JP2006286883A - プラズマ成膜方法及びプラズマcvd装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 原料ガスが導入される真空容器内に設けられ成膜対象の平板部材が固定されるホルダー5と、平板部材2の平板面に対向させて配置されたアンテナとを備え、このアンテナは、表面を誘電体で覆った棒状の導電体からなるアンテナ素子3を間隔を開けて、かつ隣り合う各アンテナ素子3の一端に高周波電力を供給する基端部33を異なる側に配列してなるプラズマCVD装置において、ホルダー5とアンテナを相対移動させるスライド機構7を備えること。
【選択図】 図1
Description
2 基板
3 電極
5 ホルダー
7 リニアガイド
11 シャワープレート
17 真空ポンプ
23 ボールねじ
31 電力調整器
Claims (4)
- 真空容器内に配置される棒状のアンテナ素子から高周波の電磁波を放射し、該電磁波によって原料ガスのプラズマを発生させて、基板上の成膜対象面に成膜を行なうプラズマ成膜方法において、前記アンテナ素子の軸方向と直交する方向に前記基板を移動させることを特徴とするプラズマ成膜方法。
- 原料ガスが導入される真空容器と、該真空容器内に設けられ成膜対象の平板部材が固定されるホルダーと、前記平板部材の平板面に対向させて配置されたアンテナとを備え、前記アンテナは、表面を誘電体で覆った棒状の導電体からなるアンテナ素子を間隔を開けて、かつ隣り合う前記各アンテナ素子の一端に高周波電力を供給する基端部を異なる側に配列してなるプラズマCVD装置において、前記ホルダーと前記アンテナを相対移動させるスライド機構を備えていることを特徴とするプラズマCVD装置。
- 前記スライド機構は、前記アンテナ素子の軸と直交する方向に延在する第1の軌道面を有する案内レールと、該第1の軌道面と対向する第2の軌道面を有し前記第1の軌道面上を移動する移動体と、前記第1の軌道面と前記第2の軌道面との間に転動自在に設けられた転動体とを備えてなるリニアガイドからなり、前記ホルダーは、前記スライダ上に固定されてなる請求項2に記載のプラズマCVD装置。
- 前記アンテナは、少なくとも2本のアンテナ素子からなることを特徴とする請求項2に記載のプラズマCVD装置。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009194298A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層成長装置 |
JP2009194018A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層成長装置および原子層成長方法 |
WO2010131366A1 (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-18 | 株式会社島津製作所 | 表面波プラズマcvd装置および成膜方法 |
WO2010131365A1 (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-18 | 株式会社島津製作所 | 表面波プラズマcvd装置および成膜方法 |
WO2011042949A1 (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-14 | 株式会社島津製作所 | 表面波プラズマcvd装置および成膜方法 |
JP2013127126A (ja) * | 2013-03-06 | 2013-06-27 | Shimadzu Corp | 表面波プラズマcvd装置および成膜方法 |
-
2005
- 2005-03-31 JP JP2005104100A patent/JP2006286883A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009194018A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層成長装置および原子層成長方法 |
JP2009194298A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 原子層成長装置 |
WO2010131366A1 (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-18 | 株式会社島津製作所 | 表面波プラズマcvd装置および成膜方法 |
WO2010131365A1 (ja) * | 2009-05-15 | 2010-11-18 | 株式会社島津製作所 | 表面波プラズマcvd装置および成膜方法 |
US20120067281A1 (en) * | 2009-05-15 | 2012-03-22 | Shimadzu Corporation | Surface wave plasma cvd apparatus and film forming method |
JP5218651B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2013-06-26 | 株式会社島津製作所 | 表面波プラズマcvd装置および成膜方法 |
JP5218650B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2013-06-26 | 株式会社島津製作所 | 表面波プラズマcvd装置および成膜方法 |
WO2011042949A1 (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-14 | 株式会社島津製作所 | 表面波プラズマcvd装置および成膜方法 |
WO2011043297A1 (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-14 | 株式会社島津製作所 | 表面波プラズマcvd装置および成膜方法 |
JP2013127126A (ja) * | 2013-03-06 | 2013-06-27 | Shimadzu Corp | 表面波プラズマcvd装置および成膜方法 |
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