JP2009206370A - Substrate for led package, method for manufacturing substrate for led package, molding metal mold for substrate for led package, led package and method for manufacturing led package - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for an LED package which allows a lens portion of an LED to be easily molded. <P>SOLUTION: The substrate for the LED package is the one before a plurality of light emitting chips are mounted thereon, and includes a lead frame 10 for mounting the plurality of the light emitting chips and a resin 71 filled into a lead formation hole 20 of the lead frame 10 to insulate a pair of electrodes of each light emitting chip from each other. The resin 71 is a thermosetting resin, and contains a filler mainly made up of aluminum nitride. The lead frame 10 includes a reflector formed of a resin 71 on a mounting surface of the light emitting chip, and also provided with a lower package formed of a resin 71 on the surface of the light emitting chip on the opposite side from the mounting surface. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、LEDパッケージ用基板及びLEDパッケージに関する。また、本発明は、LEDパッケージ用基板の製造方法、LEDパッケージの製造方法、及び、LEDパッケージ用基板のモールド金型に関する。   The present invention relates to an LED package substrate and an LED package. The present invention also relates to an LED package substrate manufacturing method, an LED package manufacturing method, and an LED package substrate mold.

従来から、アノード電極とカソード電極との一対の電極間に順バイアスを印加することにより光を放出する発光ダイオード(LED)が知られている。   Conventionally, a light emitting diode (LED) that emits light by applying a forward bias between a pair of electrodes of an anode electrode and a cathode electrode is known.

特開2006−253344号公報(特許文献1)には、LED用リードフレーム及びそのインサートモールド加工に用いられる射出成形金型が記載されている。このLED用リードフレームはダイパッド部及びインナーリード部などを打ち抜くことによって形成され、このリードフレームのダイパッド部近傍をインサートモールドすることでLEDを実装可能なリードフレームとなる。   Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2006-253344 (Patent Document 1) describes an LED lead frame and an injection mold used for insert molding. This LED lead frame is formed by punching out a die pad portion, an inner lead portion, and the like, and a lead frame capable of mounting an LED is formed by insert molding in the vicinity of the die pad portion of the lead frame.

また、特開2006−351970号公報(特許文献2)には、射出成形によってリードフレームにリフレクタを形成した後に発光ダイオード素子のような光チップを配置し、トランスファモールド方式により液状の熱硬化性樹脂を用いてレンズ部を有するとともに該素子及びリフレクタを覆う封止部を形成する樹脂封止型光チップの製造方法が記載されている。
特開2006−253344号公報 特開2006−351970号公報
Japanese Patent Laid-Open No. 2006-351970 (Patent Document 2) discloses a liquid thermosetting resin formed by a transfer molding method in which an optical chip such as a light emitting diode element is disposed after a reflector is formed on a lead frame by injection molding. A method for manufacturing a resin-encapsulated optical chip is described in which a lens portion is used and a sealing portion that covers the element and the reflector is formed.
JP 2006-253344 A JP 2006-351970 A

しかしながら、例えば特許文献1に記載のLED用リードフレームの場合には、ダイパッド部近傍のみに樹脂がインサートモールドされているため、モールド部分の周辺部には打ち抜いた孔が残った状態となってアウターリードが形成される。このため、このようなLED用リードフレームを用いて例えばトランスファモールドによって発光チップをモールドしようとしたときには、樹脂がその孔を介してキャビティからLEDパッケージの周辺部に流れ出てしまい、余計なクリーニング作業が必要となってしまう。     However, for example, in the case of the LED lead frame described in Patent Document 1, since the resin is insert-molded only in the vicinity of the die pad portion, the punched hole remains in the peripheral portion of the mold portion, and the outer A lead is formed. For this reason, when trying to mold a light emitting chip by using such LED lead frame, for example, by transfer molding, the resin flows out from the cavity through the hole to the periphery of the LED package, and an extra cleaning work is required. It becomes necessary.

また、LEDパッケージのレンズ部分を形成するのに適したシリコーン樹脂の場合には、粘度が低いためにリードフレームをクランプした金型との隙間及びその孔を介してシリコーン樹脂が流れ出して金型のパーティング面やリードフレームの非封止部分にフラッシュを形成しやすく、バリ取りのような余計な作業が必要となり生産性の低下を招く可能性が高い。     In the case of a silicone resin suitable for forming the lens portion of the LED package, since the viscosity is low, the silicone resin flows out through the gap and the hole between the mold and the lead frame clamped. It is easy to form a flash on the parting surface and the non-sealed part of the lead frame, and an extra work such as deburring is required, which is likely to reduce productivity.

また、例えば特許文献2に記載の樹脂封止型光チップの製造方法でリフレクタを成形する射出成形では一般的には熱可塑性樹脂が用いられる。この熱可塑性樹脂は紫外線の照射により劣化して割れや変色などの不具合が発生しやすいことが知られている。このため、このような製造方法で製造された樹脂封止型光チップでは、発光ダイオードから放出される紫外線によってリフレクタに上記のような不具合が発生するおそれがある。     For example, in the injection molding in which the reflector is molded by the method for manufacturing a resin-encapsulated optical chip described in Patent Document 2, a thermoplastic resin is generally used. It is known that this thermoplastic resin is likely to deteriorate due to irradiation with ultraviolet rays and cause defects such as cracking and discoloration. For this reason, in the resin-encapsulated optical chip manufactured by such a manufacturing method, there is a possibility that the above-described problem may occur in the reflector due to ultraviolet rays emitted from the light emitting diode.

そこで本発明は、上記のような問題点を解決可能でありLEDのレンズを容易に成形可能なLEDパッケージ用基板及びLEDパッケージを提供することを例示的目的とする。また、本発明は、前記LEDパッケージ用基板の製造方法、前記LEDパッケージの製造方法、及び、前記LEDパッケージ用基板のモールド金型を提供することを例示的目的とする。     Accordingly, an object of the present invention is to provide an LED package substrate and an LED package that can solve the above-described problems and can easily mold an LED lens. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing the LED package substrate, a method for manufacturing the LED package, and a mold for the LED package substrate.

本発明の一側面としてのLEDパッケージ用基板は、複数の発光チップを実装する前のLEDパッケージ用基板であって、前記複数の発光チップを実装するためのリードフレームと、前記発光チップの一対の電極間を絶縁するために、前記リードフレームの孔に充填された熱硬化性樹脂とを有する。     An LED package substrate according to an aspect of the present invention is an LED package substrate before mounting a plurality of light emitting chips, and includes a lead frame for mounting the plurality of light emitting chips and a pair of the light emitting chips. In order to insulate between the electrodes, a thermosetting resin filled in the holes of the lead frame is included.

また、本発明の他の側面としてのLEDパッケージ用基板の製造方法は、複数の発光チップを実装する前のLEDパッケージ用基板の製造方法であって、前記複数の発光チップを実装するためのリードフレームに複数の孔を形成するステップと、トランスファモールドにより前記複数の孔に熱硬化性樹脂を充填するステップとを有する。     The LED package substrate manufacturing method according to another aspect of the present invention is a method for manufacturing an LED package substrate before mounting a plurality of light emitting chips, wherein the leads for mounting the plurality of light emitting chips are provided. Forming a plurality of holes in the frame; and filling the plurality of holes with a thermosetting resin by transfer molding.

また、本発明の他の側面としてのLEDパッケージ用基板のモールド金型は、発光チップからの光を反射させるリフレクタを形成するための複数の第1キャビティを備え、複数の孔が形成されたリードフレームを上面側から押さえ付ける上金型と、LEDパッケージの下パッケージを形成するための複数の第2キャビティを備え、前記リードフレームを下面側から押さえ付ける下金型とを有し、前記モールド金型は、前記上金型と前記下金型とで前記リードフレームをクランプして樹脂モールドすることにより、前記第1キャビティ、前記第2キャビティ、及び、前記リードフレームの前記複数の孔に熱硬化性樹脂を充填するものである。   According to another aspect of the present invention, there is provided a mold for an LED package substrate, comprising: a plurality of first cavities for forming a reflector for reflecting light from a light emitting chip; and a lead having a plurality of holes formed therein. An upper mold that presses the frame from the upper surface side, and a lower mold that includes a plurality of second cavities for forming a lower package of the LED package, and presses the lead frame from the lower surface side. The mold is thermally cured to the first cavity, the second cavity, and the plurality of holes of the lead frame by clamping the lead frame with the upper mold and the lower mold and resin molding. The resin is filled.

また、本発明の他の側面としてのLEDパッケージは、一対の電極間に順バイアスを印加することにより光を放出する発光チップと、前記発光チップを実装したリードフレームと、前記発光チップの前記一対の電極間を絶縁するために、前記リードフレームの孔に充填された熱硬化性樹脂と、前記発光チップを封止してレンズ部を形成する透光性樹脂とを有する。     The LED package according to another aspect of the present invention includes a light emitting chip that emits light by applying a forward bias between a pair of electrodes, a lead frame on which the light emitting chip is mounted, and the pair of the light emitting chips. In order to insulate the electrodes, a thermosetting resin filled in the holes of the lead frame and a translucent resin that seals the light emitting chip to form a lens portion are included.

また、本発明の他の側面としてのLEDパッケージの製造方法は、リードフレームに複数の孔を形成するステップと、トランスファモールドにより前記リードフレームの前記複数の孔に熱硬化性樹脂を充填して、LEDパッケージ用基板を形成するステップと、前記LEDパッケージ用基板に複数の発光チップを実装するステップと、前記複数の発光チップを透光性樹脂で封止し、前記LEDパッケージのレンズ部を形成するステップとを有する。     According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an LED package, comprising: forming a plurality of holes in a lead frame; and filling the plurality of holes in the lead frame with a thermosetting resin by transfer molding; Forming a LED package substrate; mounting a plurality of light emitting chips on the LED package substrate; sealing the plurality of light emitting chips with a translucent resin; and forming a lens portion of the LED package. Steps.

本発明のその他の目的及び効果は以下の実施例において説明される。     Other objects and advantages of the present invention are illustrated in the following examples.

本発明によれば、上記のような問題点を解決しながらLEDのレンズ部を容易に成形可能なLEDパッケージ用基板及びLEDパッケージを提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the board | substrate for LED package and LED package which can shape | mold the lens part of LED easily can be provided, solving the above problems.

また、本発明によれば、上記のような問題点を解決可能な前記LEDパッケージ用基板の製造方法、前記LEDパッケージの製造方法、及び、前記LEDパッケージ用基板のモールド金型を提供することができる。   In addition, according to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing the LED package substrate, a method for manufacturing the LED package, and a mold for the LED package substrate that can solve the above-described problems. it can.

以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。     Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, in each figure, the same reference number is attached | subjected about the same member and the overlapping description is abbreviate | omitted.

図1は、実施例1におけるリードフレームの全体構造図である。図1(A)はリードフレームの平面図、また、図1(B)はその側面図である。     FIG. 1 is an overall structural diagram of a lead frame in the first embodiment. FIG. 1A is a plan view of the lead frame, and FIG. 1B is a side view thereof.

10はリードフレームである。リードフレーム10は、例えば、銀または銀合金の白色のメッキ層が表面に形成された銅合金からなり、複数の発光チップを実装するために設けられる。後述のように、リードフレーム10に複数の発光チップの実装及びトランスファモールドによる樹脂モールドが行われた後、これをダイシングすることにより、複数のLEDパッケージ(発光デバイス)が完成する。     Reference numeral 10 denotes a lead frame. The lead frame 10 is made of, for example, a copper alloy having a white plating layer of silver or silver alloy formed on the surface thereof, and is provided for mounting a plurality of light emitting chips. As will be described later, a plurality of light emitting chips are mounted on the lead frame 10 and resin molding is performed by transfer molding, and then dicing to complete a plurality of LED packages (light emitting devices).

20はリード形成孔(抜き孔)である。リード形成孔20は、後述する発光チップ90(図7、8参照)の実装位置ごとにリードフレーム10をプレス加工で打ち抜くことによって複数形成されて、インナーリードを形成する。また、リード形成孔20は発光チップの一対の電極間を絶縁するため、つまり後述するインナーリード13、14(図2参照)間を絶縁するために設けられている。     Reference numeral 20 denotes a lead forming hole (a punching hole). A plurality of lead formation holes 20 are formed by punching out the lead frame 10 by press working at each mounting position of a light emitting chip 90 (see FIGS. 7 and 8), which will be described later, to form an inner lead. The lead forming hole 20 is provided to insulate between a pair of electrodes of the light emitting chip, that is, to insulate between inner leads 13 and 14 (see FIG. 2) described later.

図1(A)に示されるように、リードフレーム10に形成された複数のリード形成孔20は、いずれも同様の大きさ及び形状を有している。これらのリード形成孔20のそれぞれは、本実施例における一個のLEDパッケージの外形の大きさと略同一に形成され、一個のLEDパッケージの一部を構成する。     As shown in FIG. 1A, each of the plurality of lead formation holes 20 formed in the lead frame 10 has the same size and shape. Each of these lead formation holes 20 is formed substantially the same as the size of the outer shape of one LED package in this embodiment, and constitutes a part of one LED package.

ただし、後述のように、一個のLEDパッケージに複数の発光チップを実装することもできる。この場合、例えば、領域150のように、四個のリード形成孔20のそれぞれに一個の発光チップが搭載され、一つのLEDパッケージが構成される。     However, as described later, a plurality of light emitting chips can be mounted on one LED package. In this case, for example, as in the region 150, one light emitting chip is mounted in each of the four lead forming holes 20 to constitute one LED package.

18はハーフエッジである。ハーフエッジ18は、後述のトランスファモールド時に金型のゲートから注入された樹脂をリード形成孔20に通過させるゲートの一部として機能する。また、ハーフエッジ18は、ゲートブレイクによってリード形成孔20に充填された樹脂が抜け落ちてしまうのを防止するために設けられている。     Reference numeral 18 denotes a half edge. The half edge 18 functions as a part of the gate for allowing the resin injected from the gate of the mold during the transfer molding described later to pass through the lead forming hole 20. The half edge 18 is provided in order to prevent the resin filled in the lead formation hole 20 from falling off due to the gate break.

なお、図1(B)に示されるように、リードフレーム10はフラットな平板形状に形成されている。
図2は、実施例1におけるリードフレームの要部拡大図である。図2(A)はリードフレームの拡大平面図、図2(B)はB−B断面図、図2(C)はC−C断面図、図2(D)はリードフレームの拡大底面図である。なお、図2(B)において、本図の左側がリードフレームの上面側であり、右側がリードフレームの下面側である。
As shown in FIG. 1B, the lead frame 10 is formed in a flat plate shape.
FIG. 2 is an enlarged view of a main part of the lead frame according to the first embodiment. 2A is an enlarged plan view of the lead frame, FIG. 2B is a sectional view taken along the line BB, FIG. 2C is a sectional view taken along the line CC, and FIG. 2D is an enlarged bottom view of the lead frame. is there. In FIG. 2B, the left side of the drawing is the upper surface side of the lead frame, and the right side is the lower surface side of the lead frame.

図2(A)乃至図2(D)に示されるように、各リード形成孔20における縁部の一部には、ハーフエッジ12が形成されている。具体的には、ハーフエッジ12は、同図のB−B断面において各リード形成孔20が下面に向けて凸となるような形状に形成されている。ハーフエッジ12は、リード形成孔20に充填された樹脂をリードフレーム10に確実に密着させるため、すなわち樹脂とリードフレームの接合性を向上させるために設けられている。     As shown in FIGS. 2A to 2D, a half edge 12 is formed at a part of the edge of each lead forming hole 20. Specifically, the half edge 12 is formed in a shape such that each lead forming hole 20 is convex toward the lower surface in the BB cross section of FIG. The half edge 12 is provided in order to ensure that the resin filled in the lead forming hole 20 is in close contact with the lead frame 10, that is, to improve the bondability between the resin and the lead frame.

本実施例では、ハーフエッジ12は、リード形成孔20を構成するリードフレーム10の端部の一部にのみ形成されている。ただし、これに限定されるものではなく、ハーフエッジ12を図2に示される領域以外の部分に形成することや、ハーフエッジ12をリード形成孔20の全周に形成することも可能である。     In this embodiment, the half edge 12 is formed only at a part of the end portion of the lead frame 10 constituting the lead forming hole 20. However, the present invention is not limited to this, and the half edge 12 can be formed in a portion other than the region shown in FIG. 2, or the half edge 12 can be formed in the entire circumference of the lead forming hole 20.

また、本実施例では、図2(A)に示されるように、ハーフエッジ12はリードフレーム10の上面側に形成されているが、これに限定されるものではなく、ハーフエッジ12をリードフレーム10の下面側に形成して、同図(B)のB−B断面において各リード形成孔20が上面に向けて凸となるような形状にしてもよい。さらに、ハーフエッジ12に替えてリード形成孔20の縁部が同図のA−A断面またはB−B断面においてリード形成孔20側に向けて凸または凹となるような形状に形成して樹脂とリードフレームの接合性を向上させる構成を採用することもできる。     In this embodiment, as shown in FIG. 2A, the half edge 12 is formed on the upper surface side of the lead frame 10, but the present invention is not limited to this. 10 may be formed on the lower surface side so that each lead forming hole 20 is convex toward the upper surface in the BB cross section of FIG. Further, instead of the half edge 12, the edge of the lead forming hole 20 is formed in a shape that is convex or concave toward the lead forming hole 20 in the AA cross section or the BB cross section of FIG. It is also possible to adopt a configuration that improves the bondability of the lead frame.

13、14はインナーリードである。インナーリード13は、リード形成孔20によってその略中央部まで延在するような形状に形成され、発光チップを搭載するダイパッドとして用いられる。他方のインナーリード14は、各リード形成孔20によってインナーリード13を挟み込むような位置まで延在するような形状に形成されている。このインナーリード14には、発光チップの金ワイヤがボンディングされる。     Reference numerals 13 and 14 denote inner leads. The inner lead 13 is formed in a shape extending to the substantially central portion by the lead forming hole 20 and used as a die pad for mounting a light emitting chip. The other inner lead 14 is formed in a shape extending to a position where the inner lead 13 is sandwiched by each lead forming hole 20. A gold wire of the light emitting chip is bonded to the inner lead 14.

発光チップはアノード電極(正極)及びカソード電極(負極) の一対の電極を備え、これらの電極の間に順バイアスの所定電圧を印加することにより光を放出するLED素子である。このため、例えば、インナーリード13が発光チップのカソード電極に接続される場合、インナーリード14と発光チップのアノード側の電極との間を金ワイヤ等でボンディングして、アノード側のリードフレームと発光チップのアノード電極との間を電気的に接続する。     The light-emitting chip is an LED element that includes a pair of electrodes, an anode electrode (positive electrode) and a cathode electrode (negative electrode), and emits light by applying a predetermined voltage with a forward bias between these electrodes. For this reason, for example, when the inner lead 13 is connected to the cathode electrode of the light-emitting chip, the inner lead 14 and the anode-side electrode of the light-emitting chip are bonded with a gold wire or the like to emit light from the anode-side lead frame. Electrical connection is made between the anode electrode of the chip.

本実施例では、発光チップの一方の電極に二本のワイヤで接続されるため、二つのインナーリード14が設けられている。ただし、これに限定されるものではなく、ワイヤの本数は一本又は三本以上でも構わない。また、インナーリード13側のリードフレームがカソード側であるとして説明しているが、これに限定されるものではなく、発光チップの種類などに応じてはインナーリード13をアノード側としてもよい。この場合、インナーリード14が設けられている側のリードフレームはカソード側となる。さらに、例えば、実装する発光チップはフリップチップタイプのものでもよく、リード形成孔20を跨ぐように発光チップを配置してチップ下面に配置された各電極をインナーリード13及びインナーリード14にボンディングして実装する。     In this embodiment, since two wires are connected to one electrode of the light emitting chip, two inner leads 14 are provided. However, the present invention is not limited to this, and the number of wires may be one or three or more. Although the lead frame on the inner lead 13 side is described as being on the cathode side, the present invention is not limited to this, and the inner lead 13 may be on the anode side depending on the type of light emitting chip. In this case, the lead frame on the side where the inner lead 14 is provided is the cathode side. Further, for example, the light-emitting chip to be mounted may be a flip-chip type. The light-emitting chip is disposed so as to straddle the lead forming hole 20, and the electrodes disposed on the lower surface of the chip are bonded to the inner lead 13 and the inner lead 14. And implement.

図3は、本実施例における樹脂封止の状態を示す断面図である。図3の左側は樹脂封止前の状態を示し、図3の右側は樹脂封止後の状態を示している。同図に示されるように、トランスファモールドによりリードフレーム10が樹脂封止される。     FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state of resin sealing in the present embodiment. The left side of FIG. 3 shows a state before resin sealing, and the right side of FIG. 3 shows a state after resin sealing. As shown in the figure, the lead frame 10 is resin-sealed by transfer molding.

50は、リードフレーム10に充填する樹脂の形状を決定するための第1の金型としての上金型である。上金型50には、発光チップからの光を反射させるリフレクタを形成するための複数のキャビティ60(第1キャビティ)が、リードフレーム10に形成された複数のリード形成孔20と同じ間隔で形成されている。上金型50は、樹脂モールド時において、複数のリード形成孔20と複数のキャビティ60とが重なるようにリードフレーム10を上面側から押さえ付ける。     Reference numeral 50 denotes an upper mold as a first mold for determining the shape of the resin filled in the lead frame 10. In the upper mold 50, a plurality of cavities 60 (first cavities) for forming a reflector that reflects light from the light emitting chip are formed at the same interval as the plurality of lead forming holes 20 formed in the lead frame 10. Has been. The upper mold 50 presses the lead frame 10 from the upper surface side so that the plurality of lead formation holes 20 and the plurality of cavities 60 overlap during resin molding.

同様に、51は第2の金型としての下金型である。下金型51には、LEDパッケージの下パッケージを形成するための複数のキャビティ61(第2キャビティ)が複数のリード形成孔20と同じ間隔で形成されている。下金型51は、樹脂モールド時において、複数のリード形成孔20と複数のキャビティ61とが重なるようにリードフレーム10を下面側から押さえ付ける。     Similarly, 51 is a lower mold as a second mold. In the lower mold 51, a plurality of cavities 61 (second cavities) for forming the lower package of the LED package are formed at the same intervals as the plurality of lead forming holes 20. The lower mold 51 presses the lead frame 10 from the lower surface side so that the plurality of lead forming holes 20 and the plurality of cavities 61 overlap during resin molding.

本実施例のモールド金型(以下、単に「金型」ともいう)は、上金型50と下金型51とを主体に構成されている。樹脂モールド時には、上金型50と下金型51とでリードフレーム10をクランプし(挟み)、複数のキャビティ60、複数のキャビティ61、及び、複数のリード形成孔20のそれぞれを重ね合わせて樹脂71を充填して後述する第1成形部を形成する。     The mold according to the present embodiment (hereinafter also simply referred to as “metal mold”) is mainly composed of an upper mold 50 and a lower mold 51. At the time of resin molding, the lead frame 10 is clamped (sandwiched) by the upper mold 50 and the lower mold 51, and the plurality of cavities 60, the plurality of cavities 61, and the plurality of lead forming holes 20 are overlapped to form a resin. 71 is filled to form a first molding portion to be described later.

70は熱硬化性樹脂等をタブレット(円柱)状に成形した樹脂タブレットである。樹脂モールド時には、図3の右側に示されるように、予熱された下金型51のポット81内に樹脂タブレット70を投入して溶融させるとともにプランジャ80を上動させて溶融した樹脂71を圧送することにより、上金型50と下金型51との間が樹脂71で充填される。このプランジャ80は、図外のトランスファ機構によってポット81に沿って上下に摺動可能に構成されている。なお、樹脂タブレット70に替えて液状の熱硬化性樹脂をディスペンサ(図示せず)で供給することもできる。また、上金型50及び下金型51のパーティング面をリリースフィルム(図示せず)で覆ってから樹脂を供給して、リリースフィルムを介して上金型50及び下金型51でリードフレーム10をクランプすることもできる。     Reference numeral 70 denotes a resin tablet obtained by molding a thermosetting resin or the like into a tablet (column) shape. At the time of resin molding, as shown on the right side of FIG. 3, the resin tablet 70 is put into the pot 81 of the preheated lower mold 51 and melted, and the plunger 80 is moved upward to pump the melted resin 71. Thus, the space between the upper mold 50 and the lower mold 51 is filled with the resin 71. The plunger 80 is configured to be slidable up and down along the pot 81 by a transfer mechanism (not shown). In addition, it replaces with the resin tablet 70 and liquid thermosetting resin can also be supplied with a dispenser (not shown). Further, the parting surfaces of the upper mold 50 and the lower mold 51 are covered with a release film (not shown), and then resin is supplied, and the lead frame is formed by the upper mold 50 and the lower mold 51 via the release film. 10 can also be clamped.

プランジャ80によって樹脂71が圧送されることにより、溶融した樹脂71は、カル65、ランナ66、ゲート67及びハーフエッジ18を介して、リード形成孔20、キャビティ60(第1キャビティ)、及び、キャビティ61(第2キャビティ)へ供給される。具体的には、各リード形成孔20は、スルーゲート64を介して連通しているため、リード形成孔20に連通した各キャビティ60、61にも樹脂71を供給可能となっている。このため、樹脂71は、ゲート67に近いリード形成孔20及びキャビティ60、61から遠いリード形成孔20及びキャビティ60、61に向けて順次供給されていく。     When the resin 71 is pumped by the plunger 80, the molten resin 71 passes through the cull 65, the runner 66, the gate 67, and the half edge 18, and the lead forming hole 20, the cavity 60 (first cavity), and the cavity 61 (second cavity). Specifically, since each lead forming hole 20 communicates with each other through the through gate 64, the resin 71 can be supplied also to each cavity 60, 61 communicated with the lead forming hole 20. For this reason, the resin 71 is sequentially supplied toward the lead forming hole 20 and the cavities 60 and 61 far from the lead forming hole 20 and the cavities 60 and 61 near the gate 67.

このようにして、樹脂タブレット70が溶融して樹脂71となり、上金型50と下金型51で形成された空間に注入される。この結果、図3の右側に示されるように、上金型50と下金型51の間の空間は、樹脂71により充填された状態となる。     In this way, the resin tablet 70 is melted to become the resin 71 and is injected into the space formed by the upper mold 50 and the lower mold 51. As a result, as shown on the right side of FIG. 3, the space between the upper mold 50 and the lower mold 51 is filled with the resin 71.

本実施例の樹脂71としては、例えば、後述の理由により、光を透過させる性質(透光性)を有するエポキシ樹脂が用いられる。ただし、これに限定されるものではなく、シリコーン樹脂のような透光性を有する熱硬化性樹脂や、その他の熱硬化性樹脂を用いることもできる。     As the resin 71 of the present embodiment, for example, an epoxy resin having a property of transmitting light (translucency) is used for reasons described later. However, it is not limited to this, The thermosetting resin which has translucency like a silicone resin, and another thermosetting resin can also be used.

また、樹脂71には、後述する透光性樹脂75とは異なり、フィラーが含有されている。このフィラーとしては、例えば、光の反射及び放熱のために窒化アルミ(AlN)を主成分としたものが用いられる。窒化アルミを主成分としたフィラーを含有している場合、透光性を有する樹脂に白色のフィラーが含まれる樹脂71の色は全体として白色となり、発光チップからの光が効果的に反射されるとともに、熱伝導性が高いため、発光チップによって発せられた熱を効率的に外部に伝導して放熱することが可能となる。フィラーは窒化アルミに限定されるものではなく、樹脂71に他のフィラーを含有させてもよい。また、樹脂71の色は白色に限定されるものではなく、他の色を有するものでもよい。     Further, unlike the translucent resin 75 described later, the resin 71 contains a filler. As this filler, for example, a material mainly composed of aluminum nitride (AlN) for light reflection and heat dissipation is used. When a filler mainly composed of aluminum nitride is contained, the color of the resin 71 in which the white filler is included in the translucent resin is white as a whole, and the light from the light emitting chip is effectively reflected. At the same time, since the thermal conductivity is high, the heat generated by the light emitting chip can be efficiently conducted to the outside and dissipated. The filler is not limited to aluminum nitride, and the resin 71 may contain other filler. Further, the color of the resin 71 is not limited to white, and may have other colors.

なお、図3における160として図示した破線は、後述するように、発光チップを実装した後に透光性樹脂(シリコーン樹脂)で封止して形成される本実施例のLEDパッケージ(発光デバイス)の封止形状を示すものである。     In addition, the broken line shown as 160 in FIG. 3 of the LED package (light emitting device) of this embodiment formed by sealing a light transmitting chip (silicone resin) after mounting the light emitting chip, as will be described later. The sealing shape is shown.

図4は、本実施例で用いられる上金型50の構造図である。図4(A)は上金型50の断面図であり、図4(B)は上金型50を下から見た平面図である。     FIG. 4 is a structural diagram of the upper mold 50 used in this embodiment. 4A is a cross-sectional view of the upper mold 50, and FIG. 4B is a plan view of the upper mold 50 as viewed from below.

上金型50には、キャビティ60、スルーゲート64、カル65、ランナ66、及び、ゲート67がそれぞれの形状及び大きさを備えた凹形状に形成されている。上金型50において、平面視環状に形成されたキャビティ60に囲まれた領域はリードフレーム10をクランプするクランプ面となっている。このクランプ面により、図3に示されるように、リードフレーム10における発光チップの各実装位置は実装面(表面)側でそれぞれクランプされる。     In the upper mold 50, a cavity 60, a through gate 64, a cull 65, a runner 66, and a gate 67 are formed in a concave shape having respective shapes and sizes. In the upper mold 50, a region surrounded by a cavity 60 formed in an annular shape in plan view is a clamping surface for clamping the lead frame 10. With this clamping surface, as shown in FIG. 3, each mounting position of the light emitting chip in the lead frame 10 is clamped on the mounting surface (front surface) side.

図5は、実施例1における樹脂封止の状態を示す拡大図である。図5(A)は樹脂封止前の状態を示し、図5(B)は樹脂封止後の状態を示している。また、図5に示される範囲は、本実施例における最終製品であるLEDパッケージの一個分の構成部分に相当する。     FIG. 5 is an enlarged view showing a state of resin sealing in the first embodiment. FIG. 5A shows a state before resin sealing, and FIG. 5B shows a state after resin sealing. Further, the range shown in FIG. 5 corresponds to a component part of one LED package which is the final product in this embodiment.

下金型51において、キャビティ61に囲まれた領域はリードフレーム10をクランプするクランプ面となっている。このクランプ面により、リードフレーム10における発光チップの各実装位置はその裏面側でそれぞれクランプされる(図3参照)。このため、リードフレーム10は上金型50及び下金型51の各クランプ面によって上下からクランプされることとなり、発光チップの実装位置におけるフラッシュが防止され、発光チップの実装不良の防止が可能となる。     In the lower mold 51, a region surrounded by the cavity 61 is a clamping surface for clamping the lead frame 10. By this clamping surface, each mounting position of the light emitting chip in the lead frame 10 is clamped on the back surface side (see FIG. 3). For this reason, the lead frame 10 is clamped from above and below by the clamp surfaces of the upper mold 50 and the lower mold 51, so that flashing at the mounting position of the light emitting chip is prevented, and defective mounting of the light emitting chip can be prevented. Become.

このような上金型50及び下金型51を用いて樹脂モールドするときには、樹脂タブレット70をポット81に供給するとともに、リードフレーム10を載置部に載置して、上金型50及び下金型51を型閉じしてリードフレーム10をクランプする。     When resin molding is performed using the upper mold 50 and the lower mold 51, the resin tablet 70 is supplied to the pot 81 and the lead frame 10 is mounted on the mounting portion. The die 51 is closed and the lead frame 10 is clamped.

この場合、図5(A)に示されるように、上金型50と下金型51の間には、キャビティ60、61、及び、スルーゲート64が形成されている。また、リードフレーム10にはリード形成孔20が形成されている。このため、上記のようにトランスファ機構を動作させて樹脂71を圧送することにより、互いに連通された状態となっているスルーゲート64、キャビティ60、61、及び、リード形成孔20に樹脂が充填されていく。   In this case, as shown in FIG. 5A, cavities 60 and 61 and a through gate 64 are formed between the upper mold 50 and the lower mold 51. In addition, a lead forming hole 20 is formed in the lead frame 10. For this reason, by operating the transfer mechanism as described above and pumping the resin 71, the through gate 64, the cavities 60 and 61, and the lead forming hole 20 that are in communication with each other are filled with the resin. To go.

この状態において、図3に示されるように、隣接するリード形成孔20間を直接連通するスルーゲート64を介して樹脂71が流れ込むため、キャビティ60、61、及び、リード形成孔20が樹脂モールドされる。これにより、樹脂71がリード形成孔20、スルーゲート64、キャビティ60、61に充填される。     In this state, as shown in FIG. 3, since the resin 71 flows through the through gate 64 that directly communicates between the adjacent lead forming holes 20, the cavities 60, 61 and the lead forming holes 20 are resin-molded. The As a result, the resin 71 is filled in the lead forming hole 20, the through gate 64, and the cavities 60 and 61.

図5(B)は、樹脂71がキャビティ60、61、及び、リード形成孔20に充填された状態を示している。スルーゲート64、キャビティ60、61、及び、リード形成孔20は互いに繋がって連通した状態となっているため、スルーゲート64から流れ込む樹脂71により、これら全ての空間は一度に充填されて第1成形部が形成される。続いて、充填された樹脂71を硬化させるために所定時間だけ待機して、上金型50、下金型51の型閉状態を開放する。次いで、樹脂モールドされたLEDパッケージ用基板が搬出された後に金型のパーティング面等がクリーニングされて、1回の樹脂モールドが終了する。これにより、第1成形部を有するLEDパッケージ用基板(以下、単に「基板」ともいう)が形成される。     FIG. 5B shows a state in which the resin 71 is filled in the cavities 60 and 61 and the lead forming hole 20. Since the through gate 64, the cavities 60 and 61, and the lead forming hole 20 are connected to each other and communicated with each other, all of these spaces are filled at once by the resin 71 flowing from the through gate 64, and the first molding is performed. Part is formed. Subsequently, in order to cure the filled resin 71, a predetermined time is waited to open the upper mold 50 and the lower mold 51 in the closed state. Next, after the resin-molded LED package substrate is carried out, the parting surface of the mold is cleaned, and one resin molding is completed. Thereby, an LED package substrate (hereinafter also simply referred to as “substrate”) having the first molded portion is formed.

本実施例において、第1成形部は、リード形成孔20を閉塞するリード間閉塞部、リフレクタ、及び、下パッケージを備えて一体的に形成されている。リードフレーム10の上面側においてキャビティ60で硬化した樹脂71はリフレクタを構成する。リフレクタは、リードフレーム10における発光チップの実装面に形成され、発光チップからの光を上方に反射させる機能を有する。また、このリフレクタは、LEDパッケージの強度を向上させるという効果も有する。     In the present embodiment, the first molding part is integrally formed with an inter-lead closing part that closes the lead forming hole 20, a reflector, and a lower package. The resin 71 cured in the cavity 60 on the upper surface side of the lead frame 10 constitutes a reflector. The reflector is formed on the mounting surface of the light emitting chip in the lead frame 10 and has a function of reflecting light from the light emitting chip upward. This reflector also has the effect of improving the strength of the LED package.

リードフレーム10の下面側においてキャビティ61で硬化した樹脂71は、LEDパッケージの下パッケージを構成する。下パッケージは、リードフレーム10における発光チップの実装面とは反対側の面に形成されている。この下パッケージを形成することにより、LEDパッケージの強度を向上させることができる。また、この下パッケージ及びリフレクタでリードフレーム10を挟み込んだ形状となるため、これらと一体的に形成されたリード間閉塞部がリードフレーム10に確実に接合された状態となる。     The resin 71 cured in the cavity 61 on the lower surface side of the lead frame 10 constitutes the lower package of the LED package. The lower package is formed on the surface of the lead frame 10 opposite to the mounting surface of the light emitting chip. By forming this lower package, the strength of the LED package can be improved. Further, since the lead frame 10 is sandwiched between the lower package and the reflector, the inter-lead blocking portion formed integrally with the lower package and the reflector is securely joined to the lead frame 10.

なお、リフレクタを形成するためのキャビティ60、及び、下パッケージを形成するためのキャビティ61は、いずれも、リードフレーム10上に環状に構成されている。そのことを明確にするため、図5(A)、(B)に示される破線により、キャビティ60(リフレクタ)及びキャビティ61(下パッケージ)が環状であることを示している。     Note that the cavity 60 for forming the reflector and the cavity 61 for forming the lower package are both formed in an annular shape on the lead frame 10. In order to clarify this, the broken lines shown in FIGS. 5A and 5B indicate that the cavity 60 (reflector) and the cavity 61 (lower package) are annular.

発光チップの一対の電極間を絶縁するために設けられたリード形成孔20(換言すればインナーリード13、14間)に樹脂71が充填されてリード形成孔20が絶縁状態で閉塞され、リード間閉塞部が形成されることにより、これらの電極間を確実に絶縁することができる。     The lead forming hole 20 (in other words, between the inner leads 13 and 14) provided to insulate the pair of electrodes of the light emitting chip is filled with the resin 71 so that the lead forming hole 20 is closed in an insulated state. By forming the blocking portion, these electrodes can be reliably insulated from each other.

図6は、本実施例のリードフレームに樹脂を充填して形成されたLEDパッケージ用基板の要部拡大図である。図6(A)はLEDパッケージ用基板の拡大平面図、図6(B)はB−B断面図、図6(C)はC−C断面図、図6(D)はLEDパッケージ用基板の拡大底面図である。   FIG. 6 is an enlarged view of a main part of an LED package substrate formed by filling the lead frame of this embodiment with resin. 6A is an enlarged plan view of the LED package substrate, FIG. 6B is a BB sectional view, FIG. 6C is a CC sectional view, and FIG. 6D is an LED package substrate. It is an enlarged bottom view.

図6(A)に示されるように、樹脂71で構成されるリフレクタは、リードフレーム10の上面において、内側がすり鉢形状となる円環状に形成されている。本実施例のリフレクタは、その内周及び外周ともに円環状であるが、これに限定されるものではない。リフレクタの内周又は外周のいずれかを矩形状にしてもよい。また、リフレクタの内周及び外周の両方を矩形状にすることもできる。   As shown in FIG. 6A, the reflector made of the resin 71 is formed in an annular shape on the upper surface of the lead frame 10 so that the inside has a mortar shape. Although the reflector of a present Example is circular in both the inner periphery and outer periphery, it is not limited to this. Either the inner periphery or the outer periphery of the reflector may be rectangular. Moreover, both the inner periphery and outer periphery of a reflector can also be made into a rectangular shape.

図6(B)は、図6(A)中のB−B線での切断面を示す断面図であり、図5(B)と同一の向きを示している。また図6(C)は、図6(A)中のC−C線での切断面を示す断面図であり、図6(B)の断面に対して直交方向である。     6B is a cross-sectional view showing a cut surface along the line BB in FIG. 6A, and shows the same direction as FIG. 5B. FIG. 6C is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 6A and is perpendicular to the cross section of FIG.

図6(D)に示されるように、樹脂71で構成される下パッケージは、リードフレーム10の下面において、矩形状に形成されている。本実施例の下パッケージは、その内周及び外周ともに矩形状であるが、これに限定されるものではない。下パッケージの内周又は外周のいずれかを円環状にしてもよい。また、下パッケージの内周及び外周の両方を円環状にすることもできる。また、下パッケージは中央部が抜けた環状以外の形状でもよく、例えば中央部にも樹脂71が充填して平面視矩形または円形の形状を採用することもできる。     As shown in FIG. 6D, the lower package made of the resin 71 is formed in a rectangular shape on the lower surface of the lead frame 10. The lower package of this embodiment has a rectangular shape on both the inner periphery and the outer periphery, but is not limited to this. Either the inner periphery or the outer periphery of the lower package may be annular. Moreover, both the inner periphery and outer periphery of a lower package can also be made into a ring shape. Further, the lower package may have a shape other than the annular shape with the central portion removed. For example, the central portion may be filled with the resin 71 and may have a rectangular or circular shape in plan view.

このように、リフレクタ及び下パッケージは多様な形状を採用することができる。つまり、リフレクタ及び下パッケージを形成する上金型50及び下金型51のキャビティ60、61も同様に多様な形状を採用することができる。     As described above, the reflector and the lower package can adopt various shapes. That is, the cavities 60 and 61 of the upper mold 50 and the lower mold 51 that form the reflector and the lower package can similarly adopt various shapes.

図7は、本実施例におけるLEDパッケージ用基板の全体構造図である。図7(A)はLEDパッケージ用基板の平面図、また、図7(B)はその側面図である。     FIG. 7 is an overall structural diagram of the LED package substrate in the present embodiment. FIG. 7A is a plan view of the LED package substrate, and FIG. 7B is a side view thereof.

図7に示されるLEDパッケージ用基板は、複数の発光チップを実装する前のLEDパッケージ用基板である。このLEDパッケージ用基板には、複数のリード形成孔20に樹脂71が充填されてリード間閉塞部が形成されるとともに、リードフレーム10の上面及び下面に樹脂71で複数のリフレクタ及び下パッケージが形成されている。このように、LEDパッケージ用基板は、複数の発光チップ(LED)を複数のリフレクタの内側に設けられた実装位置に実装可能な構造を備える。   The LED package substrate shown in FIG. 7 is an LED package substrate before mounting a plurality of light emitting chips. In this LED package substrate, a plurality of lead forming holes 20 are filled with resin 71 to form an inter-lead blocking portion, and a plurality of reflectors and a lower package are formed from the resin 71 on the upper and lower surfaces of the lead frame 10. Has been. As described above, the LED package substrate has a structure in which a plurality of light emitting chips (LEDs) can be mounted at mounting positions provided inside the plurality of reflectors.

なお、図7に示されるLEDパッケージ用基板には、スルーゲート64で硬化した樹脂71が残存している。スルーゲート64に充填されて硬化した樹脂71は、次の工程である透光性樹脂の樹脂モールドの前にゲートブレイクして排除しておいてもよく、または、これを残したまま透光性樹脂の樹脂モールドをすることもできる。この場合、ゲートブレイクして後述の樹脂モールドを行うときには、その金型のスルーゲートはスルーゲート64と同じ位置に形成することができる。一方、ゲートブレイクしないで次の樹脂モールドを行うときにはその金型のスルーゲートは、スルーゲート64で硬化した樹脂71ごと樹脂モールド可能となるようにスルーゲート64よりも大きくする必要がある。   The resin 71 cured by the through gate 64 remains on the LED package substrate shown in FIG. The resin 71 filled and cured in the through gate 64 may be removed by a gate break before the resin molding of the translucent resin in the next step, or the translucent property may be left as it is. A resin mold of resin can also be used. In this case, when the gate break is performed and the resin molding described later is performed, the through gate of the mold can be formed at the same position as the through gate 64. On the other hand, when the next resin molding is performed without gate break, the through gate of the mold needs to be larger than the through gate 64 so that the resin 71 cured with the through gate 64 can be molded with the resin.

図8は、本実施例におけるLEDパッケージの断面形状を説明するための説明図である。図8(A)は透光性樹脂の充填前の状態を示し、図8(B)は透光性樹脂の充填後の状態を示している。   FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining a cross-sectional shape of the LED package in the present embodiment. FIG. 8A shows a state before filling with the translucent resin, and FIG. 8B shows a state after filling with the translucent resin.

図8(A)に示されるように、透光性樹脂の充填前において、リード間閉塞部、リフレクタ、及び、下パッケージの第1成形部が樹脂71で形成されたLEDパッケージ用基板には、発光チップ90(LED:Light−Emitting Diode)がインナーリード13上に実装される。   As shown in FIG. 8A, the LED package substrate in which the inter-lead blocking portion, the reflector, and the first molded portion of the lower package are formed of the resin 71 before filling with the translucent resin, A light emitting chip 90 (LED: Light-Emitting Diode) is mounted on the inner lead 13.

発光チップ90は、アノード電極とカソード電極との一対の電極間に順バイアスを印加することにより、特定の色の光を放出する半導体チップである。発光色は、発光チップに用いられる材料により異なる。例えば、赤色光を放出するAlGaAs、緑色光を放出するGaP、青色光を放出するGaNなどが用いられる。     The light emitting chip 90 is a semiconductor chip that emits light of a specific color by applying a forward bias between a pair of electrodes of an anode electrode and a cathode electrode. The emission color varies depending on the material used for the light emitting chip. For example, AlGaAs that emits red light, GaP that emits green light, GaN that emits blue light, and the like are used.

発光チップ90の裏面(ダイパッド実装面)にはカソード電極が設けられている。このため、インナーリード13に実装された発光チップ90の表面に設けられているアノード電極をインナーリード14に電気的に接続させる。具体的には、発光チップ90のアノード電極とリードフレーム10のインナーリード14との間を金等のワイヤ92で接続する。     A cathode electrode is provided on the back surface (die pad mounting surface) of the light emitting chip 90. For this reason, the anode electrode provided on the surface of the light emitting chip 90 mounted on the inner lead 13 is electrically connected to the inner lead 14. Specifically, the anode electrode of the light emitting chip 90 and the inner lead 14 of the lead frame 10 are connected by a wire 92 such as gold.

その後、発光チップ90が実装されたLEDパッケージ用基板を下金型53の載置部に載置するとともに、液状の透光性樹脂75をディスペンサ(図示せず)によってポット81に供給する。上金型52及び下金型53を型閉じして、図8(B)に示されるように基板をクランプする。なお、同図には図示されていないが、上金型52及び下金型53のパーティング面をリリースフィルム(図示せず)で覆って、リリースフィルムを介して上金型52及び下金型53でLEDパッケージ用基板をクランプすることもできる。続いて、プランジャ80を上動させて透光性樹脂75を圧送し、透光性樹脂75をキャビティ68の内部に供給して充填する。続いて、キャビティ68に充填された透光性樹脂75を硬化させることにより、レンズ部を有する第2成形部が形成されて、その内部に発光チップ90が封止される。     Thereafter, the LED package substrate on which the light emitting chip 90 is mounted is placed on the placement portion of the lower mold 53, and a liquid translucent resin 75 is supplied to the pot 81 by a dispenser (not shown). The upper mold 52 and the lower mold 53 are closed, and the substrate is clamped as shown in FIG. Although not shown in the figure, the parting surfaces of the upper mold 52 and the lower mold 53 are covered with a release film (not shown), and the upper mold 52 and the lower mold are interposed via the release film. The LED package substrate can also be clamped at 53. Subsequently, the plunger 80 is moved up to pump the translucent resin 75, and the translucent resin 75 is supplied into the cavity 68 and filled. Subsequently, the translucent resin 75 filled in the cavity 68 is cured to form a second molded part having a lens part, and the light emitting chip 90 is sealed therein.

このとき、透光性樹脂75はLEDパッケージ用基板の上面側にのみ充填できればよい。このため、下金型53には、透光性樹脂75を充填するためのキャビティは形成されず、前工程である樹脂71で形成された下パッケージを収容するためのキャビティが形成されている。このキャビティと下パッケージ形成用のキャビティ61とは実質的にほぼ同一の形状を有していればよいが、下キャビティ収容用のキャビティを下パッケージ形成用のキャビティ61よりも若干大きくして、収容し易くすることもできる。     At this time, the translucent resin 75 may be filled only on the upper surface side of the LED package substrate. For this reason, the lower mold 53 is not formed with a cavity for filling the translucent resin 75, but is formed with a cavity for accommodating the lower package formed of the resin 71 as the previous process. The cavity and the lower package forming cavity 61 need only have substantially the same shape, but the lower cavity housing cavity is made slightly larger than the lower package forming cavity 61 for housing. It can also be made easier.

透光性樹脂75としては、透光性及び熱硬化性を有するシリコーン樹脂が用いられる。また、この透光性樹脂75は、樹脂71とは異なり、発光チップの光を透過させるために窒化アルミのようなフィラーを含有させずに用いられる。なお、シリコーン樹脂は、例えばエポキシ樹脂よりも紫外線や熱によって透光性が低下し難い性質を有するため、発光チップ90を封止するには好適である。透光性樹脂75は透明色のものに限定されるものではなく、透光性を有する樹脂であれば、赤色等の着色がなされた樹脂を用いることもできる。     As the translucent resin 75, a silicone resin having translucency and thermosetting is used. Further, unlike the resin 71, the translucent resin 75 is used without containing a filler such as aluminum nitride in order to transmit light of the light emitting chip. Note that silicone resin is suitable for sealing the light emitting chip 90 because it has a property that its translucency is less likely to be lowered by ultraviolet rays or heat than an epoxy resin, for example. The translucent resin 75 is not limited to a transparent color, and a resin colored with red or the like may be used as long as it has translucency.

図8に示されるように、キャビティ68は、LEDパッケージのレンズ部を形成するためのレンズキャビティ68aと、リフレクタの全面を覆う上パッケージの矩形部分を形成するための上パッケージキャビティ68bとを有する。本実施例のキャビティ68は、樹脂71で形成されたリフレクタを全て覆うように形成されているため、透光性樹脂75がキャビティ68に充填されたときには、リードフレーム10の上面側において、リフレクタ及び発光チップ90を含めてLEDパッケージ用基板の上面側が透光性樹脂75で封止される。図8(B)は、キャビティ68の内部に透光性樹脂75を充填したときの状態を示したものである。     As shown in FIG. 8, the cavity 68 includes a lens cavity 68a for forming the lens portion of the LED package, and an upper package cavity 68b for forming a rectangular portion of the upper package that covers the entire surface of the reflector. Since the cavity 68 of this embodiment is formed so as to cover all the reflectors formed of the resin 71, when the light-transmitting resin 75 is filled in the cavity 68, the reflector and the The upper surface side of the LED package substrate including the light emitting chip 90 is sealed with a translucent resin 75. FIG. 8B shows a state where the inside of the cavity 68 is filled with a translucent resin 75.

本実施例のLEDパッケージ用基板では、リード形成孔20に樹脂71が充填されてリード間閉塞部が形成されているため、透光性樹脂75のトランスファモールド時、透光性樹脂75は上金型52とLEDパッケージ用基板の上面との間の空間を流れ、透光性樹脂75が下金型53の載置部に触れることはない。したがって、下金型53の載置部を透光性樹脂75により汚染させることなく透光性樹脂75を充填して樹脂モールドすることができる。     In the LED package substrate of this embodiment, the lead forming hole 20 is filled with the resin 71 to form the inter-lead blocking portion. Therefore, during the transfer molding of the translucent resin 75, the translucent resin 75 is the upper metal. It flows through the space between the mold 52 and the upper surface of the LED package substrate, and the translucent resin 75 does not touch the mounting portion of the lower mold 53. Therefore, the mounting portion of the lower mold 53 can be filled with the translucent resin 75 without being contaminated with the translucent resin 75 and resin molded.

続いて、キャビティ68に充填された透光性樹脂75を硬化させるために所定時間だけ待機して、上金型52、下金型53の型閉状態を開放する。次いで、第2成形部が形成された基板が搬出され、上金型52、下金型53の表面がクリーニングされて1回の樹脂モールドが終了する。     Subsequently, in order to harden the translucent resin 75 filled in the cavity 68, the mold is closed for a predetermined time, and the upper mold 52 and the lower mold 53 are opened. Next, the substrate on which the second molding portion is formed is carried out, the surfaces of the upper mold 52 and the lower mold 53 are cleaned, and one resin mold is completed.

このように、本実施例のLEDパッケージ用基板の製造方法によれば、インナーリード13、14間がリード間閉塞部で閉塞されているため、下金型53における基板の載置部やLEDパッケージ用基板において外部端子として用いられる非封止部分を透光性樹脂75により汚染させずに透光性樹脂75を充填することができるため、金型のクリーニングや基板のバリ取りなどの工程を簡略化することができる。     Thus, according to the manufacturing method of the substrate for LED package of the present embodiment, the space between the inner leads 13 and 14 is closed by the inter-lead blocking portion, so that the substrate mounting portion and the LED package in the lower mold 53 are Since the non-sealing portion used as the external terminal in the substrate for the substrate can be filled with the translucent resin 75 without being contaminated by the translucent resin 75, the steps such as mold cleaning and deburring of the substrate are simplified. Can be

図9は、本実施例におけるLEDパッケージの拡大図である。図9(A)はLEDパッケージの平面図、図9(B)はB−B断面図、図9(C)はC−C断面図である。   FIG. 9 is an enlarged view of the LED package in this embodiment. 9A is a plan view of the LED package, FIG. 9B is a BB cross-sectional view, and FIG. 9C is a CC cross-sectional view.

図9(A)に示されるように、上方向から見ると、LEDパッケージは透光性樹脂75で構成された第2成形部により覆われている。   As shown in FIG. 9A, when viewed from above, the LED package is covered with a second molded portion made of a translucent resin 75.

図9(B)は、図9(A)中のB−B線での切断面を示す断面図であり、図8(B)と同一の向きを示している。また図9(C)は、図9(A)中のC−C線での切断面を示す断面図であり、図9(B)の断面に対して直交方向である。図9(C)に示されるように、リードフレーム10を切断して分割した後、リードフレーム10の両端部を下側に折り曲げることにより、LEDパッケージの端子部が形成される。この端子部の詳細については後述する。     FIG. 9B is a cross-sectional view showing a cut surface along the line BB in FIG. 9A, and shows the same direction as FIG. 8B. FIG. 9C is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 9A and is perpendicular to the cross section of FIG. 9B. As shown in FIG. 9C, after the lead frame 10 is cut and divided, the both ends of the lead frame 10 are bent downward to form the terminal portion of the LED package. Details of the terminal portion will be described later.

図10は、本実施例における分割前のLEDパッケージの全体構造図である。図10(A)は分割前のLEDパッケージの平面図であり、図10(B)はその側面図である。   FIG. 10 is an overall structural diagram of the LED package before division in the present embodiment. FIG. 10A is a plan view of the LED package before division, and FIG. 10B is a side view thereof.

図10に示されるように、リードフレーム10には複数の上パッケージ(透光性樹脂75)及び下パッケージ(樹脂71)で構成されるLEDパッケージが形成されている。この状態で、図10中に例示されるように、左右方向に延在する破線及び上下方向に延在する破線に沿ってリードフレーム10における各LEDパッケージ間を切断してダイシングし、複数のLEDパッケージを一個ずつの個片にする。   As shown in FIG. 10, the lead frame 10 is formed with an LED package composed of a plurality of upper packages (translucent resin 75) and lower packages (resin 71). In this state, as illustrated in FIG. 10, the LED packages in the lead frame 10 are cut and diced along a broken line extending in the left-right direction and a broken line extending in the up-down direction, and a plurality of LEDs are diced. Make packages one by one.

図11は、本実施例におけるLEDパッケージを示した拡大断面図である。図11(A)は、LEDパッケージ(発光デバイス)の動作説明図であり、図11(B)は、リード形状の変形例を示す図である。   FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view showing the LED package in this embodiment. FIG. 11A is an operation explanatory diagram of the LED package (light emitting device), and FIG. 11B is a diagram showing a modification of the lead shape.

図11(A)に示されるように、発光チップ90に順バイアスを印加すると、発光チップ90は発光する(図中の上向きの矢印)。発光チップ90から放出された光は、主に、透光性樹脂75(レンズ部)を通って外部へ直接放出される。しかし、発光チップ90から放出された光の一部は、フィラーを含有する樹脂71(リフレクタ)に向けて放出され、樹脂71(リフレクタ)において反射して外部へ放出される。このように、リフレクタを設けることにより、発光チップ90の発光効率を向上させることができる。また、本実施例のように、白色のフィラーを含む樹脂71でリフレクタを形成したことにより、発光チップ90の発光効率をさらに向上させることができる。   As shown in FIG. 11A, when a forward bias is applied to the light emitting chip 90, the light emitting chip 90 emits light (upward arrow in the figure). The light emitted from the light emitting chip 90 is mainly emitted directly to the outside through the translucent resin 75 (lens portion). However, a part of the light emitted from the light emitting chip 90 is emitted toward the resin 71 (reflector) containing the filler, reflected by the resin 71 (reflector), and emitted outside. Thus, by providing the reflector, the light emission efficiency of the light emitting chip 90 can be improved. Further, as in this embodiment, the light emitting efficiency of the light emitting chip 90 can be further improved by forming the reflector with the resin 71 containing a white filler.

また、図11(A)に示されるように、リードフレーム10をダイシングした後、LEDパッケージの端子部は下側に折り曲げるJベンドによって形成される。端子部の先端側は、下パッケージ(樹脂71)の下に位置するように曲げられる。この端子部の先端がLEDパッケージと外部基板との間を電気的接続するための電極となる。本実施例では、LEDパッケージの端子部がはんだ95を介して、プリント基板180の上に実装される。ただし、これに限定されるものではなく、本実施例のLEDパッケージをプリント基板以外の面上に実装することもできる。   Further, as shown in FIG. 11A, after the lead frame 10 is diced, the terminal portion of the LED package is formed by a J-bend that is bent downward. The distal end side of the terminal portion is bent so as to be positioned under the lower package (resin 71). The tip of the terminal portion serves as an electrode for electrical connection between the LED package and the external substrate. In the present embodiment, the terminal portion of the LED package is mounted on the printed circuit board 180 via the solder 95. However, the present invention is not limited to this, and the LED package of this embodiment can be mounted on a surface other than the printed board.

このとき、フィラーとして窒化アルミを含有しているため、樹脂71は良好な放熱性を有する。このため、LEDパッケージ内部の熱は、リフレクタ(樹脂71)、リード間閉塞部(樹脂71)、下パッケージ(樹脂71)、端子部、及び、はんだ95を介して、外部のプリント基板180へ効率的に放熱される。図11(A)に示される端子構造を備えることにより、発光チップ90による温度上昇を効果的に抑制することができる。また、端子部をJベンドにより形成しているため、LEDパッケージの実装面積を小さくすることができる。   At this time, since aluminum nitride is contained as the filler, the resin 71 has good heat dissipation. Therefore, the heat inside the LED package is efficiently transferred to the external printed circuit board 180 via the reflector (resin 71), the inter-lead blocking part (resin 71), the lower package (resin 71), the terminal part, and the solder 95. Heat is released. By providing the terminal structure shown in FIG. 11A, a temperature rise due to the light emitting chip 90 can be effectively suppressed. Further, since the terminal portion is formed by J-bending, the mounting area of the LED package can be reduced.

図11(B)は、LEDパッケージにおいて、端子部の形状(リード形状)の変形例を示している。図11(B)に示される端子形状は、ガルウィングと呼ばれる。この場合、リードフレーム10のアウターリード部分を段状に外側へ延出させ、はんだ95を介してLEDパッケージをプリント基板180に実装する。このような構成によれば、発光チップ90の故障等の際における修理又は交換が容易になる。   FIG. 11B shows a modification of the shape of the terminal portion (lead shape) in the LED package. The terminal shape shown in FIG. 11B is called a gull wing. In this case, the outer lead portion of the lead frame 10 is extended outward in a stepped manner, and the LED package is mounted on the printed board 180 via the solder 95. According to such a configuration, repair or replacement in the event of a failure or the like of the light emitting chip 90 is facilitated.

以上、本実施例のLEDパッケージの製造方法によれば、リードフレームに設けられた複数のリード間閉塞部、リフレクタ、及び、下パッケージの第1成形部をトランスファモールドにより一体的に形成するとともに、レンズ部を有する第2成形部もトランスファモールドによって形成しているため、上金型及び下金型を交換することで第1の成形部及び第2の成形部を形成することができる。したがって、熱硬化性樹脂で構成されたリフレクタ及びレンズ部を有する高品位のLEDパッケージを効率的に製造することが可能となる。     As described above, according to the manufacturing method of the LED package of the present embodiment, the plurality of inter-lead blocking portions provided in the lead frame, the reflector, and the first molded portion of the lower package are integrally formed by transfer molding, Since the second molding part having the lens part is also formed by transfer molding, the first molding part and the second molding part can be formed by exchanging the upper mold and the lower mold. Therefore, it is possible to efficiently manufacture a high-quality LED package having a reflector and a lens portion made of a thermosetting resin.

次に、本発明の実施例2について説明する。本実施例以降の実施例においては、上記した実施例と異なる部分を主として、必要に応じて比較しながら説明し、同一の部分の説明は省略する。   Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the embodiments after this embodiment, portions different from the above-described embodiments will be mainly described while being compared as necessary, and description of the same portions will be omitted.

図12(A)は、本発明の実施例2における金型の断面図である。実施例2が実施例1と異なる点は、下金型51に替えて、下パッケージを形成するためのキャビティ61が設けられておらず、リードフレーム10の載置部がフラットな下金型51aを用いている点である。本実施例では、この下金型51aを用いて上記したLEDパッケージ用基板の製造法によりLEDパッケージ用基板を製造する。     FIG. 12A is a cross-sectional view of a mold in Example 2 of the present invention. The second embodiment differs from the first embodiment in that a cavity 61 for forming a lower package is not provided in place of the lower mold 51, and the lower mold 51a in which the mounting portion of the lead frame 10 is flat. It is a point using. In the present embodiment, an LED package substrate is manufactured by the above-described LED package substrate manufacturing method using the lower mold 51a.

図13は、実施例2におけるLEDパッケージ用基板の全体構造図である。図13(A)はLEDパッケージ用基板の平面図であり、図13(B)はその側面図である。     FIG. 13 is an overall structural diagram of the LED package substrate in the second embodiment. FIG. 13A is a plan view of the LED package substrate, and FIG. 13B is a side view thereof.

図13に示されるLEDパッケージ用基板には、第1成形部として、樹脂71でリード間閉塞部及び複数のリフレクタが一体的に形成される。本実施例のLEDパッケージ用基板には、実施例1の下パッケージは形成されないが、複数の発光デバイス(LED)を実装可能な構造を備える。本実施例では、このLEDパッケージ用基板を用いて上記したLEDパッケージの製造法によりLEDパッケージを製造する。この場合、下パッケージ収容用のキャビティが不要のため、本実施例のLEDパッケージ用基板の製造時と同様にフラットな下金型51aを用いることとなる。     In the LED package substrate shown in FIG. 13, an inter-lead blocking portion and a plurality of reflectors are integrally formed of resin 71 as a first molding portion. The lower package of the first embodiment is not formed on the LED package substrate of the present embodiment, but has a structure capable of mounting a plurality of light emitting devices (LEDs). In this embodiment, an LED package is manufactured by the above-described LED package manufacturing method using this LED package substrate. In this case, since the cavity for housing the lower package is not necessary, the flat lower mold 51a is used as in the manufacture of the LED package substrate of this embodiment.

図14は、実施例2におけるLEDパッケージの外観構成図である。図14(A)はLEDパッケージの一方(図14(B)のA方向)から見たときの側面図、図14(B)はLEDパッケージの底面図、図14(C)は図14(B)のC方向(A方向との直交方向)から見たときの側面図である。     FIG. 14 is an external configuration diagram of an LED package according to the second embodiment. 14A is a side view when viewed from one side of the LED package (A direction in FIG. 14B), FIG. 14B is a bottom view of the LED package, and FIG. 14C is FIG. It is a side view when it sees from the C direction (perpendicular to the A direction).

本実施例のLEDパッケージには、リードフレーム10の上面側にリフレクタを覆うように第2成形部が形成されているものの、下パッケージが形成されていない。このため、図14(A)乃至(C)に示されるように、平面状のインナーリード13、14とリード形成孔20に充填された樹脂71とで構成される平面が、LEDパッケージの底面となる。図14(B)に示されるように、樹脂71で二分割されたインナーリード13、14のそれぞれが、アノード電極又はカソード電極に接続された外部接続端子となり、不図示のプリント基板に直接はんだ接続される。このため、上記実施例とは異なり、端子形成用のリードの加工工程を省略することができる。   In the LED package of this embodiment, the second molded portion is formed on the upper surface side of the lead frame 10 so as to cover the reflector, but the lower package is not formed. For this reason, as shown in FIGS. 14A to 14C, a plane constituted by the planar inner leads 13 and 14 and the resin 71 filled in the lead formation holes 20 is the bottom surface of the LED package. Become. As shown in FIG. 14B, each of the inner leads 13 and 14 divided into two parts by the resin 71 becomes an external connection terminal connected to the anode electrode or the cathode electrode, and is directly soldered to a printed board (not shown). Is done. For this reason, unlike the above embodiment, the process of processing the lead for forming the terminal can be omitted.

図14(B)中の破線は、リードフレーム10に形成されたハーフエッジ12aを示している。本実施例のように下パッケージが形成されていないLEDパッケージの場合には、ハーフエッジ12aをリードフレーム10の下面側に形成して、ハーフエッジに回り込んだ樹脂71とリフレクタとでインナーリード13、14を挟んだ状態にすることがより好ましい。アノード電極又はカソード電極となるリードフレーム10が樹脂71から脱落してしまうのを防止するためである。ただし、リードフレーム10と樹脂71の接合性が十分なものであれば、ハーフエッジ12aをリードフレーム10の上面側に形成してもよい。     A broken line in FIG. 14B indicates a half edge 12 a formed on the lead frame 10. In the case of the LED package in which the lower package is not formed as in this embodiment, the half lead 12a is formed on the lower surface side of the lead frame 10, and the inner lead 13 is formed by the resin 71 and the reflector that wraps around the half edge. , 14 is more preferable. This is to prevent the lead frame 10 serving as the anode electrode or the cathode electrode from dropping from the resin 71. However, the half edge 12 a may be formed on the upper surface side of the lead frame 10 as long as the bondability between the lead frame 10 and the resin 71 is sufficient.

本実施例によれば、上記した実施例と同様の目的を達成可能であり、さらに、実施例1のLEDパッケージに比べて、より体積の小さいLEDパッケージを構成することができるという効果も有する。   According to the present embodiment, the same object as that of the above-described embodiment can be achieved, and further, an LED package having a smaller volume than that of the LED package of Embodiment 1 can be configured.

次に、本発明の実施例3について説明する。     Next, Embodiment 3 of the present invention will be described.

図12(B)は、本発明の実施例3における金型の断面図である。実施例3が実施例2と異なる点は、上金型50aにリフレクタを形成するためのキャビティ60が設けられていない点である。本実施例では、この上金型50a及び上記の下金型51aを用いて上記したLEDパッケージ用基板の製造法によりLEDパッケージ用基板を製造する。   FIG. 12B is a cross-sectional view of a mold in Example 3 of the present invention. The third embodiment is different from the second embodiment in that the upper mold 50a is not provided with a cavity 60 for forming a reflector. In the present embodiment, an LED package substrate is manufactured by the above-described LED package substrate manufacturing method using the upper mold 50a and the lower mold 51a.

本実施例のLEDパッケージ用基板には、第1成形部として樹脂71でリード間閉塞部のみが形成される。この場合、溶融した樹脂はランナ66及びゲート67を介してリード形成孔20に供給される。ゲート67に直接連通されたリード形成孔20以外のリード形成孔20には、これらを互いに連通するスルーゲート64を介して樹脂71が供給される。     In the LED package substrate of the present embodiment, only the inter-lead blocking portion is formed of the resin 71 as the first molding portion. In this case, the molten resin is supplied to the lead forming hole 20 through the runner 66 and the gate 67. Resin 71 is supplied to the lead formation holes 20 other than the lead formation hole 20 directly connected to the gate 67 through a through gate 64 that communicates with each other.

本実施例のLEDパッケージ用基板には、上記実施例のリフレクタ及び下パッケージは形成されないが、複数の発光デバイス(LED)を実装可能な構造を備える。本実施例では、このLEDパッケージ用基板を用いて実施例2と同様のLEDパッケージの製造法によりLEDパッケージを製造する。この場合、LEDパッケージ用基板の上面にリフレクタが形成されていないため、上パッケージキャビティ68bの高さは自由に設計することが可能となる。このため、例えば図14に示されているLEDパッケージのうちレンズ部を除く上パッケージ部を極めて薄く形成することも可能となる。     Although the reflector and lower package of the said Example are not formed in the board | substrate for LED packages of a present Example, it is equipped with the structure which can mount a some light emitting device (LED). In the present embodiment, an LED package is manufactured by the same LED package manufacturing method as in the second embodiment, using the LED package substrate. In this case, since the reflector is not formed on the upper surface of the LED package substrate, the height of the upper package cavity 68b can be designed freely. For this reason, for example, the upper package part excluding the lens part in the LED package shown in FIG. 14 can be formed extremely thin.

本実施例によれば、上記した実施例と同様の目的を達成可能であり、実施例2のLEDパッケージに比べて、さらに体積の小さいLEDパッケージを構成することができるという効果も有する。     According to the present embodiment, the same object as that of the above-described embodiment can be achieved, and it is possible to configure an LED package having a smaller volume than the LED package of the second embodiment.

次に、本発明の実施例4について説明する。     Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.

図15は、本実施例におけるリードフレームの全体構成図である。図15(A)はリードフレームの平面図であり、図15(B)はその側面図である。図15に示されるように、本実施例のリードフレーム10aにはスルーゲート21aが設けられている点で、上記した実施例のリードフレーム10とは異なる。   FIG. 15 is an overall configuration diagram of the lead frame in the present embodiment. FIG. 15A is a plan view of the lead frame, and FIG. 15B is a side view thereof. As shown in FIG. 15, the lead frame 10a of this embodiment is different from the lead frame 10 of the above-described embodiment in that a through gate 21a is provided.

図16(A)は、本実施例における樹脂封止の状態を示す断面図である。本図は樹脂封止直前の状態を示している。このため、ポット81内に樹脂タブレット70が供給されている。   FIG. 16A is a cross-sectional view showing a state of resin sealing in this example. This figure has shown the state just before resin sealing. For this reason, the resin tablet 70 is supplied in the pot 81.

本実施例のリードフレーム10aは、上金型50b及び下金型51aによりクランプされて樹脂モールドされる。上金型50b及び下金型51aのいずれにも、上記実施例のようなキャビティ及びスルーゲートは形成されていない。それに代えて、同図に示されるように、隣接して配置され1つのゲート67から樹脂71が供給されるリード形成孔20の間を接続するハーフエッジで構成されたスルーゲート21aがリードフレーム10aの略上半分の領域に形成されている。このため、カル65、ランナ66、及び、ゲート67を介してゲート67に直接連通されたリード形成孔20に供給された樹脂71は、リードフレーム10aに形成されたスルーゲート21aを通過して、リードフレーム10aの全てのリード形成孔20に充填される。     The lead frame 10a of this embodiment is clamped by an upper mold 50b and a lower mold 51a and resin molded. Neither the upper die 50b nor the lower die 51a is formed with a cavity and a through gate as in the above embodiment. Instead, as shown in the figure, a through gate 21a composed of half edges connecting adjacent lead formation holes 20 to which resin 71 is supplied from one gate 67 is formed as a lead frame 10a. Is formed in a substantially upper half region. For this reason, the resin 71 supplied to the lead forming hole 20 directly connected to the gate 67 through the cal 65, the runner 66, and the gate 67 passes through the through gate 21a formed in the lead frame 10a. All the lead forming holes 20 of the lead frame 10a are filled.

このような構成によれば、上記した実施例と同様の目的を達成可能である。また、リードフレーム10aの板厚内にスルーゲート21aとしての樹脂71が充填されて平板状となっているため、スルーゲート64のゲートブレイクが不要となり、LEDパッケージ用基板の製造工程を簡易化することが可能になる。     According to such a configuration, the same object as that of the above-described embodiment can be achieved. Further, since the resin 71 as the through gate 21a is filled in the plate thickness of the lead frame 10a to form a flat plate, the gate break of the through gate 64 is not necessary, and the manufacturing process of the LED package substrate is simplified. It becomes possible.

なお、本実施例のスルーゲート21aはリードフレーム10aの上半分に形成されているが、これに代えて、スルーゲート21aをリードフレーム10aの下半分に形成してもよい。     In this embodiment, the through gate 21a is formed in the upper half of the lead frame 10a. Alternatively, the through gate 21a may be formed in the lower half of the lead frame 10a.

図17は、本実施例におけるLEDパッケージ用基板の全体構造図である。図17(A)はLEDパッケージ用基板の平面図であり、図17(B)はその側面図である。本実施例のLEDパッケージ用基板では、図17(A)に示されるように、スルーゲート21aにも樹脂71が充填されている。また、本実施例では、上記実施例のようなリフレクタや下パッケージは形成されない。このため、図17(B)に示されるように、LEDパッケージ用基板を側面から見ると、全面がリードフレーム10aの厚さと同じであり、平板形状となっている。   FIG. 17 is an overall structural diagram of the LED package substrate in the present embodiment. FIG. 17A is a plan view of the LED package substrate, and FIG. 17B is a side view thereof. In the LED package substrate of this embodiment, as shown in FIG. 17A, the through gate 21a is also filled with the resin 71. In this embodiment, the reflector and the lower package as in the above embodiment are not formed. For this reason, as shown in FIG. 17B, when the LED package substrate is viewed from the side, the entire surface is the same as the thickness of the lead frame 10a and has a flat plate shape.

以上、本実施例によれば、リードフレーム10aにスルーゲート21aが設けられているため、金型にスルーゲートを形成する必要がなく、LEDパッケージ用基板を製造するための金型を安価に提供することができる。   As described above, according to the present embodiment, since the through gate 21a is provided in the lead frame 10a, it is not necessary to form a through gate in the mold, and a mold for manufacturing an LED package substrate can be provided at low cost. can do.

次に、図16(B)を参照して、本発明の実施例5について説明する。     Next, Embodiment 5 of the present invention will be described with reference to FIG.

図16(B)は、本実施例における樹脂封止の状態を示す断面図である。本図は樹脂封止直前の状態を示している。本実施例は、リードフレームにスルーゲートを設けるという点では、実施例4の構成と同一である。しかし、本実施例のリードフレーム10bは、ハーフエッジではなくリードフレームの上面と下面との間を貫通する抜き孔のスルーゲート21bを備えるという点で、実施例4とは異なる。   FIG. 16B is a cross-sectional view showing a state of resin sealing in this example. This figure has shown the state just before resin sealing. The present embodiment is the same as the structure of the fourth embodiment in that a through gate is provided in the lead frame. However, the lead frame 10b of the present embodiment is different from the fourth embodiment in that the lead frame 10b of the present embodiment is provided with a through gate 21b having a through hole penetrating between the upper surface and the lower surface of the lead frame instead of a half edge.

本実施例では、実施例4と同様に、リードフレーム10bはフラットな上金型50b及び下金型51aによりクランプされ、上金型50b及び下金型51aのいずれにもキャビティ及びスルーゲートは形成されていない。     In the present embodiment, as in the fourth embodiment, the lead frame 10b is clamped by the flat upper mold 50b and the lower mold 51a, and the cavity and the through gate are formed in both the upper mold 50b and the lower mold 51a. It has not been.

リードフレーム10bに形成されたスルーゲート21bは、リード形成孔20と同様に、上面(上金型50bに接触する面)と下面(下金型51aに接触する面)との間を貫通している。     Similar to the lead formation hole 20, the through gate 21b formed in the lead frame 10b penetrates between the upper surface (the surface that contacts the upper mold 50b) and the lower surface (the surface that contacts the lower mold 51a). Yes.

本実施例によれば、上記した実施例と同様の目的を達成可能であり、さらに、実施例4と同様に、リードフレームにスルーゲートが設けられているため、金型にスルーゲートを形成する必要がなく、LEDパッケージ用基板を製造するための金型を容易に提供することができる。また、本実施例のスルーゲートの断面積が比較的大きいため、全てのリード形成孔20に容易に樹脂71を流し込むことが可能になる。   According to the present embodiment, the same object as that of the above-described embodiment can be achieved. Furthermore, since the through gate is provided in the lead frame similarly to the fourth embodiment, the through gate is formed in the mold. There is no need, and a mold for manufacturing an LED package substrate can be easily provided. Further, since the cross-sectional area of the through gate of this embodiment is relatively large, the resin 71 can be easily poured into all the lead formation holes 20.

次に、図18乃至図21を参照して、本発明の実施例6について説明する。本実施例のLEDパッケージは、複数の発光チップを備えたマップタイプのLEDパッケージであり、1つのLEDパッケージに含まれる発光チップが複数である点で上記の第1〜5実施例と異なる。     Next, Embodiment 6 of the present invention will be described with reference to FIGS. The LED package of the present embodiment is a map type LED package having a plurality of light emitting chips, and is different from the first to fifth embodiments in that there are a plurality of light emitting chips included in one LED package.

図18は、本実施例における樹脂封止の状態を示す断面図である。本図は樹脂封止直前の状態を示している。   FIG. 18 is a cross-sectional view showing a state of resin sealing in this example. This figure has shown the state just before resin sealing.

図18の破線で囲む領域150は、図1に示される領域150に相当する断面領域である。本実施例のLEDパッケージでは、四個の発光チップが実装される。ただし、1つのLEDパッケージに含まれる発光チップの数はこれに限定されるものではなく、二個以上の任意の個数の発光チップを含ませることもできる。また、LEDパッケージ用基板に実装した全ての発光チップ90を一括して樹脂モールドして、すべての発光チップ90を1つのLEDパッケージに含ませることもできる。     A region 150 surrounded by a broken line in FIG. 18 is a cross-sectional region corresponding to the region 150 shown in FIG. In the LED package of this embodiment, four light emitting chips are mounted. However, the number of light emitting chips included in one LED package is not limited to this, and an arbitrary number of light emitting chips of two or more can also be included. Alternatively, all the light emitting chips 90 mounted on the LED package substrate can be collectively resin-molded so that all the light emitting chips 90 are included in one LED package.

54は本実施例でリフレクタを形成するために用いられる上金型である。上金型54は、実施例1の上金型52のキャビティ60に替えてキャビティ60aが形成されている。キャビティ60aは、図18、19に示されるように、二個の隣接したキャビティ60間を矩形状に連通した空間となるような形状に形成されている。また、キャビティ60aは、領域150の内部に配置される複数の発光チップの間を分離するものであり、キャビティ60aに充填された樹脂71は、複数の発光チップのリフレクタを構成する。このように、本実施例の上金型54は、キャビティ60aが形成されている点で、実施例1の上金型52とは異なる。   Reference numeral 54 denotes an upper mold used for forming a reflector in this embodiment. In the upper mold 54, a cavity 60a is formed instead of the cavity 60 of the upper mold 52 of the first embodiment. As shown in FIGS. 18 and 19, the cavity 60 a is formed in a shape that forms a space in which two adjacent cavities 60 communicate with each other in a rectangular shape. The cavity 60a separates a plurality of light emitting chips arranged inside the region 150, and the resin 71 filled in the cavity 60a constitutes a reflector of the plurality of light emitting chips. Thus, the upper mold 54 of the present embodiment is different from the upper mold 52 of the first embodiment in that the cavity 60a is formed.

55は本実施例で用いられる下金型である。下金型55は、キャビティ61に替えてキャビティ61aが形成されている。キャビティ61aは、図18、19に示されるキャビティ60aと同様の平面形状を有する。キャビティ61aに充填された樹脂71は、複数の発光チップの実装位置を裏面側から一体的に支持可能な下パッケージを構成する。このように、本実施例の下金型55は、キャビティ61aが形成されている点で、実施例1の下金型53とは異なる。   55 is a lower mold used in this embodiment. The lower mold 55 is formed with a cavity 61 a instead of the cavity 61. The cavity 61a has the same planar shape as the cavity 60a shown in FIGS. The resin 71 filled in the cavity 61a constitutes a lower package capable of integrally supporting the mounting positions of the plurality of light emitting chips from the back surface side. Thus, the lower mold 55 of the present embodiment is different from the lower mold 53 of the first embodiment in that the cavity 61a is formed.

本実施例では、これらの上金型54、下金型55を用いて上記したLEDパッケージ用基板の製造法によりLEDパッケージ用基板を製造する。この際には、樹脂71はゲート67を介して、リード形成孔20、キャビティ60a、及び、キャビティ61aへ供給される。各リード形成孔20及びキャビティ60a、61aは、スルーゲート64を介して連通しているため、樹脂71は、ゲート67に近い方から順次供給されて全てのリード形成孔20及びキャビティ60a、61aに充填される。     In the present embodiment, an LED package substrate is manufactured by the above-described LED package substrate manufacturing method using the upper mold 54 and the lower mold 55. At this time, the resin 71 is supplied to the lead forming hole 20, the cavity 60 a, and the cavity 61 a through the gate 67. Since each lead forming hole 20 and the cavities 60a and 61a communicate with each other via the through gate 64, the resin 71 is sequentially supplied from the side closer to the gate 67 to all the lead forming holes 20 and the cavities 60a and 61a. Filled.

なお、本実施例の金型では上記実施例とは異なり、1つのLEDパッケージに含まれる隣接したリード形成孔20間はキャビティ60a、61aで連通されているため、その間はスルーゲート64ではなくキャビティ60a、61aを介して樹脂71が供給される。これにより、図19に要部が示されるようなLEDパッケージ用基板が形成される。     In the mold of this embodiment, unlike the above embodiment, the adjacent lead forming holes 20 included in one LED package are communicated with each other by cavities 60a and 61a. Resin 71 is supplied through 60a and 61a. As a result, an LED package substrate whose main part is shown in FIG. 19 is formed.

図19は、本実施例におけるLEDパッケージ用基板の拡大図である。図19(A)は領域150の内部におけるLEDパッケージ用基板の平面図であり、図19(B)は図19(A)中のB−B線での切断面を示す断面図である。     FIG. 19 is an enlarged view of the LED package substrate in the present embodiment. 19A is a plan view of the LED package substrate in the region 150, and FIG. 19B is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 19A.

リードフレーム10に設けられた四個のリード形成孔20には、樹脂71が充填されている。   Four lead formation holes 20 provided in the lead frame 10 are filled with resin 71.

また、上金型54に形成されたキャビティ60aにも樹脂71が充填されている。キャビティ60aに充填された樹脂71は、四個の発光チップ90の実装位置がすり鉢形状となって発光チップ90からの光をそれぞれ反射させるリフレクタを構成する。上記実施例と同様に、本実施例のリフレクタはその内周面円形状に形成されているが、これに限定されるものではなく、例えば矩形状に形成してもよい。     In addition, the resin 71 is also filled in the cavity 60 a formed in the upper mold 54. The resin 71 filled in the cavity 60a forms a mortar-shaped mounting position of the four light emitting chips 90 and constitutes a reflector that reflects light from the light emitting chip 90, respectively. Similar to the above embodiment, the reflector of the present embodiment is formed in a circular shape on the inner peripheral surface thereof, but is not limited thereto, and may be formed in a rectangular shape, for example.

下金型55に形成されたキャビティ61aにも樹脂71が充填されている。キャビティ61aに充填された樹脂71は、下パッケージを構成する。領域150の内部には各実装位置に発光チップ90が実装される。本図は、一個の発光チップ90のみが実装された状態を示しているが、実際には、全ての実装位置に発光チップ90が実装される。     The resin 61 is also filled in the cavity 61 a formed in the lower mold 55. The resin 71 filled in the cavity 61a constitutes the lower package. Inside the region 150, the light emitting chip 90 is mounted at each mounting position. Although this figure shows a state in which only one light emitting chip 90 is mounted, actually, the light emitting chips 90 are mounted at all mounting positions.

図20は、本実施例において、透光性樹脂を封止させるときの状態を示す断面図である。図20は、各リード形成孔20及びキャビティ60a、61aを樹脂71で封止したLEDパッケージ用基板に発光チップ90を実装して第2成形部形成用の金型でクランプした状態を示している。   FIG. 20 is a cross-sectional view showing a state when a translucent resin is sealed in this example. FIG. 20 shows a state in which the light emitting chip 90 is mounted on the LED package substrate in which the lead forming holes 20 and the cavities 60a and 61a are sealed with the resin 71 and clamped with the mold for forming the second molding portion. .

本図において、56は透光性樹脂75で発光チップ90を封止する際に用いられる上金型である。本実施例における上金型56には四個のレンズ部を有するキャビティ68が形成されている。キャビティ68は、LEDパッケージのレンズ部を構成する四個のレンズキャビティ68aと、リフレクタの全面を覆う上パッケージの矩形部分を形成するための上パッケージキャビティ68bとを有する。上金型56に形成された各キャビティ68は、ゲート67及びスルーゲート64を介して連通状態で繋がっている。このため、後述のとおり、LEDパッケージ用基板の上面は透光性樹脂75で覆われる。     In this figure, reference numeral 56 denotes an upper mold used when the light emitting chip 90 is sealed with a translucent resin 75. A cavity 68 having four lens portions is formed in the upper mold 56 in this embodiment. The cavity 68 includes four lens cavities 68a constituting the lens portion of the LED package, and an upper package cavity 68b for forming a rectangular portion of the upper package that covers the entire surface of the reflector. The cavities 68 formed in the upper mold 56 are connected in a communication state via the gate 67 and the through gate 64. For this reason, as described later, the upper surface of the LED package substrate is covered with a translucent resin 75.

57は透光性樹脂75で発光チップ90を封止する際に用いられる下金型である。LEDパッケージ用基板の下面には透光性樹脂75は封止されないため、下金型57には上記実施例と同様に下金型55とほぼ同一形状のものが用いられる。本実施例では、この上金型56、下金型57を用いて上記実施例と同様のLEDパッケージの製造法によりLEDパッケージを製造する。     Reference numeral 57 denotes a lower mold used when the light emitting chip 90 is sealed with the translucent resin 75. Since the translucent resin 75 is not sealed on the lower surface of the LED package substrate, the lower mold 57 having substantially the same shape as the lower mold 55 is used as in the above embodiment. In this embodiment, an LED package is manufactured using the upper mold 56 and the lower mold 57 by the same LED package manufacturing method as in the above embodiment.

この際には、上金型56と下金型57でLEDパッケージ用基板をクランプし、キャビティ68に透光性樹脂75を充填して硬化させることによって複数の発光チップ90を一括して樹脂モールドするとともに複数のレンズ部を有する第2成形部を形成する。なお、破線で示された領域150は、四個の発光チップ90を含んだ一個のLEDパッケージの構成部分を示している。     At this time, the LED package substrate is clamped by the upper mold 56 and the lower mold 57, and the light-transmitting resin 75 is filled in the cavity 68 and cured, whereby the plurality of light emitting chips 90 are collectively molded into the resin mold. In addition, a second molded part having a plurality of lens parts is formed. Note that a region 150 indicated by a broken line indicates a component part of one LED package including the four light emitting chips 90.

図21は、本実施例におけるLEDパッケージの拡大図である。本図は、LEDパッケージ用基板をダイシングして個別に分離したときの状態を示している。図21(A)はLEDパッケージの平面図であり、図21(B)は図21(A)のB−B線での切断面を示す断面図である。   FIG. 21 is an enlarged view of the LED package in this embodiment. This figure has shown the state when the board | substrate for LED packages is diced and isolate | separated separately. FIG. 21A is a plan view of the LED package, and FIG. 21B is a cross-sectional view showing a cut surface taken along line BB in FIG. 21A.

図21に示されるように、本実施例のLEDパッケージは、その上面が全て透光性樹脂75で覆われている。透光性樹脂75は、球状に上方へ突出してLEDパッケージにおける半球面状のレンズ部を構成する樹脂レンズ部75aを含む。   As shown in FIG. 21, the upper surface of the LED package of this example is covered with a translucent resin 75. The translucent resin 75 includes a resin lens portion 75a that protrudes upward in a spherical shape and forms a hemispherical lens portion in the LED package.

本実施例は、複数の発光チップを備えたLEDパッケージを用いる際に適して実施される。本実施例によれば、上記した実施例と同様の目的を達成可能であり、複数の発光チップを備えたLEDパッケージを簡便にかつ高信頼で製造することが可能になる。   This embodiment is suitably implemented when an LED package including a plurality of light emitting chips is used. According to the present embodiment, the same object as that of the above-described embodiment can be achieved, and an LED package including a plurality of light emitting chips can be manufactured easily and with high reliability.

なお、本実施例のLEDパッケージは、四個の発光チップを備えたLEDパッケージであり、この状態でプリント基板などに実装される。ただし、本実施例のLEDパッケージの最終形態はこれに限定されるものではない。本実施例の方法を実施した後、四個の発光チップを含むLEDパッケージを分割して、一個の発光チップのみを含むLEDパッケージとしてプリント基板などに実装することも可能である。     In addition, the LED package of a present Example is an LED package provided with four light emitting chips, and is mounted in a printed circuit board etc. in this state. However, the final form of the LED package of the present embodiment is not limited to this. After carrying out the method of this embodiment, the LED package including four light emitting chips can be divided and mounted on a printed circuit board or the like as an LED package including only one light emitting chip.

次に、本発明の実施例7について説明する。     Next, a seventh embodiment of the present invention will be described.

図22は、本実施例のLEDパッケージの要部拡大図である。図22(A)はLEDパッケージの断面図であり、図22(B)はその側面図である。図22に示されるように、本実施例の半球面状のレンズキャビティ68aを有しない点で、上記実施例の金型とは異なる。このため、本実施例のLEDパッケージは上述の実施例のような半球面状のレンズ部を有しておらず、上パッケージ部の上側の平坦な面がフラットレンズ部として機能する。   FIG. 22 is an enlarged view of a main part of the LED package of this example. FIG. 22A is a cross-sectional view of the LED package, and FIG. 22B is a side view thereof. As shown in FIG. 22, this embodiment differs from the mold of the above embodiment in that it does not have the hemispherical lens cavity 68a of the present embodiment. For this reason, the LED package of this embodiment does not have the hemispherical lens portion as in the above-described embodiments, and the upper flat surface of the upper package portion functions as a flat lens portion.

本実施例の構成によれば、上パッケージ部が半球面状のレンズ部に替えて平坦なレンズ部として機能するため、半球面状のレンズのように光を拡散または収束させない用途のLEDパッケージにおいてはLEDパッケージの高さを抑制することができる。この結果、より狭い空間にLEDパッケージを実装することが可能になる。また、上パッケージに半球面状のレンズやフラットレンズを形成する例について説明したが、フレネルレンズ、シリンドリカルレンズ、または、レンチキュラーレンズ等のその他のレンズを形成可能なレンズキャビティ68aとすることもできる。     According to the configuration of the present embodiment, the upper package portion functions as a flat lens portion instead of the hemispherical lens portion. Therefore, in an LED package that does not diffuse or converge light like a hemispherical lens. Can suppress the height of the LED package. As a result, the LED package can be mounted in a narrower space. Further, although an example in which a hemispherical lens or a flat lens is formed on the upper package has been described, a lens cavity 68a that can form other lenses such as a Fresnel lens, a cylindrical lens, or a lenticular lens may be used.

上記実施例1乃至7によれば、トランスファモールドによってLEDのレンズ部を容易に成形可能なLEDパッケージ用基板及びLEDパッケージを提供することができる。また、上記実施例1乃至7によれば、上記LEDパッケージ用基板の製造方法、上記LEDパッケージの製造方法、及び、前記LEDパッケージ用基板の金型を提供することができる。     According to the first to seventh embodiments, it is possible to provide an LED package substrate and an LED package in which an LED lens portion can be easily formed by transfer molding. Moreover, according to the said Example 1 thru | or 7, the manufacturing method of the said LED package board | substrate, the manufacturing method of the said LED package, and the metal mold | die of the said LED package board | substrate can be provided.

以上、本発明の実施例を具体的に説明した。ただし、本発明は、上記各実施例にて説明した事項に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更可能である。   In the above, the Example of this invention was described concretely. However, the present invention is not limited to the matters described in the above embodiments, and can be appropriately changed without departing from the technical idea of the present invention.

例えば、上記実施例ではスルーゲート64を上金型に形成する構成について説明したが本発明はこれに限定されず、スルーゲート64を下金型に形成することもできる。また、上記実施例ではリフレクタを形成するためのキャビティ60、60a、及び、レンズ部を形成するためのキャビティ68を上金型に形成するとともに、下パッケージを形成するためのキャビティ61、61aを下金型に形成する構成について説明したが本発明はこれに限定されない。例えば、これらのキャビティ60、60a、61、61a、68を上記実施例とは上下逆の金型に形成することもできる。     For example, in the above embodiment, the configuration in which the through gate 64 is formed in the upper mold has been described. However, the present invention is not limited to this, and the through gate 64 can be formed in the lower mold. In the above embodiment, the cavities 60 and 60a for forming the reflector and the cavity 68 for forming the lens portion are formed in the upper mold, and the cavities 61 and 61a for forming the lower package are formed in the lower mold. Although the structure formed in a metal mold | die was demonstrated, this invention is not limited to this. For example, these cavities 60, 60a, 61, 61a, and 68 can be formed in a mold that is upside down from the above embodiment.

また、トランスファモールドによって、リードフレーム10に第1成形部を形成するとともにLEDパッケージ用基板に第2成形部を形成して発光チップ90を樹脂モールドする例について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、トランスファモールドに替えて圧縮成形によって第1成形部及び第2成形部を形成することもできる。さらには、いずれかの成形部のみをトランスファモールドによって形成し、他方の成形部を圧縮成形で形成することもできる。   In addition, an example in which the first molding part is formed on the lead frame 10 by transfer molding and the second molding part is formed on the LED package substrate to mold the light emitting chip 90 with resin has been described. However, the present invention is limited to this. Not. For example, the first molded portion and the second molded portion can be formed by compression molding instead of the transfer mold. Furthermore, only one of the molded parts can be formed by transfer molding, and the other molded part can be formed by compression molding.

実施例1におけるリードフレームの全体構造図である。1 is an overall structure diagram of a lead frame in Embodiment 1. FIG. 実施例1におけるリードフレームの要部拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view of a main part of the lead frame in Example 1. 実施例1における樹脂封止の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state of the resin sealing in Example 1. FIG. 実施例1において用いられる上金型の構造図である。2 is a structural diagram of an upper mold used in Example 1. FIG. 実施例1における樹脂封止の状態を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the state of resin sealing in Example 1. FIG. 実施例1のリードフレームに樹脂を充填して形成されたLEDパッケージ用基板の要部拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view of a main part of an LED package substrate formed by filling the lead frame of Example 1 with resin. 実施例1におけるLEDパッケージ用基板の全体構造図である。1 is an overall structure diagram of an LED package substrate in Example 1. FIG. 実施例1におけるLEDパッケージの断面形状を説明するための説明図である。6 is an explanatory diagram for explaining a cross-sectional shape of an LED package in Example 1. FIG. 実施例1におけるLEDパッケージの拡大図である。2 is an enlarged view of an LED package in Example 1. FIG. 実施例1における分割前のLEDパッケージの全体構造図である。1 is an overall structure diagram of an LED package before division in Example 1. FIG. 実施例1におけるLEDパッケージを示した拡大断面図である。3 is an enlarged cross-sectional view illustrating an LED package in Example 1. FIG. (A)実施例2における金型の断面図であり、(B)実施例3における金型の断面図である。(A) It is sectional drawing of the metal mold | die in Example 2, (B) It is sectional drawing of the metal mold | die in Example 3. FIG. 実施例2におけるLEDパッケージ用基板の全体構造図である。6 is an overall structural diagram of an LED package substrate in Example 2. FIG. 実施例2におけるLEDパッケージの外観構成図である。6 is an external configuration diagram of an LED package in Example 2. FIG. 実施例4におけるリードフレームの全体構造図である。FIG. 6 is an overall structure diagram of a lead frame in Example 4. (A)実施例4における樹脂封止の状態、及び、(B)実施例5における樹脂封止の状態をそれぞれ示す断面図である。(A) It is sectional drawing which shows the state of the resin sealing in Example 4, and the state of the resin sealing in (B) Example 5, respectively. 実施例4におけるLEDパッケージ用基板の全体構造図である。6 is an overall structural diagram of an LED package substrate in Example 4. FIG. 実施例6における樹脂封止の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state of the resin sealing in Example 6. FIG. 実施例6におけるLEDパッケージ用基板の拡大図である。10 is an enlarged view of an LED package substrate in Example 6. FIG. 実施例6において、透光性樹脂を封止させるときの状態を示す断面図である。In Example 6, it is sectional drawing which shows a state when sealing a translucent resin. 実施例6におけるLEDパッケージの拡大図である。10 is an enlarged view of an LED package in Example 6. FIG. 実施例7におけるLEDパッケージの要部拡大図である。FIG. 11 is an enlarged view of a main part of an LED package in Example 7.

符号の説明Explanation of symbols

10、10a、10b…リードフレーム
12、12a…ハーフエッジ
13、14…インナーリード
20…リード形成孔
21a、64…スルーゲート
50、50a、50b、52、54、56…上金型
51、51a、53、55、57…下金型
60、60a、61、68…キャビティ
65…カル
66…ランナ
70…樹脂タブレット
71…樹脂
75…透光性樹脂
80…プランジャ
81…ポット
90…発光チップ
92…ワイヤ
150…領域
180…プリント基板
10, 10a, 10b ... lead frames 12, 12a ... half edges 13, 14 ... inner leads 20 ... lead forming holes 21a, 64 ... through gates 50, 50a, 50b, 52, 54, 56 ... upper molds 51, 51a, 53, 55, 57 ... Lower mold 60, 60a, 61, 68 ... Cavity 65 ... Cull 66 ... Runner 70 ... Resin tablet 71 ... Resin 75 ... Translucent resin 80 ... Plunger 81 ... Pot 90 ... Light emitting chip 92 ... Wire 150 ... area 180 ... printed circuit board

Claims (10)

複数の発光チップを実装する前のLEDパッケージ用基板であって、
前記複数の発光チップを実装するためのリードフレームと、
前記発光チップの一対の電極間を絶縁するために、前記リードフレームの孔に充填された熱硬化性樹脂と、を有することを特徴とするLEDパッケージ用基板。
An LED package substrate before mounting a plurality of light emitting chips,
A lead frame for mounting the plurality of light emitting chips;
An LED package substrate comprising: a thermosetting resin filled in a hole of the lead frame to insulate a pair of electrodes of the light emitting chip.
前記リードフレームの前記発光チップが実装される面に、該発光チップからの光を反射させるため、前記熱硬化性樹脂で形成されたリフレクタが形成されていることを特徴とする請求項1記載のLEDパッケージ用基板。     The reflector made of the thermosetting resin is formed on the surface of the lead frame on which the light emitting chip is mounted to reflect light from the light emitting chip. LED package substrate. 前記リードフレームの前記発光チップが実装されている面とは反対側の面に、前記熱硬化性樹脂で形成された下パッケージが形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載のLEDパッケージ用基板。     3. The LED according to claim 1, wherein a lower package made of the thermosetting resin is formed on a surface of the lead frame opposite to a surface on which the light emitting chip is mounted. Package substrate. 前記熱硬化性樹脂はフィラーを含み、
前記フィラーの主成分は窒化アルミであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一に記載のLEDパッケージ用基板。
The thermosetting resin includes a filler,
4. The LED package substrate according to claim 1, wherein a main component of the filler is aluminum nitride. 5.
複数の発光チップを実装する前のLEDパッケージ用基板の製造方法であって、
前記複数の発光チップを実装するためのリードフレームに複数の孔を形成するステップと、
トランスファモールドにより前記複数の孔に熱硬化性樹脂を充填するステップと、を有することを特徴とするLEDパッケージ用基板の製造方法。
A method for manufacturing an LED package substrate before mounting a plurality of light emitting chips,
Forming a plurality of holes in a lead frame for mounting the plurality of light emitting chips; and
Filling the plurality of holes with a thermosetting resin by transfer molding, and a method of manufacturing an LED package substrate.
LEDパッケージ用基板のモールド金型であって、
発光チップからの光を反射させるリフレクタを形成するための複数の第1キャビティを備え、複数の孔が形成されたリードフレームを上面側から押さえ付ける上金型と、
LEDパッケージの下パッケージを形成するための複数の第2キャビティを備え、前記リードフレームを下面側から押さえ付ける下金型と、を有し、
前記モールド金型は、前記上金型と前記下金型を用いて前記リードフレームをクランプして樹脂モールドすることにより、前記第1キャビティ、前記第2キャビティ、及び、前記リードフレームの前記複数の孔に熱硬化性樹脂が充填されるように構成されていることを特徴とするLEDパッケージ用基板のモールド金型。
A mold mold for an LED package substrate,
An upper mold comprising a plurality of first cavities for forming a reflector for reflecting light from the light emitting chip, and pressing a lead frame formed with a plurality of holes from the upper surface side;
A plurality of second cavities for forming a lower package of the LED package, and a lower mold for pressing the lead frame from the lower surface side,
The mold mold is formed by clamping the lead frame using the upper mold and the lower mold and resin-molding the first cavity, the second cavity, and the plurality of lead frames. A mold mold for a substrate for an LED package, wherein the hole is filled with a thermosetting resin.
LEDパッケージであって、
一対の電極間に順バイアスを印加することにより光を放出する発光チップと、
前記発光チップを実装したリードフレームと、
前記発光チップの前記一対の電極間を絶縁するために、前記リードフレームの孔に充填された熱硬化性樹脂と、
前記発光チップを封止してレンズ部を形成する透光性樹脂と、を有することを特徴とするLEDパッケージ。
An LED package,
A light-emitting chip that emits light by applying a forward bias between a pair of electrodes;
A lead frame on which the light emitting chip is mounted;
In order to insulate between the pair of electrodes of the light emitting chip, a thermosetting resin filled in the hole of the lead frame;
An LED package comprising: a light-transmitting resin that seals the light-emitting chip to form a lens portion.
前記透光性樹脂は、シリコーン樹脂であることを特徴とする請求項7記載のLEDパッケージ。     8. The LED package according to claim 7, wherein the translucent resin is a silicone resin. LEDパッケージの製造方法であって、
リードフレームに複数の孔を形成するステップと、
トランスファモールドにより前記リードフレームの前記複数の孔に熱硬化性樹脂を充填して、LEDパッケージ用基板を形成するステップと、
前記LEDパッケージ用基板に複数の発光チップを実装するステップと、
前記複数の発光チップを透光性樹脂で封止し、前記LEDパッケージのレンズ部を形成するステップと、を有することを特徴とするLEDパッケージの製造方法。
An LED package manufacturing method comprising:
Forming a plurality of holes in the lead frame;
Filling the plurality of holes of the lead frame with a thermosetting resin by transfer molding to form an LED package substrate; and
Mounting a plurality of light emitting chips on the LED package substrate;
Sealing the plurality of light emitting chips with a light-transmitting resin to form a lens portion of the LED package.
前記LEDパッケージの製造方法は、さらに、前記レンズ部が形成された前記LEDパッケージ用基板をダイシングするステップと、を有することを特徴とする請求項9記載のLEDパッケージの製造方法。



The LED package manufacturing method according to claim 9, further comprising a step of dicing the LED package substrate on which the lens portion is formed.



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