JP2009177207A - 半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】イメージセンサチップ(32)と信号処理チップ(33)とがマイクロバンプ(126)によって接続され、イメージセンサチップ側で複数の光電変換素子(PD1〜PD4)が該光電変換素子を選択するアナログのマルチプレクサ(81)に接続され、マルチプレクサ(81)の出力がマイクロバンプ(36)を通り、信号処理チップ側でデマルチプレクサ(83)を通りメモリ(841〜844)に格納されるようにして成る。
【選択図】図8
Description
垂直駆動回路7は、画素部の行を選択し、その行の画素に図示しない横方向の制御配線を通して必要なパルスが供給される。
カラム部4には、カラム信号処理回路10が列に対応して並ぶ。カラム信号処理回路10は、1行分の画素の信号を受けて、その信号にCDS(Correlated Double Sampling:固定パターンノイズ除去の処理)や信号増幅やAD変換などの処理を行う。
水平駆動回路8は、カラム信号処理回路10を順番に選択し、その信号を水平信号線5に導く。出力回路6は、水平信号線5の信号を処理して出力する。例えばバッファリングだけする場合もあるし、その前に黒レベル調整、列ばらつき補正、信号増幅、色関係処理などを行うこともある。
リセットトランジスタ13は、フローティングディフュージョンFDの信号電荷(電子)を電源配線15に捨てることによって、フローティングディフュージョンFDの信号電荷をリセットする。各横方向配線19、17、及び16〔161〜164〕は同一行の画素について共通となっており、垂直駆動回路7によって制御される。
カラム信号回路10の一部には、定電流源をなす負荷トランジスタ22を有し、選択行の増幅トランジスタ14とソースフォロアを構成し、垂直信号線への出力をさせている。
また、通常、このタイプのMOSカメラモジュールでは、画素部の行の順に信号を読み出すので、画素部の上の方と下の方で画素からの読出し時刻がずれており、画面内の同時性が無いか、または画面内で感光タイミングを揃えると読出しまでの間にノイズが乗って画質が悪化する。
また、複数の光電変換素子からのアナログの画素信号がマルチプレクサに入ることにより、一旦大きな合流信号となるので(一定値のノイズを含む可能性が高く)、マイクロバンプを通過する場合であっても、S/N比を小さくしたまま通過させることができる。信号処理チップ側でデマルチプレクスすれば、これらの信号を再度演算処理することも可能になる。
本実施の形態に係る半導体モジュール31は、MOS型固体撮像装置(以下、MOSイメージセンサチップという)32と信号処理(DSP)チップ33を上下に重ねて構成される。信号処理チップ33は、MOSイメージセンサチップ32に接続され、MOSイメージセンサの出力を受けて信号処理するチップとする。勿論、さらにMOSイメージセンサを制御する機能を持っても良い。
例えば、MOSイメージセンサチップ32としては、図3の構成でなく、図4に示すように、構成することもできる。すなわち、画素の制御回路141をイメージセンサチップ32側に有するようにして、図3の画素駆動部55のマイクロパッド37を減らすことを優先しても良い。
A/D変換も、フォトダイオードが、ある電位に到達するのを数えるような方法(Dig.Tech.Papers,ISSCC,pp.230−231,Feb.1994)タイプなど、目的に応じて種々のものを使うことができる。
また、セルに転送トランジスタを備え、転送トランジスタに供給する転送パルスを、注入トランジスタに供給する第2の注入パルスが立ち上がる(開始する)前に立ち下げる(終了する)ことにより、低電圧化することができる。すなわち、転送パルスが第2の注入パルスと重なるよりも、画素内の容量結合の効果で転送時のフローティングディフュージョン(FD)電位が高いので、低電圧化できる。
裏面入射型のMOSイメージセンサチップを用いることにより、その光入射面と反対側の配線層側の面にマイクロパッドを形成するので、センサ開口を気にすることなく、面上に多数のマイクロパッドを配列することができる。
MOSイメージセンサチップを裏面入射型にして、MOSイメージセンサチップと信号処理チップをその配線層側同士でマイクロパッド及びマイクロバンプにより接続するので、従来の貫通穴形成プロセスを不要とし、工程を削減することができる。これにより、製造プロセスを容易にし、歩留りを向上することができる。また、回路や貫通穴用スペースでセンサの感光領域を減らさずに済むので、感度を向上することができ、斜め光に対する非対称性を防ぐことができる。
MOSイメージセンサチップ側にテスト用の通常パッドを有することにより、信号処理チップとの貼り合せ前に、MOSイメージセンサチップの特性検査を行うことができる。
セルに転送トランジスタを備え、転送トランジスタに供給する転送パルスを、注入トランジスタに供給する第2の注入パルスが開始する前に終了することにより、低電圧化することができる。すなわち、転送パルスが第2の注入パルスと重なるよりも、画素内の容量結合の効果で転送時のフローティングディフュージョン(FD)電位が高いので、低電圧化できる。
Claims (20)
- イメージセンサチップと信号処理チップとがマイクロバンプによって接続され、
イメージセンサチップ側で複数の光電変換素子が該光電変換素子を選択するアナログのマルチプレクサに接続され、
前記マルチプレクサの出力が前記マイクロバンプを通り、信号処理チップ側でデマルチプレクサを通りメモリに格納されるようにして成る
半導体モジュール。 - 前記イメージセンサチップが裏面照射型のイメージセンサとして構成されている
請求項1記載の半導体モジュール。 - 前記マルチプレクサは、転送トランジスタでマルチプレクスされた信号を、増幅トランジスタを介して出力線に出力するところまでを含む
請求項2記載の半導体モジュール。 - 前記マルチプレクサの出力が前記信号処理チップ側で相関二重サンプリング回路により相関二重サンプリングされる
請求項3記載の半導体モジュール。 - 前記マルチプレクサの出力が前記信号処理チップ側でアナログ/デジタル変換回路によりアナログ/デジタル変換される
請求項4記載の半導体モジュール。 - 前記メモリはフレームメモリである
請求項5記載の半導体モジュール。 - 前記メモリからの値が演算回路でデジタル信号処理される
請求項6記載の半導体モジュール。 - 前記演算回路は、前記メモリの値を参照しながら順に処理する
請求項7記載の半導体モジュール。 - 前記演算回路は、前記イメージセンサチップ側のセル毎に配置され、並列動作する
請求項8記載の半導体モジュール。 - 前記演算回路は、前記イメージセンサチップ側のセル毎とは異なって配置される
請求項7記載の半導体モジュール。 - 前記信号処理チップ側に対応するセルは、コンパレータとラッチを含んでいる
請求項9または10記載の半導体モジュール。 - 前記マイクロバンプに接続された前記信号処理チップ側のマイクロパッドに、スイッチング用トランジスタとサンプルホールド用容量からなるサンプルホールド回路が接続され、
前記サンプルホールド回路が直流カット用容量を介してインバータに接続される
請求項11記載の半導体モジュール。 - 前記スイッチング用トランジスタのゲートにはサンプルホールドパルスが供給されるサンプルホールド配線が接続される
請求項12記載の半導体モジュール。 - 前記サンプルホールド用容量の他端はランプ波が供給されるランプ配線に接続される
請求項13記載の半導体モジュール。 - 前記インバータの入出力間にはイニシャライズスイッチが接続される
請求項14記載の半導体モジュール。 - 前記インバータは前記イニシャライズスイッチとともに、コンパレータを形成する
請求項15記載の半導体モジュール。 - 前記マイクロバンプを通して信号処理チップ側に入力されたアナログ信号は、前記直流カット用容量で直流分がカットされて前記インバータに入力される
請求項16記載の半導体モジュール。 - 前記イメージセンサチップ側のリセットレベルが前記マイクロバンプを通して前記信号処理チップ側に入力されているときに、前記インバータをイニシャライズして置き、
前記イメージセンサチップ側から信号レベルが入力されると、信号レベルとリセットレベルとの差分に比例して前記インバータの入力が変化し、出力が変化する
請求項17記載の半導体モジュール。 - 前記インバータの出力が変化した後、前記ランプ配線にランプ波を入れ、
前記コンパレータが反転するときのビット線の電圧値がDRAMセルにラッチされて相関二重サンプリングホールド及びアナログ/デジタル変換された信号がメモリに格納される
請求項18記載の半導体モジュール。 - セル内の複数の画素に対応する複数列のDRAMセル毎に、DRAMセル内の各MOSトランジスタのゲートが共通接続されてワード線にスイッチを介して接続され、
前記スイッチにより、前記セル内の複数の画素分の信号をデマルチプレクスし、DRAMセルの読み出し時に前記ゲートがワード線に接続される
請求項19記載の半導体モジュール。
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---|---|
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011159958A (ja) * | 2010-01-08 | 2011-08-18 | Sony Corp | 半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステム |
JP2013090304A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Sony Corp | 半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステム |
WO2014125785A1 (en) | 2013-02-13 | 2014-08-21 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, driving method thereof, and imaging apparatus |
JP2015106924A (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-08 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | イメージセンサ及び該イメージセンサを駆動する方法 |
US9621833B2 (en) | 2013-02-21 | 2017-04-11 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and imaging apparatus |
US9832406B2 (en) | 2014-01-24 | 2017-11-28 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device and imaging apparatus |
WO2017209221A1 (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置および撮像方法、カメラモジュール、並びに電子機器 |
WO2019049662A1 (ja) * | 2017-09-05 | 2019-03-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサチップおよび電子機器 |
US11252354B2 (en) | 2018-08-01 | 2022-02-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor, control method thereof, and image capturing apparatus |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6693068B2 (ja) | 2015-03-12 | 2020-05-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および製造方法、並びに電子機器 |
WO2016143288A1 (en) | 2015-03-12 | 2016-09-15 | Sony Corporation | Imaging device, manufacturing method, and electronic device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001024948A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-01-26 | Canon Inc | 固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム |
JP2001339057A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Mitsumasa Koyanagi | 3次元画像処理装置の製造方法 |
JP2002344809A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Canon Inc | 撮像装置、撮像装置の駆動方法、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
JP2003023573A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-24 | Asahi Kasei Corp | ビジョンチップ |
JP2004172228A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出装置 |
WO2004105137A1 (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光検出装置 |
-
2009
- 2009-05-07 JP JP2009112999A patent/JP5083272B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001024948A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-01-26 | Canon Inc | 固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム |
JP2001339057A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Mitsumasa Koyanagi | 3次元画像処理装置の製造方法 |
JP2002344809A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Canon Inc | 撮像装置、撮像装置の駆動方法、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
JP2003023573A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-24 | Asahi Kasei Corp | ビジョンチップ |
JP2004172228A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出装置 |
WO2004105137A1 (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光検出装置 |
Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9565383B2 (en) | 2010-01-08 | 2017-02-07 | Sony Corporation | Semiconductor device, solid-state image sensor and camera system |
KR101775860B1 (ko) | 2010-01-08 | 2017-09-06 | 소니 주식회사 | 반도체 장치, 고체 촬상 장치, 및 카메라 시스템 |
KR101774725B1 (ko) | 2010-01-08 | 2017-09-04 | 소니 주식회사 | 반도체 장치, 고체 촬상 장치, 및 카메라 시스템 |
KR101774609B1 (ko) * | 2010-01-08 | 2017-09-04 | 소니 주식회사 | 반도체 장치, 고체 촬상 장치, 및 카메라 시스템 |
US9641777B2 (en) | 2010-01-08 | 2017-05-02 | Sony Corporation | Semiconductor device, solid-state image sensor and camera system |
US9093363B2 (en) | 2010-01-08 | 2015-07-28 | Sony Corporation | Semiconductor device, solid-state image sensor and camera system for reducing the influence of noise at a connection between chips |
JP2011159958A (ja) * | 2010-01-08 | 2011-08-18 | Sony Corp | 半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステム |
US10554912B2 (en) | 2011-10-21 | 2020-02-04 | Sony Corporation | Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system |
US9509933B2 (en) | 2011-10-21 | 2016-11-29 | Sony Corporation | Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system |
US9350929B2 (en) | 2011-10-21 | 2016-05-24 | Sony Corporation | Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system |
US9838626B2 (en) | 2011-10-21 | 2017-12-05 | Sony Corporation | Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system |
US9654708B2 (en) | 2011-10-21 | 2017-05-16 | Sony Corporation | Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system |
US9736409B2 (en) | 2011-10-21 | 2017-08-15 | Sony Corporation | Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system |
JP2013090304A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Sony Corp | 半導体装置、固体撮像装置、およびカメラシステム |
US10027912B2 (en) | 2011-10-21 | 2018-07-17 | Sony Corporation | Semiconductor apparatus, solid-state image sensing apparatus, and camera system having via holes between substrates |
US9674472B2 (en) | 2013-02-13 | 2017-06-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, driving method thereof, and imaging apparatus |
JP2014155175A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Sony Corp | 固体撮像素子、駆動方法、および撮像装置 |
WO2014125785A1 (en) | 2013-02-13 | 2014-08-21 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, driving method thereof, and imaging apparatus |
US9621833B2 (en) | 2013-02-21 | 2017-04-11 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and imaging apparatus |
KR20210048581A (ko) | 2013-02-21 | 2021-05-03 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 소자 및 촬상 장치 |
KR20230119734A (ko) | 2013-02-21 | 2023-08-16 | 소니그룹주식회사 | 고체 촬상 소자 및 촬상 장치 |
JP2015106924A (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-08 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | イメージセンサ及び該イメージセンサを駆動する方法 |
US9832406B2 (en) | 2014-01-24 | 2017-11-28 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device and imaging apparatus |
JPWO2017209221A1 (ja) * | 2016-05-31 | 2019-03-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置および撮像方法、カメラモジュール、並びに電子機器 |
WO2017209221A1 (ja) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置および撮像方法、カメラモジュール、並びに電子機器 |
US10659707B2 (en) | 2016-05-31 | 2020-05-19 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging apparatus and imaging method, camera module, and electronic apparatus capable of detecting a failure in a structure in which substrates are stacked |
US11588990B2 (en) | 2016-05-31 | 2023-02-21 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging apparatus and imaging method, camera module, and electronic apparatus capable of detecting a failure in a structure in which substrates are stacked |
US11089248B2 (en) | 2016-05-31 | 2021-08-10 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging apparatus and imaging method, camera module, and electronic apparatus capable of detecting a failure in a structure in which substrates are stacked |
US11082651B2 (en) | 2016-05-31 | 2021-08-03 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging apparatus and imaging method, camera module, and electronic apparatus capable of detecting a failure in a structure in which substrates are stacked |
US10418405B2 (en) | 2017-09-05 | 2019-09-17 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Sensor chip and electronic apparatus |
US10872920B2 (en) | 2017-09-05 | 2020-12-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Sensor chip and electronic apparatus |
JPWO2019049662A1 (ja) * | 2017-09-05 | 2020-08-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサチップおよび電子機器 |
JP7167036B2 (ja) | 2017-09-05 | 2022-11-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサチップおよび電子機器 |
US10748952B2 (en) | 2017-09-05 | 2020-08-18 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Sensor chip and electronic apparatus |
WO2019049662A1 (ja) * | 2017-09-05 | 2019-03-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサチップおよび電子機器 |
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