JP2009193659A - マルチテストが可能な半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、テスト時間を短縮できるマルチテストが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明は、マルチテストモード信号及び読取り/書込み区分信号により、アップダウンマット内の入出力スイッチを制御するアップダウンマット入出力スイッチ制御信号の活性化の可否を制御するマルチモード制御信号生成部;マルチテストモードアクティブ書込み信号により、複数のマットを同時に活性化させるためのマルチマット選択信号を出力するマルチモードデコーダ;及び、前記アップダウンマット入出力スイッチ制御信号及び前記マルチマット選択信号により、ワードライン及び入出力スイッチをイネーブルさせるマットコントローラーを含む。
【選択図】図1
【解決手段】本発明は、マルチテストモード信号及び読取り/書込み区分信号により、アップダウンマット内の入出力スイッチを制御するアップダウンマット入出力スイッチ制御信号の活性化の可否を制御するマルチモード制御信号生成部;マルチテストモードアクティブ書込み信号により、複数のマットを同時に活性化させるためのマルチマット選択信号を出力するマルチモードデコーダ;及び、前記アップダウンマット入出力スイッチ制御信号及び前記マルチマット選択信号により、ワードライン及び入出力スイッチをイネーブルさせるマットコントローラーを含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体集積回路に関し、特に、テスト時間を減少できる半導体集積回路に関する。
通常、半導体集積回路は、ウェハバーンインテスト(又はノーマルテスト)とき一つのマットが選択され、それに該当するワードラインがイネーブルされることで、読取りや書込みのテストが行われる(例えば特許文献1)。
ところが、現在の半導体集積回路は、全てのセルに対し、ローアドレス及びコラムアドレスを独立的にイネーブルさせてテストを行う。これにより、テストの時間が増大し、費用の上昇を招くことになる。
テスト時間を短縮させるために、複数のマットを活性化させてアクティブ関連テスト(例えば、複数のワードラインを活性化させるテスト)及び読取り/書込み関連テスト(例えば、複数のセンスアンプを同時に活性化させるテスト)を同時に遂行できるテスト回路が切実に要求されている。
本発明の目的は、テスト時間を短縮できるマルチテストが可能な半導体集積回路を提供することにある。
本発明の一実施例による半導体集積回路は、マルチテストモード信号及び読取り/書込み区分信号により、アップダウンマット内の入出力スイッチを制御するアップダウンマット入出力スイッチ制御信号の活性化の可否を制御するマルチモード制御信号生成部;マルチテストモードアクティブ書込み信号により、複数のマットを同時に活性化させるためのマルチマット選択信号を出力するマルチモードデコーダ;及び、前記アップダウンマット入出力スイッチ制御信号及び前記マルチマット選択信号により、ワードライン及び入出力スイッチをイネーブルさせるマットコントローラーを含む。
また、本発明の半導体集積回路は、アクティブモードにおいて、複数のアップマット及び複数のダウンマットの各々の少なくとも一つを同時に活性化させ、読取り動作時に活性化されたマットの情報を順次読取りし、書込み動作時に活性化されたマットの情報を同時に書込みするように制御信号を生成するマルチモード制御信号生成部を備える。
前記マルチモード制御信号生成部は、前記読取り及び書込み動作時に互いに異なる位相を示す読取り/書込み区分信号を受信し、前記読取り及び書込み動作時にそれぞれ異なる位相の制御信号を出力するように構成される。
本発明による半導体集積回路及びそのマルチテスト方法は、テスト時間を減少させるために、複数のマットを同時に活性化させながらも、データの衝突を防止できるため、テスト時間を著しく減少でき、費用節減及び量産効率の増加を図ることができる。
以下、添付図面に基づき、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
図1は、本発明による半導体集積回路のブロック図である。
図1は、本発明による半導体集積回路のブロック図である。
図1に示すように、本実施例の半導体集積回路は、マルチモード制御信号生成部100、マルチモードデコーダ200及びマットコントロール部300を含む。
マルチモード制御信号生成部100は、マルチテストモード信号(tm_multi)及び読取り/書込み区分信号(RDWTB)により、アップダウンマットを活性化するように構成される。
マルチモード制御信号生成部100は、読取り動作モード時、マルチテストを行うために、マルチテストモード信号(tm_multi)及び読取り/書込み区分信号(RDWTB)がイネーブルされると、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)により、アップマット内の入出力スイッチを制御するアップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)又はダウンマット内の入出力スイッチを制御するダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)の一つをイネーブルさせるように構成される。
マルチモード制御信号生成部100は、書込み動作モード時、マルチテストモード信号(tm_multi)がイネーブルされた場合、アップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)及びダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)を全部イネーブルさせるように構成される。
アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)は、連続した二度の読取り命令を区分するために読取り命令時に入力される信号である。このようなアップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)は、コラム系命令の入力時に用いられないアドレスであったり、データ入力マスクピン(DMPIN)を介して入力される信号が用いられる。また、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)は、アップマット及びダウンマットを区分するための信号である。例えば、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)が、ローレベルであればアップマットの駆動信号として用い、ハイレベルであればダウンマットの駆動信号として用いられる。
例えば、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)が、ローレベルの場合にアップマットが活性化されると、ハイレベルの場合にはダウンマットが活性化される。ここで、アップマットはバンクの中心ラインを基準として上位に位置するマットを示し、ダウンマットはバンクの中心ラインを基準として下位に位置するマットを示す。また、互いに対応する位置のアップマット及びダウンマットは、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)だけが異なり、他のアドレスは同一である。
マルチモード制御信号生成部100は、読取り動作時、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)により、アップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)又はダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)の一つがイネーブルされるように構成し、書込み動作時に両方ともイネーブルされるように構成する。
具体的に説明すれば、マルチモード制御信号生成部100は、マルチ読取り信号生成部110及び入出力スイッチ制御信号生成部120を含む。
マルチ読取り信号生成部110は、読取り/書込み区分信号(RDWTB)、マルチテストモード信号(tm_multi)及びコラムパルスイネーブル信号(pre_yi_pulse_en)を受信して、マルチ読取り信号(multi_rd_en)を出力する。
ここで、読取り/書込み区分信号(RDWTB)は、その名称から分かるように、読取り及び書込み動作を明確に区分できるように、読取り及び書込み動作時に互いに異なる位相を示し、マルチ読取り信号(multi_rd_en)を選択的に制御する役割を果す。
マルチ読取り信号生成部110は、マルチテスト時、読取り/書込み区分信号(RDWTB)がハイレベルであり、コラムパルスイネーブル信号(pre_yi_pulse_en)がハイレベルであれば、ハイレベルのマルチ読取り信号(multi_rd_en)を出力するように構成され、読取り/書込み区分信号(RDWTB)がローレベルであれば、ローレベルのマルチ読取り信号(multi_rd_en)を出力するように構成される。マルチテストモード信号(tm_multi)は、マルチテスト時に活性化される信号である。
コラムパルスイネーブル信号(pre_yi_pulse_en)は、コラム選択信号(yi)を生成するための信号である。コラムパルスイネーブル信号(pre_yi_pulse_en)がイネーブルされれば、一定時間の後にコラム選択信号(yi)がイネーブルされ、ビットラインに載せたデータがセグメント入出力ライン対(SIO、SIOB)に伝送される。
入出力スイッチ制御信号生成部120は、アクティブ信号(act_pre)、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)及びマルチ読取り信号(multi_rd_en)を受信して、アップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)及びダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)を出力する。
マルチモードデコーダ200は、マルチテストモードアクティブ書込み信号(tm_multi_act_wt)により、複数のマットを同時に活性化させる。
マルチモードデコーダ200は、アクティブ動作モードにおいて、ローアドレスにより、アップマットの一つ及びダウンマットの一つに該当するマルチマット選択信号を活性化させる。マルチモードデコーダ200は、アクティブ動作モードにおいて、アップマットの一つ内のワードラインと、ダウンマットの一つ内のワードライン、すなわち複数のマット内のワードラインを同時に活性化させる。
具体的に説明すれば、マルチモードデコーダ200は、マット選択デコーダ210及びアドレスデコーダ220を含む。
マット選択デコーダ210は、マルチテストモードアクティブ書込み信号(tm_multi_act_wt)により、マット情報アドレス(Xadd<k:p>)を受信してデコードし、マルチマット選択信号(msb<0:M−1>)を出力する。
マルチテストモードアクティブ書込み信号(tm_multi_act_wt)は、アクティブモード時及び書込み動作モード時にイネーブルされる信号である。よって、マルチテストモードアクティブ書込み信号(tm_multi_act_wt)がイネーブルされると、マルチマット選択信号(msb<0:M−1>)はアップマット及びダウンマットから各々一つのマルチマット選択信号(msb<0:M−1>)がイネーブルされ、アップマット及びダウンマットの一つのワードラインが同時にイネーブルされる。マルチマット選択信号(msb<0:M−1>)は、入力されるローアドレスにより該当マットを選択する情報を持つ。
アドレスデコーダ220は、アクティブ信号(act_pre)及びローアドレス(Xadd<1:k−1>)を受信してデコードし、所定のアドレス信号(pxadd<0:1>)を生成する。所定のアドレス信号(pxadd<0:1>)により該当ワードラインがイネーブルされる。所定のアドレス信号(pxadd<0:1>)は、それぞれのマット内のワードラインの情報を示す。
マットコントロール部300は、アップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)、ダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)及びマルチマット選択信号(msb<0:M−1>)を受信して、それに該当するワードライン、センスアンプ及び入出力スイッチをイネーブルさせる。
マットコントロール部300は、マルチマット選択信号(msb<0:M−1>)及びアップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)を受信してアップマットをイネーブルさせる信号、例えばワードラインイネーブル信号(WL_en<0:M/2−1>)、センスアンプイネーブル信号(SA_en<0:M/2−1>)及び入出力スイッチ信号(iosw<0:M/2−1>)を出力し、マルチマット選択信号(msb<0:M−1>)及びダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)を受信してダウンマットをイネーブルさせる信号、例えばワードラインイネーブル信号(WL_en<M/2:M−1>)、センスアンプイネーブル信号(SA_en<M/2:M−1>)及び入出力スイッチ信号(iosw< M/2:M−1>)を出力する。
マットコントロール部300は、アップマットコントロール部310及びダウンマットコントロール部320を含む。
アップマットコントロール部310は、マルチマット選択信号(msb<0:M/2−1>)及びアップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)を受信して、アップマットをイネーブルさせる信号(iosw<0:M/2−1>)を出力する。
ダウンマットコントロール部320は、マルチマット選択信号(msb<M/2:M−1>)及びダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)を受信して、ダウンマットをイネーブルさせる信号(iosw<M/2:M−1>)を出力する。
アップマットコントロール部310及びダウンマットコントロール部320は、それぞれのマットに該当するワードラインイネーブル信号(WL_en<0:M−1>)、センスアンプイネーブル信号(SA_en<0:M−1>)及び入出力スイッチ信号(iosw<0:M−1>)を出力する。
図4に示す本発明による半導体集積回路は、テストモードのうち、アクティブモードでは、同時に2つのマットを活性化させることで、テスト時間を短縮させ、アクティブ動作の後、データの読取り時だけ、2つのマットの一つずつ順次読取りを行う。例えば、Long RASテスト時、長時間の間ワードラインを活性化させて、セルに載せたデータを読取りして複数のマットに対して同時にテストを行い、アクティブ動作の後、読取り時には選択されたマットに対して一つずつ順次読取りを行う。このような本実施例によれば、テスト工程時、複数のマットのワードラインが同時に活性化されるため、個々にワードラインを活性化させる場合よりも読取りの時間を大きく短縮できる。
また、読取り動作の後、書込み動作モードが実行される場合、本発明による半導体集積回路は、テスト終了やプリチャージ動作モードの実行後に書込み動作が実行されるものでなく、読取り動作の後に直ぐ書込み動作モードに進入するように構成される。すなわち、前述した読取り動作の後、書込み動作モードでは、読取り動作時と同様に、セグメント入出力ライン対(SIO、SIOB)に載せたデータをローカル入出力ライン対に伝送するとき、アップマットでのデータを読取りし、順次ダウンマットでのデータを読取りするような順序を経ることなく、直ぐローカル入出力ライン対に載せたデータを該当するセグメント入出力ライン対(SIO、SIOB)に伝送できる。すなわち、本実施例による半導体集積回路は、従来技術の読取り動作時一つのデータずつ読取りしたものに比べ、アクティブ動作時は複数のワードラインを同時に活性化させ、複数のセルに載せたデータを共通したローカル入出力ライン対に伝送するときはデータの衝突を防止するために順次遂行するもので、テスト時間を短縮すると共に、読取り動作モードから書込み動作モードに転換するとき(又は、書込み動作モードから読取り動作モードに転換するとき)、プリチャージのような別途の動作を行うことなく、直ぐ書込み動作モードに進入することで、テスト時間をより短縮できる。
図2は、図1に示すマルチ読取り信号生成部110の詳細回路図である。
図2に示すマルチ読取り信号生成部110は、第1のナンドゲート部(ND1)、第1のインバータ(IV1)、第2のナンドゲート部(ND2)、遅延部111及び第3のナンドゲート部(ND3)を含む。
図2に示すマルチ読取り信号生成部110は、第1のナンドゲート部(ND1)、第1のインバータ(IV1)、第2のナンドゲート部(ND2)、遅延部111及び第3のナンドゲート部(ND3)を含む。
第1のナンドゲート部(ND1)は、マルチテストモード信号(tm_multi)及び読取り/書込み区分信号(RDWTB)を受信して演算する。第1のインバータ(IV1)は、第1のナンドゲート(ND1)の出力を受信して反転させる。
第2のナンドゲート部(ND1)は、コラムパルスイネーブル信号(pre_yi_pulse_en)及び第1のインバータ(IV1)の出力を受信して演算する。遅延部111は、第2のナンドゲート部(ND2)の出力を遅延させる。遅延部111は、複数のインバータとして具現できる。第3のナンドゲート部(ND3)は、第2のナンドゲート部(ND2)の出力及び遅延部111の出力を受信して演算する。
マルチテストモード信号(tm_multi)及び読取り/書込み区分信号(RDWTB)がハイレベルになるとき、コラムパルスイネーブル信号(pre_yi_pulse_en)がハイレベルであれば、ハイレベルのマルチ読取り信号(multi_rd_en)を出力する。
マルチテストモード信号(tm_multi)又は読取り/書込み区分信号(RDWTB)がローレベルになるとき、コラムパルスイネーブル信号(pre_yi_pulse_en)と無関係に、ローレベルのマルチ読取り信号(multi_rd_en)を出力する。
遅延部111は、マルチ読取り信号(multi_rd_en)のパルス幅をコラムパルスイネーブル信号(pre_yi_pulse_en)に比べて、図8に示すように増加させる。
図3は、図1に示す入出力スイッチ制御信号生成部120の詳細回路図である。
図3に示す入出力スイッチ制御信号生成部120は、アクティブ駆動部121、マルチテスト制御部122及び出力部123を含む。
図3に示す入出力スイッチ制御信号生成部120は、アクティブ駆動部121、マルチテスト制御部122及び出力部123を含む。
アクティブ駆動部121は、アクティブ信号(act_pre)及びリフレッシュ信号(ref)によりイネーブルされる。アクティブ駆動部121は、第1のインバータ(IV1)及び第1のナンドゲート(ND1)を含む。第1のインバータ(IV1)は、リフレッシュ信号(ref)を受信して反転させて出力する。第1のナンドゲート(ND1)は、第1のインバータ(IV1)の出力及びアクティブ信号(act_pre)を受信して演算する。
マルチテスト制御部122は、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)及びマルチ読取り信号(multi_rd_en)によりイネーブルされる。
マルチテスト制御部122は、第2のインバータ(IV2)、第3のインバータ(IV3)、第1のノアゲート(NOR1)及び第2のノアゲート(NOR2)を含む。第2のインバータ(IV2)は、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)を受信して反転させる。第3のインバータ(IV3)は、マルチ読取り信号(multi_rd_en)を受信して反転させる。第1のノアゲート(NOR1)は、第2のインバータ(IV2)及び第3のインバータ(IV3)の出力を受信して演算する。第2のノアゲート(NOR2)は、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)及び第3のインバータ(IV3)の出力を受信して演算する。
出力部123は、アクティブ駆動部121の出力及びマルチテスト制御部122の出力を受信して、アップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)及びダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)を出力する。
出力部123は、第3のノアゲート(NOR3)及び第4のノアゲート(NOR4)を含む。
第3のノアゲート(NOR3)は、第1のナンドゲート(ND1)の出力及び第1のノアゲート(NOR1)の出力を受信して演算する。第4のノアゲート(NOR4)は、第1のナンドゲート(ND1)の出力及び第2のノアゲート(NOR2)の出力を受信して演算する。
図3に示す入出力スイッチ制御信号生成部120の動作を説明すれば、次の通りである。
マルチ読取り信号(multi_rd_en)がローレベルであれば、第1のノアゲート(NOR1)及び第2のノアゲート(NOR2)の出力は、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)と無関係にローレベルになる。一方、アクティブ信号(act_pre)がハイレベルであり、リフレッシュ信号(ref)がローレベルであれば、第1のナンドゲート(ND1)はローレベルの信号を出力する。したがって、第3のノアゲート(NOR3)及び第4のノアゲート(NOR4)は、全部ハイレベルの信号を出力することになる。すなわち、アップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)及びダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)は、全部ハイレベルになる。
マルチ読取り信号(multi_rd_en)がローレベルであれば、第1のノアゲート(NOR1)及び第2のノアゲート(NOR2)の出力は、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)と無関係にローレベルになる。一方、アクティブ信号(act_pre)がハイレベルであり、リフレッシュ信号(ref)がローレベルであれば、第1のナンドゲート(ND1)はローレベルの信号を出力する。したがって、第3のノアゲート(NOR3)及び第4のノアゲート(NOR4)は、全部ハイレベルの信号を出力することになる。すなわち、アップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)及びダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)は、全部ハイレベルになる。
一方、リフレッシュモードの場合、リフレッシュ信号(ref)がハイレベルにイネーブルされれば、第1のナンドゲート(ND1)はハイレベルの信号を出力することになり、第3のノアゲート(NOR3)及び第4のノアゲート(NOR4)はローレベルの信号を出力することになる。
したがって、マルチ読取り信号(multi_rd_en)がローレベルである場合、アクティブ動作モードにおいて、アップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)及びダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)は全部ハイレベルになり、リフレッシュモードにおいて、アップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)及びダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)は全部ローレベルになる。
反面、マルチ読取り信号(multi_rd_en)がハイレベルであれば、第3のインバータ(IV3)の出力がローレベルであるから、第1のノアゲート(NOR1)及び第2のノアゲート(NOR2)はアップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)により出力信号が変更される。
このとき、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)がハイレベルであれば、第1のノアゲート(NOR1)の出力はハイレベルであり、第2のノアゲート(NOR2)の出力はローレベルである。
したがって、第1のノアゲート(NOR1)の出力を受信して、第3のノアゲート(NOR3)は、アクティブ信号(act_pre)と無関係に、ローレベルのアップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)を出力する。
第2のノアゲート(NOR2)の出力を受信する第4のノアゲート(NOR4)は、アクティブ信号(act_pre)のイネーブル時にハイレベルの信号を出力し、アクティブ信号(act_pre)のディセーブル時にローレベルのダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)を出力する。
また、マルチ読取り信号(multi_rd_en)がハイレベルである場合、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)がローレベルであれば、第1のノアゲート(NOR1)はローレベルの信号を出力し、第2のノアゲート(NOR2)はハイレベルの信号を出力する。よって、第4のノアゲート(NOR4)の出力は、アクティブ信号(act_pre)と無関係にローレベルの信号であり、第3のノアゲート(NOR3)の出力は、アクティブ信号(act_pre)に従う値を有する。
したがって、マルチ読取り信号(multi_rd_en)がイネーブルされると、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)により、第3のノアゲート(NOR3)又は第4のノアゲート(NOR4)の出力の一つがイネーブルされる。
図4は、図1に示すマット選択デコーダ210の詳細回路図である。
マット選択デコーダ210は、マットブロックプリデコーダ211及びメーンデコーダ212を含む。
マット選択デコーダ210は、マットブロックプリデコーダ211及びメーンデコーダ212を含む。
マットブロックプリデコーダ211は、ローアドレス(Xadd<k:p−1>)をプリデコードして、プリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)を出力する。
メーンデコーダ212は、マルチテストモードアクティブ書込み信号(tm_multi_act_wt)及びアップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)により、プリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)を受信してデコードする。
メーンデコーダ212は、マット制御部212−1及びデコード部212−2を含む。
マット制御部212−1は、マルチテストモードアクティブ書込み信号(tm_multi_act_wt)及びアップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)を受信して、アップマット制御信号(ctrl1)及びダウンマット制御信号(ctrl2)を出力する。
デコード部212−2は、プリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)、アップマット制御信号(ctrl1)及びダウンマット制御信号(ctrl2)を受信して、マルチマット選択信号(msb<0:M−1>)を出力する。
マット制御部212−1は、アップマット制御部212−1−1及びダウンマット制御部212−1−2を含む。
アップマット制御部212−1−1は、マルチテストモード時、アップマットが選択されることによりイネーブルされたアップマット制御信号(ctrl1)を出力する。ダウンマット制御部212−1−2は、マルチテストモード時、ダウンマットが選択されることによりイネーブルされたダウンマット制御信号(ctrl2)を出力する。
アップマット制御部212−1−1は、第(M+1)のインバータ(IV(M+1))及び第(M+1)のナンドゲート部(ND(M+1))を含む。
第(M+1)のインバータ(IV(M+1))は、マルチテストモードアクティブ書込み信号(tm_multi_act_wt)を受信して反転させる。第(M+1)のナンドゲート部(ND(M+1))は、第(M+1)のインバータ(IV(M+1))の出力及びアップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)を受信して演算し、アップマット制御信号(ctrl1)を出力する。
ダウンマット制御部212−1−2は、ノアゲート部(NOR1)及びインバータ(IV(M+2))を含む。
ノアゲート部(NOR1)は、マルチテストモードアクティブ書込み信号(tm_multi_act_wt)及びアップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)を受信して演算し、ダウンマット制御信号(ctrl2)を出力する。
デコード部212−2は、アップマットデコード部212−2−1及びダウンマットデコード部212−2−2を含む。
アップマットデコード部212−2−1は、アップマット制御信号(ctrl1)及びプリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)を受信して、デコード信号(msb<0:M/2−1>)を出力する。
ダウンマットデコード部212−2−2は、ダウンマット制御信号(ctrl2)及びプリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)を受信して、デコード信号(msb<M/2:M−1>)を出力する。
アップマットデコード部212−2−1は、アップマット制御信号(ctrl1)がイネーブルされると、プリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)をデコード信号(msb<0:M/2−1>)として出力する。
ダウンマットデコード部212−2−2は、ダウンマット制御信号(ctrl2)がイネーブルされると、プリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)をデコード信号(msb<M/2:M−1>)として出力する。
アップマットデコード部212−2−1は、複数のナンドゲート(ND1〜ND(M/2))及び複数のインバータ(IV1〜IV(M/2))を含む。
複数のナンドゲート(ND1〜ND(M/2))は、プリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)のうち、アップマットに属しているプリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)をそれぞれ受信し、アップマット制御信号(ctrl1)を受信して演算する。
複数のインバータ(IV1〜IV(M/2))は、複数のナンドゲート(ND1〜ND(M/2))の出力を各々受信して反転させ、デコード信号(msb<0:M/2−1>)を出力する。
ダウンマットデコード部212−2−2は、複数のナンドゲート(ND(M/2+1)〜ND(M))及び複数のインバータ(IV(M/2+1)〜IV(M))を含む。
複数のナンドゲート(ND(M/2+1)〜ND(M))は、プリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)のうち、ダウンマットに属しているプリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)を各々受信し、ダウンマット制御信号(ctrl2)を受信して演算する。
複数のインバータ(IV(M/2+1)〜IV(M))は、複数のナンドゲート(ND(M/2+1)〜ND(M))の出力を各々受信して反転させ、デコード信号(msb<M/2:M−1>)を出力する。
図4に示すマット選択デコーダ210の動作を説明すれば、次の通りである。
マルチテスト時、マルチテストモードアクティブ書込み信号(tm_multi_act_wt)はハイレベルになる。これにより、第(M+1)のインバータ(IV(M+1))の出力はローレベルになり、第(M+1)のナンドゲート(ND(M+1))の出力はハイレベルになる。よって、アップマットデコード部212−2−1はプリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)をデコード信号(msb<0:M/2−1>)として出力する。また、第1のノアゲート(NOR1)の出力はローレベルであり、第2のインバータ(IV2)の出力はハイレベルである。これにより、ダウンマットデコード部212−2−2はプリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)をデコード信号(msb<M/2:M−1>)として出力する。よって、マルチテストモードアクティブ書込み信号(tm_multi_act_wt)がハイレベルであるとき、ダウンマットデコード部212−2−2及びアップマットデコード部212−2−1は、全部プリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)をマルチマット選択信号(msb<0:M−1>)として出力する。
第(M+1)のインバータ(IV(M+1))の出力はハイレベルであり、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)がハイレベルであれば、第(M+1)のナンドゲート(ND(M+1))の出力はローレベルであり、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)がローレベルであれば、第(M+1)のナンドゲート(ND(M+1))の出力はハイレベルである。アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)がハイレベルであれば、第(M+1)のナンドゲート(ND(M+1))の出力がローレベルであるから、アップマットデコード部212−2−1はプリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)と無関係に、全部ローレベルのデコード信号(msb<0:M/2−1>)を出力する。アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)がローレベルであれば、第(M+1)のナンドゲート(ND(M+1))の出力がハイレベルであるから、アップマットデコード部212−2−1はプリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)をデコード信号(msb<0:M/2−1>)として出力する。
また、ノーマルモードにおいて、マルチテストモードアクティブ書込み信号(tm_multi_act_wt)がローレベルであり、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)がローレベルであれば、第1のノアゲート(NOR1)の出力はハイレベルであり、第(M+2)のインバータ(IV(M+2))の出力はローレベルである。よって、ダウンマットデコード部212−2−2は、プリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)と無関係に、全部ローレベルのデコード信号(msb<M/2:M−1>)を出力する。マルチテストモードアクティブ書込み信号(tm_multi_act_wt)がローレベルであり、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)がハイレベルであれば、第1のノアゲート(NOR1)の出力はローレベルであり、第(M+2)のインバータ(IV(M+2))の出力はハイレベルである。よって、ダウンマットデコード部212−2−2は、プリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)をデコード信号(msb<M/2:M−1>)として出力する。
すなわち、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)がローレベルであれば、アップマットデコード部212−2−1は、プリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)をデコード信号(msb<0:M/2−1>)として出力し、ダウンマットデコード部212−2−2は、全部ローレベルのデコード信号(msb<M/2:M−1>)を出力する。また、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)がハイレベルであれば、アップマットデコード部212−2−2は、全部ローレベルのデコード信号(msb<0:M/2−1>)を出力し、ダウンマットデコード部212−2−2は、プリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)をデコード信号(msb<M/2:M−1>)として出力する。
したがって、マルチテストモードアクティブ書込み信号(tm_multi_act_wt)がハイレベルであれば、マルチテスト動作が行われるため、アップマットデコード部212−2−1及びダウンマットデコード部212−2−2は、プリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)をマルチマット選択信号(msb<0:M−1>)として出力する。そして、マルチテストモードアクティブ書込み信号(tm_multi_act_wt)がローレベルであれば、ノーマル動作を行い、マット情報アドレス(Xadd<k:p>)及びアップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)に該当するマットをイネーブルさせるための信号をマルチマット選択信号(msb<0:M−1>)として出力する。
図1〜図4に示す半導体集積回路の動作を、図5に示すタイミング図を参照して説明すれば、次の通りである。
マルチテストモードにおいて、アクティブ信号(act_pre)がイネーブルされてアクティブ動作モードに進入する。アクティブ動作時、ワードラインがイネーブルされ、センスアンプがイネーブルされる。マルチテストモードアクティブ書込み信号(tm_multi_act_wt)がイネーブルされる。よって、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)と無関係に、マット選択デコーダ210はプリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)をマルチマット選択信号(msb<0:M−1>)として出力する。例えば、第1のマット及び第(M/2+1)のマットをイネーブルさせるアドレスが入力されたものと仮定すれば、複数のアップマットのうち、プリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)に対応する一つのマットである第1のマットをイネーブルさせるマット選択信号(msb<1>)がイネーブルされ、複数のダウンマットのうち、プリデコード信号(pmsb<0:M/2−1>)に対応する一つのマットである第(M/2+1)のマットをイネーブルさせるマット選択信号(msb<M/2+1>)がイネーブルされる。このとき、2つのマット選択信号(msb<1>)、(msb<M/2+1>)がイネーブルされるため、2つのマット内のワードラインがイネーブルされ、アクティブ動作が行われる。これにより、テスト時間を短縮できる。
その後、読取り動作モードにおいて、まず、第1のマット内のワードラインに対応するセルに載せたデータの読取りが進行される。コラムパルスイネーブル信号(pre_yi_pulse_en)がイネーブルされれば、マルチ読取り信号(multi_rd_en)は、コラムパルスイネーブル信号(pre_yi_pulse_en)によりイネーブルされる。図5に示すマルチ読取り信号生成部110は、コラムパルスイネーブル信号(pre_yi_pulse_en)よりも、幅の広い信号がイネーブルされたマルチ読取り信号(multi_rd_en)を出力する。よって、入出力スイッチ制御信号生成部120は、イネーブルされたマルチ読取り信号(multi_rd_en)を受信して、アップダウンマット情報アドレス(Xadd<p>)により、第1のマットに対応するアップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)はイネーブルされ、第(M/2+1)のマットに対応するダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)はマルチ読取り信号(multi_rd_en)によりローレベルのパルスになる。イネーブルされたアップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)を受信して、アップマットコントロール部310は、イネーブルされた入出力スイッチ信号を出力する。ローレベルのパルスであるダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)を受信して、ダウンマットコントロール部320は、ディセーブルされた入出力スイッチ信号を出力する。よって、第1のマット内のワードラインに対応するセルに載せたデータの読取りにより入出力スイッチが開放されるため、ローカル入出力ラインに伝送され、その後、入出力センスアンプに伝送され、データパッドに伝送される。そして、第(M/2+1)のマット内のワードラインに対応するセルに載せたデータは、入出力スイッチから伝送が遮断され、ローカル入出力ラインに載せない。
第1のマット内のワードラインに対応するセルに載せたデータの読取りが行われた後、第(M/2+1)のマット内のワードラインに対応するセルに載せたデータの読取りが行われ、その実施方法は第1のマットの場合と同様である。
その結果、アクティブモードでは、第1のマットと第(M/2+1)のマットとが同時に活性化されて該当ワードラインが同時に活性化され、ワードラインに載せたデータはセンスアンプにより増幅される。以後、読取り動作モードでは、第1のマット内のデータが先に読取りされ、次に第(M/2+1)のマット内のデータが読取りされる。よって、アクティブ動作時間が短縮され、読取り動作時間は第1のマット及び第(M/2+1)のマットごとに各々必要とする。アクティブ時間が長いテストモードでは、本発明による半導体集積回路は、そのテスト時間を一層短縮できる。
また、読取り動作の後、書込み動作が行われる場合、マルチ読取り信号生成部110は、読取り/書込み区分信号(RDWTB)がローレベルになることで、ローレベルのマルチ読取り信号(multi_rd_en)を出力する。入出力スイッチ制御信号生成部120は、ハイレベルであるアップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)及びダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)を出力する。よって、複数のデータをセルに同時に書き込みしても、アップマット及びダウンマットの入出力スイッチが全部活性化されているため、伝送が可能になる。本発明による半導体集積回路のタイミング図である図5を参照すれば、読取り動作の後、フリーチャージ動作のような別途の動作処理時間なしに直ぐ書込み動作に進行することで、マルチテストによるテスト短縮と共に一層テスト時間が短縮される。
すなわち、読取りテスト時、読取り/書込み区分信号(RDWTB)がハイレベルになることで、マルチテストモードに進入して、読取り動作時、アクティブ動作で同時に活性化されたワードラインの各々に該当するアップマット及びダウンマット内のデータを順次読取りできる。書込みテスト時、読取り/書込み区分信号(RDWTB)がローレベルになることで、マルチテストモードに進入せず、複数のデータを同時に書込みすることになる。書込み動作は従来のように行うことができ、同時に2つのマット内のセルにデータを書込みしてもデータの衝突が発生しないため、マルチテストモードにおいて書込みを行うものよりも、テスト時間を短縮できる。
図6は、本発明が適用された半導体集積回路の一実施例を示す。
図6に示す半導体集積回路は、複数のマット10及び複数のビットラインセンスアンプアレイブロック20、複数の入出力スイッチング部30、マルチモード制御信号生成部100、マルチモードデコーダ200、マットコントロール部300及び入出力センスアンプ40からなる。
図6に示す半導体集積回路は、複数のマット10及び複数のビットラインセンスアンプアレイブロック20、複数の入出力スイッチング部30、マルチモード制御信号生成部100、マルチモードデコーダ200、マットコントロール部300及び入出力センスアンプ40からなる。
マルチモード制御信号生成部100、マルチモードデコーダ200及びマットコントロール部300は、前述した本発明による構成と同様である。よって、本発明による半導体集積回路1000の出力である入出力スイッチ信号(iosw<0:M−1>)、センスアンプイネーブル信号(SA_en<0:M−1>)及びワードラインイネーブル信号(WL_en<0:M−1>)を受信して、入出力スイッチング部30は、入出力スイッチ信号(iosw<0:M−1>)によりターンオンされる。マット内のワードラインは、ワードラインイネーブル信号(WL_en<0:M−1>)により活性化される。ビットラインセンスアンプ20は、センスアンプイネーブル信号(SA_en<0:M−1>)により活性化される。
図7は、図4に示すアップマットコントロール部310及びダウンマットコントロール部320のブロック図である。
アップマットコントロール部310は、第1のアップマットコントロール部311〜第3のアップマットコントロール部313を含む。第1のアップマットコントロール部311は、マルチマット選択信号(msb<0:M/2−1>)及び所定のアドレス信号(pxadd<0:1>)を受信して、ワードラインイネーブル信号(WL_en<0:M/2−1>)を出力する。第2のアップマットコントロール部312は、マルチマット選択信号(msb<0:M/2−1>)を受信して、センスアンプイネーブル信号(SA_en<0:M/2−1>)を出力する。第3のアップマットコントロール部313は、マルチマット選択信号(msb<0:M/2−1>)及びアップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)を受信して、入出力スイッチ信号(iosw<0:M/2−1>)を出力する。
ダウンマットコントロール部320は、第1のダウンマットコントロール部321〜第3のダウンマットコントロール部323を含む。第1のダウンマットコントロール部321は、マルチマット選択信号(msb<M/2:M−1>)及び所定のアドレス信号(pxadd<0:1>)を受信して、ワードラインイネーブル信号(WL_en<M/2:M−1>)を出力する。第2のダウンマットコントロール部322は、マルチマット選択信号(msb<M/2:M−1>)を受信して、センスアンプイネーブル信号(SA_en<M/2:M−1>)を出力する。第3のダウンマットコントロール部323は、マルチマット選択信号(msb<M/2:M−1>)及びダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)を受信して、入出力スイッチ信号(iosw<M/2:M−1>)を出力する。
図8は、図7に示す第3のアップマットコントロール部313及び第3のダウンマットコントロール部323の詳細回路図である。
第3のアップマットコントロール部313は、第1のナンドゲート(ND1)及び第1のインバータ(IV1)〜第3のインバータ(IV3)を含み、入出力スイッチ信号(iosw<0:M/2−1>)を出力できる。第1のインバータ(IV1)は、マルチマット選択信号(msb<0:M/2−1>)を受信して反転させる。第1のナンドゲート(ND1)は、アップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)及び第1のインバータ(IV1)の出力を受信して演算する。第2のインバータ(IV2)は、第1のナンドゲート(ND1)の出力を受信して反転させる。第3のインバータ(IV3)は、第2のインバータ(IV2)の出力を受信して反転させ、アップマットに該当する入出力スイッチ信号(iosw<0:M/2−1>)を出力する。アップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)がローレベルになれば、マルチマット選択信号(msb<0:M/2−1>)と無関係に、アップマットに該当する入出力スイッチ信号(iosw<0:M/2−1>)はハイレベルに固定され、アップマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_up)がハイレベルになれば、マルチマット選択信号(msb<0:M/2−1>)がハイレベルであればアップマットに該当する入出力スイッチ信号(iosw<0:M/2−1>)はハイレベルになり、マルチマット選択信号(msb<0:M/2−1>)がローレベルであればアップマットに該当する入出力スイッチ信号(iosw<0:M/2−1>)はローレベルになる。
また、第3のダウンマットコントロール部323は、第2のナンドゲート(ND2)及び第4のインバータ(IV4)〜第6のインバータ(IV6)を含み、入出力スイッチ信号(iosw<M/2:M−1>)を出力できる。第4のインバータ(IV4)は、マルチマット選択信号(msb<M/2:M−1>)を受信して反転させる。第2のナンドゲート(ND2)は、ダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)及び第4のインバータ(IV4)の出力を受信して演算する。第5のインバータ(IV5)は、第2のナンドゲート(ND2)の出力を受信して反転させる。第6のインバータ(IV6)は、第5のインバータ(IV5)の出力を受信して反転させ、ダウンマットに該当する入出力スイッチ信号(iosw<M/2:M−1>)を出力する。第3のダウンマットコントロール部323も、第3のアップマットコントロール部313と同様に、ダウンマット入出力スイッチ制御信号(iosw_en_dn)及びマルチマット選択信号(msb<M/2:M−1>)により、ダウンマットに該当する入出力スイッチ信号(iosw<M/2:M−1>)が活性化又は非活性化される。
また、本実施例では、同時に2つのマットが活性化されてテストが行われる場合として説明したが、2つ以上のマットが同時に活性化されてテストが行われる場合も可能である。
すなわち、本発明による半導体集積回路は、2つのマットを同時に活性化させる場合、テスト時間を2分の1に減少でき、4つのマットを同時に活性化させる場合、テスト時間を4分の1に減少できる。
なお、本発明の詳細な説明では具体的な実施例について説明したが、本発明の要旨から逸脱しない範囲内で多様に変形・実施が可能である。よって、本発明の範囲は、前述の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載及びこれと均等なものに基づいて定められるべきである。
100…マルチモード制御信号生成部
200…マルチモードデコーダ
211…マットブロックプリデコーダ
212…メーンデコーダ
300…マットコントロール部
200…マルチモードデコーダ
211…マットブロックプリデコーダ
212…メーンデコーダ
300…マットコントロール部
Claims (30)
- マルチテストモード信号及び読取り/書込み区分信号により、アップダウンマット内の入出力スイッチを制御するアップダウンマット入出力スイッチ制御信号の活性化の可否を制御するマルチモード制御信号生成部と、
マルチテストモードアクティブ書込み信号により、複数のマットを同時に活性化させるためのマルチマット選択信号を出力するマルチモードデコーダと、
前記アップダウンマット入出力スイッチ制御信号及び前記マルチマット選択信号により、ワードライン及び入出力スイッチをイネーブルさせるマットコントローラーと
を含むことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記マルチモード制御信号生成部は、
前記マルチテストモード信号がイネーブルされ、前記読取り/書込み区分信号が第1のレベルになれば、アップダウンマット情報アドレスに応じて前記アップダウンマット入出力スイッチ制御信号であるアップマット入出力スイッチ制御信号及びダウンマット入出力スイッチ制御信号の一つをイネーブルさせ、
前記読取り/書込み区分信号が第2のレベルになれば、前記アップダウンマット情報アドレスと無関係に、前記アップマット入出力スイッチ制御信号及び前記ダウンマット入出力スイッチ制御信号を全部イネーブルさせることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。 - 前記マルチモードデコーダは、前記マルチテストモードアクティブ書込み信号が活性化されれば、ローアドレスに該当するアップマットの一つを制御するマルチマット選択信号と、ダウンマットの一つを制御するマルチマット選択信号とを同時に活性化させることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
- 前記マルチモード制御信号生成部は、前記アップダウンマット情報アドレス及びアクティブ信号を受信して、前記読取り/書込み区分信号、前記マルチテストモード信号及びコラムパルスイネーブル信号により制御され、前記アップダウンマット入出力スイッチ制御信号を出力することを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路。
- 前記マルチモードデコーダは、前記マルチテストモードアクティブ書込み信号により、前記ローアドレスを受信してデコードし、前記マルチマット選択信号及び所定のアドレス信号を出力することを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路。
- 前記アップダウンマット入出力スイッチ制御信号は、アップマット入出力スイッチ制御信号及びダウンマット入出力スイッチ制御信号を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
- 前記マットコントローラーは、
前記アップマット入出力スイッチ制御信号及び前記マルチマット選択信号により、前記アップマットの一つのマット内の入出力スイッチをイネーブルさせる信号を出力するアップマットコントロール部と、
前記ダウンマット入出力スイッチ制御信号及び前記マルチマット選択信号により、前記ダウンマットの一つのマット内の入出力スイッチをイネーブルさせる信号を出力するダウンマットコントロール部と
を含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体集積回路。 - 前記アップマットコントローラーは、前記アップマットの一つのマット内のワードラインをイネーブルさせるワードラインイネーブル信号と、アップマットの一つのマット内のセンスアンプをイネーブルさせるセンスアンプイネーブル信号とを出力することを特徴とする請求項7に記載の半導体集積回路。
- 前記ダウンマットコントローラーは、前記ダウンマットの一つのマット内のワードラインをイネーブルさせるワードラインイネーブル信号と、ダウンマットの一つのマット内のセンスアンプをイネーブルさせるセンスアンプイネーブル信号とを出力することを特徴とする請求項7に記載の半導体集積回路。
- 前記マルチモード制御信号生成部は、
前記読取り/書込み区分信号、前記マルチテストモード信号及び前記コラムパルスイネーブル信号を受信して、マルチ読取り信号を出力するマルチ読取り信号生成部と、
前記アップダウンマット情報アドレス信号及び前記アクティブ信号により前記マルチ読取り信号を受信して、前記アップダウンマット入出力スイッチ制御信号を出力する入出力スイッチ制御信号生成部と
を含むことを特徴とする請求項4に記載の半導体集積回路。 - 前記マルチ読取り信号生成部は、前記コラムパルスイネーブル信号がイネーブルされれば、イネーブルされた前記マルチ読取り信号を出力することを特徴とする請求項10に記載の半導体集積回路。
- 前記マルチ読取り信号生成部は、前記マルチテストモード信号及び前記読取り/書込み区分信号がイネーブルされれば、前記コラムパルスイネーブル信号がイネーブルされるときにイネーブルされた前記マルチ読取り信号を出力し、前記読取り/書込み区分信号がディセーブルされれば、ディセーブルされた前記マルチ読取り信号を出力するように構成されることを特徴とする請求項11に記載の半導体集積回路。
- 前記マルチ読取り信号生成部は、
前記マルチテストモード信号及び前記読取り/書込み区分信号を受信して演算する第1のナンドゲート部と、
前記第1のナンドゲート部の出力を受信して反転させる反転素子と、
前記反転素子の出力及び前記コラムパルスイネーブル信号を受信して演算する第2のナンドゲート部と、
前記第2のナンドゲート部の出力を遅延させる遅延部と、
前記第2のナンドゲート部の出力及び前記遅延部の出力を受信して演算し、前記マルチ読取り信号を出力する第3のナンドゲート部と
を含むことを特徴とする請求項12に記載の半導体集積回路。 - 前記入出力スイッチ制御信号生成部は、
前記アクティブ信号及びリフレッシュ信号を受信して演算するアクティブ駆動部と、
アップダウンマット情報アドレス及び前記マルチ読取り信号を受信して演算するマルチテスト制御部と、
前記アクティブ駆動部の出力及び前記マルチテスト制御部の出力を受信して、前記アップマット入出力スイッチ制御信号及び前記ダウンマット入出力スイッチ制御信号を出力する出力部と
を含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体集積回路。 - 前記アクティブ駆動部は、
前記リフレッシュ信号を反転させる第1のインバータと、
前記アクティブ信号及び前記第1のインバータの出力を受信して演算するナンドゲートと、
を含むことを特徴とする請求項14に記載の半導体集積回路。 - 前記マルチテスト制御部は、
前記アップダウンマット情報アドレスを受信して反転させる第2のインバータと、
前記マルチ読取り信号を受信して反転させる第3のインバータと、
前記第2のインバータの出力及び前記第3のインバータの出力を受信して演算する第1のノアゲートと、
前記アップダウンマット情報アドレス及び前記第3のインバータの出力を受信して演算する第2のノアゲートと
を含むことを特徴とする請求項15に記載の半導体集積回路。 - 前記出力部は、前記第1のノアゲートの出力及び前記第2のノアゲートの出力を受信して演算する複数のノアゲートを含むことを特徴とする請求項16に記載の半導体集積回路。
- 前記マルチモードデコーダは、
前記マルチテストモードアクティブ書込み信号により、前記ローアドレスのうち、マット情報アドレスを受信してデコードし、前記マルチマット選択信号を出力するマット選択デコーダと、
前記アクティブ信号により、前記ローアドレスのうち、前記マット情報アドレスを除いたアドレスを受信してデコードし、所定のアドレス信号を出力するアドレスデコーダを含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体集積回路。 - 前記マット選択デコーダは、
前記マット情報アドレスのうち、前記アップダウンマット情報アドレスを除いたアドレスをプリデコードし、プリデコード信号を出力するマットブロックプリデコーダと、
前記マルチテストモードアクティブ書込み信号及び前記アップダウンマット情報アドレスにより、前記プリデコード信号を受信してデコードするメーンデコーダと
を含むことを特徴とする請求項18に記載の半導体集積回路。 - 前記メーンデコーダは、
前記マルチテストモードアクティブ書込み信号及び前記アップダウンマット情報アドレスを受信して、アップマット制御信号及びダウンマット制御信号を出力するマット制御部と、
前記プリデコード信号、前記アップマット制御信号及び前記ダウンマット制御信号を受信して、デコード信号を出力するデコード部と
を含むことを特徴とする請求項19に記載の半導体集積回路。 - 前記マット制御部は、
マルチテストモード時、アップマットが選択されることによりイネーブルされたアップマット制御信号を出力するアップマット制御部と、
前記マルチテストモード時、ダウンマットが選択されることによりイネーブルされたダウンマット制御信号を出力するダウンマット制御部と
を含むことを特徴とする請求項20に記載の半導体集積回路。 - 前記アップマット制御部は、
前記マルチテストモードアクティブ書込み信号を受信して反転させる第1のインバータと、
前記第1のインバータの出力及び前記アップダウンマット情報アドレスを受信して演算し、前記アップマット制御信号を出力する第1のナンドゲート部を含むことを特徴とする請求項21に記載の半導体集積回路。 - 前記ダウンマット制御部は、前記マルチテストモードアクティブ書込み信号及び前記アップダウンマット情報アドレスを受信して演算し、前記ダウンマット制御信号を出力するノアゲート部を含むことを特徴とする請求項22に記載の半導体集積回路。
- 前記デコード部は、
前記アップマット制御信号及び前記プリデコード信号を受信して、アップマット選択信号を出力するアップマットデコード部と、
前記ダウンマット制御信号及び前記プリデコード信号を受信して、ダウンマット選択信号を出力するダウンマットデコード部と
を含むことを特徴とする請求項21に記載の半導体集積回路。 - 前記アップマットデコード部は、前記アップマット制御信号がイネーブルされれば、前記アップマットに属しているプリデコード信号をデコード信号として出力することを特徴とする請求項24に記載の半導体集積回路。
- 前記ダウンマットデコード部は、前記ダウンマット制御信号がイネーブルされれば、前記ダウンマットに属しているプリデコード信号をデコード信号として出力することを特徴とする請求項24に記載の半導体集積回路。
- 前記アップマットデコード部は、
前記プリデコード信号のうち、前記アップマットに属しているプリデコード信号を各々受信し、前記アップマット制御信号を受信して演算する複数のナンドゲートと、
前記複数のナンドゲートの出力を各々受信して反転させ、前記デコード信号を出力する複数のインバータと
を含むことを特徴とする請求項25に記載の半導体集積回路。 - 前記ダウンマットデコード部は、
前記プリデコード信号のうち、前記ダウンマットに属しているプリデコード信号を各々受信し、前記ダウンマット制御信号を受信して演算する複数のナンドゲートと、
前記複数のナンドゲートの出力を各々受信して反転させ、前記デコード信号を出力する複数のインバータと
を含むことを特徴とする請求項25に記載の半導体集積回路。 - アクティブモードにおいて、複数のアップマット及び複数のダウンマットの各々少なくとも一つのマットを同時に活性化させ、読取り動作時に活性化されたマットの情報を順次読取りし、書込み動作時に活性化されたマットの情報を同時に書込みするように制御信号を生成するマルチモード制御信号生成部を備えることを特徴とする半導体集積回路。
- 前記マルチモード制御信号生成部は、前記読取り及び書込み動作時、互いに異なる位相を示す読取り/書込み区分信号を受信して、前記読取り及び書込み動作時、それぞれ異なる位相の制御信号を出力するように構成されることを特徴とする請求項29に記載の半導体集積回路。
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