JP2009170708A - 半導体発光素子およびそれを用いた半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光素子は、活性層を介在させて互いに接合されたp型半導体層とn型半導体層とを備える。p型半導体層の上方にp型電極230が設けられている。p型電極230とp型半導体層の間に絶縁層222が設けられている。p型電極230とp型半導体層の間に位置して、水素を吸着する金属を含む水素吸着層221が設けられている。本発明によれば、水素吸着層221が、その水素を吸い寄せる力により、絶縁層222内に存在する水素の、活性層205への拡散を抑制する。
【選択図】 図2
Description
水素吸着層が、絶縁層の表面に接触するように設けられている構造の場合、絶縁層中に存在し、活性層へ向かおうとする水素は水素吸着層を通過しない構造であるけれども、水素は水素吸着層に吸い寄せられるため、水素の拡散が抑制される。
SiO2、TiO2を用いる場合には、プロセス上の問題、屈折率、絶縁性、他との密着性において、特に優れる。
また、上記封入雰囲気に含有される水分濃度は、1000ppm未満に抑制されており、より好ましくは500ppm以下に抑制することで本発明の効果が発揮され易くなる。
また、上記絶縁層222は、1×1017atoms/cm3以上の濃度の水素を含有するSiO2からなる誘電体層により形成した。
キャップにより封入したガス雰囲気は、酸素20%と窒素80%の混合ガスとした。その際、混合ガスに含まれる水分濃度は100ppm(露点約−40℃)に抑制した。試験条件は、80℃の高温下で、パルス210mWの一定光出力駆動とし、動作電圧をモニタした。
(比較例)
図4は、5個の半導体レーザ装置サンプルを駆動させた結果のそれぞれを、記号を変えて記入したものである。80℃でのパルス210mW一定光出力駆動の結果、図4に示すように動作電圧が上昇してしまう例が多発した。
20 ヒートシンク
30 光検出素子
39 内部雰囲気
40 ステム
91 半導体レーザチップ
92 ヒートシンク
93 ステム
94 光検出素子
95 電極リード線
96 キャップ
97 内部雰囲気
50 キャップ
60 窓
70 電極リード線
80 封入雰囲気
200 基板
201 n型GaN層
202 下部クラッド層
203 n型GaNガイド層
204 下部隣接層
205 活性層
206 上部隣接層
207 p型Al0.2Ga0.8N層
208 p型上部クラッド層
209 p型コンタクト層
220 負電極
221 水素吸着層
222 絶縁膜
221a 水素を吸着する金属
222a 水素吸着層と絶縁層は一体化された層
230 正電極
231 第1層
232 第2層
233 第3層
Claims (22)
- 活性層を介在させて接合されたp型半導体層とn型半導体層と、
前記p型半導体層の上方に設けられたp型電極と、
前記p型電極と前記p型半導体層の間に設けられた絶縁層と、
前記p型電極と前記p型半導体層の間に位置して設けられた、水素を吸着する金属を含む水素吸着層と、を備えた半導体発光素子。 - 前記水素吸着層は、前記絶縁層と前記p型半導体層の間に設けられている請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記水素吸着層は、前記絶縁層の中に挟まれるように設けられている請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記水素吸着層は、前記絶縁層の表面に接触するように設けられている請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記水素吸着層と前記絶縁層は一体化された1つの層で構成されており、該一体化された層内において、前記水素を吸着する金属の濃度は、前記p型電極側よりも、前記p型半導体層側においてより高くされている、請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記水素を吸着する金属の濃度は、前記p型半導体層に近づくにつれて、グラデーション状に高くされている、請求項5に記載の半導体発光素子。
- 前記水素を吸着する金属は、Mgの水素化物の生成熱よりも、より小さな水素化物の生成熱を有する金属を含む請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記水素吸着層の膜厚は、1nm以上である、請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記絶縁層は、1×1017atoms/cm3以上の濃度の水素を含有することを特徴とする、請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 当該半導体発光素子は、表面側にリッジストライプ構造が設けられ、該リッジストライプ構造の凸部頂上にのみ電気的接触するように一方の電極を形成してなる電流狭窄構造を有し、
前記リッジストライプ構造の凸部外側に、前記水素吸着層と、1×1017atoms/cm3以上の濃度の水素を含有する絶縁層が、前記リッジストライプ構造の凸部を挟むように設けられている、請求項1から9のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 - 当該半導体発光素子は、表面側にリッジストライプ構造が設けられ、該リッジストライプ構造の凸部頂上にのみ電気的接触するように一方の電極を形成してなる電流狭窄構造を有し、
前記リッジストライプ構造の凸部外側に、前記水素吸着層と、前記リッジストライプ構造の凸部と概略同じ組成で極性が異なり、かつ1×1017atoms/cm3以上の濃度の水素を含有する半導体層が、前記リッジストライプ構造の凸部を挟むように設けられている、請求項1から9のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 - 前記水素を吸着する金属は、Li、Na、K、Ca、Sc、Ti、Rb、Sr、Y、Zr、Cs、Ba、La、Hf、Ta、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho及びErからなる群より選ばれた金属であり、前記水素吸着層は該金属、又はその酸化物、又はその窒化物、又はそのフッ化物からなることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記絶縁層は、SiO2、TiO2、ZrO2、HfO2、CeO2、In2O3、Nd2O5、Sb2O3、SnO2、Ta2O5及びZnOからなる群より選ばれた誘電体を含む請求項1〜12のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 当該半導体発光素子の半導体層構造内に水素が含有されていることを特徴とする、請求項1〜13のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 当該半導体発光素子が、III族窒化物半導体発光素子であることを特徴とする、請求項1〜14のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- ステムと、
前記ステムに設置されたヒートシンクと、
前記ヒートシンクに設けられ、少なくとも1個の半導体発光素子と、
前記ステムに設置され、前記半導体発光素子からの光を検出するための光検出素子と、
前記ステムに設けられ、前記ヒートシンク、前記半導体発光素子および前記光検出素子をその内部に密封するためのキャップとを備え、
前記キャップ内部の雰囲気には、前記半導体発光素子中に含まれる水素の拡散を抑制する成分が含まれており、さらに
前記半導体発光素子は、請求項1−15に記載の半導体発光素子を含む半導体発光装置。 - 前記の水素の拡散を抑制する成分は酸素を含む、請求項16に記載の半導体発光装置。
- 前記雰囲気に含まれる酸素の濃度が30%以下であることを特徴とする、請求項17に記載の半導体発光装置。
- 前記雰囲気に含まれる水分の濃度が1000ppm未満であることを特徴とする、請求項16〜18のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 前記雰囲気の圧力が0.1Pa以上200kPa以下であることを特徴とする、請求項16〜19のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 前記雰囲気中に、二酸化炭素が含有されていることを特徴とする、請求項16〜20のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 前記雰囲気中に、アルゴンが含有されていることを特徴とする、請求項16〜21のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
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