JP2009225118A - Surface acoustic wave device - Google Patents
Surface acoustic wave device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009225118A JP2009225118A JP2008067515A JP2008067515A JP2009225118A JP 2009225118 A JP2009225118 A JP 2009225118A JP 2008067515 A JP2008067515 A JP 2008067515A JP 2008067515 A JP2008067515 A JP 2008067515A JP 2009225118 A JP2009225118 A JP 2009225118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- wall
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Description
本発明は、主として移動体通信機器にて使用される表面実装型の弾性表面波デバイスに関するものである。 The present invention relates to a surface-mount type surface acoustic wave device mainly used in mobile communication equipment.
従来の弾性表面波デバイスは図4に示されるように、圧電基板1に設けられた櫛形電極2を樹脂カバー3で覆い励振空間4を封止するとともに、樹脂カバー3の表面に外部電極5を設け、樹脂カバー3を貫通する柱状電極6を用いて外部電極5と櫛形電極2に接続されたパッド電極7とを接続した構造が知られている。
As shown in FIG. 4, the conventional surface acoustic wave device covers the comb-
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
近年、このような弾性表面波デバイスの使途としてマザー基板上で他のデバイスとともにトランスファーモールドし一体化するモジュール部品が検討されるようになり、弾性表面波デバイスをトランスファーモールド時に加わるモールド圧力に耐える構造としなければならない。 In recent years, module parts that transfer mold and integrate together with other devices on the mother substrate have been studied as a way to use such surface acoustic wave devices, and a structure that can withstand the molding pressure applied to surface acoustic wave devices during transfer molding. And shall be.
しかしながら、上述した弾性表面波デバイスの構造においては、励振空間4を保護する樹脂カバー3が樹脂により構成されているため、励振空間4を形成する上で構造強度が低くなってしまう天井部分がモールド圧力により破線で示すように櫛形電極2側に撓み、この撓みにより樹脂カバー3と櫛形電極2が接触してしまうと弾性表面波デバイスの周波数特性が劣化してしまうという問題があり、励振空間4を覆う樹脂カバー3の構造強度を確保し、弾性表面波デバイスとしてより高い耐モールド性を確保する必要があった。
However, in the structure of the surface acoustic wave device described above, since the resin cover 3 that protects the
そこで、本発明はこのような問題を解決し、弾性表面波デバイスの耐モールド性を向上させることを目的とするものである。 Therefore, the present invention aims to solve such problems and improve the mold resistance of the surface acoustic wave device.
上記目的を達成するために本発明は、圧電基板上に設けられた櫛形電極を覆う樹脂カバーを、励振空間の側方を囲む内側壁と、この内側壁の開口を覆う導体板と、この導体板及び内側壁を覆う外側壁により構成し、外側壁における櫛形電極の励振空間と対向する表面に補助電極を設けるとともに、補助電極と導体板を柱状電極で接続した構成としたのである。 In order to achieve the above object, the present invention provides a resin cover that covers a comb-shaped electrode provided on a piezoelectric substrate, an inner wall that surrounds the side of the excitation space, a conductor plate that covers the opening of the inner wall, and this conductor It is configured by an outer wall that covers the plate and the inner wall, an auxiliary electrode is provided on the surface of the outer wall facing the excitation space of the comb electrode, and the auxiliary electrode and the conductor plate are connected by a columnar electrode.
本発明によれば、弾性表面波デバイスの耐モールド性を向上させることが出来るのである。 According to the present invention, the mold resistance of a surface acoustic wave device can be improved.
以下、本発明の一実施形態について図を用いて説明する。なお、上述した従来の弾性表面波デバイスと同様の構成については同じ符号を付して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected and demonstrated about the structure similar to the conventional surface acoustic wave device mentioned above.
図1は本発明の一実施の形態における弾性表面波デバイスを示したものであり、その基本的な構造は、櫛形電極2およびこの櫛形電極2に接続されたパッド電極7が適宜配置された圧電基板1の主面において櫛形電極2の励振空間4を形成するため樹脂カバー8が設けられた構造となっている。また、樹脂カバー8の表面には外部接続用の端子となる外部電極5が設けられ、この外部電極5は樹脂カバー8を貫通する柱状電極6によりパッド電極7に接続されている。
FIG. 1 shows a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention. The basic structure thereof is a piezoelectric device in which a
なお、圧電基板1はタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムといった圧電単結晶体で構成し、この圧電基板1上に設けられた櫛形電極2やパッド電極7はアルミニウム或いはアルミニウムを主成分とする合金で構成し、柱状電極6は銅などの金属導体で構成している。
The
そして、この弾性表面波デバイスにおいては、樹脂カバー8を櫛形電極2上の励振空間4の側方を囲む内側壁9と、この内側壁9の開口を覆う導体板10と、これら導体板10及び内側壁9をさらに覆う外側壁11で構成するとともに、柱状電極6が内側壁9と外側壁11を貫通する構造とし、外側壁11における励振空間4と対向する表面部分に補助電極12を設け、外側壁11を貫通する柱状電極13で導体板10と補助電極12を接続した構造とすることにより弾性表面波デバイスの耐モールド性を向上させているのである。なお、内側壁9はポリイミド系樹脂で形成し、外側壁11はエポキシ系樹脂で形成し、導体板10及び柱状電極13は銅により形成している。
In this surface acoustic wave device, the
すなわち、この弾性表面波デバイスをモジュール化するようにマザー基板上に実装しトランスファーモールドを行う場合、図2に示すように、弾性表面波デバイスの外部電極5と補助電極12がマザー基板14にハンダ付けされた状態において180℃程度の高温下で且つ5MPa〜10MPaの圧力で樹脂モールドされるため、弾性表面波の外表面に位置する樹脂材料で形成された外側壁11が溶融樹脂15の熱により軟化された状態で矢印で示すようにモールド圧力が加わることになるのであるが、マザー基板14にハンダ付けされた補助電極12と励振空間4を封口している導体板10が柱状電極13で固定されているので、樹脂モールドによる励振空間4の潰れを抑制できる、つまり弾性表面波デバイスの耐モールド性を向上させることが出来るのである。
That is, when the surface acoustic wave device is mounted on a mother substrate so as to be modularized and transfer molding is performed, the
また、溶融樹脂15は樹脂カバー8とマザー基板14の隙間から侵入し樹脂カバー8を押圧するものであるため、樹脂カバー8において構造強度が低い励振空間4の上方部分に補助電極12が設けられることで、この部分に対する溶融樹脂15の侵入が阻害されるので、励振空間4に影響を及ぼすモールド圧力を低減できるのである。
Further, since the
また、櫛形電極2と対峙する導体板10が柱状電極13および補助電極12を介してマザー基板に接続されるため、櫛形電極2の励振に伴う発熱を外部電極に伝達できる構成となり、弾性表面波デバイスの放熱特性も合わせて向上させることが出来るのである。
Further, since the
なお、この弾性表面波デバイスを形成する方法としては、図3に示すように、先ず、フォトリソグラフィーを用いて圧電基板1上に櫛形電極2やパッド電極7をパターン形成し、次いで感光性ポリイミド樹脂を塗布し、露光、現像して櫛形電極2の外周部分を囲むように内側壁9を形成するとともに柱状電極6を形成する貫通孔16を形成し、内側壁9の開口部分を銅箔10aで覆い厚膜めっき10bを施すことで導体板10を形成する。次に、導体板10及び内側壁9を覆うようにレジスト層17を形成するとともに柱状電極6、13を形成する貫通孔16を形成する。そして、この貫通孔16に対してビアフィルめっきを施し柱状電極6、13を形成し、レジスト層17を除去する。その後、外側壁11を形成するエポキシ系樹脂を塗布し上面を研磨し柱状電極6、13の端面を露出させた後に外部電極5と補助電極12を形成することにより弾性表面波デバイスを形成することが出来るのである。
As a method of forming this surface acoustic wave device, as shown in FIG. 3, first, the
本発明に係る弾性表面波デバイスは、弾性表面波デバイスの耐モールド性を向上させることができ、主として移動体通信機器に用いられる面実装型の弾性表面波フィルタや弾性表面波デュプレクサなどの弾性表面波デバイス等において有用となるものである。 The surface acoustic wave device according to the present invention can improve the mold resistance of the surface acoustic wave device, and is mainly a surface mount type surface acoustic wave filter or surface acoustic wave duplexer used for mobile communication equipment. This is useful in wave devices and the like.
1 圧電基板
2 櫛形電極
4 励振空間
5 外部電極
6 (第1の)柱状電極
7 パッド電極
8 樹脂カバー
9 内側壁
10 導体板
11 外側壁
12 補助電極
13 (第2の)柱状電極
DESCRIPTION OF
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008067515A JP5104432B2 (en) | 2008-03-17 | 2008-03-17 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008067515A JP5104432B2 (en) | 2008-03-17 | 2008-03-17 | Surface acoustic wave device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009225118A true JP2009225118A (en) | 2009-10-01 |
JP5104432B2 JP5104432B2 (en) | 2012-12-19 |
Family
ID=41241448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008067515A Active JP5104432B2 (en) | 2008-03-17 | 2008-03-17 | Surface acoustic wave device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5104432B2 (en) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110221546A1 (en) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | Panasonic Corporation | Elastic wave device |
JP2014090340A (en) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | Electronic component module |
JP2014093590A (en) * | 2012-11-01 | 2014-05-19 | Taiyo Yuden Co Ltd | Acoustic wave filter and module |
JP2014158100A (en) * | 2013-02-14 | 2014-08-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | Acoustic wave device and method for manufacturing acoustic wave device |
US9035535B2 (en) | 2011-11-29 | 2015-05-19 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and multilayered substrate |
JP2015142228A (en) * | 2014-01-28 | 2015-08-03 | ナガセケムテックス株式会社 | Mounting structure having hollow section and manufacturing method therefor |
US9478213B2 (en) | 2012-06-28 | 2016-10-25 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device built-in module and communication device |
JP2017022744A (en) * | 2016-09-07 | 2017-01-26 | 太陽誘電株式会社 | Acoustic wave filter and module |
JPWO2016208287A1 (en) * | 2015-06-24 | 2017-06-29 | 株式会社村田製作所 | Elastic wave filter device |
WO2018181932A1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 京セラ株式会社 | Acoustic wave device, duplexer, and communication device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102574417B1 (en) | 2018-11-02 | 2023-09-04 | 삼성전기주식회사 | Package of thin film type |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003037471A (en) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface acoustic wave device and manufacturing method therefor, and composite module using the device |
WO2006134928A1 (en) * | 2005-06-16 | 2006-12-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric device and manufacturing method thereof |
JP2007324162A (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Sony Corp | Semiconductor device and its manufacturing process |
JP2008227748A (en) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Fujitsu Media Device Kk | Elastic wave device and its manufacturing method |
-
2008
- 2008-03-17 JP JP2008067515A patent/JP5104432B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003037471A (en) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface acoustic wave device and manufacturing method therefor, and composite module using the device |
WO2006134928A1 (en) * | 2005-06-16 | 2006-12-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric device and manufacturing method thereof |
JP2007324162A (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Sony Corp | Semiconductor device and its manufacturing process |
JP2008227748A (en) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Fujitsu Media Device Kk | Elastic wave device and its manufacturing method |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8531254B2 (en) * | 2010-03-09 | 2013-09-10 | Panasonic Corporation | Elastic wave device |
US20110221546A1 (en) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | Panasonic Corporation | Elastic wave device |
US9035535B2 (en) | 2011-11-29 | 2015-05-19 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and multilayered substrate |
US9478213B2 (en) | 2012-06-28 | 2016-10-25 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device built-in module and communication device |
JP2014090340A (en) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | Electronic component module |
US9197190B2 (en) | 2012-10-30 | 2015-11-24 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Electronic component module |
JP2014093590A (en) * | 2012-11-01 | 2014-05-19 | Taiyo Yuden Co Ltd | Acoustic wave filter and module |
JP2014158100A (en) * | 2013-02-14 | 2014-08-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | Acoustic wave device and method for manufacturing acoustic wave device |
JP2015142228A (en) * | 2014-01-28 | 2015-08-03 | ナガセケムテックス株式会社 | Mounting structure having hollow section and manufacturing method therefor |
JPWO2016208287A1 (en) * | 2015-06-24 | 2017-06-29 | 株式会社村田製作所 | Elastic wave filter device |
JP2017022744A (en) * | 2016-09-07 | 2017-01-26 | 太陽誘電株式会社 | Acoustic wave filter and module |
WO2018181932A1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 京セラ株式会社 | Acoustic wave device, duplexer, and communication device |
JPWO2018181932A1 (en) * | 2017-03-31 | 2020-01-09 | 京セラ株式会社 | Elastic wave device, duplexer and communication device |
US11031919B2 (en) | 2017-03-31 | 2021-06-08 | Kyocera Corporation | Elastic wave device, duplexer, and communication device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5104432B2 (en) | 2012-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5104432B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
JP4645233B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
JP5277971B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
JP2006246112A (en) | Surface acoustic wave device and its manufacturing method | |
US20190036510A1 (en) | Elastic wave device and manufacturing method therefor | |
JP2012199833A (en) | Electronic component, electronic device, and manufacturing method of electronic component | |
JP5453787B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
JP2010136143A (en) | Electronic component module | |
JP2010045201A (en) | Electronic part module and method for manufacturing the same | |
JP5827845B2 (en) | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof | |
JP2009218762A (en) | Surface acoustic wave device | |
JP2007312107A (en) | Surface acoustic wave device | |
JP7075810B2 (en) | Electronic component storage packages, electronic devices, and electronic modules | |
JP5256701B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
JP2006202799A (en) | Composite electronic component | |
JP6487169B2 (en) | Piezoelectric device | |
JP5371387B2 (en) | Crystal vibration device | |
JP2008124785A (en) | Surface acoustic wave device | |
JP4997928B2 (en) | Manufacturing method of surface acoustic wave device | |
JP2008270594A (en) | Electronic apparatus | |
JP2007184691A (en) | Composite rf component | |
WO2019044309A1 (en) | Elastic wave device and elastic wave module equipped with same | |
JP4779579B2 (en) | Electronic component package | |
JP2008124786A (en) | Surface acoustic wave device | |
JP2011055315A (en) | Elastic wave element and electronic apparatus employing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110217 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20110314 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120830 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120904 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120917 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5104432 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |