JP2009216805A - 電気光学装置、駆動回路および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】コモン電極１０８の電圧を変化させる構成において横方向に発生する表示むらを抑える。
【解決手段】画素は、一端が画素電極に接続され他端がコモン電極１０８に接続された画素容量とを含む。コモン電極１０８は、１〜３２０行のそれぞれに対応して設けられ、コモン電極駆動回路１７０は、１〜３２０行目のそれぞれに対応するようにＴＦＴ１７１〜１７５を有する。例えば、ある走査線１１２が選択されるとき、ＴＦＴ１７１、１７２のいずれかがオンして、書込極性に応じた電圧Ｖsl、Ｖshが当該走査線に対応するコモン電極１０８に給電線１６１、１６２を介して印加されるとともに、当該走査線の選択が終了した後でもゲート電極の寄生容量によってオンし続ける。ここで、ある走査線が選択されるとき、同時にＴＦＴ１７５もオンさせて、当該コモン電極１０８に書込極性に応じた電圧を給電線１６３も介して給電する。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶などの電気光学装置においてコモン電極の電圧を変化させる場合に、横方向に発生する表示むらを抑える技術に関する。

液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量（液晶容量）が設けられる。この画素容量を交流駆動するときに、データ線の電圧振幅を抑えるためにコモン電極を走査線毎に個別化するとともに、走査線を選択するときに当該選択走査線に対応するコモン電極を書込極性に応じた２値電圧のいずれかとする技術が知られている（特許文献１参照）。
特開２００５−３００９４８号公報参照

しかしながら、この技術では、コモン電極を走査線毎に個別化したことに伴って、横方向の表示むらが発生しやすい。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的の１つは、コモン電極を個別に駆動する構成において、表示むらの発生を抑制する技術を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と他端との間でオン状態となる画素スイッチング素子と、一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端が前記コモン電極に接続された画素容量と、を含む画素と、を有する電気光学装置の駆動回路であって、前記複数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、前記コモン電極の各々に対応して第１トランジスタ、第２トランジスタおよび補助トランジスタを有し、一のコモン電極に対応する前記第１トランジスタのソース電極は、第１電圧を給電する第１給電線または前記第１電圧よりも高位の第２電圧を給電する第２給電線のいずれか一方に接続され、前記一のコモン電極に対応する前記第２トランジスタのソース電極は、前記第１給電線または前記第２給電線のいずれか他方に接続され、前記一のコモン電極に対応する前記補助トランジスタは、そのゲート電極が当該一のコモン電極に対応する前記走査線に接続され、そのソース電極が第３給電線に接続され、前記一のコモン電極に対応する前記第１トランジスタ、前記第２のトランジスタおよび前記補助トランジスタのドレイン電極同士が当該一のコモン電極に接続されて、前記一のコモン電極に対し、当該一のコモン電極に対応する走査線が選択される期間に、当該選択される走査線に対応する画素に前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも高位側となる正極性が指定されたとき、前記第１または第２トランジスタがオン状態となって、前記第１給電線を介して前記第１電圧を印加するとともに、前記補助トランジスタがオン状態になって、前記第３給電線を介して前記第１電圧を印加し、当該走査線の選択終了後において前記第１トランジスタのオン状態を維持し、当該一のコモン電極に対応する走査線が選択される期間に、当該選択される走査線に対応する画素に前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも低位側となる負極性が指定されたとき、前記第２または第１トランジスタがオン状態となって、前記第２給電線を介して前記第２電圧を印加するとともに、前記補助トランジスタがオン状態になって、前記第３給電線を介して前記第２電圧を印加し、当該走査線の選択終了後において前記第２トランジスタのオン状態を維持するコモン電極駆動回路と、選択された前記走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調および極性に応じた電圧のデータ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、を具備することを特徴とする。
本発明によれば、第１、第２トランジスタのオン抵抗が高くなっても、一の走査線が選択される期間では、第１または第２トランジスタとは別に補助トランジスタがオンになって当該一の走査線に対応するコモン電極に第１または第２トランジスタのオンによる電圧と同じ電圧を、第３給電線を介して印加する。このため、当該一の走査線が選択されたときに、コモン電極に対して第１または第２電圧のいずれか一方をより正しく印加することができる。

本発明において、前記コモン電極駆動回路は、前記コモン電極の各々に対応して、さらに第３トランジスタおよび第４トランジスタを有し、一のコモン電極に対応する前記第３トランジスタは、そのゲート電極が、当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、そのソース電極がオンまたはオフ電圧のいずれか一方を給電する第１信号線に接続され、そのドレイン電極が当該一のコモン電極に対応する前記第１トランジスタのゲート電極に接続され、一のコモン電極に対応する前記第４トランジスタは、そのゲート電極が、当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、そのソース電極がオンまたはオフ電圧のいずれか他方を給電する第２信号線に接続され、そのドレイン電極が当該一のコモン電極に対応する前記第２トランジスタのゲート電極に接続された構成としても良い。
また、本発明において、前記コモン電極の各々に対応して設けられた複数の検出トランジスタと、オペアンプと、を有し、一のコモン電極に対応する前記検出トランジスタは、そのゲート電極が、当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、そのソース電極が当該一のコモン電極に接続され、前記オペアンプは、当該選択される走査線に対応する画素に正極性が指定されたとき、当該選択される走査線に対応するコモン電極が前記第１電圧となるように制御し、当該選択される走査線に対応する画素電極に負極性が指定されたとき、当該選択される走査線に対応するコモン電極が前記第２電圧となるように制御する異性としても良い。この構成によれば表示むらをより確実に抑えることが可能となる。
なお、この構成においては、前記複数の画素が配列する領域に対して、前記検出線と第３給電線とを同じ側に設けても良いし、前記複数の画素が配列する領域の一端側に前記検出線を、前記領域の他端側に前記第３給電線を、それぞれ設けても良い。特に後者によれば、コモン電極の配線抵抗の影響も少なくすることができる。
また、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、電気光学装置としても、さらには、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。

＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、表示領域１００の周辺に、走査線駆動回路１４０、コモン電極駆動回路１７０、データ線駆動回路１９０が配置するとともに、制御回路２０が、これらの各部をそれぞれ制御する構成となっている。

表示領域１００は、画素１１０が配列する領域であり、本実施形態では、１行目から３２０行目までの走査線１１２が行（Ｘ）方向に延在するように設けられ、また、１列目から２４０列目までのデータ線１１４が列（Ｙ）方向に延在するように設けられている。そして、１〜３２０行目の走査線１１２と１〜２４０列目のデータ線１１４との交差に対応して、画素１１０がそれぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素１１０が表示領域１００において縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列することになる。ただし、本発明をこの配列に限定する趣旨ではない。
また、１〜３２０行目の走査線１１２に対応して、それぞれコモン電極１０８がＸ方向に延在して設けられている。このため、本実施形態においては、１〜３２０行目の走査線１１２に対応して１〜３２０行目のコモン電極１０８がそれぞれ設けられることになる。

画素１１０の詳細な構成について説明する。図２は、画素１１０の構成を示す図であり、ｉ行及びこれに下方向で隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列及びこれに右方向で隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。
なお、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上３２０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上２４０以下の整数である。

図２に示されるように、各画素１１０は、画素スイッチング素子として機能するｎチャネル型の薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下単に「ＴＦＴ」と略称する）１１６と、画素容量（液晶容量）１２０と、蓄積容量１３０とを有する。各画素１１０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するもので代表して説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１１０において、ＴＦＴ１１６は、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極がｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極が画素容量１２０の一端である画素電極１１８と蓄積容量１３０の一端とにそれぞれ接続されている。また、画素容量１２０の他端および蓄積容量１３０の他端は、それぞれｉ行目のコモン電極１０８に接続されている。
なお、図２において、Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目の走査線１１２に供給される走査信号を示し、また、Ｃｉ、Ｃ（ｉ＋１）は、それぞれｉ、（ｉ＋１）行目のコモン電極１０８の電圧を示している。

特に図示しないが、本実施形態は、素子基板と対向基板との間に液晶を封入した構成であって、液晶にかかる電界方向を基板面方向としたＩＰＳモードの変形であるＦＦＳ（fringe field switching）モードとしたものである。
詳細については、素子基板には、コモン電極が帯状の形成されるとともに、絶縁層を介して櫛歯状の画素電極が形成され、これにより、画素電極１１８とコモン電極１０８との間には、誘電体たる液晶を介した構造によって一種の容量となり、この容量成分によって保持される電圧の実効値に応じて、液晶にかかる電界の大きさが基板面に沿った方向で変化する構成となっている。
ここで、本実施形態では説明の便宜上、画素容量１２０において保持される電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリーホワイトモードとする。
また、蓄積容量１３０は、画素電極１１８とコモン電極１０８とが絶縁層を介した積層構造によって生じる容量成分である。
なお、画素１１０については、その電気的な等価回路が図２で示されるような回路であれば、ＦＦＳモード以外の他のモードであっても良い。

説明を再び図１に戻すと、制御回路２０は、各種制御信号を出力して電気光学装置１０における各部の制御等をするものである。
例えば、制御回路２０は、図３に示されるように、デューティ比５０％のクロック信号Ｃlyや、当該クロック信号Ｃlyの半周期に相当するパルスを１フレームの期間に最初にスタートパルスＤyとして出力する。

表示領域１００の周辺には、上述したように、走査線駆動回路１４０や、コモン電極駆動回路１７０、データ線駆動回路１９０などの周辺回路が設けられている。このうち、走査線駆動回路１４０は、制御回路２０による制御にしたがって、１フレームの期間において、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０を、それぞれ１、２、３、…、３２０行目の走査線１１２に供給するものである。詳細には、走査線駆動回路１４０は、スタートパルスＤyを、図３に示されるようにクロック信号Ｃlyの論理レベルが変化する毎に順次シフトして、走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、…、Ｙ３２０として出力する。

なお、ある行の走査線にとってみれば、その走査線に供給される走査信号がＨレベルとなるときが選択期間であり、これが当該行に対する水平走査期間（Ｈ）に相当し、また、走査信号がＬレベルとなる期間が非選択期間である。本実施形態において１フレームの期間には、走査信号Ｙ１〜Ｙ３２０が順番にＨレベルとなる有効走査期間Ｆaのほか、それ以外の垂直帰線期間が含まれる。なお、走査信号においてＨレベルは選択電圧Ｖddであり、Ｌレベルは非選択電圧Ｖssとしている。

制御回路２０が出力する制御信号等のうち、スタートパルスＤy、クロック信号Ｃly以外の信号について説明する。
まず、ラッチパルスＬpは、図３に示されるように、クロック信号Ｃlyの論理レベルが変化するタイミングで出力される。上述したように、走査線駆動回路１４０は、スタートパルスＤyをクロック信号Ｃlyにしたがって順次シフトすることによって、走査信号Ｙ１〜Ｙ３２０を出力するので、ラッチパルスＬpの出力タイミングは、いずれかの走査信号がＨレベルとなるタイミング、すなわち水平走査期間の最初となるタイミングである、と考えて良い。

次に、極性指定信号Ｐolは、Ｈレベルであれば、奇数（１、３、５、…、３１９）行の画素に対して正極性書込を指定し、偶数（２、４、６、…、３２０）行の画素に対して負極性書込を指定する一方、Ｌレベルであれば、奇数行の画素に対して負極性書込を指定し、偶数行の画素に対して正極性書込を指定する信号である。ここで、極性指定信号Ｐolは、図３に示されるように、ｎフレームにわたってＨレベルで一定となるので、画素への書込極性が走査線毎に反転する走査線反転（ライン反転）方式となる。
なお、極性指示信号Ｐolは、次の（ｎ＋１）フレームでは、Ｌレベルで一定となって、ｎフレームと比較して各行について書込極性が反転する。このように書込極性を反転する理由は、直流成分の印加による液晶の劣化を防止するためである。
また、本実施形態において、極性とは、画素容量１２０に階調に応じた電圧を保持させる際に、画素電極１１８の電位をコモン電極１０８の電位よりも高位側とする場合を正極性とし、低位側とする場合を負極性という。また、電圧については、特に説明のない限り、図示しない電源の接地電位を電圧ゼロの基準としている。

なお、制御回路２０は、極性指定信号Ｐolを、信号線１６４ａを介してコモン電極駆動回路１７０に供給する。また、極性指定信号Ｐolは、ＮＯＴ回路５０によって論理反転されて信号／Ｐolとして信号線１６４ｂを介して、コモン電極駆動回路１７０に供給される。
ここで、極性指定信号Ｐol（信号／Ｐol）のＨ、Ｌレベルは、後述するＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極に印加されたとき、それぞれＴＦＴ１７１、１７２をオン、オフさせる。このため、極性指定信号Ｐolは、奇数・偶数行の書込極性を指定する信号であるとともに、その論理レベルのうち、Ｈレベルがオン電圧として、Ｌレベルがオフ電圧として機能することになる。
なお、極性指定信号Ｐol（信号／Ｐol）は、１フレーム毎に論理反転するので、ｎフレームにおいてオン電圧を給電するのは信号線１６４ａであり、オフ電圧を給電するのは信号線１６４ｂであるのに対し、（ｎ＋１）フレームにおいてオン電圧を給電するのは信号線１６４ｂであり、オフ電圧を給電するのは信号線１６４ａである。

続いて、信号Ｖc1は電圧Ｖslで一定であり、信号Ｖc2は電圧Ｖshで一定である。ここで、電圧Ｖsl、Ｖshは、（Ｖss≦）Ｖsl＜Ｖsh（≦Ｖdd）という関係にあり、電圧Ｖsl（（第１電圧）が電圧Ｖsh（第２電圧）よりも相対的に低い電圧となっている。
また、信号Ｖc3は、極性指定信号ＰolがＨレベルとなるｎフレームにおいて、奇数行の走査線が選択されるときに電圧Ｖslとなり、偶数行の走査線が選択されるときに電圧Ｖshとなる一方、極性指定信号ＰolがＬレベルとなる（ｎ＋１）フレームにおいて、奇数行の走査線が選択されるときに電圧Ｖshとなり、偶数行の走査線が選択されるときに電圧Ｖslとなる。すなわち、信号Ｖc3は、ある行の走査線が選択されるときに、当該行に対して正極性書込が指定されるのであれば電圧Ｖslとなり、負極性書込が指定されるのであれば電圧Ｖshとなる。
なお、制御回路２０は、このような信号Ｖc1、Ｖc2、Ｖc3を、それぞれ給電線１６１、１６２、１６３を介してコモン電極駆動回路１７０に供給する。

説明を図１に戻すと、コモン電極駆動回路１７０は、本実施形態では、１〜３２０行目のコモン電極１０８に対応して設けられたｎチャネル型のＴＦＴ１７１〜１７５の組から構成される。
説明の便宜上、ｉを奇数としたとき、当該奇数ｉ行目のＴＦＴ１７１（第１トランジスタ）については、そのゲート電極がｉ行目のＴＦＴ１７３のドレイン電極に接続され、そのソース電極が給電線１６１に接続されている。また、当該ｉ行目のＴＦＴ１７２（第２トランジスタ）については、そのゲート電極がｉ行目のＴＦＴ１７４のドレイン電極に接続され、そのソース電極が給電線１６２に接続されている。

一方、奇数ｉ行目のＴＦＴ１７３（第３トランジスタ）については、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極が信号線１６４ａに接続され、また、ｉ行目のＴＦＴ１７４（第４トランジスタ）については、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極が信号線１６４ｂに接続されている。
さらに、ｉ行目のＴＦＴ１７５（補助トランジスタ）については、そのゲート電極がｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソース電極が給電線１６３に接続されている。
そして、ｉ行目のＴＦＴ１７１、１７２、１７５のドレイン電極同士がｉ行目のコモン電極１０８に接続されている。

なお、偶数行目については、ＴＦＴ１７３、１７４のソース電極の接続先が奇数行目と入れ替わった関係にある。すなわち、偶数行目のＴＦＴ１７３については、そのソース電極が信号線１６４ｂに接続され、偶数行目のＴＦＴ１７４については、そのソース電極が信号線１６４ａに接続されている。

データ線駆動回路１９０は、走査線駆動回路１４０によって選択される走査線に位置する画素１１０に対し、階調に応じた電圧であって、かつ、極性指示信号Ｐolで指定された極性に応じた電圧のデータ信号をデータ線１１４介して供給するものである。詳細には、本実施形態はノーマリーホワイトモードとしているから、データ線駆動回路１９０は、データ信号を、正極性書込が指定されていれば、指定される階調が暗くなるにつれて電圧Ｖslを基準として徐々に高くなる電圧とし、負極性書込が指定されていれば、指定される階調が暗くなるにつれて電圧Ｖshを基準として徐々に低くなる電圧とする。

データ線駆動回路１９０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応した記憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１０の階調（明るさ）を指定する表示データＤaが記憶される。
ここで、データ線駆動回路１９０は、選択走査線に位置する画素１１０の表示データＤaを記憶領域から１行分読み出すとともに、当該読み出した表示データＤaで指定された階調および指定された極性に応じた電圧のデータ信号に変換し、データ線１１４に供給する動作を、選択走査線に位置する１〜２４０列のそれぞれについて実行する。
なお、表示内容に変更が生じると、制御回路２０が変更後の表示データＤaを供給して、記憶領域の内容を書き換える。また、データ線駆動回路１９０は、ラッチパルスＬpを１フレームの期間の最初からカウントすることによって何行目の走査信号がＨレベルとなるのか、および、ラッチパルスＬpの供給タイミングによって走査線の選択開始のタイミングを知る。

次に、本実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。
まず、極性指定信号ＰolがＨレベル（信号／ＰolがＬレベル）となるｎフレームにおいては、走査信号Ｙ１がＨレベルになる。ｎフレームでは奇数行に対して正極性書込が指定されるので、走査信号Ｙ１がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力されると、データ線駆動回路１９０は、１行目であって１〜２４０列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、当該表示データＤaで指定される階調が暗くなるにつれて、電圧Ｖslを基準に高位側とした正極性電圧のデータ信号Ｘ１〜Ｘ２４０に変換し、それぞれ１〜２４０列のデータ線１１４に供給する。これにより例えば、ｊ列目のデータ線１１４には、１行ｊ列の画素１１０に対して指定される階調に応じた正極性電圧がデータ信号Ｘｊとして供給される。
走査信号Ｙ１がＨレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオンするので、これらの画素電極１１８には、データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０が印加される。

一方、走査信号Ｙ１がＨレベルになると、コモン電極駆動回路１７０では、１行目のＴＦＴ１７３、１７４がそれぞれオンして、１行目のＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極にそれぞれオン電圧、オフ電圧が印加される。このため、１行目のＴＦＴ１７１、１７２がそれぞれオン、オフする。また、１行目では、ＴＦＴ１７５もオンする。信号Ｖc1は電圧Ｖslであり、ｎフレームにおいて１行目が選択されるときに信号Ｖc3は電圧Ｖslであるので、１行目のコモン電極１０８には、ＴＦＴ１７１のオンによって給電線１６１を介した経路と、ＴＦＴ１７５のオンによって給電線１６３を介した経路との２経路によってそれぞれ電圧Ｖslが給電される。
このため、走査信号Ｙ１がＨレベルとなる水平走査期間において、１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。

次に走査信号Ｙ２がＨレベルになるとともに、走査信号Ｙ１がＬレベルになる。走査信号Ｙ１がＬレベルになると、１行１列〜１行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフする。また、コモン電極駆動回路１７０にあっては、１行目のＴＦＴ１７３、１７４、１７５もオフする。
１行目のＴＦＴ１７３、１７４のオフにより、１行目のＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極は電気的にどの部分にも接続されない状態（ハイ・インピーダンス状態）になるものの、寄生容量によって直前に印加されたオン電圧、オフ電圧を保持するので、当該１行目のＴＦＴ１７１、１７２は、それぞれオン、オフ状態を維持することになる。このため、１行目のコモン電極１０８は、走査信号Ｙ１がＬレベルとなっても、給電線１６１に接続されるので、１経路のみによって電圧Ｖslを維持する。したがって、走査信号Ｙ１がＨレベルのときに１行１列〜１行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に書き込まれた電圧は、当該並列容量の他端が電圧Ｖslに確定した状態でそのまま保持されることになる。

一方、ｎフレームでは偶数行に対して負極性書込が指定されるので、走査信号Ｙ２がＨレベルになるタイミングにおいてラッチパルスＬpが出力されると、データ線駆動回路１９０は、２行目であって１、２、３、…、２４０列目の画素の表示データＤaを読み出すとともに、当該表示データＤaで指定される階調が暗くなるにつれて、電圧Ｖshを基準に低位側とした負極性電圧のデータ信号Ｘ１〜Ｘ２４０に変換し、それぞれ１〜２４０列のデータ線１１４に供給する。これにより例えば、ｊ列目のデータ線１１４には、２行ｊ列の画素１１０に対して指定される階調に応じた負極性電圧がデータ信号Ｘｊとして供給される。

また、走査信号Ｙ２がＨレベルになると、コモン電極駆動回路１７０では、２行目のＴＦＴ１７３、１７４がそれぞれオンする。ただし、偶数行目のＴＦＴ１７３、１７４のソース電極の接続先は奇数行目の入れ替わった関係にあるので、２行目のＴＦＴ１７１、１７２は、１行目とは反対にそれぞれオフ、オンする。また、２行目のＴＦＴ１７５もオンする。このため、２行目のコモン電極１０８には、ＴＦＴ１７１のオンによって給電線１６２を介した経路と、ＴＦＴ１７５のオンによって給電線１６３を介した経路との２経路を介して電圧Ｖshが給電される。信号Ｖc2は電圧Ｖshであり、ｎフレームにおいて２行目が選択されるときに信号Ｖc3は電圧Ｖshであるので、２行目のコモン電極１０８には、ＴＦＴ１７２のオンによって給電線１６１を介した経路と、ＴＦＴ１７５のオンによって給電線１６３を介した経路との２経路によってそれぞれ電圧Ｖshが給電される。
このため、走査信号Ｙ２がＨレベルとなる水平走査期間において、２行１列〜２行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれることになる。

次に走査信号Ｙ３がＨレベルになるとともに、走査信号Ｙ２がＬレベルになる。走査信号Ｙ２がＬレベルになると、２行１列〜２行２４０列の画素におけるＴＦＴ１１６がオフする。また、コモン電極駆動回路１７０にあっては、２行目のＴＦＴ１７３、１７４、１７５もオフする。
２行目のＴＦＴ１７３、１７４のオフにより、２行目のＴＦＴ１７１、１７２のゲート電極はハイ・インピーダンス状態になるものの、寄生容量によって直前に印加されたオフ電圧、オン電圧それぞれ保持するので、当該２行目のＴＦＴ１７１、１７２は、それぞれオフ、オン状態を維持する。このため、２行目のコモン電極１０８は、走査信号Ｙ２がＬレベルとなっても、給電線１６２に接続されるので、１経路のみによって電圧Ｖshを維持する。したがって、走査信号Ｙ２がＨレベルのときに２行１列〜２行２４０列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量に書き込まれた電圧は、当該並列容量の他端が電圧Ｖshに確定した状態でそのまま保持されることになる。
また、走査信号Ｙ３がＨレベルになると、３行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになり、次に、走査信号Ｙ４がＨレベルになると、４行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性の電圧が書き込まれることになる。

ｎフレームでは、以下同様な動作が３２０行目まで繰り返され、これにより、奇数行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性電圧が書き込まれ、偶数行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性電圧が書き込まれる。このように、すべての画素における並列容量には、それぞれ階調に応じた電圧が書き込まれるので、表示領域１００において１枚（フレーム）分の画像が表示されることになる。

次の（ｎ＋１）フレームでも同様な動作が繰り返されるが、各行の書込極性が反転されるので、奇数行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた負極性電圧が書き込まれ、偶数行目の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、それぞれ階調に応じた正極性電圧が書き込まれることになる。
なお、ｎフレームにおいて、走査線の選択およびその後の非選択期間にコモン電極の電圧を確定させるのは、奇数行目ではＴＦＴ１７１であり、偶数行目ではＴＦＴ１７２であったが、次の（ｎ＋１）フレームでは、極性指定信号Ｐolが反転してＬレベルとなるので、奇数行目ではＴＦＴ１７２となり、偶数行目ではＴＦＴ１７１となる。

このような電圧の書き込みについて図４を参照して説明する。図４は、奇数ｉ行ｊ列の画素電極１１８における電圧Ｐix(i,j)と、偶数（ｉ＋１）行ｊ列の画素電極１１８における電圧Ｐix(i+1,j)とを、それぞれ走査信号Ｙｉ、Ｙ（ｉ＋１）との関係において示す図である。

ｉ行目のコモン電極１０８の電圧Ｃｉは、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに正極性書込が指定されていれば電圧Ｖslとなり、その後の非選択期間においても電圧Ｖslに維持される。次のフレームにおいて走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに負極性書込が指定されることになるので電圧Ｖshとなり、その後の非選択期間においても電圧Ｖshに維持される。一方、ｊ列目のデータ線１１４に供給されるデータ信号Ｘｊは、正極性書込が指定されていれば、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、電圧Ｖslよりもｉ行ｊ列の画素の階調に応じた電圧だけ高位側の電圧（図において↑で示される）となる。これにより、ｉ行ｊ列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、画素電極１１８の電圧Ｐix(i,j)とコモン電極１０８の電圧Ｖslとの差電圧、すなわち、階調に応じた正極性電圧が書き込まれ、走査信号ＹｉがＬレベルとなって非選択となっても、当該差電圧が保持されることになる。
なお、図において、この差電圧の分がハッチングで示されている。

また、データ信号Ｘｊは、負極性書込が指定されていれば、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、電圧Ｖshよりもｉ行ｊ列の画素の階調に応じた電圧だけ低位側の電圧（図において↓で示される）となる。走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、ｉ行ｊ列の画素容量１２０および蓄積容量１３０の並列容量には、電圧Ｐix(i,j)とコモン電極１０８の電圧Ｖshとの差電圧、すなわち、階調に応じた負極性電圧が書き込まれ、走査信号ＹｉがＬレベルとなって非選択となっても、当該差電圧が保持されることになる。
また、ｉ行目に対して正極性書込が指定されたとき、（ｉ＋１）行目に対し負極性書込が指定され、ｉ行目に対して負極性書込が指定されるとき、（ｉ＋１）行目に対し正極性書込が指定されるので、書込極性は走査線毎に反転することになる。

本実施形態によれば、正極性書込が指定された行の画素に対しては、電圧Ｖslよりも階調に応じた電圧だけ高位側の電圧のデータ信号が供給される一方、負極性書込が指定された行の画素に対しては、電圧Ｖshよりも階調に応じた電圧だけ低位側の電圧のデータ信号が供給されるので、データ信号の電圧振幅は、コモン電極１０８の電圧を一定とした場合と比較して狭くなる。このため、データ線駆動回路１９０の構成素子に要求される耐圧性が低く抑えられて、その分構成の簡易化を図ることができるとともに、電圧変化によって無駄に消費される電力を抑えることも可能となる。

また、１〜３２０行目のコモン電極１０８の各々は、１〜２４０列のデータ線１１４とそれぞれ交差しているので、図２において破線で示されるような寄生容量を介して結合する。このため、コモン電極１０８の電圧が確定していないと、データ線の電圧変化が寄生容量を介して伝搬して電圧Ｖsl、Ｖshから変動し、表示むらの原因となる。なお、電圧変動はコモン電極１０８毎に発生するので、表示むらは横方向に沿って現れる。
これに対し、本実施形態では、各行に対応して設けられたＴＦＴ１７１、１７２のいずれか一方がオンし、他方がオフするとともに、当該ｉ行目の走査線が選択される毎にオンオフが交互に切り替えられる。このため、各行のコモン電極１０８は、給電線１６１、１６２のいずれか一方に必ず接続されるので、電圧が常に確定している。このため、上記横方向の表示むらを抑えることが可能となる。

このように、各行のＴＦＴ１７１、１７２は、１フレームに相当する期間毎に交代でオンし続けるので、動作期間のうち、オンとなる期間の比率が互いに５０％となる。他のトランジスタ、例えばＴＦＴ１７３、１７４、１１６などがオンする期間は、１フレームに相当する期間のうち、一水平走査期間（Ｈ）に過ぎないから、ＴＦＴ１７１、１７２がオンとなる期間の比率は、他のトランジスタと比べると、圧倒的に高い。
ここで、オンとなる期間の比率が高い状態でトランジスタを駆動し続けると、当該トランジスタの特性が劣化する、具体的には、しきい値電圧の上昇によりオン抵抗が徐々に高くなる。ＴＦＴ１７１、１７２のオン抵抗が高くなると、データ線等の電圧変動によってノイズ等がコモン電極に重畳されたとき、当該コモン電極が電圧Ｖsl、Ｖshに戻るまでにそれだけ時間が長くなることになる。このため、走査線の選択によってデータ信号を画素電極１１８の一端および蓄積容量１３０の一端に書き込む際に、ノイズ等の重畳によって当該走査線に対応するコモン電極が電圧Ｖsl、Ｖshに収束せずに、ずれてしまう可能性がある。コモン電極が電圧Ｖsl、Ｖshからずれた状態で、データ信号を画素電極の一端に印加しても、画素容量１２０に対して階調に応じた電圧を正しく書き込むことができないので、再び上記表示むらを招くことになる。

本実施形態では、１〜３２０行の各々にＴＦＴ１７５をそれぞれ設けて、走査線の選択によってデータ信号を書き込むときに、ＴＦＴ１７１、１７２のいずれか一方のオンとともに、ＴＦＴ１７５もオンさせて当該走査線に対応するコモン電極に対して書込極性に応じた電圧Ｖslまたは電圧Ｖshの信号Ｖc3を、給電線１６３を介して給電する。ＴＦＴ１７５がオンとなる期間は、１フレームに相当する期間のうち、対応する走査線が選択される一水平走査期間（Ｈ）に過ぎないから、ＴＦＴ１７１、１７２のようにオン抵抗が高くなることはない。
このため、走査線の選択によってデータ信号を書き込むときにノイズ等が重畳されても、さらに、ＴＦＴ１７１、１７２のオン抵抗が高くなっていても、当該走査線に対応するコモン電極が素早く電圧Ｖsl、Ｖshに収束するので、画素容量１２０に対して階調に応じた差電圧を正しく書き込むことができ、上記表示むらの発生を抑えることが可能となるのである。
なお、ＴＦＴ１７１、１７２のオン抵抗が高くなっても良い、ということは、言い換えれば、ある行のＴＦＴ１７１、１７２については、当該行の非選択期間においてコモン電極１０８を電圧Ｖsl、Ｖshに維持するだけの機能を有していれば良い、ということである。このため、本実施形態において、ＴＦＴ１７１、１７２のトランジスタサイズを小さくて済ませることも可能となる。

＜第１実施形態の応用・変形＞
上述した第１実施形態では、次のような応用・変形が可能である。
上述した第１実施形態では、給電線１６３を奇数行・偶数行とで共用したが、走査線反転方式では、信号Ｖc3の電圧が水平走査期間毎に切り替わるので、給電線１６３の寄生容量によって電力が無駄に消費されてしまう。
そこで、図５に示されるように、奇数行用の給電線１６３ａと偶数行用の給電線１６３ｂとに分けるとともに、給電線１６３ａに図６に示されるような信号Ｖc3aを給電し、給電線１６３ｂに同図に示されるような信号Ｖc3bを給電する構成にすると、給電線１６３ａ、１６３ｂにおける電圧切り替わりが１フレームにつき１回に低減されるので、寄生容量によって消費される電力を抑えることができる。

また、上述した第１実施形態では、走査線毎に書込極性を反転させたが、フレーム期間における書込極性を各行にわたって同一とする面反転（フレーム反転）方式としても良い。フレーム反転方式とする場合、ＴＦＴ１７１、１７２のソース電極の接続先を、奇数行・偶数行で入れ替えた関係としないで、揃えた構成となる。

＜第２実施形態＞
上述した第１実施形態では、走査線の選択期間において当該走査線に対応するＴＦＴ１７１、１７２のいずれかとＴＦＴ１７５とをオンさせることによって、当該走査線に対応するコモン電極に電圧Ｖslまたは電圧Ｖshを印加する構成としたが、ノイズ等の大きいと、コモン電極が当該選択期間内に電圧Ｖsl、Ｖshに収束しない可能性が残る。
そこで、コモン電極が選択期間内に電圧Ｖsl、Ｖshとなるように積極的に制御する第２実施形態について説明する。

図７は、第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
図７に示す構成が図１に示した第１実施形態と相違する部分は、主に各行に対応してＴＦＴ１７９が設けられている点、検出線１６５およびオペアンプ３０を備える点などである。そこで以下については、これらの相違点を中心に説明することにする。

まず、コモン電極駆動回路１７０には、各行のコモン電極１０８に対応して検出トランジスタとして機能するＴＦＴ１７９がそれぞれ設けられている。ここで、ｉ行目のＴＦＴ１７９については、そのゲート電極がｉ行目の走査線に１１２に接続され、そのソース電極がｉ行目のコモン電極１０８に接続され、そのドレイン電極が検出線１６５に接続されている。なお、検出線１６５は、各行のＴＦＴ１７５のドレイン電極に対して共通接続されている。
オペアンプ３０については、その反転入力端（−）が検出線１６５に接続され、その非反転入力端（＋）には制御回路２０による目標信号が供給され、その出力端が給電線１６３に接続されている。なお、抵抗素子が、給電線１６３と検出線１６５との間に介挿されて、オペアンプ３０の出力の一部が反転入力端（−）に負帰還する構成となっている。
ここで、制御回路２０が出力する目標信号は、図３に示した信号Ｖc3と同一波形であり、ある行の走査線が選択されるときに、当該行に対して正極性書込が指定されるのであれば電圧Ｖslとなり、負極性書込が指定されるのであれば電圧Ｖshとなる。

このような構成において、走査信号ＹｉがＨレベルであると、ｉ行目のＴＦＴ１７９がオンし、ｉ行目のコモン電極１０８が検出線１６５に接続されて、オペアンプ３０の反転入力端（−）に負帰還される。
このため、オペアンプ３０は、走査信号ＹｉがＨレベルであるときに、ｉ行目のコモン電極１０８が目標信号の電圧となるように、詳細には、正極性書込が指定されていれば電圧Ｖslとなるように、負極性書込が指定されていれば電圧Ｖshとなるように、それぞれ負帰還制御する。

したがって、第２実施形態によれば、第１実施形態と比較すると、ｉ行目のコモン電極１０８を、走査信号ＹｉがＨレベルとなる水平走査期間（Ｈ）の終了時までに、電圧Ｖslまたは電圧Ｖshの一方に、より正確に安定化させることが可能となる。
このため、第２実施形態によれば、第１実施形態のようにデータ線の電圧振幅を狭めることができるだけなく、ＴＦＴ１７１、１７２のトランジスタサイズを必要上に大きくしなくて済む上に、第１実施形態と比較して、横方向に発生する表示むらをより確実に抑えることが可能となる。
なお、ここでは動作説明を、ｉ行目で代表させて説明しているが、１〜３２０行については、１、２、３、…、３２０行目という順番で、それぞれ実行される。

＜第２実施形態の応用・変形＞
第２実施形態では、次のような応用・変形が可能である。
例えばｉ行目のコモン電極１０８は、走査信号ＹｉがＨレベルとなったときに、正極性書込が指定されていれば電圧Ｖshから電圧Ｖslに切り替わり、負極性書込が指定されていれば電圧Ｖslから電圧Ｖshに切り替わるので、走査信号ＹｉがＨレベルとなった直後では目標信号との電圧差が大きい。このため、走査信号ＹｉがＨレベルとなる水平走査期間の全域にわたってｉ行目のコモン電極１０８が電圧Ｖslまたは電圧Ｖshとなるように負帰還制御する構成では、走査信号ＹｉがＨレベルとなった直後において、オペアンプ３０で消費される電流が大きくなったり、オペアンプ３０が発振したりする可能性がある。
そこで、水平走査期間を前半と後半とに分割するとともに、前半において、オペアンプ３０に目標信号を電圧増幅率「１」の単なるボルテージフォロワ回路として機能させ、後半において、オペアンプ３０に負帰還制御させる構成としても良い。

また、第２実施形態では、検出線１６５の位置を、表示領域１００に対して給電線１６３と同じ側に設けたが、図８に示されるように、検出線１６５を表示領域１００に対して給電線１６３とは反対側に設けても良い。このように構成すると、コモン電極の抵抗成分によるノイズ等を考慮した負帰還制御となるので、より確実に表示むらを抑えることができる。
なお、図８とは反対に給電線１６３を表示領域１００の右端側に、検出線１６５を左端側に、それぞれ配置しても良い。

さらに、図７または図８に示されるように検出線１６５を奇数行と偶数行とで共用するのではなく、図９に示すように、奇数行用の検出線１６５ａと偶数行用の検出線１６５ｂとに分け、さらに、奇数行用のオペアンプ３０ａと偶数行用のオペアンプ３０ｂとを設けて、奇数行用のオペアンプ３０ａによって奇数行目のコモン電極を制御し、偶数行用のオペアンプ３０ｂによって偶数行目のコモン電極を制御する構成としても良い。
なお、オペアンプ３０ａの非反転入力端（＋）には、図６における信号Ｖc3aが、オペアンプ３０ｂの非反転入力端（＋）には、同図における信号Ｖc3bが、それぞれ目標信号として供給される。

＜実施形態の応用・変形＞
なお、上述した第１および第２実施形態では、画素容量１２０をノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態において暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、画素容量１２０は透過型に限られず、反射型であっても良いし、透過型および反射型の両者を組み合わせた、いわゆる半透過半反射型としても良い。
くわえて、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし、さらに、例えばＧを、ＹＧ（黄緑）およびＥＧ（エメラルドグリーン）に分けて、これらの４色の画素で１ドットを構成して、広色帯化を図った構成としても良い。

＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器について説明する。図１０は、いずれかの実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１０を備えるものである。なお、電気光学装置１０のうち、表示領域１００に相当する部分の構成要素については外観としては現れない。

なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図１０に示される携帯電話の他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、フォトストレージビューワ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置１０が適用可能であることは言うまでもない。

本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。 同電気光学装置における画素の構成を示す図である。 同電気光学装置の動作を説明するための図である。 同電気光学装置における電圧波形の一例を示す図である。 第１実施形態の応用・変形例に係る動作を示す図である。 同応用・変形例の動作を説明するための図である。 本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。 同電気光学装置の動作を説明するための図である。 第２実施形態の応用・変形例に係る電気光学装置の構成を示す図である。 実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話を示す図である。

符号の説明

１０…電気光学装置、２０…制御回路、３０…オペアンプ、１００…表示領域、１０５…液晶、１０８…コモン電極、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…ＴＦＴ、１２０…画素容量、１３０…蓄積容量、１４０…走査線駆動回路、１７０…コモン電極駆動回路、１７１〜１７５、１７９…ＴＦＴ、１２００…携帯電話

Claims (7)

1. 複数の走査線と、
   複数のデータ線と、
   前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
   前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、
   各々は、
   一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と他端との間でオン状態となる画素スイッチング素子と、
   一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端が前記コモン電極に接続された画素容量と、
   を含む画素と、
   を有する電気光学装置の駆動回路であって、
   前記複数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
   前記コモン電極の各々に対応して第１トランジスタ、第２トランジスタおよび補助トランジスタを有し、
   一のコモン電極に対応する前記第１トランジスタのソース電極は、第１電圧を給電する第１給電線に接続され、
   前記一のコモン電極に対応する前記第２トランジスタのソース電極は、前記第１電圧よりも高位の第２電圧を給電する第２給電線に接続され、
   前記一のコモン電極に対応する前記補助トランジスタは、そのゲート電極が当該一のコモン電極に対応する前記走査線に接続され、そのソース電極が第３給電線に接続され、
   前記一のコモン電極に対応する前記第１トランジスタ、前記第２のトランジスタおよび前記補助トランジスタのドレイン電極同士が当該一のコモン電極に接続されて、
   前記一のコモン電極に対し、
   当該一のコモン電極に対応する走査線が選択される期間に、当該選択される走査線に対応する画素に前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも高位側となる正極性が指定されたとき、前記第１トランジスタがオン状態となって、前記第１給電線を介して前記第１電圧を印加するとともに、前記補助トランジスタがオン状態になって、前記第３給電線を介して前記第１電圧を印加し、当該走査線の選択終了後において前記第１トランジスタのオン状態を維持し、
   当該一のコモン電極に対応する走査線が選択される期間に、当該選択される走査線に対応する画素に前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも低位側となる負極性が指定されたとき、前記第２トランジスタがオン状態となって、前記第２給電線を介して前記第２電圧を印加するとともに、前記補助トランジスタがオン状態になって、前記第３給電線を介して前記第２電圧を印加し、当該走査線の選択終了後において前記第２トランジスタのオン状態を維持するコモン電極駆動回路と、
   選択された前記走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調および極性に応じた電圧のデータ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
   を具備することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
2. 前記コモン電極駆動回路は、
   前記コモン電極の各々に対応して、さらに第３トランジスタおよび第４トランジスタを有し、
   一のコモン電極に対応する前記第３トランジスタは、そのゲート電極が、当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、そのソース電極がオンまたはオフ電圧のいずれか一方を給電する第１信号線に接続され、そのドレイン電極が当該一のコモン電極に対応する前記第１トランジスタのゲート電極に接続され、
   一のコモン電極に対応する前記第４トランジスタは、そのゲート電極が、当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、そのソース電極がオンまたはオフ電圧のいずれか他方を給電する第２信号線に接続され、そのドレイン電極が当該一のコモン電極に対応する前記第２トランジスタのゲート電極に接続された
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
3. 前記コモン電極の各々に対応して設けられた複数の検出トランジスタと、
   オペアンプと、
   を有し、
   一のコモン電極に対応する前記検出トランジスタは、そのゲート電極が、当該一のコモン電極に対応する走査線に接続され、そのソース電極が当該一のコモン電極に接続され、
   前記オペアンプは、
   当該選択される走査線に対応する画素に正極性が指定されたとき、当該選択される走査線に対応するコモン電極が前記第１電圧となるように制御し、当該選択される走査線に対応する画素電極に負極性が指定されたとき、当該選択される走査線に対応するコモン電極が前記第２電圧となるように制御する
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
4. 前記複数の画素が配列する領域に対して、前記検出線と第３給電線とを同じ側に設けた
   ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の駆動回路。
5. 前記複数の画素が配列する領域の一端側に前記検出線を、前記領域の他端側に前記第３給電線を、それぞれ設けた
   ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の駆動回路。
6. 複数の走査線と、
   複数のデータ線と、
   前記複数の走査線に対応して設けられた複数のコモン電極と、
   前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられ、
   各々は、
   一端が前記データ線に接続されるとともに、前記走査線が選択されたときに前記一端と他端との間でオン状態となる画素スイッチング素子と、
   一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端が前記コモン電極に接続された画素容量と、
   を含む画素と、
   前記複数の走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
   前記コモン電極の各々に対応して第１トランジスタ、第２トランジスタおよび補助トランジスタを有し、
   一のコモン電極に対応する前記第１トランジスタのソース電極は、第１電圧を給電する第１給電線に接続され、
   前記一のコモン電極に対応する前記第２トランジスタのソース電極は、前記第１電圧よりも高位の第２電圧を給電する第２給電線に接続され、
   前記一のコモン電極に対応する前記補助トランジスタは、そのゲート電極が当該一のコモン電極に対応する前記走査線に接続され、そのソース電極が第３給電線に接続され、
   前記一のコモン電極に対応する前記第１トランジスタ、前記第２のトランジスタおよび前記補助トランジスタのドレイン電極同士が当該一のコモン電極に接続されて、
   前記一のコモン電極に対し、
   当該一のコモン電極に対応する走査線が選択される期間に、当該選択される走査線に対応する画素に前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも高位側となる正極性が指定されたとき、前記第１トランジスタがオン状態となって、前記第１給電線を介して前記第１電圧を印加するとともに、前記補助トランジスタがオン状態になって、前記第３給電線を介して前記第１電圧を印加し、当該走査線の選択終了後において前記第１トランジスタのオン状態を維持し、
   当該一のコモン電極に対応する走査線が選択される期間に、当該選択される走査線に対応する画素に前記画素電極が前記コモン電極の電位よりも低位側となる負極性が指定されたとき、前記第２トランジスタがオン状態となって、前記第２給電線を介して前記第２電圧を印加するとともに、前記補助トランジスタがオン状態になって、前記第３給電線を介して前記第２電圧を印加し、当該走査線の選択終了後において前記第２トランジスタのオン状態を維持するコモン電極駆動回路と、
   選択された前記走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調および極性に応じた電圧のデータ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
   を具備することを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項６に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。

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