JP2009200400A - 部品内蔵基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、製造歩留まりを向上させることが可能な配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上面に端子部12を有する電子部品を内蔵した基板を準備する工程と、端子部12の直上に位置する基板の一部に対し減圧雰囲気中にてレーザー光を照射し、該基板の一部を取り除いて端子部12を露出する工程と、端子部12上に導電部材を形成する工程と、を備えたことを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
【選択図】図2
【解決手段】上面に端子部12を有する電子部品を内蔵した基板を準備する工程と、端子部12の直上に位置する基板の一部に対し減圧雰囲気中にてレーザー光を照射し、該基板の一部を取り除いて端子部12を露出する工程と、端子部12上に導電部材を形成する工程と、を備えたことを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
【選択図】図2
Description
本発明は、各種オーディオビジュアル機器や家電機器、通信機器、コンピュータ機器又はその周辺機器などの電子機器に使用される部品内蔵基板の製造方法に関するものである。
従来より、IC(Integrated Circuit)又はLSI(Large Scale Integration)等の半導体素子を実装することが可能な配線基板が知られている。
近年では、電子機器の小型化を目的として、基体内部に半導体素子を内蔵した部品内蔵基板が開発されている(下記特許文献1,2参照)。
なお、特許文献1,2に記載の技術では、レーザーを照射して、基体内部に内蔵した半導体素子の端子部上の樹脂を除去して、露出した端子部に導電部材を接続させている。
特開平4−233266号公報
特開2007−281116号公報
しかしながら、上述した特許文献1に記載の技術では、レーザーの出力を大きくすると、レーザーの熱によって半導体素子が破壊することがある。また、レーザーの出力を小さくすると、半導体素子の端子部上に形成された樹脂を取り除くことができずに、導電部材と端子部との間にて接続不良が発生することがある。これらの結果により、製造歩留まりが低下してしまう。
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、製造歩留まりを向上させることが可能な配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するため、本発明の部品内蔵基板の製造方法は、上面に端子部を有する電子部品を内蔵した基板を準備する工程と、前記端子部の直上に位置する基板の一部に対し減圧雰囲気中にてレーザー光を照射し、該基板の一部を取り除いて前記端子部を露出する工程と、前記端子部上に導電部材を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
また、本発明の部品内蔵基板の製造方法において、前記レーザー光はfθレンズを通過して、前記基板の上面に対して垂直に入射して、前記端子部の直上に位置する前記基板の一部を取り除くことを特徴とする。
また、本発明の部品内蔵基板の製造方法において、前記減圧雰囲気とは、0.8×105Pa以下の気圧であることを特徴とする。
また、本発明の部品内蔵基板の製造方法において、前記端子部の直上に位置する前記基板の一部に照射するレーザー光は、0.2μJ以上300μJ以下の出力であることを特徴とする。
また、本発明の部品内蔵基板の製造方法において、前記電子部品は、前記基板に設けられたキャビティ内に載置されているとともに、前記電子部品を被覆するように前記電子部品上に樹脂が形成されており、該樹脂の一部は、前記電子部品の端面と前記キャビティの側壁との間の空隙に充填されていることを特徴とする。
本発明は、製造歩留まりを向上させることが可能な部品内蔵基板の製造方法を提供することができる。
以下に、本発明の実施形態に係る部品内蔵基板を図面に基づいて詳細に説明する。図1は、部品内蔵基板の平面図であって、図2は、部品内蔵基板の断面図である。
部品内蔵基板1は、電子部品を内蔵した基板としての配線基板2と、配線基板2に半田等のバンプ3を介してフリップチップ実装された、IC又はLSI等の実装素子4と、を含んで構成されている。
また、配線基板2は、コア基板5と、コア基板5の一主面及び他主面に交互に積層される導電層6と、絶縁層7と、を含んで構成されている。かかるコア基板5は、例えばガラス繊維、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂等を縦横に織り込んだ基材に、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させたシートを積層して固化することによって作製される。
また、コア基板5は基材を用いずに低熱膨張樹脂から作製することもできる。低熱膨張樹脂としては、例えばポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂又は液晶ポリマー樹脂等を用いることができる。なかでもポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を使用することが望ましい。ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂は、熱膨張率が−5ppm/℃以上5ppm/℃以下と小さい。このような低熱膨張樹脂を使用することによって、コア基板5自体の熱膨張を抑制することができる。その結果、実装素子4の熱膨張に近づけることができ、実装素子4が破壊されるのを効果的に防止することができる。なお、熱膨張率は、JISK7197に準ずる。
コア基板5には、上下方向に貫通するスルーホールSと、スルーホールSの内壁面に沿って形成されるスルーホール導体8と、スルーホール導体8によって囲まれる領域に充填される絶縁体9が形成されている。スルーホール導体8は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料から成る。また、絶縁体9は、スルーホールSによって囲まれる残存空間を埋めるためのものである。絶縁体9は、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等から成る。絶縁体9がスルーホールSによって囲まれる残存空間を埋めることによって、絶縁体9の直上直下に後述するビア導体10を形成することができ、スルーホール導体8から導電層6まで引き回す配線の距離を短くすることができ、配線基板2の小型化を実現することができる。また、配線の距離を短くすることによって、配線抵抗を小さくすることができ、消費電力を低減することができる。
以下に、導電層6及び絶縁層7について説明する。導電層6は、所定の電気信号を伝達する機能を備えたライン状の信号線路6aと、実装素子4を共通の電位、例えばアース電位にする機能を備えた平板状のグランド層6bとを含んでいる。また、信号線路6aは、グランド層6bに対して、絶縁層7を介して対向するように配置されている。また、導電層6は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料からなる。
絶縁層7は、接着層7aとフィルム層7bとを交互に複数積層して構成されている。接着層7aは、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂等が使用される。かかる熱硬化性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂のうち少なくともいずれか一つを使用することができる。熱可塑性樹脂としては、半田リフロー時の加熱に耐える耐熱性を有する必要があることから、構成する材料の軟化温度が200℃以上であることが望ましく、例えば、液晶ポリマー等を使用することができる。なお、接着層7aの熱膨張率は、例えば15ppm/℃以上80ppm/℃以下である。また、接着層7aは、乾燥後の厚みが例えば1μm以上15μm以下となるように設定されている。
また、接着層7aには、多数のフィラーが含有されていても構わない。接着層7aにフィラーが含有されていることによって、接着層7aの硬化前の粘度を調整することができ、接着層7aの厚み寸法を所望の値に近づけて接着層7aを形成することができる。フィラーは球状であって、フィラーの径は例えば0.05μm以上6μm以下に設定されており、フィラーの熱膨張率は例えば−5ppm/℃以上5ppm/℃以下である。なお、フィラーは、例えば酸化珪素(シリカ)、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は水酸化アルミニウム等から成る。
フィルム層7bは、導電層6に対して、接着層7aとなる接着材を介して貼り合わされており、例えば加熱プレス装置を用いて加熱しながら加圧した後、冷却することによって導電層5上に積層される。
フィルム層7bは、配線基板2の平坦性を確保するために精密に厚さが制御されている。また、フィルム層7bは、弾性変形可能であって、耐熱性と硬さに優れた特性の材料であることが望ましい。この様な特性を有するフィルム層7bとしては、例えば、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂又は液晶ポリマー樹脂等、あるいはこれらの樹脂の混合物を用いることができる。なお、液晶ポリマーとは、溶融時に液晶状態あるいは光学的に複屈折する性質を有するポリマーを指し、一般に溶液状態で液晶性を示すリオトロピック液晶ポリマーや溶融時に液晶性を示すサーモトロピック液晶ポリマー、あるいは熱変形温度で分類される1型・2型・3型すべての液晶ポリマーを含むものである。
なかでもポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を含有する樹脂、あるいはポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を含有する樹脂フィルムを使用することが望ましい。ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂は、熱膨張率が−5ppm/℃以上5ppm/℃以下と小さい。このような低熱膨張樹脂を使用することによって、実装素子4を実装する基板自体の熱膨張を抑制することができる。その結果、実装素子4の熱膨張率に近づけることができ、実装素子4が破壊されるのを効果的に防止することができる。なお、熱膨張率は、JISK7197に準ずる。
また、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を含有する樹脂、あるいはポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を含有する樹脂フィルムは、ポリイミドフイルムに比較して吸水率が低いため、積層した場合でも内部の層に水分が蓄積されにくいため、大気中に長期間保存された状態であっても、水分を除去する処理を行う必要がなく、製造工程を単純化することができる。
また、フィルム層7bの厚みは、例えば2μm以上20μm以下となるように設定されており、接着層7aとの厚みの差が7μm以下となるように形成されている。ここで、フィルム層7bと接着層7aとの厚みの差は、接着層7aが乾燥した後の両者の厚みの差とする。なお、フィルム層7bの厚みは、接着層7aの厚みよりも大きくなるように設定されている。
図2に示すように、絶縁層7には、貫通孔Pが形成されており、貫通孔Pに上部から下部に向けて幅広となるビア導体10が埋設されている。ビア導体10は、上下位置の異なる導電層6同士を電気的に接続することができる。ビア導体10同士を直上直下に配置することによって、引き回す配線の距離を短くすることができ、配線基板2の小型化を実現することができる。また、配線の距離を短くすることによって、配線抵抗を小さく抑えることができ、消費電力の低減に寄与することができる。なお、ビア導体10は、例えば、銅、銀、金、白金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料から成る。
ビア導体10には、接着層7aから突出したフィラーの一部が埋入している。すなわちフィラーの一部が貫通孔Pの内壁面から突出しており、接着層7aとビア導体10の接する面が凹凸状に形成されている。また、ビア導体10の一部が、フィラーの一部を被覆するように形成されることによって、フィラーとビア導体10との接触面積を大きくし、両者の接着力を強くすることができ、ビア導体10と接着層7aとの剥離を抑制することができる。すなわち、貫通孔Pの内壁面に対するフィラーの一部によるアンカー効果によって、貫通孔Pの内壁面からビア導体10が剥離するのを抑制することができる。
また、絶縁層7のうち、少なくとも1層には、キャビティとしての凹部Hが形成されている。凹部Hは、電子部品としての半導体素子11を収容することができる大きさである。本実施形態においては、凹部Hは、半導体素子11の形状に対応するように矩形状に形成されている。なお、凹部Hは、上述のような形状に限定されず、半導体素子11を収容できるのであれば、多角形状等であっても構わない。
また、凹部Hの側壁と半導体素子11の端面との間には、空隙gが設けられている。かかる空隙gは、平面視して凹部Hに収容した半導体素子11の周囲の少なくとも一部に形成されている。なお、空隙gには、接着層7aの一部が充填されている。
また、平面視して、空隙gにおける半導体素子11の端面から凹部Hの側壁までの垂直線の距離は、50μmから0.5mmに設定されていることが好ましい。距離を50μm以上とすることで、空隙gに溶融した接着剤を容易に流入させることができる。また、距離を0.5mm以下とすることで、半導体素子11が凹部H内で大きく位置ずれすることがなく、半導体素子11を凹部H内で所望する領域に配置することができる。これにより、半導体素子11と導電層7とを適切に電気接続することができ、半導体素子11を正常に作動させることができる。
また、半導体素子11の上面には、端子部12が形成されている。端子部12は、電源及び信号の入出力部としての機能、並びに半導体素子11を機械的に保持する機能を有している。端子部12は、その直上に位置するビア導体10の下端と電気的に接続されている。なお、端子部12は、例えばアルミニウム、金、銀、白金、ニッケル、クロム又は銅等の導電性金属から成る。
また、凹部Hは、平面視して実装素子4と重なる箇所に形成される。半導体素子11と実装素子4との距離を短くし、半導体素子11と実装素子4に形成されるパッドの位置を、両者を接続する配線の距離が短くなるように、対応させて形成することで、配線の引き回しが長くなるのを抑制することができ、配線レイアウトを単純化することができる。
また、空隙gには、接着層8aの一部が充填されているため、半導体素子11の端面を凹部Hの側壁に固着させることができ、半導体素子11とその端面に位置する層との接着力を向上させることができる。その結果、半導体素子11が配線基板2内にて位置ずれしにくくすることができ、半導体素子11が位置ずれによって電気的に誤作動を起こすのを抑制することができる。この結果、半導体素子11を正常に作動させることができ、部品内蔵基板1の信頼性を向上させることができる。
なお、半導体素子11には、絶縁層7の熱膨張率と近似する材料が使用され、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等を用いることができる。なお、半導体素子11の厚み寸法は、例えば0.1mmから1mmのものを使用することができる。
また、配線基板2に実装する実装素子4は、半導体素子11と同様に、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等を用いることができる。
次に、上述した部品内蔵基板1の製造方法について、図3から図13を用いて説明する。
まず、上面に端子部12を有する半導体素子11を内蔵した基板を準備する。図3(A)に示すように、基材に熱硬化性樹脂を含浸させたシートを複数枚準備し、それらのシートを積層した積層構造体を熱プレスして固化させてコア基板5を作製することができる。なお、コア基板5の厚みは、例えば0.3mm以上1.5mm以下に設定されている。
次に、図3(B)に示すように、コア基板5に対して、従来周知のドリル加工等によって、上下方向に貫通するスルーホールSを形成する。スルーホールSは、複数形成され、直径が例えば0.1mmから1mmに設定されている。そして、図3(C)に示すように、無電界めっき等により、コア基板5の表面にメッキ6wを被着させ、スルーホールSの内周面にスルーホール導体8を形成する。なお、メッキ6wは、後述するように、パターニングすることによって、グランド層6bとなる。
そして、図4(A)に示すように、スルーホール導体8によって囲まれる領域に、例えば印刷法を用いて、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂を充填し絶縁体9を形成する。さらに、図4(B)に示すように、絶縁体9の直上及び直下を被覆するように、従来周知の蒸着法、CVD法又はスパッタリング法等によって、導電層を構成する材料を被着させる。そして、図4(C)に示すように、その表面にレジストを塗布し、露光現像を行った後、メッキ6wをエッチング処理してコア基板5の上面及び下面にグランド層6bを形成する。
さらに、図5(A)に示すように、グランド層6b上に、ポリイミド樹脂等を介してフィルム層7bを貼り合わせる。そして、例えば加熱プレス機を用いて、加熱・加圧することで、フィルム層7bをコア基板5に固着する。なお、フィルム層7bに接着させた樹脂は、硬化後に接着層7aとなる。このようにして、接着層7aとフィルム層7bとから成る絶縁層7を形成することができる。
そして、図5(B)に示すように、絶縁層7に、例えばYAGレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置を用いて、貫通孔Pを形成する。貫通孔Pは、絶縁層7の一主面に対して垂直方向から、絶縁層7の一主面に向けてレーザー光が照射されることによって形成される。レーザー光が照射されることによって、貫通孔Pの内壁面から接着層6aに含有されているフィラーの一部が露出する。接着層6aには、レーザー光が照射されることによって、貫通孔Pからフィラーが露出するように、フィラーの含有量が調整されている。なお、貫通孔Pは、レーザーの出力を調整することによって、上部よりも下部が幅狭な逆テーパー状に形成することができる。
さらに、図5(C)に示すように、貫通孔Pに、従来周知のめっき処理を施し、導電材料を充填することによってビア導体10を形成する。そして、貫通孔Pから露出したフィラーの一部をビア導体10に埋入することができる。また、ビア導体10を形成するとともに、絶縁層7上にメッキ6xを形成することができる。
そして、その表面にレジストを塗布し、露光現像を行った後、図6(A)に示すように、メッキ6xをエッチング処理して信号線路6aを形成する。信号線路6aは、絶縁層7を介してグランド層6bと対向する箇所に形成される。
次に、図6(B)に示すように、信号線路6a上に、ポリイミド樹脂等を介してフィルム層7bを貼り合わせる。そして、例えば加熱プレス機を用いて、加熱・加圧することで、フィルム層7bを下層の絶縁層7に固着する。そして、図6(C)に示すように、絶縁層7に、例えばYAGレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置を用いて、貫通孔Pを形成する。貫通孔Pは、絶縁層7の一主面に対して垂直方向から、絶縁層7の一主面に向けてレーザー光が照射されることによって形成される。なお、後述するように、凹部Hを形成する箇所には、貫通孔Pを形成しないようにする。
さらに、図7(A)に示すように、貫通孔Pに、従来周知のめっき処理を施し、導電材料を充填することによってビア導体10を形成する。また、ビア導体10を形成するとともに、絶縁層7上にメッキ6yを形成することができる。そして、メッキ6yの表面にレジストを塗布し、露光現像を行った後、図7(B)に示すように、メッキ6yをエッチング処理してグランド層6bを形成する。なお、後述するように、凹部Hが形成される箇所Hxの直上に位置するメッキ6yの一部は、凹部Hを形成しやすいようにエッチングしておく。
次に、図7(C)に示すように、凹部Hを形成する箇所に対応する絶縁層7の一部Hxに対して、エンドミル等の機械加工又はレーザー加工を用いて、絶縁層7の一部Hxを除去し、凹部Hを形成する。
そして、図8(A)に示すように、凹部Hに、端子部12を有する半導体素子11を設ける。凹部Hに載置された半導体素子11は、その上面に端子部12が位置するように凹部Hに設けられる。なお、半導体素子11の端面と凹部Hの側壁との間には、空隙gが設けられている。
さらに、図8(B)に示すように、半導体素子11上に、ポリイミド樹脂等を介してフィルム層7bを貼り合わせる。なお、ポリイミド樹脂等は、空隙gに進入して、空隙gに充填される。そして、例えば加熱プレス機を用いて、加熱・加圧することで、フィルム層7bを下層の絶縁層7に固着する。このようにして、上面に端子部12を有する半導体素子11を内蔵した基板を準備することができる。
次に、準備した基板を減圧雰囲気中に設ける。ここで、基板を減圧雰囲気中に設けることが可能な減圧容器は、レーザー装置Lとしてのレーザー光発振機構、レーザー光調質機構及びレーザー光照射位置調整機構を備えている。
レーザー光発振機構は、炭酸ガス等のガス又はYAGなどの固体を発振源として、レーザー光を発振する機構を有している。また、レーザー光調質機構は、発振したレーザー光のエネルギー分布を調整し、レーザー光を細く絞り、レーザー光の波長を変換する機構を有している。また、レーザー光照射位置地要請機構は、ガルバノミラー等により、レーザー光の方向を任意に変更し、所定の位置に照射する機構を有している。
減圧容器は、レーザー光を容器内に導入する窓としてfθレンズが取り付けられている。fθレンズの内側には、配線基板等の被照射物から、レーザー光で飛散した材料がfθレンズに付着することを防止する機構を有する。この機構は透明な樹脂フィルムでfθレンズをカバーし、定期的にフィルムを巻き取って新規なフィルムを出すなどの機構が備えられている。また、減圧容器内には、配線基板等の被照射物を移動するためのXYテーブルが備えられている。XYテーブルは、配線基板等の被照射物の所定の部分にレーザー光を照射するため、ガルバノミラーと同期して移動する。
具体的には、減圧容器内に基板を配置する。そして、その容器内の圧力を0.8×105Pa以下に設定し、基板を減圧雰囲気中に設ける。なお、容器内の圧力は、0.5×105Pa程度で加工の効果が顕著になり、圧力が低い程、加工の効果が認められるが、1×102Pa以下では、XYテーブル等の可動部の損傷が発生しやすくなる傾向にある。そのため、容器内の圧力は、0.5×104Pa以上0.5×105Pa以下が適している。
そして、図9に示すように、減圧雰囲気の状態を維持したまま、端子部12の直上に位置する絶縁層7の一部Pxに対してレーザー装置Lからレーザー光を照射し、絶縁層7の一部Pxを取り除いて端子部12を露出させる。レーザー光は、ガルバノミラーMに反射させて、fθレンズを介して、基板上に照射される。ガルバノミラーMは、レーザー光を位置精度良く、基板上に照射させるための機能を有している。ガルバノミラーMの反射面は、ステップモーター等の駆動機構によって、レーザー光の反射角度を微調整することができる。また、fθレンズは、ガルバノミラーMによって反射されたレーザー光を、基板の表面に対して垂直に入射させる機能を有している。fθレンズを介してレーザー光を基板に照射することによって、図10に示すように、貫通孔Psを垂直に形成することができる。
また、レーザー光の出力は、1パルスあたり0.01μJ以上300μJ以下に設定されている。さらに、レーザー光の出力は、1パルスあたり100μJ以下であって、0.2μJ以上10μJ以下であることが好ましい。
また、1秒間に照射されるレーザー光の1パルスあたりの出力を集積して得られるレーザー光の集積出力は、50W以下であって、0.1W以上10W以下が好ましい。このように、レーザー光の出力を、半導体素子11を破壊しないような小さい値にすることができる。また、減圧雰囲気中であるため、レーザー光の出力が小さくても、絶縁層7の一部を十分に除去することができ、端子部12を露出させて貫通孔Pを形成することができる。
そして、図11に示すように、半導体素子11の別の端子部12を露出させるために、ガルバノミラーMの角度を微調整して、レーザー装置Lからレーザー光を照射する。その結果、絶縁層7の一部を除去して、半導体素子11の別の端子部12を露出させることができる。その結果、過マンガン酸等の薬品で残存する樹脂を溶解除去する工程が削減でき、これらの薬品によって半導体素子の端子が汚染されることを防止できる。
次に、減圧容器から基板を取り出す。そして、図12(A)に示すように、例えばYAGレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置を用いて、絶縁層7に貫通孔Pを形成する。貫通孔Pは、絶縁層7の一主面に対して垂直方向から、絶縁層7の一主面に向けてレーザー光が照射されることによって形成される。このように、半導体素子11のない部分は、YAGレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置など公知の装置を用いて加工しても良い。
さらに、図12(B)に示すように、貫通孔P及び貫通孔Psに、従来周知のめっき処理を施し、導電材料を充填することによってビア導体10を形成する。また、ビア導体10を形成するとともに、絶縁層7上にメッキ6zを形成することができる。そして、メッキ6zの表面にレジストを塗布し、露光現像を行った後、図13(A)に示すように、メッキ6yをエッチング処理して信号線路6aを形成する。このようにして、端子部12上に導電部材としての信号線路6aを形成することができる。
上述した方法を用いて、コア基板5の下面側にも絶縁層7及び導電層6の積層工程を繰り返すことで、多層基板の配線基板を作製することができる。そして、配線基板2に対してバンプ3を介して半導体素子4をフリップチップ実装することによって、部品内蔵基板1を作製することができる。
上述した実施形態においては、半導体素子11の端子部12を露出させるのに、半導体素子11を破壊しないような低い出力のレーザー光を用いて、端子部12の直上に位置する絶縁層7の一部を除去することができる。そのため、半導体素子11が破壊することなく端子部12を露出させることができるため、端子部12の直上に形成する導電部材としての導電層と端子部12との接触性を良好にすることができ、両者の接続不良が発生するのを低減することもでき、製造歩留まりを向上させることができる。
また、仮に、半導体素子の端子部上に形成された樹脂残渣を除去するため、過マンガン酸等の薬品での処理を行う場合、薬品に含まれる成分によって半導体素子の端子が汚染されることがある。これらの結果により、半導体素子の機能が損なわれ製造歩留まりが低下してしまうことがある。本実施形態によれば、過マンガン酸等の薬品処理を行わないため、半導体素子の機能を損なうことがなく、製造歩留まりを向上させることができる。
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上述した実施形態においては、電子部品として半導体素子を用いたが、積層セラミックコンデンサ、スパッタ等の真空プロセスによって作製された薄膜コンデンサ、薄膜抵抗又はインピーダンス、並びにこれらを組み合わせて作製された高周波フィルター又はバラン等の機能素子、MEMS等であっても構わない。
また、半導体素子はコア基板の表面に固着しても良く、コア基板の表面に凹部を形成して凹部に収容しても良く、コア基板に貫通孔を形成してその部分に収容しても良い。また、本発明の部品内蔵基板は、半導体素子を表面に実装して作製した基板を厚さ方向に複数枚重ね、相互を電気的に接続して一体化したものであっても構わない。
1 部品内蔵基板
2 配線基板
3 バンプ
4 実装素子
5 コア基板
6 導電層
6a 信号線路
6b グランド層
7 絶縁層
7a 接着層
7b フィルム層
8 スルーホール導体
9 絶縁体
10 ビア導体
11 半導体素子
12 端子部
S スルーホール
P 貫通孔
H 凹部
g 空隙
2 配線基板
3 バンプ
4 実装素子
5 コア基板
6 導電層
6a 信号線路
6b グランド層
7 絶縁層
7a 接着層
7b フィルム層
8 スルーホール導体
9 絶縁体
10 ビア導体
11 半導体素子
12 端子部
S スルーホール
P 貫通孔
H 凹部
g 空隙
Claims (5)
- 上面に端子部を有する電子部品を内蔵した基板を準備する工程と、
前記端子部の直上に位置する基板の一部に対し減圧雰囲気中にてレーザー光を照射し、該基板の一部を取り除いて前記端子部を露出する工程と、
前記端子部上に導電部材を形成する工程と、を備えたことを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。 - 請求項1に記載の部品内蔵基板の製造方法において、
前記レーザー光はfθレンズを通過して、前記基板の上面に対して垂直に入射して、前記端子部の直上に位置する前記基板の一部を取り除くことを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。 - 請求項1に記載の部品内蔵基板の製造方法において、
前記減圧雰囲気とは、0.8×105Pa以下の気圧であることを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。 - 請求項1に記載の部品内蔵基板の製造方法において、
前記端子部の直上に位置する前記基板の一部に照射するレーザー光は、0.2μJ以上300μJ以下の出力であることを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。 - 請求項1に記載の部品内蔵基板の製造方法において、
前記電子部品は、前記基板に設けられたキャビティ内に載置されているとともに、前記電子部品を被覆するように前記電子部品上に樹脂が形成されており、該樹脂の一部は、前記電子部品の端面と前記キャビティの側壁との間の空隙に充填されていることを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008042746A JP2009200400A (ja) | 2008-02-25 | 2008-02-25 | 部品内蔵基板の製造方法 |
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JP (1) | JP2009200400A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012156453A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Kyocera Corp | 配線基板およびその実装構造体 |
-
2008
- 2008-02-25 JP JP2008042746A patent/JP2009200400A/ja active Pending
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