JP2009194298A - 原子層成長装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】成膜容器内には、酸化ガスを用いてプラズマを発生するアンテナアレイと、基板が載置される基板ステージとが配設されている。アンテナアレイは、棒状のアンテナ本体が誘電体で被覆された複数のアンテナ素子が平行に配設されて構成されている。また、アンテナアレイは、基板ステージ上に基板が載置される位置よりも、成膜容器の側壁に形成された供給孔から基板ステージに向けて供給される酸化ガスのガス流方向の上流側の空間に配設されている。アンテナアレイの、酸化ガスのガス流方向の下流側の端部と、基板ステージ上に基板が載置される位置の、アンテナアレイ側の端部と、の間の成膜容器の壁に、原料ガスの供給孔が設けられている。
【選択図】 図1
Description
前記成膜容器内には、酸化ガスを用いてプラズマを発生するアンテナアレイと、前記基板が載置される基板ステージとが配設され、
前記アンテナアレイは、棒状のアンテナ本体が誘電体で被覆された複数のアンテナ素子が平行に配設されて構成され、当該アンテナアレイは、前記基板ステージ上に前記基板が載置される位置よりも、前記成膜容器の側壁に形成された供給孔から前記基板ステージに向けて供給される酸化ガスのガス流方向の上流側の空間に配設され、前記アンテナアレイの、酸化ガスのガス流方向の下流側の端部と、前記基板ステージ上に前記基板が載置される位置の、前記アンテナアレイ側の端部と、の間の前記成膜容器の壁に、原料ガスの供給孔が設けられていることを特徴とする原子層成長装置を提供するものである。
前記成膜容器内には、窒化ガスを用いてプラズマを発生するアンテナアレイと、前記基板が載置される基板ステージとが配設され、
前記アンテナアレイは、棒状のアンテナ本体が誘電体で被覆された複数のアンテナ素子が平行に配設されて構成され、当該アンテナアレイは、前記基板ステージ上に前記基板が載置される位置よりも、前記成膜容器の側壁に形成された供給孔から前記基板ステージに向けて供給される窒化ガスのガス流方向の上流側の空間に配設され、前記アンテナアレイの、窒化ガスのガス流方向の下流側の端部と、前記基板ステージ上に前記基板が載置される位置の、前記アンテナアレイ側の端部と、の間の前記成膜容器の壁に、原料ガスの供給孔が設けられていることを特徴とする原子層成長装置を提供する。
以下の説明は、縦370mm×横470mm角の基板42表面にSiO2膜を形成した場合の一例である。
以上、本発明の原子層成長装置について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
12 成膜容器
14,15 ガス供給部
16,17 排気部
18a、18b、19a、19b 供給管
20a、20b、21a、21b 供給孔
22,23 排気管
24,25 排気孔
26,26a、26b アンテナ素子
28 アンテナアレイ
29 シャワーヘッド
30 ヒータ
32 基板ステージ
34 高周波電力供給部
36 分配器
38,38a、38b インピーダンス整合器
39,39a、39b アンテナ本体
40,40a、40b 円筒部材
42 成膜対象基板(基板)
44 昇降機構
46 ヒータストッパ
48 成膜室
49 突出部
50 真空室
51 隙間
52 孔
54 シャワーヘッド
56 拡散室
Claims (7)
- 成膜容器と、基板上に所定の膜を形成する時に、前記成膜容器内に原料ガスおよび酸化ガスを交互に供給するガス供給部と、前記成膜容器内に交互に供給された原料ガスおよび酸化ガスを排気する排気部とを備え、
前記成膜容器内には、酸化ガスを用いてプラズマを発生するアンテナアレイと、前記基板が載置される基板ステージとが配設され、
前記アンテナアレイは、棒状のアンテナ本体が誘電体で被覆された複数のアンテナ素子が平行に配設されて構成され、当該アンテナアレイは、前記基板ステージ上に前記基板が載置される位置よりも、前記成膜容器の側壁に形成された供給孔から前記基板ステージに向けて供給される酸化ガスのガス流方向の上流側の空間に配設され、前記アンテナアレイの、酸化ガスのガス流方向の下流側の端部と、前記基板ステージ上に前記基板が載置される位置の、前記アンテナアレイ側の端部と、の間の前記成膜容器の壁に、原料ガスの供給孔が設けられていることを特徴とする原子層成長装置。 - 成膜容器と、基板上に所定の膜を形成する時に、前記成膜容器内に原料ガスおよび窒化ガスを交互に供給するガス供給部と、前記成膜容器内に交互に供給された原料ガスおよび窒化ガスを排気する排気部とを備え、
前記成膜容器内には、窒化ガスを用いてプラズマを発生するアンテナアレイと、前記基板が載置される基板ステージとが配設され、
前記アンテナアレイは、棒状のアンテナ本体が誘電体で被覆された複数のアンテナ素子が平行に配設されて構成され、当該アンテナアレイは、前記基板ステージ上に前記基板が載置される位置よりも、前記成膜容器の側壁に形成された供給孔から前記基板ステージに向けて供給される窒化ガスのガス流方向の上流側の空間に配設され、前記アンテナアレイの、窒化ガスのガス流方向の下流側の端部と、前記基板ステージ上に前記基板が載置される位置の、前記アンテナアレイ側の端部と、の間の前記成膜容器の壁に、原料ガスの供給孔が設けられていることを特徴とする原子層成長装置。 - 原料ガスのガス流が、前記基板ステージの方向に向かって斜めに供給されるように、前記原料ガスの供給孔の向きが設定されていることを特徴とする請求項1または2に記載の原子層成長装置。
- 前記原料ガスのガス流が、前記基板ステージに到達する前に、前記成膜容器の上壁、側壁および下壁のいずれかに当たるように、前記原料ガスの供給孔の向きが設定されていることを特徴とする請求項3に記載の原子層成長装置。
- 前記複数のアンテナ素子の各々は、前記基板ステージの面と平行な方向に配置され、前記複数のアンテナ素子の配列方向は、前記基板ステージの面と平行な方向であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の原子層成長装置。
- 前記複数のアンテナ素子の各々は、前記基板ステージの面と平行な方向に配置され、前記複数のアンテナ素子の配列方向は、前記基板ステージの面と垂直な方向であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の原子層成長装置。
- 前記基板ステージの上面を含む、前記成膜容器の下壁は、前記基板上に所定の膜を形成する時に面一となるように形成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の原子層成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP5078656B2 JP5078656B2 (ja) | 2012-11-21 |
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Country Status (1)
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997031391A1 (fr) * | 1996-02-23 | 1997-08-28 | Ebara Corporation | Dispositif et procede de depot chimique en phase vapeur |
JP2006286883A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ成膜方法及びプラズマcvd装置 |
JP2006302946A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理システム |
WO2007114155A1 (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | プラズマ原子層成長方法及び装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997031391A1 (fr) * | 1996-02-23 | 1997-08-28 | Ebara Corporation | Dispositif et procede de depot chimique en phase vapeur |
JP2006286883A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | プラズマ成膜方法及びプラズマcvd装置 |
JP2006302946A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理システム |
WO2007114155A1 (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | プラズマ原子層成長方法及び装置 |
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