JP2014158100A

JP2014158100A - Acoustic wave device and method for manufacturing acoustic wave device

Info

Publication number: JP2014158100A
Application number: JP2013026996A
Authority: JP
Inventors: Tabito Tanaka; 旅人田中
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2013-02-14
Filing date: 2013-02-14
Publication date: 2014-08-28
Anticipated expiration: 2033-02-14
Also published as: JP6166545B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an acoustic wave device capable of electrically protecting a functional part, and a method for manufacturing the acoustic wave device.SOLUTION: There is provided an acoustic wave device including: a piezoelectric substrate 10; an IDT 24 provided on the top face of the piezoelectric substrate 10; a signal wire 16a provided on the top face of the piezoelectric substrate 10 and electrically connected to the IDT 24; a metal wall 12 provided on the top face of the piezoelectric substrate 10, in contact with the signal wire 16a and completely surrounding the IDT 24; a ceiling 14 provided on the IDT 24 so that a sealed gap 21 is formed on the IDT 24, electrically connected to the metal wall 12, supported by the metal wall 12 and formed of metal; and a cover part 20 provided on the ceiling 14 and covering the IDT 24. There is also provided a method for manufacturing the acoustic wave device.

Description

本発明は弾性波デバイス及び弾性波デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to an elastic wave device and a method of manufacturing an elastic wave device.

携帯電話などの通信機器に搭載されるフィルタ及びデュプレクサとして弾性波デバイスが用いられる。弾性波デバイスには、弾性表面波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）デバイス、及び圧電薄膜共振子（Film Bulk Acoustic Resonator：ＦＢＡＲ）などがある。ＳＡＷデバイスにおいて弾性波を励振する機能部は、例えば弾性表面波デバイスではＩＤＴ（Inter Digital Transducer）の電極指が開口長を形成するように交差する領域である。ＦＢＡＲでは圧電薄膜と、圧電薄膜を挟みこむ電極とが厚さ方向に重なる領域である。所望の周波数特性を得るためには、機能部を保護することが重要である。特許文献１には、金属の壁、天井の上に液晶ポリマーを設けることで弾性波素子を保護する技術が記載されている。特許文献２にはＩＤＴをカバー体により保護する技術が記載されている。特許文献３には、ＩＤＴの上に金属のキャップを被せる技術が記載されている。 Elastic wave devices are used as filters and duplexers mounted on communication equipment such as mobile phones. Examples of the acoustic wave device include a surface acoustic wave (SAW) device and a piezoelectric thin film resonator (Film Bulk Acoustic Resonator: FBAR). In the SAW device, for example, in the surface acoustic wave device, the functional unit that excites the acoustic wave is an area where electrode fingers of an IDT (Inter Digital Transducer) intersect so as to form an opening length. In the FBAR, the piezoelectric thin film and the electrode sandwiching the piezoelectric thin film overlap with each other in the thickness direction. In order to obtain a desired frequency characteristic, it is important to protect the functional unit. Patent Document 1 describes a technique for protecting an acoustic wave element by providing a liquid crystal polymer on a metal wall or ceiling. Patent Document 2 describes a technique for protecting an IDT with a cover body. Patent Document 3 describes a technique for covering a metal cap on an IDT.

特開２０１２−１９９８３３号公報JP 2012-199833 A 特開２００９−２４７０１２号公報JP 2009-247012 A 特開２０１０−１４７５９１号公報JP 2010-147591 A

上記のような保護により、機能部への水分及び異物などの付着を抑制する。しかしながら従来の技術では、機能部を電気的に保護することは困難であった。このため、例えば外部のノイズにより周波数特性の悪化が生じることがある。本発明は上記課題に鑑み、機能部の電気的な保護が可能な弾性波デバイス及び弾性波デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 With the above protection, adhesion of moisture and foreign matters to the functional unit is suppressed. However, with the conventional technology, it is difficult to electrically protect the functional unit. For this reason, the frequency characteristics may be deteriorated due to external noise, for example. In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an elastic wave device capable of electrically protecting a functional unit and a method for manufacturing the elastic wave device.

本発明は、基板と、前記基板の上面に設けられ、弾性波を励振する機能部と、前記基板の上面に設けられ、前記機能部と電気的に接続された信号配線と、前記基板の上面に設けられ、前記信号配線と接触し、１又は複数の前記機能部を完全に囲む金属壁と、前記機能部の上に密閉された空隙が形成されるように前記機能部の上に設けられ、前記金属壁と電気的に接続され、前記金属壁に支持され、金属により形成された天井と、前記天井の上に設けられ、前記機能部を覆うカバー部と、を具備する弾性波デバイスである。 The present invention provides a substrate, a functional unit that is provided on the upper surface of the substrate and excites an elastic wave, a signal wiring that is provided on the upper surface of the substrate and is electrically connected to the functional unit, and an upper surface of the substrate Provided on the function part so as to form a metal wall that is in contact with the signal wiring and completely surrounds the one or more function parts, and a sealed gap is formed on the function part. An acoustic wave device comprising: a ceiling electrically connected to the metal wall and supported by the metal wall and formed of metal; and a cover portion provided on the ceiling and covering the functional portion. is there.

上記構成において、前記機能部の一端に接続された第１配線と、前記機能部の他端に接続された第２配線と、前記第２配線の上に設けられた絶縁層と、を具備し、前記金属壁は前記第１配線と接触し、前記第２配線と接触しないように前記絶縁層の上に設けられている構成とすることができる。 In the above configuration, the first wiring connected to one end of the functional unit, the second wiring connected to the other end of the functional unit, and an insulating layer provided on the second wiring. The metal wall may be provided on the insulating layer so as to be in contact with the first wiring and not to be in contact with the second wiring.

上記構成において、前記カバー部の上に設けられ、前記天井と電気的に接続された端子を具備する構成とすることができる。 The said structure WHEREIN: It can be set as the structure which comprises the terminal provided on the said cover part and electrically connected with the said ceiling.

上記構成において、前記カバー部は液晶ポリマーにより形成されている構成とすることができる。 The said structure WHEREIN: The said cover part can be set as the structure currently formed with the liquid crystal polymer.

上記構成において、複数の前記機能部はラダー型に接続されている構成とすることができる。 The said structure WHEREIN: The said some function part can be set as the structure connected to the ladder type | mold.

上記構成において、前記基板は圧電基板であり、前記機能部はＩＤＴである構成とすることができる。 In the above configuration, the substrate may be a piezoelectric substrate, and the functional unit may be an IDT.

本発明は、基板の上面に機能部を設ける工程と、前記基板の上面に、前記機能部と電気的に接続される信号配線を設ける工程と、前記基板の上面に、前記信号配線と接触し、かつ１又は複数の前記機能部を完全に囲む金属壁を設ける工程と、前記機能部の上に、前記金属壁と電気的に接続され、前記金属壁に支持され、かつ前記機能部の上に密閉された空隙が形成されるように、金属の天井を設ける工程と、前記天井の上に前記機能部を覆うカバー部を設ける工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。 The present invention includes a step of providing a functional portion on the upper surface of a substrate, a step of providing a signal wiring electrically connected to the functional portion on the upper surface of the substrate, and a contact with the signal wiring on the upper surface of the substrate. And providing a metal wall that completely surrounds one or more of the functional parts, and being electrically connected to the metal wall on the functional part, supported by the metal wall, and on the functional part A method of manufacturing an acoustic wave device comprising: a step of providing a metal ceiling so that a hermetically sealed gap is formed; and a step of providing a cover portion covering the functional portion on the ceiling.

上記構成において、前記金属壁を設ける工程は、開口部を有する第１金属壁を設ける工程と、前記開口部を塞ぐ第２金属壁を設ける工程と、を含み、前記第１金属壁を設ける工程の前に行われ、前記基板及び前記機能部の上に、前記基板の前記第１金属壁の設けられるべき領域が露出するようにフォトレジストを設ける工程と、前記第１金属壁を設ける工程の後に行われ、前記機能部の上から前記フォトレジストを除去する工程と、を有し、前記フォトレジストを除去する工程の後に、前記第２金属壁を設ける工程が行われる構成とすることができる。 In the above configuration, the step of providing the metal wall includes a step of providing a first metal wall having an opening and a step of providing a second metal wall that closes the opening, and the step of providing the first metal wall And a step of providing a photoresist on the substrate and the functional part so as to expose a region where the first metal wall of the substrate is to be provided, and a step of providing the first metal wall. And a step of removing the photoresist from above the functional part, and a step of providing the second metal wall after the step of removing the photoresist. .

上記構成において、前記天井を設ける工程は、第１天井を設ける工程と、前記第１天井の上に第２天井を設ける工程とを含み、前記第１金属壁を設ける工程と前記第１天井を設ける工程とは同時に行われ、前記第２金属壁を設ける工程と前記第２天井を設ける工程とは同時に行われる構成とすることができる。 In the above configuration, the step of providing the ceiling includes a step of providing a first ceiling and a step of providing a second ceiling on the first ceiling, the step of providing the first metal wall, and the first ceiling. The step of providing may be performed simultaneously, and the step of providing the second metal wall and the step of providing the second ceiling may be performed simultaneously.

上記構成において、前記金属壁及び前記天井は、メッキ法により形成される構成とすることができる。 In the above configuration, the metal wall and the ceiling may be formed by a plating method.

本発明によれば、機能部の電気的な保護が可能な弾性波デバイス及び弾性波デバイスの製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of an elastic wave device and an elastic wave device which can electrically protect a functional part can be provided.

図１は実施例１に係る弾性波デバイスを例示する回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram illustrating an acoustic wave device according to the first embodiment. 図２は実施例１に係る弾性波デバイスを例示する平面図である。FIG. 2 is a plan view illustrating the acoustic wave device according to the first embodiment. 図３は実施例１に係る弾性波デバイスを例示する平面図である。FIG. 3 is a plan view illustrating the acoustic wave device according to the first embodiment. 図４は実施例１に係る弾性波デバイスを例示する平面図である。FIG. 4 is a plan view illustrating the acoustic wave device according to the first embodiment. 図５（ａ）から図５（ｃ）は弾性波デバイスを例示する断面図である。FIG. 5A to FIG. 5C are cross-sectional views illustrating an acoustic wave device. 図６（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図６（ｂ）は図６（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図６（ｃ）は図６（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。FIG. 6A is a plan view illustrating a method for manufacturing the acoustic wave device. FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG. 6C is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 図７（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図７（ｂ）は図７（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図７（ｃ）は図７（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。FIG. 7A is a plan view illustrating a method for manufacturing the acoustic wave device. FIG. 7B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG.7 (c) is sectional drawing along line BB of Fig.7 (a). 図８（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図８（ｂ）は図８（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図８（ｃ）は図８（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。FIG. 8A is a plan view illustrating a method for manufacturing the acoustic wave device. FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG. 8C is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 図９（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図９（ｂ）は図９（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図９（ｃ）は図９（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。FIG. 9A is a plan view illustrating a method for manufacturing the acoustic wave device. FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG. 9C is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 図１０（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図１０（ｂ）は図１０（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１０（ｃ）は図１０（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。FIG. 10A is a plan view illustrating a method for manufacturing the acoustic wave device. FIG.10 (b) is sectional drawing along line AA of Fig.10 (a). FIG.10 (c) is sectional drawing along line BB of Fig.10 (a). 図１１（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図１１（ｂ）は図１１（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１１（ｃ）は図１１（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。FIG. 11A is a plan view illustrating a method for manufacturing the acoustic wave device. FIG.11 (b) is sectional drawing along line AA of Fig.11 (a). FIG.11 (c) is sectional drawing along line BB of Fig.11 (a). 図１２（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図１２（ｂ）は図１２（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１２（ｃ）は図１２（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。FIG. 12A is a plan view illustrating a method for manufacturing the acoustic wave device. FIG. 12B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG.12 (c) is sectional drawing along line BB of Fig.12 (a). 図１３（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図１３（ｂ）は図１３（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１３（ｃ）は図１３（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。FIG. 13A is a plan view illustrating a method for manufacturing the acoustic wave device. FIG. 13B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG.13 (c) is sectional drawing along line BB of Fig.13 (a). 図１４（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図１４（ｂ）は図１４（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１４（ｃ）は図１４（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。FIG. 14A is a plan view illustrating a method for manufacturing the acoustic wave device. FIG. 14B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG. 14C is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 図１５は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。FIG. 15 is a plan view illustrating a method for manufacturing the acoustic wave device. 図１６（ａ）は図１５の線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１６（ｂ）は図１５の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。FIG. 16A is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. FIG. 16B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 図１７（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図１７（ｂ）は図１７（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。FIG. 17A is a plan view illustrating a method for manufacturing the acoustic wave device. FIG. 17B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 図１８（ａ）は弾性波デバイスの製造方法を例示する平面図である。図１８（ｂ）は図１８（ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。FIG. 18A is a plan view illustrating a method for manufacturing the acoustic wave device. FIG. 18B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.

図面を用いて、本発明の実施例について説明する。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

実施例１は金属壁が機能部を完全に囲む例である。図１は実施例１に係る弾性波デバイス１００を例示する回路図である。図１に示すように、弾性波デバイス１００は直列共振子Ｓ１〜Ｓ３、並列共振子Ｐ１及びＰ２を含むラダー型フィルタである。入力端子Ｉｎと出力端子Ｏｕｔとの間に直列共振子Ｓ１〜Ｓ３が直列接続されている。直列共振子Ｓ１及びＳ２間に並列共振子Ｐ１の一端が接続されている。直列共振子Ｓ３と出力端子Ｏｕｔとの間に並列共振子Ｐ２の一端が接続されている。並列共振子Ｐ１及びＰ２それぞれの他端は共通して接地されている。入力端子Ｉｎから入力されたＲＦ（Radio Frequency）信号はラダー型フィルタによりフィルタリングされ、出力端子Ｏｕｔから出力される。共振子Ｓ１〜Ｓ３、Ｐ１及びＰ２をＳＡＷ共振子とした例について説明する。 Example 1 is an example in which the metal wall completely surrounds the functional part. FIG. 1 is a circuit diagram illustrating an acoustic wave device 100 according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, the acoustic wave device 100 is a ladder type filter including series resonators S1 to S3 and parallel resonators P1 and P2. Series resonators S1 to S3 are connected in series between the input terminal In and the output terminal Out. One end of the parallel resonator P1 is connected between the series resonators S1 and S2. One end of the parallel resonator P2 is connected between the series resonator S3 and the output terminal Out. The other ends of the parallel resonators P1 and P2 are grounded in common. An RF (Radio Frequency) signal input from the input terminal In is filtered by a ladder filter and output from the output terminal Out. An example in which the resonators S1 to S3, P1, and P2 are SAW resonators will be described.

図２から図４は実施例１に係る弾性波デバイス１００を例示する平面図である。図３はカバー部２０を透視した図であり、図４はカバー部２０及び天井１４を透視した図である。図５（ａ）から図５（ｃ）は弾性波デバイス１００を例示する断面図である。図５（ａ）は線Ａ−Ａ、図５（ｂ）は線Ｂ−Ｂ，図５（ｃ）は線Ｃ−Ｃに沿った断面を図示している。 2 to 4 are plan views illustrating the acoustic wave device 100 according to the first embodiment. FIG. 3 is a perspective view of the cover portion 20, and FIG. 4 is a perspective view of the cover portion 20 and the ceiling 14. 5A to 5C are cross-sectional views illustrating the acoustic wave device 100. FIG. 5A shows a cross section along line AA, FIG. 5B shows a line BB, and FIG. 5C shows a cross section along line CC.

図２から図５（ｃ）に示すように、弾性波デバイス１００は、圧電基板１０、共振子Ｓ１〜Ｓ３及びＰ１並びにＰ２、金属壁１２、天井１４、接地配線１５、信号配線１６、絶縁層１８、カバー部２０、及び半田ボール２２を含む。詳細な説明は後述する。 As shown in FIGS. 2 to 5C, the acoustic wave device 100 includes a piezoelectric substrate 10, resonators S1 to S3 and P1, and P2, a metal wall 12, a ceiling 14, a ground wiring 15, a signal wiring 16, and an insulating layer. 18, a cover portion 20, and solder balls 22. Detailed description will be given later.

図４に示すように、各共振子は、圧電基板１０の上面に設けられたＩＤＴ２４及び反射器２６を含む。ＩＤＴ２４は弾性波の一種であるＳＡＷ（以下、単に弾性波とも記載する）を励振し、機能部となっている。反射器２６は弾性波の伝播方向に沿ってＩＤＴ２４の両側に設けられ、弾性波をＩＤＴ２４に向けて反射する。共振子Ｓ１〜Ｓ２間、Ｓ１〜Ｐ１間、Ｓ２〜Ｓ３間、及びＳ３〜Ｐ２間においてＩＤＴ２４同士は信号配線１６により接続されている。共振子Ｐ１〜Ｐ２間においてＩＤＴ２４同士が接地配線１５により接続されている。 As shown in FIG. 4, each resonator includes an IDT 24 and a reflector 26 provided on the upper surface of the piezoelectric substrate 10. The IDT 24 excites a SAW (hereinafter also simply referred to as an elastic wave), which is a type of elastic wave, and serves as a functional unit. The reflectors 26 are provided on both sides of the IDT 24 along the propagation direction of the elastic wave, and reflect the elastic wave toward the IDT 24. The IDTs 24 are connected by a signal wiring 16 between the resonators S1 and S2, between S1 and P1, between S2 and S3, and between S3 and P2. The IDTs 24 are connected by the ground wiring 15 between the resonators P1 and P2.

図４及び図５（ａ）に示すように、複数の信号配線１６のうち、直列共振子Ｓ１のＩＤＴ２４の一端に接続されたものを信号配線１６ａ、他端に接続されたものを信号配線１６ｂとする。信号配線１６ａは先端に幅広のパッド部１６ｃを有する。共振子Ｓ１〜Ｓ２間及びＳ１〜Ｐ１間は、信号配線１６ｂにより電気的に接続されている。 As shown in FIGS. 4 and 5A, among the plurality of signal wirings 16, one connected to one end of the IDT 24 of the series resonator S1 is the signal wiring 16a, and one connected to the other end is the signal wiring 16b. And The signal wiring 16a has a wide pad portion 16c at the tip. The resonators S1 and S2 and S1 and P1 are electrically connected by a signal wiring 16b.

図３及び４に示すように、圧電基板１０の上面には、ＩＤＴ２４及び反射器２６を完全に囲む金属壁１２が設けられている。完全に囲むとは、図４の上下左右方向からＩＤＴ２４及び反射器２６を３６０°囲むことである。図３に示すように、共振子Ｓ１、Ｓ３及びＰ２のそれぞれは、１つの金属壁１２に囲まれ、１つの天井１４の下に位置する。共振子Ｓ２及びＰ２は、１つの金属壁１２に囲まれ、１つの天井１４に下に位置する。天井１４は金属壁１２の上に設けられており、金属壁１２と天井１４とにより、機能部を完全に密閉している。図５（ａ）から図５（ｃ）に示すように、ＩＤＴ２４及び反射器２６と天井１４との間の密閉された空間には空隙２１が形成されている。このため弾性波の励振は妨げられない。 As shown in FIGS. 3 and 4, a metal wall 12 that completely surrounds the IDT 24 and the reflector 26 is provided on the upper surface of the piezoelectric substrate 10. To completely surround is to surround the IDT 24 and the reflector 26 by 360 ° from the top, bottom, left, and right directions in FIG. As shown in FIG. 3, each of the resonators S 1, S 3, and P 2 is surrounded by one metal wall 12 and positioned below one ceiling 14. The resonators S 2 and P 2 are surrounded by one metal wall 12 and positioned below one ceiling 14. The ceiling 14 is provided on the metal wall 12, and the functional part is completely sealed by the metal wall 12 and the ceiling 14. As shown in FIGS. 5A to 5C, a gap 21 is formed in a sealed space between the IDT 24 and the reflector 26 and the ceiling 14. For this reason, excitation of elastic waves is not hindered.

各共振子において、金属壁１２はＩＤＴ２４の一端に接続された配線と接触し、かつＩＤＴ２４の他端に接続された配線とは絶縁される。このため、金属壁１２及び天井１４を介した配線間のショートが防止される。直列共振子Ｓ１を例に説明する。複数の金属壁１２のうち直列共振子Ｓ１に設けられたものを金属壁１２ａ、複数の天井１４のうち直列共振子Ｓ１に設けられたものを天井１４ａとする。図４及び図５（ｂ）に示すように、金属壁１２ａは、信号配線１６ａのパッド部１６ｃと接触する。このため、直列共振子Ｓ１において、ＩＤＴ２４、信号配線１６ａ、金属壁１２ａ、及び天井１４ａは同電位となる。絶縁層１８が信号配線１６ｂの上に設けられ、金属壁１２ａは絶縁層１８の上に設けられている。つまり金属壁１２ａ及び天井１４ａは信号配線１６ｂと接触せず、絶縁される。また、並列共振子Ｐ２に対応する金属壁１２は接地配線１５と接触する。このため並列共振子Ｐ２に対応する金属壁１２及び天井１４は接地電位を有する。直列共振子Ｓ２、並列共振子Ｐ１及び直列共振子Ｓ３に対応する金属壁１２は、それぞれ信号配線１６と接触し、これらと同電位となる。 In each resonator, the metal wall 12 is in contact with the wiring connected to one end of the IDT 24 and is insulated from the wiring connected to the other end of the IDT 24. For this reason, the short circuit between the wirings via the metal wall 12 and the ceiling 14 is prevented. The series resonator S1 will be described as an example. Of the plurality of metal walls 12, the metal wall 12a is provided on the series resonator S1, and the ceiling 14a is provided on the series resonator S1 among the plurality of ceilings 14. As shown in FIGS. 4 and 5B, the metal wall 12a is in contact with the pad portion 16c of the signal wiring 16a. For this reason, in the series resonator S1, the IDT 24, the signal wiring 16a, the metal wall 12a, and the ceiling 14a have the same potential. The insulating layer 18 is provided on the signal wiring 16b, and the metal wall 12a is provided on the insulating layer 18. That is, the metal wall 12a and the ceiling 14a are insulated without contacting the signal wiring 16b. Further, the metal wall 12 corresponding to the parallel resonator P 2 is in contact with the ground wiring 15. For this reason, the metal wall 12 and the ceiling 14 corresponding to the parallel resonator P2 have a ground potential. The metal walls 12 corresponding to the series resonator S2, the parallel resonator P1, and the series resonator S3 are in contact with the signal wiring 16 and have the same potential as these.

図２、及び図５（ａ）から図５（ｃ）に示すように、圧電基板１０及び天井１４の上にカバー部２０が設けられている。カバー部２０は、圧電基板１０の上面、金属壁１２の側面及び天井１４の上面に接し、ＩＤＴ２４及び反射器２６を覆う。カバー部２０を貫通する３つの半田ボール２２が設けられている。３つの半田ボール２２のうち、直列共振子Ｓ１上の天井１４ａと電気的に接続されるものは入力端子Ｉｎ、直列共振子Ｓ３上の天井１４と電気的に接続されるものは出力端子Ｏｕｔ、並列共振子Ｐ２上の天井１４と電気的に接続されるものは接地端子ＧＮＤとして機能する。 As shown in FIG. 2 and FIGS. 5A to 5C, the cover portion 20 is provided on the piezoelectric substrate 10 and the ceiling 14. The cover unit 20 is in contact with the upper surface of the piezoelectric substrate 10, the side surface of the metal wall 12, and the upper surface of the ceiling 14, and covers the IDT 24 and the reflector 26. Three solder balls 22 penetrating the cover portion 20 are provided. Of the three solder balls 22, one that is electrically connected to the ceiling 14a on the series resonator S1 is the input terminal In, and one that is electrically connected to the ceiling 14 on the series resonator S3 is the output terminal Out, What is electrically connected to the ceiling 14 on the parallel resonator P2 functions as the ground terminal GND.

圧電基板１０は例えばタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）又はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）などの圧電体により形成されている。接地配線１５、信号配線１６、ＩＤＴ２４、及び反射器２６は例えばアルミニウム（Ａｌ）などの金属により形成されている。金属壁１２及び天井１４は例えば銅（Ｃｕ）などの金属により形成されている。カバー部２０は例えば液晶ポリマー（Liquid Crystal Polymer：ＬＣＰ）、ポリイミド、又はエポキシ樹脂などの絶縁体により形成されている。液晶ポリマーとして例えばクラレ株式会社の製品「ベクスター」、又はジャパンゴアテックス株式会社の製品「ＢＩＡＣ」などを用いることができる。半田ボール２２は例えば錫銀（Ｓｎ−Ａｇ）などを主成分とする半田により形成されている。絶縁層１８は例えば酸化シリコン（ＳｉＯ_２）又は窒化シリコン（ＳｉＮ）などの絶縁体により形成されている。 The piezoelectric substrate 10 is formed of a piezoelectric material such as lithium tantalate (LiTaO ₃ ) or lithium niobate (LiNbO ₃ ). The ground wiring 15, the signal wiring 16, the IDT 24, and the reflector 26 are made of a metal such as aluminum (Al). The metal wall 12 and the ceiling 14 are made of a metal such as copper (Cu), for example. The cover part 20 is formed of an insulator such as a liquid crystal polymer (LCP), polyimide, or epoxy resin. As the liquid crystal polymer, for example, a product “BEXTER” manufactured by Kuraray Co., Ltd. or a product “BIAC” manufactured by Japan Gore-Tex Co., Ltd. can be used. The solder ball 22 is made of, for example, solder whose main component is tin silver (Sn—Ag). The insulating layer 18 is formed of an insulator such as silicon oxide (SiO ₂ ) or silicon nitride (SiN).

図３及び図４に示したように、共振子Ｓ１〜Ｓ３及びＰ２において、信号配線１６と同電位の金属壁１２がＩＤＴ２４及び反射器２６を完全に囲み、かつ天井１４がＩＤＴ２４及び反射器２６を覆う。金属壁１２及び天井１４によりＩＤＴ２４及び反射器２６はノイズから電気的に保護されるため、弾性波デバイス１００の周波数特性の劣化が抑制される。また金属壁１２がＩＤＴ２４を完全に囲むため、後述する製造工程において溶融したカバー部２０が金属壁の内側に流れ込むことがなくなる。従ってＩＤＴ２４とカバー部２０との接触が抑制され、弾性波デバイス１００の信頼性が高くなる。また、隣り合う共振子を含め各共振子が金属により完全に覆われるため、共振子がハーメチックシールに近い構造となり、耐湿性が向上する。４つの金属壁１２のうち３つは信号配線１６と接続し、並列共振子Ｐ２に対応する１つの金属壁１２のみが接地配線１５と接続する。このため、並列共振子Ｐ２以外の共振子では金属壁１２、天井１４及びＩＤＴ２４が同電位となり、ＩＤＴ２４と接地電位との間に寄生容量が実質的に付かない。寄生容量が実質的になくなるため、各共振子において金属壁１２及び天井１４が接地電位を有する場合と比べ、接地配線１５を通じて接地端子ＧＮＤに流れ込む信号が小さくなり、信号の損失が抑制される。 As shown in FIGS. 3 and 4, in the resonators S1 to S3 and P2, the metal wall 12 having the same potential as the signal wiring 16 completely surrounds the IDT 24 and the reflector 26, and the ceiling 14 is the IDT 24 and the reflector 26. Cover. Since the IDT 24 and the reflector 26 are electrically protected from noise by the metal wall 12 and the ceiling 14, deterioration of the frequency characteristics of the acoustic wave device 100 is suppressed. Further, since the metal wall 12 completely surrounds the IDT 24, the cover portion 20 melted in the manufacturing process described later does not flow into the inside of the metal wall. Therefore, the contact between the IDT 24 and the cover unit 20 is suppressed, and the reliability of the acoustic wave device 100 is increased. Further, since each resonator including adjacent resonators is completely covered with metal, the resonator has a structure close to a hermetic seal, and the moisture resistance is improved. Three of the four metal walls 12 are connected to the signal wiring 16, and only one metal wall 12 corresponding to the parallel resonator P 2 is connected to the ground wiring 15. For this reason, in the resonators other than the parallel resonator P2, the metal wall 12, the ceiling 14, and the IDT 24 have the same potential, and no parasitic capacitance is substantially added between the IDT 24 and the ground potential. Since the parasitic capacitance is substantially eliminated, a signal flowing into the ground terminal GND through the ground wiring 15 is reduced compared to the case where the metal wall 12 and the ceiling 14 have a ground potential in each resonator, and signal loss is suppressed.

天井１４上に端子（入力端子Ｉｎ、出力端子Ｏｕｔ及び接地端子ＧＮＤ）を形成するため、弾性波デバイス１００の小型化が可能である。端子として機能する複数の半田ボール２２を、互いに接触しない程度に大きくすることができる。端子を大きくすることで、電気的な接続を安定して行うことができる。パッド部１６ｃに金属壁１２ａが接触する。入力端子Ｉｎから入力された信号は、天井１４ａ、金属壁１２ａ及びパッド部１６ｃを介して、直列共振子Ｓ１に入力される。幅の広いパッド部１６ｃは小さな電気抵抗を有するため、信号の損失が小さくなる。共振子Ｓ２及びＰ１を１つの金属壁１２及び１つの天井１４により囲むため、弾性波デバイス１００の小型化が可能となる。このように同電位の金属壁１２及び天井１４は１つにまとめることができる。なお、共振子Ｓ２及びＰ１を互いに別の金属壁１２及び天井１４で囲んでもよい。 Since the terminals (input terminal In, output terminal Out, and ground terminal GND) are formed on the ceiling 14, the acoustic wave device 100 can be reduced in size. The plurality of solder balls 22 functioning as terminals can be enlarged so as not to contact each other. By increasing the terminals, electrical connection can be stably performed. The metal wall 12a contacts the pad portion 16c. A signal input from the input terminal In is input to the series resonator S1 through the ceiling 14a, the metal wall 12a, and the pad portion 16c. Since the wide pad portion 16c has a small electrical resistance, signal loss is reduced. Since the resonators S2 and P1 are surrounded by one metal wall 12 and one ceiling 14, the acoustic wave device 100 can be reduced in size. Thus, the metal wall 12 and the ceiling 14 having the same potential can be combined into one. The resonators S2 and P1 may be surrounded by different metal walls 12 and a ceiling 14.

次に弾性波デバイス１００の製造方法を説明する。図６（ａ）は弾性波デバイス１００の製造方法を例示する平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）の線Ａ−Ａ、図６（ｃ）は図６（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。図７（ａ）から図１４（ｃ）は、図６（ａ）から図６（ｃ）と同様に弾性波デバイス１００の製造方法を例示する。図１５は弾性波デバイス１００の製造方法を例示する平面図であり、図１６（ａ）は図１５の線Ａ−Ａ、図１６（ｂ）は図１５の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。図１７（ａ）及び図１８（ａ）は弾性波デバイス１００の製造方法を例示する平面図である。図１７（ｂ）は図１７（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。 Next, a method for manufacturing the acoustic wave device 100 will be described. 6A is a plan view illustrating a method for manufacturing the acoustic wave device 100, FIG. 6B is a line AA in FIG. 6A, and FIG. 6C is a diagram in FIG. It is sectional drawing along line BB. FIGS. 7A to 14C illustrate a method for manufacturing the acoustic wave device 100 in the same manner as FIGS. 6A to 6C. 15 is a plan view illustrating a method of manufacturing the acoustic wave device 100. FIG. 16A is a sectional view taken along line AA in FIG. 15, and FIG. 16B is a sectional view taken along line BB in FIG. It is. FIG. 17A and FIG. 18A are plan views illustrating a method for manufacturing the acoustic wave device 100. 17B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 17A, and FIG. 18B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.

図６（ａ）から図６（ｃ）に示すように、例えば蒸着法又はスパッタリング法などにより、圧電基板１０に接地配線１５、信号配線１６、ＩＤＴ２４、及び反射器２６を設ける。図６（ａ）及び図６（ｃ）に示すように、接地配線１５及び信号配線１６の一部と重なるように絶縁層１８を設ける。図７（ａ）から図７（ｃ）に示すように、圧電基板１０の上にフォトレジスト３０を設ける。フォトレジスト３０には開口部３０ａが形成されており、圧電基板１０の一部及び絶縁層１８の一部が開口部３０ａから露出する。 As shown in FIGS. 6A to 6C, the ground wiring 15, the signal wiring 16, the IDT 24, and the reflector 26 are provided on the piezoelectric substrate 10 by, for example, vapor deposition or sputtering. As shown in FIGS. 6A and 6C, an insulating layer 18 is provided so as to overlap a part of the ground wiring 15 and the signal wiring 16. As shown in FIGS. 7A to 7C, a photoresist 30 is provided on the piezoelectric substrate 10. An opening 30a is formed in the photoresist 30, and a part of the piezoelectric substrate 10 and a part of the insulating layer 18 are exposed from the opening 30a.

図８（ａ）から図８（ｃ）に示すように、例えば蒸着法などにより、フォトレジスト３０上、及び開口部３０ａから露出する圧電基板１０並びに絶縁層１８の上に、シードメタル３２を設ける。シードメタル３２は図８（ａ）において格子斜線で示した。シードメタル３２は例えばＣｕなどの金属により形成されている。図９（ａ）から図９（ｃ）に示すように、フォトレジスト３０の上にさらにフォトレジスト３４を設ける。フォトレジスト３４には開口部３４ａが形成されている。開口部３４ａからは、シードメタル３２の共振子Ｓ１〜Ｐ２と重なる領域が露出する（図９（ａ）の格子斜線参照）。 As shown in FIGS. 8A to 8C, a seed metal 32 is provided on the photoresist 30 and on the piezoelectric substrate 10 and the insulating layer 18 exposed from the opening 30a by, for example, vapor deposition. . The seed metal 32 is indicated by a grid oblique line in FIG. The seed metal 32 is made of a metal such as Cu. As shown in FIGS. 9A to 9C, a photoresist 34 is further provided on the photoresist 30. An opening 34 a is formed in the photoresist 34. A region overlapping the resonators S1 to P2 of the seed metal 32 is exposed from the opening 34a (see the hatched grid line in FIG. 9A).

図１０（ａ）から図１０（ｃ）に示すように、電解メッキ法により、開口部３４ａに金属壁１２ｂ（第１金属壁）及び天井１４ｂ（第１天井）を形成する。シードメタル３２は給電線として機能する。金属壁１２ｂはＩＤＴ２４及び反射器２６を完全に囲んではおらず、図１０（ａ）及び図１０（ｃ）に示す開口部１３を有している。フォトレジスト３０は、開口部１３を通じて、金属壁１２ｂの外側及び内側に位置する。シードメタル３２のうち金属壁１２ｂ及び天井１４ｂと接する部分は、金属壁１２ｂ及び天井１４ｂと一体となるため、図１１（ａ）以降ではシードメタル３２を図示しない。 As shown in FIGS. 10A to 10C, the metal wall 12b (first metal wall) and the ceiling 14b (first ceiling) are formed in the opening 34a by electrolytic plating. The seed metal 32 functions as a power supply line. The metal wall 12b does not completely surround the IDT 24 and the reflector 26, and has the opening 13 shown in FIGS. 10 (a) and 10 (c). The photoresist 30 is located outside and inside the metal wall 12 b through the opening 13. Since the portion of the seed metal 32 that contacts the metal wall 12b and the ceiling 14b is integrated with the metal wall 12b and the ceiling 14b, the seed metal 32 is not illustrated in FIG.

図１１（ａ）から図１１（ｃ）に示すように、例えばレジスト剥離液を用いた超音波洗浄などにより、フォトレジスト３０及び３４、並びにシードメタル３２を除去する。レジスト剥離液は開口部１３を通じて天井１４ｂ下のフォトレジスト３０にも到達するため、ＩＤＴ２４及び反射器２６上のフォトレジスト３０も除去される。図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）に示すように、フォトレジスト３０の除去により、空隙２１が形成される。図１２（ａ）から図１２（ｃ）に示すように、圧電基板１０、接地配線１５及び信号配線１６の上にフォトレジスト３６を設ける。フォトレジスト３６と金属壁１２ｂとの間には開口部３６ａが形成されている。開口部３６ａからは、圧電基板１０、接地配線１５、信号配線１６、及び絶縁層１８の一部が露出する。 As shown in FIGS. 11A to 11C, the photoresists 30 and 34 and the seed metal 32 are removed by, for example, ultrasonic cleaning using a resist stripping solution. Since the resist stripping solution reaches the photoresist 30 below the ceiling 14b through the opening 13, the IDT 24 and the photoresist 30 on the reflector 26 are also removed. As shown in FIGS. 11B and 11C, the void 21 is formed by removing the photoresist 30. As shown in FIGS. 12A to 12C, a photoresist 36 is provided on the piezoelectric substrate 10, the ground wiring 15 and the signal wiring 16. An opening 36a is formed between the photoresist 36 and the metal wall 12b. The piezoelectric substrate 10, the ground wiring 15, the signal wiring 16, and a part of the insulating layer 18 are exposed from the opening 36a.

図１３（ａ）から図１３（ｃ）に示すように、金属壁１２ｂ及び天井１４ｂの表面、並びに開口部３６ａにシードメタル３８を設ける。シードメタル３８を給電線に用いた電解メッキ法により、金属壁１２ｃ（第２金属壁）及び天井１４ｃ（第２天井）を設ける。金属壁１２ｃは開口部３６ａに設けられ、開口部１３を塞ぐ。このように、金属壁１２ｃは金属壁１２ｂと共に、ＩＤＴ２４及び反射器２６を完全に囲む金属壁１２を形成する。天井１４ｃは天井１４ｂの上に設けられ、天井１４ｂと共に天井１４を形成する。なおシードメタル３８は金属壁１２及び天井１４と一体になる。図１４（ａ）から図１４（ｃ）に示すように、フォトレジスト３６を除去する。 As shown in FIGS. 13A to 13C, a seed metal 38 is provided on the surfaces of the metal wall 12b and the ceiling 14b and the opening 36a. A metal wall 12c (second metal wall) and a ceiling 14c (second ceiling) are provided by an electrolytic plating method using the seed metal 38 as a power supply line. The metal wall 12 c is provided in the opening 36 a and closes the opening 13. Thus, the metal wall 12c and the metal wall 12b form the metal wall 12 that completely surrounds the IDT 24 and the reflector 26. The ceiling 14c is provided on the ceiling 14b and forms the ceiling 14 together with the ceiling 14b. The seed metal 38 is integrated with the metal wall 12 and the ceiling 14. As shown in FIGS. 14A to 14C, the photoresist 36 is removed.

図１５、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、例えば液晶ポリマーシートを加熱及び加圧することで、カバー部２０を形成する。加熱により液晶ポリマーシートは溶融するが、金属壁１２がＩＤＴ２４及び反射器２６を完全に囲むため、金属壁１２の内側への流入は抑制される。図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示すように、例えばレーザードリリングなどにより、カバー部２０に天井１４ａまで到達する開口部２０ａを形成する。図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示すように、例えば半田ペーストの印刷及びリフロー処理などにより、開口部２０ａに半田ボール２２を設ける。半田ボール２２形成後、ダイシング処理により圧電基板１０及びカバー部２０を切断することで、個片化した弾性波デバイス１００が形成される。 As shown in FIGS. 15, 16 (a), and 16 (b), the cover portion 20 is formed by heating and pressurizing a liquid crystal polymer sheet, for example. Although the liquid crystal polymer sheet is melted by heating, since the metal wall 12 completely surrounds the IDT 24 and the reflector 26, the inflow into the metal wall 12 is suppressed. As shown in FIGS. 17A and 17B, an opening 20a reaching the ceiling 14a is formed in the cover 20 by, for example, laser drilling. As shown in FIGS. 18A and 18B, solder balls 22 are provided in the openings 20a by, for example, solder paste printing and reflow processing. After the solder balls 22 are formed, the piezoelectric substrate 10 and the cover unit 20 are cut by a dicing process, so that the separated acoustic wave device 100 is formed.

図１０（ａ）から図１０（ｃ）及び図１３（ａ）から図１３（ｃ）に示すように、金属壁１２及び天井１４を二度の工程により形成する。図１０（ａ）から図１０（ｃ）の工程の後、フォトレジスト３０をＩＤＴ２４及び反射器２６の上から除去することで空隙２１を形成することができる。図１３（ａ）から図１３（ｃ）の工程により、ＩＤＴ２４及び反射器２６を完全に囲む金属壁１２を設けることができる。また、金属壁１２ａ及び天井１４ａを一度のメッキ処理により形成し、かつ金属壁１２ｂ及び天井１４ｂを一度のメッキ処理により形成することで、製造工程の簡略化が可能である。 As shown in FIGS. 10A to 10C and FIGS. 13A to 13C, the metal wall 12 and the ceiling 14 are formed by two processes. After the steps of FIG. 10A to FIG. 10C, the gap 21 can be formed by removing the photoresist 30 from above the IDT 24 and the reflector 26. 13A to 13C, the metal wall 12 that completely surrounds the IDT 24 and the reflector 26 can be provided. Moreover, the manufacturing process can be simplified by forming the metal wall 12a and the ceiling 14a by a single plating process and forming the metal wall 12b and the ceiling 14b by a single plating process.

ラダー型フィルタにおける共振子の数は変更してもよい。また、ＤＭＳ（Double Mode SAW filter：ダブルモードＳＡＷフィルタ）などラダー型フィルタ以外の弾性波デバイスの各共振子に実施例１を適用してもよい。弾性波デバイス１００はＳＡＷデバイス以外に、弾性境界波デバイス及びラブ波デバイスなどのように、ＩＤＴを用いる弾性波デバイスに適用してもよい。機能部であるＩＤＴが金属壁１２により完全に囲まれていればよい。また共振子を圧電薄膜共振子（Film Bulk Acoustic Resonator：ＦＢＡＲ）としてもよい。ＦＢＡＲにおいては、圧電薄膜と、圧電薄膜を挟む上部電極及び下部電極とが重なる共振領域が弾性波を励振する機能部である。共振領域が金属壁１２により完全に囲まれていればよい。 The number of resonators in the ladder filter may be changed. The first embodiment may be applied to each resonator of an acoustic wave device other than a ladder type filter such as a DMS (Double Mode SAW filter). The elastic wave device 100 may be applied to an elastic wave device using IDT, such as a boundary acoustic wave device and a love wave device, in addition to the SAW device. It suffices that the IDT as the functional part is completely surrounded by the metal wall 12. The resonator may be a film bulk acoustic resonator (FBAR). In FBAR, a resonance region where a piezoelectric thin film overlaps with an upper electrode and a lower electrode sandwiching the piezoelectric thin film is a functional unit that excites an elastic wave. It is only necessary that the resonance region is completely surrounded by the metal wall 12.

複数の金属壁１２のうち、１つが信号配線１６と接続し、他の金属壁１２は接地配線１５と接触してもよい。つまり少なくとも１つの金属壁１２が信号配線１６と接触すればよい。ただし、上記のように接地端子ＧＮＤに付く寄生容量を低減することが好ましい。寄生容量を低減するためには、１つの金属壁１２が接地配線１５と接触し、他の金属壁１２が信号配線１６と接触すればよい。また図３に示すように、金属壁１２は１つ又は複数の共振子を囲めばよい。 One of the plurality of metal walls 12 may be connected to the signal wiring 16, and the other metal wall 12 may be in contact with the ground wiring 15. That is, at least one metal wall 12 may be in contact with the signal wiring 16. However, it is preferable to reduce the parasitic capacitance attached to the ground terminal GND as described above. In order to reduce the parasitic capacitance, one metal wall 12 may be in contact with the ground wiring 15 and the other metal wall 12 may be in contact with the signal wiring 16. Also, as shown in FIG. 3, the metal wall 12 may surround one or more resonators.

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において変更可能である。圧電基板１０、金属壁１２、天井１４、接地配線１５、信号配線１６、カバー部２０、ＩＤＴ２４及び反射器２６の材料は変更可能である。上述のように、共振子の配置及び数などは変更可能である。 As mentioned above, although the Example of this invention was explained in full detail, this invention is not limited to this specific Example, It can change within the range of the summary of this invention described in the claim. The materials of the piezoelectric substrate 10, the metal wall 12, the ceiling 14, the ground wiring 15, the signal wiring 16, the cover part 20, the IDT 24, and the reflector 26 can be changed. As described above, the arrangement and number of resonators can be changed.

１０圧電基板
１２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ金属壁
１３、２０ａ、３０ａ、３６ａ開口部
１４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ天井
１５接地配線
１６、１６ａ、１６ｂ信号配線
１８絶縁層
２０カバー部
２１空隙
２２半田ボール
２４ＩＤＴ
２６反射器
３０、３４、３６フォトレジスト
１００弾性波デバイス DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Piezoelectric substrate 12, 12a, 12b, 12c Metal wall 13, 20a, 30a, 36a Opening part 14, 14a, 14b, 14c Ceiling 15 Ground wiring 16, 16a, 16b Signal wiring 18 Insulating layer 20 Cover part 21 Void 22 Solder ball 24 IDT
26 Reflector 30, 34, 36 Photoresist 100 Elastic wave device

Claims

A substrate,
A functional unit provided on the upper surface of the substrate to excite an elastic wave;
A signal wiring provided on the upper surface of the substrate and electrically connected to the functional unit;
A metal wall provided on the upper surface of the substrate, in contact with the signal wiring and completely surrounding one or more of the functional units;
A ceiling provided on the function part so as to form a sealed gap on the function part, electrically connected to the metal wall, supported by the metal wall, and formed of metal;
An acoustic wave device comprising: a cover portion provided on the ceiling and covering the functional portion.

A first wiring connected to one end of the functional unit;
A second wiring connected to the other end of the functional unit;
An insulating layer provided on the second wiring,
2. The acoustic wave device according to claim 1, wherein the metal wall is provided on the insulating layer so as to be in contact with the first wiring and not to be in contact with the second wiring.

The acoustic wave device according to claim 1, further comprising a terminal provided on the cover portion and electrically connected to the ceiling.

The acoustic wave device according to claim 1, wherein the cover portion is formed of a liquid crystal polymer.

The elastic wave device according to claim 1, wherein the plurality of functional units are connected in a ladder shape.

6. The acoustic wave device according to claim 1, wherein the substrate is a piezoelectric substrate, and the functional unit is an IDT.

Providing a functional part on the upper surface of the substrate;
Providing a signal wiring electrically connected to the functional unit on the upper surface of the substrate;
Providing a metal wall on the upper surface of the substrate in contact with the signal wiring and completely surrounding one or more of the functional units;
Providing a metal ceiling on the functional part so as to form a gap electrically connected to the metal wall, supported by the metal wall, and sealed on the functional part;
And a step of providing a cover portion covering the functional portion on the ceiling.

The step of providing the metal wall includes a step of providing a first metal wall having an opening, and a step of providing a second metal wall that closes the opening.
A step of providing a photoresist so as to expose a region of the substrate on which the first metal wall is to be provided, which is performed before the step of providing the first metal wall;
Performed after the step of providing the first metal wall, and removing the photoresist from above the functional part,
8. The method of manufacturing an acoustic wave device according to claim 7, wherein a step of providing the second metal wall is performed after the step of removing the photoresist.

The step of providing the ceiling includes the step of providing a first ceiling and the step of providing a second ceiling on the first ceiling,
The step of providing the first metal wall and the step of providing the first ceiling are performed simultaneously;
9. The method of manufacturing an acoustic wave device according to claim 8, wherein the step of providing the second metal wall and the step of providing the second ceiling are performed simultaneously.

The method for manufacturing an acoustic wave device according to claim 7, wherein the metal wall and the ceiling are formed by a plating method.