JP2009186705A - Inspection method of electro-optic device and inspection device of electro-optic device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、対向して貼り合わされた一対の大判基板から切り出される電気光学装置の検査方法及び電気光学装置の検査装置に関する。 The present invention relates to an inspection method for an electro-optical device cut out from a pair of large substrates bonded together and an inspection device for an electro-optical device.
電気光学装置の一例としての透過型の液晶表示装置は、ガラス、石英等からなる一対の透光性を有する基板間に液晶を挟持してなる。例えば、液晶表示装置が一対のガラス基板を具備して構成される場合、この液晶表示装置に用いられるガラス基板は、液晶表示装置の最終的な大きさに比較してより大きい1枚の大判基板から切り出されることにより形成されることがある。 A transmissive liquid crystal display device as an example of an electro-optical device includes a liquid crystal sandwiched between a pair of translucent substrates made of glass, quartz, or the like. For example, when the liquid crystal display device is configured to include a pair of glass substrates, the glass substrate used in the liquid crystal display device is one large-sized substrate that is larger than the final size of the liquid crystal display device. It may be formed by cutting out from.
例えば、特開2005−266684号公報やWO 2003/006391号公報に開示されているように、一対の基板間に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置の製造方法として、一対の大判基板を貼り合わせて両大判基板間に電気光学物質を挟持した後に、この貼り合わされた状態の一対の大判基板を分断する、いわゆる大判貼り合わせ方式が知られている。 For example, as disclosed in JP 2005-266684 A and WO 2003/006391, as a method for manufacturing an electro-optical device in which an electro-optical material is sandwiched between a pair of substrates, a pair of large-sized substrates is used. There is known a so-called large-size bonding method in which an electro-optic material is sandwiched between two large-sized substrates and then the paired large-sized substrates are separated.
また、大判ガラス基板を分断して所定の大きさに切り出す方法として、スクライブ法が知られている。スクライブ法は、スクライブ刃の刃先やレーザ光によりガラス表面に線状の傷(スクライブライン)をつけ、この傷とは反対側のガラス表面を冶具により押圧することでガラスに曲げ応力を与えることにより、傷を基点とした厚さ方向のクラックを生じさせてガラスを分断するものである。 A scribing method is known as a method of cutting a large glass substrate into a predetermined size. In the scribing method, a linear flaw (scribe line) is made on the glass surface by the edge of the scribe blade or laser light, and the glass surface opposite to the flaw is pressed with a jig to give bending stress to the glass. The glass is divided by generating cracks in the thickness direction starting from scratches.
スクライブ法は、大判ガラス基板が大型化し分断する距離が長くても、他の方法に比して短時間で実行することが可能であることから、電気光学装置の製造工程において多く採用されている。
スクライブ法による大判ガラスの分断方法は、他のダイシングやエッチングによりガラスを分断する方法に比して、スクライブラインの形成条件や、ガラスを冶具により押圧する圧力の条件等にばらつきがでやすいため、割れ残りが発生する可能性がある。 The method of dividing large-sized glass by the scribe method is more likely to vary in the scribe line formation conditions, the pressure conditions of pressing the glass with a jig, etc., compared to other methods of dividing the glass by dicing or etching. Crack residue may occur.
しかしながら、一対の大判基板を貼り合わせたものの一方の大判基板を分断したときに割れ残りが発生してしまった場合、他方の大判基板はまだ分断されていないことから、一方の基板は分断されていても分断されていなくても分離せず見かけが同じため、割れ残りを検出することが困難であった。 However, when a pair of large-sized substrates are bonded together but cracks remain when one large-sized substrate is divided, the other large-sized substrate is not yet divided, so that one substrate is divided. Even if it is not divided, it is difficult to detect the remaining crack because it is not separated and has the same appearance.
一方の基板に割れ残りが存在したまま他方の基板のスクライブ法による分断を行ってしまうと、分断位置の精度が悪化し不良発生の原因となる。 If the other substrate is divided by the scribing method with a crack remaining on one of the substrates, the accuracy of the dividing position is deteriorated, causing a defect.
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、一対の大判基板が貼り合わされたものから電気光学装置を切り出す場合において、一方の大判基板を分断した後に、該一方の大判基板に割れ残りが存在するか否かを正確に検出することが可能な電気光学装置の検査方法及び電気光学装置の検査装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and in the case where an electro-optical device is cut out from a pair of large substrates bonded together, after one large substrate is divided, the one large substrate is cracked. It is an object of the present invention to provide an inspection method for an electro-optical device and an inspection device for an electro-optical device capable of accurately detecting whether or not there is a remainder.
本発明に係る電気光学装置の検査方法は、第1の基板と第2の基板とが貼り合わされてなる電気光学装置を、前記第1の基板が複数構成された第1の大判基板と、前記第2の基板が複数形成された第2の大判基板とが貼り合わされてなる大判貼り合わせ基板を、所定の複数の分断予定線に沿って分断することで得る電気光学装置の検査方法であって、前記大判貼り合わせ基板の第1の大判基板と及び第2の大判基板のいずれか一方を前記所定の複数の分断予定線に沿って分断する第1の分断工程の後に、前記大判貼り合わせ基板の反り形状を測定し、該反り形状に基づいて、前記第1の分断工程における割れ残りが存在するか否かを判定することを特徴とする。 According to an inspection method for an electro-optical device according to the present invention, an electro-optical device in which a first substrate and a second substrate are bonded together, a first large-sized substrate including a plurality of the first substrates, and the An inspection method for an electro-optical device, which is obtained by dividing a large-sized bonded substrate formed by bonding a plurality of second substrates formed with a plurality of second substrates along a plurality of predetermined dividing lines. The large-sized bonded substrate after the first dividing step of dividing one of the first large-sized substrate and the second large-sized substrate along the predetermined plurality of dividing lines. It is characterized by measuring the warp shape and determining based on the warp shape whether there is any remaining crack in the first dividing step.
また、本発明に係る電気光学装置の検査装置は、第1の基板と第2の基板とが貼り合わされてなる電気光学装置を、前記第1の基板が複数構成された第1の大判基板と、前記第2の基板が複数形成された第2の大判基板とが貼り合わされてなる大判貼り合わせ基板を、所定の複数の分断予定線に沿って分断することで得る電気光学装置の検査装置であって、前記大判貼り合わせ基板の第1の大判基板と及び第2の大判基板のいずれか一方を前記所定の複数の分断予定線に沿って分断する第1の分断工程の後に、前記大判貼り合わせ基板の反り形状を測定し、該反り形状に基づいて、前記第1の分断工程における割れ残りが存在するか否かを判定することを特徴とする。 The inspection apparatus for an electro-optical device according to the present invention includes an electro-optical device in which a first substrate and a second substrate are bonded together, and a first large-sized substrate in which a plurality of the first substrates are configured. An inspection apparatus for an electro-optical device obtained by dividing a large-sized bonded substrate formed by bonding a second large-sized substrate on which a plurality of the second substrates are formed along a plurality of predetermined dividing lines. Then, after the first dividing step of dividing one of the first large-sized substrate and the second large-sized substrate of the large-sized bonded substrate along the predetermined plurality of dividing lines, the large-sized bonding is performed. The warping shape of the laminated substrate is measured, and based on the warping shape, it is determined whether or not there is a remaining crack in the first dividing step.
本発明のこのような構成によれば、第1の大判基板の割れ残りを検出することが可能となる。 According to such a configuration of the present invention, it is possible to detect the remaining crack of the first large-sized substrate.
また、本発明は、前記大判貼り合わせ基板の反り形状の測定は、全ての前記所定の複数の分断予定線に交差する直線上において行うことが好ましい。 Further, in the present invention, it is preferable that the measurement of the warped shape of the large-sized bonded substrate is performed on a straight line that intersects all the predetermined plurality of dividing lines.
このような構成によれば、一つの直線状においてのみ大判貼り合わせ基板の反り形状を測定すればよく、検査にかかる時間を短縮することが可能となる。 According to such a configuration, it is only necessary to measure the warped shape of the large-sized bonded substrate in only one straight line, and it is possible to reduce the time required for inspection.
また、本発明は、前記所定の複数の分断予定線は、複数の第1の分断予定線と、該第1の分断予定線に直交する複数の第2の分断予定線とからなり、前記大判貼り合わせ基板の反り形状の測定は、少なくとも全ての前記第1の分断予定線に交差する直線と、少なくとも全ての前期第2の分断予定線に交差する直線との2つの直線上において行うことを特徴とする。 In the present invention, the predetermined plurality of planned dividing lines include a plurality of first divided planned lines and a plurality of second divided planned lines orthogonal to the first divided planned lines. The measurement of the warped shape of the bonded substrate is performed on at least two straight lines, ie, a straight line intersecting all of the first planned dividing lines and a straight line intersecting at least all the second planned dividing lines. Features.
このような構成によれば、大判貼り合わせ基板から行列状に電気光学装置が切り出される場合において、直交する2つの分断予定線における割れ残りを検出することが可能となる。 According to such a configuration, when the electro-optical device is cut out in a matrix form from the large-sized bonded substrate, it is possible to detect the remaining cracks in two orthogonal planned dividing lines.
また、本発明は、前記大判貼り合わせ基板の反り形状と、前記前記大判貼り合わせ基板の反り形状を近似する2次曲線との差が所定の値以上である場合に、前記第1の分断工程における割れ残りが存在すると判定することを特徴とする。 Further, the present invention provides the first dividing step when a difference between a warped shape of the large-sized bonded substrate and a quadratic curve approximating the warped shape of the large-sized bonded substrate is a predetermined value or more. It is characterized in that it is determined that there is a remaining crack in.
このような構成によれば、定量的に第1の大判基板の割れ残りを検出することが可能となり、分断時の不良発生を防止することが可能となる。 According to such a configuration, it is possible to quantitatively detect the remaining cracks of the first large-sized substrate, and it is possible to prevent the occurrence of defects during division.
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下に説明する実施形態は、本発明を、電気光学装置としての透過型の液晶表示装置の製造工程に用いられる検査方法及び検査装置に適用したものである。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the embodiments described below, the present invention is applied to an inspection method and an inspection apparatus used in a manufacturing process of a transmissive liquid crystal display device as an electro-optical device.
なお、以下の説明に用いた各図においては、各構成要素を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各構成要素毎に縮尺を異ならせてあるものであり、本発明は、これらの図に記載された構成要素の数量、構成要素の形状、構成要素の大きさの比率、及び各構成要素の相対的な位置関係のみに限定されるものではない。 In each drawing used for the following description, the scale is different for each component in order to make each component large enough to be recognized on the drawing. It is not limited only to the quantity of the component described in the figure, the shape of the component, the ratio of the size of the component, and the relative positional relationship of each component.
まず、本実施形態に係る電気光学装置の構成について、図1、図2及び図3を参照して説明する。本実施形態では、電気光学装置の一例として駆動回路内蔵型のTFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶パネルを例にとる。 First, the configuration of the electro-optical device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 3. In this embodiment, as an example of an electro-optical device, a transmissive liquid crystal panel of a TFT (Thin Film Transistor) active matrix driving system with a built-in driving circuit is taken as an example.
図1はTFTアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。図2は、図1のH−H'断面図である。図3は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。 FIG. 1 is a plan view of an electro-optical device in which a TFT array substrate is viewed from the side of a counter substrate together with each component configured thereon. 2 is a cross-sectional view taken along the line HH ′ of FIG. FIG. 3 is an equivalent circuit of various elements, wirings, and the like in a plurality of pixels formed in a matrix that forms an image display region of the electro-optical device.
図1及び図2に示すように、本実施形態に係る電気光学装置100は、対向して配設された一対の基板であるTFTアレイ基板10(第1の基板)と対向基板20(第2の基板)との間に、電気光学物質である液晶50が挟持されてなる。TFTアレイ基板10及び対向基板20は、ガラス、石英、透光性セラミック等からなる透光性を有する略矩形状の平板である。TFTアレイ基板10と対向基板20とは、画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられた枠状のシール材52により相互に接着されて貼り合わせられている。シール材52中には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間隔を所定値とするためのグラスファイバあるいはガラスビーズ等のギャップ材が分散して配設されている。液晶50は、シール材52とTFTアレイ基板10と対向基板20とに囲まれた領域に充填されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the electro-
本実施形態では、TFTアレイ基板10は、平面的に見て対向基板20よりも大きい形状を有して形成されている。ここで、平面的に見る視点とは、電気光学装置100を、TFTアレイ基板10の法線と平行であり、かつ対向基板20の側から見た視点であり、図1と同様の視点のことを指す。図1及び図2に示すように、TFTアレイ基板10と対向基板20とを、シール材52を介して位置決めして貼り合せた状態において、TFTアレイ基板10は、平面的に見て一辺に沿う領域が対向基板20よりも外側に張り出した張出し部110を有している。
In the present embodiment, the
TFTアレイ基板10のシール材52が配置されたシール領域の外側に位置し、かつ張出し部110が形成された一辺に沿う領域内には、データ線駆動回路101及び外部導通端子102(導通端子部)が設けられている。
The data
外部導通端子102は、TFTアレイ基板10の張出し部110の液晶50側の表面上に露出して形成されている。外部導通端子102は、パターニングされた導電性を有する膜により形成されており、電気光学装置100と外部装置とを電気的に接続する目的を有している。外部導通端子102の最表面部は、例えばAl(アルミニウム)もしくはITO(Indium Tin Oxide)からなる導電性の膜により構成されている。
The
なお、外部導通端子102は、本実施例に限らず、他に例えば、Ti(チタン)、Cr(クロム)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)、Cu(銅)、Au(金)等を含む金属単体、合金及び金属シリサイドや、ポリシリコン等からなる導電層、またこれらを積層したものによって構成されてもよい。
The
例えば、図示しないが、外部導通端子102上に、フレキシブルプリント基板を異方性導電接着剤等を介して接続することによって、該フレキシブルプリント基板を介して、電気光学装置100と電気光学装置100を制御する制御回路等の外部装置との電気的接続が行われる。
For example, although not illustrated, the electro-
枠状のシール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの辺縁としての額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。すなわち、本実施形態の電気光学装置10では、画像表示領域10aの中心から見て、この額縁遮光膜53より以遠が非表示領域として規定されている。なお、このような額縁遮光膜53の一部又は全部は、TFTアレイ基板10側に設けられるものであってもよい。
A light-shielding frame light-
走査線駆動回路104は、張出し部110が形成された一辺に隣接する2辺に沿い、かつ額縁遮光膜53に覆われた領域内に設けられている。また、TFTアレイ基板10の張出し部110が形成された一辺に対向する辺に沿い、かつ額縁遮光膜53に覆われた領域には、複数の配線105が設けられている。該配線105によって、二つの走査線駆動回路104は、互いに電気的に接続されている。
The scanning
また、対向基板20のコーナー部の少なくとも一箇所は、TFTアレイ基板10と対向基板20との電気的接続を行う上下導通端子として機能する上下導通材106が配置されている。他方、TFTアレイ基板10にはこれらの上下導通材106に対応する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材106と上下導通端子を介して、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な接続が行われる。
Further, at least one corner portion of the
TFTアレイ基板10の液晶50側の表面上であり、かつ画像表示領域10a内の領域には、図示しないが走査線及びデータ線等の配線、及び走査線及びデータ線の交差に対応して設けられた画素スイッチング用の素子であるTFTが積層構造を有して形成されている。図2に示すように、TFTアレイ基板10の液晶50側の表面上には、TFTに対応して複数の画素電極9aが形成されており、さらに画素電極9a上には配向膜16が形成されている。
Although not shown in the figure, on the surface of the
配向膜16は、有機材料又は無機材料からなり液晶50の配向状態を規制する膜である。配向膜16が有機材料により構成される場合、配向膜16は、例えばポリイミドからなる樹脂膜にラビング処理を施すことにより形成される。また配向膜16が無機材料により構成される場合、配向膜16は、例えばSiO2、SiO、MgF2等の無機材料によって構成され、TFTアレイ基板10の液晶50側の表面に対し所定の角度をもってSiO2、SiO、MgF2等の無機材料を蒸着する、いわゆる斜方蒸着法によって形成される。
The
他方、対向基板20の液晶50側の表面上には、対向電極21の他、格子状又はストライプ状の遮光膜23、更には最上層部分に配向膜22が形成されている。配向膜22は、配向膜16と同様に、有機材料又は無機材料からなり液晶50の配向状態を規制する膜である。配向膜22が有機材料により構成される場合、配向膜22は、例えばポリイミドからなる樹脂膜にラビング処理を施すことにより形成される。また配向膜22が無機材料により構成される場合、配向膜22は、例えばSiO2、SiO、MgF2等の無機材料によって構成され、TFTアレイ基板10の液晶50側の表面に対し所定の角度をもってSiO2、SiO、MgF2等の無機材料を蒸着する、いわゆる斜方蒸着法によって形成される。
On the other hand, on the surface of the
液晶50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜16及び22の間で、所定の配向状態をとる。
The
次に、図3を参照して、上述した電気光学装置100の電気的な構成について説明する。図3に示すように、本実施形態における電気光学装置100の画像表示領域10aを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極9aと当該画素電極9aをスイッチング制御するためのTFT30とが形成されている。
Next, the electrical configuration of the electro-
TFT30のゲート3aには、走査線11aが電気的に接続されている。走査線11aには、走査線駆動回路104により、走査信号G1、G2、…、Gmが、所定のタイミングで順次供給される。走査線11aを介してゲート3aに走査信号が供給されることにより、当該走査線11aに電気的に接続された複数のTFT30はON状態となる。
The
TFT30のソースには、画像信号が供給されるデータ線6aが電気的に接続されており、TFT30のドレインには、画素電極9aが電気的に接続されている。データ線6aには、データ線駆動回路101により、画像信号S1、S2、…、Snが、所定のタイミングで順次供給される。ここで、データ線6aに供給される画像信号S1、S2、…、Snは、走査信号が供給されることによってON状態となったTFT30に電気的に接続された画素電極9aに書き込むべき所定レベルの電位を有する信号である。
A data line 6 a to which an image signal is supplied is electrically connected to the source of the
画像信号S1、S2、…、Snが書き込まれた画素電極9aと、対向基板に形成された対向電極21との間の電位差、すなわち液晶50に印加される電圧に応じて、液晶50の分子集合の配向や秩序が変化する。これにより、液晶50を透過する光が変調され、当該画素における階調表示が可能となる。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加される。
In accordance with the potential difference between the
また各画素における画像信号の保持時間を長くするために、画素電極9aには、蓄積容量70の一方の電極が電気的に接続される。該蓄積容量70の他方の電極は、走査線11aに並んで設けられ所定の電位とされた容量配線400に電気的に接続されている。
In addition, one electrode of the
なお、上述したTFTアレイ基板10上には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置100の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
On the
以下に、上述した構成を有する本実施形態の電気光学装置100の製造方法を図4から図13を参照して説明する。
A method for manufacturing the electro-
図4は、大判基板から電気光学装置を切り出す前の状態を説明する図である。図5は、電気光学装置の製造工程を説明するフローチャートである。図6から図11は、図4におけるVI−VI断面について各工程を順を追って説明する図である。 FIG. 4 is a diagram illustrating a state before the electro-optical device is cut out from the large-sized substrate. FIG. 5 is a flowchart for explaining a manufacturing process of the electro-optical device. 6 to 11 are diagrams for explaining each step in order with respect to the VI-VI cross section in FIG. 4.
なお、各図中おいて、本実施形態の電気光学装置100の製造工程における重力の方向は特に示していない。すなわち、各図における各構成要素の配置はそれぞれの相対的な位置関係を示すものであり、重力中における上下関係を示すものではない。
In each drawing, the direction of gravity in the manufacturing process of the electro-
本実施形態に係る電気光学装置100は、複数の電気光学装置100となる構成要素が一体に形成された後にそれぞれ個片に分断されることで形成される。すなわち、電気光学装置100は、一対の大判基板が貼り合わせられた大判貼り合わせ基板から多面取りを行う方法により形成される。
The electro-
概略的には、大判貼り合わせ基板60は、図4に示すように、第1の大判基板であるマザー基板35上に複数のTFTアレイ基板10を構成する積層構造を行列状に連なった状態で形成し、また同様に第2の大判基板である対向側マザー基板40上に複数の対向基板20を構成する積層構造を行列状に形成し、このマザー基板35と対向側マザー基板40とをシール材52を介して貼り合わせることにより形成される。
Schematically, as shown in FIG. 4, the large-sized bonded
本実施形態では、マザー基板35は、オリエンテーションフラット(Orientation Flat:以下オリフラと略称する)35cを有するウェハ状の略円板形状を有する。以下の説明においては、マザー基板35の対向側マザー基板40と対向する面上においてオリフラ35cと平行な軸をX軸とし、また当該面上において該X軸と直交する軸をY軸とする。また、X軸及びY軸に直交する軸をZ軸とする。
In the present embodiment, the
マザー基板35上に形成される複数の積層構造10bは、マザー基板35の対向側マザー基板に対向する面上においてX軸及びY軸に沿う行列状に配列される。
The plurality of
そして、複数のTFTアレイ基板10の外形に沿うようにX軸と略平行に延在する複数の第1の分断予定線130と、同様にTFTアレイ基板10の外形に沿うようにY軸と略平行に延在する複数の第2の分断予定線140とにおいて、マザー基板35及び対向側マザー基板40の双方を分断することで、上述した電気光学装置100が切り出される。
Then, a plurality of
なお、本実施形態では、マザー基板35及び対向側マザー基板40は略円板形状のものとしているが、マザー基板35及び対向側マザー基板40の形状はこの形状に限られるものではない。例えば、矩形状の平板によりマザー基板35及び対向側マザー基板40の少なくとも一方が構成されるものであってもよい。
In this embodiment, the
以下に、本実施形態に係る電気光学装置100の製造方法の詳細を図5のフローチャートに沿って説明する。
Details of the method for manufacturing the electro-
まず、ステップS01において、図6に示すように、マザー基板35の一方の面上に、複数の積層構造10bを、行及び列方向にそれぞれ所定の間隔で行列状に配列して形成する積層構造形成工程を実施する。
First, in step S01, as shown in FIG. 6, a laminated structure in which a plurality of
ここで積層構造10bは、上述のように、TFTアレイ基板10の液晶50側表面上に形成される構成であって、配向膜16、画素電極9a、走査線11a、データ線6a、容量配線400、蓄積容量70、TFT30、外部導通端子102等を有して構成されるものである。
Here, as described above, the
積層構造10bを形成する詳細の工程については、公知の液晶表示装置の製造工程と同様であるため、説明を省略する。
The detailed process for forming the
次に、ステップS02において、図7に示すように、複数の対向基板20となる積層構造が形成された対向側マザー基板40を、シール材52を介してマザー基板35に貼り合わせる貼り合わせ工程を実施する。ここで、対向側マザー基板40に形成されている積層構造は、対向電極21及び配向膜22からなる。
Next, in step S02, as shown in FIG. 7, a bonding step of bonding the opposing
また、このステップS02においては、上記貼り合わせ工程と同時に、マザー基板35と対向側マザー基板40との間に液晶50を充填する液晶充填工程も実施する。本実施形態においては、複数の積層構造10b上にそれぞれ枠状のシール材52を形成し、該枠状のシール材52により囲まれた領域内に所定量の液晶50を滴下した後に対向側マザー基板40を貼り合わせる、いわゆる液晶滴下方式が用いられる。
In step S02, a liquid crystal filling step for filling the
なお、液晶50をTFTアレイ基板10と対向基板20との間に充填する方法は、この液晶滴下方式に限られるものではなく、TFTアレイ基板10及び対向基板20が貼り合わされた状態で切り出された後に、シール材52に形成された開口部から液晶を注入して封止する、いわゆる液晶注入方式であってもよく特に限定されるものではない。
The method of filling the
次に、ステップS03において、図8に示すように、スクライブ刃により第1の分断予定線130及び第2の分断予定線140に沿って対向側マザー基板40にスクライブライン131を形成し、該スクライブライン131を基点としたクラック132を生じさせて対向側マザー基板40を分断する対向基板分断工程(第1の分断工程)を実施する。この、スクライブラインを基点としたクラックを生じさせる工程をブレーク処理と称する。
Next, in step S03, as shown in FIG. 8, a
なお、対向基板分断工程において第1の分断予定線130及び第2の分断予定線140に沿って対向側マザー基板40を分断する方法は、レーザ光を照射することによりスクライブラインを形成する、いわゆるレーザスクライブ法であってもよい。
The method of dividing the opposed
次に、ステップS04において、詳しくは後述する方法により、対向側マザー基板40が全ての第1の分断予定線130及び第2の分断予定線140に沿って分断されているか否かを判定する、割れ残り検査工程を実施する。
Next, in step S04, it is determined whether or not the opposing
そして、このステップS04において、対向側マザー基板40の割れ残りが存在すると判定された場合には、ステップS03に戻り、割れ残りが存在する分断予定線に対して再びブレーク処理を実行し、ステップS04の割れ残り検査工程を再び繰り返す。
If it is determined in step S04 that there is a remaining crack in the opposing
一方、ステップS04において、対向側マザー基板40の割れ残りは存在しないと判定された場合には、ステップS06へ移行する。
On the other hand, if it is determined in step S04 that there is no remaining crack of the opposing
次に、ステップS06において、図9に示すように、スクライブ刃により第1の分断予定線130及び第2の分断予定線140に沿ってマザー基板35にスクライブライン133を形成し、該スクライブライン133を基点としたクラック134を生じさせてマザー基板35を分断する素子基板分断工程を実施する。
Next, in step S06, as shown in FIG. 9, a
この素子基板分断工程により、図10に示すように、マザー基板35及び対向側マザー基板40が貼り合わされてなる大判貼り合わせ基板60は複数の個片100aに分断される。この個片100aは、上述した電気光学装置100の構成に対して、対向基板20から重畳部111が張出し部110とは反対の方向へ延出している点が異なるものである。
By this element substrate dividing step, as shown in FIG. 10, the large bonded
なお、素子基板分断工程において第1の分断予定線130及び第2の分断予定線140に沿ってマザー基板35を分断する方法は、レーザ光を照射することによりスクライブラインを形成する方法であってもよい。
The method of dividing the
次に、ステップS07において、図11に示すように、個片100aの対向基板20から延出する重畳部111を対向基板20から分断する重畳部分断工程を実施する。これにより、上述した電気光学装置100が大判貼り合わせ基板60から切り出される。
Next, in step S07, as shown in FIG. 11, an overlapping partial cutting step of dividing the overlapping
次に、本実施形態の電気光学装置の検査方法である、ステップS04における割れ残り検査工程について、図12のフローチャートを参照して詳細に説明する。この割れ残り検査工程は、例えば自動化された検査装置によって実施される。 Next, the crack remaining inspection process in step S04, which is an inspection method for the electro-optical device of this embodiment, will be described in detail with reference to the flowchart of FIG. This remaining crack inspection process is performed by, for example, an automated inspection apparatus.
割れ残り検査工程においては、まず、ステップS11において、接触又は非接触型の変位センサ、例えばレーザ変位計を用いて、対向基板分断工程後の大判貼り合わせ基板60のX軸に略平行な方向についての反り形状を測定する。
In the crack remaining inspection process, first, in step S11, using a contact or non-contact type displacement sensor, for example, a laser displacement meter, in a direction substantially parallel to the X axis of the large bonded
大判貼り合わせ基板60のX軸に略平行な方向についての反り形状の測定は、図13に中の直線L1に示すように、全ての第2の分断予定線140に交差する直線上において行う。なお、直線L1は、大判貼り合わせ基板60の中心近傍を通過することが好ましい。
The measurement of the warp shape in the direction substantially parallel to the X-axis of the large-sized bonded
また、直線L1上における大判貼り合わせ基板60の反り形状の測定点は、2本の第2の分断予定線140に挟まれた範囲において少なくとも一点は設けられる。
In addition, at least one point of measurement of the warped shape of the large-sized bonded
例えば、図13に示すような形状を有する大判貼り合わせ基板60の場合、ステップS11においては、大判貼り合わせ基板60を基準平面上に載置した状態で、4箇所の測定点MX1〜MX4において大判貼り合わせ基板60の表面の基準平面からの高さを計測し、大判貼り合わせ基板60のX軸に略平行な方向についての反り形状を測定する。
For example, in the case of the large-sized bonded
次に、ステップS12において、接触型又は非接触型の変位センサ、例えばレーザ変位計を用いて、対向基板分断工程後の大判貼り合わせ基板60のY軸に略平行な方向についての反り形状を測定する。
Next, in step S12, a warp shape in a direction substantially parallel to the Y axis of the large bonded
大判貼り合わせ基板60のY軸に略平行な方向についての反り形状の測定は、図13に中の直線L2に示すように、全ての第1の分断予定線130に交差する直線上において行う。なお、直線L2は、大判貼り合わせ基板60の中心近傍を通過することが好ましい。
The measurement of the warp shape in the direction substantially parallel to the Y axis of the large-sized bonded
また、直線L2上における大判貼り合わせ基板60の反り形状の測定点は、2本の第1の分断予定線130に挟まれた範囲において少なくとも一点は設けられる。
In addition, at least one point of measurement of the warped shape of the large-sized bonded
例えば、図13に示すような形状を有する大判貼り合わせ基板60の場合、ステップS12においては、大判貼り合わせ基板60を基準平面上に載置した状態で、5箇所の測定点MY1〜MY5において大判貼り合わせ基板60の表面の基準平面からの高さを計測し、大判貼り合わせ基板60のY軸に略平行な方向についての反り形状を測定する。
For example, in the case of the large bonded
なお、大判貼り合わせ基板の反り形状の測定は変位センサに限らず、例えば3次元形状測定器等の公知の測定器を使用してもよいことは言うまでもない。 Needless to say, the measurement of the warped shape of the large-sized bonded substrate is not limited to the displacement sensor, and a known measuring device such as a three-dimensional shape measuring device may be used.
次に、ステップS13において、ステップS11で取得した複数の測定点MXにおける測定結果に近似する近似2次曲線PXを、最小二乗法等の公知の方法により算出する。同様にステップS12で取得した複数の測定点MYにおける測定結果に近似する近似2次曲線PYを、最小二乗法等の公知の方法により算出する。 Next, in step S13, an approximate quadratic curve PX that approximates the measurement results at the plurality of measurement points MX acquired in step S11 is calculated by a known method such as a least square method. Similarly, an approximate quadratic curve PY that approximates the measurement results at the plurality of measurement points MY acquired in step S12 is calculated by a known method such as a least square method.
例えば、図13中の測定点MX1〜MX4及びMY1〜MY5における測定結果を近似する近似2次曲線PX及びPYを算出する。 For example, approximate quadratic curves PX and PY that approximate the measurement results at the measurement points MX1 to MX4 and MY1 to MY5 in FIG. 13 are calculated.
次に、ステップS14において、複数の測定点MX及びMYにおける測定結果と、近似曲線PX及びPYとの比較を行う。そしてステップS15において、少なくとも一点の測定点MX及びMYにおける測定結果が、それぞれ近似曲線PX及びPYから所定の値以上離間している場合には、大判貼り合わせ基板60に割れ残りが存在すると判定する。
Next, in step S14, the measurement results at the plurality of measurement points MX and MY are compared with the approximate curves PX and PY. In step S15, when the measurement results at at least one measurement point MX and MY are separated from the approximate curves PX and PY by a predetermined value or more, respectively, it is determined that there remains a crack in the large-sized bonded
一方、測定点MX及びMYにおける測定結果の、近似曲線PX及びPYに対する逸脱量が所定の値よりも小さければ、大判貼り合わせ基板60に割れ残りは存在しないと判定する。
On the other hand, if the deviation of the measurement results at the measurement points MX and MY from the approximate curves PX and PY is smaller than a predetermined value, it is determined that there is no crack residue on the large-sized bonded
ここで、表面に積層構造が形成されたマザー基板35及び対向側マザー基板40が貼り合わされてなる大判貼り合わせ基板60は、積層構造を形成する際や貼り合わせる際の熱応力等の内部応力により、一般的にひずみが生じるものである。ここで、大判貼り合わせ基板60の面内に均一に内部応力が働く場合、大判貼り合わせ基板60は、理想的には2次曲線に沿う反り形状を有することとなる。
Here, the large-sized bonded
これは、大判貼り合わせ基板60の対向側マザー基板40が、全ての第1の分断予定線130及び全ての第2の分断予定線140に沿って分断された場合にも同様であり、したがって、対向基板分断工程において割れ残りが存在しない場合には、理想的には大判貼り合わせ基板60の反り形状は2次曲線に近似する。
This is the same when the opposite-
しかしながら、対向基板分断工程において、第1の分断予定線130及び第2の分断予定線140の少なくとも一つにおいて割れ残りが生じた場合、マザー基板35を反らせようとする応力は、対向側マザー基板40の分断されていない領域の影響によって不均一となるため、対向基板分断工程において割れ残りが存在した場合の大判貼り合わせ基板60の反り形状は2次曲線から逸脱するのである。
However, in the counter substrate cutting step, when a crack remains in at least one of the first
例えば、測定点MY2とMY3との間の第1の分断予定線130において割れ残りが発生した場合、測定点MY2及びMY3近傍の測定結果が、近似曲線PYから逸脱する。
For example, when a remaining crack occurs in the first
以上のように、本実施形態の電気光学装置の検査方法では、積層構造が形成されたマザー基板35及び対向側マザー基板40が貼り合わされてなる大判貼り合わせ基板60の対向側マザー基板40を、所定の複数の分断予定線に沿って分断した後に、大判貼り合わせ基板60の反り形状を測定することにより、対向側マザー基板40に割れ残りが存在しているか否かを判定することができるのである。
As described above, in the inspection method of the electro-optical device according to the present embodiment, the opposing
なお、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の検査方法及び電気光学装置の検査装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。 It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification. An inspection method for an optical device and an inspection device for an electro-optical device are also included in the technical scope of the present invention.
例えば、上述の実施形態では、TFTを用いたアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶パネルを電気光学装置100として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、スイッチング素子としてTFD(Thin Film Diode)を用いたアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置や、パッシブマトリクス駆動方式(単純マトリクス駆動方式とも称される)を採用した電気光学装置にも本発明を適用可能である。また、本発明は透過型の電気光学装置に限られるものではなく、反射型、半透過半反射型又は自発光型等の電気光学装置にも本発明を適用可能である。
For example, in the above-described embodiment, the transmissive liquid crystal panel of the active matrix driving system using the TFT has been described as the electro-
例えば、本発明は、LCOS(Liquid Crystal On Silicon)、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、FED(Field Emission Display)装置、SED(Surface−Conduction Electron−Emitter Display)装置、LED(発光ダイオード)表示装置、電気泳動表示装置、または液晶シャッター等を用いた装置などの各種の電気光学装置の検査方法及び検査装置に適用できる。 For example, the present invention relates to LCOS (Liquid Crystal On Silicon), electroluminescence devices, in particular, organic electroluminescence devices, inorganic electroluminescence devices, plasma display devices, FED (Field Emission Display) devices, SED (Surface-Condition Electron). -It can be applied to an inspection method and an inspection apparatus for various electro-optical devices such as an Emitter Display device, an LED (light emitting diode) display device, an electrophoretic display device, or a device using a liquid crystal shutter.
10 TFTアレイ基板、 20 対向基板、 60 大判貼り合わせ基板、 130 第1の分断予定線、 140 第2の分断予定線、 MX1〜4 測定点、 MY1〜5 測定点 10 TFT array substrate, 20 counter substrate, 60 large-sized bonded substrate, 130 first dividing line, 140 second dividing line, MX1 to 4 measuring points, MY1 to 5 measuring points
Claims (5)
前記大判貼り合わせ基板の第1の大判基板と及び第2の大判基板のいずれか一方を前記所定の複数の分断予定線に沿って分断する第1の分断工程の後に、前記大判貼り合わせ基板の反り形状を測定し、
該反り形状に基づいて、前記第1の分断工程における割れ残りが存在するか否かを判定することを特徴とする電気光学装置の検査方法。 An electro-optical device in which a first substrate and a second substrate are bonded to each other, a first large substrate in which a plurality of the first substrates are configured, and a second in which a plurality of the second substrates are formed. An inspection method for an electro-optical device obtained by dividing a large-sized bonded substrate formed by bonding a large-sized substrate along a plurality of predetermined dividing lines,
After the first dividing step of dividing one of the first large-sized substrate and the second large-sized substrate along the predetermined plurality of dividing lines, the large-sized bonded substrate Measure warpage shape,
An inspection method for an electro-optical device, characterized in that, based on the warped shape, it is determined whether or not there is a remaining crack in the first dividing step.
前記大判貼り合わせ基板の反り形状の測定は、少なくとも全ての前記第1の分断予定線に交差する直線と、少なくとも全ての前期第2の分断予定線に交差する直線との2つの直線上において行うことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の検査方法。 The predetermined plurality of dividing lines include a plurality of first dividing lines and a plurality of second dividing lines orthogonal to the first dividing lines,
The measurement of the warped shape of the large-sized bonded substrate is performed on two straight lines, that is, a straight line intersecting at least all of the first planned dividing lines and a straight line intersecting at least all the second planned dividing lines. The inspection method for an electro-optical device according to claim 1.
前記大判貼り合わせ基板の第1の大判基板と及び第2の大判基板のいずれか一方を前記所定の複数の分断予定線に沿って分断する第1の分断工程の後に、前記大判貼り合わせ基板の反り形状を測定し、
該反り形状に基づいて、前記第1の分断工程における割れ残りが存在するか否かを判定することを特徴とする電気光学装置の検査装置。 An electro-optical device in which a first substrate and a second substrate are bonded to each other, a first large substrate in which a plurality of the first substrates are configured, and a second in which a plurality of the second substrates are formed. An inspection apparatus for an electro-optical device obtained by dividing a large-sized bonded substrate formed by bonding with a large-sized substrate along a plurality of predetermined dividing lines,
After the first dividing step of dividing one of the first large-sized substrate and the second large-sized substrate along the predetermined plurality of dividing lines, the large-sized bonded substrate Measure warpage shape,
An inspection apparatus for an electro-optical device, characterized in that, based on the warped shape, it is determined whether or not there is a remaining crack in the first dividing step.
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