコン薄膜7aのチャネル領域chが保護されるため、エッチングによりダメージを受けることはない。このエッチングの後にはレジストパターンを除去する。
次に、図2(2)に示したように、チャネル保護層13aを含む微結晶シリコン薄膜7a上に、後述するソース/ドレインを形成するための不純物含有シリコン膜15を形成する。ここでは例えば、n+シリコン膜15を、例えばプラズマCVD法により、厚さ50nm程度で一様に形成する。
続いて、図2(3)に示すように、不純物含有シリコン膜15と微結晶シリコン薄膜7aとを、チャネル保護層13aおよびゲート電極3を覆う島状にパターニングする。ここでは、不純物含有シリコン膜15上にレジストパターン(図示省略)を形成し、これをマスクにして不純物含有シリコン膜15と微結晶シリコン薄膜7aとをエッチングする。このエッチングの後にはレジストパターンを除去する。
その後、図2(4)に示すように、不純物含有シリコン膜15を含むゲート絶縁膜5上に、例えばスパッタ法により、電極材料層17を成膜する。この電極材料層17は、例えば厚さが50nm程度のチタン(Ti)層、厚さが250nm程度のアルミニウム(Al)層、および厚さが50nm程度のTi層を、この順に積層させた3層構造であることとする。なお、この電極材料層17としては、これらの材料の他に、モリブデン(Mo)やクロム(Cr)、あるいはMo/Al/Moの積層構造であってもよい。
続いて、図3(1)に示すように、電極材料層17および不純物含有シリコン膜15を、チャネル保護層13a上において分割する形状にパターニングし、電極材料層17からなるソース/ドレイン電極17sdと、不純物含有シリコン膜15からなるソース/ドレインとをそれぞれ形成する。
この際、エッチング残渣を回避するためにオーバーエッチングを行うが、チャネル保護層13aがエッチングストッパとして機能するため、微結晶シリコン薄膜7aのチャネル領域chは保護され、ダメージを受けることはない。
その後、図3(2)に示すように、例えばプラズマCVD法により、ソース/ドレイン電極17sdを覆う状態で、基板1の上方にパッシベーション膜19を一様に形成する。このパッシベーション膜19は、例えば図1(4)で説明した水素含有シリコン系絶縁膜13と同様の構成であって良い。この場合、[Si−H]を8×1021個/cm3以上含むことが重要である。また窒化シリコン(SiNx)膜を用いて構成されてる場合には、[N−H]よりも[Si−H]を多く含み、また[Si−H]量と、[N−H]量との合計が3×1022個/cm3以下であることが好ましい。尚、このパッシベーション膜19は、窒素含有シリコン系絶縁膜として形成されることに限定されることはなく、封止特性のみを考慮した材質で構成されていても良い。
この状態で、微結晶シリコン薄膜7aに対して、水素含有シリコン系絶縁膜をパターニングしてなるチャネル保護層13aや水素含有シリコン系絶縁膜として形成されたパッシベーション膜19から水素を導入するための水素化アニール処理を行う。この水素化アニール処理としては、200〜300℃の熱処理を行うこととする。これにより、チャネル保護層13aやパッシベーション膜19に含まれた水素原子を、微結晶シリコン薄膜7aの特にチャネル領域chに移動させ、この部分のシリコンの未結合手(ダングリングボンド)に結合させる。そして、この未結合手による欠陥準位を十分に補完する。
以上により、本実施の形態の薄膜トランジスタTrが製造される。
以上の製造方法によれば、水素含有シリコン系絶縁膜に含有させる水素を、[Si−H]の状態として8×1021個/cm3以上含ませた構成としている。これにより、以下に説明するように、水素含有シリコン系絶縁膜からシリコン薄膜に対して十分な量の水素が供給され、チャネル領域を構成するシリコン薄膜の欠陥準位を完全に補完することができ、素子間の特性ばらつきが抑えられた薄膜トランジスタが得られることが確認された。
上述した手順において水素含有シリコン系絶縁膜13中の水素量を因子とした各薄膜トランジスタA〜Dを作製した。図4に示すように、各薄膜トランジスタA〜Dにおける水素含有シリコン系絶縁膜13中の水素量は、a)[Si−H]量+[N−H]量の合計を一定量として、b)[N−H]量およびc)[Si−H]量を変化させている。
また図5には、各薄膜トランジスタA〜Dに付いて測定したIds特性(Vgs=20V、Vds=10V)と、そのばらつき(uniformity)とを示す。
これらの図4,5のグラフから、水素含有シリコン系絶縁膜13中の水素量のうち、c)[Si−H]量に対して比例するように、薄膜トランジスタのIds特性が向上し、かつ特性ばらつきが抑制されることが分かる。そして、水素含有シリコン系絶縁膜13中のc)[Si−H]量が8×1021個/cm3以上の薄膜トランジスタB〜Cでは、薄膜トランジスタ間の特性ばらつきが10%程度に抑えられることが確認された。
これに対して、水素含有シリコン系絶縁膜13中の水素量のうち、b)[N−H]量が増加するにともない、薄膜トランジスタのIds特性が低下し、かつ特性ばらつきが拡大することが分かる。
このことは、水素含有シリコン系絶縁膜13中のc)[Si−H]量が8×1021個/cm3以上とし、さらにb)[N−H]<c)[Si−H]として微結晶シリコン薄膜7aの水素化アニールを行うことにより、水素含有シリコン系絶縁膜13で構成されたチャネル保護層13aから微結晶シリコン薄膜7aに対して十分な量の水素が供給され、チャネル領域を構成するシリコン薄膜の欠陥準位を完全に補完することが可能であることを示している。
以上のように、実施形態の薄膜トランジスタの製造方法によれば、チャネル領域における欠陥準位を完全に補完することができ、これによって素子間で均一な特性を有するだけではなく、さらに薄膜トランジスタの電気特性の向上が図られることが確認された。この結果、薄膜トランジスタサイズのさらなる微細化および低消費電力化を図ることが可能になる。
尚、上述した実施の形態では、チャネル保護層13aおよびパッシベーション膜19の両方を、水素含有シリコン系絶縁膜として形成し、パッシベーション膜19を成膜した後に水素化アニールを行う手順を説明した。しかしながら本発明は、チャネル保護層13aおよびパッシベーション膜19の何れか一方を水素含有シリコン系絶縁膜として形成すれば良い。そして、水素化アニール処理を行う手順は、この水素含有シリコン系絶縁膜が形成された後であれば、どの工程で行っても良い。ただし、水素化アニール処理を行う段階において、水素含有シリコン系絶縁膜として形成する膜と微結晶シリコン薄膜7aとの間に配置される膜は、水素を透過する材質で構成することが重要である。しかしながら、水素含有シリコン系絶縁膜13からなるチャネル保護層13aと微結晶シリコン膜7aとを直接接する構成とすることで、水素化アニールの際のチャネル保護層13aから微結晶シリコン膜7aへの水素の供給が容易になるため好ましい。
また、図1(2)を用いて説明した非晶質シリコン薄膜7にレーザ光Lhを照射して微結晶シリコン薄膜7aとする結晶化アニールは、別の工程手順で行っても良い。この場合、水素含有量の多い非晶質シリコン薄膜7は、結晶化アニールによって水素含有量の少ない微結晶シリコン薄膜7aとなる。このため、水素含有量が減少する結晶化アニールの後に水素化アニールを行う構成とすることが効率的である。また、水素含有シリコン系絶縁膜13は、微結晶シリコン膜7aの上層に設けられることに限定されず、微結晶シリコン膜7aの下層に設けた構成としても良い。ただし、結晶化アニールの工程においての水素含有シリコン系絶縁膜13の水素突沸による膜とびを防止するために、結晶化アニールは、水素含有シリコン系絶縁膜13を形成する以前に行うことが好ましい。このことからすれば、水素含有シリコン系絶縁膜は、微結晶シリコン薄膜7aの上部に積層させることが好ましい。
<表示装置の製造方法>
図6は実施形態の表示装置の製造方法を説明するための図であり、アクティブマトリックス方式の有機EL表示装置の1画素分の断面構成を示す図である。
図6は実施形態の表示装置の製造方法を説明するための図であり、アクティブマトリックス方式の有機EL表示装置の1画素分の断面構成を示す図である。
先ず、上述した手順によって、基板1上の表示領域に複数の薄膜トランジスタTrを形成するまでを行う。これらの薄膜トランジスタTrは、例えば後述する画素回路の駆動トランジスタとして設けられていることとする。またこの薄膜トランジスタTrの形成プロセスと同一プロセスを適用して、ここでの図示を省略した画素回路を構成する他の素子および配線を形成する。
次に、パッシベーション膜19上に、平坦化絶縁膜21を成膜し、この平坦化絶縁膜21にソース/ドレイン電極17sdの一方に達する接続孔21aを形成する。次に、接続孔21aを介してソース/ドレイン電極17sdに接続された下部電極23を、平坦化絶縁膜21上にパターン形成する。この下部電極23は、有機電界発光素子ELの陽極(または陰極)として用いられるものであり、画素毎にパターン形成されていることとする。
次に、下部電極23の中央部分を広く露出して周縁を覆う状態で絶縁性パターン25を形成する。この絶縁性パターン25の開口部分が画素開口となる。
その後、絶縁性パターン25から露出した下部電極23を覆う状態で、有機材料を用いて構成される発光機能層27を形成する。この発光機能層27は、少なくとも有機発光層を備えており、例えば陽極側から正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを必要に応じて積層成膜して形成する。
次に、発光機能層27を覆う状態で、上部電極29を形成する。この上部電極29は、有機電界発光素子ELの陰極(または陽極)として用いられるものであり、全画素に共通の電極として形成されていることとする。
以上により、平坦化絶縁膜21上に、下部電極23と上部電極29との間に有機発光層を含む発光機能層を挟持してなる有機電界発光素子ELを形成する。この有機電界発光素子ELは、下部電極23において薄膜トランジスタTrを接続された構成となっている。
次に、基板1の有機電界発光素子EL(下部電極23)形成面側に封止基板31を対向配置し、接着性の封止剤を介して基板1と封止基板とを貼合せ、表示装置35を完成させる。
以上のような表示装置の製造方法によれば、有機電界発光素子ELに接続させる薄膜トランジスタTrが図1〜3を用いて説明した本発明手順によって製造されたものであるため、素子間においての特性が均一であり電気特性の向上が図られている。したがって、このような各薄膜トランジスタに各有機電界発光素子ELを接続させた各画素を有する表示装置35は、画素間の輝度ばらつきが抑えられた良好な表示特性を有し、かつ低消費電力化が図られたものとなる。
<表示装置の回路構成>
図7は、以上のような表示装置の一構成例を説明するための概略の回路構成図である。この図に示すように、表示装置35を構成する基板1上には、表示領域1aとその周辺領域1bとが設定されている。表示領域1aには、複数の走査線41と複数の信号線43とが縦横に配線されており、それぞれの交差部に対応して1つの画素が設けられた画素アレイ部として構成されている。また表示領域1aには、全画素に共通の電源供給線(Vcc)45が配線されている。一方、周辺領域1bには、走査線41を走査駆動する走査線駆動回路47と、輝度情報に応じた映像信号(すなわち入力信号)を信号線43に供給する信号線駆動回路49とが配置されている。
図7は、以上のような表示装置の一構成例を説明するための概略の回路構成図である。この図に示すように、表示装置35を構成する基板1上には、表示領域1aとその周辺領域1bとが設定されている。表示領域1aには、複数の走査線41と複数の信号線43とが縦横に配線されており、それぞれの交差部に対応して1つの画素が設けられた画素アレイ部として構成されている。また表示領域1aには、全画素に共通の電源供給線(Vcc)45が配線されている。一方、周辺領域1bには、走査線41を走査駆動する走査線駆動回路47と、輝度情報に応じた映像信号(すなわち入力信号)を信号線43に供給する信号線駆動回路49とが配置されている。
走査線41と信号線43との各交差部に設けられる画素回路は、例えばスイッチング用の薄膜トランジスタTr1、駆動用の薄膜トランジスタTr2、保持容量Cs、および有機電界発光素子ELで構成されている。図6に示した薄膜トランジスタTrは、各画素回路に配置される駆動用の薄膜トランジスタTr2である。
このような回路構成の表示装置35では、走査線駆動回路47による駆動により、スイッチング用の薄膜トランジスタTr1を介して信号線43から書き込まれた映像信号が保持容量Csに保持され、保持された信号量に応じた電流が駆動用の薄膜トランジスタTr2から有機電界発光素子ELに供給され、この電流値に応じた輝度で有機電界発光素子ELが発光する。
尚、以上のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数のトランジスタを設けて画素回路を構成しても良い。また、周辺領域1bには、画素回路の変更に応じて必要な駆動回路が追加される。
<適用例>
以上説明した本発明に係る表示装置は、図8〜図12に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
以上説明した本発明に係る表示装置は、図8〜図12に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
図8は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル102やフィルターガラス103等から構成される映像表示画面部101を含み、その映像表示画面部101として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。
図11は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、(A)は表側から見た斜視図、(B)は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部111、表示部112、メニュースイッチ113、シャッターボタン114等を含み、その表示部112として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
図12は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体121に、文字等を入力するとき操作されるキーボード122、画像を表示する表示部123等を含み、その表示部123として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
図13は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部131、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ132、撮影時のスタート/ストップスイッチ133、表示部134等を含み、その表示部134として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
図14は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、(A)は開いた状態での正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた状態での正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体141、下側筐体142、連結部(ここではヒンジ部)143、ディスプレイ144、サブディスプレイ145、ピクチャーライト146、カメラ147等を含み、そのディスプレイ144やサブディスプレイ145として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。
1…基板、3…ゲート電極、5…ゲート絶縁膜、7…非晶質シリコン薄膜、7a…微結晶シリコン薄膜、13…水素含有シリコン系絶縁膜、13a…エッチングストッパ層(水素含有シリコン系絶縁膜)、15…不純物含有シリコン膜、15sd…ソース/ドレイン、19…パッシベーション膜(水素含有シリコン系絶縁膜)、35…表示装置、EL…有機電界発光素子、Tr…薄膜トランジスタ
Claims (11)
- 基板上に、チャネル領域を構成するシリコン薄膜と、シリコンに結合した水素[Si−H]を8×1021個/cm3以上含む水素含有シリコン系絶縁膜とを積層成膜する工程と、
前記シリコン薄膜に対して前記水素含有シリコン系絶縁膜から水素を導入するための水素化アニール処理を行う工程と、
を特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法において、
前記水素含有シリコン系絶縁膜は窒化シリコン膜を有する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項2記載の薄膜トランジスタの製造方法において、
前記水素含有シリコン系絶縁膜は、窒素に結合した水素[N−H]よりもシリコンに結合した水素[Si−H]を多く含む
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項2記載の薄膜トランジスタの製造方法において、
前記水素含有シリコン系絶縁膜中における水素含有量は、シリコンに結合した水素[Si−H]量と窒素に結合した水素[N−H]量との合計が3×1022個/cm3以下である
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項2記載の薄膜トランジスタの製造方法において、
前記窒化シリコン膜の成膜においては、シランガスとアンモニアガスとを成膜ガスに用い、シランガスの流量によってシリコンに結合した水素[Si−H]の量を制御し、アンモニアガスの流量によって窒素に結合した水素[N−H]の量を制御したCVD成膜を行う
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項2記載の薄膜トランジスタの製造方法において、
前記窒化シリコン膜の成膜においては、成膜温度を200〜300℃としたCVD成膜を行う
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法において、
前記水素含有シリコン系絶縁膜は、前記シリコン薄膜の上部に成膜される
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法において、
前記シリコン薄膜として非晶質シリコン薄膜を成膜し、前記水素化アニール処理を行う工程の前に前記シリコン薄膜を結晶化する工程を行う
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法において、
前記水素化アニール処理される前記シリコン薄膜は、微結晶性を備えたシリコン薄膜に対して行われる
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法において、
前記シリコン薄膜と水素含有シリコン系絶縁膜とを積層成膜する工程の前に、
前記基板上にゲート電極を形成し、当該ゲート電極を覆う状態でゲート絶縁膜を形成する工程を行い、
前記シリコン薄膜と水素含有シリコン系絶縁膜とを積層成膜する工程の後に、
前記シリコン薄膜上において前記ゲート電極に積層される形状に前記水素含有シリコン系絶縁膜をパターニングしてチャネル保護層を形成する工程と、
前記チャネル保護層を覆うと共に前記シリコン薄膜に接する状態で不純物含有シリコン膜を成膜する工程と、
前記チャネル保護層上において前記不純物含有シリコン膜をパターンエッチングによって分割し、当該チャネル保護層の両脇において前記シリコン薄膜に積層形成された当該不純物含有シリコン膜からなるソース/ドレインを形成する工程とを行う
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 薄膜トランジスタを有する画素駆動回路に発光素子を接続させた表示装置の製造方法であって、
前記薄膜トランジスタを作製する際には、
基板上に、チャネル領域を構成するシリコン薄膜と、シリコンに結合した水素[Si−H]を8×1021個/cm3以上含む水素含有シリコン系絶縁膜とを積層成膜する工程と、
前記シリコン薄膜に対して前記水素含有シリコン系絶縁膜から水素を導入するための水素化アニール処理を行う工程と、
を特徴とする表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008063938A JP2009224360A (ja) | 2008-03-13 | 2008-03-13 | 薄膜トランジスタの製造方法および表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008063938A JP2009224360A (ja) | 2008-03-13 | 2008-03-13 | 薄膜トランジスタの製造方法および表示装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009224360A true JP2009224360A (ja) | 2009-10-01 |
Family
ID=41240875
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008063938A Pending JP2009224360A (ja) | 2008-03-13 | 2008-03-13 | 薄膜トランジスタの製造方法および表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009224360A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101374414B1 (ko) | 2011-09-27 | 2014-03-17 | 가부시끼가이샤 도시바 | 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 표시 장치 |
JP2018129462A (ja) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置およびその作製方法 |
-
2008
- 2008-03-13 JP JP2008063938A patent/JP2009224360A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101374414B1 (ko) | 2011-09-27 | 2014-03-17 | 가부시끼가이샤 도시바 | 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 표시 장치 |
JP2018129462A (ja) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置およびその作製方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100920316B1 (ko) | 발광 장치 | |
TWI745689B (zh) | 半導體裝置及發光裝置 | |
US6864508B2 (en) | Light emitting device | |
JP2009003405A (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
TW200921801A (en) | Methods for manufacturing thin film transistor and display device | |
JP6622893B2 (ja) | 発光装置 | |
US7800114B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2009224360A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法および表示装置の製造方法 | |
JP2010147269A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
JP4149443B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2008109077A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法、電気光学装置および電子機器 | |
JP2004281577A (ja) | 半導体素子の製造方法、電気光学装置、電子機器 |