JP2009216996A - フォトマスクおよびフォトマスクを用いるカラーフィルタの製造方法 - Google Patents
フォトマスクおよびフォトマスクを用いるカラーフィルタの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】フォトマスク1は、基板11上に、遮光パターン12、ハーフトーンパターン13、周囲にハーフトーンパターン15を有する遮光パターン14を有する。基板23にポジ型フォトレジスト16を塗布したカラーフィルタ2に、フォトマスク1を介して露光し、現像を行うことで、カラーフィルタ3が得られる。カラーフィルタ3は、遮光パターン12に対応してスペーサ17が形成され、ハーフトーンパターン13に対応してリブ19が形成され、遮光パターン14とハーフトーンパターン15に対応してサブスペーサ21が形成される。サブスペーサ21は、高い中心部に低い周辺部を有する。カラーフィルタ3をベークすると、スペーサ29、サブスペーサ33、リブ31を備えたカラーフィルタ4が得られる。
【選択図】図1
Description
つまり、フォトマスク101では、カラーフィルタ102において、2種類の高さしか実現できず、3種類の高さを持つ構造物を一括して形成することは不可能であった。
前記第1の開口領域の開口パターンよりも幅の広い開口パターンからなる第2の開口領域と、を有するフォトマスクを用いて、ネガ型フォトレジストが塗布された基板を露光する工程と、前記基板を現像する工程と、前記基板をベークする工程と、を具備し、前記第1の開口領域に対応する部材と、前記第2の開口領域に対応する前記部材より低いサブ部材とを形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法である。
(階調マスクの作製)
光学研磨された390mm×610mmの合成石英基板上にクロム膜(遮光膜)が厚み100nmで成膜されている常用のマスクブランク上に、市販のフォトレジスト(東京応化工業社製 ip−3500)を厚み600nmで塗布し、120℃に加熱されたホットプレートで15分ベークした後、フォトマスク用レーザ描画装置(マイクロニック社製LRS11000-TFT3)で、所望の遮光パターンを描画した。
次に、専用のデベロッパー(東京応化工業社製 NMD3)で現像し、遮光膜用レジストパターンを得た。
次に、レジストパターンをエッチング用マスクとし、クロム膜をエッチングし、さらに残ったレジストパターンを剥膜することで、所望の遮光パターンを得た。クロム膜のエッチングには、市販の硝酸セリウム系ウェットエッチャント(ザ・インクテック社製 MR−ES)を用いた。クロム膜のエッチング時間は、60秒であった。
<成膜条件>
・ガス流量比 Ar:N2=5:1
・パワー:1.3kW
・ガス圧:3.5mTorr
窒化クロム膜の膜厚は10nmとした。
次に、窒化クロム膜上に市販のフォトレジスト(東京応化製 ip−3500)を再度、厚み600nmで塗布し、120℃に加熱されたホットプレート上で15分ベークした。
続いてハーフトーンパターンとなる像を再度、レーザ描画装置(マイクロニック社製LRS11000-TFT3)で描画し、専用デベロッパー(東京応化社製 NMD3)で現像し、レジストパターンを得た。
次に、レジストパターンをマスクとして、市販の硝酸セリウム系ウェットエッチャント(ザ・インクテック社製 MR−ES)で窒化クロム膜およびクロム膜をエッチングし、ハーフトーンパターンおよび遮光パターンを得た。
最後に残ったレジストを剥膜し、パターン寸法検査、パターン欠陥検査などの検査工程を経て、必要に応じてパターン修正を行い、フォトマスクを得た。
大きさが100mm×100mm、厚みが0.7mmのガラス基板を準備し、このガラス基板上にポジ型感光性レジスト(ロームアンドハース社製 LC100VL)をスピンコート法により塗布し、減圧乾燥後、100℃にて3分間プリベークした。その後、フォトマスクを介して下記条件にて露光した。
<露光条件>
・露光量:50mJ/cm2(I線換算)
・露光ギャップ:150μm
一枚のマスク内に、直径30μmの円形のクロム膜(Cr30μm)と、直径18μmの円形のクロム膜(Cr18μm)と、直径5μmの円形のクロム膜と直径30μmのハーフトーンパターンが同心円状になる遮光領域(Cr5μm+HT30μm)を設けたマスクを作製し、前記条件でポジ型フォトレジストの露光と現像を行った。
一枚のマスク内に、直径20μm、30μm、40μm、60μmの円形のクロム膜を設けたマスクを作製し、前記条件でポジ型フォトレジストの露光と現像を行った。
2、3、4………カラーフィルタ
5………フォトマスク
6、7、8………カラーフィルタ
9、10………カラーフィルタ
11………基板
12………遮光パターン
13………ハーフトーンパターン
14………遮光パターン
15………ハーフトーンパターン
16………フォトレジスト
17………スペーサ
19………リブ
21………サブスペーサ
23………基板
25………遮光層
27………着色層
29………スペーサ
31………リブ
33………サブスペーサ
35………遮光パターン
37………サブスペーサ
39………サブスペーサ
41………遮光パターン
43………ハーフトーンパターン
45………遮光パターン
47………ハーフトーンパターン
49………ハーフトーンパターン
51………サブスペーサ
53………遮光パターン
55………サブスペーサ
101………フォトマスク
102………カラーフィルタ
103………フォトマスク
104………カラーフィルタ
Claims (12)
- 遮光領域を有するフォトマスクであって、
前記遮光領域が、中心に遮光パターンを有し、前記遮光パターンの端部から5μm以内にハーフトーンパターンを有することを特徴とするフォトマスク。 - 前記遮光パターンの幅が、50μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記ハーフトーンパターンの幅が、2μm以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のフォトマスク。
- 請求項1ないし請求項3に記載のフォトマスクを用いて、ポジ型フォトレジストが塗布された基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、
前記基板をベークする工程と、
を具備することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。 - 遮光パターンからなる第1の遮光領域と、
中心に遮光パターンを有し、前記遮光パターンの端部から5μm以内にハーフトーンパターンを有する第2の遮光領域と、
を有するフォトマスクを用いて、ポジ型フォトレジストが塗布された基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、
前記基板をベークする工程と、
を具備し、
前記第1の遮光領域に対応する部材と、前記第2の遮光領域に対応する前記部材より低いサブ部材とを形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。 - 遮光パターンからなる第1の遮光領域と、
前記第1の遮光領域の遮光パターンよりも幅の広い遮光パターンからなる第2の遮光領域と、
を有するフォトマスクを用いて、ポジ型フォトレジストが塗布された基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、
前記基板をベークする工程と、
を具備し、
前記第1の遮光領域に対応する部材と、前記第2の遮光領域に対応する前記部材より低いサブ部材とを形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。 - 開口領域を有するフォトマスクであって、
前記開口領域が、遮光部中に、中心に開口パターンを有し、前記開口パターンの端部から5μm以内にハーフトーンパターンを有することを特徴とするフォトマスク。 - 前記開口パターンの幅が、50μm以下であることを特徴とする請求項7に記載のフォトマスク。
- 前記ハーフトーンパターンの幅が、2μm以上であることを特徴とする請求項7または請求項8に記載のフォトマスク。
- 請求項7ないし請求項9に記載のフォトマスクを用いて、ネガ型フォトレジストが塗布された基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、
前記基板をベークする工程と、
を具備することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。 - 遮光部中に、開口パターンからなる第1の開口領域と、
中心に開口パターンを有し、前記遮光パターンの端部から5μm以内にハーフトーンパターンを有する第2の開口領域と、
を有するフォトマスクを用いて、ネガ型フォトレジストが塗布された基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、
前記基板をベークする工程と、
を具備し、
前記第1の開口領域に対応する部材と、前記第2の開口領域に対応する前記部材より低いサブ部材とを形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。 - 遮光部中に、開口パターンからなる第1の開口領域と、
前記第1の開口領域の開口パターンよりも幅の広い開口パターンからなる第2の開口領域と、
を有するフォトマスクを用いて、ネガ型フォトレジストが塗布された基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、
前記基板をベークする工程と、
を具備し、
前記第1の開口領域に対応する部材と、前記第2の開口領域に対応する前記部材より低いサブ部材とを形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
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