JP2009197040A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
しかしながら、近年、環境保護の観点からダイオキシン類似化合物を発生する危惧のある含ハロゲン化合物や毒性の高いアンチモン化合物の使用を規制する動きが高まっている。このため、半導体封止用組成物に関しては、上述のブロム化エポキシ樹脂をはじめとするハロゲン化合物や酸化アンチモンを使用することなしに難燃性を達成させる技術が検討されるようになった。また、半導体装置を150〜200℃での高温で長時間保管すると、難燃剤であるブロム化エポキシ樹脂やアンチモン化合物は半導体素子の抵抗値増加や金線の断線を引き起こすことが知られている。この観点からもブロム化エポキシ樹脂やアンチモン化合物を使用しない高温保管特性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物の開発が求められている。こうした中、ブロム化エポキシ樹脂やアンチモン化合物代替の水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウム等の金属酸化物の難燃剤が使用されてきているが、溶融樹脂粘度の増加による流動性の低下、離型性の悪化による連続成形性の低下や耐半田性の低下という課題があった。
上記のような状況から、難燃性付与剤を添加せずとも良好な難燃性が得られる半導体エポキシ樹脂組成物として、ビフェニルアラルキル骨格を有するエポキシ樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物が提案されている(例えば、特許文献1、2参照。)。これらのエポキシ樹脂組成物は、低吸水性、熱時低弾性率、高接着性で、難燃性に優れ、信頼性の高い半導体装置を得ることができるものの、これらの樹脂の製造には、コストがかかるという難点があった。
[1] (A)下記一般式(1)で表される構造を有するエポキシ樹脂と、(B)フェノ
ール性水酸基を2個以上含む化合物と、(C)無機充填剤と、(D)硬化促進剤と、(E)グリセリントリ脂肪酸エステルとを含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[4] 前記一般式(3)で表される構造を有するエポキシ樹脂が、下記一般式(4)で表される構造を有するエポキシ樹脂であることを特徴とする第[3]項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
又は8以下の正数である。)
[6] 前記硬化促進剤(D)が、下記一般式(6)で表される化合物、下記一般式(7)で表される化合物、下記一般式(8)で表される化合物及び下記一般式(9)で表される化合物から選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする第[1]項ないし第[5]項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[8] 更に(G)カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン(G1)、及び/又は、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン(G1)とエポキシ樹脂との反応生成物(G2)を含むことを特徴とする第[1]項ないし第[7]項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[9] 前記無機充填剤(C)を当該樹脂組成物全体の80重量%以上、92重量%以下含むことを特徴とする第[1]項ないし第[8]項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[10] 第[1]項ないし第[9]項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
である。
以下、各成分について詳細に説明する。
る。また、下記一般式(1)で表される構造を有するエポキシ樹脂(A)におけるmとnとの比率m/nとしては、1/10〜1/1であることが好ましく、1/9〜1/2であることがより好ましい。m/nが上記範囲内であると、耐燃性向上効果を得ることができる。また、上記範囲内であれば、樹脂粘度が高くなることによる樹脂組成物の流動性の低下を引き起こす恐れが少ない。
を共縮合して得られたフェノール樹脂類をエピクロルヒドリンでグリシジルエーテル化することにより得ることができる。下記一般式(2)で表される化合物(J)は、グルシジルエーテル基が結合していない芳香族環にW1R2(W1は酸素原子又は硫黄原子、R2は炭素数1〜4の炭化水素基)が結合している点を特徴とするものである。W1R2が結合していることで下記一般式(2)で表される化合物(J)は極性を有し、これにより反応性が向上するため、フェノール性水酸基含有芳香族類、アルデヒド類からなるノボラック樹脂の構造中に該化合物(J)の構造を導入することができるものである。該エポキシ樹脂(A)は、同様に耐燃性に優れ、低吸水性であるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂よりも原料コストが安く、原料も入手し易いといった利点があるため、低コストで製造又は入手することができるものである。
セン等が挙げられる。これらの中でも、耐燃性、低吸水性等を考慮すると、下記式(13)で表される化合物が好ましく、下記式(14)で表されるメトキシナフタレン化合物がより好ましい。
キシ樹脂等が挙げられる。半導体封止用エポキシ樹脂組成物としての耐湿信頼性を考慮すると、イオン性不純物であるNaイオンやClイオンが極力少ない方が好ましく、硬化性の点からエポキシ当量としては100g/eq以上500g/eq以下が好ましい。
ミナ、窒化珪素、窒化アルミ等が挙げられる。無機充填剤(C)の粒径としては、金型への充填性を考慮すると0.01μm以上、150μm以下であることが望ましい。また、無機充填剤(C)の含有量としては、エポキシ樹脂組成物全体の80重量%以上、92重量%以下が好ましく、より好ましくは82重量%以上、91重量%以下、特に好ましくは84重量%以上、90重量%以下である。無機充填剤(C)の含有量が上記範囲内であると、エポキシ樹脂組成物の硬化物の吸湿量が増加して強度が低下することによる耐半田クラック性の低下を引き起こす恐れが少ない。また、無機充填剤(C)の含有量が上記範囲内であると、流動性が損なわれることによる成形面での不具合の発生を引き起こす恐れが少ない。
される化合物において、リン原子に結合するR4、R5、R6及びR7がフェニル基であり、かつAHはヒドロキシル基を芳香環に有する化合物、すなわちフェノール類であり、かつAは該フェノール類のアニオンであるのが好ましい。
またホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、o−ベンゾキノン、p−ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもp−ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィン
とベンゾキノン類の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。
一般式(8)で表される化合物において、リン原子に結合するR8、R9及びR10がフェニル基であり、かつR11、R12及びR13が水素原子である化合物、すなわち1,4−ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物がエポキシ樹脂組成物の硬化物熱時弾性率を低下させる点で好ましい。
ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、2−ヒドロキシベンジルアルコール、1,2−シクロヘキサンジオール、1,2−プロパンジオール及びグリセリン等が挙げられるが、これらの中でも、カテコール、1,2−ジヒドロキシナフタレン、2,3−ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。
(E)が十分に溶融する。これにより、樹脂硬化物中にグリセリントリ脂肪酸エステル(E)が略均一に分散する。そのため、グリセリントリ脂肪酸エステル(E)の樹脂硬化物表面への偏析が抑制され、金型汚れや樹脂硬化物外観の悪化を低減することができる。
樹脂組成物中でのブタジエン・アクリロニトリル共重合体(F1)の分散性が良好となる。このため、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体(F1)は、成形時の金型表面の汚れや樹脂硬化物表面の汚れの進行を抑えることができ、また連続成形性を向上させる効果も有するものである。
とで、流動性の低下による成形時における充填不良の発生や高粘度化によるワイヤー流れ等の不具合の発生を抑えることができる。
においては良好な酸化防止効果と低応力性が発現する。
きる。本発明で用いることができるカルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン(G1)とエポキシ樹脂との反応生成物(G2)の製法については、特に限定するものではないが、例えば、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン(G1)とエポキシ樹脂とを、硬化促進剤の存在下で溶融・反応させて得ることができる。ここで言う、エポキシ樹脂とは、1分子内にエポキシ基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではなく、一般式(1)で表される構造を有するエポキシ樹脂(A)、又は該エポキシ樹脂(A)と併用することができるエポキシ樹脂として前述したものと同じものを用いることができる。また、ここで言う硬化促進剤とは、オルガノポリシロキサン中のカルボキシル基とエポキシ樹脂中のエポキシ基との硬化反応を促進させるものであればよく、前述したエポキシ樹脂のエポキシ基とフェノール性水酸基を2個以上含む化合物のフェノール性水酸基との硬化反応を促進させる硬化促進剤と同じものも用いることができる。
1)、及び/又は、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン(G1)とエポキシ樹脂との反応生成物(G2)を添加する効果を損なわない範囲で、他のオルガノポリシロキサンを併用することができる。
より具体的には、エポキシシランとしては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。また、アミノシランとしては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−フェニルγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニルγ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−6−(アミノヘキシル)3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(3−(トリメトキシシリルプロピル)−1,3−ベンゼンジメタナン等が挙げられる。また、ウレイドシランとしては、例えば、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン等が挙げられる。また、メルカプトシランとしては、例えば、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらのシランカップリング剤は1種類を単独で用いても2種類以上を併用してもよい。
回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子等が挙げられる。
本発明の半導体装置の形態としては、特に限定されないが、例えば、デュアル・インライン・パッケージ(DIP)、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ(PLCC)、クワッド・フラット・パッケージ(QFP)、ロー・プロファイル・クワッド・フラット・パッケージ(LQFP)、スモール・アウトライン・パッケージ(SOP)、スモール・アウトライン・Jリード・パッケージ(SOJ)、薄型スモール・アウトライン・パッケージ(TSOP)、薄型クワッド・フラット・パッケージ(TQFP)、テープ・キャリア・パッケージ(TCP)、ボール・グリッド・アレイ(BGA)、チップ・サイズ・パッケージ(CSP)等が挙げられる。
上記トランスファーモールドなどの成形方法で封止された本発明の半導体装置は、そのまま、或いは80℃から200℃程度の温度で、10分から10時間程度の時間をかけて完全硬化させた後、電子機器等に搭載される。
実施例、比較例で用いた成分について、以下に示す。
エポキシ樹脂2:下記式(17)で表される構造を有するエポキシ樹脂(o−クレゾールとホルムアルデヒドと2−メトキシナフタレンを共縮合して得られたフェノール樹脂をエピクロルヒドリンでグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂。エポキシ当量220、軟化点52℃。下記一般式(17)において、m/n=1/9。)
エポキシ樹脂3:下記式(17)で表される構造を有するエポキシ樹脂(o−クレゾールとホルムアルデヒドと2−メトキシナフタレンを共縮合して得られたフェノール樹脂をエピクロルヒドリンでグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂。エポキシ当量270、軟化点63℃。下記一般式(17)において、m/n=3/7。)
ピクロルヒドリンでグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂。エポキシ当量196、軟化点54℃。下記一般式(18)において、m/n=1/4。)
エポキシ樹脂9:オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業(株)製、EPICLON(登録商標)N−660。エポキシ当量196、軟化点62℃。)
エポキシ樹脂10:トリフェノールメタン型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、jER(登録商標)E−1032H60。エポキシ当量169、軟化点58℃。)
溶融球状シリカ(平均粒径30μm)
離型剤2:前述の方法により作成したグリセリントリメリシン酸エステル(滴点95℃、酸価30mgKOH/g。)
離型剤3:前述の方法により作成したグリセリントリベヘン酸エステル(滴点80℃、酸価15mgKOH/g。)
離型剤4:グリセリンモノステアリン酸エステル(理研ビタミン(株)製、リケマール(登録商標)S−100、滴点65℃、酸価2mgKOH/g。)
R(登録商標)YL−6810(エポキシ当量172g/eq、融点45℃)65重量部を140℃で加温溶融し、前記F1−1を33重量部、トリフェニルホスフィンを0.8重量部添加して、140℃にて30分間溶融混合して得た溶融反応物
カーボンブラック
エポキシ樹脂1 8.60重量部
フェノール樹脂1 3.80重量部
溶融球状シリカ 86.00重量部
硬化促進剤1 0.20重量部
離型剤1 0.20重量部
F2−1 0.30重量部
G2−1 0.30重量部
シランカップリング剤1 0.30重量部
カーボンブラック 0.30重量部
をミキサーにて常温混合し、80〜100℃の加熱ロールで溶融混練し、冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を用いて以下の方法で評価した。評価結果を表1に示す。
表1、表2、表3、表4の配合に従い、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し、実施例1と同様にして評価した。評価結果を表1、表2、表3、表4に示す。
型汚れ性、耐半田性のバランスに優れた結果が得られた。
2 ダイボンド材硬化体
3 ダイパッド
4 金線
5 リードフレーム
6 封止用樹脂組成物の硬化体
Claims (10)
- (A)下記一般式(1)で表される構造を有するエポキシ樹脂と、
(B)フェノール性水酸基を2個以上含む化合物と、
(C)無機充填剤と、
(D)硬化促進剤と、
(E)グリセリントリ脂肪酸エステルと
を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記硬化促進剤(D)が、下記一般式(6)で表される化合物、下記一般式(7)で表される化合物、下記一般式(8)で表される化合物及び下記一般式(9)で表される化合物から選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 更に(F)カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体(F1)、及び/又は、カルボキシル基を有するブタジエン・アクリロニトリル共重合体(F1)とエポキシ樹脂との反応生成物(F2)を含むことを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 更に(G)カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン(G1)、及び/又は、カルボキシル基を有するオルガノポリシロキサン(G1)とエポキシ樹脂との反応生成物(G2)を含むことを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記無機充填剤(C)を当該樹脂組成物全体の80重量%以上、92重量%以下含むことを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011122138A (ja) * | 2009-11-16 | 2011-06-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2011178923A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2012077120A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Dic Corp | 硬化性樹脂組成物、その硬化物、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、及び半導体封止材 |
JP2013001863A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Dic Corp | 硬化性樹脂組成物、その硬化物、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、及び半導体封止材料 |
JP2013234305A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-21 | Panasonic Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
JP2017039944A (ja) * | 2016-10-05 | 2017-02-23 | 日立化成株式会社 | フェノール化合物、その製造方法、樹脂組成物及び電子部品装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002080695A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
WO2005087834A1 (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2006274236A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-10-12 | Dainippon Ink & Chem Inc | エポキシ樹脂組成物、その硬化物、半導体封止材料、新規フェノール樹脂、および新規エポキシ樹脂 |
JP2006312720A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-11-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2007002110A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 |
JP2007119710A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-05-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 潜伏性触媒の製造方法及びエポキシ樹脂組成物 |
-
2008
- 2008-02-15 JP JP2008035064A patent/JP5169285B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002080695A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
WO2005087834A1 (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2006274236A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-10-12 | Dainippon Ink & Chem Inc | エポキシ樹脂組成物、その硬化物、半導体封止材料、新規フェノール樹脂、および新規エポキシ樹脂 |
JP2006312720A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-11-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2007002110A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 |
JP2007119710A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-05-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 潜伏性触媒の製造方法及びエポキシ樹脂組成物 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011122138A (ja) * | 2009-11-16 | 2011-06-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2011178923A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2012077120A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Dic Corp | 硬化性樹脂組成物、その硬化物、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、及び半導体封止材 |
JP2013001863A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-07 | Dic Corp | 硬化性樹脂組成物、その硬化物、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、及び半導体封止材料 |
JP2013234305A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-21 | Panasonic Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
JP2017039944A (ja) * | 2016-10-05 | 2017-02-23 | 日立化成株式会社 | フェノール化合物、その製造方法、樹脂組成物及び電子部品装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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