JP2009212525A - 蒸着装置及び蒸着方法 - Google Patents
蒸着装置及び蒸着方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009212525A JP2009212525A JP2009108000A JP2009108000A JP2009212525A JP 2009212525 A JP2009212525 A JP 2009212525A JP 2009108000 A JP2009108000 A JP 2009108000A JP 2009108000 A JP2009108000 A JP 2009108000A JP 2009212525 A JP2009212525 A JP 2009212525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- vapor deposition
- substrate
- deposition apparatus
- heating body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 62
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 205
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 28
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 19
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 19
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 19
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 16
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 13
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 8
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 74
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 241001364096 Pachycephalidae Species 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【解決手段】チャンバー201と、チャンバー201内部の所定領域に位置したシャワーヘッド211と、シャワーヘッド211と対応するように位置し、表面に基板232が装着されたチャック231と、シャワーヘッド211とチャック231との間に位置した加熱体221と、を含み、シャワーヘッド211は、第1ガス注入口213及び第2ガス注入口214と、第1ガス注入口213と連結されたシャワーヘッド211内部の空洞部212と、空洞部212と連結され、チャック231と対応するシャワーヘッド211の表面に位置した複数個の第1ノズル215と、第2ガス注入口214と連結され、チャック231と対応するシャワーヘッド211の表面に位置した複数個の第2ノズル216と、を含む。
【選択図】図2
Description
図2は、本発明の第1の実施の形態における蒸着装置を示す断面図である。本実施の形態の蒸着装置は、プラズマ方式と加熱体方式とを同時に実行することができる。
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。本実施の形態において、蒸着装置自体は、第1の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
212 空洞部、
213 第1ガス注入口、
214 第2ガス注入口、
215 第1ノズル、
216 第2ノズル、
218 電極、
221 加熱体、
231 チャック、
232 基板、
401 第1絶縁膜、
402 第2絶縁膜。
Claims (47)
- チャンバーと、
前記チャンバー内部の所定領域に位置したシャワーヘッドと、
前記シャワーヘッドと対応するように位置し、表面に基板が装着されたチャックと、
前記シャワーヘッドと前記チャックとの間に位置した加熱体と、を含み、
前記シャワーヘッドは、
第1ガス注入口及び第2ガス注入口と、
前記第1ガス注入口と連結された前記シャワーヘッド内部の空洞部と、
前記空洞部と連結され、前記チャックと対応する前記シャワーヘッドの表面に位置した複数個の第1ノズルと、
前記第2ガス注入口と連結され、前記チャックと対応する前記シャワーヘッドの表面に位置した複数個の第2ノズルと、を含むことを特徴とする蒸着装置。 - 前記空洞部の一側表面に、前記チャンバー外部の第1電源と連結されている電極をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- 前記電極は、前記第1電源から印加された電力により前記空洞部にプラズマを発生させることを特徴とする請求項2に記載の蒸着装置。
- 前記第1ガス注入口は、第2ガスよりも分解に必要なエネルギーが高い第1ガスを注入するガス注入口であることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- 前記第2ガス注入口は、第1ガスよりも分解に必要なエネルギーが低い第2ガスを注入するガス注入口であることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- 前記第1ガスは、アンモニアガスまたは窒素ガスであって、前記第2ガスは、シランガスであることを特徴とする請求項4または5に記載の蒸着装置。
- 前記加熱体は、第2電源と連結されていることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- 前記加熱体は、タングステンで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- 前記加熱体は、フィラメントであることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- 前記加熱体は、1000度以上に加熱されることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- 前記蒸着装置は、シリコン窒化膜を蒸着する装置であることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- 前記空洞部は、プラズマ領域であることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- 前記第1ノズルは、前記チャックと対応する前記シャワーヘッドの表面に均一に分布することを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- 前記第2ノズルは、前記チャックと対応する前記シャワーヘッドの表面に均一に分布することを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- 前記第1ノズル及び第2ノズルは、前記チャックと対応する前記シャワーヘッドの表面に相互に均一に分布することを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- 前記第1ガス注入口に注入されるガスは、プラズマと前記加熱体とにより分解されることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- 前記第2ガス注入口に注入されるガスは、前記加熱体により分解されることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- チャンバーと、
前記チャンバー内部の所定領域に位置したシャワーヘッドと、
前記シャワーヘッドと対応するように位置し、基板及び当該基板の下部に位置したフィルターを表面に装着し、当該基板に波長エネルギーを供給するエネルギー供給源を構成しているチャックと、
前記シャワーヘッドと前記チャックとの間に位置した加熱体と、を含み、
前記シャワーヘッドは、
第1ガス注入口及び第2ガス注入口と、
前記第1ガス注入口と連結された前記シャワーヘッド内部の空洞部と、
前記空洞部と連結され、前記チャックと対応する前記シャワーヘッドの表面に位置した複数個の第1ノズルと、
前記第2ガス注入口と連結され、前記チャックと対応する前記シャワーヘッドの表面に位置した複数個の第2ノズルと、を含むことを特徴とする蒸着装置。 - 前記波長エネルギーは、赤外線領域及び近赤外線領域のうち少なくとも一つの領域に含まれる波長の光波長エネルギーであることを特徴とする請求項18に記載の蒸着装置。
- 前記フィルターは、波長選択透過フィルターであることを特徴とする請求項18に記載の蒸着装置。
- 前記蒸着膜の選択的領域にエネルギーを供給するためのパターンが形成されたマスクをさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の蒸着装置。
- 前記マスクは、光遮断マスクであって、前記マスクに形成されたパターンは、光透過パターンであることを特徴とする請求項21に記載の蒸着装置。
- 前記空洞部の一側表面に、前記チャンバー外部の第1電源と連結されている電極をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の蒸着装置。
- 前記電極は、前記第1電源から印加された電力により前記空洞部にプラズマを発生させることを特徴とする請求項23に記載の蒸着装置。
- 前記第1ガス注入口は、第2ガスよりも分解に必要なエネルギーが高い第1ガスを注入するガス注入口であることを特徴とする請求項18に記載の蒸着装置。
- 前記第2ガス注入口は、第1ガスよりも分解に必要なエネルギーが低い第2ガスを注入するガス注入口であることを特徴とする請求項18に記載の蒸着装置。
- 前記第1ガスは、アンモニアガスまたは窒素ガスであって、前記第2ガスは、シランガスであることを特徴とする請求項25または26に記載の蒸着装置。
- 前記加熱体は、第2電源と連結されていることを特徴とする請求項18に記載の蒸着装置。
- 前記加熱体は、タングステンで形成されていることを特徴とする請求項18に記載の蒸着装置。
- 前記加熱体は、フィラメントであることを特徴とする請求項18に記載の蒸着装置。
- 前記空洞部は、プラズマ領域であることを特徴とする請求項18に記載の蒸着装置。
- プラズマ発生領域と加熱体とを具備したチャンバー内部に基板をローディングする段階と、
前記チャンバーに第1ガス及び第2ガスを供給する段階と、
前記第1ガスが前記プラズマ発生領域と前記加熱体とを通過して第1ラジカルを形成し、前記第2ガスが前記加熱体を通過して第2ラジカルを形成する段階と、
前記第1ラジカル及び第2ラジカルが反応して、前記基板上に蒸着膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする蒸着方法。 - 前記基板をローディングする段階と、前記第1ガス及び第2ガスを供給する段階との間に、
前記プラズマ発生領域に非活性ガスを注入するとともに電力を印加してプラズマを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項32に記載の蒸着方法。 - 前記基板をローディングする段階と、前記第1ガス及び第2ガスを供給する段階との間に、
前記加熱体に電力を供給して当該加熱体を加熱する段階をさらに含むことを特徴とする請求項32に記載の蒸着方法。 - 前記第1ガス及び第2ガスがそれぞれ第1ラジカル及び第2ラジカルを形成する段階の前に、
前記プラズマ発生領域または前記加熱体に前記第1ガス及び第2ガスを通過させて前記基板上に他の蒸着膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項32に記載の蒸着方法。 - 前記第1ラジカル及び第2ラジカルが反応して、前記基板上に蒸着膜を形成する段階の後に、
前記プラズマ発生領域または前記加熱体に前記第1ガス及び第2ガスを通過させて前記基板上に他の蒸着膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項32に記載の蒸着方法。 - 前記他の蒸着膜は、水素を含んでいる蒸着膜であることを特徴とする請求項35または36に記載の蒸着方法。
- プラズマ発生領域と加熱体とを具備したチャンバー内部に基板をローディングする段階と、
前記チャンバーに第1ガス及び第2ガスを供給する段階と、
前記第1ガスが前記プラズマ発生領域と前記加熱体とを通過して第1ラジカルを形成し、前記第2ガスが前記加熱体を通過して第2ラジカルを形成する段階と、
前記第1ラジカル及び第2ラジカルが反応して前記基板上に蒸着膜を形成する一方、当該蒸着膜及び基板の少なくとも一方に選択的な波長エネルギーを供給するエネルギー供給段階と、を含むことを特徴とする蒸着方法。 - 前記エネルギー供給段階は、前記蒸着膜が蒸着される間に当該蒸着膜に波長エネルギーを供給することを特徴とする請求項38に記載の蒸着方法。
- 前記エネルギー供給段階は、前記蒸着膜の蒸着が完了した後に当該蒸着膜に波長エネルギーを供給することを特徴とする請求項38に記載の蒸着方法。
- 前記エネルギー供給段階は、前記蒸着膜が蒸着される前に前記基板に波長エネルギーを供給し、当該基板の表面に予熱を与えることを特徴とする請求項38に記載の蒸着方法。
- 前記エネルギー供給段階は、
エネルギー供給源から波長エネルギーが放出される段階と、
前記放出された波長エネルギーのうち、波長選択透過フィルターで選択された波長以外の波長エネルギーが除去される段階と、
前記選択された波長の波長エネルギーが前記基板を透過する段階と、
前記基板を透過した波長エネルギーが前記蒸着膜に供給される段階と、を含むことを特徴とする請求項38に記載の蒸着方法。 - 前記基板を透過した波長エネルギーが前記蒸着膜に供給される段階は、前記選択された波長の波長エネルギーの強度に応じて、当該蒸着膜の当該基板との界面部、当該蒸着膜の中間部、または当該蒸着膜の表面部に、当該波長エネルギーが到達することを特徴とする請求項42に記載の蒸着方法。
- 前記基板をローディングする段階と、前記第1ガス及び第2ガスを供給する段階との間に、
前記プラズマ発生領域に非活性ガスを注入するとともに電力を印加してプラズマを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項38に記載の蒸着方法。 - 前記基板をローディングする段階と、前記第1ガス及び第2ガスを供給する段階との間に、
前記加熱体に電力を供給して当該加熱体を加熱する段階をさらに含むことを特徴とする請求項38に記載の蒸着方法。 - 前記第1ガス及び第2ガスがそれぞれ第1ラジカル及び第2ラジカルを形成する段階の前に、
前記プラズマ発生領域または前記加熱体に前記第1ガス及び第2ガスを通過させて前記基板上に他の蒸着膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項38に記載の蒸着方法。 - 前記第1ラジカル及び第2ラジカルが反応して、前記基板上に蒸着膜を形成する段階の後に、
前記プラズマ発生領域または前記加熱体に前記第1ガス及び第2ガスを通過させて前記基板上に他の蒸着膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項38に記載の蒸着方法。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2005-0005489 | 2005-01-20 | ||
KR1020050005489A KR100685809B1 (ko) | 2005-01-20 | 2005-01-20 | 화학 기상 증착 장치 |
KR10-2005-0008796 | 2005-01-31 | ||
KR1020050008796A KR100685823B1 (ko) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 증착 방법 |
KR10-2005-0014801 | 2005-02-23 | ||
KR1020050014801A KR100622241B1 (ko) | 2005-02-23 | 2005-02-23 | 파장 에너지 공급장치가 장착된 진공증착 시스템 및 이를 이용한 박막 결정화 촉진방법 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006007723A Division JP4405972B2 (ja) | 2005-01-20 | 2006-01-16 | 蒸着装置及び蒸着方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009212525A true JP2009212525A (ja) | 2009-09-17 |
JP4897010B2 JP4897010B2 (ja) | 2012-03-14 |
Family
ID=36960858
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006007723A Active JP4405972B2 (ja) | 2005-01-20 | 2006-01-16 | 蒸着装置及び蒸着方法 |
JP2009108000A Active JP4897010B2 (ja) | 2005-01-20 | 2009-04-27 | 蒸着装置及び蒸着方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006007723A Active JP4405972B2 (ja) | 2005-01-20 | 2006-01-16 | 蒸着装置及び蒸着方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP4405972B2 (ja) |
CN (1) | CN101476116B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015074827A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 気相蒸着装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8528498B2 (en) * | 2007-06-29 | 2013-09-10 | Lam Research Corporation | Integrated steerability array arrangement for minimizing non-uniformity |
US9105449B2 (en) | 2007-06-29 | 2015-08-11 | Lam Research Corporation | Distributed power arrangements for localizing power delivery |
KR20100006009A (ko) * | 2008-07-08 | 2010-01-18 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 제조 장치 |
US20110308458A1 (en) * | 2010-06-21 | 2011-12-22 | Semes Co., Ltd. | Thin Film Deposition Apparatus |
CN103320770A (zh) * | 2013-06-21 | 2013-09-25 | 光垒光电科技(上海)有限公司 | 气体喷淋头以及气相沉积反应腔 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003023006A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Sony Corp | 絶縁膜形成方法、絶縁膜形成装置及び半導体装置 |
JP2004063661A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
JP2004186229A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Sharp Corp | 化学気相成長装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1077608C (zh) * | 1999-07-02 | 2002-01-09 | 中国科学院物理研究所 | 一种生长高定向bcn纳米管材料的方法 |
CN1302152C (zh) * | 2001-03-19 | 2007-02-28 | 株式会社Ips | 化学气相沉积设备 |
-
2006
- 2006-01-16 JP JP2006007723A patent/JP4405972B2/ja active Active
- 2006-01-20 CN CN2009100020409A patent/CN101476116B/zh active Active
-
2009
- 2009-04-27 JP JP2009108000A patent/JP4897010B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003023006A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Sony Corp | 絶縁膜形成方法、絶縁膜形成装置及び半導体装置 |
JP2004063661A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
JP2004186229A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Sharp Corp | 化学気相成長装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015074827A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 気相蒸着装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4897010B2 (ja) | 2012-03-14 |
JP2006203199A (ja) | 2006-08-03 |
CN101476116A (zh) | 2009-07-08 |
JP4405972B2 (ja) | 2010-01-27 |
CN101476116B (zh) | 2011-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1807681B (zh) | 蒸镀装置及利用该蒸镀装置的蒸镀方法 | |
US6720260B1 (en) | Sequential electron induced chemical vapor deposition | |
US6165916A (en) | Film-forming method and film-forming apparatus | |
KR100685806B1 (ko) | 증착 장치 | |
JP4897010B2 (ja) | 蒸着装置及び蒸着方法 | |
KR100685823B1 (ko) | 증착 방법 | |
JP4955293B2 (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 | |
TW201602388A (zh) | 密封膜之形成方法及密封膜製造裝置 | |
JPH06333857A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
JP2009206312A (ja) | 成膜方法および成膜装置 | |
JPS60245217A (ja) | 薄膜形成装置 | |
KR100685826B1 (ko) | 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법 | |
JP7210647B2 (ja) | 薄膜蒸着方法及びこれを用いた半導体素子の製造方法 | |
TWM546073U (zh) | 原子層鍍膜裝置 | |
JP2007273535A (ja) | プラズマ原子層成長方法及び装置 | |
JP2009194018A (ja) | 原子層成長装置および原子層成長方法 | |
US20230049118A1 (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
KR102513404B1 (ko) | SiCN막의 형성 방법 | |
JPH0318803A (ja) | 光導波路の製造方法および光導波路 | |
KR102179281B1 (ko) | 박막 증착 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 박막 증착 방법 | |
KR100548907B1 (ko) | 원자층증착법에 의한 Alq3 박막 제조방법 | |
JP2769977B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
KR100548909B1 (ko) | 화학기상증착법에 의한 Alq3 박막 제조방법 | |
JPH0258331A (ja) | 窒化シリコン薄膜の製造方法 | |
JPH02111882A (ja) | 立方晶窒化ほう素膜の製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111213 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4897010 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |