JP2009200817A - 恒温型の水晶発振器 - Google Patents

Abstract

【課題】温度変化に対する動作温度の追従性を高め、しかも小型化を促進した恒温型の水晶発振器を提供する。
【解決手段】２個の水晶端子８ａ及びダミー端子８ｂ１、８ｂ２を実装端子として底面に有する容器本体６に水晶片１Ａを収容して金属カバ７ーを接合した表面実装用の水晶振動子１と、前記水晶振動子とともに発振回路を形成する発振用素子２と、前記水晶振動子の動作温度を一定にする温度制御素子３とをセラミックからなる回路基板４に配設し、前記温度制御素子は少なくとも発熱用抵抗と、前記発熱用抵抗に電力を供給するパワートランジスタ３ｃと、前記水晶振動子の動作温度を検出する温度感応抵抗とを備えた恒温型の水晶発振器において、前記発熱用抵抗及び前記温度感応抵抗はいずれも膜抵抗とした発熱用膜抵抗１３ａ及び温度感応膜抵抗１３ｂからなり、前記発熱用膜抵抗は前記水晶振動子の下面となる第２基板４ｂの上面に形成された構成とする。
【選択図】図１

Description

本発明は表面実装用の水晶振動子（以下、表面実装振動子とする）を用いた恒温型の水晶発振器（以下、恒温型発振器とする）を技術分野とし、特に、温度変化に対して応答性に優れた恒温型発振器に関する。

（発明の背景）
恒温型発振器は一般には恒温槽が用いられ、水晶振動子の動作温度を一定に維持することから周波数安定度が高く（周波数偏差が概ね0.05ppm以下）、例えば光通信用とした基地局等の通信設備に使用される。近年では、これらの通信設備でも小型化が浸透し、その一貫として表面実装振動子が適用されつつある。このようなものの一つに本出願人によるものがある（特許文献１）。

（従来技術の一例、特許文献１、２）
第１０図（ａｂｃ）は一従来例を説明する図で、第１０図（ａ）は恒温型発振器の断面図、同図（ｂ）は表面実装振動子の底面図、同図（ｃ）は温度制御回路の図である。

恒温型発振器は表面実装振動子１及び発振回路を形成する発振用素子２と、表面実装振動子１の動作温度を一定にする温度制御素子３とを回路基板４に配設し、これらを金属容器５内に密閉封入してなる。表面実装振動子１はセラミックからなる凹状の容器本体６に水晶片１Ａを固着し、金属カバー７を被せて密閉封入する。

容器本体５における外底面（裏面）の４角部には、実装端子としての水晶端子８ａ及びダミー端子８ｂを有する。水晶端子８ａ（２個）は一組の対角部に設けられ、図示しない水晶片の励振電極に接続する。ダミー端子８ｂ（２個）は他組の対角部に設けられ、通常では、図示しないビアホール等によって金属カバー７に接続し例えばアース端子となる。

温度制御素子３は表面実装振動子１の動作温度を一定にし、少なくとも発熱用チップ抵抗３ａ（例えば２個）、表面実装振動子１Ａの動作温度を検出する温度感応抵抗３ｂ、及びパワートランジスタ３ｃとを有する。温度感応抵抗３ｂは例えば温度上昇とともに抵抗値が低下するサーミスタとする。また、パワートランジスタ３ｃは温度感応抵抗３ｂの温度に基づく抵抗値によって制御された電力を発熱用のチップ抵抗３ａに供給する。

具体的には、例えば第１０図（ｃ）に示したように、オペアンプ１２の一方の入力端には温度感応抵抗３ｂと抵抗Ｒａによる温度感応電圧を、他方の入力端には抵抗Ｒｂ、Ｒｃによる基準電圧を印加する。そして、基準電圧との基準温度差電圧をパワートランジスタ３ｃのベースに印加し、発熱用チップ抵抗３ａへ直流電圧ＤＣから電力を供給する。これにより、温度感応抵抗３ｂの温度に依存した抵抗値によって発熱用チップ抵抗３ａへの電力を制御し、表面実装振動子１の動作温度を一定にする。

回路基板４は第１基板４ａと第２基板４ｂとからなり、第１基板４ａは金属ピン９によって第２基板４ｂを保持する。第１基板４ａはガラスエポキシとして、表面実装振動子１及び発熱用チップ抵抗３ａ、温度感応抵抗３ｂ、パワートランジスタ３ｃを除く回路素子２ｘが下面に配設される。第２基板４ｂはセラミックとして、上面には表面実装振動子１が配設され、下面には温度制御素子３中のパワートランジスタ３ｃを除く発熱用チップ抵抗３ａ及び温度感応抵抗３ｂが配設される。

そして、第１基板４ａと第２基板４ｂとの間には発熱用チップ抵抗３ａと温度感応抵抗３ｂを覆うシリコン系の熱伝導性樹脂１０が塗布される。なお、パワートランジスタ３ｃは背丈が高いため、第２基板４ｂの端部側に配設される。金属容器５は金属ベース５ａとカバー５ｂとからなる。金属ベース５ａの気密端子１１は第１基板４ａを保持し、カバー５は抵抗溶接によって気密封止する。

通常では、金属ベース５ａに金属カバー５ｂを接合する前に、表面実装振動子１の３次曲線となる周波数温度特性を個々に測定する。そして、表面実装振動子１の動作温度とする高温側の極小値の温度が８０℃の場合には、例えば温度制御回路の抵抗Ｒａを調整して表面実装振動子１の動作温度を８０℃に設定する。さらに、発振回路の図示しない調整コンデンサによって発振周波数ｆを公称周波数に一致させる。このことから、抵抗Ｒａ及び調整コンデンサ等の交換を要する調整素子２Ａは、例えば第２基板４ｂの外周上に配設される。

このようなものでは、第２基板４ｂは熱伝導性を良好とするセラミックとして発熱用チップ抵抗３ａを含む温度制御素子３を配設するので、伝熱効率を高める。また、第１基板４ａを熱伝導性に劣るガラスエポキシとするので、放熱を抑制する。したがって、効率のよい恒温構造として小型化を図れる。
特開２００５−３４１１９１号公報 特開２００６−３１１４９６号公報 ２００１―１２７５７９号公報 ２００１−３０８６４０号公報

（従来技術の問題点）
しかしながら、上記構成の恒温型発振器では、温度制御素子としての発熱用チップ抵抗３ａや温度感応抵抗３ｂは、表面実装振動子１の配置される第２基板４ｂの上面とは反対面の下面に配置される。したがって、発熱用チップ抵抗３ａからの熱は、第２基板４ｂ及び表面実装振動子１の底面との間隙を経由して表面実装振動子１に伝熱されて水晶片１Ａに到達する。

そして、温度感応抵抗３ｂは発熱用チップ抵抗３ａの間として近接して並設される。したがって、温度感応抵抗３ｂは、発熱用チップ抵抗３ａの発熱温度が表面実装振動子１よりも先に伝熱され、表面実装振動子１の温度よりも発熱用チップ抵抗３ａによる発熱温度を検出する。このことから、表面実装振動子１は設定された基準の動作温度とは異なり、温度変化時には発熱用チップ抵抗３ａの発熱温度に依存した動作温度となり、温度変化に対する追従性が低下する問題があった。

このことから、特許文献２に示されるように、表面実装振動子１のダミー端子８ｂを温度感応抵抗３ｂに接続する。ダミー端子は例えば温度感応抵抗と抵抗Ｒaとの間に接続し、アース電位には接地せずに電位が浮いている電極となる。これにより、温度感応抵抗は水晶振動子の動作温度をリアルタイムに検出するので、温度変化に対する追従性を良好にする。

しかし、この場合でも、温度感応抵抗がリアルタイムに表面実装振動子の温度を検出しても、前述のように発熱用チップ抵抗からの熱は第２基板及び間隙を経由して表面実装振動子に伝熱される。したがって、表面実装振動子は制御回路の設定する温度に時間的に遅れて到達するので、温度変化に対する追従性が低下する問題があった。

さらに、第２基板の上面に表面実装振動子を下面に温度制御素子を配置した両面実装とするので、表面実装振動子の平面外形を維持した上で高さ寸法を小さくすることが困難な問題があった。

（発明の目的）
本発明は温度変化に対する動作温度の追従性を高め、しかも小型化を促進した恒温型発振器を提供することを目的とする。

（着目点及び発想）
本発明は特許文献１や２に示される膜抵抗に着目し、発熱用チップ抵抗及び温度感応抵抗を発熱用膜抵抗及び温度感応膜抵抗として構成することを発想した。

（解決手段）
本発明は、特許請求の範囲（請求項１）に示したように、実装端子としての２個の水晶端子及びダミー端子を底面に有する容器本体に水晶片を収容して金属カバーを接合した表面実装用の水晶振動子と、前記水晶振動子とともに発振回路を形成する発振用素子と、前記水晶振動子の動作温度を一定にする温度制御素子とをセラミックからなる回路基板に配設し、前記温度制御素子は少なくとも発熱用抵抗と、前記発熱用抵抗に電力を供給するパワートランジスタと、前記水晶振動子の動作温度を検出する温度感応抵抗とを備えた恒温型の水晶発振器において、前記発熱用抵抗及び前記温度感応抵抗はいずれも膜抵抗とした発熱用膜抵抗及び温度感応膜抵抗からなり、前記発熱用膜抵抗は前記水晶振動子の下面となる前記回路基板に形成された構成とする。

このような構成であれば、表面実装振動子の下面となる回路基板上に発熱用膜抵抗を設けるので、表面実装振動子の底面に万遍なく直接的に伝熱する。したがって、平面的に見た温度分布を均一にして伝熱効果を高められる。そして、発熱用膜抵抗とするので、水晶振動子の下面となる回路基板に形成しても高さ寸法を大きくすることなく、従来例よりも高さ寸法を小さくできる。

これに対し、従来例では、発熱用チップ抵抗はディスクリート素子とするので、発熱用チップ抵抗の複数個を配置しても各発熱用チップ抵抗の間には空隙を生じる。したがって、平面的に見た温度分布にはバラツキを生じて伝熱効率を低下させる。そして、発熱用チップ抵抗を水晶振動子の下面に設ける場合には、水晶振動子とは反対面に設けるので、高さ寸法を大きくする。

（実施態様項）
本発明の請求項２では、請求項１において、前記温度感応膜抵抗は前記ダミー端子に接近して形成されるとともに前記ダミー端子と配線路によって接続する。これによれば、温度感応膜抵抗膜を水晶振動子のダミー端子に接続するので、水晶振動子の動作温度を直接的に検出する。したがって、表面実装振動子に対する伝熱及び動作温度の検出をいずれも直接的にするので、温度変化に対する追従性を高められる。

同請求項３では、請求項１において、前記温度感応膜抵抗は前記ダミー端子に接近して形成されるとともに前記ダミー端子と配線路によって接続し、前記ダミー端子は前記水晶振動子の金属カバーと電気的に接続する。これにより、温度感応膜は水晶振動子の内部温度に依存した金属カバーの温度を検出するので、水晶振動子の内部温度をさらに直接的に検出できる。

同請求項４では、請求項１において、前記発熱用膜抵抗は、前記セラミックからなる回路基板の表面又は回路基板内に埋設される。これにより、本発明の構成をさらに明確にする。

同請求項５では、請求項１において、前記温度感応膜抵抗は前記水晶振動子の下面となる前記回路基板に形成される。これにより、温度感応膜抵抗を水晶振動子の下面に設けても高さ寸法を小さくできる。

（第１実施形態）
第１図は本発明の第１実施形態を説明する図で、同図（ａ）は恒温型発振器の断面図、同図（ｂ）は第２基板の平面図である。なお、前従来例と同一部分の説明は簡略又は省略する。

恒温型発振器は、前述したように、ガラスエポキシからなる第１基板４ａとセラミックからなる第２基板４ｂとを２段構造として金属容器５に収容する。第１基板４ａは金属ベース５ａの気密端子１１に保持され、第２基板４ｂは第１基板４ａの金属ピン９によって保持される。第１基板４ａは下面側に発振用素子２を主として搭載し、第２基板４ｂは上面側に表面実装振動子１及び温度制御素子３を搭載する。但し、第２基板４ｂは上面側に図示されない前述した調整素子が搭載され、これ以降の実施形態でも同様である。

そして、本発明では、温度制御子３における従来例での発熱用チップ抵抗３ａ及び温度感応抵抗３ｂは、いずれも膜抵抗からなる発熱用膜抵抗１３ａ及び温度感応膜抵抗１３ｂとする。発熱用膜抵抗１３ａ及び温度感応膜抵抗１３ｂはいずれも第２基板４ｂの上面に形成され、例えばセラミック生地に印刷されて焼成される。

発熱用膜抵抗１３ａは表面実装振動子１の底面下となる第２基板４ｂの上面に形成される。例えば表面実装振動子１の実装端子８（水晶端子８ａ、ダミー端子８ｂ）が接続する回路端子８′（８ａ′、８ｂ′）間を含む中央領域に形成され、十字状とする。発熱用膜抵抗１３ｂの両端側（図の上下）は電源ＤＣとパワートランジスタＴｒに接続した金属ピン９（ａｂ）に接続する。

温度感応膜抵抗１３ａは表面実装振動子１の例えば搭載領域外として、他組の対角部とした一方のダミー端子８ｂ1（回路端子８ｂ1′）に接近して形成される。温度感応膜抵抗１３ａの一端側は電源ＤＣに接続する金属ピン９ｃに接続し、他端側が一方のダミー端子８ｂ1に接続する。

そして、第２図の結線図に示したように、一方のダミー端子８ｂ1は表面実装振動子１の容器本体６内で結線されて他方のダミー端子８ｂ2に接続する。また、ダミー端子８ｂ1、８ｂ2はいずれも金属カバー７にビアホール等によって接続する。これにより、ダミ端子８ｂ1、８ｂ2ともに電位が浮いている電極となる。

なお、一方の対角部の水晶端子８ａは金属ピン９（ｅｆ）に接続し、図示しない発振用増幅器の入出力端に接続する。これにより、第２基板４ｂの金属ピン９（ａ〜ｆ）は計６本となる。また、発熱用膜抵抗１３ａ及び温度感応膜抵抗１３ｂは図示しない切り込みが設けられて各抵抗値が調整される。

このような構成であれば、発熱用膜抵抗１３ａは十字状として表面実装振動子１の底面に全面的に伝熱するので、表面実装振動子１は温度制御回路に基づいた動作温度にリアルタイムに応答する。なお、発熱用膜抵抗１３ａと表面実装振動子１の底面との間隙は概ね半田の厚み分となるが、半田厚みは概ね１００μｍ程度なので、発熱用膜抵抗１３ａは表面実装振動子１の底面に近接してほぼ直接に伝熱する。但し、例えば接着剤を塗布して密着させることもできる。

この場合、従来例では、発熱用チップ抵抗３ａの複数個を配置したとしてもディスクリート素子とするので、各発熱用チップ抵抗３ａとの間には空隙を生じる。したがって、平面的に見た温度分布にはバラツキを生じて伝熱効率を低下する。これに対し、本実施形態では、発熱用膜抵抗１３ａとするので、温度分布を均一にして伝熱効果を高められる。

そして、温度感応膜抵抗１３ｂは表面実装振動子１のダミー端子８ｂに接続し、さらに金属カバー７に熱的に結合する。したがって、表面実装振動子１の内部温度を金属カバー７及びダミー端子を８ｂ経て直接的（リアルタイム）に検出できる。したがって、発熱用膜抵抗１３ａに対する表面実装振動子１の動作温度及び温度感応膜抵抗１３ｂの検出温度はいずれもリアルタイムに応答するので、温度変化に対する追従性を高める。

これらにより、表面実装振動子１は例えば３字曲線となる周波数温度特性の極値温度（例えば８０℃）の一定温度で動作するので、恒温型発振器の周波数安定度を高精度に維持できる。また、発熱用膜抵抗１３ａ及び温度感応膜抵抗１３ｂとするので、恒温型発振器の高さ寸法を小さくできる。

なお、第１実施形態では、第１基板４ａの下面側に発振用素子２を主とした回路素子を配置したが、これとは逆に、例えば第３図に示したように、第１基板の上面側に配置することもできる。この場合、熱伝導性の良好なセラミックとした第２基板４ｂに回路素子２ｘが対向するので、第２基板４ｂから回路素子２ｘに直接的に放熱される。そして、第２基板４ｂからの放熱は、ガラスエポキシとした第１基板４ａによって遮断される。したがって、回路素子２ｘの保温効果も高まり、特に、温度依存性の高い回路素子２ｘの特性を一定に維持できる。

（第２実施形態）
第４図は本発明の第２実施形態を説明する恒温型発振器の断面図である。なお、これ以降の実施形態では前実施形態と同一部分の説明は省略又は簡略する。

第２実施形態では、発熱用膜抵抗１３ａ及び温度感応膜抵抗１３ｂを上面に設けたセラミックからなる第２基板４ｂを、回路素子２ｘを下面に配置した第１基板４ａ上に積層する。第１基板４ａの上面と第２基板４ｂの下面には、発振回路及び温度制御回路を形成する図示しない配線路がスルーホールや端面を経て形成され、第１基板４ａと第２基板４ｂとの配線路が半田によって接合される。

この場合、第１基板４ａ上に直接的に積層するので、第１実施形態での金属ピン９を排除することから、恒温型発振器の高さ寸法を小さくできる。そして、熱伝導が良好なセラミックからなる第２基板４ｂを熱伝導に劣るガラスエポキシからなる第１基板４ａに積層する。したがって、第２基板４ｂの下面からの放熱が遮断されて、発熱用膜抵抗１３ａからの表面実装振動子１に対する放熱（伝熱）効果が高まる。

（第３実施形態）
第５図は本発明の第３実施形態を説明する恒温型発振器の断面図である。第３実施形態では、第１基板４ａ及び第２基板４ｂに代えて、セラミックからなる単一の回路基板４とする。そして、回路基板４は金属ベース５ａの気密端子１１に保持される。この場合でも、回路基板４の上面には、表面実装振動子１と発熱用膜抵抗１３ａ及び温度感応膜抵抗１３ｂを含む温度制御素子３が配置され、下面に発振用素子２を主として配置される。これにより、単一の回路基板４のみを金属容器５に収容するので、恒温型発振器の高さ寸法をさらに小さくできる。

（第４、第５及び第６実施形態）
第６図（ａｂｃ）は本発明の第４、第５及び第６実施形態を説明する恒温型発振器の断面図である。

第４、第５及び第６実施形態では、いずれの場合も、金属ベース５ａに代えて、ガラスエポキシからなる絶縁ベース１４として表面実装用とする。絶縁ベース１４は積層面にシールド用の金属膜１５を有し、外底面には実装端子１６を有する。そして、絶縁ベース１４の内底面上には金属ピン９によって回路基板４が保持される。回路基板４は表面実装振動子１及び発熱用膜抵抗１３ａ及び温度感応膜抵抗１３ｂ等の温度制御素子３を下面に有する。

そして、第４実施形態「第６図（ａ）」では、表面実装振動子１の下面を含む絶縁ベース１４の内底面には発振用素子２を主とした回路素子が配置され、回路基板４の上面には調整用素子２Ａが配置される。また、第５実施形態「第６図（ｂ）」では、表面実装振動子１の下面を除く絶縁ベース１４の外周領域に回路素子が配置され、回路基板４の上面には調整用素子２Ａを含む回路素子２ｘが配置される。さらに、第６実施形態「第６図（ｃ）」では、金属ピン９を排除して、絶縁ベース１４に積層構造からなる凹所を設けて表面実装振動子１等を凹所内に配置する。

このような構成であれば、発熱用抵抗膜１３ａ及び温度感応膜抵抗１３ｂによって前実施形態と同様に温度変化に対する追従性を良好し、周波数安定度を高精度に維持する。そして、金属ベース５ａに代えて絶縁ベース１４として回路素子２ｘを配置するので、いずれの場合も高さ寸法を小さくできる。特に、第５及び第６実施形態では表面実装振動子１の下面には回路素子を配置しないので、さらに小さくできる。そして、第６実施形態では金属ピン９を使用しないので、部品点数を減らして簡素化できる。

（第７及び第８実施形態）
第７図（ａｂ）は本発明の第７及び第８実施形態を説明する恒温型発振器の断面図である。第７及び第８実施形態では、いずれの場合でも、第１実施形態（第１図）での第１基板４ａをガラスエポキシからセラミックとして、第１基板４ａの上面側に発熱用膜抵抗１３ａを設ける。

そして、第７実施形態「第７図（ａ）」では、前第１実施形態と同様に、第２基板４ｂに発熱用膜抵抗１３ａを設ける。これにより、表面実装振動子１の底面からの伝熱のみならず、第１基板４ａに設けた発熱用膜抵抗１３ａによって金属カバー７側からも伝熱するので、特に温度上昇時の追従性を良好にする。なお、金属カバー７はセラミックよりも伝熱性に優れるので、金属カバー７側からの伝熱効果が大きい。

また、第８実施形態では「第７図（ｂ）」では、第２基板４ｂの発熱用膜抵抗１３ａに代えて温度感応膜抵抗１３ｂを表面実装振動子１の下面となる第２基板４ｂの表面に形成する。これによれば、発熱用膜抵抗１３ａと温度感応膜抵抗１３ｂとは表面実装振動子１の両主面側に配置される。

したがって、温度感応膜抵抗１３ｂは、発熱用膜抵抗１３ａの発熱温度の影響を受けずに、表面実装振動子１の動作温度を独立的に検出できる。これにより、表面実装振動子１の動作温度と温度感応膜抵抗１３ｂによる検出温度とが一致することから、設計及び調整を容易にできる。なお、第１基板４ａに温度感応膜抵抗１３ｂを設けて、第２基板４ｂに発熱用膜抵抗１３ａを設けても良い。

（他の事項）
上記実施形態例えば第１実施形態では発熱用膜抵抗１３ａ及び温度感応膜抵抗１３ｂは第２基板４ｂの表面に設けたが、例えば第８図に示したように、第２基板４ｂを積層基板として基板内に埋設してもよい。これは、発熱用膜抵抗１３ａ及び温度感応膜抵抗１３ｂを第１基板４ａに形成する場合でも同様である。

また、発熱用膜抵抗１３ａは十字状として温度感応膜抵抗１３ｂは表面実装振動子１の領域外となる第２基板４ｂ上に形成したが、例えば第９図に示したように、発熱用膜抵抗１３ａは凸状として温度感応膜抵抗１３ｂは表面実装振動子１の実装端子８の間として表面実装振動子１の下面に設けることもできる。この場合、発熱用膜抵抗１３ａ及び温度感応膜抵抗１３ｂのいずれをも表面実装振動子の下面とするので、第２基板４ｂの平面外形を小さくできる。

本発明の第１実施形態を説明する図で、同図（ａ）は恒温型発振器の断面図、同図（ｂ）は第２基板の平面図である。 本発明の第１実施形態を説明する温度感応膜抵抗とダミー端子との結線図である。 本発明の第１実施形態の他の例を説明する恒温型発振器の断面図である。 本発明の第２実施形態を説明する恒温型発振器の断面図である。 本発明の第３実施形態を説明する恒温型発振器の断面図である。 本発明の第４〜第６実施形態を説明する図で、同図（ａ）は第４実施形態を、同図（ｂ）は第５実施形態を、同図（ｃ）は第６実施形態を示す恒温型発振器の断面図である。 本発明の第７及び第８実施形態を説明する図で、同図（ａ）は第７実施形態を、同図（ｂ）は第８実施形態を示す恒温型発振器の断面図である。 本発明のさらに他の実施形態を説明する恒温型発振器の断面図である。 本発明のまたさらに他の実施形態を説明する第２基板の平面図である。 一従来例を説明する図で、第１０図（ａ）は恒温型発振器の断面図、同図（ａｂ）は表面実装振動子の底面図、同図（ｃ）は温度制御回路の図である。

符号の説明

１ 表面実装振動子、２ 回路素子、３ 温度制御素子、４ 回路基板、５ 金属容器、６ 容器本体、７ 金属カバー、８ 実装端子、９ 金属ピン、１０ 熱伝導性樹脂、１１ 気密端子、１２ オペアンプ、１３ａ 発熱用膜抵抗、１３ｂ 温度感応膜抵抗。

Claims (5)

1. 実装端子としての２個の水晶端子及びダミー端子を底面に有する容器本体に水晶片を収容して金属カバーを接合した表面実装用の水晶振動子と、前記水晶振動子とともに発振回路を形成する発振用素子と、前記水晶振動子の動作温度を一定にする温度制御素子とをセラミックからなる回路基板に配設し、
   前記温度制御素子は少なくとも発熱用抵抗と、前記発熱用抵抗に電力を供給するパワートランジスタと、前記水晶振動子の動作温度を検出する温度感応抵抗とを備えた恒温型の水晶発振器において、
   前記発熱用抵抗及び前記温度感応抵抗はいずれも膜抵抗とした発熱用膜抵抗及び温度感応膜抵抗からなり、前記発熱用膜抵抗は前記水晶振動子の下面となる前記回路基板に形成されたことを特徴とする恒温型の水晶発振器。
2. 請求項１において、前記温度感応膜抵抗は前記ダミー端子に接近して形成されるとともに前記ダミー端子と配線路によって接続した恒温型の水晶発振器。
3. 請求項１において、前記温度感応膜抵抗は前記ダミー端子に接近して形成されるとともに前記ダミー端子と配線路によって接続し、前記ダミー端子は前記水晶振動子の金属カバーと電気的に接続した恒温型の水晶発振器。
4. 請求項１において、前記発熱用膜抵抗は、前記回路基板の表面又は回路基板内に埋設された恒温型の水晶発振器。
5. 請求項１において、前記温度感応膜抵抗は前記水晶振動子の下面となる前記回路基板に形成された恒温型の水晶発振器。