JP2009170780A - Wafer storage container with cushion sheet - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer storage container with a cushion sheet, which can prevent a semiconductor wafer from being broken due to an impact during transportation or under a repetitive changing condition while always keeping the wafer flat, and by which the semiconductor wafer is safely and easily taken out without being damaged when taking out the wafer. <P>SOLUTION: A self-suction part detachably sucking a semiconductor wafer W is formed on the surface of a wafer placing cushion sheet, and a non-suction part always kept away from the semiconductor wafer W without sucking the semiconductor wafer W is formed on the same surface thereof. The area density in the self-suction part of the wafer placing cushion sheet sucking a center of the semiconductor wafer is made large, and the area density of the self-suction part of the wafer placing cushion sheet sucking a periphery of the semiconductor wafer is made small. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は、半導体ウエハを搬送あるいは保管するために用いられるウエハ載置クッションシート付ウエハ収納容器に関する。   The present invention relates to a wafer storage container with a wafer mounting cushion sheet used for transporting or storing semiconductor wafers.

半導体の製造工程において、薄い半導体ウエハを各工程間あるいは各々の工程内で搬送あるいは保管する際に半導体ウエハを破損したり汚損したりするおそれのないよう、半導体ウエハはウエハ収納容器内に収納される。そのようなウエハ収納容器として、半導体ウエハを一枚一枚独立して安全に収納することができるように、複数のウエハ載置トレイを重ね合わせて、二つのウエハ載置トレイの間に形成される内側空間内に半導体ウエハを一枚ずつ個別に収納するように構成したものが提案されている(例えば、特許文献1)。   In a semiconductor manufacturing process, a semiconductor wafer is stored in a wafer storage container so that the semiconductor wafer is not damaged or soiled when it is transported or stored between processes or in each process. The As such a wafer storage container, a plurality of wafer mounting trays are overlapped and formed between two wafer mounting trays so that semiconductor wafers can be stored safely one by one. There has been proposed a structure in which semiconductor wafers are individually housed one by one in an inner space (for example, Patent Document 1).

また、近年のように極薄化が進んで(たとえば、半導体ウエハの厚みが200ミクロンメートル以下の)脆弱になった半導体ウエハを安全に収納するために、二つのウエハ載置トレイの間に形成される内側空間内で一枚の半導体ウエハを二枚のクッションシートの間に挟み込んだクッションシート付ウエハ収納容器が提案されている。半導体ウエハを二枚のクッションシートの間に挟み込むことにより、半導体ウエハが振動や衝撃等の外力によって破損することが防止される(例えば、特許文献2)。
特開2003−168731 特開2005−191419
In addition, in order to safely store a fragile semiconductor wafer that has become extremely thin (for example, the thickness of the semiconductor wafer is 200 microns or less) as in recent years, it is formed between two wafer mounting trays. A wafer storage container with a cushion sheet has been proposed in which one semiconductor wafer is sandwiched between two cushion sheets in an inner space. By sandwiching the semiconductor wafer between the two cushion sheets, the semiconductor wafer is prevented from being damaged by an external force such as vibration or impact (for example, Patent Document 2).
JP 2003-168731 A JP2005-191419

半導体ウエハは、重ね合わされた二つのウエハ載置トレイの間において二枚のクッションシートの間に挟み込まれた状態では平坦な状態になっているが、ウエハ載置トレイが上下で分離されて半導体ウエハがクッションシートの間に挟み込まれていない状態になると、半導体ウエハがその内部応力の存在等により反った状態になり、このような状態変化が数多く繰り返されると半導体ウエハが破損するおそれが生じる場合がある。そこで、半導体ウエハをその下側のクッションシートに粘着させて半導体ウエハが常に平坦な状態を保つようにすることが考えられるが、半導体ウエハが極薄になってくると、クッションシートから剥離させて取り出す際にその吸着力が強すぎることにより半導体ウエハが破損してしまうおそれがある。   The semiconductor wafer is flat when sandwiched between the two cushion sheets between the two stacked wafer mounting trays. However, the wafer mounting tray is separated from the upper and lower sides to form a semiconductor wafer. If the semiconductor wafer is not sandwiched between the cushion sheets, the semiconductor wafer will be warped due to the presence of internal stress, etc., and if such state changes are repeated many times, the semiconductor wafer may be damaged. is there. Therefore, it is conceivable that the semiconductor wafer is adhered to the cushion sheet below the semiconductor wafer so that the semiconductor wafer is always kept flat, but when the semiconductor wafer becomes extremely thin, the semiconductor wafer is peeled off from the cushion sheet. There is a possibility that the semiconductor wafer may be damaged by taking out the adsorption force when taking out.

本発明は、搬送中の衝撃等による半導体ウエハの破損を防止することができるだけでなく、半導体ウエハを平坦な状態と反った状態とが繰り返されない平坦な状態に常に保って状態変化による半導体ウエハの破損発生を防止することができ、しかも半導体ウエハを取り出す際には半導体ウエハを破損することなく安全かつ容易に取り出すことができるクッションシート付ウエハ収納容器を提供することを目的とする。   The present invention not only prevents damage to the semiconductor wafer due to impact during transportation, but also keeps the semiconductor wafer in a flat state in which the flat state and the warped state are not repeated. It is an object of the present invention to provide a wafer storage container with a cushion sheet that can prevent the occurrence of damage and can be safely and easily taken out without damaging the semiconductor wafer.

上記の目的を達成するため、本発明のクッションシート付ウエハ収納容器は、半導体ウエハを一枚ずつ載せて保持するための複数のウエハ載置トレイが重ね合わされて、各ウエハ載置トレイに載せられた半導体ウエハがそのウエハ載置トレイとその上側に隣接して重ね合わされたウエハ載置トレイとの間に形成される内側空間内に収納された状態になり、各ウエハ載置トレイ上面の半導体ウエハ載置位置に弾力性のあるウエハ載置クッションシートが配置されたクッションシート付ウエハ収納容器において、ウエハ載置クッションシートの表面に、半導体ウエハを着脱自在に吸着する自己吸着部および半導体ウエハを吸着することなく分離した状態を保つ非吸着部が形成されているものである。半導体ウエハを吸着する自己吸着部の面積密度を可変することにより、ウエハ載置クッションシートによる半導体ウエハの吸着力をウエハ載置クッションシートの場所により調整する。特に、ウエハ中心部を吸着するウエハ載置クッションシートの中心部の自己吸着部の面積密度が、ウエハ外周部を吸着するウエハ載置クッションシートの外周部の自己吸着部の面積密度より高くなっている。自己吸着部の面積密度を可変する方法として、その領域における自己吸着部の面積と非吸着部の面積の割合を変化させる方法がある。   In order to achieve the above object, the wafer storage container with a cushion sheet according to the present invention has a plurality of wafer mounting trays for stacking and holding semiconductor wafers one by one and is placed on each wafer mounting tray. The semiconductor wafer is stored in an inner space formed between the wafer placement tray and the wafer placement tray stacked adjacent to the upper side, and the semiconductor wafer on the upper surface of each wafer placement tray In a wafer storage container with a cushion sheet in which an elastic wafer mounting cushion sheet is disposed at the mounting position, the self-adsorbing part for detachably adsorbing the semiconductor wafer and the semiconductor wafer are adsorbed on the surface of the wafer mounting cushion sheet A non-adsorbing portion that maintains a separated state without being formed is formed. By changing the area density of the self-adsorption part that adsorbs the semiconductor wafer, the adsorption force of the semiconductor wafer by the wafer placement cushion sheet is adjusted according to the location of the wafer placement cushion sheet. In particular, the area density of the self-adsorption portion at the center of the wafer mounting cushion sheet that adsorbs the wafer center is higher than the area density of the self-adsorption portion at the outer periphery of the wafer mounting cushion sheet that adsorbs the wafer outer periphery. Yes. As a method of changing the area density of the self-adsorption part, there is a method of changing the ratio of the area of the self-adsorption part and the area of the non-adsorption part in the region.

また、自己吸着部が多数の微細吸盤により形成されていて、微細吸盤を半導体ウエハに押し付けることにより微細吸盤と半導体ウエハとが吸着固定された状態になるようにしてもよく、このような自己吸着部が、弾力性を有する発泡エラストマー系高分子材料、発泡ゴム系高分子材料、又は発泡ウレタン系高分子材料により形成されていてもよい。   Further, the self-adsorption part may be formed by a number of fine suction cups, and the fine suction cup and the semiconductor wafer may be in a state of being adsorbed and fixed by pressing the fine suction cups against the semiconductor wafer. The portion may be formed of a foamed elastomeric polymer material, a foamed rubber polymer material, or a foamed urethane polymer material having elasticity.

また、ウエハ載置クッションシートがウエハ載置トレイに対し着脱可能に設けられていてもよく、半導体ウエハをウエハ載置クッションシートに対して押し付けるための弾力性のあるウエハ押付クッションシートがウエハ載置トレイの裏面側に配置されていてもよい。   The wafer mounting cushion sheet may be detachably attached to the wafer mounting tray, and an elastic wafer pressing cushion sheet for pressing the semiconductor wafer against the wafer mounting cushion sheet is provided. It may be arranged on the back side of the tray.

本発明によれば、ウエハ載置クッションシートの表面に、半導体ウエハに対して着脱自在に吸着される自己吸着部が形成されていることにより、搬送中の衝撃等による半導体ウエハの破損を防止することができるだけでなく、半導体ウエハを平坦な状態と反った状態とが繰り返されない平坦な状態に常に保って、状態変化による半導体ウエハの破損発生を防止することができる。しかも、ウエハ載置クッションシートの表面に、前記半導体ウエハを着脱自在に吸着する自己吸着部および前記半導体ウエハを吸着することなく分離した状態を保つ非吸着部が形成されていて、吸着力の調整を吸着材の吸盤径だけで調整するのではなく、クッションシートの自己吸着部が前記半導体ウエハを吸着する吸着力が自己吸着部の面積密度により調整されているので、吸着力のコントロールが容易であり、さらに、クッションシート内で吸着力を場所により変えることも容易となる。   According to the present invention, the self-adsorption portion that is detachably adsorbed to the semiconductor wafer is formed on the surface of the wafer mounting cushion sheet, thereby preventing the semiconductor wafer from being damaged due to an impact during transfer. In addition, the semiconductor wafer can always be kept in a flat state in which the flat state and the warped state are not repeated, thereby preventing the semiconductor wafer from being damaged due to a state change. In addition, a self-adsorption portion that detachably adsorbs the semiconductor wafer and a non-adsorption portion that keeps the semiconductor wafer separated without being adsorbed are formed on the surface of the wafer mounting cushion sheet, and adjustment of the adsorption force Is not adjusted only by the sucker diameter of the adsorbent, but the adsorption force that the self-adsorption part of the cushion sheet adsorbs the semiconductor wafer is adjusted by the area density of the self-adsorption part, so it is easy to control the adsorption force In addition, it becomes easy to change the adsorption force depending on the location in the cushion sheet.

たとえば、半導体ウエハの外周部を吸着するウエハ載置クッションシートの自己吸着部の面積密度を、半導体ウエハの中心部を吸着するウエハ載置クッションシートの自己吸着部の面積密度より小さくすることにより、半導体ウエハの外周部を吸着するウエハ載置クッションシートの吸着力を半導体ウエハの中心部を吸着するウエハ載置クッションシートの吸着力より小さくできる。この結果、半導体ウエハの外縁部分から容易にウエハ載置クッションシートを剥がすことが可能となり、半導体ウエハを破損することなく安全かつ容易に取り出すことができる。たとえば、半導体ウエハを自己吸着部から剥がす際にはその外縁部分から自己吸着部に空気が入って吸着状態が解除され、中心部に向かって半導体ウエハが剥がれていくに従い、中心部に向かって自己吸着部に空気が入って吸着状態が解除されていくので、半導体ウエハを破損することなく安全かつ容易に取り出すことができる。   For example, by making the area density of the self-adsorption part of the wafer mounting cushion sheet adsorbing the outer peripheral part of the semiconductor wafer smaller than the area density of the self-adsorption part of the wafer mounting cushion sheet adsorbing the center part of the semiconductor wafer, The adsorption force of the wafer mounting cushion sheet that adsorbs the outer peripheral portion of the semiconductor wafer can be made smaller than the adsorption force of the wafer mounting cushion sheet that adsorbs the central portion of the semiconductor wafer. As a result, the wafer mounting cushion sheet can be easily peeled off from the outer edge portion of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer can be taken out safely and easily without being damaged. For example, when the semiconductor wafer is peeled off from the self-adsorption part, air enters the self-adsorption part from its outer edge part and the adsorbed state is released, and as the semiconductor wafer peels off toward the central part, Since air enters the suction portion and the suction state is released, the semiconductor wafer can be safely and easily taken out without being damaged.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図2はクッションシート付ウエハ収納容器の全体構成を示しており、円板状に形成された極薄の半導体ウエハWを載せて保持するための複数のウエハ載置トレイ1が、水平な状態で上下に重ね合わされて配置されている。なお図2には、複数重ね合わされたウエハ載置トレイ1の一部を途中で分離した状態が図示されている。重ね合わされた複数のウエハ載置トレイ1の上下両端に取り付けられたベーストレイ2には、図示されていない機械的インターフェイス装置と結合させるための結合溝3が形成されている。   FIG. 2 shows the overall structure of the wafer storage container with a cushion sheet, and a plurality of wafer mounting trays 1 for placing and holding ultrathin semiconductor wafers W formed in a disc shape are in a horizontal state. They are placed one above the other. FIG. 2 shows a state in which a part of the plurality of stacked wafer placement trays 1 is separated on the way. A coupling groove 3 for coupling to a mechanical interface device (not shown) is formed in the base tray 2 attached to the upper and lower ends of the plurality of stacked wafer mounting trays 1.

各ウエハ載置トレイ1は、例えばポリカーボネート樹脂等のようなプラスチック材で形成されていて、複数のウエハ載置トレイ1が重ね合わされることにより、ウエハ載置トレイ1に載せられた半導体ウエハWが、各ウエハ載置トレイ1とその上側に隣接して重ね合わされたウエハ載置トレイ1との間に形成される内側空間内に収納された状態になる。その際、半導体ウエハWはウエハ載置トレイ1の上面に取り付けられたウエハ載置クッションシート(以下、「載置クッション」と略称する)25に載せられた状態になる。   Each wafer mounting tray 1 is formed of a plastic material such as polycarbonate resin, for example, and the plurality of wafer mounting trays 1 are overlapped, so that the semiconductor wafers W placed on the wafer mounting tray 1 are formed. Then, the wafer is placed in an inner space formed between each wafer placement tray 1 and the wafer placement tray 1 stacked adjacently on the upper side thereof. At that time, the semiconductor wafer W is placed on a wafer mounting cushion sheet (hereinafter abbreviated as “mounting cushion”) 25 attached to the upper surface of the wafer mounting tray 1.

載置クッション25には、半導体ウエハWに対して着脱自在に吸着する自己吸着部と、半導体ウエハWに対して吸着されることなく分離した状態を保つ非吸着部とが形成されていて、自己吸着部の面積密度が大きい領域25Aおよび自己吸着部の面積密度の小さい領域25Bが形成されているが、その詳細については後述する。6は、載置クッション25の周囲をそれより外側位置で全周にわたって囲む状態に配置された弾力性のある部材からなる環状シール部材である。7は、ウエハ載置トレイ1を個別に機械装置で持つことができるように、各ウエハ載置トレイ1の外縁部の180°対称位置に形成された把持部である。   The mounting cushion 25 is formed with a self-adsorption portion that is detachably adsorbed to the semiconductor wafer W and a non-adsorption portion that maintains a separated state without being adsorbed to the semiconductor wafer W. A region 25A having a large area density of the adsorbing portion and a region 25B having a small area density of the self-adsorbing portion are formed. Details thereof will be described later. Reference numeral 6 denotes an annular seal member made of a resilient member disposed so as to surround the circumference of the mounting cushion 25 over the entire circumference at a position outside the mounting cushion 25. Reference numeral 7 denotes a gripping portion formed at a 180 ° symmetrical position on the outer edge of each wafer mounting tray 1 so that the wafer mounting tray 1 can be individually held by a mechanical device.

各ウエハ載置トレイ1の上面側には、環状シール部材6より外縁寄りの位置に、そのウエハ載置トレイ1の上側に位置するウエハ載置トレイ1と結合させるための結合孔8が例えば4箇所に形成されている。それに対応して、各結合孔8と係脱自在に係合する結合フック9が、各ウエハ載置トレイ1の裏面から下方に向けて4箇所に突出形成されている。このように、複数のウエハ載置トレイ1を互いに重ね合わされた状態で任意の重ね合わせ位置において解除自在に結合するためのトレイ結合機構が、結合孔8と結合フック9とで構成されている。結合孔8と結合フック9との係合の解除は、ウエハ載置トレイ1の側面に形成されたキー差し込み孔10から図示されていないフック外しキー等を差し込んで、結合フック9を弾性変形させることにより行うことができる。   On the upper surface side of each wafer mounting tray 1, for example, four coupling holes 8 are provided at positions closer to the outer edge than the annular seal member 6 to be coupled to the wafer mounting tray 1 positioned above the wafer mounting tray 1. It is formed in the place. Correspondingly, coupling hooks 9 that are detachably engaged with the respective coupling holes 8 are formed to project downward from the back surface of each wafer mounting tray 1 at four locations. In this way, a tray coupling mechanism for releasably coupling a plurality of wafer mounting trays 1 at an arbitrary overlapping position in a state where the plurality of wafer mounting trays 1 are overlapped with each other includes a coupling hole 8 and a coupling hook 9. The engagement between the coupling hole 8 and the coupling hook 9 is released by inserting a hook removing key or the like (not shown) from the key insertion hole 10 formed on the side surface of the wafer loading tray 1 and elastically deforming the coupling hook 9. Can be done.

図3は、ウエハ載置トレイ1の一つに半導体ウエハWが載せられた状態を示している。ただし、結合フック9等の断面を一つの図面に図示するために、異なる断面位置の図を複合して示してある。環状シール部材6は、各ウエハ載置トレイ1の上面の外縁より少し内側位置に形成された環状溝内に、下半部が嵌め込まれた状態に配置されている。そして、各ウエハ載置トレイ1は、環状シール部材6より内側に位置する部分が上下両面共に下方に落ち込んだ皿状に形成されて、その底面13に載置クッション25が配置されている。   FIG. 3 shows a state where the semiconductor wafer W is placed on one of the wafer placement trays 1. However, in order to illustrate the cross section of the coupling hook 9 and the like in one drawing, the drawings of different cross sectional positions are shown in combination. The annular seal member 6 is disposed in a state where the lower half portion is fitted in an annular groove formed at a position slightly inside the outer edge of the upper surface of each wafer mounting tray 1. Each wafer mounting tray 1 is formed in a dish shape in which a portion located on the inner side of the annular seal member 6 falls downward on both the upper and lower surfaces, and a mounting cushion 25 is disposed on the bottom surface 13 thereof.

載置クッション25は、全ての部分において半導体ウエハWに対し化学的悪影響を及ぼさない材料、例えば不純物ガスの発生が規定値以下であるような材料により、半導体ウエハWの略全面を載せられる大きさの円板状に形成されている。   The mounting cushion 25 is large enough to be mounted on almost the entire surface of the semiconductor wafer W by a material that does not have a chemical adverse effect on the semiconductor wafer W in all portions, for example, a material in which the generation of impurity gas is not more than a specified value. It is formed in a disc shape.

図3に示す載置クッション25は、二層タイプの載置クッションである。すなわち、載置クッション25の裏面(ウエハ載置トレイ1の底面13に面する側の面)側は例えばPET(ポリエチレンテレフタレート)等の材料からなる基材シート25Cで形成されていて、表面(半導体ウエハWに面する側の面)側は、図4にも示されるように自己吸着部の面積密度の大きい領域25Aの周囲を自己吸着部の面積密度の小さい領域25Bが全周にわたって囲んでいて、表面側と裏面側の二層が積層一体化された構成になっている。   The mounting cushion 25 shown in FIG. 3 is a two-layer type mounting cushion. That is, the back surface of the mounting cushion 25 (the surface facing the bottom surface 13 of the wafer mounting tray 1) is formed of a base material sheet 25C made of a material such as PET (polyethylene terephthalate), and the front surface (semiconductor On the side facing the wafer W, as shown in FIG. 4, a region 25B having a small area density of the self-adsorbing portion surrounds the entire area 25A around the region 25A having a large area density of the self-adsorbing portion. The two layers on the front side and the back side are laminated and integrated.

図3に示されるように、この実施の形態では、基材シート25Cがウエハ載置トレイ1の底面13に接着されている。ただし、ウエハ載置トレイ1の底面13に対して着脱自在な枠体やピン等に基材シート25Cを固着(又は着脱自在に取り付け)することにより、載置クッション25をウエハ載置トレイ1の底面13に対し任意に着脱できるように構成することができる。或いは、載置クッション25を三層構造にして、表面側の自己吸着部の面積密度の大きい領域25Aおよび自己吸着部の面積密度の小さい領域25Bからなる円板状のシート(または、層)と同様の層を基材シート25Cの裏面側に積層一体化することによっても、載置クッション25をウエハ載置トレイ1に対し着脱自在に構成して、容易に洗浄したり交換したりすることができる。なお、その場合には、ウエハ載置トレイ1に対する吸着力を半導体ウエハWに対する吸着力より大きく設定する必要がある。たとえば、基材シート25Cの表面側の層における自己吸着部の面積密度(表面の全面積に対する自己吸着部の占める面積の割合)が、基材シート25Cの裏面側の層における自己吸着部の面積密度(裏面の全面積に対する自己吸着部の占める面積の割合)より小さくすれば良い。   As shown in FIG. 3, in this embodiment, the base sheet 25 </ b> C is bonded to the bottom surface 13 of the wafer loading tray 1. However, the mounting cushion 25 is attached to the bottom surface 13 of the wafer mounting tray 1 by attaching (or detachably attaching) the base sheet 25C to a frame or a pin that is detachable. It can be configured to be arbitrarily detachable from the bottom surface 13. Alternatively, the mounting cushion 25 has a three-layer structure, and a disk-shaped sheet (or layer) composed of a region 25A having a large area density of the self-adsorbing portion on the surface side and a region 25B having a small area density of the self-adsorbing portion. Also by stacking and integrating the same layers on the back surface side of the base sheet 25C, the mounting cushion 25 can be configured to be detachable from the wafer mounting tray 1 so that it can be easily cleaned or replaced. it can. In this case, it is necessary to set the suction force for the wafer mounting tray 1 to be larger than the suction force for the semiconductor wafer W. For example, the area density of the self-adsorption part in the surface layer of the base sheet 25C (the ratio of the area occupied by the self-adsorption part to the total surface area) is the area of the self-adsorption part in the back layer of the base sheet 25C. What is necessary is just to make it smaller than a density (ratio of the area which the self-adsorption part accounts with respect to the total area of a back surface).

本発明において記載する自己吸着部とは、材料自体が半導体ウエハ等の平面板などを吸着する部分を意味する。たとえば、図10は、本発明のウエハ載置クッションシートにおける吸着機能層の構造を示す図であるが、図10に示すように発泡体からなる層41(これを吸着機能層と呼ぶ)に多数形成された気泡5hのうち、吸着機能層の表面位置において外気に向かって開口する気泡5h’は、その各々が微細吸盤として機能する。すなわち、吸着機能層41に接して配置された半導体ウエハ等の平面板1などを吸着機能層41に押し付けることにより、外気に向かって開口した気泡5h’が収縮する。(気泡のない部分を5nとする。)その後で半導体ウエハ等を押し付けていた力がなくなったり弱まったりして気泡が元の状態かそれに近い程度まで回復したときに、気泡内部が減圧状態になり半導体ウエハ等1を吸着する。従って、自己吸着部とは、載置クッションの表面位置において外気に向かって開口する気泡を含む吸着機能層41の領域である。尚、自己吸着部に吸着された半導体ウエハ等を剥がす外力(たとえば、半導体ウエハ等を上方へ持ち上げる力)がかかったときに、気泡のない部分5nには半導体ウエハ等は吸着されていないので、その部分から気泡へ向かって外気が入り、気泡5h’内の減圧状態が解消し、半導体ウエハ等が自己吸着部から離れる。   The self-adsorption part described in the present invention means a part where the material itself adsorbs a flat plate such as a semiconductor wafer. For example, FIG. 10 is a diagram showing the structure of the adsorption function layer in the wafer mounting cushion sheet of the present invention. As shown in FIG. 10, there are a large number of foam layers 41 (referred to as adsorption function layers). Among the formed bubbles 5h, each of the bubbles 5h ′ opening toward the outside air at the surface position of the adsorption function layer functions as a fine suction cup. That is, by pressing the flat plate 1 such as a semiconductor wafer disposed in contact with the adsorption function layer 41 against the adsorption function layer 41, the bubbles 5h 'opened toward the outside air contract. (The part without bubbles is 5n.) After that, when the force that pressed the semiconductor wafer etc. disappeared or weakened and the bubbles recovered to the original state or close to it, the inside of the bubbles became decompressed. The semiconductor wafer 1 is adsorbed. Therefore, the self-adsorption portion is a region of the adsorption function layer 41 including bubbles that open toward the outside air at the surface position of the mounting cushion. Note that when an external force (for example, a force for lifting the semiconductor wafer or the like upward) is applied to the self-adsorption portion, the semiconductor wafer or the like is not adsorbed in the portion 5n without bubbles. Outside air enters from the portion toward the bubble, the reduced pressure state in the bubble 5h ′ is eliminated, and the semiconductor wafer or the like is separated from the self-adsorption portion.

本発明において記載する非吸着部とは、材料自体は(吸着機能層ではなく)半導体ウエハ等の平面板などを吸着せず分離した状態を保つ部分であり、自己吸着部ではない部分、すなわち吸着機能層を持たない領域である。   The non-adsorption portion described in the present invention is a portion in which the material itself does not adsorb a flat plate such as a semiconductor wafer (not an adsorption function layer) and keeps the separated state. This area has no functional layer.

本発明の載置クッションの表面は、半導体ウエハ等を着脱自在に吸着する自己吸着部および半導体ウエハを吸着することなく分離した状態を保つ非吸着部を有している。従って、載置クッションが半導体ウエハ等を吸着する吸着力は、半導体ウエハと載置クッションの重なる領域における自己吸着部の面積と非吸着部の面積との割合によって決定される。半導体ウエハと載置クッションの重なる領域の面積をS、そのうちの自己吸着部の面積をSA、非吸着部の面積をSBとすると、自己吸着部の有する面積の割合(これを自己吸着部の面積密度と呼ぶ)は、SA/(SA+SB)=SA/Sとなり、載置クッションが半導体ウエハ等を吸着する吸着力は、SA/Sに依存する。すなわち、SA/Sが大きければ吸着力が大きく、SA/Sが小さければ吸着力が小さい。自己吸着部の面積密度を大きくするには、自己吸着部の面積を多くし非自己吸着部の面積を少なくすれば良い。逆に自己吸着部の面積密度を小さくするには、自己吸着部の面積を少なくし非自己吸着部の面積を大きくすれば良い。   The surface of the mounting cushion of the present invention has a self-adsorption portion that detachably adsorbs a semiconductor wafer or the like and a non-adsorption portion that maintains a separated state without adsorbing the semiconductor wafer. Accordingly, the suction force by which the mounting cushion sucks the semiconductor wafer or the like is determined by the ratio of the area of the self-sucking portion and the area of the non-sucking portion in the region where the semiconductor wafer and the mounting cushion overlap. If the area of the overlapping area of the semiconductor wafer and the mounting cushion is S, the area of the self-adsorption part is SA, and the area of the non-adsorption part is SB, the ratio of the area of the self-adsorption part (this is the area of the self-adsorption part) The density is called SA / (SA + SB) = SA / S, and the adsorption force with which the mounting cushion adsorbs the semiconductor wafer or the like depends on SA / S. That is, if SA / S is large, the attracting force is large, and if SA / S is small, the attracting force is small. In order to increase the area density of the self-adsorption part, the area of the self-adsorption part may be increased and the area of the non-self-adsorption part may be reduced. Conversely, in order to reduce the area density of the self-adsorption part, the area of the self-adsorption part may be reduced and the area of the non-self-adsorption part may be increased.

本発明の載置クッションにおいて、上述のように、載置クッションが半導体ウエハを吸着する吸着力は自己吸着部の面積密度により調整されている。すなわち、自己吸着部の面積密度を載置クッションの場所により変化させることにより、その場所における載置クッションの吸着力の大きさを変化させることができる。特に半導体ウエハの外周部と接触する載置クッションの外周部における自己吸着部の面積密度を小さくして、半導体ウエハの外周部を吸着する吸着力を弱くして、半導体ウエハの外周部から中心部へ向けて徐々に半導体ウエハを載置クッションから引き離し、たとえば図3において、半導体ウエハWを反らせることなく載置クッション25から容易に分離してウエハ載置トレイ1外に取り出すことができる。   In the mounting cushion of the present invention, as described above, the suction force with which the mounting cushion sucks the semiconductor wafer is adjusted by the area density of the self-sucking portion. That is, by changing the area density of the self-adsorption portion according to the place of the placement cushion, the magnitude of the suction force of the placement cushion at that place can be changed. In particular, the area density of the self-adsorption part in the outer peripheral part of the mounting cushion in contact with the outer peripheral part of the semiconductor wafer is reduced, and the adsorption force for adsorbing the outer peripheral part of the semiconductor wafer is reduced, so that the central part from the outer peripheral part of the semiconductor wafer For example, in FIG. 3, the semiconductor wafer W can be easily separated from the mounting cushion 25 without being warped and taken out of the wafer mounting tray 1.

次に載置クッションの自己吸着部の面積密度を変化させる方法について説明する   Next, a method for changing the area density of the self-adsorption portion of the mounting cushion will be described.

図11は、単一の材質からなり自己吸着部だけ(すなわち、吸着機能層だけ)を有する載置クッション51の表面(すなわち、吸着面)を凹凸形状とした場合の模式図である。載置クッション51は、単一の吸着材質、たとえば、発泡エラストマー系高分子材料、発泡ゴム系高分子材料、または発泡ウレタン系高分子材料から形成されている。(或いは、これらの複合体でも良い。)載置クッション51の表面は凹凸状態になっていて、凸部分52と凹部分53からなっている。凸部分52は平坦になっていて、載置クッション全体の凸部分52は同じ程度の高さを有していることが望ましい。このような表面が凹凸形状である載置クッション51に半導体ウエハを載せたときに半導体ウエハは載置クッションの凸部分52に接触する。次に半導体ウエハを押し付けると凸部分52が収縮する。押し付ける力を除去すると、収縮した部分が完全にまたはある程度回復する。凸部分52は自己吸着機能を有するので、半導体ウエハは載置クッション(の凸部分52)に吸着される。しかし、凹部分53には半導体ウエハは接触しないので、半導体ウエハは載置クッション(の凹部分53)には吸着されない。或いは、半導体ウエハを押し付けたときに凹部分53に(軽く)接触する可能性はあるが、凹部分53の収縮程度は、凸部分52の収縮程度に比べかなり低いので、半導体ウエハの吸着力が弱く、押付力を除去したときに載置クッションの凹部分53は半導体ウエハから離れる。   FIG. 11 is a schematic diagram in the case where the surface (that is, the suction surface) of the mounting cushion 51 made of a single material and having only the self-adsorption portion (that is, only the suction function layer) has an uneven shape. The mounting cushion 51 is formed of a single adsorbing material, for example, a foamed elastomeric polymer material, a foamed rubber polymer material, or a foamed urethane polymer material. (Alternatively, these composites may be used.) The surface of the mounting cushion 51 is in a concavo-convex state, and includes a convex portion 52 and a concave portion 53. It is desirable that the convex portion 52 is flat and the convex portion 52 of the entire mounting cushion has the same height. When the semiconductor wafer is placed on the mounting cushion 51 having such an uneven surface, the semiconductor wafer contacts the convex portion 52 of the mounting cushion. Next, when the semiconductor wafer is pressed, the convex portion 52 contracts. When the pressing force is removed, the contracted portion is completely or partially recovered. Since the convex part 52 has a self-adsorption function, the semiconductor wafer is adsorbed by the mounting cushion (the convex part 52). However, since the semiconductor wafer does not contact the concave portion 53, the semiconductor wafer is not attracted to the mounting cushion (the concave portion 53). Alternatively, there is a possibility that the concave portion 53 may be (lightly) contacted when the semiconductor wafer is pressed, but the degree of shrinkage of the concave portion 53 is considerably lower than the degree of shrinkage of the convex portion 52, so that the adsorption force of the semiconductor wafer is reduced. The concave portion 53 of the mounting cushion is separated from the semiconductor wafer when the pressing force is removed.

このように、載置クッション51の表面を凹凸形状とすることにより、半導体ウエハを吸着する部分と吸着しない部分を形成することができる。ある領域における表面の凸部分52の面積をSV、凹部分53の面積をSCとすると、この領域における(自己)吸着部の面積密度は、SV/(SV+SC)となる。半導体ウエハは凸部分52の自己吸着力により載置クッション51に吸着されているので、吸着部の面積密度SV/(SV+SC)を変化させることによりこの領域における半導体ウエハの載置クッションによる吸着力を変化させることができる。すなわち、ある領域における表面の凸部分52の面積を小さくし、凹部分53の面積を大きくすることにより、この領域における半導体ウエハの載置クッションによる吸着力を小さくすることが可能となる。   Thus, by making the surface of the mounting cushion 51 uneven, it is possible to form a portion that adsorbs the semiconductor wafer and a portion that does not adsorb the semiconductor wafer. When the area of the convex portion 52 on the surface in a certain region is SV and the area of the concave portion 53 is SC, the area density of the (self) adsorption portion in this region is SV / (SV + SC). Since the semiconductor wafer is attracted to the mounting cushion 51 by the self-adsorptive force of the convex portion 52, the adsorption force by the mounting cushion of the semiconductor wafer in this region is changed by changing the area density SV / (SV + SC) of the attracting part. Can be changed. That is, by reducing the area of the convex portion 52 on the surface in a certain area and increasing the area of the concave portion 53, it is possible to reduce the suction force by the semiconductor wafer mounting cushion in this area.

そこで、半導体ウエハの中心部を載置する載置クッションの中心部の凸部分52を多くして自己吸着部の面積密度を大きくする。一方、半導体ウエハの外周部を載置する載置クッションの外周部の凸部分52を少なくして自己吸着部の面積密度を小さくする。このようにすると、半導体ウエハの外周部は載置クッションに確実に吸着されるとともに、半導体ウエハを載置クッションから引き剥がすときは、半導体ウエハを載置クッションから離れやすくすることができる。   Thus, the area density of the self-adsorbing portion is increased by increasing the number of convex portions 52 in the central portion of the mounting cushion for mounting the central portion of the semiconductor wafer. On the other hand, the convex portion 52 of the outer peripheral portion of the mounting cushion for mounting the outer peripheral portion of the semiconductor wafer is reduced to reduce the area density of the self-adsorbing portion. In this way, the outer peripheral portion of the semiconductor wafer is reliably attracted to the mounting cushion, and when the semiconductor wafer is peeled off from the mounting cushion, the semiconductor wafer can be easily separated from the mounting cushion.

次に載置クッションの自己吸着部の面積密度を変化させる別の例について説明する。   Next, another example of changing the area density of the self-adsorption portion of the mounting cushion will be described.

図12は、自己吸着機能を持たない材料である高分子材料からなる基材(非吸着部)62と自己吸着機能を持つ材料である高分子材料からなる自己吸着部を持つ場合の実施形態である。基材62の表面を凹凸形状に形成した後で、基材の凹部分63に自己吸着部を形成する。自己吸着部の形成方法として、凹凸状の基材の表面に自己吸着機能を持つ材料(高分子材料)を塗布し、基材の凹部分63を自己吸着機能を持つ材料(吸着機能層)で充填する方法、或いは、凹部分63に自己吸着機能を持つ材料(高分子材料)をはめ込む(または埋め込む)方法などがある。自己吸着機能を持たない基材の凸部分64の表面(非吸着部)と自己吸着部の表面とはほぼ平坦を保つように形成できるので、半導体ウエハを載置クッション61の表面に載置し、半導体ウエハを自己吸着機能を持たない基材の凸部分の表面(非吸着部)と自己吸着部の表面とに接触させることができる。   FIG. 12 shows an embodiment in the case of having a base material (non-adsorption portion) 62 made of a polymer material that is a material having no self-adsorption function and a self-adsorption portion made of a polymer material that is a material having a self-adsorption function. is there. After the surface of the base material 62 is formed in a concavo-convex shape, a self-adsorption portion is formed in the concave portion 63 of the base material. As a method for forming the self-adsorption part, a material having a self-adsorption function (polymer material) is applied to the surface of the uneven substrate, and the concave portion 63 of the base material is made of a material having a self-adsorption function (adsorption function layer). There is a method of filling, or a method of fitting (or embedding) a material (polymer material) having a self-adsorption function into the concave portion 63. Since the surface of the convex portion 64 (non-adsorption portion) of the base material having no self-adsorption function and the surface of the self-adsorption portion can be formed so as to be substantially flat, the semiconductor wafer is placed on the surface of the placement cushion 61. The semiconductor wafer can be brought into contact with the surface of the convex portion (non-adsorption portion) of the base material having no self-adsorption function and the surface of the self-adsorption portion.

自己吸着機能を持たない基材(非吸着部)も自己吸着部と同様に収縮性のある材料とする。次に半導体ウエハを押し付けると自己吸着部も基材もが収縮する。押し付ける力を除去するか弱めると、収縮した部分が完全にまたはある程度回復する。自己吸着部63は自己吸着機能を有するので、半導体ウエハは載置クッションに吸着される。しかし、半導体ウエハが非吸着部64に接触している部分は、自己吸着機能を持たないので、半導体ウエハは載置クッション(の基材部分)には吸着されていない。   A base material (non-adsorbing portion) that does not have a self-adsorbing function is also made of a shrinkable material like the self-adsorbing portion. Next, when the semiconductor wafer is pressed, both the self-adsorption portion and the base material contract. When the pressing force is removed or weakened, the contracted part is fully or partially recovered. Since the self-adsorption part 63 has a self-adsorption function, the semiconductor wafer is adsorbed by the mounting cushion. However, since the portion where the semiconductor wafer is in contact with the non-adsorption portion 64 does not have a self-adsorption function, the semiconductor wafer is not adsorbed by the mounting cushion (the base material portion thereof).

このように、載置クッションの表面に自己吸着機能を持つ自己吸着部と自己吸着機能を持たない非吸着部を形成することにより半導体ウエハを吸着する部分と吸着しない部分を形成することができる。ある領域における自己吸着部の面積をSS、非吸着部の面積をSNとすると、この領域における自己吸着部の面積密度は、SS/(SS+SN)となる。SS/(SS+SN)が大きければ、載置クッションが半導体ウエハ等を吸着する吸着力が大きく、また、SS/(SS+SN)が小さければ、載置クッションが半導体ウエハ等を吸着する吸着力が小さい。このように、自己吸着部の面積と非吸着部の面積の割合を変化させることにより、自己吸着部の面積密度を調節できる。   As described above, by forming the self-adsorption part having the self-adsorption function and the non-adsorption part not having the self-adsorption function on the surface of the mounting cushion, it is possible to form the part that adsorbs the semiconductor wafer and the part that does not adsorb the semiconductor wafer. If the area of the self-adsorption part in a certain region is SS and the area of the non-adsorption part is SN, the area density of the self-adsorption part in this region is SS / (SS + SN). If SS / (SS + SN) is large, the mounting force that adsorbs the semiconductor wafer or the like is large. If SS / (SS + SN) is small, the adsorbing force that the mounting cushion adsorbs the semiconductor wafer or the like is small. Thus, by changing the ratio of the area of the self-adsorption part and the area of the non-adsorption part, the area density of the self-adsorption part can be adjusted.

従って、本発明を用いると、自己吸着部の面積密度を場所により変化させることにより、半導体ウエハを吸着する載置クッションの吸着力を、載置クッション内の場所により容易に変化させることができる。本発明の載置クッションにおいては、半導体ウエハの中心部を載置する載置クッションの中心部の自己吸着部を多くして、自己吸着部の面積密度を大きくする。一方、半導体ウエハの外周部を載置する載置クッションの外周部の自己吸着部を少なくして、自己吸着部の面積密度を小さくする。このようにすると、半導体ウエハの外周部は載置クッションから離れやすくなる。   Therefore, when the present invention is used, by changing the area density of the self-adsorption portion depending on the location, the adsorption force of the mounting cushion that adsorbs the semiconductor wafer can be easily changed depending on the location in the mounting cushion. In the mounting cushion of this invention, the self-adsorption part of the center part of the mounting cushion which mounts the center part of a semiconductor wafer is increased, and the area density of a self-adsorption part is enlarged. On the other hand, the area density of the self-adsorbing portion is reduced by reducing the number of self-adsorbing portions on the outer peripheral portion of the mounting cushion for mounting the outer peripheral portion of the semiconductor wafer. If it does in this way, the outer peripheral part of a semiconductor wafer will become easy to leave | separate from a mounting cushion.

図12に示すような載置クッションの表面を自己吸着部と非吸着部を形成する別の実施形態として、図12とは逆に、表面が凹凸を有する自己吸着機能を有する単一(または複合)の材料を用いて、この凹部分を自己吸着機能を持たない非吸着部で充填等をして、載置クッションの表面に自己吸着部と非吸着部を形成できる。   As another embodiment in which the surface of the mounting cushion as shown in FIG. 12 is formed with a self-adsorbing portion and a non-adsorbing portion, contrary to FIG. ), The self-adsorption portion and the non-adsorption portion can be formed on the surface of the mounting cushion by filling the concave portion with a non-adsorption portion having no self-adsorption function.

また、平坦な基材の表面に自己吸着機能を有する材料と自己吸着機能を持たない材料を交互に(隣り合わせで)形成することにより、載置クッションの表面に自己吸着部と非吸着部を形成できる。たとえば、自己吸着機能を有する材料と自己吸着機能を持たない材料を平坦な基材の表面に付着させたり、或いは、自己吸着機能を有する材料と自己吸着機能を持たない材料を平坦な基材の表面に塗布したりして、載置クッションの表面に自己吸着部と非吸着部を交互に(隣り合わせで)形成できる。   In addition, the self-adsorption part and the non-adsorption part are formed on the surface of the mounting cushion by alternately forming (adjacent) a material having a self-adsorption function and a material not having a self-adsorption function on the surface of a flat substrate. it can. For example, a material having a self-adsorption function and a material having no self-adsorption function are attached to the surface of a flat substrate, or a material having a self-adsorption function and a material having no self-adsorption function are adhered to a flat substrate. The self-adsorbing portion and the non-adsorbing portion can be alternately (adjacently) formed on the surface of the mounting cushion by applying to the surface.

図3において、上述したように、自己吸着部は、クッション性を有していて且つ周囲に化学的悪影響を及ぼし難い例えばアクリル酸エステル共重合体からなる発泡アクリルラテックス等のような発泡ゴム系高分子材料、発泡エラストマー系高分子材料又は発泡ウレタン系高分子材料等で形成されていて、自己吸着部内に多数形成された気泡のうち外気に向かって開口する気泡が各々微細吸盤として機能する。したがって、自己吸着部はその露出する面の全面が微細吸盤の集合層になっており、微細吸盤を吸着相手である半導体ウエハWに押し付けることにより、半導体ウエハWが自己吸着部に吸着固定された状態になる。なお、気泡は連続気泡又は独立気泡のどちらでもよく、気泡の平均直径が10ミクロンメートル程度以上で50ミクロンメートル程度以下であることが望ましい。   In FIG. 3, as described above, the self-adsorbing portion has a cushioning property and hardly exerts a chemical adverse effect on the surroundings. For example, the self-adsorbing portion is highly foamed rubber type such as foamed acrylic latex made of an acrylate copolymer. Of the many bubbles formed in the self-adsorbing portion, the bubbles that open to the outside air each function as a fine sucker, which is formed of a molecular material, a foamed elastomer-based polymer material, a foamed urethane-based polymer material, or the like. Therefore, the entire surface of the self-adsorbing part exposed is an aggregate layer of the fine sucker, and the semiconductor wafer W is adsorbed and fixed to the self-adsorbing part by pressing the fine sucker against the semiconductor wafer W as the adsorbing partner. It becomes a state. The bubble may be either an open cell or a closed cell, and it is desirable that the average diameter of the bubble is about 10 μm or more and about 50 μm or less.

図4に明示されるように、この実施の形態においては、自己吸着部の面積密度の大きい領域25Aが載置クッション25の中心部側、すなわち、半導体ウエハWの直径より小さな径の円板状に形成されて、その周囲を自己吸着部の面積密度の小さい領域25Bが全周にわたって囲んでいる。図4に二点鎖線で示されるW′は、半導体ウエハWが載置クッション25に載せられた時の半導体ウエハWの外縁位置であり、自己吸着部の面積密度の小さい領域25Bの外縁の方が半導体ウエハWより大きく形成されていて、半導体ウエハWの外縁位置W′が自己吸着部の面積密度の小さい領域25B内に位置している。   As clearly shown in FIG. 4, in this embodiment, a region 25 </ b> A having a large area density of the self-adsorption portion is a central portion of the mounting cushion 25, that is, a disk shape having a diameter smaller than the diameter of the semiconductor wafer W. The region 25B having a small area density of the self-adsorption portion surrounds the entire periphery. W ′ indicated by a two-dot chain line in FIG. 4 is an outer edge position of the semiconductor wafer W when the semiconductor wafer W is placed on the placement cushion 25, and is closer to the outer edge of the region 25B having a smaller area density of the self-adsorption portion. Is formed larger than the semiconductor wafer W, and the outer edge position W ′ of the semiconductor wafer W is located in the region 25B where the area density of the self-adsorption portion is small.

非吸着部の素材としては、自己吸着部と同程度のクッション性を有していて自己吸着性のない例えば発泡ウレタン等のような発泡高分子材料やエラストマー系高分子材料等を用いることができる。図3に示される載置クッション25は、半導体ウエハWの中心部が吸着される載置クッション25の中心部領域25Aにおける自己吸着部の面積密度は大きく、これに対して半導体ウエハWの外周部が吸着される載置クッション25の外周部領域25Bにおける自己吸着部の面積密度は小さい。この結果、半導体ウエハWが載置クッション25に押し付けられた時、半導体ウエハWには載置クッション25からの反力が全体に均一に作用し、半導体ウエハWを歪みなく安全に格納することができる。   As the material of the non-adsorbing part, for example, a foamed polymer material such as urethane foam or an elastomeric polymer material having a cushioning property comparable to that of the self-adsorbing part and having no self-adsorptive property can be used. . The mounting cushion 25 shown in FIG. 3 has a large area density of the self-adsorbing portion in the central region 25A of the mounting cushion 25 to which the central portion of the semiconductor wafer W is attracted. The area density of the self-adsorption part in the outer peripheral part region 25B of the mounting cushion 25 to which is adsorbed is small. As a result, when the semiconductor wafer W is pressed against the mounting cushion 25, the reaction force from the mounting cushion 25 acts uniformly on the entire semiconductor wafer W, and the semiconductor wafer W can be safely stored without distortion. it can.

図1と図5は、二つのウエハ載置トレイ1が分離された状態と重ね合わされた状態とを示している。なお、二つのウエハ載置トレイ1が分離された時、半導体ウエハWは実際には図3に示されるように載置クッション25に吸着された状態を保っているが、半導体ウエハWの存在を明瞭に図示するため、図1においては半導体ウエハWを単独で分離して図示してある。   1 and 5 show a state where two wafer mounting trays 1 are separated and a state where they are overlapped. When the two wafer mounting trays 1 are separated, the semiconductor wafer W is actually held by the mounting cushion 25 as shown in FIG. For the sake of clarity, the semiconductor wafer W is illustrated separately in FIG.

ウエハ載置トレイ1の裏面14には、半導体ウエハWを下側のウエハ載置トレイ1の載置クッション25に対して押し付けるための弾力性のあるウエハ押付クッションシート15(以下、「押付クッション15」と略称する)が取り付けられている。この実施の形態の押付クッション15は、載置クッション25と同様に、半導体ウエハWに対し化学的悪影響を及ぼさない材料により半導体ウエハWの所定の領域又は略全面を押圧できる大きさの円板状に形成されている。   An elastic wafer pressing cushion sheet 15 (hereinafter referred to as “pressing cushion 15” for pressing the semiconductor wafer W against the mounting cushion 25 of the lower wafer mounting tray 1 is provided on the back surface 14 of the wafer mounting tray 1. Is abbreviated as “)”. The pressing cushion 15 of this embodiment, like the mounting cushion 25, has a disk shape that can press a predetermined region or substantially the entire surface of the semiconductor wafer W with a material that does not have a chemical adverse effect on the semiconductor wafer W. Is formed.

具体的には、半導体ウエハWの表面に押し付けられる状態に接触して弾力的なクッションとして機能する例えば発泡ウレタンやウレタン樹脂等からなる弾性高分子シート15Aと、ウエハ載置トレイ1の裏面(下面)14に取り付けられる例えばPET(ポリエチレンテレフタレート)等の材料からなる基材シート15Bとを積層一体化して構成されている。半導体ウエハWとの接触面は、半導体ウエハWに吸着しないように若干の凹凸面に形成するとよい。なお、ウエハ載置トレイ1に対する押付クッション15の取り付けは載置クッション25の取り付けと同様である。即ち、この実施の形態では押付クッション15がウエハ載置トレイ1の裏面14に接着されているが、ウエハ載置トレイ1の底面13に対して着脱自在な枠体やピン等を用いたり、自己吸着部を含む自己吸着層を形成したりすることで、押付クッション15をウエハ載置トレイ1に対して着脱自在に構成し、容易に洗浄したり交換したりすることができる。   Specifically, an elastic polymer sheet 15A made of, for example, foamed urethane or urethane resin that functions as an elastic cushion in contact with the state pressed against the surface of the semiconductor wafer W, and the back surface (lower surface) of the wafer loading tray 1 ) And a base material sheet 15B made of a material such as PET (polyethylene terephthalate) attached to 14 is laminated and integrated. The contact surface with the semiconductor wafer W is preferably formed on a slightly uneven surface so as not to be attracted to the semiconductor wafer W. The attachment of the pressing cushion 15 to the wafer mounting tray 1 is the same as the mounting of the mounting cushion 25. That is, in this embodiment, the pressing cushion 15 is bonded to the back surface 14 of the wafer loading tray 1, but a frame body, a pin, or the like that is detachable from the bottom surface 13 of the wafer loading tray 1 can be used. By forming a self-adsorption layer including an adsorption portion, the pressing cushion 15 can be configured to be detachable from the wafer mounting tray 1 and can be easily cleaned or replaced.

このように構成された実施の形態のクッションシート付ウエハ収納容器において、半導体ウエハWを搬送及び保管する際には、図5に示されるように、半導体ウエハWが、クッション性に富んだ載置クッション25と押付クッション15との間に弾力的に挟まれた状態で、ウエハ載置トレイ1とその上側に隣接して重ね合わされたウエハ載置トレイ1との間に形成される内側空間内に安全に格納される。   In the wafer storage container with a cushion sheet of the embodiment configured as described above, when the semiconductor wafer W is transported and stored, the semiconductor wafer W is placed with a cushioning property as shown in FIG. In an inner space formed between the wafer mounting tray 1 and the wafer mounting tray 1 stacked adjacent to the upper side thereof in a state of being elastically sandwiched between the cushion 25 and the pressing cushion 15. Stored safely.

そして、重なり合わされていたウエハ載置トレイ1が分離されても、図3に示されるように、半導体ウエハWは載置クッション25の自己吸着部に吸着された状態になっているので、二つのウエハ載置トレイ1の分離作業や半導体ウエハWの検査等の際にウエハ載置トレイ1が傾いた状態にされても、載置クッション25がウエハ載置トレイ1上から滑り落ちるおそれがなく、且つ半導体ウエハWが載置クッション25上から滑り落ちるおそれもない。また、半導体ウエハWが載置クッション25の上面に吸着固定された状態になることにより、半導体ウエハWが常に反りのない平坦な状態に保たれるので、半導体ウエハWが平坦な状態と反った状態を繰り返すことにより破損する現象の発生を未然に防止することができる。   And even if the wafer mounting tray 1 that has been overlapped is separated, the semiconductor wafer W is in a state of being adsorbed by the self-adsorption portion of the mounting cushion 25 as shown in FIG. Even when the wafer mounting tray 1 is tilted during the separation operation of the wafer mounting tray 1 or the inspection of the semiconductor wafer W, the mounting cushion 25 does not slide down from the wafer mounting tray 1 and There is no possibility that the semiconductor wafer W slides down from the mounting cushion 25. Further, since the semiconductor wafer W is in a state of being adsorbed and fixed to the upper surface of the mounting cushion 25, the semiconductor wafer W is always kept flat without warping, so that the semiconductor wafer W warps from a flat state. Occurrence of a phenomenon that breaks by repeating the state can be prevented in advance.

半導体ウエハWをウエハ載置トレイ1から取り外す際には、半導体ウエハWの外周部分を吸着している載置クッションの吸着力が半導体ウエハWの中心部分を吸着している載置クッションの吸着力より小さいので、半導体ウエハW全体(又は、少なくとも外縁部を含む広い範囲)に対し載置クッション25から引き離す力を作用させれば、半導体ウエハWの外周部分から載置クッション25の外周部分が外れていき、半導体ウエハWと載置クッション25の外縁部どうしの間に生じる隙間から自己吸着部の微細吸盤に順次空気が入って自己吸着部の吸着力がなくなるので、半導体ウエハWを反らせることなく載置クッション25から容易に引き離してウエハ載置トレイ1外に取り出すことができる。   When removing the semiconductor wafer W from the wafer mounting tray 1, the suction force of the mounting cushion that sucks the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W is the suction force of the mounting cushion that sucks the central portion of the semiconductor wafer W. Therefore, if a force that separates from the mounting cushion 25 is applied to the entire semiconductor wafer W (or at least a wide range including the outer edge portion), the outer peripheral portion of the mounting cushion 25 is detached from the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W. Then, air enters the fine suction cups of the self-adsorptive part sequentially from the gap formed between the outer edge parts of the semiconductor wafer W and the mounting cushion 25, and the adsorbing force of the self-adsorptive part disappears. It can be easily pulled away from the mounting cushion 25 and taken out of the wafer mounting tray 1.

図6は、半導体ウエハWをウエハ載置トレイ1から取り外すための搬送チャック30が、半導体ウエハWの開放面である上面に吸着された状態を示しており、載置クッション25の自己吸着部の面積密度が小さい領域の全部または一部が搬送チャック30の外縁より内側位置になるように構成されていることにより、載置クッション25の自己吸着部の面積密度が小さい領域に吸着されている半導体ウエハWの外縁部分が搬送チャック30で持ち上げられて、前述のように半導体ウエハWを載置クッション25から容易に取り外すことができる。すなわち、搬送チャック30で半導体ウエハを吸着する力が一定の場合、一度半導体ウエハWを載置クッション25から剥がれると、載置クッション25が半導体ウエハを吸着する全体の力が弱くなるので、半導体ウエハWを載置クッション25から容易に取り外すことができる。なお、搬送チャック30としては、例えば空気流を被搬送物との間に流すことで発生する負圧を利用して被搬送物を非接触状態で吸引するいわゆるベルヌーイハンドや、静電気の吸着力を利用したいわゆる静電ハンド等を用いることができる。   FIG. 6 shows a state in which the transfer chuck 30 for removing the semiconductor wafer W from the wafer mounting tray 1 is adsorbed to the upper surface which is the open surface of the semiconductor wafer W. A semiconductor that is adsorbed in a region where the area density of the self-adsorption portion of the mounting cushion 25 is small because all or part of the region where the area density is small is located inside the outer edge of the conveyance chuck 30. The outer edge portion of the wafer W is lifted by the transfer chuck 30, and the semiconductor wafer W can be easily removed from the mounting cushion 25 as described above. That is, when the force for adsorbing the semiconductor wafer by the transfer chuck 30 is constant, once the semiconductor wafer W is peeled from the placement cushion 25, the overall force for the placement cushion 25 to attract the semiconductor wafer becomes weak. W can be easily removed from the mounting cushion 25. In addition, as the conveyance chuck 30, for example, a so-called Bernoulli hand that sucks the object to be conveyed in a non-contact state using a negative pressure generated by flowing an air flow between the object and the object to be conveyed, or a static adsorption force. A so-called electrostatic hand or the like can be used.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、載置クッション25の構成は、例えば図7に示されるように、載置クッション25全体のための基材シート25Cの上に、載置クッション25の外周部に自己吸着部の面積密度の小さいシート25Bを付着させ、その内側に自己吸着部の面積密度の大きいシート25Aのための基材シート25A′および自己吸着部の面積密度の大きいシート25Aを別設してもよい。この場合もシート25Aとシート25Bとは同じ程度の高さであることが望ましい。また、図8に示されるように、極薄の(例えば10〜20ミクロンメートル程度の)自己吸着部の面積密度の小さいシート25Bを自己吸着部の面積密度の大きいシート25Aの外縁部の表面に載せた状態で積層一体化してもよい。この場合には、シート25Aとシート25Bの高さが少し異なるが、シート25Bは非常に薄いので自己吸着部の面積密度の大小に影響はしない。もし、その影響が問題ある程度であれば、お互いの自己吸着部の面積密度を調整すれば良い。すなわち、シート25Aとシート25Bが平坦な場合に比べてシート25Bにおける自己吸着部の面積密度を小さくすれば良い。あるいは、図9に示されるように、自己吸着部の面積密度の大きいシート25Aの外縁部分付近の表面に凹凸加工を施す等、自己吸着部面積密度の大きいシート25Aの表面の一部を非吸着部に加工することで自己吸着部面積密度の小さいシート25Bを形成してもよい。このような凹凸面は、例えば加熱した金属板等を樹脂材に押し付けるいわゆる焼印等の手段により形成することができる。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, For example, as FIG. 7 shows, the structure of the mounting cushion 25 is on the base material sheet 25C for the mounting cushion 25 whole, A sheet 25B having a small area density of the self-adsorptive part is attached to the outer peripheral part of the mounting cushion 25, and an area density of the base sheet 25A 'for the sheet 25A having a large area density of the self-adsorptive part and the self-adsorptive part is disposed on the inside. A large sheet 25A may be provided separately. Also in this case, it is desirable that the sheet 25A and the sheet 25B have the same height. Further, as shown in FIG. 8, the sheet 25B having a small area density of the self-adsorption portion that is extremely thin (for example, about 10 to 20 micrometers) is placed on the surface of the outer edge portion of the sheet 25A having a large area density of the self-adsorption portion. Lamination and integration may be performed in the state of being placed. In this case, the heights of the sheet 25A and the sheet 25B are slightly different, but the sheet 25B is very thin and does not affect the size of the area density of the self-adsorption portion. If the influence is to a certain extent, the area density of the self-adsorptive portions of each other may be adjusted. That is, the area density of the self-adsorptive portion in the sheet 25B may be made smaller than when the sheets 25A and 25B are flat. Alternatively, as shown in FIG. 9, a part of the surface of the sheet 25A having a large self-adsorbing portion area density is not adsorbed by, for example, subjecting the surface in the vicinity of the outer edge portion of the sheet 25A having a large area density of the self-adsorbing portion. The sheet 25B having a small self-adsorption portion area density may be formed by processing the portion. Such a concavo-convex surface can be formed by means such as so-called branding that presses a heated metal plate or the like against a resin material.

また、自己吸着部面積密度の小さいシート25Bの形成領域としては、載置クッション25に半導体ウエハWが載せられた時に、少なくとも半導体ウエハWの外縁部の一部又は全部に面する位置にシート25Bが存在するようにすれば、半導体ウエハWを剥がすときに載置クッション25の微細吸盤に外縁側から空気が送られて半導体ウエハWを反らせることなく自己吸着部から取り外すことができる。搬送チャック30との関係も同様であり、自己吸着部の面積密度の小さい領域25Bの一部又は全部が搬送チャック30の外縁より内側位置に形成されていればよい。   Further, as a formation region of the sheet 25B having a small self-adsorption portion area density, when the semiconductor wafer W is placed on the mounting cushion 25, the sheet 25B is at least at a position facing a part or all of the outer edge portion of the semiconductor wafer W. When the semiconductor wafer W is peeled off, air can be sent from the outer edge side to the fine suction cup of the mounting cushion 25 when the semiconductor wafer W is peeled off, and the semiconductor wafer W can be removed from the self-adsorbing portion without warping. The relationship with the conveyance chuck 30 is the same, and a part or all of the region 25 </ b> B having a small area density of the self-adsorbing portion may be formed at a position inside the outer edge of the conveyance chuck 30.

次に本発明の載置クッションの自己吸着部および非吸着部の配列の例を述べる。   Next, an example of the arrangement of the self-adsorption part and the non-adsorption part of the mounting cushion of the present invention will be described.

図13は、全面一様な吸着力を持つ場合における自己吸着部および非吸着部の配列の状態を良く説明するための図である。図13(a)は、載置クッション71の表面に自己吸着部が碁盤の目のようにクロスに配列したものである。線または黒点72が自己吸着部で、白い部分73が非吸着部を示す。半導体ウエハはこの載置クッション71の表面に配置されるが、自己吸着部の面積密度は載置クッション71の表面のどこでも同じなので、載置クッション71が半導体ウエハを吸着する吸着力も半導体ウエハのどこでもほぼ一様となる。図13(b)は、載置クッション71の表面に自己吸着部を斑点形状にほぼ同じ密度で配列したものである。黒点72が自己吸着部で、白い部分73が非吸着部を示す。この場合にも、自己吸着部の面積密度は載置クッションの表面のどこでも同じなので、載置クッション71が半導体ウエハを吸着する吸着力も半導体ウエハのどこでもほぼ一様となる。これらの配列からも分かるように、線上の自己吸着部同士の線間隔を可変したり、或いは斑点形状の自己吸着部の間隔を可変(すなわち、自己吸着部の密度を可変)したりすることにより、自己吸着部の面積密度を変化させることができる。   FIG. 13 is a diagram for explaining the state of the arrangement of the self-adsorption part and the non-adsorption part when the entire surface has a uniform adsorption force. FIG. 13A shows a self-adsorptive portion arranged on the surface of the mounting cushion 71 in a cross like a grid. Lines or black spots 72 are self-adsorbing portions, and white portions 73 are non-adsorbing portions. The semiconductor wafer is disposed on the surface of the mounting cushion 71. Since the area density of the self-adsorption portion is the same everywhere on the surface of the mounting cushion 71, the suction force that the mounting cushion 71 absorbs the semiconductor wafer is also anywhere on the semiconductor wafer. Almost uniform. FIG. 13B shows a self-adsorptive portion arranged in a spot shape on the surface of the mounting cushion 71 at substantially the same density. Black dots 72 are self-adsorbing portions, and white portions 73 are non-adsorbing portions. Also in this case, since the area density of the self-adsorbing portion is the same everywhere on the surface of the mounting cushion, the suction force by which the mounting cushion 71 attracts the semiconductor wafer is almost uniform everywhere on the semiconductor wafer. As can be seen from these arrangements, by changing the line spacing between the self-adsorption parts on the line, or by changing the interval between the spot-shaped self-adsorption parts (that is, changing the density of the self-adsorption parts) The area density of the self-adsorption part can be changed.

図14は、本発明の実施形態である載置クッション表面の自己吸着部および非吸着部の配列を示す図である。図14(a)は、載置クッション81の表面に自己吸着部82が放射線状に配列されている。白い部分83は、非吸着部である。図14(b)は、載置クッション81の表面に自己吸着部82が渦巻き状に配列されている。図14(a)および(b)において、載置クッション81の表面の中心に自己吸着部82が集まり、載置クッション81の表面の外側において自己吸着部82は疎になっている。従って、自己吸着部の面積密度は、載置クッション81の表面の中心付近で最も大きく、載置クッション81の表面の外側にいくに従い小さくなる。半導体ウエハはこの載置クッション81の表面に配置される(半導体ウエハの中心が載置クッション81の中心にほぼ載置される)ので、載置クッション81が半導体ウエハを吸着する吸着力は、半導体ウエハの中心部付近で大きく、半導体ウエハの外側にいくに従い小さくなる。このため、載置クッション81に吸着された半導体ウエハを載置クッション81から離すときは、半導体ウエハの外側から中心に向けて徐々に載置クッション81から離すことができ、たとえ、半導体ウエハが100ミクロンメートル以下の極薄になったとしても半導体ウエハを破損することなく安全かつ容易に取り出すことができる。   FIG. 14 is a diagram showing the arrangement of the self-adsorption part and the non-adsorption part on the surface of the mounting cushion according to the embodiment of the present invention. In FIG. 14A, the self-adsorbing portions 82 are radially arranged on the surface of the mounting cushion 81. The white part 83 is a non-adsorption part. In FIG. 14B, the self-adsorbing portions 82 are spirally arranged on the surface of the mounting cushion 81. 14A and 14B, the self-adsorbing portion 82 gathers at the center of the surface of the mounting cushion 81, and the self-adsorbing portion 82 is sparse outside the surface of the mounting cushion 81. Therefore, the area density of the self-adsorbing portion is the largest near the center of the surface of the mounting cushion 81 and decreases as it goes outside the surface of the mounting cushion 81. Since the semiconductor wafer is disposed on the surface of the mounting cushion 81 (the center of the semiconductor wafer is mounted substantially at the center of the mounting cushion 81), the adsorption force with which the mounting cushion 81 adsorbs the semiconductor wafer is the semiconductor. It is large near the center of the wafer and decreases as it goes outside the semiconductor wafer. For this reason, when the semiconductor wafer adsorbed by the mounting cushion 81 is separated from the mounting cushion 81, the semiconductor wafer can be gradually separated from the mounting cushion 81 toward the center from the outside of the semiconductor wafer. Even if the thickness is reduced to a micrometer or less, the semiconductor wafer can be safely and easily taken out without being damaged.

図15は、本発明の別の実施形態である載置クッション表面の自己吸着部および非吸着部の配列を示す図である。図13(b)の場合と同様に、載置クッション91の表面に自己吸着部92を斑点形状に配列したものである。黒点92が自己吸着部で、白い部分93が非吸着部を示す。中心部94は自己吸着部の面積密度が大きく、周辺部95は自己吸着部の面積密度が小さくなっている。(尚、載置クッション91の内部の円形の線は、両者の境が良く分かるように引いている。)このような配列により、半導体ウエハの外周部を吸着する吸着力を小さくすることができる。このため、載置クッションに吸着された半導体ウエハを載置クッションから離すときは、半導体ウエハの外側から中心に向けて徐々に載置クッションから離すことができ、たとえ、半導体ウエハが100ミクロンメートル以下の極薄になったとしても半導体ウエハを破損することなく安全かつ容易に取り出すことができる。   FIG. 15 is a diagram showing an arrangement of self-adsorbing portions and non-adsorbing portions on the surface of the mounting cushion according to another embodiment of the present invention. Similar to the case of FIG. 13B, self-adsorption portions 92 are arranged in a spot shape on the surface of the mounting cushion 91. Black dots 92 are self-adsorbing portions, and white portions 93 are non-adsorbing portions. The central portion 94 has a large area density of the self-adsorbing portion, and the peripheral portion 95 has a small area density of the self-adsorbing portion. (The circular line inside the mounting cushion 91 is drawn so that the boundary between the two can be clearly understood.) With such an arrangement, the adsorption force for adsorbing the outer periphery of the semiconductor wafer can be reduced. . For this reason, when the semiconductor wafer adsorbed by the mounting cushion is separated from the mounting cushion, it can be gradually separated from the mounting cushion from the outside to the center of the semiconductor wafer, even if the semiconductor wafer is 100 microns or less. Even if the thickness becomes extremely thin, the semiconductor wafer can be safely and easily taken out without being damaged.

図15に示す載置クッション表面の自己吸着部および非吸着部の配列の応用として、半導体ウエハの中心部を吸着する載置クッションの中心部から、半導体ウエハの外周部を吸着する載置クッションの外周部へ向けて、自己吸着部の面積密度を徐々に小さくしていく方法がある。この場合においては、半導体ウエハが安全確実に載置クッションに吸着されているとともに、半導体ウエハを載置クッションから剥がすときにも、半導体ウエハを吸着する力が小さい半導体ウエハの外周部からだんだん大きくなる半導体ウエハの中心部へ向けて半導体ウエハを載置クッションから離していくので、きわめて安全にかつ容易に半導体ウエハを破損することなく取り出すことができる。   As an application of the arrangement of the self-adsorption part and the non-adsorption part on the surface of the mounting cushion shown in FIG. 15, the mounting cushion that adsorbs the outer peripheral part of the semiconductor wafer from the central part of the mounting cushion that adsorbs the central part of the semiconductor wafer. There is a method of gradually decreasing the area density of the self-adsorption portion toward the outer peripheral portion. In this case, the semiconductor wafer is securely and securely adsorbed to the mounting cushion, and when the semiconductor wafer is removed from the mounting cushion, the force for adsorbing the semiconductor wafer gradually increases from the outer periphery of the semiconductor wafer. Since the semiconductor wafer is moved away from the mounting cushion toward the center of the semiconductor wafer, the semiconductor wafer can be taken out extremely safely and easily without being damaged.

また、押付クッション15は、図16に示されるように、その外縁部だけをウエハ載置トレイ1に固定して他の部分をウエハ載置トレイ1の裏面14から浮かせた状態に構成にしてもよい。このようにすると、半導体ウエハWの厚みに関係なく半導体ウエハWを適度のクッション性が作用した状態で格納することができる。また、押付クッション15を単層の弾性高分子シート等で形成することもできる。なお、この場合も、押付クッション15の半導体ウエハWに対する接触面は半導体ウエハWと吸着状態にならないように若干の凹凸面等に形成するとよい。   Further, as shown in FIG. 16, the pressing cushion 15 is configured such that only the outer edge portion thereof is fixed to the wafer mounting tray 1 and the other portion is floated from the back surface 14 of the wafer mounting tray 1. Good. In this way, the semiconductor wafer W can be stored in a state where an appropriate cushioning property is applied regardless of the thickness of the semiconductor wafer W. The pressing cushion 15 can also be formed of a single layer elastic polymer sheet or the like. In this case as well, the contact surface of the pressing cushion 15 with respect to the semiconductor wafer W is preferably formed on a slightly uneven surface so as not to be attracted to the semiconductor wafer W.

以上、本発明である載置クッション表面の自己吸着部および非吸着部の配列について幾つか説明したが、これらは一つの実例であって、これらに制限されることはなく、他の配列も本発明に含まれることは言うまでもない。   In the above, some arrangements of the self-adsorption part and the non-adsorption part on the surface of the mounting cushion according to the present invention have been described. However, these are only examples, and the other arrangements are not limited thereto. It goes without saying that it is included in the invention.

本発明は、載置クッション表面の自己吸着部の面積密度を可変し、載置クッションが半導体ウエハ等を吸着する吸着力を場所により変化させることにある。特に、載置クッション表面の中心付近における自己吸着部の面積密度を大きくして、半導体ウエハを吸着する吸着力を中心付近で大きくして確実に半導体ウエハを吸着する。さらに、載置クッション表面の外周部における自己吸着部の面積密度を小さくして、半導体ウエハを吸着する吸着力を外周部で小さくする。この結果、半導体ウエハはその外周部も含め載置クッションにしっかり吸着されているが、半導体ウエハを載置クッションから引き離すことが容易となり、たとえ、半導体ウエハが100ミクロンメートル以下の極薄になったとしても半導体ウエハを破損することなく安全かつ容易に取り出すことができる。   An object of the present invention is to vary the area density of the self-adsorption portion on the surface of the mounting cushion, and to change the adsorption force with which the mounting cushion adsorbs a semiconductor wafer or the like depending on the location. In particular, the area density of the self-adsorption portion near the center of the mounting cushion surface is increased, and the adsorption force for adsorbing the semiconductor wafer is increased near the center to reliably adsorb the semiconductor wafer. Furthermore, the area density of the self-adsorption part in the outer peripheral part of the mounting cushion surface is reduced, and the adsorption force for adsorbing the semiconductor wafer is reduced in the outer peripheral part. As a result, the semiconductor wafer is firmly adsorbed to the mounting cushion including the outer peripheral portion thereof, but it becomes easy to pull the semiconductor wafer away from the mounting cushion, even if the semiconductor wafer becomes extremely thin of 100 microns or less. However, the semiconductor wafer can be taken out safely and easily without being damaged.

上述の本発明の説明においては、載置クッションや半導体ウエハ等の平板は円形状であるとして説明してきたが、円形状に限らず、長方形状や正方形状の矩形状その他の形状に適用できることも言うまでもない。また、半導体ウエハに限らず、表示体用デバイスや太陽電池その他の薄い基板を用いる分野においても本発明を適用できる。また、上述の各実例および実施形態の説明において、記載しなかった内容について、お互いに矛盾がない限りにおいて適用できることも言うまでもない。   In the description of the present invention described above, the flat plate such as the mounting cushion and the semiconductor wafer has been described as having a circular shape. However, the present invention is not limited to a circular shape, and may be applicable to a rectangular shape, a rectangular shape such as a square shape, or the like. Needless to say. In addition, the present invention can be applied not only to semiconductor wafers but also in the field using display devices, solar cells, and other thin substrates. In addition, it goes without saying that the contents not described in the description of the respective examples and embodiments described above can be applied as long as there is no contradiction between them.

本発明は、半導体ウエハを搬送あるいは保管するために用いられるウエハ収納容器を使用する半導体産業に適用できる。 The present invention can be applied to the semiconductor industry using a wafer container used for transporting or storing semiconductor wafers.

図1は、本発明の実施の形態において重ね合わされた二つのウエハ載置トレイが分離された状態の側面断面図である。FIG. 1 is a side cross-sectional view showing a state where two wafer mounting trays stacked in the embodiment of the present invention are separated. 図2は、ウエハ載置トレイが多数重ね合わされた状態の一部を分離して示す本発明のウエハ載置クッションシート付ウエハ収納容器の全体構成の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of the overall configuration of the wafer storage container with a wafer mounting cushion sheet according to the present invention, showing a part of the state in which a large number of wafer mounting trays are stacked. 図3は、本発明のウエハ載置クッションシート付ウエハ載置トレイの一つに半導体ウエハが載置された状態の側面断面図である。FIG. 3 is a side cross-sectional view of a state in which a semiconductor wafer is placed on one of the wafer placement trays with a wafer placement cushion sheet according to the present invention. 図4は、本発明のウエハ載置クッションシート単体と半導体ウエハとが分離された状態の斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of the wafer mounting cushion sheet according to the present invention and the semiconductor wafer separated from each other. 図5は、本発明のウエハ載置クッションシート付ウエハ載置トレイ二つが重ね合わされた状態の側面断面図である。FIG. 5 is a side sectional view showing a state in which two wafer mounting trays with a wafer mounting cushion sheet according to the present invention are overlaid. 図6は、本発明のウエハ載置クッションシート付ウエハ載置トレイから半導体ウエハが搬送チャックで取り出される際の状態を示す側面断面図である。FIG. 6 is a side cross-sectional view showing a state in which a semiconductor wafer is taken out from the wafer placement tray with a wafer placement cushion sheet according to the present invention by a transfer chuck. 図7は、本発明のウエハ載置クッションシート付の層構造である第1の変形例の側面断面図である。FIG. 7 is a side cross-sectional view of a first modified example having a layer structure with a wafer mounting cushion sheet of the present invention. 図8は、本発明のウエハ載置クッションシートの層構造である第2の変形例の側面断面図である。FIG. 8 is a side cross-sectional view of a second modified example having a layer structure of the wafer mounting cushion sheet of the present invention. 図9は、本発明のウエハ載置クッションシートの層構造である第3の変形例の側面断面図である。FIG. 9 is a side cross-sectional view of a third modified example that is a layer structure of the wafer mounting cushion sheet of the present invention. 図10は、本発明のウエハ載置クッションシートにおける吸着機能層の構造を示す図である。FIG. 10 is a view showing the structure of the adsorption function layer in the wafer mounting cushion sheet of the present invention. 図11は、本発明における自己吸着部の面積密度を可変する方法を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a method for varying the area density of the self-adsorption portion in the present invention. 図12は、本発明における自己吸着部の面積密度を可変する別の方法を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing another method for varying the area density of the self-adsorption part in the present invention. 図13は、自己吸着部および非吸着部の配列状態の説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram of an arrangement state of the self-adsorption part and the non-adsorption part. 図14は、本発明の実施形態である載置クッション表面の自己吸着部および非吸着部の配列を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing the arrangement of the self-adsorption part and the non-adsorption part on the surface of the mounting cushion according to the embodiment of the present invention. 図15は、本発明の別の実施形態である載置クッション表面の自己吸着部および非吸着部の配列を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing an arrangement of self-adsorbing portions and non-adsorbing portions on the surface of the mounting cushion according to another embodiment of the present invention. 図16は、本発明のウエハ押付クッションシートの変形例を適用したウエハ載置トレイが二つ重ね合わされた状態の側面断面図である。FIG. 16 is a side cross-sectional view of a state where two wafer mounting trays to which a modified example of the wafer pressing cushion sheet of the present invention is applied are overlapped.

符号の説明Explanation of symbols

1 ウエハ載置トレイ
13 底面
15 押付クッション(ウエハ押付クッションシート)
25 載置クッション(ウエハ載置クッションシート)
25A 自己吸着部の面積密度の大きい領域
25B 自己吸着部の面積密度の小さい領域
30 搬送チャック
W 半導体ウエハ
W′ 半導体ウエハの外縁位置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer mounting tray 13 Bottom surface 15 Pressing cushion (wafer pressing cushion sheet)
25 Mounting cushion (wafer mounting cushion sheet)
25A Area with high area density of self-adsorption part 25B Area with low area density of self-adsorption part 30 Transfer chuck W Semiconductor wafer W 'Outer edge position of semiconductor wafer

Claims (13)

半導体ウエハを一枚ずつ載せて保持するための複数のウエハ載置トレイが重ね合わされて、前記各ウエハ載置トレイに載せられた半導体ウエハがそのウエハ載置トレイとその上側に隣接して重ね合わされたウエハ載置トレイとの間に形成される内側空間内に収納される構造を有し、前記各ウエハ載置トレイ上面の半導体ウエハ載置位置に弾力性のあるウエハ載置クッションシートが配置されたウエハ載置クッションシート付ウエハ収納容器において、
前記ウエハ載置クッションシートの表面に、前記半導体ウエハを着脱自在に吸着する自己吸着部および前記半導体ウエハを吸着することなく分離した状態を保つ非吸着部が形成されていて、前記ウエハ載置クッションシートが前記半導体ウエハを吸着する吸着力が、自己吸着部の面積および非吸着部の面積から決定される自己吸着部の面積密度により調整されていることを特徴とするウエハ載置クッションシート付ウエハ収納容器。
A plurality of wafer placement trays for placing and holding semiconductor wafers one by one are overlaid, and the semiconductor wafers placed on the respective wafer placement trays are overlaid adjacent to the wafer placement tray. The wafer mounting cushion sheet is disposed in an inner space formed between the wafer mounting trays and an elastic wafer mounting cushion sheet is disposed at the semiconductor wafer mounting position on the upper surface of each wafer mounting tray. In a wafer storage container with a wafer mounting cushion sheet,
On the surface of the wafer mounting cushion sheet, a self-adsorption portion that detachably adsorbs the semiconductor wafer and a non-adsorption portion that maintains the separated state without adsorbing the semiconductor wafer are formed. A wafer with a wafer mounting cushion sheet, characterized in that the adsorption force by which the sheet adsorbs the semiconductor wafer is adjusted by the area density of the self-adsorption part determined from the area of the self-adsorption part and the area of the non-adsorption part Storage container.
自己吸着部の面積密度をウエハ載置クッションシートの場所により変化させていることを特徴とする、請求項1に記載のウエハ載置クッションシート付ウエハ収納容器。   2. The wafer storage container with a wafer mounting cushion sheet according to claim 1, wherein the area density of the self-adsorption portion is changed depending on the location of the wafer mounting cushion sheet. 前記半導体ウエハの外周部を吸着する前記ウエハ載置クッションシートの外周部の自己吸着部の面積密度は、前記半導体ウエハの中心部を吸着する前記ウエハ載置クッションシートの中心部の自己吸着部の面積密度より小さいことを特徴とする、請求項2に記載のウエハ載置クッションシート付ウエハ収納容器。   The area density of the self-adsorption part of the outer periphery of the wafer mounting cushion sheet that adsorbs the outer peripheral part of the semiconductor wafer is equal to that of the self-adsorption part of the central part of the wafer mounting cushion sheet that adsorbs the central part of the semiconductor wafer. The wafer storage container with a wafer mounting cushion sheet according to claim 2, wherein the wafer storage container has a smaller area density. 前記半導体ウエハを吸着する前記ウエハ載置クッションの自己吸着部の面積密度が、前記半導体ウエハの中心部を吸着する前記ウエハ載置クッションシートの中心部から前記半導体ウエハの外周部を吸着する前記ウエハ載置クッションシートの外周部へ向かって小さくなっていることを特徴とする、請求項3に記載のウエハ載置クッションシート付ウエハ収納容器。   The wafer having an area density of a self-adsorption portion of the wafer mounting cushion that adsorbs the semiconductor wafer adsorbs an outer peripheral portion of the semiconductor wafer from a central portion of the wafer mounting cushion sheet that adsorbs a central portion of the semiconductor wafer. The wafer storage container with a wafer mounting cushion sheet according to claim 3, wherein the wafer storage container is reduced toward an outer peripheral portion of the mounting cushion sheet. 前記非吸着部が、吸着性のないシートを前記自己吸着部の表面に積層して形成されていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかの項に記載のウエハ載置クッションシート付ウエハ収納容器。   The wafer mounting cushion sheet according to any one of claims 1 to 4, wherein the non-adsorptive part is formed by laminating a non-adsorptive sheet on the surface of the self-adsorptive part. Wafer storage container. 前記非吸着部が、前記自己吸着部の表面の一部を非吸着性に加工して形成されていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかの項に記載のウエハ載置クッションシート付ウエハ収納容器。   5. The wafer mounting cushion according to claim 1, wherein the non-adsorption portion is formed by processing a part of the surface of the self-adsorption portion into a non-adsorption property. Wafer storage container with sheet. 前記非吸着部が、前記自己吸着部の表面の一部に凹凸加工を施して形成されていることを特徴とする、請求項6に記載のウエハ載置クッションシート付ウエハ収納容器。   The wafer storage container with a wafer mounting cushion sheet according to claim 6, wherein the non-adsorption portion is formed by subjecting a part of the surface of the self-adsorption portion to uneven processing. 前記自己吸着部が多数の微細吸盤により形成されていて、前記微細吸盤を前記半導体ウエハに押し付けることにより前記微細吸盤と前記半導体ウエハとが吸着固定された状態になることを特徴とする、請求項1〜7のいずれかの項に記載のウエハ載置クッションシート付ウエハ収納容器。   The self-adsorption part is formed by a large number of fine suction cups, and the fine suction cup and the semiconductor wafer are in an adsorbed and fixed state by pressing the fine suction cups against the semiconductor wafer. The wafer storage container with a wafer mounting cushion sheet according to any one of 1 to 7. 自己吸着部は、弾力性を有する発泡エラストマー系高分子材料、発泡ゴム系高分子材料、発泡ウレタン系高分子材料またはこれらの複合材料から形成されていることを特徴とする、請求項1〜8のいずれかの項に記載のウエハ載置クッションシート付ウエハ収納容器。   The self-adsorbing part is formed of a foamed elastomeric polymer material, a foamed rubber-based polymer material, a foamed urethane-based polymer material, or a composite material thereof having elasticity. A wafer storage container with a wafer mounting cushion sheet according to any one of the above. 発泡ゴム系高分子材料はアクリル酸エステル共重合体からなる発泡アクリルラテックスであることを特徴とする、請求項9に記載のウエハ載置クッションシート付ウエハ収納容器。   The wafer storage container with a wafer mounting cushion sheet according to claim 9, wherein the foamed rubber-based polymer material is a foamed acrylic latex made of an acrylate copolymer. 前記自己吸着部の面積密度が小さい領域の一部又は全部が、前記半導体ウエハを前記ウエハ載置クッションシートから取り外す際に前記半導体ウエハに吸着される搬送チャックの外縁より内側位置に形成されていることを特徴とする、請求項1〜10のいずれかの項に記載のウエハ載置クッションシート付ウエハ収納容器。   A part or the whole of the area where the area density of the self-adsorption portion is small is formed at a position inside the outer edge of the transfer chuck that is adsorbed to the semiconductor wafer when the semiconductor wafer is detached from the wafer mounting cushion sheet. The wafer storage container with a wafer mounting cushion sheet according to any one of claims 1 to 10, wherein 前記ウエハ載置クッションシートが前記ウエハ載置トレイに対し着脱可能に設けられていることを特徴とする、請求項1〜11のいずれかの項に記載のウエハ載置クッションシート付ウエハ収納容器。   The wafer storage container with a wafer mounting cushion sheet according to any one of claims 1 to 11, wherein the wafer mounting cushion sheet is detachably attached to the wafer mounting tray. 前記半導体ウエハを前記ウエハ載置クッションシートに対して押し付けるための弾力性のあるウエハ押付クッションシートが前記ウエハ載置トレイの裏面側に配置されていることを特徴とする、請求項1〜12のいずれかの項に記載のウエハ載置クッションシート付ウエハ収納容器。   The elastic wafer pressing cushion sheet for pressing the semiconductor wafer against the wafer mounting cushion sheet is disposed on the back side of the wafer mounting tray. A wafer storage container with a wafer mounting cushion sheet according to any one of the items.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7819252B2 (en) 2007-01-24 2010-10-26 Miraial Co., Ltd. Wafer container with cushion sheet
JP2021111680A (en) * 2020-01-09 2021-08-02 株式会社ディスコ Chuck table case

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09106978A (en) * 1995-10-11 1997-04-22 Nippon Steel Corp Semiconductor manufacturing device
JPH09129719A (en) * 1995-08-30 1997-05-16 Achilles Corp Semiconductor wafer housing structure and semiconductor wafer housing and take-out method
JPH09232416A (en) * 1996-02-23 1997-09-05 Ando Electric Co Ltd Sticking preventing sheet for semiconductor wafer
JPH1050815A (en) * 1996-07-31 1998-02-20 Nec Corp Wafer container
JPH10315395A (en) * 1997-05-19 1998-12-02 Dainippon Printing Co Ltd Underlay sheet
JP2004158477A (en) * 2002-11-01 2004-06-03 Daisho Denshi:Kk Holding and transporting jig
JP2004260153A (en) * 2003-02-07 2004-09-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Board holder, its manufacturing method, and method of manufacturing die
JP2005099518A (en) * 2003-09-25 2005-04-14 Inoac Corp Sheet for fixing liquid crystal panel
JP2005327758A (en) * 2004-05-12 2005-11-24 Shin Etsu Polymer Co Ltd Part holder
JP2006069633A (en) * 2004-09-03 2006-03-16 Cstec Kk Tray
JP2007281052A (en) * 2006-04-04 2007-10-25 Miraial Kk Thin plate housing container

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09129719A (en) * 1995-08-30 1997-05-16 Achilles Corp Semiconductor wafer housing structure and semiconductor wafer housing and take-out method
JPH09106978A (en) * 1995-10-11 1997-04-22 Nippon Steel Corp Semiconductor manufacturing device
JPH09232416A (en) * 1996-02-23 1997-09-05 Ando Electric Co Ltd Sticking preventing sheet for semiconductor wafer
JPH1050815A (en) * 1996-07-31 1998-02-20 Nec Corp Wafer container
JPH10315395A (en) * 1997-05-19 1998-12-02 Dainippon Printing Co Ltd Underlay sheet
JP2004158477A (en) * 2002-11-01 2004-06-03 Daisho Denshi:Kk Holding and transporting jig
JP2004260153A (en) * 2003-02-07 2004-09-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Board holder, its manufacturing method, and method of manufacturing die
JP2005099518A (en) * 2003-09-25 2005-04-14 Inoac Corp Sheet for fixing liquid crystal panel
JP2005327758A (en) * 2004-05-12 2005-11-24 Shin Etsu Polymer Co Ltd Part holder
JP2006069633A (en) * 2004-09-03 2006-03-16 Cstec Kk Tray
JP2007281052A (en) * 2006-04-04 2007-10-25 Miraial Kk Thin plate housing container

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7819252B2 (en) 2007-01-24 2010-10-26 Miraial Co., Ltd. Wafer container with cushion sheet
JP2021111680A (en) * 2020-01-09 2021-08-02 株式会社ディスコ Chuck table case
JP7374775B2 (en) 2020-01-09 2023-11-07 株式会社ディスコ chuck table case

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