JP2009222990A - 電子写真感光体製造用の温度制御装置、それを用いた電子写真感光体の製造方法、及び、その電子写真感光体 - Google Patents
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
【解決手段】外部の発熱体から熱を受けながら回転している円筒状基体の内部に、前記円筒状基体の内面部全体に接触する円筒状弾性体を有し、前記円筒状弾性体の内部に冷媒として液体を供給し、前記円筒状基体の温度上昇を抑制して、温度制御する円筒状基体の温度制御装置であって、該円筒状弾性体の厚みが、前記温度制御装置の内部に流れる冷媒の供給口で厚く、排出口側で薄いことを特徴とする円筒状基体の温度制御装置。
【選択図】図1
Description
一方、最近画像形成装置の小型化から感光体の小径化が進み、機械の高速化やメンテナンスフリーの動きも加わり感光体の高耐久化が切望されるようになってきた。この観点からみると、有機感光体は、表面層が低分子電荷輸送材料と不活性高分子を主成分としているため一般に柔らかく、電子写真プロセスにおいて繰り返し使用された場合、現像システムやクリーニングシステムによる機械的な負荷により摩耗が発生しやすいという欠点を有している。加えて高画質化の要求からトナー粒子の小粒径化に伴いクリーニング性を挙げる目的でクリーニングブレードのゴム硬度の上昇と当接圧力の上昇が余儀なくされ、このことも感光体の摩耗を促進する要因となっている。この様な感光体の摩耗は、感度の劣化、帯電性の低下などの電気的特性を劣化させ、画像濃度低下、地肌汚れ等の異常画像の原因となる。また摩耗が局所的に発生した傷は、クリーニング不良によるスジ状汚れ画像をもたらす。現状では感光体の寿命はこの摩耗や傷が律速となり、交換に至っている。
したがって、有機感光体の高耐久化においては前述の摩耗量を低減することが不可欠であり、これが当分野でもっとも解決が迫られている課題である。
感光層の耐摩耗性を改良する技術としては、(1)表面層に硬化性バインダーを用いたもの(例えば、特許文献1参照)、(2)高分子型電荷輸送物質を用いたもの(例えば、特許文献2参照)、(3)表面層に無機フィラーを分散させたもの(例えば、特許文献3参照)等が挙げられる。これらの技術のうち、(1)の硬化性バインダーを用いたものは、電荷輸送物質との相溶性が悪いためや重合開始剤、未反応残基などの不純物により残留電位が上昇し画像濃度低下が発生し易い傾向がある。また、(2)の高分子型電荷輸送物質を用いたもの、及び(3)の無機フィラーを分散させたものは、ある程度の耐摩耗性向上が可能であるものの、有機感光体に求められている耐久性を十二分に満足させるまでには至っていない。さらに(3)の無機フィラーを分散させたものは、無機フィラー表面に存在するトラップにより残留電位が上昇し、画像濃度低下が発生し易い傾向にある。これら(1)、(2)、(3)の技術では、有機感光体に求められる電気的な耐久性、機械的な耐久性をも含めた総合的な耐久性を十二分に満足するには至っていない。
本発明の第二は、前記円筒状弾性体の最も厚い部分と最も薄い部分の厚みの差が、0.1mm以上1.0mm以下であることを特徴とする本発明の第一に記載の円筒状基体の温度制御装置に関する。
本発明の第三は、前記円筒状弾性体の最も厚い部分と最も薄い部分の厚みの差が、0.2mm以上0.5mm以下であることを特徴とする本発明の第一から第二のいずれか記載の円筒状基体の温度制御装置に関する。
本発明の第四は、前記円筒状弾性体の厚みが0.5mmを越え3.0mm以下であることを特徴とする本発明の第一から第三のいずれか記載の円筒状基体の温度制御装置に関する。
本発明の第五は、前記温度制御装置の、円筒状基体の内面部全体に接触する円筒状弾性体が、冷媒として使用する液体の圧力により膨らみ、該冷媒の圧力が0.01Mpaから0.2Mpaであることを特徴とする本発明の第一から第四のいずれか記載の円筒状基体の温度制御装置に関する。
本発明の第六は、前記冷媒の流量が2L/分から10L/分であることを特徴とする本発明の第一から第五のいずれか記載の円筒状基体の温度制御装置に関する。
本発明の第七は、導電性の円筒状基体上に少なくとも感光層を設ける際の電子写真感光体の温度制御装置であって、該感光層の表面層が電荷輸送性構造を有しない3官能以上のラジカル重合性モノマーと電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物を光エネルギーによって共重合させてなる架橋表面層であって、該光エネルギー照射時に円筒状基体の温度を制御することを特徴とする本発明の第一から第六のいずれか記載の円筒状基体の温度制御装置に関する。
本発明の第八は、本発明の第一から第七のいずれか記載の円筒状基体の温度制御装置を用いることを特徴とする電子写真感光体の製造方法に関する。
本発明の第九は、本発明の第八に記載の電子写真感光体の製造方法により製造されたことを特徴とする電子写真感光体に関する。
本発明の円筒状基体の温度制御装置は、外部の発熱体から熱を受けながら回転している円筒状基体の温度上昇を軸方向で均一に制御できる温度制御装置であり、特に導電性の円筒状基体上に少なくとも感光層を有する電子写真感光体において、該感光層の表面層が光エネルギーによって共重合させてなる架橋性表面層であって、光エネルギーを照射し架橋表面層を形成させる際の温度上昇を軸方向で均一に制御するのに使用される温度制御装置である。
光エネルギー照射では、重合反応に必要なエネルギーの他に熱も放出される。このような熱は、硬化反応を補助する役割もあるが、基体温度が適正でない場合、硬化不良、変色、電荷輸送物質の破壊を招き、感光体の耐摩耗性や電気特性を低下させる。そのため、感光体製造における光エネルギー照射では、適正な温度に制御する必要がある。また、温度により硬化反応の進行具合が変化するため、硬化反応時の感光体温度が不均一である場合、硬化ムラを引き起こし、電子写真プロセスにおいて電気特性や摩耗量に偏差が生じ、画像濃度ムラを発生させる。このため、光エネルギー照射による硬化反応では、感光体の均一な温度制御が必要となる。
円筒状弾性体の厚みに傾斜を持たせる手段はいかなる方法でもよい。例えば、円筒状弾性体は表面を研磨することで厚みを制御する方法、傾斜を持った鋳型を用いて円筒状弾性体を製造する方法などがある。本発明ではマルヨシポリマー社製の、表面を研磨することで厚みの傾斜を持たせた円筒状弾性体を用いている。
冷媒温度が10℃未満の場合は、温度制御装置自体が結露してしまい、円筒状基体を濡らすという不具合が発生する。
冷媒温度が40℃を超える場合は、円筒状基体を狙いの温度に制御することが困難である。
恒温水槽でない水槽を冷媒の貯蔵水槽として使用すると、熱交換されて温度が高くなった冷媒が貯蔵水槽に戻ってくるため、経時で冷媒の温度が上昇し、安定した温度制御ができない。
本発明の円筒状基体の温度制御装置は、導電性の円筒状基体上に少なくとも感光層を有し、該感光層の表面層がラジカル重合性化合物を光エネルギー照射によって共重合させてなる架橋表面層であって、該光エネルギー照射時に円筒状基体の温度を制御する温度制御装置である。ここでは本発明に用いられる電子写真感光体を図面に基づいて説明する。
導電性支持体としては、体積抵抗1010Ω・cm以下の導電性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、白金などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を蒸着またはスパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの、あるいはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板およびそれらを押し出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩などの表面処理を施した管などを使用することができる。また、特開昭52−36016号公報に開示されたエンドレスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルトも導電性支持体として用いることができる。
この導電性粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラック、また、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などの金属粉、あるいは導電性酸化スズ、ITOなどの金属酸化物粉体などが挙げられる。また、同時に用いられる結着樹脂には、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などの熱可塑性、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂が挙げられる。
次に感光層について説明する。感光層は積層構造でも単層構造でもよい。
積層構造の場合には、感光層は電荷発生機能を有する電荷発生層と電荷輸送機能を有する電荷輸送層とから構成される。また、単層構造の場合には、感光層は電荷発生機能と電荷輸送機能を同時に有する層である。
以下、積層構造の感光層及び単層構造の感光層のそれぞれについて述べる。
(電荷発生層)
電荷発生層は、電荷発生機能を有する電荷発生物質を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を併用することもできる。電荷発生物質としては、無機系材料と有機系材料を用いることができる。
無機系材料には、結晶セレン、アモルファス・セレン、セレン−テルル、セレン−テルル−ハロゲン、セレン−ヒ素化合物や、アモルファス・シリコン等が挙げられる。アモルファス・シリコンにおいては、ダングリングボンドを水素原子、ハロゲン原子でターミネートしたものや、ホウ素原子、リン原子等をドープしたものが良好に用いられる。
電荷発生層に併用できる低分子電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがある。
電子輸送物質としては、たとえばクロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロキサントン、2,4,8−トリニトロチオキサントン、2,6,8−トリニトロ−4H−インデノ〔1,2−b〕チオフェン−4−オン、1,3,7−トリニトロジベンゾチオフェン−5,5−ジオキサイド、ジフェノキノン誘導体などの電子受容性物質が挙げられる。これらの電子輸送物質は、単独または2種以上の混合物として用いることができる。
前者の方法には、真空蒸着法、グロー放電分解法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、CVD法等が用いられ、上述した無機系材料、有機系材料が良好に形成できる。
電荷輸送層は電荷輸送機能を有する層で、本発明の電荷輸送性構造を有する架橋表面層は電荷輸送層として有用に用いられる。架橋表面層が電荷輸送層の全体である場合、前述の架橋表面層作製方法に記載したように電荷発生層上に本発明のラジカル重合性組成物(電荷輸送性構造を有しないラジカル重合性モノマー及び電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物;以下同じ)とフィラーを含有する塗工液を塗布、必要に応じて乾燥後、外部エネルギーにより硬化反応を開始させ、架橋表面層が形成される。このとき、架橋表面層の膜厚は、10〜30μm、好ましくは10〜25μmである。10μmより薄いと充分な帯電電位が維持できず、30μmより厚いと硬化時の体積収縮により下層との剥離が生じやすくなる。
電荷輸送層の下層部分に併用できる可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等の一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、その使用量は、結着樹脂100重量部に対して0〜30重量部程度が適当である。
単層構造の感光層は電荷発生機能と電荷輸送機能を同時に有する層で、本発明の電荷輸送性構造を有する架橋表面層は電荷発生機能を有する電荷発生物質を含有させることにより、単層構造の感光層として有用に用いられる。上記の電荷発生層のキャスティング形成方法に記載したように、電荷発生物質をラジカル重合性組成物を含有する塗工液と共に分散し、電荷発生層(35)上に塗布、必要に応じて乾燥後、外部エネルギーにより硬化反応を開始させ、架橋表面層が形成される。なお、電荷発生物質はあらかじめ溶媒と共に分散した液を本架橋表面層用塗工液に加えてもよい。このとき、架橋表面層の膜厚は、10〜30μm、好ましくは10〜25μmである。10μmより薄いと充分な帯電電位が維持できず、30μmより厚いと硬化時の体積収縮により導電性基体または下引き層との剥離が生じやすくなる。
本発明の感光体においては、架橋表面層が感光層の表面部分となる場合、架橋表面層への下層成分混入を抑える又は下層との接着性を改善する目的で中間層を設けることが可能である。この中間層はラジカル重合性組成物を含有する最表面層中に下部感光層組成物の混入により生ずる、硬化反応の阻害や架橋表面層の凹凸を防止する。また、下層の感光層と表面架橋層の接着性を向上させることも可能である。
本発明の感光体においては、導電性支持体と感光層との間に下引き層を設けることができる。下引き層は一般には樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等が挙げられる。また、下引き層にはモアレ防止、残留電位の低減等のために酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物の微粉末顔料を加えてもよい。
また、本発明においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、架橋表面層、電荷発生層、電荷輸送層、下引き層、中間層等の各層に酸化防止剤を添加することができる。
(フェノール系化合物)
2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、2,6−ジ−t−ブチル−4−エチルフェノール、ステアリル−β−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、2,2’−メチレン−ビス−(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−チオビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−ブチリデンビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、1,1,3−トリス−(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、テトラキス−[メチレン−3−(3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]メタン、ビス[3,3’−ビス(4’−ヒドロキシ−3’−t−ブチルフェニル)ブチリックアッシド]クリコ−ルエステル、トコフェロール類など。
N−フェニル−N’−イソプロピル−p−フェニレンジアミン、N,N’−ジ−sec−ブチル−p−フェニレンジアミン、N−フェニル−N−sec−ブチル−p−フェニレンジアミン、N,N’−ジ−イソプロピル−p−フェニレンジアミン、N,N’−ジメチル−N,N’−ジ−t−ブチル−p−フェニレンジアミンなど。
2,5−ジ−t−オクチルハイドロキノン、2,6−ジドデシルハイドロキノン、2−ドデシルハイドロキノン、2−ドデシル−5−クロロハイドロキノン、2−t−オクチル−5−メチルハイドロキノン、2−(2−オクタデセニル)−5−メチルハイドロキノンなど。
ジラウリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジステアリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−3,3’−チオジプロピオネートなど。
トリフェニルホスフィン、トリ(ノニルフェニル)ホスフィン、トリ(ジノニルフェニル)ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ(2,4−ジブチルフェノキシ)ホスフィンなど。
本発明における酸化防止剤の添加量は、添加する層の総重量に対して0.01〜10重量%である。
本発明に用いられる電荷輸送性を有しない3官能以上のラジカル重合性モノマーとは、例えばトリアリールアミン、ヒドラゾン、ピラゾリン、カルバゾールなどの正孔輸送性構造、例えば縮合多環キノン、ジフェノキノン、シアノ基やニトロ基を有する電子吸引性芳香族環などの電子輸送構造を有しておらず、且つラジカル重合性官能基を3個以上有するモノマーを指す。このラジカル重合性官能基とは、炭素−炭素2重結合を有し、ラジカル重合可能な基であれば何れでもよい。これらラジカル重合性官能基としては、例えば、下記に示す1−置換エチレン官能基、1,1−置換エチレン官能基等が挙げられる。
CH2=CH−X2−
(ただし、式中、X2は、置換基を有していてもよいフェニレン基、ナフチレン基等のアリーレン基、置換基を有していてもよいアルケニレン基、−CO−基、−COO−基、−CON(R36)−基(R36は、水素、メチル基、エチル基等のアルキル基、ベンジル基、ナフチルメチル基、フェネチル基等のアラルキル基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基を表わす。)、または−S−基を表わす。)
これらの置換基を具体的に例示すると、ビニル基、スチリル基、2−メチル−1,3−ブタジエニル基、ビニルカルボニル基、アクリロイルオキシ基、アクリロイルアミド基、ビニルチオエーテル基等が挙げられる。
CH2=C(Y4)−X3−
(ただし、式中、Y4は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等のアリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、メトキシ基あるいはエトキシ基等のアルコキシ基、−COOR37基(R37は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基、エチル基等のアルキル基、置換基を有していてもよいベンジル、フェネチル基等のアラルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等のアリール基、または−CONR38R39(R38およびR39は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基、エチル基等のアルキル基、置換基を有していてもよいベンジル基、ナフチルメチル基、あるいはフェネチル基等のアラルキル基、または置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等のアリール基を表し、互いに同一または異なっていてもよい。)、また、X3は上記式10のX2と同一の置換基及び単結合、アルキレン基を表わす。ただし、Y4,X3の少なくとも何れか一方がオキシカルボニル基、シアノ基、アルケニレン基、及び芳香族環である。)
これらの置換基を具体的に例示すると、α−塩化アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、α−シアノエチレン基、α−シアノアクリロイルオキシ基、α−シアノフェニレン基、メタクリロイルアミノ基等が挙げられる。
なお、これらX2、X3、Y4についての置換基にさらに置換される置換基としては、例えばハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メチル基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等が挙げられる。
これらのラジカル重合性官能基の中では、特にアクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基が有用であり、3個以上のアクリロイルオキシ基を有する化合物は、例えば水酸基がその分子中に3個以上ある化合物とアクリル酸(塩)、アクリル酸ハライド、アクリル酸エステルを用い、エステル反応あるいはエステル交換反応させることにより得ることができる。また、3個以上のメタクリロイルオキシ基を有する化合物も同様にして得ることができる。また、ラジカル重合性官能基を3個以上有する単量体中のラジカル重合性官能基は、同一でも異なっても良い。
すなわち、本発明において使用する上記ラジカル重合性モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート(TMPTA)、トリメチロールプロパントリメタクリレート、HPA変性トリメチロールプロパントリアクリレート、EO変性トリメチロールプロパントリアクリレート、PO変性トリメチロールプロパントリアクリレート、カプロラクトン変性トリメチロールプロパントリアクリレート、HPA変性トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート(PETTA)、グリセロールトリアクリレート、ECH変性グリセロールトリアクリレート、EO変性グリセロールトリアクリレート、PO変性グリセロールトリアクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(DPHA)、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジメチロールプロパンテトラアクリレート(DTMPTA)、ペンタエリスリトールエトキシテトラアクリレート、EO変性リン酸トリアクリレート、2,2,5,5,−テトラヒドロキシメチルシクロペンタノンテトラアクリレートなどが挙げられ、これらは、単独又は2種類以上を併用しても差し支えない。
また静電的特性においても、2官能以上の電荷輸送性化合物を用いた場合は複数の結合で架橋構造中に固定されるため、電荷輸送時の中間体構造(カチオンラジカル)が安定して保てず、電荷のトラップによる感度の低下、残留電位の上昇が起こしやすくなる。これらの電気的特性の劣化は、画像濃度低下、文字の細り等の画像として現れる。このようなことから、電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物は、1官能の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物を用い、架橋結合間にペンダント状に固定化することにより、クラックや傷の発生、及び静電的特性の安定化しやすくなる。
前記一般式(1)、(2)において、R1の置換基中、アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が、アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基が、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等がそれぞれ挙げられ、これらは、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メチル基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等により置換されていても良い。
R1の置換基のうち、特に好ましいものは水素原子、メチル基である。
該縮合多環式炭化水素基としては、好ましくは環を形成する炭素数が18個以下のもの、例えば、ペンタニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、as−インダセニル基、s−インダセニル基、フルオレニル基、アセナフチレニル基、プレイアデニル基、アセナフテニル基、フェナレニル基、フェナントリル基、アントリル基、フルオランテニル基、アセフェナントリレニル基、アセアントリレニル基、トリフェニレル基、ピレニル基、クリセニル基、及びナフタセニル基等が挙げられる。
(i)ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基等。
(ii)アルキル基、好ましくは、C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、これらのアルキル基にはさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を有していてもよい。具体的にはメチル基、エチル基、n−ブチル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−プロピル基、トリフルオロメチル基、2−ヒドロキエチル基、2−エトキシエチル基、2−シアノエチル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。
(iii)アルコキシ基(−OR2)であり、R2は(2)で定義したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、ベンジルオキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
(iv)アリールオキシ基であり、アリール基としてはフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これは、C1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。具体的には、フェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、4−メトキシフェノキシ基、4−メチルフェノキシ基等が挙げられる。
(v)アルキルメルカプト基またはアリールメルカプト基であり、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。
(vi)
(式中、R3及びR4は各々独立に水素原子、前記(2)で定義したアルキル基、またはアリール基を表わす。アリール基としては、例えばフェニル基、ビフェニル基又はナフチル基が挙げられ、これらはC1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子を置換基として含有してもよい。R3及びR4は共同で環を形成してもよい)
(vii)メチレンジオキシ基、又はメチレンジチオ基等のアルキレンジオキシ基又はアルキレンジチオ基等が挙げられる。
(viii)置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換のβ−フェニルスチリル基、ジフェニルアミノフェニル基、ジトリルアミノフェニル基等。
置換もしくは無置換のアルキレン基としては、C1〜C12、好ましくはC1〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキレン基であり、これらのアルキレン基にはさらにフッ素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル基を有していてもよい。具体的にはメチレン基、エチレン基、n−ブチレン基、i−プロピレン基、t−ブチレン基、s−ブチレン基、n−プロピレン基、トリフルオロメチレン基、2−ヒドロキエチレン基、2−エトキシエチレン基、2−シアノエチレン基、2−メトキシエチレン基、ベンジリデン基、フェニルエチレン基、4−クロロフェニルエチレン基、4−メチルフェニルエチレン基、4−ビフェニルエチレン基等が挙げられる。
置換もしくは無置換のシクロアルキレン基としては、C5〜C7の環状アルキレン基であり、これらの環状アルキレン基にはフッ素原子、水酸基、C1〜C4のアルキル基、C1〜C4のアルコキシ基を有していても良い。具体的にはシクロヘキシリデン基、シクロへキシレン基、3,3−ジメチルシクロヘキシリデン基等が挙げられる。
置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基としては、エチレンオキシ、プロピレンオキシ、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、テトラエチレングリコール、トリプロピレングリコールを表わし、アルキレンエーテル基アルキレン基はヒドロキシル基、メチル基、エチル基等の置換基を有してもよい。
ビニレン基は、つぎの一般式で表わされる。
前記Zは置換もしくは未置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、アルキレンオキシカルボニル基を表わす。
置換もしくは未置換のアルキレン基としは、前記Xのアルキレン基と同様なものが挙げられる。
置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基としては、前記Xのアルキレンエーテル基が挙げられる。
アルキレンオキシカルボニル基としては、カプロラクトン変性基が挙げられる。
ラジカル重合性オリゴマーとしては、例えば、エポキシアクリレート系、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系オリゴマーが挙げられる。但し、1官能及び2官能のラジカル重合性モノマーやラジカル重合性オリゴマーを多量に含有させると架橋表面層の3次元架橋結合密度が実質的に低下し、耐摩耗性の低下を招く。このためこれらのモノマーやオリゴマーの含有量は、3官能以上のラジカル重合性モノマー100重量部に対し50重量部以下、好ましくは30重量部以下に制限される。
重合開始剤としては、ジエトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)ブタノン−1、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、2−メチル−2−モルフォリノ(4−メチルチオフェニル)プロパン−1−オン、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、などのアセトフェノン系またはケタール系光重合開始剤、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、などのベンゾインエーテル系光重合開始剤、ベンゾフェノン、4−ヒドロキシベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、2−ベンゾイルナフタレン、4−ベンゾイルビフェニル、4−ベンゾイルフェニールエーテル、アクリル化ベンゾフェノン、1,4−ベンゾイルベンゼン、などのベンゾフェノン系光重合開始剤、2−イソプロピルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジクロロチオキサントン、などのチオキサントン系光重合開始剤、その他の光重合開始剤としては、エチルアントラキノン、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、2,4,6−トリメチルベンゾイルフェニルエトキシホスフィンオキサイド、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド、ビス(2,4−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド、メチルフェニルグリオキシエステル、9,10−フェナントレン、アクリジン系化合物、トリアジン系化合物、イミダゾール系化合物、が挙げられる。また、光重合促進効果を有するものを単独または上記光重合開始剤と併用して用いることもできる。例えば、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、安息香酸(2−ジメチルアミノ)エチル、4,4’−ジメチルアミノベンゾフェノン、などが挙げられる。
また光エネルギーにより硬化するときには、酸素による架橋阻害を防止するために、酸素濃度を低減することが好ましい。
硬化終了後は、残留溶媒除去のため100〜150℃で10分〜30分加熱して、本発明の感光体を得る。
効果の確認方法は、電荷輸送層を塗布、乾燥後の外径φ100mm、全長380mmのAl製の円筒状導電性基体の近傍に紫外線照射装置(フュージョン社製)を設置し、紫外線を照射し、照射終了時点での円筒状基体表面の温度を、UV光照射位置から丁度180°回転した裏側位置で、熱電対及びデータロガーにて測定し、円筒状基体上部50mm、中央部190mm、下部330mmの3箇所での温度バラツキを評価する。
また、実施例1〜8及び比較例1〜7にて共通する条件を下記に記す。
紫外線ランプ:バルブ種Hバルブ800mW/cm2
紫外線ランプ円筒状基体表面の距離:53mm
紫外線ランプ照射時間:2分間
紫外線ランプ照射時の円筒状基体回転数:50rpm
冷媒:水
冷媒温度:20℃
恒温水槽:20℃設定(冷却能力1500W)
冷媒供給パイプ長さ:400mm
冷媒供給パイプと円筒状弾性体の保持部との隙間:2mm
円筒状弾性体の材質:エチレン−プロピレン−ジエンゴム(EPDM)
円筒状弾性体の厚さ:最厚部1.2mm、最薄部0.8mm
冷媒の循環方法:冷媒供給パイプから供給、貫通穴から排出
冷媒供給圧力:0.05MPa
冷媒循環流量:5L/分
円筒状弾性体の厚さ:最厚部1.3mm、最薄部0.7mm
冷媒の循環方法:冷媒供給パイプから供給、貫通穴から排出
冷媒供給圧力:0.02MPa
冷媒循環流量:3L/分
円筒状弾性体の厚さ:最厚部2.0mm、最薄部1.5mm
冷媒の循環方法:冷媒供給パイプから供給、貫通穴から排出
冷媒供給圧力:0.07MPa
冷媒循環流量:8L/分
円筒状弾性体の厚さ:最厚部2.5mm、最薄部1.5mm
冷媒の循環方法:冷媒供給パイプから供給、貫通穴から排出
冷媒供給圧力:0.05MPa
冷媒循環流量:5L/分
円筒状弾性体の厚さ:最厚部1.2mm、最薄部0.8mm
冷媒の循環方法:貫通穴から供給、冷媒供給パイプから排出
冷媒供給圧力:0.05MPa
冷媒循環流量:5L/分
円筒状弾性体の厚さ:最厚部1.3mm、最薄部0.7mm
冷媒の循環方法:貫通穴から供給、冷媒供給パイプから排出
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円筒状弾性体の厚さ:最厚部2.0mm、最薄部1.5mm
冷媒の循環方法:貫通穴から供給、冷媒供給パイプから排出
冷媒供給圧力:0.07MPa
冷媒循環流量:8L/分
円筒状弾性体の厚さ:最厚部2.5mm、最薄部1.5mm
冷媒の循環方法:貫通穴から供給、冷媒供給パイプから排出
冷媒供給圧力:0.05MPa
冷媒循環流量:5L/分
円筒状弾性体の厚さ:1.0mm傾斜なし
冷媒の循環方法:冷媒供給パイプから供給、貫通穴から排出
冷媒供給圧力:0.05MPa
冷媒循環流量:5L/分
円筒状弾性体の厚さ:1.5mm傾斜なし
冷媒の循環方法:冷媒供給パイプから供給、貫通穴から排出
冷媒供給圧力:0.05MPa
冷媒循環流量:5L/分
円筒状弾性体の厚さ:1.0mm傾斜なし
冷媒の循環方法:冷媒供給パイプから供給、貫通穴から排出
冷媒供給圧力:0.06MPa
冷媒循環流量:7L/分
円筒状弾性体の厚さ:1.0mm傾斜なし
冷媒の循環方法:貫通穴から供給、冷媒供給パイプから排出
冷媒供給圧力:0.05MPa
冷媒循環流量:5L/分
円筒状弾性体の厚さ:1.5mm傾斜なし
冷媒の循環方法:貫通穴から供給、冷媒供給パイプから排出
冷媒供給圧力:0.05MPa
冷媒循環流量:5L/分
円筒状弾性体の厚さ:1.0mm傾斜なし
冷媒の循環方法:貫通穴から供給、冷媒供給パイプから排出
冷媒供給圧力:0.06MPa
冷媒循環流量:7L/分
温度制御装置なしで円筒状基体を回転させながら紫外線を照射した。
温度測定の結果を表1に示す。
Al製支持体(外径φ100mm、全長380mm)に、下記下引き層用塗工液を浸漬塗工し、加熱乾燥させ、膜厚3.5μmの下引き層を形成した。
・下引き層用塗工液
アルキッド樹脂 6部
(ベッコゾール1307−60−EL、大日本インキ化学工業製)
メラミン樹脂 4部
(スーパーベッカミン G−821−60、大日本インキ化学工業製)
酸化チタン 40部
(CR−EL:石原産業)
メチルエチルケトン 50部
・電荷発生層用塗工液
Y型チタニルフタニルフタロシアニン 4部
ポリビニルブチラール 2部
(エスレックBM−S、積水化学工業)
メチルエチルケトン 150部
・電荷輸送層用塗工液
ビスフェーノルZ型ポリカーボネート 10部
(パンライトTS−2050、帝人化成製)
下記構造の低分子電荷輸送物質 10部
1%シリコーンオイルのテトラヒドロフラン溶液 0.2部
(KF50、信越化学工業製)
・架橋表面層塗工液
電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマー 5部
KAYARAD TMPTA(日本化薬製)
電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマー 5部
KAYARAD DPCA120(日本化薬製)
下記構造の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物 10部
実施例9において紫外線照射条件を比較例4とした以外は実施例9と同様に作製した。
実施例9において紫外線照射条件を比較例7とした以外は実施例9と同様に作製した。
作製した電子写真感光体を、リコー製imagio MF1350を用いて、50万枚の実機通紙試験(A4、NBSリコー製MyPaper、スタート時帯電電位−800V)を実施し、感光体の上部、中央部、下部で摩耗特性、機内電位、画像評価を行なった。結果を表2、3、4に示す。
従って、本発明の外部の発熱体から熱を受けながら回転している円筒状基体の内部に、前記円筒状基体の内面部全体に接触する円筒状弾性体を有し、前記円筒状弾性体の内部に冷媒として液体を供給し、前記円筒状基体の温度上昇を抑制して、温度制御する円筒状基体の温度制御装置であって、該円筒状弾性体の厚みが、前記温度制御装置の内部に流れる冷媒の供給口で厚く、排出口側で薄いことを特徴とする円筒状基体の温度制御装により、円筒状基体の温度上昇を軸方向で均一に制御できる。また、本発明の円筒状基体の温度制御装置により軸方向でも均一な摩耗特性、電気特性、画像特性を有する電子写真感光体を製造することができる。
2 発熱体
4 円筒状弾性体
6 回転軸
7 貫通穴
8 ロータリージョイント
9 冷媒供給パイプ
Claims (9)
- 外部の発熱体から熱を受けながら回転している円筒状基体の内部に、前記円筒状基体の内面部全体に接触する円筒状弾性体を有し、前記円筒状弾性体の内部に冷媒として液体を供給し、前記円筒状基体の温度上昇を抑制して、温度制御する円筒状基体の温度制御装置であって、該円筒状弾性体の厚みが、前記温度制御装置の内部に流れる冷媒の供給口で厚く、排出口側で薄いことを特徴とする円筒状基体の温度制御装置。
- 前記円筒状弾性体の最も厚い部分と最も薄い部分の厚みの差が、0.1mm以上1.0mm以下であることを特徴とする請求項1に記載の円筒状基体の温度制御装置。
- 前記円筒状弾性体の最も厚い部分と最も薄い部分の厚みの差が、0.2mm以上0.5mm以下であることを特徴とする請求項2に記載の円筒状基体の温度制御装置。
- 前記円筒状弾性体の厚みが0.5mmを越え3.0mm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の円筒状基体の温度制御装置。
- 前記温度制御装置の、円筒状基体の内面部全体に接触する円筒状弾性体が、冷媒として使用する液体の圧力により膨らみ、該冷媒の圧力が0.01Mpaから0.2Mpaであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の円筒状基体の温度制御装置。
- 前記冷媒の流量が2L/分から10L/分であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の円筒状基体の温度制御装置。
- 導電性の円筒状基体上に少なくとも感光層を設ける際の電子写真感光体の温度制御装置であって、該感光層の表面層が電荷輸送性構造を有しない3官能以上のラジカル重合性モノマーと電荷輸送性構造を有するラジカル重合性化合物を光エネルギーによって共重合させてなる架橋表面層であって、該光エネルギー照射時に円筒状基体の温度を制御することを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の円筒状基体の温度制御装置。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載の円筒状基体の温度制御装置を用いることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
- 請求項8に記載の電子写真感光体の製造方法により製造されたことを特徴とする電子写真感光体。
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