JPH09106978A - Semiconductor manufacturing device - Google Patents
Semiconductor manufacturing deviceInfo
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- JPH09106978A JPH09106978A JP28925295A JP28925295A JPH09106978A JP H09106978 A JPH09106978 A JP H09106978A JP 28925295 A JP28925295 A JP 28925295A JP 28925295 A JP28925295 A JP 28925295A JP H09106978 A JPH09106978 A JP H09106978A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチングとアッ
シングとを連続して行う半導体製造装置に係り、特にア
ルミニウム等の金属配線材料層のパターニング後におけ
るアフターコロージョンを防止するのに有効な半導体製
造装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus for continuously performing etching and ashing, and particularly to a semiconductor manufacturing apparatus effective for preventing after-corrosion after patterning a metal wiring material layer such as aluminum. Regarding
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体装置の製造プロセスの一つ
であるエッチング技術においては、配線材料に用いるＡ
ｌ等の金属をドライエッチングする際、金属表面上にエ
ッチング均一性を悪くさせる自然酸化膜が形成されてい
るので、その自然酸化膜の除去に必要なＣｌ2 、ＢＣｌ
3 、ＳｉＣｌ4 、ＣＣｌ4 等を含んだ塩素系混合ガスが
用いられている。しかし、エッチング後のパターン部や
その近傍にはＡｌＣｌ3等の反応生成物やエッチングガ
スの分解生成物等が付着または内部にまで浸透する形で
残留しており、エッチング終了後のウエハを不用意に大
気中に取り出すと、上記の塩化物である反応生成物や分
解生成物等が吸湿し、その液中にＡｌが溶出して腐蝕が
発生してしまうという、いわゆるアフターコロージョン
の問題がある。2. Description of the Related Art Conventionally, in the etching technique which is one of the manufacturing processes of semiconductor devices, A
Since a natural oxide film that deteriorates the etching uniformity is formed on the metal surface during dry etching of a metal such as l, Cl 2 , BCl necessary for removing the natural oxide film is formed.
A chlorine-based mixed gas containing 3 , 3 , SiCl 4 , CCl 4, etc. is used. However, reaction products such as AlCl 3 and decomposition products of the etching gas remain in the form of adhering or penetrating into the pattern area and its vicinity after etching. When it is taken out into the atmosphere, there is a problem of so-called after-corrosion, in which the above-mentioned chloride reaction products and decomposition products absorb moisture and Al elutes in the liquid to cause corrosion.
【０００３】この問題の防止策として、ウエハをエッチ
ング装置から取り出して直ちにアルカリ性薬液または水
洗によるリンスの他に、エッチング処理終了後にＣＦ4
やＣＨＦ3 等のフロン系ガスを用いてプラズマ処理を行
い、ＣｌをＦで置換するプラズマクリーニング、酸素プ
ラズマによるレジストパターンのアッシング除去等を行
う方法がある。これらの対策は、いずれも残留塩素の除
去を目的とするものである。そのため、従来のＡｌエッ
チング装置は、一つの装置内でエッチング、アッシン
グ、薬液リンスの連続処理を行っている。この方式を用
いることにより、エッチング終了後の塩素系の反応生成
物等を取り除き、アフターコロージョンを防いでいる。As a measure for preventing this problem, the wafer is taken out of the etching apparatus and immediately rinsed with an alkaline chemical solution or water, as well as CF 4 after the etching process is completed.
There is a method in which plasma treatment is performed using a chlorofluorocarbon-based gas such as CHF 3 or the like, and plasma cleaning in which Cl is replaced with F, ashing removal of a resist pattern by oxygen plasma, and the like are performed. All of these measures are aimed at removing residual chlorine. Therefore, the conventional Al etching apparatus performs continuous processing of etching, ashing, and chemical rinse in one apparatus. By using this method, chlorine-based reaction products and the like after etching is removed to prevent after-corrosion.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、残留塩素の
除去を目的とする上述の対策をもってしても、アフター
コロージョンを効果的に抑制するには至らないのが実情
であるため、デバイスの微細化が進む現在、エッチング
後、アッシング後及びリンス後は、それぞれウエハがで
きる限り早く次工程に送られる必要がある。However, even if the above-mentioned measures aimed at removing residual chlorine are not effective enough to suppress the after-corrosion, it is necessary to reduce the device size. At present, after etching, after ashing, and after rinsing, the wafer needs to be sent to the next process as soon as possible.
【０００５】しかしながら、例えば特開平４−２１３８
２２号公報に開示されたような従来の連続処理を行う装
置は枚葉式であるため、スループットが低下する、リン
ス終了後の大気に触れる時間がウエハ毎に異なるためア
フターコロージョンを受ける量が各ウエハによって違
う、等の問題点があった。However, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 4-2138.
Since the conventional apparatus for performing continuous processing as disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 22 is a single wafer type, the throughput is reduced, and the time of exposure to the atmosphere after the rinsing is different for each wafer. There were problems such as the difference depending on the wafer.
【０００６】そこで本発明は、アルミニウム等の金属配
線材料層のエッチング終了後におけるアフターコロージ
ョンを有効に防止できる半導体製造装置を提供すること
を目的とする。Therefore, an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of effectively preventing after-corrosion after etching of a metal wiring material layer such as aluminum.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体基板上に形成された金属配線材料
層のエッチングと、このエッチング後におけるレジスト
のアッシングとを、連続して行う半導体製造装置であっ
て、エッチングされた前記基板を真空雰囲気中でアッシ
ングチャンバーに搬送する基板搬送手段と、前記基板搬
送手段により搬送された前記基板を複数枚収納するアッ
シング用基板収納手段を有し、このアッシング用基板収
納手段に収納された複数枚の基板を同時にレジスト除去
アッシングするアッシング手段と、前記アッシング手段
により同時アッシングされた前記複数枚の基板を一括し
てリンスチャンバーに移載する基板移載手段と、前記基
板移載手段により一括移載された前記複数枚の基板を収
納するリンス用基板収納手段を有し、このリンス用基板
収納手段に収納された複数枚の基板を同時にリンス処理
するリンス手段と、を備えることを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention continuously performs etching of a metal wiring material layer formed on a semiconductor substrate and ashing of a resist after the etching. A semiconductor manufacturing apparatus, comprising substrate transfer means for transferring the etched substrate to an ashing chamber in a vacuum atmosphere, and ashing substrate storage means for storing a plurality of the substrates transferred by the substrate transfer means. An ashing means for simultaneously resist removing and ashing a plurality of substrates stored in the ashing substrate storage means, and a substrate transfer for collectively transferring the plurality of substrates simultaneously ashed by the ashing means to a rinse chamber. Mounting means and a rinse base for accommodating the plurality of substrates collectively transferred by the substrate transfer means. Has a storage means, characterized in that it comprises a rinsing unit, a rinsing process a plurality of substrates stored in the rinsing substrate housing means at the same time.
【０００８】また、前記の半導体製造装置において、ア
ッシング後の前記複数枚の基板が前記アッシング用基板
収納手段に収納された状態で同時に大気雰囲気中に開放
されることを特徴とする。Further, in the above semiconductor manufacturing apparatus, the plurality of substrates after ashing are simultaneously opened to the atmosphere while being housed in the ashing substrate housing means.
【０００９】また、前記の半導体製造装置において、前
記アッシングチャンバーが仕切り可能なアッシング室と
基板一時保管室とを有し、これらアッシング室と基板一
時保管室との間で前記アッシング用基板収納手段が移動
自在に構成されていることを特徴とする。Further, in the above semiconductor manufacturing apparatus, the ashing chamber has an ashing chamber capable of partitioning and a substrate temporary storage chamber, and the ashing substrate storage means is provided between the ashing chamber and the substrate temporary storage chamber. It is characterized in that it is movable.
【００１０】[0010]
【作用】上記のように構成された本発明においては、エ
ッチングされた半導体基板が基板搬送手段により真空雰
囲気中でアッシングチャンバーに搬送され、複数枚の基
板がアッシング用基板収納手段に収納されてアッシング
手段により同時にレジスト除去アッシングされる。そし
て、アッシング終了後の各基板は基板移載手段により一
括してリンスチャンバーに移載され、各基板がリンス用
基板収納手段に収納されてリンス手段により同時にリン
ス処理される。従って、同時アッシング終了後の全ての
基板を短時間でかつ同条件でリンス処理に送ることがで
き、同時リンス終了後の全ての基板を一括して迅速に次
工程の装置に送ることが可能となる。In the present invention configured as described above, the etched semiconductor substrate is transferred to the ashing chamber in the vacuum atmosphere by the substrate transfer means, and a plurality of substrates are stored in the ashing substrate storage means and ashed. At the same time, the resist removal ashing is performed by the means. Then, the substrates after the ashing are collectively transferred to the rinse chamber by the substrate transfer device, and the substrates are housed in the rinse substrate housing device and simultaneously rinsed by the rinse device. Therefore, it is possible to send all the substrates after the simultaneous ashing to the rinse process in a short time and under the same condition, and to quickly send all the substrates after the simultaneous rinsing to the apparatus of the next process quickly. Become.
【００１１】また、アッシング後の各基板が基板移載手
段によりアッシング用基板収納手段からリンス用基板収
納手段に一括移載されるので、この一括移載の前に各基
板を同時に大気雰囲気中に開放すれば、各基板が大気に
晒される時間を同一にすることができる。Since the substrates after ashing are collectively transferred from the ashing substrate accommodating device to the rinsing substrate accommodating device by the substrate transferring device, the substrates are simultaneously exposed to the atmospheric atmosphere before the batch transfer. If opened, each substrate can be exposed for the same time to the atmosphere.
【００１２】また、アッシング後の各基板が収納された
アッシング用基板収納手段を基板一時保管室に移動させ
てアッシング室から隔離すると、各基板の一括移載や大
気開放等をアッシング室に対して独立させて行うことが
できる。Further, when the ashing substrate storage means in which each substrate after ashing is stored is moved to the substrate temporary storage chamber and is separated from the ashing chamber, batch transfer of each substrate, atmospheric release, etc. are carried out to the ashing chamber. It can be done independently.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は第１実施形態におけ
る装置全体の概略構成図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of the entire apparatus in the first embodiment.
【００１４】まず、Ａｌ配線層のエッチング処理を施す
複数のウエハ１が収納されているウエハケース２を装置
のローダー側にセットする。ウエハ１は１枚ずつロード
ロック室３を経て真空状態のエッチングチャンバー４の
中に引き込まれ、所定のエッチング処理が行われる。こ
のとき用いられるエッチング装置として、ＲＩＥ（Reac
tive Ion Etching）、マグネトロンＲＩＥ、ＥＣＲ（El
ectron Cycrotron Resonance）等を用いることにより、
異方性エッチングが可能となる。このとき使用するエッ
チングガスはＢＣｌ3 、Ｃｌ2 等の塩素系ガスである。First, the wafer case 2 accommodating a plurality of wafers 1 to be subjected to the etching process of the Al wiring layer is set on the loader side of the apparatus. The wafers 1 are drawn one by one through the load lock chamber 3 into the vacuum etching chamber 4, and a predetermined etching process is performed. As an etching apparatus used at this time, an RIE (Reac
tive Ion Etching), magnetron RIE, ECR (El
ectron Cycrotron Resonance) etc.
Anisotropic etching is possible. The etching gas used at this time is a chlorine-based gas such as BCl 3 or Cl 2 .
【００１５】この所定のエッチングが終了後、処理され
たウエハ１は、真空雰囲気中でウエハ搬送機５によっ
て、真空状態のウエハ一時保管室６内にある可動式アッ
シング用キャリア７の最上部側に収納される。その後、
アッシング用キャリア７は１スリット分だけ上部に移動
し、次のエッチング処理終了後のウエハ１を待つ。この
とき、ウエハ一時保管室６とアッシング室８との間の仕
切り板９は開いた状態になっている。１枚目のウエハ１
がアッシング用キャリア７に到着後、２枚目のウエハ１
のエッチング処理を行う。処理終了後、ウエハ１はアッ
シング用キャリア７の２スリット目に収納され、アッシ
ング用キャリア７はまた１スリット分だけ上部に移動す
る。この一連の処理をウエハケース２に収納された１バ
ッチ分の全ウエハ１にわたって行う。After the completion of this predetermined etching, the processed wafer 1 is placed on the uppermost side of the movable ashing carrier 7 in the vacuum wafer temporary storage chamber 6 by the wafer carrier 5 in the vacuum atmosphere. It is stored. afterwards,
The ashing carrier 7 moves upward by one slit, and waits for the wafer 1 after the next etching process. At this time, the partition plate 9 between the temporary wafer storage chamber 6 and the ashing chamber 8 is in an open state. First wafer 1
After arriving at the ashing carrier 7, the second wafer 1
Is performed. After the processing is completed, the wafer 1 is stored in the second slit of the ashing carrier 7, and the ashing carrier 7 is moved upward by one slit. This series of processes is performed on all wafers 1 for one batch stored in the wafer case 2.
【００１６】１バッチ分の全ウエハ１がエッチング処理
され、アッシング用キャリア７に収納された状態になっ
た後、アッシング用キャリア７は完全にアッシング室８
の中に移動し、仕切り板９が閉じられる。そして、全ウ
エハ１はバッチ処理で一括してアッシング室８内でアッ
シングされる。この際、アッシングガスとしてＯ2 ／Ｃ
Ｆ4 の混合ガスを用い、レジスト除去と塩素置換とを同
時に行う。アッシング終了後、仕切り板９が開かれ、ア
ッシング用キャリア７は再びウエハ一時保管室６に戻
り、アッシング用キャリア７が完全に戻ったら仕切り板
９が再び閉じられる。After all the wafers 1 for one batch are subjected to the etching process and stored in the ashing carrier 7, the ashing carrier 7 is completely removed.
And the partition plate 9 is closed. Then, all the wafers 1 are collectively ashed in the ashing chamber 8 by batch processing. At this time, O 2 / C as ashing gas
Using a mixed gas of F 4 , resist removal and chlorine substitution are performed simultaneously. After the ashing is completed, the partition plate 9 is opened, the ashing carrier 7 is returned to the wafer temporary storage chamber 6 again, and when the ashing carrier 7 is completely returned, the partition plate 9 is closed again.
【００１７】このように、アッシング用キャリア７を移
動させながらエッチング終了後のウエハ１を順次収納
し、収納完了後に全ウエハ１を同時にアッシングするの
で、エッチング後の全ウエハ１のアッシングを短時間で
行うことができる。なお、アッシング室８とウエハ一時
保管室６とを上下逆に配置して、アッシング用キャリア
７を逆方向に移動させる構成でもよい。In this way, the wafers 1 after etching are sequentially stored while moving the ashing carrier 7, and all the wafers 1 are simultaneously ashed after the storage is completed. Therefore, the ashing of all the wafers 1 after etching can be performed in a short time. It can be carried out. The ashing chamber 8 and the wafer temporary storage chamber 6 may be arranged upside down and the ashing carrier 7 may be moved in the opposite direction.
【００１８】その後、真空状態であったウエハ一時保管
室６は大気状態になり、このとき初めてアッシング処理
後の全ウエハ１は大気に晒される。これらの全ウエハ１
は大気に晒された後、アッシング処理で除去しきれない
レジスト残渣を除去するために、有機溶剤系剥離剤によ
る洗浄処理を行う必要がある。Ａｌパターン上のレジス
ト残渣にはＣｌが含まれているため、大気中の水分と反
応し急激な腐蝕を起こし易いためである。このために全
ウエハ１はリンス処理を行わなければならない。After that, the wafer temporary storage chamber 6 which has been in a vacuum state is brought to the atmospheric state, and at this time, all the wafers 1 after the ashing process are exposed to the atmosphere. All these wafers 1
After being exposed to the air, it is necessary to perform a cleaning treatment with an organic solvent-based stripping agent in order to remove the resist residue that cannot be removed by the ashing treatment. This is because because the resist residue on the Al pattern contains Cl, it reacts with moisture in the atmosphere and is likely to cause rapid corrosion. For this reason, all wafers 1 must be rinsed.
【００１９】ウエハ一時保管室６内のアッシング用キャ
リア７に収納されている全ウエハ１が、ウエハ移載機１
０によって一括してリンス室１１内のリンス用キャリア
１２に移載される。そして、全ウエハ１はリンス室１１
内においてバッチ処理で一括してリンス処理される。リ
ンス液としては、何れも商品名であるが、ＭＳ−２００
１（富士ハント）、１０６剥離剤（東京応化工業）、Ｎ
３７０（長瀬産業）、ＮＭＤ（東京応化工業）、ＡＺリ
ムーバー１００（ヘキストジャパン）等がある。リンス
処理、水洗処理、そしてリンス用キャリア１２の高速回
転によるスピン乾燥処理終了後、リンス用キャリア１２
が上方へ移動され、全ウエハ１は一括してアンローダー
側のウエハケース１３に格納される。このようにして、
本装置による一連の処理が終了し、ウエハケース１３内
の全ウエハ１は次工程の装置へ搬送される。All wafers 1 stored in the ashing carrier 7 in the wafer temporary storage chamber 6 are transferred to the wafer transfer machine 1.
0 is collectively transferred to the rinse carrier 12 in the rinse chamber 11. Then, all wafers 1 are rinse chamber 11
Rinse processing is collectively performed in a batch process. The rinse liquids are all trade names, but MS-200
1 (Fuji Hunt), 106 release agent (Tokyo Ohka Kogyo), N
370 (Nagase Sangyo), NMD (Tokyo Ohka Kogyo), AZ Remover 100 (Hoechst Japan) and the like. After the rinse treatment, the water washing treatment, and the spin drying treatment by the high-speed rotation of the rinse carrier 12, the rinse carrier 12 is finished.
Are moved upward, and all the wafers 1 are collectively stored in the wafer case 13 on the unloader side. In this way,
After a series of processing by this apparatus is completed, all the wafers 1 in the wafer case 13 are transferred to the apparatus of the next process.
【００２０】以上のように、同時アッシング終了後の全
ウエハ１を短時間でかつ同条件でリンス処理に送ること
ができ、アッシング終了後に全ウエハ１が大気に晒され
る時間も同一にすることができる。そして、同時リンス
終了後の全ウエハ１を一括して迅速に次工程の装置に送
ることが可能となる。As described above, all the wafers 1 after the simultaneous ashing can be sent to the rinsing process in a short time under the same conditions, and the time during which all the wafers 1 are exposed to the atmosphere after the ashing can be the same. it can. Then, it becomes possible to quickly and collectively send all the wafers 1 after the simultaneous rinse to the apparatus of the next process.
【００２１】次に、図２は第２実施形態における装置全
体の概略構成図である。上述の第１実施形態ではアッシ
ングをバッチ式により行ったが、この第２実施形態では
アッシングを枚葉式により行うものであるNext, FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the entire apparatus in the second embodiment. Although the ashing is performed by the batch method in the above-described first embodiment, the ashing is performed by the single-wafer method in this second embodiment.
【００２２】エッチングチャンバー４でのエッチング終
了後のウエハ１が、真空雰囲気中でウエハ搬送機５によ
って、真空状態のアッシング室１８内に搬送される。そ
して、この１枚のウエハ１がアッシングされる。このと
き、アッシング室１８とウエハ一時保管室１６との間の
仕切り板１９は閉じられている。アッシング終了後に仕
切り板１９が開かれ、ウエハ一時保管室１６内のアッシ
ング用キャリア１７がアッシング室１８に移動し、アッ
シング後のウエハ１がアッシング用キャリア１７に収納
される。アッシング用キャリア１７はウエハ一時保管室
１６内に戻り、仕切り板１９は再び閉じられ、次のエッ
チング後のウエハ１がアッシングされる。この一連の処
理をウエハケース２に収納された１バッチ分の全ウエハ
１にわたって行う。The wafer 1 after the etching in the etching chamber 4 is transferred by the wafer transfer device 5 in the vacuum atmosphere into the ashing chamber 18 in a vacuum state. Then, this one wafer 1 is ashed. At this time, the partition plate 19 between the ashing chamber 18 and the wafer temporary storage chamber 16 is closed. After the ashing is completed, the partition plate 19 is opened, the ashing carrier 17 in the wafer temporary storage chamber 16 is moved to the ashing chamber 18, and the ashed wafer 1 is stored in the ashing carrier 17. The ashing carrier 17 returns to the wafer temporary storage chamber 16, the partition plate 19 is closed again, and the wafer 1 after the next etching is ashed. This series of processes is performed on all wafers 1 for one batch stored in the wafer case 2.
【００２３】１バッチ分の全ウエハ１がエッチング処理
及びアッシング処理され、アッシング用キャリア１７に
収納された状態になった後、真空状態であったウエハ一
時保管室１６は大気状態になり、このとき初めてアッシ
ング処理後の全ウエハ１は大気に晒される。この後の処
理動作は上述の第１実施形態と同様に行われる。After all the wafers 1 for one batch are subjected to the etching process and the ashing process and stored in the ashing carrier 17, the wafer temporary storage chamber 16 which has been in the vacuum state is brought to the atmospheric state. After the first ashing process, all the wafers 1 are exposed to the atmosphere. Subsequent processing operations are performed in the same manner as in the above-described first embodiment.
【００２４】以上のように、第２実施形態においては、
ウエハ１のエッチング後にアッシングを連続して行い、
アッシング後のウエハ１をアッシング用キャリア１７に
順次収納することによって、全ウエハ１のアッシングに
要する時間の大部分がエッチングに要する時間と重なる
ので、全ウエハ１のアッシングが枚葉式であっても、全
体のアッシング時間はさほど増加することなく短時間に
収められる。なお、前記の構成において、アッシング用
キャリア１７をウエハ一時保管室１６内に固定配置し
て、アッシング後のウエハ１をアッシング室１８からア
ッシング用キャリア１７内に移動させてもよい。As described above, in the second embodiment,
After etching the wafer 1, ashing is continuously performed,
By sequentially storing the ashed wafers 1 in the ashing carrier 17, most of the time required for ashing all the wafers 1 overlaps with the time required for etching. , The total ashing time can be kept in a short time without increasing so much. In the above configuration, the ashing carrier 17 may be fixedly arranged in the wafer temporary storage chamber 16 and the wafer 1 after ashing may be moved from the ashing chamber 18 into the ashing carrier 17.
【００２５】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本
発明の技術的思想に基づいて各種の有効な変更並びに応
用が可能である。例えば、各実施形態ではアッシング後
の全ウエハをアッシング用キャリアに収納した状態で同
時に大気雰囲気中に開放したが、この大気開放は全ウエ
ハをリンス用キャリアに収納した状態で行ってもよい。Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various effective modifications and applications can be made based on the technical idea of the present invention. For example, in each of the embodiments, all the wafers after ashing are accommodated in the carrier for ashing and simultaneously opened to the atmosphere, but this atmospheric release may be performed while all wafers are accommodated in the carrier for rinsing.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
金属配線材料層が形成された複数枚の半導体基板を同時
にアッシングした後、処理された複数枚の基板を同時に
リンス処理することによって、全ての基板を短時間でか
つ同条件でリンス処理に送ることができ、さらに同時リ
ンス終了後の全ての基板を一括して次工程に送ることが
可能となる。また、アッシング後に全ての基板を同時に
大気雰囲気中に開放することによって、各基板が大気に
晒される時間を同一にすることができる。従って、各基
板におけるアフターコロージョンの進行を均等で最小限
に抑えることができて、全ての基板を最少時間で次工程
に送ることができ、しかも小型の装置でスループットを
大幅に向上させることができる。As described above, according to the present invention,
After ashing a plurality of semiconductor substrates on which a metal wiring material layer is formed at the same time, and simultaneously rinsing the plurality of processed substrates, all the substrates can be sent to the rinsing treatment in a short time under the same conditions. Further, it becomes possible to collectively send all the substrates after the simultaneous rinsing to the next step. Further, by exposing all the substrates to the atmosphere at the same time after the ashing, the time when each substrate is exposed to the atmosphere can be made the same. Therefore, the progress of after-corrosion on each substrate can be uniformly suppressed to the minimum, all the substrates can be sent to the next process in the minimum time, and the throughput can be greatly improved with a small device. .
【図１】本発明の第１の実施の形態における装置全体の
概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an entire device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施の形態における装置全体の
概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an entire device according to a second embodiment of the present invention.
１ ウエハ（半導体基板） ２ ローダー側のウエハケース ３ ロードロック室 ４ エッチングチャンバー ５ ウエハ搬送機（基板搬送手段） ６、１６ ウエハ一時保管室 ７、１７ アッシング用キャリア（アッシング用基板収
納手段） ８、１８ アッシング室 ９、１９ 仕切り板 １０ ウエハ移載機（基板移載手段） １１ リンス室 １２ リンス用キャリア（リンス用基板収納手段） １３ アンローダー側のウエハケース1 Wafer (Semiconductor Substrate) 2 Wafer Case on Loader Side 3 Load Lock Chamber 4 Etching Chamber 5 Wafer Transfer Machine (Substrate Transfer Means) 6, 16 Wafer Temporary Storage Room 7, 17 Ashing Carrier (Ashing Substrate Storage Means) 8, 18 Ashing Chamber 9, 19 Partition Plate 10 Wafer Transfer Machine (Substrate Transfer Means) 11 Rinse Chamber 12 Rinse Carrier (Rinse Substrate Storage Means) 13 Wafer Case on Unloader Side
Claims (3)
層のエッチングと、このエッチング後におけるレジスト
のアッシングとを、連続して行う半導体製造装置であっ
て、 エッチングされた前記基板を真空雰囲気中でアッシング
チャンバーに搬送する基板搬送手段と、 前記基板搬送手段により搬送された前記基板を複数枚収
納するアッシング用基板収納手段を有し、このアッシン
グ用基板収納手段に収納された複数枚の基板を同時にレ
ジスト除去アッシングするアッシング手段と、 前記アッシング手段により同時アッシングされた前記複
数枚の基板を一括してリンスチャンバーに移載する基板
移載手段と、 前記基板移載手段により一括移載された前記複数枚の基
板を収納するリンス用基板収納手段を有し、このリンス
用基板収納手段に収納された複数枚の基板を同時にリン
ス処理するリンス手段と、を備えることを特徴とする半
導体製造装置。1. A semiconductor manufacturing apparatus for continuously etching a metal wiring material layer formed on a semiconductor substrate and ashing a resist after the etching, wherein the etched substrate is placed in a vacuum atmosphere. Substrate transport means for transporting the substrate to the ashing chamber, and ash substrate storage means for storing a plurality of the substrates transported by the substrate transport means, and the plurality of substrates stored in the ash substrate storage means At the same time, ashing means for ashing the resist, substrate transfer means for collectively transferring the plurality of substrates simultaneously ashed by the ashing means to the rinse chamber, and the substrate transfer means for collectively transferring the plurality of substrates. It has a rinsing substrate storing means for storing a plurality of substrates and is stored in the rinsing substrate storing means. The semiconductor manufacturing apparatus characterized by comprising: a rinsing unit, a simultaneously rinsing plurality of the substrates.
て、 アッシング後の前記複数枚の基板が前記アッシング用基
板収納手段に収納された状態で同時に大気雰囲気中に開
放されることを特徴とする半導体製造装置。2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the plurality of substrates after ashing are simultaneously opened in the atmosphere while being housed in the ashing substrate housing means. Manufacturing equipment.
て、 前記アッシングチャンバーが仕切り可能なアッシング室
と基板一時保管室とを有し、これらアッシング室と基板
一時保管室との間で前記アッシング用基板収納手段が移
動自在に構成されていることを特徴とする半導体製造装
置。3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the ashing chamber has a partitionable ashing chamber and a substrate temporary storage chamber, and the ashing substrate is provided between the ashing chamber and the substrate temporary storage chamber. A semiconductor manufacturing apparatus, wherein a storage means is configured to be movable.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28925295A JPH09106978A (en) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | Semiconductor manufacturing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28925295A JPH09106978A (en) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | Semiconductor manufacturing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09106978A true JPH09106978A (en) | 1997-04-22 |
Family
ID=17740754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28925295A Withdrawn JPH09106978A (en) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | Semiconductor manufacturing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09106978A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001110773A (en) * | 1999-08-05 | 2001-04-20 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning device, cleaning system, processing device and cleaning mehtod |
| KR100354664B1 (en) * | 1999-12-01 | 2002-10-04 | 주식회사 윌비에스엔티 | Wafer Cleaning Apparatus |
| US6860964B2 (en) * | 1999-12-22 | 2005-03-01 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Etch/strip apparatus integrated with cleaning equipment |
| KR100550344B1 (en) * | 2000-01-14 | 2006-02-08 | 삼성전자주식회사 | Method of ashing a wafer |
| JP2009170780A (en) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Miraial Kk | Wafer storage container with cushion sheet |
| CN103400942A (en) * | 2011-12-22 | 2013-11-20 | Snu精密股份有限公司 | Mask stocking and substrate carrying chamber, and method for operating same |
-
1995
- 1995-10-11 JP JP28925295A patent/JPH09106978A/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001110773A (en) * | 1999-08-05 | 2001-04-20 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning device, cleaning system, processing device and cleaning mehtod |
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| JP2009170780A (en) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Miraial Kk | Wafer storage container with cushion sheet |
| CN103400942A (en) * | 2011-12-22 | 2013-11-20 | Snu精密股份有限公司 | Mask stocking and substrate carrying chamber, and method for operating same |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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