JP2009168901A - Image display device - Google Patents

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洋一 飛田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To simplify manufacturing processes of a display device and to reduce manufacturing costs thereof which inverts the polarity of a display signal at a specified period. <P>SOLUTION: The display device 10A includes a gate line drive circuit 11 driving a gate line GL to which a pixel 25 is connected, a capacity line drive circuit 12 performing capacitive coupling driving of the pixel 25 using the capacity line CCL, and a frequency dividing circuit 20 generating polarity control signals VFR and /VFR as control signals for making the capacity line drive circuit 12 perform operation corresponding to the polarity of the display data signal D. All the transistors constituting the gate line drive circuit 11, capacity line drive circuit 12, and frequency dividing circuit 20 are of the same conductivity type. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、表示信号の振幅を小さくすることを可能にする画素駆動制御を行う画像表示装置に関するものであり、特に、同一導電型の電界効果トランジスタにより構成される表示パネルを備える画像表示装置に関するものである。   The present invention relates to an image display device that performs pixel drive control that makes it possible to reduce the amplitude of a display signal, and more particularly, to an image display device that includes a display panel that includes field effect transistors of the same conductivity type. Is.

液晶表示装置の消費電力を低減するための画素の駆動方法として、「容量結合駆動技術」が知られている。容量結合駆動は、各画素における画素電極を所定の信号線と容量結合させ、画素電極に表示信号(表示データ)を書き込んだ後に上記所定の信号線の電位を変化させることで、画素電極の電位を適切に調整するものである(例えば下記の特許文献1,2)。   As a pixel driving method for reducing power consumption of a liquid crystal display device, a “capacitive coupling driving technique” is known. In capacitive coupling driving, the pixel electrode in each pixel is capacitively coupled to a predetermined signal line, and a display signal (display data) is written to the pixel electrode, and then the potential of the predetermined signal line is changed to change the potential of the pixel electrode. Is adjusted appropriately (for example, Patent Documents 1 and 2 below).

例えば正極性(+)の表示信号が書き込まれた画素電極の電位を上昇(正方向に変化)させ、また負極性(−)の表示信号が書き込まれた画素電極の電位を下降(負方向に変化)させることで、表示信号を増幅することができる。その結果、データ線(ソース線)に供給する表示信号の振幅を小さくすることができ、データ線で消費される電力を低減させることができる。また表示信号の振幅が小さくなることで、走査線(ゲート線)の駆動信号の振幅も小さくすることができる。   For example, the potential of the pixel electrode to which the positive polarity (+) display signal is written is increased (changes in the positive direction), and the potential of the pixel electrode to which the negative polarity (−) display signal is written is decreased (in the negative direction). Display signal can be amplified. As a result, the amplitude of the display signal supplied to the data line (source line) can be reduced, and the power consumed by the data line can be reduced. In addition, since the amplitude of the display signal is reduced, the amplitude of the drive signal for the scanning line (gate line) can also be reduced.

特許文献1においては、上記所定の信号線として、専ら画素の容量結合駆動を行うための容量線(CC)が用いられる例が示されている。さらに、プロセスの簡略化および低コスト化の点から、画素の容量結合駆動に用いる上記容量線を駆動するための駆動回路(補償信号駆動回路)を構成するトランジスタを、全て同一導電型(P型)のものにすることが示唆されている。   Patent Document 1 shows an example in which a capacitor line (CC) for exclusively performing capacitive coupling driving of pixels is used as the predetermined signal line. Further, from the viewpoint of simplification of the process and cost reduction, all the transistors constituting the driving circuit (compensation signal driving circuit) for driving the capacitor line used for capacitive coupling driving of the pixels are all of the same conductivity type (P type). ) Is suggested.

また特許文献2においては、上記所定の信号線として、その画素に隣接する画素ライン(画素行)のゲート線を用いた例が示されている。つまり特許文献2の容量結合駆動は、隣接画素ラインのゲート線駆動信号の非活性レベルの電位を変化させることで実行される。   Patent Document 2 shows an example in which a gate line of a pixel line (pixel row) adjacent to the pixel is used as the predetermined signal line. That is, the capacitive coupling drive of Patent Document 2 is executed by changing the inactive level potential of the gate line drive signal of the adjacent pixel line.

液晶表示装置においては、液晶素子の劣化を防止するために一定周期で表示信号の極性を反転させるのが一般的である。つまり、データ線に供給する表示信号の極性を、各画素の液晶素子の一端が接続するコモン電極(共通電極)の電位を基準にして交流的に変化させるのである。容量結合駆動を行う表示装置において、一定周期で表示信号の極性を反転させる場合には、表示信号の極性が反転する周期に合わせて、上記所定の信号線の電位を変化させる方向(正方向または負方向)を反転させる必要がある。   In a liquid crystal display device, in general, the polarity of a display signal is inverted at a constant period in order to prevent deterioration of a liquid crystal element. That is, the polarity of the display signal supplied to the data line is changed in an alternating manner with reference to the potential of the common electrode (common electrode) to which one end of the liquid crystal element of each pixel is connected. In a display device that performs capacitive coupling driving, when the polarity of a display signal is inverted at a constant period, the direction in which the potential of the predetermined signal line is changed (positive direction or in accordance with the period at which the polarity of the display signal is inverted). It is necessary to reverse the negative direction.

また、一定周期で表示信号の極性を反転させる駆動方法として、コモン電極の電位自体を交流的に変化させる「コモン反転駆動技術」が知られている(例えば下記の特許文献3,6)。この手法では、画素電極に表示信号を書き込む前に、その表示信号の極性に合わせてコモン電極の電位を適宜変化させておくことで、画素電極とコモン電極間に接続した液晶素子にかかる電圧を適切に調整するものである。   As a driving method for inverting the polarity of a display signal at a constant period, a “common inversion driving technique” in which the potential of the common electrode itself is changed in an alternating manner is known (for example, Patent Documents 3 and 6 below). In this method, before writing a display signal to the pixel electrode, the voltage applied to the liquid crystal element connected between the pixel electrode and the common electrode is changed by appropriately changing the potential of the common electrode in accordance with the polarity of the display signal. Adjust appropriately.

例えば画素に正極性(+)の表示信号を書き込むときにはコモン電極を負極性にし、また負極性(−)の表示信号を書き込むコモン電極を正極性にしておくことで、表示信号が書き込まれたときに液晶素子にかかる電圧を大きくすることができる。その結果、データ線に供給する表示信号の振幅を小さくすることができ、またそれによりゲート線駆動信号の振幅も小さくすることができる。   For example, when a display signal is written by writing a positive (+) display signal to a pixel, the common electrode is set to a negative polarity, and a common electrode for writing a negative (−) display signal is set to a positive polarity. In addition, the voltage applied to the liquid crystal element can be increased. As a result, the amplitude of the display signal supplied to the data line can be reduced, and the amplitude of the gate line drive signal can also be reduced.

特許文献3,4では、コモン反転駆動の一つとして、コモン電極の電位を画素ライン毎(ゲート線毎)に独立して交流的に変化させる「ライン毎独立コモン交流駆動方式」が開示されている。ライン毎独立コモン交流駆動技術は、主にIPS(In Plane Switching)液晶表示パネルに用いられており、画素に書き込まれる表示信号の極性に応じて共通電極の電位をゲート線毎に独立に設定するものである。この技術は、表示信号およびゲート線駆動信号の振幅を小さくして消費電力の低減を図ることができると共に、ゲート線駆動回路に使用されるトランジスタの信頼性を向上できる技術として知られている。   Patent Documents 3 and 4 disclose “line-independent common AC drive method” in which the potential of the common electrode is changed in an AC manner independently for each pixel line (each gate line) as one of the common inversion drives. Yes. The independent common AC driving technology for each line is mainly used in an IPS (In Plane Switching) liquid crystal display panel, and the potential of the common electrode is set independently for each gate line in accordance with the polarity of the display signal written to the pixel. Is. This technique is known as a technique that can reduce the power consumption by reducing the amplitude of the display signal and the gate line driving signal, and can improve the reliability of the transistors used in the gate line driving circuit.

その他、本発明に関連する先行技術としては、例えば下記の特許文献5,6が挙げられる。   In addition, as prior art relevant to this invention, the following patent documents 5 and 6 are mentioned, for example.

特開2003−228345号公報JP 2003-228345 A 特開平2−913号公報JP-A-2-913 特開2006−276541号公報JP 2006-276541 A 特開平10−31464号公報JP-A-10-31464 特開2004−103226号公報JP 2004-103226 A 特開2003−295157号公報JP 2003-295157 A

先に述べたように、液晶表示装置では表示信号の極性が一定周期で反転される。その場合、容量結合駆動技術およびコモン交流駆動技術のいずれにおいても、共通電極の電位を基準にした画素電極の電位の正負(極性)がその周期で切り替わる(交番する)ことになる。よってそのような駆動方法を行う回路には、表示信号の極性の変化に応じた動作を行わせるための制御信号(極性制御信号)を与える必要がある。表示信号の極性は、1フレーム毎に反転されるのがより一般的であり、その場合の極性制御信号としては、1フレーム毎にレベルが反転する信号を用いることができる。   As described above, in the liquid crystal display device, the polarity of the display signal is inverted at a constant period. In that case, in both the capacitive coupling driving technique and the common AC driving technique, the positive / negative (polarity) of the potential of the pixel electrode with respect to the potential of the common electrode is switched (alternated) in that cycle. Therefore, it is necessary to supply a control signal (polarity control signal) for performing an operation corresponding to a change in the polarity of the display signal to a circuit that performs such a driving method. More generally, the polarity of the display signal is inverted every frame, and a signal whose level is inverted every frame can be used as the polarity control signal in that case.

そのような極性制御信号は、表示装置外部から供給することができるが、当該極性制御信号のレベルを表示装置の動作電圧に適合するように設定する必要がある。そのため、その設定を行うレベルシフタが別途必要となり、表示装置の製造コスト上昇を招くという問題が生じる。   Such a polarity control signal can be supplied from the outside of the display device, but it is necessary to set the level of the polarity control signal so as to match the operating voltage of the display device. For this reason, a level shifter for performing the setting is required separately, which causes a problem of increasing the manufacturing cost of the display device.

極性制御信号の生成回路を表示装置の内部に搭載させることも考えられるが、その場合にはプロセスの簡略化および低コスト化の点から、当該生成回路に用いるトランジスタは、画素やゲート線駆動回路に用いられるものと全て同一の導電型であることが望ましい。さらに、容量結合駆動やコモン交流駆動を行う駆動回路も、それらと同一の導電型のトランジスタのみを用いて構成されればさらに好ましい。   It is conceivable to install a polarity control signal generation circuit inside the display device. In that case, from the viewpoint of simplification of the process and cost reduction, the transistor used in the generation circuit is a pixel or gate line driving circuit. It is desirable that they are all of the same conductivity type as used in the above. Furthermore, it is more preferable that the drive circuit that performs capacitive coupling drive and common AC drive is also configured using only the same conductivity type transistors.

本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、表示信号の極性が特定の周期で反転する表示装置において、表示信号の極性の変化に応じた容量結合駆動またはコモン交流駆動を行う駆動回路、並びに、その駆動回路に表示信号の極性に応じた動作を行わせるための制御信号(極性制御信号)の生成回路を、同一導電型のトランジスタのみを用いた回路で実現することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above problems, and in a display device in which the polarity of a display signal is inverted at a specific period, capacitive coupling driving or common AC driving according to a change in the polarity of the display signal. And a generation circuit of a control signal (polarity control signal) for causing the drive circuit to perform an operation in accordance with the polarity of the display signal are realized by a circuit using only transistors of the same conductivity type. With the goal.

本発明の第1の態様に係る画像表示装置は、互いに平行して配設された複数の走査線と、前記複数の走査線に直交して配設された複数の信号線と、各々が前記複数の走査線のそれぞれに沿って配設された複数の容量線と、前記走査線と前記信号線との各交点近傍に配設された複数の画素と、フレーム毎に前記複数の走査線を順に走査して駆動する走査線駆動回路と、前記複数の容量線を駆動する容量線駆動回路とを備え、前記フレームの開始に対応したスタート信号を分周した周期を有する制御信号を生成する分周回路と、前記画素は、対応する前記走査線に接続した制御電極および対応する前記信号線に接続した一方の電流電極を有する画素能動素子と、前記画素能動素子の他方の電流電極に接続した画素電極と、対応する容量線と前記画素電極との間に接続した容量素子とを備え、前記容量線駆動回路は前記フレーム毎に、前記複数の画素の各々に対し、前記画素能動素子の活性期間の後の所定タイミングで、対応する前記容量線の電位を前記制御信号に基づいて変化させ、前記走査線駆動回路、前記容量線駆動回路および前記分周回路を構成する能動素子は、全て前記画素能動素子と同一導電型のものであることを特徴とする。   The image display device according to the first aspect of the present invention includes a plurality of scanning lines arranged in parallel to each other, a plurality of signal lines arranged orthogonal to the plurality of scanning lines, A plurality of capacitance lines disposed along each of the plurality of scanning lines, a plurality of pixels disposed near intersections of the scanning lines and the signal lines, and the plurality of scanning lines for each frame. A scanning line driving circuit that scans and drives in order, and a capacitive line driving circuit that drives the plurality of capacitive lines, and generates a control signal having a period obtained by dividing the start signal corresponding to the start of the frame. And a pixel active element having a control circuit connected to the corresponding scanning line and one current electrode connected to the corresponding signal line, and the other current electrode of the pixel active element. A pixel electrode, a corresponding capacitor line and the image Each of the plurality of pixels corresponding to each of the plurality of pixels at a predetermined timing after an active period of the pixel active element. The active elements that change the potential of the capacitor line based on the control signal and constitute the scanning line driver circuit, the capacitor line driver circuit, and the frequency divider circuit are all of the same conductivity type as the pixel active element. It is characterized by that.

本発明の第2の態様に係る画像表示装置は、互いに平行して配設された複数の走査線と、前記複数の走査線に直交して配設された複数の信号線と、前記走査線と前記信号線との各交点近傍に配設された複数の画素と、フレーム毎に前記複数の走査線を順に走査して駆動する走査線駆動回路と、前記フレームの開始に対応したスタート信号を分周した周期を有する制御信号を生成する分周回路とを備え、前記画素は、対応する前記走査線に接続した制御電極および対応する前記信号線に接続した一方の電流電極を有する画素能動素子と、前記画素能動素子の他方の電流電極に接続した画素電極と、対応する前記走査線に隣接する前記走査線と前記画素電極との間に接続した容量素子とを備え、前記走査線駆動回路は前記フレーム毎に、前記複数の画素の各々に対し、前記画素能動素子の活性期間の後の所定タイミングで、隣接する前記走査線の非活性レベルの電位を前記制御信号に基づいて変化させ、前記走査線駆動回路および前記分周回路を構成する能動素子は、全て前記画素能動素子と同一導電型のものであることを特徴とする。   An image display device according to a second aspect of the present invention includes a plurality of scanning lines arranged in parallel to each other, a plurality of signal lines arranged orthogonal to the plurality of scanning lines, and the scanning line. And a plurality of pixels arranged in the vicinity of each intersection of the signal lines, a scanning line driving circuit for sequentially scanning the plurality of scanning lines for each frame, and a start signal corresponding to the start of the frame A pixel active element having a frequency dividing circuit for generating a control signal having a frequency divided, and the pixel having a control electrode connected to the corresponding scanning line and one current electrode connected to the corresponding signal line A pixel electrode connected to the other current electrode of the pixel active element, and a capacitive element connected between the scanning line adjacent to the corresponding scanning line and the pixel electrode, the scanning line driving circuit For each frame For each pixel, at a predetermined timing after the active period of the pixel active element, the potential of the inactive level of the adjacent scanning line is changed based on the control signal, and the scanning line driving circuit and the frequency dividing circuit are changed. The active elements constituting the circuit are all of the same conductivity type as the pixel active element.

本発明の第3の態様に係る画像表示装置は、互いに平行して配設された複数の走査線と、前記複数の走査線に直交して配設された複数の信号線と、各々が前記複数の走査線のそれぞれに沿って配設された複数の共通電極線と、前記走査線と前記信号線との各交点近傍に配設された複数の画素と、フレーム毎に前記複数の走査線を順に走査して駆動する走査線駆動回路と、前記複数の共通電極線を駆動する共通電極線駆動回路とを備え、前記フレームの開始に対応したスタート信号を分周した周期を有する制御信号を生成する分周回路と、前記画素は、対応する前記走査線に接続した制御電極および対応する前記信号線に接続した一方の電流電極を有する画素能動素子と、前記画素能動素子の他方の電流電極に接続した画素電極と、対応する前記共通電極線と前記画素電極との間に接続した表示素子とを備え、前記共通電極線駆動回路は前記フレーム毎に、前記複数の画素の各々に対し、前記画素能動素子の活性期間の前の所定タイミングで、対応する前記共通電極線の電位を前記制御信号に基づいて変化させ、前記走査線駆動回路、前記共通電極線駆動回路および前記分周回路を構成する能動素子は、全て前記画素能動素子と同一導電型のものであることを特徴とする。   An image display device according to a third aspect of the present invention includes a plurality of scanning lines arranged in parallel to each other, a plurality of signal lines arranged orthogonal to the plurality of scanning lines, A plurality of common electrode lines disposed along each of the plurality of scanning lines, a plurality of pixels disposed in the vicinity of intersections of the scanning lines and the signal lines, and the plurality of scanning lines for each frame A control signal having a period obtained by dividing the start signal corresponding to the start of the frame, and a scanning line driving circuit that sequentially scans and drives the common electrode line driving circuit that drives the plurality of common electrode lines. A frequency dividing circuit to be generated, a pixel active element having a control electrode connected to the corresponding scanning line and one current electrode connected to the corresponding signal line, and the other current electrode of the pixel active element The pixel electrode connected to the A display element connected between the common electrode line and the pixel electrode, the common electrode line driving circuit for each of the plurality of pixels for each frame before the active period of the pixel active element. At a predetermined timing, the potential of the corresponding common electrode line is changed based on the control signal, and the active elements constituting the scanning line driving circuit, the common electrode line driving circuit, and the frequency dividing circuit are all active in the pixel. It is of the same conductivity type as the element.

本発明によれば、容量結合駆動もしくはコモン交流駆動を行う駆動回路(容量線駆動回路、ゲート線駆動回路もしくは共通電極線駆動回路)と、その動作を規定する制御信号を生成する分周回路が、画素能動素子と同一導電型のトランジスタのみを用いて実現されているので、上記駆動回路および分周回路を画素と同じ絶縁基板上に形成することが容易になる。その結果、表示パネルの形成工程数の削減を図ることができ、画像表示装置の製造プロセスの簡略化、並びに製造コストの削減に寄与できる。   According to the present invention, a driving circuit (capacitive line driving circuit, gate line driving circuit or common electrode line driving circuit) that performs capacitive coupling driving or common AC driving, and a frequency dividing circuit that generates a control signal that defines the operation thereof are provided. Since it is realized by using only a transistor having the same conductivity type as the pixel active element, it becomes easy to form the driving circuit and the frequency dividing circuit on the same insulating substrate as the pixel. As a result, the number of display panel formation steps can be reduced, which can contribute to simplification of the manufacturing process of the image display device and reduction of manufacturing costs.

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、説明が重複して冗長になるのを避けるため、各図において同一または相当する機能を有する要素には同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in order to avoid duplication and redundant description, elements having the same or corresponding functions are denoted by the same reference symbols in the respective drawings.

<実施の形態1>
以下、本発明の具体的な実施の形態について説明するが、本発明の理解を容易にするために、まずは従来の駆動制御回路およびゲート線駆動回路について説明する。図1は、従来の液晶表示装置10の構成例を示すブロック図である。
<Embodiment 1>
Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described. To facilitate the understanding of the present invention, first, a conventional drive control circuit and a gate line drive circuit will be described. FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration example of a conventional liquid crystal display device 10.

当該表示装置10では、ガラスあるいは樹脂等の絶縁基板上に形成された液晶画素25(PX)がマトリクス状に配設されている。図2は、画素25の具体的な構成例である。同図の如く画素25は、表示素子として液晶素子28が用いられた液晶画素である。また画素25が備える画素トランジスタ26(広義には能動素子)は、Nチャネル型のTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)が用いられている。   In the display device 10, liquid crystal pixels 25 (PX) formed on an insulating substrate such as glass or resin are arranged in a matrix. FIG. 2 shows a specific configuration example of the pixel 25. As shown in the figure, the pixel 25 is a liquid crystal pixel in which a liquid crystal element 28 is used as a display element. Further, an N-channel TFT (Thin Film Transistor) is used for the pixel transistor 26 (active element in a broad sense) included in the pixel 25.

N型TFTは、ゲートがソースに対しH(High)レベルになると活性(オン)状態となり、同じくL(Low)レベルで非活性(オフ)状態となる。よって以下の説明では信号のHレベルを活性レベル、Lレベルを非活性レベルとして説明する。なお、P型トランジスタの場合はゲートがソースに対しLレベルになると活性(オン)状態となり、同じくHレベルで非活性(オフ)状態となる(信号の活性、非活性の関係も逆になる)。   The N-type TFT is activated (ON) when the gate is at the H (High) level relative to the source, and is also deactivated (OFF) at the L (Low) level. Therefore, in the following description, the signal H level is described as an active level and the L level is described as an inactive level. In the case of a P-type transistor, an active (ON) state is obtained when the gate is at the L level with respect to the source, and an inactive (OFF) state is also obtained at the H level (the relationship between signal activation and inactivation is reversed). .

画素25は、互いに平行して配設された複数(m本)のゲート線(広義には走査線)GL1,GL2,…,GLm(総称「ゲート線GL」)と、それに直交するように配設された複数(r本)のデータ線(広義には信号線)DL1,DL2,…,DLr(総称「データ線DL」)の各交点の近傍にそれぞれ設けられる。ゲート線GL1,GL2,…,GLmは、ゲート線駆動回路101が生成するゲート線駆動信号G1,G2,…,Gm(総称「ゲート線駆動信号G」)によってそれぞれ駆動される。またデータ線DL1,DL2,…,DLrには、駆動制御回路110から表示データ信号D1,D2,…,Dr(総称「表示データ信号D」)がそれぞれ供給される。即ち、画素25の各々は、ゲート線駆動回路101が生成するゲート線GLによって駆動され、駆動制御回路110からの表示データ信号Dに応じた表示を行う。 The pixel 25 is orthogonal to a plurality (m) of gate lines (scan lines in a broad sense) GL 1 , GL 2 ,..., GL m (generically “gate lines GL”) arranged in parallel to each other. , DL r (generally “data lines DL”) are provided in the vicinity of intersections of a plurality of (r) data lines (signal lines in a broad sense) DL 1 , DL 2 ,. The gate lines GL 1 , GL 2 ,..., GL m are respectively driven by gate line drive signals G 1 , G 2 ,..., G m (generic name “gate line drive signal G”) generated by the gate line drive circuit 101. The The data lines DL 1, DL 2, ..., the DL r, viewed from the drive control circuit 110 the data signals D 1, D 2, ..., D r ( collectively, "display data signal D") are supplied. That is, each of the pixels 25 is driven by the gate line GL generated by the gate line driving circuit 101, and performs display according to the display data signal D from the drive control circuit 110.

図2に示すように、ゲート線GLには画素トランジスタ26のゲートが接続され、データ線DLには当該画素トランジスタ26のドレインが接続される。また画素トランジスタ26のソースは、画素電極Npに接続される。画素電極Npには保持容量素子27および液晶素子28が接続される。保持容量素子27は、画素電極Npと保持電極Nhとの間に接続され、液晶素子28は画素電極Npと共通電極(コモン電極)Ncとの間に接続される。   As shown in FIG. 2, the gate of the pixel transistor 26 is connected to the gate line GL, and the drain of the pixel transistor 26 is connected to the data line DL. The source of the pixel transistor 26 is connected to the pixel electrode Np. A storage capacitor element 27 and a liquid crystal element 28 are connected to the pixel electrode Np. The storage capacitor element 27 is connected between the pixel electrode Np and the storage electrode Nh, and the liquid crystal element 28 is connected between the pixel electrode Np and a common electrode (common electrode) Nc.

画素25では、対応するゲート線GLを駆動するゲート線駆動信号Gが活性レベル(H(High)レベル)になると画素トランジスタ26がオンし、そのときデータ線DLに供給されている表示データ信号Dの電圧が保持容量素子27に保持される。この保持容量素子27に保持されたデータ(電圧)に応じて液晶素子28中の液晶の配向性が変化し、当該画素の表示輝度が変化する。   In the pixel 25, when the gate line driving signal G for driving the corresponding gate line GL becomes the active level (H (High) level), the pixel transistor 26 is turned on, and at that time, the display data signal D supplied to the data line DL. Is held in the holding capacitor element 27. The orientation of the liquid crystal in the liquid crystal element 28 changes according to the data (voltage) held in the holding capacitor element 27, and the display luminance of the pixel changes.

即ち画素25では、画素電極Npと共通電極Ncとの間の電位差に応じて、液晶素子28中の液晶の配向性が変化し、これに応答して液晶素子28の表示輝度が変化する。従って画素電極Npへ供給される表示データ信号Dの電圧(表示電圧)によって、各画素の輝度をコントロールすることが可能となる。即ち、最大輝度に対応する電位差と最小輝度に対応する電位差との間の中間的な電位差を、画素電極Npと共通電極Ncとの間に印加することによって中間的な輝度を得ることができる。従って、表示データ信号Dの電圧を段階的に設定することにより、階調的な輝度を得ることが可能となる。   That is, in the pixel 25, the orientation of the liquid crystal in the liquid crystal element 28 changes according to the potential difference between the pixel electrode Np and the common electrode Nc, and the display luminance of the liquid crystal element 28 changes in response to this. Therefore, the luminance of each pixel can be controlled by the voltage (display voltage) of the display data signal D supplied to the pixel electrode Np. That is, intermediate luminance can be obtained by applying an intermediate potential difference between the pixel electrode Np and the common electrode Nc between the potential difference corresponding to the maximum luminance and the potential difference corresponding to the minimum luminance. Therefore, gradational luminance can be obtained by setting the voltage of the display data signal D in a stepwise manner.

再び図1を参照し、駆動制御回路110は、単結晶シリコン基板を用いて形成された単一あるいは複数のLSIから構成される。駆動制御回路110は、画素25に書き込む表示データ信号D1,D2,D3,…をデータ線DL1,DL2,DL3,…に出力するソースドライバ回路(データ信号出力回路)、ゲート線駆動回路101を動作させるのに必要な駆動制御信号の生成回路、電源電圧を生成する電源回路などで構成される。 Referring to FIG. 1 again, the drive control circuit 110 is composed of a single or a plurality of LSIs formed using a single crystal silicon substrate. The drive control circuit 110 is a source driver circuit (data signal output circuit) for outputting display data signals D 1 , D 2 , D 3 ,... To be written to the pixels 25 to the data lines DL 1 , DL 2 , DL 3 ,. The circuit includes a drive control signal generation circuit necessary for operating the line drive circuit 101, a power supply circuit for generating a power supply voltage, and the like.

また駆動制御回路110は、同じく単結晶シリコン基板を用いて形成されたレベルシフタ111を備えている。レベルシフタ111は、駆動制御回路110が生成した駆動制御信号(スタート信号stおよびクロック信号clk,/clk)のレベルをシフトさせて、ゲート線駆動回路101を駆動するのに適した電圧レベルの信号(スタート信号STおよびクロック信号CLK,/CLK)に変換するものである。   The drive control circuit 110 also includes a level shifter 111 that is also formed using a single crystal silicon substrate. The level shifter 111 shifts the level of the drive control signal (start signal st and clock signals clk, / clk) generated by the drive control circuit 110 to have a voltage level signal suitable for driving the gate line drive circuit 101 ( Start signal ST and clock signals CLK, / CLK).

レベルシフタ111を含む駆動制御回路110(以下、単に「駆動制御回路110」と称す)がゲート線駆動回路101に供給する駆動制御信号には、スタート信号STとクロック信号CLK,/CLKが含まれている。スタート信号STは、画像信号の各フレームの開始に対応したタイミングで活性化されるパルス信号である。クロック信号CLK,/CLKは、互いに相補な(活性期間が重ならない)信号であり、ゲート線駆動回路101の動作タイミングは当該クロック信号CLK,/CLKによって規定される。   The drive control signal supplied to the gate line drive circuit 101 by the drive control circuit 110 including the level shifter 111 (hereinafter simply referred to as “drive control circuit 110”) includes the start signal ST and the clock signals CLK and / CLK. Yes. The start signal ST is a pulse signal that is activated at a timing corresponding to the start of each frame of the image signal. The clock signals CLK and / CLK are complementary signals (the active periods do not overlap), and the operation timing of the gate line driving circuit 101 is defined by the clock signals CLK and / CLK.

即ち、液晶アレイ部15の画素マトリクスをゲート線駆動回路101で駆動する場合、駆動制御回路110は、ゲート線GLの走査を開始するタイミングでスタート信号STを活性化させる。ゲート線駆動回路101は、スタート信号STの活性化を切っ掛けにして、クロック信号CLK,/CLKの活性化タイミングに同期してゲート線駆動信号G1,G2,G3,…をこの順に活性化させる。 That is, when the pixel matrix of the liquid crystal array unit 15 is driven by the gate line driving circuit 101, the drive control circuit 110 activates the start signal ST at the timing when the scanning of the gate line GL is started. The gate line driving circuit 101 activates the start signal ST and activates the gate line driving signals G 1 , G 2 , G 3 ,... In this order in synchronization with the activation timing of the clock signals CLK, / CLK. Make it.

図3は、この駆動制御回路110が出力する駆動制御信号とゲート線駆動回路101の動作との関係を示すタイミング図である。図3に示すように、クロック信号CLK,/CLKの各々は、表示装置10の2水平期間(2H)の周期をもって活性化されるパルス信号であり、両者は互いに1水平期間(1H)だけ位相がずらされている。即ち、この2つのクロック信号CLK,/CLKは、1水平期間位相がずれた2相クロックを構成している。   FIG. 3 is a timing chart showing the relationship between the drive control signal output from the drive control circuit 110 and the operation of the gate line drive circuit 101. As shown in FIG. 3, each of the clock signals CLK and / CLK is a pulse signal that is activated with a period of two horizontal periods (2H) of the display device 10, and both are in phase with each other by one horizontal period (1H). Is shifted. That is, the two clock signals CLK and / CLK constitute a two-phase clock that is shifted in phase by one horizontal period.

駆動制御回路110は図3の如く、フレーム期間の開始に対応した時刻t0に、スタート信号STを活性化させる。当該スタート信号STはその直後の時刻t1で非活性化され、次のフレーム期間まで非活性状態に維持される。駆動制御回路110は、時刻t0から1水平期間(1H)遅れた時刻t2にクロック信号CLKを活性化させ、さらに時刻t2から1水平期間(1H)遅れた時刻t4にクロック信号/CLKを活性化させる。以降、1水平期間ごとにクロック信号CLK,/CLKが交互に活性化される。 As shown in FIG. 3, the drive control circuit 110 activates the start signal ST at time t 0 corresponding to the start of the frame period. The start signal ST is inactivated at time t 1 immediately after that, and is maintained in an inactive state until the next frame period. The drive control circuit 110 activates the clock signal CLK at a time t 2 delayed by one horizontal period (1H) from the time t 0 , and further at a time t 4 delayed by one horizontal period (1H) from the time t 2. Activate CLK. Thereafter, the clock signals CLK and / CLK are alternately activated every horizontal period.

ゲート線駆動回路101は、縦続接続した複数のシフトレジスタ(多段のシフトレジスタ)から構成されており、その各段からそれぞれゲート線駆動信号G1,G2,G3,…が出力される(以下、多段のシフトレジスタの各段を「単位シフトレジスタ」と称す)。スタート信号STは、第1段目の単位シフトレジスタに入力される。その信号は、クロック信号CLK,/CLKに同期して時間的にシフトされながら、第1段目から後段へ向けて順番に伝達される。その結果、ゲート線駆動回路101からは、クロック信号CLK,/CLKに同期したタイミングで、ゲート線駆動信号G1,G2,G3,…がこの順に出力される。それにより、ゲート線GL1,GL2,GL3,…がこの順で活性化される動作が1水平期間ごとに繰り返し行われる。 The gate line driving circuit 101 includes a plurality of cascade-connected shift registers (multi-stage shift registers), and gate line driving signals G 1 , G 2 , G 3 ,. Hereinafter, each stage of the multistage shift register is referred to as a “unit shift register”). The start signal ST is input to the first stage unit shift register. The signals are sequentially transmitted from the first stage to the subsequent stage while being temporally shifted in synchronization with the clock signals CLK and / CLK. As a result, gate line drive signals G 1 , G 2 , G 3 ,... Are output in this order from the gate line drive circuit 101 at a timing synchronized with the clock signals CLK, / CLK. As a result, the operation of activating the gate lines GL 1 , GL 2 , GL 3 ,... In this order is repeated every horizontal period.

ゲート線駆動回路101(多段のシフトレジスタ)を構成する単位シフトレジスタの具体例としては、上記の特許文献4の図7に、全て同一導電型のトランジスタにより構成された単位シフトレジスタの例が開示されている。   As a specific example of the unit shift register constituting the gate line driving circuit 101 (multistage shift register), an example of a unit shift register composed of transistors of the same conductivity type is disclosed in FIG. Has been.

ここから、本発明に係る表示装置について説明する。実施の形態1では、本発明を容量結合駆動技術を用いた表示装置に適用した例を示す。先に述べたように、容量結合駆動技術としては、その駆動を行うための配線として容量結合駆動専用の容量線を用いる方式(特許文献1)と、隣接画素ラインのゲート線を兼用させる方式(特許文献2)とが知られているが、本実施の形態では前者に適用する。   From here, the display device according to the present invention will be described. Embodiment 1 shows an example in which the present invention is applied to a display device using a capacitive coupling driving technique. As described above, as a capacitive coupling driving technique, a system using a capacitive line dedicated for capacitive coupling driving as a wiring for driving the capacitive coupling (Patent Document 1) and a system using both gate lines of adjacent pixel lines (Patent Document 1) Patent Document 2) is known, but this embodiment is applied to the former.

即ち本実施の形態では、画素の画素電極と容量結合した容量線を設け、その容量線に所定の振幅の信号(容量線駆動信号)を供給することで、画素電極に書き込まれた表示データ信号のレベルを調整する。容量結合駆動によれば表示データ信号を増幅することができるので、データ線に供給する表示信号の振幅を小さくすることができ、データ線で消費される電力を低減させることができる。   That is, in this embodiment, a display line data signal written to the pixel electrode is provided by providing a capacitor line capacitively coupled to the pixel electrode of the pixel and supplying a signal (capacitor line drive signal) having a predetermined amplitude to the capacitor line. Adjust the level. Since the display data signal can be amplified by capacitive coupling driving, the amplitude of the display signal supplied to the data line can be reduced, and the power consumed by the data line can be reduced.

図4は本発明の実施の形態1に係る表示装置10Aの構成を示す概略ブロック図である。ここでは、容量結合駆動を適用可能な表示装置の代表例として液晶表示装置を示している。   FIG. 4 is a schematic block diagram showing the configuration of the display device 10A according to Embodiment 1 of the present invention. Here, a liquid crystal display device is shown as a representative example of a display device to which capacitive coupling driving can be applied.

表示装置10Aは、液晶アレイ部15、ゲート線駆動回路(広義には走査線駆動回路)11、分周回路20、駆動制御回路110およびレベルシフタ111を備えている。液晶アレイ部15は、行列状に配設された複数の画素25から成り、画素の行(画素ライン)の各々に対応してそれぞれゲート線GL1,GL2,…,GLmが配設され、また、画素の列(画素列)の各々に対応してそれぞれデータ線DL1,DL2,…が配設される。さらに、ゲート線GL1,GL2,…,GLmのそれぞれに沿うように、容量線CCL1,CCL2,…,CCLm(総称「容量線CCL」)が設けられる。なお図4では、第1行、第2行および最終行のゲート線GL1,GL2,GLm、それらに対応して設けられた容量線CCL1,CCL2,CCLm、第1列および第2列のデータ線DL1、DL2、並びにそれらの交点に配設された6つの画素25を代表的に示している。 The display device 10A includes a liquid crystal array unit 15, a gate line driving circuit (scanning line driving circuit in a broad sense) 11, a frequency dividing circuit 20, a drive control circuit 110, and a level shifter 111. The liquid crystal array unit 15 is composed of a plurality of pixels 25 arranged in a matrix, and gate lines GL 1 , GL 2 ,..., GL m are arranged corresponding to each row (pixel line) of pixels. In addition, data lines DL 1 , DL 2 ,... Are arranged corresponding to each of the pixel columns (pixel columns). Further, the gate lines GL 1, GL 2, ..., along the respective GL m, capacitance lines CCL 1, CCL 2, ..., CCL m (collectively, "capacitance line CCL") is provided. In FIG. 4, the gate lines GL 1 , GL 2 , GL m of the first row, the second row, and the last row, the capacitance lines CCL 1 , CCL 2 , CCL m , the first column, The data lines DL 1 and DL 2 in the second column and the six pixels 25 arranged at the intersections are representatively shown.

本実施の形態では図4のように、液晶アレイ部15の片側(左側)にゲート線駆動回路11が配設され、もう片側(右側)に容量線駆動回路12が配設されている。これらゲート線駆動回路11並びに容量線駆動回路12は、画素25と同様に絶縁基板上に形成したTFTを用いて構成されている。このゲート線駆動回路11と容量線駆動回路12の配置は一例であり、この配置に限定されない。例えばゲート線駆動回路11と容量線駆動回路12を一体化させて液晶アレイ部15の片側のみ(左側あるいは右側のみ)に配設してもよい。   In the present embodiment, as shown in FIG. 4, the gate line driving circuit 11 is disposed on one side (left side) of the liquid crystal array section 15, and the capacitance line driving circuit 12 is disposed on the other side (right side). The gate line driving circuit 11 and the capacitor line driving circuit 12 are configured by using TFTs formed on an insulating substrate in the same manner as the pixels 25. The arrangement of the gate line driving circuit 11 and the capacitor line driving circuit 12 is an example, and is not limited to this arrangement. For example, the gate line driving circuit 11 and the capacitor line driving circuit 12 may be integrated and disposed only on one side (left side or right side) of the liquid crystal array unit 15.

ゲート線駆動回路11と容量線駆動回路12を一体化した回路(一体化回路)を使用する場合、表示装置の解像度を高くするために各画素25の領域を小さくしたときに、一体化回路の単位回路のピッチが画素25のピッチよりも大きくなってしまうことも考えられる。その場合には、一体化回路を、液晶アレイ部15の両側に配設し、例えば奇数行の画素を一方の一体化回路で駆動し、偶数行の画素をもう一方の一体化回路で駆動するとよい。   When a circuit (integrated circuit) in which the gate line driving circuit 11 and the capacitor line driving circuit 12 are integrated is used, when the area of each pixel 25 is reduced in order to increase the resolution of the display device, It is also conceivable that the pitch of the unit circuits is larger than the pitch of the pixels 25. In that case, an integrated circuit is disposed on both sides of the liquid crystal array unit 15, and for example, when pixels in odd rows are driven by one integrated circuit and pixels in even rows are driven by the other integrated circuit. Good.

ゲート線駆動回路11の基本的な動作は、図1の従来のゲート線駆動回路101の動作(図3)と同様である。但し、図4のゲート線駆動回路11には、最後段である第m段目の単位シフトレジスタ(不図示)に続けてさらに2段の単位シフトレジスタSRm+1,SRm+2が設けられている。これら単位シフトレジスタSRm+1,SRm+2は、ゲート線GLを駆動しないので、以下では「ダミーシフトレジスタ」と称する。ダミーシフトレジスタSRm+1,SRm+2の出力信号Gm+1,Gm+2はゲート線GLを駆動しないが、通常のゲート線駆動信号G1〜Gmと同質の信号であるので、それらを「駆動信号」と称することとする。 The basic operation of the gate line driving circuit 11 is the same as that of the conventional gate line driving circuit 101 of FIG. 1 (FIG. 3). However, the gate line driving circuit 11 in FIG. 4 is provided with unit shift registers SR m + 1 and SR m + 2 in two stages following the m-th unit shift register (not shown) as the last stage. It has been. Since these unit shift registers SR m + 1 and SR m + 2 do not drive the gate line GL, they are hereinafter referred to as “dummy shift registers”. The output signals G m + 1 and G m + 2 of the dummy shift registers SR m + 1 and SR m + 2 do not drive the gate line GL, but are the same quality as the normal gate line driving signals G 1 to G m. Therefore, they are referred to as “driving signals”.

また図4の駆動制御回路110(レベルシフタ111を含む)は、図1に示したものと同様に、単結晶シリコン基板を用いて形成されたLSIによって構成されており、駆動制御信号(スタート信号STおよびクロック信号CLK,/CLK)をゲート線駆動回路11へと供給する。また駆動制御回路110は、ゲート線駆動回路11、容量線駆動回路12および分周回路20の電源として、それらの各回路に高電位側電源電位VDDおよび低電位側電源電位VSSを供給している。   The drive control circuit 110 (including the level shifter 111) in FIG. 4 is configured by an LSI formed using a single crystal silicon substrate, similar to that shown in FIG. 1, and includes a drive control signal (start signal ST). And clock signals CLK and / CLK) are supplied to the gate line driving circuit 11. The drive control circuit 110 supplies a high potential side power supply potential VDD and a low potential side power supply potential VSS to each of these circuits as a power source for the gate line drive circuit 11, the capacitor line drive circuit 12 and the frequency divider circuit 20. .

表示装置10Aは、信号の周波数を分周する分周回路20を有している。当該分周回路20は、画素25と同じく絶縁基板上に形成したTFTを用いて構成されている。図4に示しているように分周回路20へは、駆動制御回路110からスタート信号STおよびクロック信号CLK,/CLKが入力され、ゲート線駆動回路11から駆動信号Gm+1が入力される。分周回路20は、それらの4つの信号により駆動され、スタート信号STの周期を2倍にした(即ち、周波数を1/2分周した)信号VFRおよびその逆相の信号/VFRを出力する。後述するように、この信号VFR,/VFRは、各画素25の画素電極Npの電位の極性(当該画素25に書き込まれた表示データ信号Dの極性)の切り換わりに応じた動作を容量線駆動回路12に行わせるための制御信号として用いられるので、信号VFR,/VFRを「極性制御信号」と称する。 The display device 10A has a frequency dividing circuit 20 that divides the frequency of the signal. The frequency dividing circuit 20 is configured by using a TFT formed on an insulating substrate like the pixel 25. As shown in FIG. 4, a start signal ST and clock signals CLK and / CLK are input from the drive control circuit 110 and a drive signal G m + 1 is input from the gate line drive circuit 11 to the frequency divider circuit 20. . The frequency dividing circuit 20 is driven by these four signals, and outputs a signal VFR having a doubled cycle of the start signal ST (that is, a frequency divided by 1/2) and a signal / VFR having its opposite phase. . As will be described later, the signals VFR and / VFR are used for capacitive line driving in accordance with the switching of the polarity of the potential of the pixel electrode Np of each pixel 25 (the polarity of the display data signal D written to the pixel 25). Since it is used as a control signal for causing the circuit 12 to perform, the signals VFR and / VFR are referred to as “polarity control signals”.

なお、駆動制御回路110が生成するクロック信号の相数は、ゲート線駆動回路11を構成するシフトレジスタの回路構成に依存する。本実施の形態では、2相のクロック信号CLK,/CLKにより駆動されるシフトレジスタによってゲート線駆動回路11が構成されていると仮定して説明するが、3相以上のクロック信号を用いるものであってもよい。基本的に、クロック信号の相数を増やすほどクロック信号生成回路の消費電力を減少させることができるが、必要となるレベルシフタ111の数は当然増加する。   Note that the number of phases of the clock signal generated by the drive control circuit 110 depends on the circuit configuration of the shift register included in the gate line drive circuit 11. In the present embodiment, description will be made assuming that the gate line driving circuit 11 is configured by a shift register driven by two-phase clock signals CLK and / CLK. However, three-phase or more clock signals are used. There may be. Basically, the power consumption of the clock signal generation circuit can be reduced as the number of phases of the clock signal is increased, but the number of level shifters 111 required naturally increases.

また以下では、図3と同様にクロック信号CLKの活性期間(Hレベルになる期間)とクロック信号/CLKの活性期間との間に一定の間隔が設けられている例を示すが、この間隔は無くてもよい。即ち、クロック信号CLKが立ち上がるのと同時にクロック信号/CLKが立ち下がり、クロック信号CLKが立ち下がるのと同時にクロック信号/CLKが立ち上がるような2相クロックでもよい。   In the following, an example in which a constant interval is provided between the active period of clock signal CLK (the period when it becomes H level) and the active period of clock signal / CLK as in FIG. 3 is shown. There is no need. That is, a two-phase clock may be used in which the clock signal / CLK falls simultaneously with the rise of the clock signal CLK, and the clock signal / CLK rises simultaneously with the fall of the clock signal CLK.

スタート信号STは、画像信号の各フレーム期間の開始に対応したタイミングで活性化される信号であるので、それを2倍周期にした極性制御信号VFR,/VFRは、画像信号の1フレーム期間ごとに反転する信号になる。この極性制御信号VFR,/VFRは、共に容量線駆動回路12に入力される。容量線駆動回路12は、容量線CCL1〜CCLmを駆動する容量線駆動信号CC1〜CCm(総称「容量線駆動信号CC」)を生成する回路である。容量線駆動回路12において極性制御信号VFR,/VFRは、当該容量線駆動信号CCの極性を表示データ信号Dの極性の変化に応じて切り替えるための制御信号として使用される。 Since the start signal ST is a signal activated at a timing corresponding to the start of each frame period of the image signal, the polarity control signals VFR and / VFR obtained by doubling the start signal ST are generated every frame period of the image signal. The signal is inverted. The polarity control signals VFR and / VFR are both input to the capacitor line driving circuit 12. The capacity line drive circuit 12 is a circuit that generates capacity line drive signals CC 1 to CC m (generally “capacitance line drive signal CC”) for driving the capacity lines CCL 1 to CCL m . In the capacitor line drive circuit 12, the polarity control signals VFR and / VFR are used as control signals for switching the polarity of the capacitor line drive signal CC in accordance with the change in the polarity of the display data signal D.

次に分周回路20について説明する。図5は、分周回路20の基本的構成を示す回路図であり、図6はその動作を示すタイミング図である。まずこれらの図に基づいて分周回路20の動作原理を説明する。   Next, the frequency dividing circuit 20 will be described. FIG. 5 is a circuit diagram showing a basic configuration of the frequency dividing circuit 20, and FIG. 6 is a timing chart showing its operation. First, the operation principle of the frequency dividing circuit 20 will be described based on these drawings.

図5の如く、分周回路20は、スイッチSW1,SW2と、入力信号に対し反転したレベルの出力信号を出力する機能を有する回路(狭義にはインバータ)IV1,IV2,IV3(第1、第2および第3のインバータ)、およびノードNA、NBのレベルをそれぞれ保持する機能を有する保持回路から構成される。図5においては保持回路として保持容量CH1,CH2が用いられている。保持容量CH1はインバータIV1の入力ノードNAに接続し、保持容量CH2はインバータIV2の入力ノードNBに接続している。なお、保持容量CH1,CH2は、寄生容量であってもよい。   As shown in FIG. 5, the frequency dividing circuit 20 has switches SW1 and SW2 and circuits (inverters in a narrow sense) IV1, IV2, IV3 (first and second) having a function of outputting an output signal having a level inverted with respect to the input signal. 2 and the third inverter), and a holding circuit having a function of holding the levels of the nodes NA and NB, respectively. In FIG. 5, holding capacitors CH1 and CH2 are used as holding circuits. The holding capacitor CH1 is connected to the input node NA of the inverter IV1, and the holding capacitor CH2 is connected to the input node NB of the inverter IV2. Note that the holding capacitors CH1 and CH2 may be parasitic capacitors.

また図5において、入力信号IS1,IS2は互いに周期が等しく、位相が異なる信号である。スイッチSW1,SW2は、それぞれ入力信号IS1,IS2がHレベルになる間オンするよう動作する。   In FIG. 5, input signals IS1 and IS2 are signals having the same period and different phases. The switches SW1 and SW2 operate so as to be turned on while the input signals IS1 and IS2 are at the H level, respectively.

図6を参照し、時刻t0の時点でノードNEがHレベルであったとする。このとき時刻t0で入力信号IS1がHレベルになってスイッチSW1がオンとなると、ノードNAがHレベルになり、インバータIV1の出力ノードNBはLレベルになる。即ち、インバータIV1は、入力信号IS1に同期して、インバータIV3の出力信号を反転させた信号をノードNBに出力するよう動作する。その後時刻t1で入力信号IS1はLレベルに戻るとスイッチSW1はオフするが、保持容量CH1によってノードNAはHレベルに保持される。よってノードNBはLレベルに保持される。 Referring to FIG. 6, assume that node NE is at the H level at time t 0 . At this time, when the input signal IS1 becomes H level and the switch SW1 is turned on at time t 0 , the node NA becomes H level and the output node NB of the inverter IV1 becomes L level. That is, the inverter IV1 operates to output a signal obtained by inverting the output signal of the inverter IV3 to the node NB in synchronization with the input signal IS1. Although subsequent input signal IS1 at time t 1 is back to L level switch SW1 is turned off, the node NA by the storage capacitor CH1 is held at H level. Therefore, node NB is held at the L level.

そして時刻t2で入力信号IS2がHレベルになると、スイッチSW2がオンとなり、ノードNCのレベルがノードNBと同じLレベルとなる。この結果、インバータIV2の出力ノードNDはHレベルになり、インバータIV3の出力ノードNEはLレベルになる。即ち、インバータIV2は、入力信号IS2に同期して、インバータIV1の出力信号を反転した信号をノードNDに出力するよう動作する。その後時刻t3で入力信号IS2がLレベルに戻るとスイッチSW2はオフするが、保持容量CH2によってノードNCはLレベルに保持されるので、ノードNDはHレベル、ノードNEはLレベルに保持される。 When the input signal IS2 at time t 2 becomes the H level, the switch SW2 is turned on, the level of the node NC is the same L level as the node NB. As a result, the output node ND of the inverter IV2 becomes H level, and the output node NE of the inverter IV3 becomes L level. That is, the inverter IV2 operates to output a signal obtained by inverting the output signal of the inverter IV1 to the node ND in synchronization with the input signal IS2. Although the input signal IS2 at subsequent time t 3 is back to L level switch SW2 is turned off, the node NC by the storage capacitor CH2 is because it is held at L level, node ND H level, the node NE is held at the L level The

その後は、各ノードのレベルの関係は逆になるが、上記の時刻t0〜t3と同様の動作が行われる。即ち、時刻t4で入力信号IS1が再びHレベルになってスイッチSW1がオンとなると、ノードNAがLレベルになり、ノードNBがHレベルになる。そして時刻t5で入力信号IS1がLレベルに戻ってスイッチSW1がオフしても、保持容量CH1がノードNAのLレベルを保持する。よってノードNBはHレベルに保持される。 After that, the relationship between the levels of the nodes is reversed, but the same operation as the above-described times t 0 to t 3 is performed. That is, the switch SW1 input signal IS1 at time t 4 becomes H level again is the turned on, the node NA becomes L level, the node NB becomes H level. The switch SW1 is input signal IS1 returns to L level at time t 5 is also turned off, the holding capacitor CH1 holds the L level of the node NA. Therefore, node NB is held at the H level.

そして時刻t6で入力信号IS2がHレベルになると、スイッチSW2がオンしてノードNCがHレベル、ノードNDはLレベル、ノードNEはHレベルになる。そして時刻t7で入力信号IS2がLレベルに戻ってスイッチSW2はオフしても、保持容量CH2がノードNCをHレベルに保持する。よってノードND,NEはそれぞれLレベル、Hレベルに維持される。 When the input signal IS2 at time t 6 is H level, node NC H level switch SW2 is turned on, the node ND is at the L level, the node NE becomes H level. The switch SW2 input signal IS2 at time t 7 is returned to L level even when turned off, the holding capacitor CH2 holds the node NC to the H level. Therefore, the nodes ND and NE are maintained at the L level and the H level, respectively.

時刻t7以降は、上記の時刻t0〜t7と同じ動作が繰り返される。 Time t 7 after the same operation as the time t 0 ~t 7 described above is repeated.

このように図5の分周回路20によれば、ノードNA,NBのレベルは、それぞれ入力信号IS1のレベルがHレベルになる毎に反転し、ノードND,NEのレベルは、それぞれ入力信号IS2のレベルがHレベルになる毎に反転する。その結果、ノードNA〜NEには、それぞれ入力信号IS1,IS2の2倍周期の信号が現れる。特に、ノードNA,NBに現れる信号は、位相が入力信号IS1と揃い、ノードNC〜NEに現れる信号は、位相が入力信号IS2と揃うこととなる。   Thus, according to the frequency dividing circuit 20 of FIG. 5, the levels of the nodes NA and NB are inverted every time the level of the input signal IS1 becomes H level, and the levels of the nodes ND and NE are respectively changed to the input signal IS2. Is inverted every time the level becomes H level. As a result, signals having a period twice that of the input signals IS1 and IS2 appear at the nodes NA to NE, respectively. In particular, the signals appearing at the nodes NA and NB are in phase with the input signal IS1, and the signals appearing at the nodes NC to NE are in phase with the input signal IS2.

図7は、図5で説明した分周回路20のより具体的な回路構成の例を示す図である。同図のように、分周回路20は単一の導電型(ここではN型)のTFT(以下「トランジスタ」と称す)を用いて構成される。   FIG. 7 is a diagram illustrating an example of a more specific circuit configuration of the frequency divider circuit 20 described in FIG. As shown in the figure, the frequency dividing circuit 20 is configured by using a single conductivity type (here, N type) TFT (hereinafter referred to as “transistor”).

なお、本発明に用いられるトランジスタは、絶縁ゲート型電界効果トランジスタである。絶縁ゲート型電界効果トランジスタは、ゲート絶縁膜中の電界により半導体層内のドレイン領域とソース領域との間の電気伝導度が制御される。ドレイン領域およびソース領域が形成される半導体層の材料としては、ポリシリコン、アモルファスシリコン、ペンタセン等の有機半導体、単結晶シリコンあるいはZnO等の化合物半導体などを用いることができる。   Note that the transistor used in the present invention is an insulated gate field effect transistor. In the insulated gate field effect transistor, the electric conductivity between the drain region and the source region in the semiconductor layer is controlled by the electric field in the gate insulating film. As a material of the semiconductor layer in which the drain region and the source region are formed, an organic semiconductor such as polysilicon, amorphous silicon, or pentacene, a compound semiconductor such as single crystal silicon or ZnO, or the like can be used.

よく知られているように、トランジスタは、それぞれ制御電極(狭義にはゲート(電極))と、一方の電流電極(狭義にはドレイン(電極)またはソース(電極))と、他方の電流電極(狭義にはソース(電極)またはドレイン(電極))とを含む少なくとも三つの電極を有する素子である。トランジスタは、ゲートに所定の電圧を印加することによりドレインとソース間にチャネルを形成が形成されるスイッチング素子として機能する。トランジスタのドレインとソースは、基本的に同一の構造であり、印加される電圧条件によって互いにその呼称が入れ代わる。例えばN型トランジスタであれば、相対的に電位の高い電極をドレイン、低い電極をソースと呼称する(P型トランジスタの場合はその逆となる)。   As is well known, each transistor has a control electrode (gate (electrode) in the narrow sense), one current electrode (drain (electrode) or source (electrode) in the narrow sense)), and the other current electrode (in the narrow sense, the drain (electrode) or the source (electrode)). In a narrow sense, it is an element having at least three electrodes including a source (electrode) or a drain (electrode). The transistor functions as a switching element in which a channel is formed between the drain and the source by applying a predetermined voltage to the gate. The drain and source of the transistor have basically the same structure, and their names are interchanged depending on the applied voltage condition. For example, in the case of an N-type transistor, an electrode having a relatively high potential is referred to as a drain, and a low electrode is referred to as a source (in the case of a P-type transistor, the opposite is true).

また本明細書においては、二つの素子間、二つのノード間あるいは一の素子と一のノードとの間の「接続」とは、その他の要素(素子やスイッチなど)を介しての接続であるが実質的に直接接続されているのと等価な状態をも含むものとして説明する。例えば二つの素子がスイッチを介して接続している場合であっても、それらが直接接続されているときと同一に機能できるような場合には、その二つの素子が「接続している」と表現する。   In this specification, “connection” between two elements, between two nodes, or between one element and one node is a connection through other elements (elements, switches, etc.). Will be described as including a state that is substantially equivalent to a direct connection. For example, even if two elements are connected via a switch, if they can function in the same way as when they are directly connected, the two elements are “connected”. Express.

図7の分周回路20の構成について説明する。図4で説明したように、分周回路20には、スタート信号ST、駆動信号Gm+1およびクロック信号CLK,/CLKが入力され、スタート信号STの2倍周期の極性制御信号VFR,/VFRを出力する。なお図7の分周回路20には、それらの他にパワーオンリセット信号PORが入力されるが、その信号については後に説明する。 A configuration of the frequency dividing circuit 20 in FIG. 7 will be described. As described with reference to FIG. 4, the frequency dividing circuit 20 is supplied with the start signal ST, the drive signal G m + 1 and the clock signals CLK and / CLK, and the polarity control signals VFR, / CLK having a cycle twice that of the start signal ST. Outputs VFR. In addition to the above, a power-on reset signal POR is input to the frequency dividing circuit 20 in FIG. 7, and the signal will be described later.

トランジスタQ1およびスタート信号STは、それぞれ図5のスイッチSW1および入力信号IS1に対応している。トランジスタQ1は、駆動制御回路110から入力されるスタート信号STに基づいて、ノードN8のレベルをノードN1に伝達するように機能する。本実施の形態では図3の例と同様に、スタート信号STはクロック信号/CLKの活性化タイミングで活性化されるものとする(その結果、ゲート線駆動信号G1はクロック信号CLKの活性化タイミングで活性化される)。 Transistor Q1 and start signal ST correspond to switch SW1 and input signal IS1 in FIG. 5, respectively. The transistor Q1 functions to transmit the level of the node N8 to the node N1 based on the start signal ST input from the drive control circuit 110. In the present embodiment, as in the example of FIG. 3, the start signal ST is activated at the activation timing of the clock signal / CLK (as a result, the gate line drive signal G 1 activates the clock signal CLK. Activated at the timing).

トランジスタQ2〜Q5は、ノードN1のレベルを反転してノードN2に出力するインバータおよびノードN1,N2のレベルを保持するラッチの両方の機能を備えるラッチ・インバータ201を構成している。より詳細には、トランジスタQ4,Q5はノードN1を入力端、ノードN2を出力端とするインバータを構成しており、それは図5のインバータIV1(第1のインバータ)に対応している。またトランジスタQ2,Q3は、ノードN2を入力端、ノードN1を出力端とするインバータを構成している。つまりトランジスタQ2〜Q5によってループ状に接続した2つのインバータが構成され、それがラッチとして働く。このトランジスタQ2〜Q5から成るラッチは、図5の保持容量CH1と同様に保持回路として機能する。   The transistors Q2 to Q5 constitute a latch inverter 201 having both functions of an inverter that inverts the level of the node N1 and outputs it to the node N2, and a latch that holds the levels of the nodes N1 and N2. More specifically, the transistors Q4 and Q5 constitute an inverter having the node N1 as an input terminal and the node N2 as an output terminal, which corresponds to the inverter IV1 (first inverter) in FIG. The transistors Q2 and Q3 constitute an inverter having the node N2 as an input end and the node N1 as an output end. In other words, two inverters connected in a loop are formed by the transistors Q2 to Q5, and they function as a latch. The latch including the transistors Q2 to Q5 functions as a holding circuit similarly to the holding capacitor CH1 in FIG.

図7の分周回路20において、保持回路が容量素子ではなくラッチであるのは、分周回路20の動作周期が長い場合でもノードN1,N2のレベルを安定して保持できるようにするためである。トランジスタQ7,Q8は、トランジスタQ5,Q6から成るインバータの出力段に設けられ当該インバータの駆動能力(電流を流す能力)を上げるためのバッファ202を構成している。   In the frequency divider circuit 20 of FIG. 7, the holding circuit is not a capacitor element but a latch so that the levels of the nodes N1 and N2 can be stably held even when the operating cycle of the frequency divider circuit 20 is long. is there. The transistors Q7 and Q8 constitute a buffer 202 that is provided at the output stage of the inverter composed of the transistors Q5 and Q6 and increases the drive capability (current flow capability) of the inverter.

バッファ202の出力ノードに接続したインバータ209は、図5に示した分周回路の基本構成には含まれていない要素であり、分周回路20の論理動作に直接影響するものではない。インバータ209は、トランジスタQ27およびトランジスタQ28から成り、バッファ202の出力信号を反転した信号をノードN11に出力する。   The inverter 209 connected to the output node of the buffer 202 is an element that is not included in the basic configuration of the frequency divider shown in FIG. 5 and does not directly affect the logical operation of the frequency divider 20. Inverter 209 includes transistors Q27 and Q28, and outputs a signal obtained by inverting the output signal of buffer 202 to node N11.

トランジスタQ9は、図5のスイッチSW2に対応しており、トランジスタQ9のゲートには駆動信号Gm+1が入力される(即ち駆動信号Gm+1は図5の入力信号IS2に対応する)。トランジスタQ9は、駆動信号Gm+1に基づいて、ノードN3のレベルをノードN4に伝達する。なお本実施の形態では、駆動信号Gm+1はクロック信号CLKに同期したタイミングで活性化される(即ちゲート線GL1はクロック信号/CLKに同期して活性化される)ものとする。 The transistor Q9 corresponds to the switch SW2 in FIG. 5, and the drive signal Gm + 1 is input to the gate of the transistor Q9 (that is, the drive signal Gm + 1 corresponds to the input signal IS2 in FIG. 5). . Transistor Q9 transmits the level of node N3 to node N4 based on drive signal Gm + 1 . In this embodiment, it is assumed that the drive signal G m + 1 is activated at a timing synchronized with the clock signal CLK (that is, the gate line GL 1 is activated in synchronization with the clock signal / CLK).

トランジスタQ10〜Q13は、ノードN4のレベルを反転してノードN5に出力するインバータと、ノードN4,N5のレベルを保持するラッチとを含むラッチ・インバータ203を構成している。より詳細には、トランジスタQ12,Q13が、図5のインバータIV2(第2のインバータ)に対応するインバータとして働き、トランジスタQ10〜Q13全体がラッチとして働く。トランジスタQ10〜Q13から成るラッチは、図5の保持容量CH2と同様に保持回路として機能する。ここでも、保持回路が容量素子ではなくラッチであるのは、分周回路20の動作周期が長い場合にもノードN4,N5のレベルを安定して保持できるようにするためである。   Transistors Q10 to Q13 constitute a latch inverter 203 including an inverter that inverts the level of node N4 and outputs the inverted signal to node N5, and a latch that holds the levels of nodes N4 and N5. More specifically, the transistors Q12 and Q13 function as inverters corresponding to the inverter IV2 (second inverter) in FIG. 5, and the entire transistors Q10 to Q13 function as latches. The latch composed of the transistors Q10 to Q13 functions as a holding circuit similarly to the holding capacitor CH2 in FIG. Also in this case, the reason why the holding circuit is a latch rather than a capacitor is to stably hold the levels of the nodes N4 and N5 even when the operation cycle of the frequency dividing circuit 20 is long.

トランジスタQ14,Q15は、トランジスタQ12,Q13から成るインバータの出力段に設けられたバッファ204を構成している。当該バッファ204はトランジスタQ12,Q13から成るインバータの駆動能力を高めるよう機能する。   Transistors Q14 and Q15 constitute a buffer 204 provided at the output stage of the inverter composed of transistors Q12 and Q13. The buffer 204 functions to increase the drive capability of the inverter composed of the transistors Q12 and Q13.

一方、トランジスタQ22,Q23もまた、トランジスタQ12,Q13から成るインバータの駆動能力を上げるためにその出力段に設けられたバッファ208を構成している。特に当該出力バッファ208は、分周回路20から極性制御信号VFRを出力するための出力バッファとして機能するものである(以下、バッファ208を「出力バッファ208」と称す)。   On the other hand, the transistors Q22 and Q23 also constitute a buffer 208 provided at the output stage in order to increase the drive capability of the inverter composed of the transistors Q12 and Q13. In particular, the output buffer 208 functions as an output buffer for outputting the polarity control signal VFR from the frequency dividing circuit 20 (hereinafter, the buffer 208 is referred to as “output buffer 208”).

トランジスタQ16,Q17は、ノードN6のレベルを反転してノードN7に出力するインバータ205として機能している。インバータ205は、図5のインバータIV3(第3のインバータ)として働く。またトランジスタQ18,Q19は、インバータ205の駆動能力を高めるためにその出力段に設けられたバッファ206を構成している。   The transistors Q16 and Q17 function as an inverter 205 that inverts the level of the node N6 and outputs it to the node N7. The inverter 205 serves as the inverter IV3 (third inverter) in FIG. Transistors Q18 and Q19 constitute a buffer 206 provided at the output stage in order to increase the drive capability of inverter 205.

一方、トランジスタQ20,Q21もまた、インバータ205の駆動能力を上げるために、その出力段に設けられたバッファ207を構成している。特に当該インバータ205は、分周回路20から極性制御信号/VFRを出力するための出力バッファとして機能するものである(以下、バッファ207を「出力バッファ207」と称す)。   On the other hand, the transistors Q20 and Q21 also constitute a buffer 207 provided in the output stage in order to increase the drive capability of the inverter 205. In particular, the inverter 205 functions as an output buffer for outputting the polarity control signal / VFR from the frequency divider circuit 20 (hereinafter, the buffer 207 is referred to as “output buffer 207”).

ここで、ラッチ・インバータ201におけるノードN2を充電するトランジスタQ4のゲート、並びにインバータ209におけるノードN11を充電するトランジスタQ27のゲートは、クロック信号/CLKの入力端子に接続される。またラッチ・インバータ203におけるノードN5を充電するトランジスタQ12のゲート、並びにインバータ205におけるノードN7を充電するトランジスタQ16のゲートは、クロック信号CLKの入力端子に接続される。   Here, the gate of the transistor Q4 that charges the node N2 in the latch inverter 201 and the gate of the transistor Q27 that charges the node N11 in the inverter 209 are connected to the input terminal of the clock signal / CLK. The gate of the transistor Q12 that charges the node N5 in the latch inverter 203 and the gate of the transistor Q16 that charges the node N7 in the inverter 205 are connected to the input terminal of the clock signal CLK.

さらに、ラッチ・インバータ201におけるノードN1を充電するトランジスタQ2のゲートは、インバータ209の出力ノード(ノードN11)に接続され、ラッチ・インバータ203におけるノードN4を充電するトランジスタQ10のゲートは、インバータ205の出力ノード(ノードN7)に接続される。   Further, the gate of the transistor Q2 charging the node N1 in the latch inverter 201 is connected to the output node (node N11) of the inverter 209, and the gate of the transistor Q10 charging the node N4 in the latch inverter 203 is connected to the inverter 205. Connected to the output node (node N7).

クロック信号CLKの入力端子とノードN2(トランジスタQ7のゲート)との間には容量素子C3が接続し、クロック信号CLKの入力端子とノードN11(トランジスタQ2のゲート)との間には容量素子C4が接続している。これら容量素子C3,C4は、クロック信号CLKの立ち上がり時に、ノードN3を充電するトランジスタQ7のゲート電圧、並びにノードN1を充電するトランジスタQ2のゲート電圧を昇圧するように機能する。   A capacitive element C3 is connected between the input terminal of the clock signal CLK and the node N2 (the gate of the transistor Q7), and a capacitive element C4 is connected between the input terminal of the clock signal CLK and the node N11 (the gate of the transistor Q2). Is connected. The capacitive elements C3 and C4 function to boost the gate voltage of the transistor Q7 that charges the node N3 and the gate voltage of the transistor Q2 that charges the node N1 when the clock signal CLK rises.

またクロック信号/CLKの入力端子とノードN7(トランジスタQ10,Q18,Q20のゲート)との間には容量素子C1が接続し、クロック信号/CLKの入力端子とノードN5(トランジスタQ14,Q22のゲート)との間には容量素子C2が接続している。これら容量素子C1,C2は、クロック信号/CLKの立ち上がり時に、ノードN4,N8,N9を充電するトランジスタQ10,Q18,Q20のゲート電圧、並びにノードN6,N10を充電するトランジスタQ14,Q22のゲート電圧を昇圧するように機能する。(以下、容量素子C1〜C4をそれぞれ「昇圧容量」と称す)。   Capacitance element C1 is connected between the input terminal of clock signal / CLK and node N7 (the gates of transistors Q10, Q18, Q20), and the input terminal of clock signal / CLK and node N5 (the gates of transistors Q14, Q22) ) Is connected to the capacitive element C2. These capacitive elements C1 and C2 have the gate voltages of the transistors Q10, Q18, and Q20 charging the nodes N4, N8, and N9 and the gate voltages of the transistors Q14 and Q22 that charge the nodes N6 and N10 when the clock signal / CLK rises. Functions to boost. (Hereinafter, the capacitive elements C1 to C4 are respectively referred to as “boost capacitors”).

トランジスタQ24,Q25は共にパワーオンリセット信号PORによって制御されるものである。トランジスタQ24はパワーオンリセット信号PORの活性化に応じてノードN4を放電し、トランジスタQ25はパワーオンリセット信号PORの活性化に応じてノードN5を充電するように機能する。   Transistors Q24 and Q25 are both controlled by a power-on reset signal POR. Transistor Q24 discharges node N4 in response to activation of power-on reset signal POR, and transistor Q25 functions to charge node N5 in response to activation of power-on reset signal POR.

次に、図7の分周回路20の動作を説明するが、説明の便宜上、分周回路20の基準電位となる低電位側電源の電位(VSS)を0V、高電位側電源の電位をVDDと仮定する。またスタート信号STおよびクロック信号CLK,/CLK各々のLレベル、Hレベルの電位も、それぞれ0およびVDDとする。また各トランジスタのしきい値電圧は全て等しい値Vthであると仮定する。   Next, the operation of the frequency dividing circuit 20 in FIG. 7 will be described. For convenience of explanation, the potential of the low potential side power supply (VSS) as the reference potential of the frequency dividing circuit 20 is 0 V, and the potential of the high potential side power supply is VDD. Assume that The L level and H level potentials of the start signal ST and the clock signals CLK and / CLK are also set to 0 and VDD, respectively. Further, it is assumed that the threshold voltages of the transistors are all equal to Vth.

なお実使用においては、基準電位は画素に書き込まれる表示データ信号Dのレベルに応じて設定されるため、低電位側電源および高電位側電源の電位は、例えばそれぞれ−5V、+10Vなどに設定される。もちろん電位源並びに信号のそれぞれのレベルは、本発明の回路が正常に動作をする範囲内でこれとは異なっていてもよい。   In actual use, since the reference potential is set according to the level of the display data signal D written to the pixel, the potentials of the low-potential side power source and the high-potential side power source are set to, for example, −5V, + 10V, respectively. The Of course, the levels of the potential source and the signal may be different from those within the range in which the circuit of the present invention operates normally.

またここでは、パワーオンリセット信号PORはLレベルに維持されているものとする。従ってトランジスタQ24、Q25はオフに維持されており、分周回路20の動作には影響を与えない。   Here, it is assumed that the power-on reset signal POR is maintained at the L level. Therefore, the transistors Q24 and Q25 are kept off and do not affect the operation of the frequency dividing circuit 20.

図8は、図7の分周回路20の動作を示すタイミング図である。以下、この図に基づいて分周回路20の動作を説明する。   FIG. 8 is a timing chart showing the operation of the frequency dividing circuit 20 of FIG. Hereinafter, the operation of the frequency dividing circuit 20 will be described with reference to FIG.

時刻t30の直前において、極性制御信号VFR(ノードN10)がLレベル、極性制御信号/VFR(ノードN9)がHレベルであったとする。このときノードN8はHレベル(VDD)、ノードN1がLレベル(0)である。 Immediately before the time t 30, the polarity control signal VFR (node N10) is L level, the polarity control signal / VFR (node N9) is assumed to be H level. At this time, the node N8 is at the H level (VDD), and the node N1 is at the L level (0).

説明の便宜のため、まずはノードN1〜N3,N11のレベル変化について説明する。時刻t30でクロック信号/CLKがHレベルになるのと同時に、スタート信号STがHレベル(VDD)になると、トランジスタQ1がオンしてノードN8のHレベルがノードN1に伝達される。それによりノードN1のレベルは、ノードN8のレベルからトランジスタQ1のしきい値電圧(Vth)分だけ低下したVDD−VthのHレベルとなる。 For convenience of explanation, first, the level change of the nodes N1 to N3 and N11 will be described. At the same time at time t 30 the clock signal / CLK and become H level, when the start signal ST becomes H level (VDD), the transistor Q1 is the H-level on to the node N8 is transferred to the node N1. As a result, the level of the node N1 becomes the H level of VDD-Vth which is lower than the level of the node N8 by the threshold voltage (Vth) of the transistor Q1.

ノードN1がHレベルになるとトランジスタQ5がオンする。このときクロック信号/CLKがHレベルになっているためトランジスタQ4はオンしているが、当該トランジスタQ4のオン抵抗はトランジスタQ5のオン抵抗に対し充分大きく設定されているため、ノードN2はLレベルになる。すなわちノードN2は、トランジスタQ4とトランジスタQ5とのオン抵抗比で決まる電圧ΔV1(図8参照)だけ低電位側電源電位(0)よりも高い電位のLレベルとなる。   When node N1 becomes H level, transistor Q5 is turned on. At this time, since the clock signal / CLK is at the H level, the transistor Q4 is turned on. However, since the on-resistance of the transistor Q4 is set sufficiently higher than the on-resistance of the transistor Q5, the node N2 is at the L level. become. That is, the node N2 is at the L level that is higher than the low-potential-side power supply potential (0) by the voltage ΔV1 (see FIG. 8) determined by the on-resistance ratio between the transistors Q4 and Q5.

このようにノードN1がHレベル、ノードN2がLレベルになると、トランジスタQ7,Q3がオフし、トランジスタQ8がオンする。よってノードN3はLレベル(0)になり、応じてトランジスタQ28がオフになる。このときクロック信号/CLKがHレベルであるためトランジスタQ27はオンしており、ノードN11がHレベル(VDD−Vth)になり、トランジスタQ2がオンになる。この結果、フリップフロップ(ラッチ)を構成しているトランジスタQ2〜Q4により、ノードN1,N2はそれぞれHレベルとLレベルに保持される。   Thus, when the node N1 becomes H level and the node N2 becomes L level, the transistors Q7 and Q3 are turned off and the transistor Q8 is turned on. Therefore, the node N3 becomes L level (0), and the transistor Q28 is turned off accordingly. At this time, since the clock signal / CLK is at the H level, the transistor Q27 is turned on, the node N11 is at the H level (VDD−Vth), and the transistor Q2 is turned on. As a result, the nodes N1 and N2 are held at the H level and the L level, respectively, by the transistors Q2 to Q4 constituting the flip-flop (latch).

そして時刻t31でスタート信号ST並びにクロック信号/CLKがLレベルに戻ると、トランジスタQ1がオフしノードN8とノードN1とが分離される。しかしトランジスタQ3はオフであるためノードN1のレベルはVDD−Vthから変化しない。またトランジスタQ4がオフするため、ノードN2は、電圧ΔV1分の上昇が無くなり0Vの電位になる。 The start signal ST and the clock signal / CLK at time t 31 is back to L level, the transistor Q1 is that the off and node N8 and node N1 is separated. However, since the transistor Q3 is off, the level of the node N1 does not change from VDD-Vth. Further, since the transistor Q4 is turned off, the node N2 does not increase by the voltage ΔV1 and becomes a potential of 0V.

ノードN3のレベルは変化せず、Lレベルを維持する。またトランジスタQ27がオフするが、トランジスタQ28もオフしているため、ノードN11はその寄生容量により保持され、フローティング状態のHレベル(VDD−Vth)になる。   The level of the node N3 does not change and maintains the L level. Although the transistor Q27 is turned off, the transistor Q28 is also turned off, so that the node N11 is held by the parasitic capacitance and becomes the H level (VDD−Vth) in the floating state.

時刻t32でクロック信号CLKがHレベルになると、ノードN11は、昇圧容量C4を介する容量結合により昇圧される(VDD+Vth以上)。その結果トランジスタQ2は非飽和領域で動作し(非飽和動作)、ノードN1のHレベルの電位はVDDにまで上昇する。 When the time t 32 in the clock signal CLK becomes H level, the node N11 is boosted by capacitive coupling through the step-up capacitor C4 (VDD + Vth or higher). As a result, the transistor Q2 operates in a non-saturated region (non-saturated operation), and the H level potential of the node N1 rises to VDD.

このときノードN2も昇圧容量C3を介する容量結合により昇圧されるが、トランジスタQ5がオンしているため、その上昇は僅か(図8に示すΔV2)であり、またクロック信号CLKが完全に立ち上がると0Vに戻る。つまりノードN2はLレベルに維持されるので、ノードN3はLレベル(0)を維持する。   At this time, the node N2 is also boosted by capacitive coupling via the boosting capacitor C3. However, since the transistor Q5 is on, the rise is slight (ΔV2 shown in FIG. 8), and when the clock signal CLK completely rises. Return to 0V. That is, since the node N2 is maintained at the L level, the node N3 maintains the L level (0).

時刻t33でクロック信号CLKがLレベルになると、昇圧容量C4を介する容量結合によりノードN11が昇圧前の電圧VDD−Vthに低下してトランジスタQ2がオフになる。しかしノードN1のレベルは、当該ノードN1に付随する寄生容量により保持されるので、VDDを維持する。ノードN2も昇圧容量C3を介する容量結合により特定の電圧ΔV4だけ低下するが、ここでもトランジスタQ5がオンしているため、クロック信号CLKが完全に立ち下がると0Vに戻る。つまりノードN2はLレベルに維持されるので、ノードN3はLレベル(0)を維持する。 When at time t 33 the clock signal CLK becomes L level, the node N11 by capacitive coupling through the step-up capacitor C4 is the transistor Q2 is turned off and drops to the voltage VDD-Vth before the boost. However, since the level of the node N1 is held by the parasitic capacitance associated with the node N1, VDD is maintained. The node N2 also drops by a specific voltage ΔV4 due to capacitive coupling via the boost capacitor C3. However, since the transistor Q5 is also turned on here, it returns to 0 V when the clock signal CLK completely falls. That is, since the node N2 is maintained at the L level, the node N3 maintains the L level (0).

時刻t34で再びクロック信号/CLKがHレベルになると、トランジスタQ4がオンするため、ノードN2は電圧ΔV1だけ低電位側電源電位(0)よりも高い状態にはなるが、Lレベルを維持する。またトランジスタQ27もオンするが、ノードN11のレベル(VDD−Vth)は変化しない。 Again, when the clock signal / CLK becomes H level at time t 34, the transistor Q4 is turned on, the node N2 becomes the higher than by a voltage ΔV1 low potential side power supply potential (0), to maintain the L level . The transistor Q27 is also turned on, but the level of the node N11 (VDD−Vth) does not change.

そして時刻t35でクロック信号/CLKがLレベルに戻ると、トランジスタQ4がオフするためノードN2は電圧ΔV1分の上昇が無くなり0Vの電位になる。またトランジスタQ27もオフし、ノードN11はフローティング状態のHレベル(VDD−Vth)になる。 When the clock signal / CLK returns to L level at time t 35, the node N2 and the transistor Q4 is turned off the voltage increase ΔV1 minutes eliminated becomes the potential of 0V. Further, the transistor Q27 is also turned off, and the node N11 becomes the H level (VDD−Vth) in the floating state.

以降、再びスタート信号STが活性化されるまでの間は、ノードN1〜N3,N11においては、クロック信号CLK,/CLKが入力される毎に上記の時刻t32〜t35の動作が繰り返し行われる。即ち、その間ノードN1〜N3,N11の論理値(Hレベル又はLレベル)は維持される。 Thereafter, until the start signal ST is activated again, the operations at the times t 32 to t 35 are repeated at the nodes N 1 to N 3 and N 11 each time the clock signals CLK and / CLK are input. Is called. In other words, the logical values (H level or L level) of the nodes N1 to N3 and N11 are maintained during that time.

ここで、上記の時刻t30〜t35の間におけるノードN4〜N10について説明する。ノードN4〜N10においては、時刻t30〜t35の間の論理値(Hレベル又はLレベル)の変化は無い。上記のように時刻t30の直前ではノードN10はLレベル、ノードN8,N9はHレベルであるが、図8に示されているようにそのときノードN4,N7はHレベル、ノードN5,N6はLレベルである。 Here will be described a node N4~N10 between the time t 30 ~t 35. In node N4~N10, changes in logical value between the time t 30 ~t 35 (H level or L level) is not. Node N10 is L level immediately before time t 30 as described above, the node N8, N9 although is H level, then the node N4, N7 is H level as shown in FIG. 8, the node N5, N6 Is L level.

クロック信号/CLKがHレベルになる時刻t30においては、フローティングのHレベルとなっているノードN7が、昇圧容量C1を介する容量結合により昇圧され、トランジスタQ10が非飽和動作してノードN4はHレベル(VDD)に維持される。またLレベル(0)のノードN5は、昇圧容量C2を介する容量結合により昇圧されるが、トランジスタQ13がオンしているためその上昇は僅か(図8に示すΔV5)であり、クロック信号/CLKが完全に立ち上がると0Vに戻る。従ってトランジスタQ14がオフ、トランジスタQ15がオンに維持されるので、ノードN6はLレベル(0)を保持する。よってトランジスタQ19,Q21はオフに保たれ、またノードN7のレベルが昇圧されているためトランジスタQ18,Q20は非飽和動作でオンし、ノードN8,N9はHレベル(VDD)に維持される。またこのときトランジスタQ22はオフ、トランジスタQ23はオンであるので、ノードN10はLレベル(0)に維持される。 At time t 30 to the clock signal / CLK becomes H level, the node N7 which is the floating H level, is boosted by capacitive coupling through the step-up capacitor C1, node N4 transistor Q10 and non-saturation operation H Maintained at the level (VDD). The node N5 at the L level (0) is boosted by capacitive coupling via the boosting capacitor C2. However, since the transistor Q13 is on, the rise is slight (ΔV5 shown in FIG. 8), and the clock signal / CLK When it completely stands up, it returns to 0V. Accordingly, the transistor Q14 is kept off and the transistor Q15 is kept on, so that the node N6 maintains the L level (0). Accordingly, the transistors Q19 and Q21 are kept off, and the level of the node N7 is boosted, so that the transistors Q18 and Q20 are turned on in a non-saturated operation, and the nodes N8 and N9 are kept at the H level (VDD). At this time, since the transistor Q22 is off and the transistor Q23 is on, the node N10 is maintained at the L level (0).

またクロック信号/CLKがLレベルに戻る時刻t31では、昇圧容量C1を介する容量結合によりノードN7のレベルがVDD−Vthに低下してトランジスタQ10がオフになるが、ノードN4のレベル(VDD)は当該ノードN4に付随する寄生容量により保持される。同様に、トランジスタQ18,Q20もオフになるが、ノードN8,N9のレベルはそれらに付随する寄生容量によりそれぞれVDDに保持される。またノードN5のレベルは昇圧容量C2を介する容量結合により負側に所定の電圧ΔV7だけ変化するが、トランジスタQ13がオンしているため、クロック信号/CLKが完全に立ち下がると0Vに戻る。このようにノードN5がLレベル、ノードN8がHレベルを維持するため、ノードN10はLレベル(0)に維持される。 At time t 31 when the clock signal / CLK returns to the L level, the level of the node N7 is lowered to VDD−Vth due to capacitive coupling via the boost capacitor C1, and the transistor Q10 is turned off, but the level of the node N4 (VDD) Is held by the parasitic capacitance associated with the node N4. Similarly, the transistors Q18 and Q20 are also turned off, but the levels of the nodes N8 and N9 are respectively held at VDD by the parasitic capacitances associated therewith. The level of the node N5 changes by a predetermined voltage ΔV7 to the negative side due to capacitive coupling via the boost capacitor C2, but returns to 0V when the clock signal / CLK completely falls because the transistor Q13 is on. Thus, since the node N5 is maintained at the L level and the node N8 is maintained at the H level, the node N10 is maintained at the L level (0).

クロック信号CLKがHレベルになる時刻t32では、トランジスタQ12がオンするため、ノードN5はトランジスタQ12とトランジスタQ13のオン抵抗比により決まる電圧ΔV8だけ低電位側電源電位(0)よりも高い状態となるが、Lレベルに維持される。またトランジスタQ16もオンするが、ノードN7のレベル(VDD−Vth)は変化しない。このノードN5,N7の振る舞いは、ノードN4,N8〜N10のレベルに変化を生じさせない。 At time t 32 the clock signal CLK becomes H level, the transistor Q12 is turned on, node N5 and higher than by a voltage ΔV8 determined by the on resistance ratio of the transistor Q12 and the transistor Q13 low potential side power supply potential (0) However, it is maintained at the L level. The transistor Q16 is also turned on, but the level of the node N7 (VDD-Vth) does not change. The behavior of the nodes N5 and N7 does not change the levels of the nodes N4 and N8 to N10.

そしてクロック信号CLKがLレベルに戻る時刻t33では、トランジスタQ12がオフするためノードN5は電圧ΔV8分の上昇が無くなり0Vの電位になる。またトランジスタQ16もオフし、ノードN7はフローティング状態のHレベル(VDD−Vth)になる。このノードN5,N7の振る舞いによっても、ノードN4,N8〜N10のレベルに変化は生じない。 Then at time t 33 the clock signal CLK returns to L level, the node N5 and the transistor Q12 is turned off is a potential of 0V there is no increase in the voltage ΔV8 minutes. The transistor Q16 is also turned off, and the node N7 becomes the H level (VDD−Vth) in the floating state. The levels of the nodes N4, N8 to N10 are not changed by the behavior of the nodes N5 and N7.

時刻t34以降、駆動信号Gm+1が活性化されるまでの間は、ノードN4〜N10において、クロック信号CLK,/CLKが入力される毎に上記の時刻t30〜t33の動作が繰り返し行われる。即ち、その間ノードN4〜N10の論理値(Hレベル又はLレベル)は維持される。 Time t 34 after, until the drive signals G m + 1 is activated, the node N4~N10, the clock signal CLK, / CLK operation of the time t 30 ~t 33 whenever the input Repeatedly. In other words, the logical values (H level or L level) of the nodes N4 to N10 are maintained during that time.

そして、上記の時刻t30から1フレーム期間が経過した後の時刻t40において、駆動信号Gm+1がHレベル(VDD)になる。以下、このときの分周回路20の動作を説明する。 Then, at time t 40 after one frame period from the time t 30 has passed, the drive signals G m + 1 becomes the H level (VDD). Hereinafter, the operation of the frequency dividing circuit 20 at this time will be described.

先に述べたように、ノードN1〜N3,N11は、次にスタート信号STが活性化されるまでは時刻t32〜t35の動作が繰り返されるので、ノードN1〜N3,N11の論理値(Hレベル又はLレベル)は維持される。一方、ノードN4〜N10においては、時刻t40以降、以下の動作が行われる。 As mentioned previously, nodes N1 to N3, N11 is until the next start signal ST is activated since the operation of the time t 32 ~t 35 is repeated, the nodes N1 to N3, the logical value of N11 ( (H level or L level) is maintained. On the other hand, in the node N4~N10, time t 40 after the following operation is performed.

時刻t40で駆動信号Gm+1がHレベルになると、トランジスタQ9がオンしてノードN3のLレベルがノードN4に伝達され、トランジスタQ13,Q15がオフになる。このときクロック信号CLKがHレベルになっているので、トランジスタQ12,Q16はオンになる。よってノードN5はHレベル(VDD−Vth)になり、トランジスタQ11がオンになる。同時にトランジスタQ14がオンしてノードN6がHレベル(VDD−2×Vth)になる。このときトランジスタQ16,Q17が共にオンした状態になるが、トランジスタQ16のオン抵抗はトランジスタQ17のオン抵抗に対して充分大きく設定されており、ノードN7はLレベルになる。即ち、このときのノードN7は、トランジスタQ16,Q17のオン抵抗比で決まる所定の電圧ΔV9だけ低圧側電源電位VSS(0)よりも高い状態のLレベルとなる。 When the drive signals G m + 1 becomes the H level at time t 40, L level of the node N3 transistor Q9 is turned on is transmitted to the node N4, the transistor Q13, Q15 is turned off. At this time, since the clock signal CLK is at the H level, the transistors Q12 and Q16 are turned on. Therefore, the node N5 becomes H level (VDD−Vth), and the transistor Q11 is turned on. At the same time, the transistor Q14 is turned on and the node N6 becomes H level (VDD-2 × Vth). At this time, the transistors Q16 and Q17 are both turned on, but the on-resistance of the transistor Q16 is set sufficiently higher than the on-resistance of the transistor Q17, and the node N7 becomes L level. That is, the node N7 at this time is at the L level in a state higher than the low-voltage power supply potential VSS (0) by a predetermined voltage ΔV9 determined by the on-resistance ratio of the transistors Q16 and Q17.

その結果、トランジスタQ10はオフになるので、フリップフロップ(ラッチ)を構成しているトランジスタQ10〜Q13により、ノードN4,N5はそれぞれLレベル(0)とHレベル(VDD−Vth)に保持される。   As a result, the transistor Q10 is turned off, so that the nodes N4 and N5 are held at the L level (0) and the H level (VDD-Vth) by the transistors Q10 to Q13 constituting the flip-flop (latch), respectively. .

さらに、ノードN6がHレベル、ノードN7がLレベルであるので、トランジスタQ19はオン、トランジスタQ18はオフになり、ノードN8はLレベルとなる。同様に、トランジスタQ21がオン、トランジスタQ20がオフになるので、ノードN9(/VFR)もLレベルとなる。またノードN5がHレベル、ノードN8がLレベルであるので、トランジスタQ22がオン、トランジスタQ23がオフになり、ノードN10(VFR)はHレベル(VDD−2×Vth)となる。   Further, since the node N6 is at the H level and the node N7 is at the L level, the transistor Q19 is turned on, the transistor Q18 is turned off, and the node N8 is at the L level. Similarly, since the transistor Q21 is turned on and the transistor Q20 is turned off, the node N9 (/ VFR) is also at the L level. Since the node N5 is at the H level and the node N8 is at the L level, the transistor Q22 is turned on, the transistor Q23 is turned off, and the node N10 (VFR) is at the H level (VDD−2 × Vth).

そして時刻t41で、駆動信号Gm+1およびクロック信号CLKがそれぞれLレベル(0)になると、トランジスタQ16がオフになるので、ノードN7は電圧ΔV9分の上昇が無くなり0Vの電位になる。なお、このときノードN4〜N6,N8〜N10のレベルの変動は無い。 At time t 41 , when the drive signal G m + 1 and the clock signal CLK become L level (0), the transistor Q16 is turned off, so that the node N7 does not increase by the voltage ΔV9 and becomes the potential of 0V. At this time, the levels of the nodes N4 to N6 and N8 to N10 do not vary.

続いて時刻t42でクロック信号/CLKがHレベルになると、昇圧容量C2を介した容量結合によりノードN5のレベルはVDD−Vthから上昇する。その結果トランジスタQ14,Q22が非飽和動作し、ノードN6およびノードN10(VFR)のレベルがそれぞれVDDになる。同様にノードN7は昇圧容量C1を介する容量結合により昇圧されるが、トランジスタQ17がオンしているため、その上昇は僅か(図8に示すΔV10)であり、またクロック信号/CLKが完全に立ち上がると0Vに戻る。このようにノードN7がLレベルに維持されるので、トランジスタQ10,Q18,Q20はオフを維持し、ノードN4,N8,N9のLレベル(0)は維持される。 Then the clock signal / CLK at time t 42 and is becomes H level, the level of the node N5 by capacitive coupling through the boosting capacitor C2 rises from VDD-Vth. As a result, the transistors Q14 and Q22 operate in a non-saturated state, and the levels of the nodes N6 and N10 (VFR) become VDD. Similarly, the node N7 is boosted by capacitive coupling via the boost capacitor C1, but since the transistor Q17 is on, the rise is slight (ΔV10 shown in FIG. 8), and the clock signal / CLK rises completely. And return to 0V. Thus, since the node N7 is maintained at the L level, the transistors Q10, Q18, and Q20 are maintained off, and the L level (0) of the nodes N4, N8, and N9 is maintained.

時刻t43でクロック信号/CLKがLレベルになると、昇圧容量C2を介した容量結合によりノードN5のレベルがVDD−Vthに低下する。それによりトランジスタQ14,Q22はオフになるが、ノードN6,N10のレベル(VDD)はその各々のノードに付随する寄生容量により保持され、共にHレベルに保持される。一方、昇圧容量C1を介する容量結合により、ノードN7のレベルは所定の電圧ΔV12だけ負側に変化するが、クロック信号/CLKが完全に立ち下がると0Vに戻る。このようにノードN6がHレベルに維持され、ノードN7がLレベルに維持されるため、ノードN9はLレベル(0)に維持される。 When the clock signal / CLK becomes L level at time t 43, the level of the node N5 drops VDD-Vth by capacitive coupling through the step-up capacitor C2. Thereby, the transistors Q14 and Q22 are turned off, but the levels (VDD) of the nodes N6 and N10 are held by the parasitic capacitance associated with each of the nodes, and both are held at the H level. On the other hand, the level of the node N7 changes to the negative side by a predetermined voltage ΔV12 due to capacitive coupling via the boost capacitor C1, but returns to 0V when the clock signal / CLK completely falls. Thus, since node N6 is maintained at H level and node N7 is maintained at L level, node N9 is maintained at L level (0).

そして時刻t44で再びクロック信号CLKがHレベルになると、トランジスタQ12がオンするが、ノードN5のレベル(VDD−Vth)は変化しない。またトランジスタQ16もオンし、ノードN7は電圧ΔV9だけ低電位側電源電位(0)よりも高い状態となるが、Lレベルに維持される。このときノードN4,N8〜N10のレベルには変化は生じない。 And again when the clock signal CLK becomes H level at time t 44, the transistor Q12 is turned on, the level of the node N5 (VDD-Vth) is not changed. The transistor Q16 is also turned on, and the node N7 is higher than the low-potential power supply potential (0) by the voltage ΔV9, but is maintained at the L level. At this time, the levels of the nodes N4, N8 to N10 do not change.

そして時刻t45でクロック信号CLKがLレベルに戻ると、トランジスタQ12がオフするためノードN5はフローティング状態のHレベル(VDD−Vth)になる。またトランジスタQ16もオフし、ノードN7は電圧ΔV9分の上昇が無くなり0Vの電位になる。このときもノードN4,N8〜N10のレベルには変化は生じない。 When the clock signal CLK returns to L level at time t 45, the node N5 and the transistor Q12 is turned off becomes H level (VDD-Vth) of the floating state. Further, the transistor Q16 is also turned off, and the node N7 is not increased by the voltage ΔV9 and becomes a potential of 0V. At this time, the levels of the nodes N4, N8 to N10 are not changed.

以降、再び駆動信号Gm+1が活性化されるまでの間、ノードN4〜N10においては、クロック信号CLK,/CLKが入力される毎に上記の時刻t42〜t45の動作が繰り返し行われる。即ち、その間ノードN4〜N10の論理値(Hレベル又はLレベル)は維持される。 Thereafter, until the drive signal G m + 1 is activated again, the operations at the times t 42 to t 45 are repeated at the nodes N 4 to N 10 every time the clock signals CLK and / CLK are input. Is called. In other words, the logical values (H level or L level) of the nodes N4 to N10 are maintained during that time.

そして次にスタート信号STがHレベルになると、ノードN8のレベルがLレベル(0)となっているので、バッファ202は、図8における時刻t30〜t35に示した波形とレベルが反転した動作となる。従って、さらにその1フレーム期間後に駆動信号Gm+1がHレベルになったときには、図8における時刻t40〜t45に示した波形とレベルが反転した動作となる。 When the next start signal ST becomes an H level, the level of the node N8 is at the L level (0), the buffer 202, the waveform and levels shown in the time t 30 ~t 35 in FIG. 8 reversed It becomes operation. Therefore, when the drive signal G m + 1 further becomes H level after one frame period, the operation is reversed from the waveform and level shown at times t 40 to t 45 in FIG.

つまり分周回路20は、図9の如く、駆動信号Gm+1が活性化されるごとに、極性制御信号VFR,/VFRをそれぞれ反転させるように動作する。従って、極性制御信号VFR,/VFRは1フレーム期間ごとに反転することとなる(周期は2フレーム期間)。つまり、極性制御信号VFR,/VFRは、スタート信号STの2倍周期の信号となる。 That is, as shown in FIG. 9, the frequency dividing circuit 20 operates to invert the polarity control signals VFR and / VFR each time the drive signal G m + 1 is activated. Therefore, the polarity control signals VFR, / VFR are inverted every frame period (the cycle is 2 frame periods). That is, the polarity control signals VFR, / VFR are signals having a cycle twice that of the start signal ST.

このように図7の分周回路20はスタート信号STを1/2分周した極性制御信号VFR,/VFRを出力する。しかし以上の動作だけでは、当該動作を開始するときの極性制御信号VFR,/VFRの初期レベルを制御することはできない。以下に示す実施の形態においては、極性制御信号VFR,/VFRのレベルと画素25に書き込まれる表示データ信号Dの極性とを対応させる必要があるので、極性制御信号VFR,/VFRのレベルを適切に設定する必要がある。   As described above, the frequency dividing circuit 20 in FIG. 7 outputs the polarity control signals VFR and / VFR obtained by dividing the start signal ST by 1/2. However, the initial level of the polarity control signals VFR and / VFR when starting the operation cannot be controlled only by the above operation. In the embodiment described below, since the levels of the polarity control signals VFR and / VFR need to correspond to the polarities of the display data signal D written to the pixels 25, the levels of the polarity control signals VFR and / VFR are set appropriately. Must be set to

図7の分周回路20のトランジスタQ24,Q25は、その動作開始時(高電位側電源(VDD)の投入時)における極性制御信号VFR,/VFRの初期レベルを設定するために設けられたものである。パワーオンリセット信号PORは、高電位側電源(VDD)の立ち上がりとほぼ同時にそのレベルが活性化し(Hレベルになる)、その所定の時間後に非活性化する(Lレベルになる)正極性の単発パルスである。   The transistors Q24 and Q25 of the frequency dividing circuit 20 of FIG. 7 are provided for setting initial levels of the polarity control signals VFR and / VFR at the start of the operation (when the high potential side power supply (VDD) is turned on). It is. The power-on reset signal POR is activated at almost the same time as the rising of the high-potential-side power supply (VDD) (becomes H level) and deactivated after a predetermined time (becomes L level). It is a pulse.

例えば、特開昭63−246919の図1に、1つの高電位側電源(VDD)と1つの低電位側電源(VSS)、並びに同一導電型(N型)のトランジスタのみを用いて構成可能なパワーオンリセット信号の生成回路の例が開示されている。同図1の回路には2つのN型トランジスタと4つのインバータが示されているが、それらのインバータとして、例えばドライバ素子および負荷素子の両方をN型トランジスタで構成したインバータや、ドライバ素子をN型トランジスタ、負荷素子を抵抗素子で構成したインバータを採用すれば、当該生成回路を構成するトランジスタをN型のトランジスタのみにすることができる。同一導電型のトランジスタのみを用いて構成されたパワーオンリセット信号PORの生成回路を採用すれば、当該生成回路を画素25と同じ絶縁基板上にそれを形成するための工程が容易になるという利点が得られる。   For example, FIG. 1 of JP-A-63-246919 can be configured using only one high potential side power source (VDD), one low potential side power source (VSS), and transistors of the same conductivity type (N type). An example of a power-on reset signal generation circuit is disclosed. In the circuit of FIG. 1, two N-type transistors and four inverters are shown. As the inverters, for example, an inverter in which both the driver element and the load element are N-type transistors, or the driver element is N If an inverter in which a type transistor and a load element are constituted by resistance elements is employed, the transistor constituting the generation circuit can be limited to an N-type transistor. If a generation circuit for the power-on reset signal POR configured using only transistors of the same conductivity type is employed, the process for forming the generation circuit on the same insulating substrate as the pixel 25 is facilitated. Is obtained.

パワーオンリセット信号PORは高電位側電源電位VDDの立ち上がり時に一定期間活性化する単発パルスであるので、図7の分周回路20においては、高電位側電源電位VDDの立ち上がり時にトランジスタQ24、Q25がオンになり、ラッチ・インバータ203のノードN4がLレベル、ノードN5がHレベルに設定される。その状態からクロック信号CLK、/CLKが活性化されると、極性制御信号VFRがH(VDD)レベル、/VFRがL(VSS)レベルにそれぞれ初期化される。このように図7の分周回路20によれば、極性制御信号VFR,/VFRの初期値を特定の値に設定することができるので、極性制御信号VFR,/VFRのレベルと画素25に書き込まれる表示データ信号Dの極性とを適切に対応させることができる。   Since the power-on reset signal POR is a single pulse that is activated for a certain period when the high-potential side power supply potential VDD rises, in the frequency divider circuit 20 of FIG. 7, the transistors Q24 and Q25 are turned on when the high-potential side power supply potential VDD rises. The node N4 of the latch inverter 203 is set to L level and the node N5 is set to H level. When the clock signals CLK and / CLK are activated from this state, the polarity control signal VFR is initialized to the H (VDD) level and / VFR is initialized to the L (VSS) level. As described above, according to the frequency dividing circuit 20 of FIG. 7, the initial values of the polarity control signals VFR and / VFR can be set to specific values, so that the levels of the polarity control signals VFR and / VFR and the pixel 25 are written. The polarity of the display data signal D to be displayed can be made to correspond appropriately.

なおトランジスタQ24,Q25は必ずしも両方を設ける必要はなく、ラッチ・インバータ203のノードN4,N5の初期値を設定できるのであれば、それらの一方だけを設けてもよい。   Both the transistors Q24 and Q25 are not necessarily provided. If the initial values of the nodes N4 and N5 of the latch inverter 203 can be set, only one of them may be provided.

また上の例とは逆に、極性制御信号VFRの初期値をLレベル、極性制御信号/VFRの初期値をHレベルとする場合には、図7の回路に対して、トランジスタQ24をノードN5と電位VSSの電源端子との間に接続させ、トランジスタQ25をノードN4と電位VDDの電源端子との間に接続させるように変更すればよい。   Contrary to the above example, when the initial value of the polarity control signal VFR is L level and the initial value of the polarity control signal / VFR is H level, the transistor Q24 is connected to the node N5 with respect to the circuit of FIG. And the transistor Q25 may be connected between the node N4 and the power supply terminal of the potential VDD.

もちろん、パワーオンリセット信号PORの生成回路を画素25と同じ絶縁基板上に形成したTFTで構成せずに、パワーオンリセット信号PORが当該絶縁基板上の回路の外部から入力されるようにしてもよい。例えば、単結晶シリコン基板を用いて構成されたLSIである駆動制御回路110がパワーオンリセット信号PORを生成するようにしてもよい。しかしその場合は、制御回路110にパワーオンリセット信号PORの生成回路を新たに設ける必要が生じる上、レベルシフタ111にもパワーオンリセット信号PORのレベルを調整する回路が必要となり、かえって表示装置の回路規模の縮小化の妨げとなり得る点に留意すべきである。   Of course, the power-on reset signal POR generation circuit is not configured by the TFT formed on the same insulating substrate as the pixel 25, and the power-on reset signal POR may be input from the outside of the circuit on the insulating substrate. Good. For example, the drive control circuit 110, which is an LSI configured using a single crystal silicon substrate, may generate the power-on reset signal POR. However, in that case, it is necessary to newly provide a power-on reset signal POR generation circuit in the control circuit 110, and a circuit for adjusting the level of the power-on reset signal POR is also required in the level shifter 111. It should be noted that it can hinder scale reduction.

なお図4および図7に示したように、本実施の形態では分周回路20の駆動させる信号として、画素25に接続したゲート線GLを駆動するものとは別に設けたダミーシフトレジスタSRm+1の出力信号(駆動信号Gm+1)を用いた。しかしその形態に代えて、ゲート線GLを駆動する単位シフトレジスタの出力信号(ゲート線駆動信号G1〜Gm)のいずれかを、分周回路20の駆動にも兼用させてもよい。但し、分周回路20の駆動を行う単位シフトレジスタの負荷が増大するため、それが駆動するゲート線GLの駆動速度が遅くなるという欠点を伴うことに留意すべきである。 As shown in FIGS. 4 and 7, in this embodiment, the dummy shift register SR m + provided separately from the signal for driving the gate line GL connected to the pixel 25 as a signal for driving the frequency divider circuit 20. 1 output signal (drive signal G m + 1 ) was used. However, instead of that form, any one of the output signals (gate line drive signals G 1 to G m ) of the unit shift register that drives the gate line GL may also be used for driving the frequency divider circuit 20. However, it should be noted that since the load of the unit shift register that drives the frequency divider circuit 20 increases, the driving speed of the gate line GL that it drives decreases.

図9に示した図7の分周回路20の動作から分かるように、極性制御信号VFR,/VFRは、スタート信号STの周期ごとに(即ち、画像信号の1フレーム期間ごとに)に反転する。つまり極性制御信号VFR,/VFRは、スタート信号STの2倍周期の信号である。よってこの極性制御信号VFR,/VFRは、容量線駆動回路12が出力する容量線駆動信号CCの極性を、フレーム毎に切り替わる表示データ信号Dの極性に応じて切り換えるための信号として使用することができる。   As can be seen from the operation of the frequency dividing circuit 20 of FIG. 7 shown in FIG. 9, the polarity control signals VFR, / VFR are inverted every cycle of the start signal ST (that is, every frame period of the image signal). . That is, the polarity control signals VFR, / VFR are signals having a cycle twice that of the start signal ST. Therefore, the polarity control signals VFR and / VFR can be used as signals for switching the polarity of the capacitance line drive signal CC output from the capacitance line drive circuit 12 in accordance with the polarity of the display data signal D that is switched for each frame. it can.

また図7の分周回路20では、クロック信号CLKはノードN5,N7を、クロック信号/CLKはノードN2,N11を、それぞれ再充電(リフレッシュ)する目的で用いられているが、繰り返してHレベルになる信号であれば他のクロック信号であってもよい。また、リーク電流が大きく、1相のクロック信号に基づくリフレッシュを行ってもノードN2,N5,N7,N11のレベルが低下する恐れがある場合には、2相以上のクロック信号を用いてノードN2,N5,N7,N11をリフレッシュするよう構成してもよい。   In the frequency dividing circuit 20 of FIG. 7, the clock signal CLK is used for the purpose of recharging (refreshing) the nodes N5 and N7, and the clock signal / CLK is used for the purpose of recharging the nodes N2 and N11. Other clock signals may be used as long as the signal becomes. If the leakage current is large and the level of the nodes N2, N5, N7, and N11 is likely to decrease even after refreshing based on a one-phase clock signal, the node N2 is used by using two or more phase clock signals. , N5, N7, and N11 may be refreshed.

例えば、ノードN2を2相のクロックでリフレッシュする場合には、トランジスタQ4に並列に別のトランジスタを設け、両者を互いに異なる位相のクロック信号で駆動すればよい。またノードN11を2相のクロックでリフレッシュする場合には、トランジスタQ27に並列に別のトランジスタを設け、両者を互いに異なる位相のクロック信号で駆動すればよい。同様に、ノードN5を2相のクロックでリフレッシュする場合には、トランジスタQ12に並列に別のトランジスタを設け、両者を互いに異なる位相のクロック信号で駆動すればよい。さらにノードN7を2相のクロックでリフレッシュする場合には、トランジスタQ16に並列に別のトランジスタを設け、両者を互いに異なる位相のクロック信号で駆動すればよい。   For example, when the node N2 is refreshed with a two-phase clock, another transistor may be provided in parallel with the transistor Q4, and both may be driven with clock signals having different phases. When the node N11 is refreshed with a two-phase clock, another transistor may be provided in parallel with the transistor Q27 and both may be driven with clock signals having different phases. Similarly, when the node N5 is refreshed with a two-phase clock, another transistor may be provided in parallel with the transistor Q12, and both may be driven by clock signals having different phases. Further, when the node N7 is refreshed with a two-phase clock, another transistor may be provided in parallel with the transistor Q16 and both may be driven with clock signals having different phases.

以上のように、本実施の形態に係る表示装置では、容量線駆動回路12が出力する容量線駆動信号CCの極性をフレーム毎に切り換えるための制御信号(極性制御信号VFR,/VFR)が、分周回路20により生成される。当該分周回路20を構成するトランジスタは、図7に示したように全て同一導電型である。分周回路20を構成するトランジスタは、液晶アレイ部15およびゲート線駆動回路11と同じ絶縁基板上に形成され、且つ、液晶アレイ部15およびゲート線駆動回路11に用いられるものと同一の導電型のトランジスタである。従って、ゲート線駆動回路11および分周回路20を含む表示パネルの形成工程数の削減を図ることができ、容量線駆動方式を用いた画像表示装置の製造プロセスの簡略化、並びに製造コストの削減に寄与できる。   As described above, in the display device according to the present embodiment, the control signals (polarity control signals VFR, / VFR) for switching the polarity of the capacitance line drive signal CC output from the capacitance line drive circuit 12 for each frame are It is generated by the frequency dividing circuit 20. The transistors constituting the frequency dividing circuit 20 are all of the same conductivity type as shown in FIG. The transistors constituting the frequency dividing circuit 20 are formed on the same insulating substrate as the liquid crystal array unit 15 and the gate line driving circuit 11 and have the same conductivity type as those used for the liquid crystal array unit 15 and the gate line driving circuit 11. Transistor. Accordingly, the number of steps for forming the display panel including the gate line driving circuit 11 and the frequency dividing circuit 20 can be reduced, the manufacturing process of the image display device using the capacitive line driving method can be simplified, and the manufacturing cost can be reduced. Can contribute.

例えば、上記の特許文献1の図1〜図6に、同一導電型トランジスタを用いて構成可能な容量線駆動回路12の構成例およびその動作が示されている。特許文献1において、容量線駆動信号CCは画素の蓄積容量を介して画素電極と結合している。特許文献1の図2に示されるように、第n行目の画素に接続する容量線駆動信号CC(n)は、その行のゲート線駆動信号Vg(n)の活性期間(第n行目の画素への信号書き込み期間)から2H(水平周期)遅れてレベルが変化し、この容量線駆動信号CC(n)のレベル変化によって画素電極の電位が調整される。   For example, FIG. 1 to FIG. 6 of the above-mentioned Patent Document 1 show a configuration example and operation of the capacitor line driving circuit 12 that can be configured using the same conductivity type transistor. In Patent Document 1, the capacitor line drive signal CC is coupled to the pixel electrode via the storage capacitor of the pixel. As shown in FIG. 2 of Patent Document 1, the capacitor line drive signal CC (n) connected to the pixel in the nth row is the active period (nth row) of the gate line drive signal Vg (n) in that row. The level changes with a delay of 2H (horizontal period) from the signal writing period to the pixel), and the potential of the pixel electrode is adjusted by the level change of the capacitance line drive signal CC (n).

容量線駆動信号CC(n)のレベルは1フレーム毎に交番し、それによって、同じく1フレーム毎に極性が変化する画像信号に応じた容量結合駆動が調整が実現される。特許文献1の図1に示されているように、容量線駆動信号CC(n)のレベルの切り換えの制御は、フレーム切り換え用正相信号FR(以下「信号FR」)およびフレーム切り換え用逆相信号FRB(以下「信号FRB」)により行われる。この2つの信号FR,FRBは、フレーム毎にレベルが反転する互いに逆相の信号である。   The level of the capacitive line drive signal CC (n) alternates for each frame, thereby realizing adjustment of capacitive coupling drive according to an image signal whose polarity also changes every frame. As shown in FIG. 1 of Patent Document 1, the switching of the level of the capacitance line drive signal CC (n) is controlled by a frame switching normal phase signal FR (hereinafter “signal FR”) and a frame switching reverse phase. This is performed by a signal FRB (hereinafter, “signal FRB”). These two signals FR and FRB are opposite phase signals whose levels are inverted every frame.

すなわち、特許文献1の信号FR,FRBとして、本発明に係る分周回路20の出力信号である極性制御信号VFR,/VFRを用いることができる。そうすることにより、外部から信号FR、FRB(極性制御信号VFR,/VFR)を供給する必要が無く、且つ同一導電型トランジスタのみで構成される容量結合駆動方式の表示装置を実現することができる。但し、特許文献1の回路はP型トランジスタを用いて構成されているので、本実施の形態のようにN型トランジスタを用いた回路に適用する場合には、各信号、電源電圧並びにトランジスタの極性を特許文献1に記載のものから逆にする必要がある。   That is, as the signals FR and FRB of Patent Document 1, the polarity control signals VFR and / VFR that are the output signals of the frequency dividing circuit 20 according to the present invention can be used. By doing so, it is not necessary to supply the signals FR and FRB (polarity control signals VFR and / VFR) from the outside, and a capacitively coupled display device including only transistors of the same conductivity type can be realized. . However, since the circuit of Patent Document 1 is configured using a P-type transistor, when applied to a circuit using an N-type transistor as in this embodiment, each signal, power supply voltage, and polarity of the transistor Must be reversed from that described in Patent Document 1.

<実施の形態2>
実施の形態2では、実施の形態1の表示装置の変形例を示す。図10は実施の形態2に係る液晶表示装置10Bの概略構成を示すブロック図である。当該表示装置10Bも、実施の形態1の表示装置10A(図4)と同様に、m本のゲート線GL1,GL2,…,GLmを備えており、それらをゲート線駆動回路11で駆動させている。
<Embodiment 2>
In the second embodiment, a modification of the display device of the first embodiment is shown. FIG. 10 is a block diagram showing a schematic configuration of a liquid crystal display device 10B according to the second embodiment. The display device 10B is also provided with m gate lines GL 1 , GL 2 ,..., GL m as in the display device 10A (FIG. 4) of the first embodiment, and these are connected by the gate line drive circuit 11. Driven.

図10の表示装置10Bにおいて、分周回路20は駆動信号Gm+1,Gm+2を用いて駆動される。即ち、図4の表示装置10Aに対して、分周回路20に入力されるスタート信号STを駆動信号Gm+2に置き換えたものである。駆動信号Gm+1および駆動信号Gm+2は、共に1フレーム期間の周期を有し、且つ、互いに位相が異なる信号の組である。従って本実施の形態においても、図5を用いて説明した理論により、分周回路20は1フレーム期間を周期に有する極性制御信号VFR,/VFRを生成することができる。その動作波形を図11に示す。分周回路20が出力する極性制御信号VFR,/VFRは、それぞれ駆動信号Gm+1が活性化される度にレベルの反転を繰り返す。 In the display device 10B of FIG. 10, the frequency divider circuit 20 is driven using drive signals G m + 1 and G m + 2 . That is, in the display device 10A of FIG. 4, the start signal ST input to the frequency divider circuit 20 is replaced with the drive signal Gm + 2 . The drive signal G m + 1 and the drive signal G m + 2 are both a set of signals having a period of one frame period and having different phases. Therefore, also in the present embodiment, the frequency dividing circuit 20 can generate the polarity control signals VFR and / VFR having one frame period as a cycle based on the theory described with reference to FIG. The operation waveform is shown in FIG. The polarity control signals VFR and / VFR output from the frequency divider circuit 20 are repeatedly inverted in level each time the drive signal G m + 1 is activated.

図10おいて、駆動信号Gm+1と駆動信号Gm+2とを入れ替えて分周回路20に入力してもよい。つまり、図7の分周回路20において、トランジスタQ1のゲートに駆動信号Gm+1が入力され、トランジスタQ9のゲートに駆動信号Gm+2が入力されるようにしてもよい。その場合には、極性制御信号VFR,/VFRのレベルは、駆動信号Gm+2が活性化される毎に反転するようになる。 In FIG. 10, the drive signal G m + 1 and the drive signal G m + 2 may be exchanged and input to the frequency divider circuit 20. That is, in the frequency dividing circuit 20 of FIG. 7, the drive signal G m + 1 may be input to the gate of the transistor Q1, and the drive signal G m + 2 may be input to the gate of the transistor Q9. In that case, the levels of the polarity control signals VFR, / VFR are inverted every time the drive signal G m + 2 is activated.

また図10おいて、駆動信号Gm+1、駆動信号Gm+2の組に代え、ゲート線GLを駆動する所定の2つの単位シフトレジスタの出力信号を、分周回路20の駆動にも兼用させてもよい。しかし、分周回路20の駆動を行う上記所定の2つの単位シフトレジスタの負荷が大きくなるため、それらが駆動するゲート線GLの駆動速度が遅くなるという欠点を伴う点に留意すべきである。つまり、図7の分周回路20において、トランジスタQ1のゲートに、上記所定の2つの単位シフトレジスタSRの一方の出力信号(ゲート線駆動信号)が入力され、トランジスタQ9のゲートに他方の出力信号が入力されるようにしてもよい。その場合には、極性制御信号VFR,/VFRのレベルは、当該他方の出力信号が活性化される毎に反転するようになる。 Further, in FIG. 10, instead of the set of the drive signal G m + 1 and the drive signal G m + 2 , the output signals of two predetermined unit shift registers for driving the gate line GL are also used for driving the frequency divider circuit 20. It may be used also. However, it should be noted that the load of the two predetermined unit shift registers that drive the frequency divider circuit 20 is increased, which causes a disadvantage that the driving speed of the gate line GL that drives them is reduced. That is, in the frequency divider circuit 20 of FIG. 7, one output signal (gate line drive signal) of the two predetermined unit shift registers SR is input to the gate of the transistor Q1, and the other output signal is input to the gate of the transistor Q9. May be input. In that case, the levels of the polarity control signals VFR, / VFR are inverted every time the other output signal is activated.

<実施の形態3>
図12は本発明の実施の形態3に係る表示装置10Cの概略構成を示すブロック図である。実施の形態1の表示装置10Aでは、分周回路20に対しパワーオンリセット信号PORを入力し(図7参照)、それにより極性制御信号VFR,/VFRの初期値を設定することで、極性制御信号VFR,/VFRのレベルと表示データ信号Dとの極性との整合を図っていた。
<Embodiment 3>
FIG. 12 is a block diagram showing a schematic configuration of a display device 10C according to Embodiment 3 of the present invention. In the display device 10A of the first embodiment, the power-on reset signal POR is input to the frequency divider circuit 20 (see FIG. 7), thereby setting the initial values of the polarity control signals VFR, / VFR, thereby controlling the polarity. The level of the signals VFR, / VFR and the polarity of the display data signal D are matched.

本実施の形態の当該表示装置10Cにおいては、パワーオンリセット信号PORによる極性制御信号VFR,/VFRの初期設定は行われない。その代わりに、駆動制御回路110(データ信号出力回路)が、極性制御信号VFR,/VFRのレベルに基づいて、表示データ信号Dの極性を決定するように構成している。   In the display device 10C of the present embodiment, initial setting of the polarity control signals VFR, / VFR by the power-on reset signal POR is not performed. Instead, the drive control circuit 110 (data signal output circuit) is configured to determine the polarity of the display data signal D based on the levels of the polarity control signals VFR, / VFR.

表示装置10Cは、極性制御信号VFR,/VFRから、それに同期した信号を生成し、且つその振幅を駆動制御回路110に入力可能なレベルに低減したデータ極性制御信号POLを出力するレベルシフタ21を備えている。   The display device 10C includes a level shifter 21 that generates a signal synchronized with the polarity control signals VFR and / VFR, and outputs a data polarity control signal POL whose amplitude is reduced to a level that can be input to the drive control circuit 110. ing.

駆動制御回路110は、表示データ信号D1,D2,…それぞれの極性を制御する機能を有している点で従来のものと同様である。但し従来のものとは異なり、表示データ信号D1,D2,…それぞれの極性は、データ極性制御信号POLに基づいて決定される。つまり、本実施の形態の駆動制御回路110は、分周回路20が生成する極性制御信号VFR,/VFRのレベルに対応させて、表示データ信号Dの極性を変化させている。 The drive control circuit 110 is the same as the conventional one in that it has a function of controlling the polarities of the display data signals D 1 , D 2 ,. However, unlike the conventional one , the polarities of the display data signals D 1 , D 2 ,... Are determined based on the data polarity control signal POL. That is, the drive control circuit 110 of the present embodiment changes the polarity of the display data signal D in accordance with the levels of the polarity control signals VFR and / VFR generated by the frequency divider circuit 20.

実施の形態1のように、極性制御信号VFR,/VFRの初期値を設定することにより当該極性制御信号VFR,/VFRのレベルと表示データ信号Dの極性とを整合させる場合には、次の問題が生じる可能性がある。例えば表示動作中において、システム電源に瞬時停電が起こり電圧源VDDが瞬時的に低下すると、その復帰の際にパワーオンリセット信号PORが生成されて極性制御信号VFR,/VFRのレベルが初期化される。このとき極性制御信号VFR,/VFRと表示データ信号の極性との対応がとれなくなる可能性がある。   When the initial values of the polarity control signals VFR and / VFR are set to match the levels of the polarity control signals VFR and / VFR and the polarity of the display data signal D as in the first embodiment, the following Problems can arise. For example, during a display operation, when an instantaneous power failure occurs in the system power supply and the voltage source VDD decreases instantaneously, the power-on reset signal POR is generated and the levels of the polarity control signals VFR and / VFR are initialized at the time of recovery. The At this time, there is a possibility that the correspondence between the polarity control signals VFR, / VFR and the polarity of the display data signal cannot be taken.

それに対し、本実施の形態の表示装置10Cでは、駆動制御回路110が極性制御信号VFR,/VFRのレベルに対応させて表示データ信号Dの極性を決定するため、表示データ信号Dの極性は常に極性制御信号VFR,/VFRのレベルに整合し、上記の問題は生じない。   On the other hand, in the display device 10C of the present embodiment, since the drive control circuit 110 determines the polarity of the display data signal D in accordance with the levels of the polarity control signals VFR, / VFR, the polarity of the display data signal D is always constant. Matching to the level of the polarity control signals VFR, / VFR, the above problem does not occur.

図13は、表示装置10Cが備えるレベルシフタ21の構成例を示す回路図である。当該レベルシフタ21は、高電位側電源(電位VDD1)と低電位電圧源(電位VSS4)との間に直列接続されたトランジスタQ29,Q30により構成されている。データ極性制御信号POLのHレベル及びLレベルの電位は、それぞれ電位VDD1,VSS4によって規定される。即ち、電位VDD1,VSS4の値は、データ極性制御信号POLのレベルが駆動制御回路110に入力可能なものになるように設定される。   FIG. 13 is a circuit diagram illustrating a configuration example of the level shifter 21 included in the display device 10C. The level shifter 21 includes transistors Q29 and Q30 connected in series between a high-potential-side power supply (potential VDD1) and a low-potential voltage source (potential VSS4). The H level and L level potentials of the data polarity control signal POL are defined by potentials VDD1 and VSS4, respectively. That is, the values of the potentials VDD1 and VSS4 are set so that the level of the data polarity control signal POL can be input to the drive control circuit 110.

トランジスタQ29のゲートには、極性制御信号VFR,/VFRの一方(ここではVFR)が入力され、トランジスタQ30のゲートにはもう一方(ここでは/VFR)が入力される。トランジスタQ26とQ27の間の接続ノード(ノードN12)が、データ極性制御信号POLの出力信号POLが出力端子となる。極性制御信号VFR,/VFRは互いに相補な(活性期間が重ならない)信号であるので、図13のレベルシフタ21はプッシュプル動作を行うことになる。つまり図13のレベルシフタ21によれば、レベルシフタ21に直流的な貫通電流が生じず、レベルシフタ21を設けることによる消費電力の増大を防ぐことができる。   One of the polarity control signals VFR and / VFR (here, VFR) is input to the gate of the transistor Q29, and the other (here, / VFR) is input to the gate of the transistor Q30. A connection node (node N12) between the transistors Q26 and Q27 serves as an output terminal for the output signal POL of the data polarity control signal POL. Since the polarity control signals VFR and / VFR are complementary signals (the active periods do not overlap), the level shifter 21 in FIG. 13 performs a push-pull operation. That is, according to the level shifter 21 of FIG. 13, a direct through current does not occur in the level shifter 21, and an increase in power consumption due to the provision of the level shifter 21 can be prevented.

図12の駆動制御回路110を基準に各電源電位を考える。図13のレベルシフタ21の低電位側電源電位VSS4は、駆動制御回路110の低電位側電源電位(基準電位源)と同じレベル(例えば0V)に設定される。同じく図13のレベルシフタ21の高電位側電源電位VDD1は、駆動制御回路110の高電位側電源電位と同じレベル(例えば3.3V)に設定される。このとき、極性制御信号VFR,/VFRのHレベルとLレベルは、例えばそれぞれ10V(VDD)、−5V(VSS)に設定される。この条件ではトランジスタQ29,Q30は非飽和領域で動作を行い、データ極性制御信号POLのHレベルは3.3V、Lレベルは0Vとなり、駆動制御回路110の内部回路の動作レベルに適合する。この方法は他の実施の形態における分周回路20にも同様に適用できる。   Consider each power supply potential based on the drive control circuit 110 of FIG. The low potential side power supply potential VSS4 of the level shifter 21 in FIG. 13 is set to the same level (for example, 0 V) as the low potential side power supply potential (reference potential source) of the drive control circuit 110. Similarly, the high potential side power supply potential VDD1 of the level shifter 21 in FIG. 13 is set to the same level (eg, 3.3 V) as the high potential side power supply potential of the drive control circuit 110. At this time, the H level and L level of the polarity control signals VFR, / VFR are set to 10 V (VDD) and −5 V (VSS), for example. Under these conditions, the transistors Q29 and Q30 operate in the non-saturated region, and the H level of the data polarity control signal POL is 3.3V and the L level is 0V, which matches the operation level of the internal circuit of the drive control circuit 110. This method can be similarly applied to the frequency dividing circuit 20 in other embodiments.

なお本実施の形態では、レベルシフタ21が、極性制御信号VFR,/VFRに基づいてデータ極性制御信号POLを生成する例を示したが、それと同様の信号を生成することが可能であれば、必ずしもレベルシフタ21に入力する信号は極性制御信号VFR,/VFRでなくてもよい。即ち、図13のトランジスタQ29,Q30のゲートに入力される信号は、極性制御信号VFR,/VFRと実質的に同じタイミングで交番し、トランジスタQ29,Q30を非飽和領域で動作させることができるものであれば、極性制御信号VFR,/VFR以外の信号でもよい。その場合でも、レベルシフタ21は駆動制御回路110の信号レベルに適合したデータ極性制御信号POLを生成することができる。例えば、極性制御信号VFR,/VFRに代えて、図7のノードN6、N8の信号を用いてもよい。   In the present embodiment, the level shifter 21 generates the data polarity control signal POL based on the polarity control signals VFR and / VFR. However, if the same signal can be generated, the level shifter 21 is not necessarily required. The signals input to the level shifter 21 may not be the polarity control signals VFR and / VFR. That is, the signals input to the gates of the transistors Q29 and Q30 in FIG. 13 can be switched at substantially the same timing as the polarity control signals VFR and / VFR, and the transistors Q29 and Q30 can be operated in the non-saturated region. If so, a signal other than the polarity control signals VFR, / VFR may be used. Even in that case, the level shifter 21 can generate the data polarity control signal POL suitable for the signal level of the drive control circuit 110. For example, instead of the polarity control signals VFR and / VFR, the signals of the nodes N6 and N8 in FIG. 7 may be used.

<実施の形態4>
上記したように、特許文献1には、容量線駆動回路12に適用可能な単位回路の例が示されているが、実施の形態4においては、本発明者が考案した容量線駆動回路12について説明する。
<Embodiment 4>
As described above, Patent Document 1 shows an example of a unit circuit that can be applied to the capacitor line driving circuit 12, but in the fourth embodiment, the capacitor line driving circuit 12 devised by the present inventor is described. explain.

容量線CCLを用いた容量結合駆動方式には、ゲート線GL毎に表示データ信号Dの極性を反転させるゲートライン反転駆動方式と、画素25毎(データ線DL毎)に表示データ信号Dの極性を反転させるドット反転駆動方式とがあるが、本実施の形態ではゲートライン反転駆動方式に用いられる容量線駆動回路12の構成について説明する。   The capacitive coupling driving method using the capacitor line CCL includes a gate line inversion driving method for inverting the polarity of the display data signal D for each gate line GL, and a polarity of the display data signal D for each pixel 25 (for each data line DL). In this embodiment, the structure of the capacitor line driving circuit 12 used in the gate line inversion driving method will be described.

図14および図15は、容量線CCLを用いた容量結合駆動を行うための容量線駆動回路12の構成を説明するための回路図である。容量線駆動回路12は、容量線CCLのそれぞれを駆動する複数の単位回路から成っている。図14は奇数番目の画素ライン(奇数行)に接続する容量線CCLを駆動する単位回路であり、図15は偶数番目の画素ライン(偶数行)に接続する容量線CCLを駆動する単位回路である。   14 and 15 are circuit diagrams for explaining the configuration of the capacitive line driving circuit 12 for performing capacitive coupling driving using the capacitive line CCL. The capacitance line drive circuit 12 is composed of a plurality of unit circuits that drive each of the capacitance lines CCL. FIG. 14 shows a unit circuit for driving the capacitor line CCL connected to the odd-numbered pixel line (odd row), and FIG. 15 shows a unit circuit for driving the capacitor line CCL connected to the even-numbered pixel line (even row). is there.

図4に示したように、容量線駆動回路12は、ゲート線駆動信号G1〜Gm、クロック信号CLK,/CLK、極性制御信号VFR,/VFRが入力され、それらの信号に基づいて容量線CCLを駆動するための容量線駆動信号CC1〜CCmを生成する。容量線駆動回路12には、電源電位として、高電位側電源電位VDDおよび低電位側電源電位VSSの他に、容量線駆動信号CCのHレベル、Lレベルをそれぞれ規定する電位VCCH,VCCLが供給される。 As shown in FIG. 4, the capacity line driving circuit 12 receives the gate line driving signals G 1 to G m , the clock signals CLK and / CLK, and the polarity control signals VFR and / VFR, and the capacity is based on these signals. Capacitance line drive signals CC 1 to CC m for driving the line CCL are generated. In addition to the high-potential-side power supply potential VDD and the low-potential-side power supply potential VSS, potentials VCCH and VCCL that respectively define the H-level and L-level of the capacitor-line drive signal CC are supplied to the capacitor line drive circuit 12 as the power supply potential. Is done.

以下では、奇数行のゲート線駆動信号(G1,G3,…,Gn+2,…)はクロック信号CLKに同期して活性化し、偶数行のゲート線駆動信号(G2,G4,…,Gn+3,…)はクロック信号/CLKに同期して活性化するものと仮定する。そして図14及び図15の如く、奇数行の単位回路のクロック端子CK100にはクロック信号/CLKが入力され、偶数行の単位回路のクロック端子CK100にはクロック信号CLKが入力されているものとして説明する。 In the following, the odd-numbered gate line drive signals (G 1 , G 3 ,..., G n + 2 ,...) Are activated in synchronization with the clock signal CLK, and the even-numbered gate line drive signals (G 2 , G 4). ,..., G n + 3 ,...) Are assumed to be activated in synchronization with the clock signal / CLK. 14 and 15, it is assumed that the clock signal / CLK is input to the clock terminals CK100 of the odd-numbered unit circuits and the clock signal CLK is input to the clock terminals CK100 of the even-numbered unit circuits. To do.

まず奇数行の単位回路について説明する。図14には、代表的に第n行目(nは奇数)の単位回路が示されている。   First, the unit circuits in the odd rows will be described. FIG. 14 typically shows a unit circuit in the n-th row (n is an odd number).

図14に示すように、当該単位回路は、同一導電型のトランジスタのみを用いて構成されており、容量線駆動信号CCnの極性を決定するための極性切換回路と、極性切換回路からの極性切換信号PC,/PCのレベルを保持し、それらのレベルを1フレーム間低インピーダンスで保持するためのレベル保持回路と、当該極性切換信号PC,/PCをより高い駆動能力を持つ容量線駆動信号CCnに変換して出力する出力回路とから成っている。ここでは図4の画素25と同様にN型トランジスタを用いて構成した例を示しているが、もちろんP型トランジスタを用いて構成することも可能である。 As shown in FIG. 14, the unit circuit is configured by using only transistors of the same conductivity type, a polarity switching circuit for determining the polarity of the capacitor line drive signal CC n, the polarity of the polarity switching circuit A level holding circuit for holding the levels of the switching signals PC and / PC and holding those levels with low impedance for one frame, and a capacitance line driving signal having a higher driving capability for the polarity switching signals PC and / PC It consists of an output circuit that converts it to CC n and outputs it. Here, an example in which an N-type transistor is used in the same manner as the pixel 25 in FIG. 4 is shown, but it is possible to use a P-type transistor as a matter of course.

図14の如く当該単位回路の出力回路は、容量線駆動信号CCnの出力端子OUT100に、容量線駆動信号CCnのHレベルの電位VCCHを供給するトランジスタQ109と、当該出力端子OUT100に、容量線駆動信号CCnのLレベルの電位VCCLを供給するトランジスタQ110とを備えている。即ち、トランジスタQ109は、電位VCCHが供給される電源端子S104と出力端子OUT100との間に接続し、トランジスタQ110は、電位VCCLが供給される電源端子S103と出力端子OUT100との間に接続している。ここでトランジスタQ109のゲート、及びトランジスタQ110のゲートが接続するノードをそれぞれノードN101,N102と定義する。 The output circuit of the unit circuit as shown in FIG. 14, the output terminal OUT100 capacitance line drive signal CC n, the transistor Q109 supplies an H-level potential VCCH capacitance line drive signal CC n, to the output terminal OUT100, capacity and a supplying transistor Q110 the L level potential VCCL line drive signal CC n. That is, the transistor Q109 is connected between the power supply terminal S104 supplied with the potential VCCH and the output terminal OUT100, and the transistor Q110 is connected between the power supply terminal S103 supplied with the potential VCCL and the output terminal OUT100. Yes. Here, nodes connected to the gate of the transistor Q109 and the gate of the transistor Q110 are defined as nodes N101 and N102, respectively.

極性切換回路は、入力端子IN101に入力されるゲート線駆動信号Gn+2に応じて、ノードN101,N102にそれぞれ極性制御信号VFR,/VFRを供給するものである。即ち極性切換回路は、極性制御信号VFRが入力される入力端子IN102とノードN101との間に接続したトランジスタQ101と、極性制御信号/VFRが入力される入力端子IN103とノードN102との間に接続したトランジスタQ102とから成っており、それらトランジスタQ101,Q102のゲートは共に、ゲート線駆動信号Gn+2が入力される入力端子IN101に接続される。 The polarity switching circuit supplies polarity control signals VFR and / VFR to the nodes N101 and N102, respectively, according to the gate line driving signal G n + 2 input to the input terminal IN101. In other words, the polarity switching circuit is connected between the transistor Q101 connected between the input terminal IN102 to which the polarity control signal VFR is input and the node N101, and between the input terminal IN103 to which the polarity control signal / VFR is input and the node N102. The gates of the transistors Q101 and Q102 are both connected to an input terminal IN101 to which a gate line drive signal Gn + 2 is input.

ゲート線駆動信号Gn+2は、当該第n行の単位回路に対応するゲート線GLnの2つ後の行であるゲート線GLn+2を駆動する信号である。ここでは入力端子IN101に入力する信号として、容易に取得可能なゲート線駆動信号Gn+2を用いているが、それと同じタイミングで活性化し、且つ所定の電位レベルを有する信号であれば他の信号を用いてもよい。 Gate line driving signal G n + 2 is a signal for driving the gate line GL n + 2 are two lines after the gate line GL n corresponding to the unit circuit in the n-th row. Here, an easily obtainable gate line drive signal G n + 2 is used as a signal input to the input terminal IN101. However, any other signal can be used as long as it is activated at the same timing and has a predetermined potential level. A signal may be used.

トランジスタQ101を介してノードN101に供給される極性制御信号VFRに対応した信号が上記の極性切換信号PCとなり、トランジスタQ102を介してノードN102に供給される極性制御信号/VFRに対応した信号が上記の極性切換信号/PCとなる。極性制御信号VFR,/VFRは互いに相補な信号であるので、極性切換信号PC,/PCも互いに相補な信号となる。   A signal corresponding to the polarity control signal VFR supplied to the node N101 via the transistor Q101 becomes the polarity switching signal PC, and a signal corresponding to the polarity control signal / VFR supplied to the node N102 via the transistor Q102 Polarity switching signal / PC. Since the polarity control signals VFR and / VFR are complementary to each other, the polarity switching signals PC and / PC are also complementary to each other.

当該極性切換信号PC,/PCのレベルを保持するレベル保持回路は、原理的にはフリップフロップ(ラッチ)である。図14の如く、レベル保持回路は、6つのトランジスタQ103〜Q108と2つの容量素子C101,C102とから成っている。トランジスタQ103は、ノードN101と低電位側電源電位VSSが供給される電源端子S1との間に接続し、そのゲートはノードN102に接続される。トランジスタQ104は、ノードN102と電源端子S1との間に接続し、そのゲートはノードN101に接続される。   The level holding circuit for holding the levels of the polarity switching signals PC and / PC is in principle a flip-flop (latch). As shown in FIG. 14, the level holding circuit includes six transistors Q103 to Q108 and two capacitive elements C101 and C102. The transistor Q103 is connected between the node N101 and the power supply terminal S1 to which the low potential side power supply potential VSS is supplied, and the gate thereof is connected to the node N102. Transistor Q104 is connected between node N102 and power supply terminal S1, and has its gate connected to node N101.

トランジスタQ105は、高電位側電源電位VDDが供給される電源端子S2とノードN101との間に接続し、トランジスタQ106は、第2電源端子S2とノードN102との間に接続する。トランジスタQ105のゲートが接続するノードを「ノードN103」、トランジスタQ106のゲートが接続するノードを「ノードN104」と定義する。ノードN103は、容量素子C101を介してクロック信号/CLKが入力されるクロック端子CK100に接続され、ノードN104は容量素子C102を介してクロック端子CK100に接続される。   The transistor Q105 is connected between the power supply terminal S2 to which the high potential side power supply potential VDD is supplied and the node N101, and the transistor Q106 is connected between the second power supply terminal S2 and the node N102. A node to which the gate of the transistor Q105 is connected is defined as “node N103”, and a node to which the gate of the transistor Q106 is connected is defined as “node N104”. The node N103 is connected to the clock terminal CK100 to which the clock signal / CLK is input via the capacitive element C101, and the node N104 is connected to the clock terminal CK100 via the capacitive element C102.

トランジスタQ107は、ノードN103とノードN101との間に接続し、トランジスタQ108は、ノードN104とノードN102との間に接続する。トランジスタQ107,Q108のゲートは共に電源端子S2に接続される。   Transistor Q107 is connected between nodes N103 and N101, and transistor Q108 is connected between nodes N104 and N102. The gates of the transistors Q107 and Q108 are both connected to the power supply terminal S2.

例えばこのレベル保持回路が、ノードN101(極性切換信号PC)がHレベル、ノードN102(極性切換信号/PC)がLレベルの状態を保持する場合、トランジスタQ103はオフ、トランジスタQ104はオンとなる。このときノードN103はトランジスタQ107を通して充電されてHレベルになり、ノードN104はトランジスタQ108を通して放電されてLレベルになる。その結果、トランジスタQ105がオンし、トランジスタQ106がオフになる。それにより、極性切換信号PCのHレベル、極性切換信号/PCのLレベルは維持される。   For example, when this level holding circuit holds the state where the node N101 (polarity switching signal PC) is at the H level and the node N102 (polarity switching signal / PC) is at the L level, the transistor Q103 is turned off and the transistor Q104 is turned on. At this time, the node N103 is charged through the transistor Q107 and becomes H level, and the node N104 is discharged through the transistor Q108 and becomes L level. As a result, the transistor Q105 is turned on and the transistor Q106 is turned off. Thereby, the H level of the polarity switching signal PC and the L level of the polarity switching signal / PC are maintained.

なお、このときノードN101,N103の両方がHレベルであるのでトランジスタQ107はオフであり、ノードN103はフローティング状態でHレベルに維持されている。そのためクロック信号/CLKがHレベルになるとき、容量素子C101を介した結合によりノードN103が昇圧され、トランジスタQ105は非飽和領域でオンになる。その結果、極性切換信号PCは電源端子S2と同じ電位VDDのHレベルで維持されることとなる。   At this time, since both the nodes N101 and N103 are at the H level, the transistor Q107 is off, and the node N103 is maintained at the H level in the floating state. Therefore, when the clock signal / CLK becomes H level, the node N103 is boosted by the coupling through the capacitive element C101, and the transistor Q105 is turned on in the non-saturated region. As a result, the polarity switching signal PC is maintained at the H level of the same potential VDD as that of the power supply terminal S2.

一方、ノードN104の電位も、クロック信号/CLKがHレベルになるときに容量素子C102を介した結合により上昇しようとする。しかしトランジスタQ108,Q104がオンしているため、ノードN104の電位上昇は瞬時的であり、ほぼLレベルに保たれる。つまりトランジスタQ106がオフをほぼ維持するので、トランジスタQ104,Q106を通しての貫通電流は殆ど流れない。   On the other hand, the potential of the node N104 also tends to rise due to coupling through the capacitor C102 when the clock signal / CLK becomes H level. However, since the transistors Q108 and Q104 are on, the potential rise at the node N104 is instantaneous and is maintained at almost the L level. That is, since the transistor Q106 is almost kept off, almost no through current flows through the transistors Q104 and Q106.

なお、上記のノードN104の瞬時的な電位上昇は、トランジスタQ104,Q108のオン抵抗値と容量素子C102の容量値を適切に設定すれば小さくでき、より確実にトランジスタQ106にオフ状態を維持させることができる。   Note that the instantaneous increase in potential of the node N104 can be reduced by appropriately setting the on-resistance values of the transistors Q104 and Q108 and the capacitance value of the capacitor C102, and the transistor Q106 can be more reliably maintained in the off state. Can do.

逆に当該単位回路が、レベル保持回路がノードN101(極性切換信号PC)がLレベルでノードN102(極性切換信号/PC)がHレベルの状態を保持する場合には、トランジスタQ104がオン、トランジスタQ103がオフになる。そしてノードN104がHレベルになり、トランジスタQ106がオンになって極性切換信号/PCをHレベルに維持する。またクロック信号/CLKの立ち上がり時には、ノードN104が昇圧されてトランジスタQ106が非飽和領域でオンするので、極性切換信号/PCは電位VDDのHレベルになる。一方、ノードN103はLレベルにほぼ維持され、トランジスタQ105がオフをほぼ維持するため、トランジスタQ105,Q103を通しての殆ど貫通電流は流れない。   Conversely, when the unit circuit holds the state in which the level holding circuit has the node N101 (polarity switching signal PC) at the L level and the node N102 (polarity switching signal / PC) at the H level, the transistor Q104 is turned on, Q103 turns off. Node N104 attains H level, transistor Q106 is turned on, and polarity switching signal / PC is maintained at H level. When the clock signal / CLK rises, the node N104 is boosted and the transistor Q106 is turned on in the non-saturated region, so that the polarity switching signal / PC becomes the H level of the potential VDD. On the other hand, since node N103 is substantially maintained at the L level and transistor Q105 is substantially maintained off, almost no through current flows through transistors Q105 and Q103.

このように、図14の単位回路が備えるレベル保持回路においては、電力を殆ど消費することなく、Hレベルを維持する側のノードのみがプルアップされ、Lレベルを維持する側のノードはプルアップされない、選択的なプルアップ動作が行われる。   As described above, in the level holding circuit included in the unit circuit of FIG. 14, only the node that maintains the H level is pulled up while consuming almost no power, and the node that maintains the L level is pulled up. A selective pull-up operation is performed.

次に、容量線駆動回路12の偶数行の単位回路について説明する。図15には、代表的に第n+1行目(nは奇数)の単位回路が示されている。   Next, the unit circuits in even-numbered rows of the capacitor line driving circuit 12 will be described. FIG. 15 typically shows unit circuits in the (n + 1) th row (n is an odd number).

図15に示すように、偶数行の単位回路の構成は奇数行の単位回路(図14)とほぼ同じであるが、偶数行の容量線駆動信号CCn+1は奇数行の容量線駆動信号CCnに対して反転したレベルにする必要があるため、図14に対し、トランジスタQ109,Q110のゲートの接続が互いに交換されている。あるいは、回路構成は図14から変更せずに、入力端子IN102,IN103に入力させる極性制御信号VFR,/VFRを入れ替えたものを偶数行の単位回路としてもよい(図示は省略する)。 As shown in FIG. 15, the configuration of the unit circuit of the even-numbered row is almost the same as the unit circuit of the odd-numbered row (FIG. 14), but the capacity line drive signal CC n + 1 of the even-numbered row is the capacity line drive signal of the odd-numbered row. Since the level needs to be inverted with respect to CC n , the gate connections of the transistors Q109 and Q110 are interchanged with each other with respect to FIG. Alternatively, the circuit configuration is not changed from that in FIG. 14, and the unit circuits in the even rows may be replaced with the polarity control signals VFR and / VFR inputted to the input terminals IN102 and IN103 (not shown).

なお、図14及び図15のクロック端子CK100に入力される信号は、一定周期で交番する繰り返し信号であれば、クロック信号CLK,/CLK以外のものを用いてもよい。クロック端子CK100に入力されるクロック信号は、一定周期でトランジスタQ105(またはQ106)を非飽和領域でオンさせるために用いられており、それによってリーク電流によるノードN101(またはN102)のHレベルの電位低下が補償される。このリーク電流の補償を充分に行うことができる範囲であれば、より周波数の低いクロック信号を用いてもよく、それにより消費電力の低減を図ることができる。但し、クロック端子CK100に入力されるクロック信号は、その活性期間が入力端子IN101に入力される信号の活性期間と重ならないものが好ましい。   Note that the signals input to the clock terminal CK100 in FIGS. 14 and 15 may be signals other than the clock signals CLK and / CLK as long as they are repetitive signals that alternate at a constant period. The clock signal input to the clock terminal CK100 is used to turn on the transistor Q105 (or Q106) in a non-saturation region at a constant period, whereby the potential of the H level of the node N101 (or N102) due to the leakage current. The drop is compensated. As long as this leakage current can be sufficiently compensated, a clock signal having a lower frequency may be used, thereby reducing power consumption. However, the clock signal input to the clock terminal CK100 preferably has an active period that does not overlap with the active period of the signal input to the input terminal IN101.

ここでは奇数行のゲート線駆動信号(G1,G3,…,Gn+2,…)はクロック信号CLKに同期して活性化し、偶数行のゲート線駆動信号(G2,G4,…,Gn+3,…)はクロック信号/CLKに同期して活性化するものと仮定しているので、奇数行の単位回路のクロック端子CK100にはクロック信号/CLKを入力し、偶数行の単位回路のクロック端子CK100にはクロック信号CLKを入力した。 Here, the gate line drive signals (G 1 , G 3 ,..., G n + 2 ,...) In the odd rows are activated in synchronization with the clock signal CLK, and the gate line drive signals (G 2 , G 4 ,. .., G n + 3 ,...) Are assumed to be activated in synchronization with the clock signal / CLK, so that the clock signal / CLK is input to the clock terminal CK100 of the odd-numbered unit circuit and the even-numbered row The clock signal CLK was input to the clock terminal CK100 of the unit circuit.

続いて、本実施の形態に係る容量線駆動回路12の動作について説明するが、ここでも説明の簡単のため、各トランジスタのしきい値電圧は全て同じ値Vthであると仮定する。また表示装置の基準電位は一般的に、画素に書き込まれる表示データ信号の電位を基準に設定されるが、ここでは容量線駆動回路12の低電位側電源電位VSSを基準電位とする。また極性制御信号VFR,/VFRのHレベルは電源端子S2に供給される電位VDDに等しく、Lレベルは電位VSSに等しいものとする。さらに、クロック信号CLK,/CLKのHレベルの電位もVDDであり、Lレベルの電位もVSSであるとする。   Subsequently, the operation of the capacitor line driving circuit 12 according to the present embodiment will be described. Here, for simplicity of explanation, it is assumed that the threshold voltages of the transistors are all the same value Vth. The reference potential of the display device is generally set based on the potential of the display data signal written to the pixel. Here, the low-potential power supply potential VSS of the capacitor line driving circuit 12 is used as the reference potential. The H level of the polarity control signals VFR, / VFR is equal to the potential VDD supplied to the power supply terminal S2, and the L level is equal to the potential VSS. Furthermore, the H level potential of the clock signals CLK and / CLK is also VDD, and the L level potential is also VSS.

なお上記したように、電源端子S103,S104に供給される電位VCCL,VCCHは、それぞれ容量線駆動信号CCのLレベル及びHレベルの電位を規定するためのものである。容量線駆動信号CCは、容量結合によって画素電極に一定の電位変化を与えるものであるので、電位VCCH,VCCLは、その電位差(容量線駆動信号CCの振幅)が画素電極に与える電位変化分に等しく、且つトランジスタQ109、Q110が非飽和領域で動作する範囲のものであればよい。   As described above, the potentials VCCL and VCCH supplied to the power supply terminals S103 and S104 are for defining the L level and H level potentials of the capacitor line drive signal CC, respectively. Since the capacitive line drive signal CC gives a constant potential change to the pixel electrode by capacitive coupling, the potentials VCCH and VCCL are equal to the potential change that the potential difference (amplitude of the capacitive line drive signal CC) gives to the pixel electrode. As long as they are equal and the transistors Q109 and Q110 operate in the non-saturated region.

図16は、当該容量線駆動回路12の動作を示す信号波形図である。実施の形態1で説明したように、極性制御信号VFR,/VFRは図4の分周回路20で生成される互いに相補な信号であり、スタート信号STの2倍周期を有している。図9に示したように、極性制御信号VFR,/VFRは最終行のゲート線GLmを駆動するゲート線駆動信号Gmの次に出力される駆動信号Gm+1の立ち上がり時にレベルが交番する。つまり極性制御信号VFR,/VFRは、表示装置の1フレーム毎のブランキング期間にレベルが交番する。ここで、極性制御信号VFRがHレベルの期間を「奇数フレーム」、Lレベルの期間を「偶数フレーム」と定義する。 FIG. 16 is a signal waveform diagram showing the operation of the capacitance line driving circuit 12. As described in the first embodiment, the polarity control signals VFR, / VFR are complementary signals generated by the frequency dividing circuit 20 of FIG. 4 and have a cycle twice that of the start signal ST. As shown in FIG. 9, the polarities of the polarity control signals VFR, / VFR alternate at the rising edge of the drive signal G m + 1 output next to the gate line drive signal Gm for driving the gate line GL m in the last row. . That is, the levels of the polarity control signals VFR, / VFR alternate in the blanking period for each frame of the display device. Here, the period in which the polarity control signal VFR is at the H level is defined as “odd frame”, and the period at the L level is defined as “even frame”.

以下、本実施の形態に係る容量線駆動回路12の動作を説明する。まず奇数行の単位回路の動作を説明するが、ここでも第n行目の単位回路(図14)の動作を代表的に説明する。   Hereinafter, the operation of the capacitive line driving circuit 12 according to the present embodiment will be described. First, the operation of the unit circuit in the odd-numbered row will be described. Here, the operation of the unit circuit in the n-th row (FIG. 14) will be representatively described.

図16を参照し、ブランキング期間内の時刻t1で、極性制御信号VFR,/VFRがそれぞれHレベル、Lレベルに変化して奇数フレームになると、入力端子IN102が電位VDDに、入力端子IN103が電位VSSにそれぞれ設定される。ノードN101〜N104、及び出力端子OUT100のレベルは直前フレーム期間の動作で決まり、ここではノードN101,N103および出力端子OUT100はLレベル、ノードN102、N104はHレベルとなっている。 Referring to FIG. 16, when the polarity control signals VFR and / VFR change to the H level and the L level, respectively, and become an odd frame at time t 1 within the blanking period, the input terminal IN102 becomes the potential VDD, and the input terminal IN103. Are set to the potential VSS. The levels of the nodes N101 to N104 and the output terminal OUT100 are determined by the operation in the immediately preceding frame period. Here, the nodes N101 and N103 and the output terminal OUT100 are at the L level, and the nodes N102 and N104 are at the H level.

時刻t2において、対応するゲート線GLnを駆動するゲート線駆動信号GnがHレベルになり、第n行目の画素25に表示データ信号Dが書き込まれる。そして時刻t2から1H後の時刻t3に、ゲート線駆動信号GnはLレベルになる。 In time t 2, the corresponding gate line driving signal G n for driving the gate line GL n becomes H level, the display data signal D is written in the n-th row of pixels 25. Then, at time t 3 1H after time t 2 , the gate line drive signal G n becomes L level.

時刻t3のさらに1H後の時刻t4では、2つ後の行のゲート線駆動信号Gn+2がHレベル(VDD)になる。応じてトランジスタQ101,Q102がオンになり、ノードN101,N102に極性制御信号VFR,/VFRのレベルが供給される。より詳細には、まずノードN102(極性切換信号/PC)がLレベル(VSS)になり、トランジスタQ103,Q110がオフになる。トランジスタQ103がオフしたことで、ノードN101がトランジスタQ101を通して充電され、極性切換信号PCがHレベル(VDD−Vth)になる。応じて、トラトランジスタQ104,Q109がオンになる。 Further at time t 4 after 1H of time t 3, the gate line drive signal G n + 2 line after two becomes H level (VDD). Accordingly, the transistors Q101 and Q102 are turned on, and the levels of the polarity control signals VFR and / VFR are supplied to the nodes N101 and N102. More specifically, first, the node N102 (polarity switching signal / PC) becomes L level (VSS), and the transistors Q103 and Q110 are turned off. Since the transistor Q103 is turned off, the node N101 is charged through the transistor Q101, and the polarity switching signal PC becomes H level (VDD-Vth). In response, the transtransistors Q104 and Q109 are turned on.

ノードN104はトランジスタQ108,Q104を通して放電されLレベル(VSS)になり、ノードN103はトランジスタQ107を通して充電されHレベル(VDD−Vth)になる。なお、上記したように電位VCCHは、極性切換信号/PCがHレベルになったときにトランジスタQ109が比飽和動作する範囲の値に設定されており、容量線駆動信号CCnは電位VCCHのHレベルとなる。 The node N104 is discharged through the transistors Q108 and Q104 and becomes L level (VSS), and the node N103 is charged through the transistor Q107 and becomes H level (VDD−Vth). The potential VCCH as mentioned above, the polarity switching signal / PC is set to a value in the range of saturation operation transistor Q109 ratio when it is H level, the capacitance line drive signal CC n is H potential VCCH Become a level.

時刻t5でゲート線駆動信号Gn+2がLになると、トランジスタQ101、Q102がオフになるので、ノードN101,N102と入力端子IN102,IN103とが電気的に分離される。但しこのとき極性切換信号PCのHレベル、極性切換信号/PCのLレベルは、先に述べたレベル保持回路の働きにより保持(ラッチ)される。 When the gate line drive signal G n + 2 becomes L at time t 5 , the transistors Q101 and Q102 are turned off, so that the nodes N101 and N102 and the input terminals IN102 and IN103 are electrically separated. However, at this time, the H level of the polarity switching signal PC and the L level of the polarity switching signal / PC are held (latched) by the action of the level holding circuit described above.

なお時刻t5では、クロック信号/CLKがHレベルに立ち上がるため、容量素子C101を介する結合によりノードN103が昇圧される。ノードN103は既にVDD−Vthに充電されているので、この昇圧作用によりノードN103の電位は略2・VDD−Vthになる。応じてトランジスタQ105が非飽和領域でオンになり、ノードN101は電位VDDまで上昇する。 At time t 5 , the clock signal / CLK rises to the H level, so that the node N103 is boosted by the coupling through the capacitive element C101. Since the node N103 is already charged to VDD-Vth, the potential of the node N103 becomes approximately 2 · VDD-Vth by this boosting action. Accordingly, transistor Q105 is turned on in the non-saturated region, and node N101 rises to potential VDD.

そして時刻t6でクロック信号/CLKがLレベルになると、ノードN103のレベルは再びVDD−Vthに戻りトランジスタQ105はオフするが、ノードN101は高インピーダンス状態で電位VDDのHレベルに維持される。 When the clock signal / CLK becomes L level at time t 6 , the level of the node N103 returns to VDD−Vth again, and the transistor Q105 is turned off, but the node N101 is maintained at the H level of the potential VDD in the high impedance state.

時刻t6以降は、クロック信号/CLKがHレベルに変化する度にノードN103の電位が略2・VDD−Vthに昇圧され、トランジスタQ105が非飽和領域でオンしてノードN101を電位VDDに充電する動作が繰り返される。それにより、リーク電流によるノードN101のレベル低下が補償され、極性切換信号PCを電位VDDのHレベルに維持することができる。この結果、トランジスタQ109は非飽和領域でのオン状態に維持され、当該単位回路は1フレーム期間、容量線駆動信号CCnのHレベル(VCCH)を低インピーダンスで維持することができる。 After time t 6 , whenever the clock signal / CLK changes to the H level, the potential of the node N103 is boosted to approximately 2 · VDD−Vth, and the transistor Q105 is turned on in the non-saturated region to charge the node N101 to the potential VDD. The operation is repeated. Thereby, a decrease in the level of node N101 due to the leakage current is compensated, and polarity switching signal PC can be maintained at the H level of potential VDD. As a result, the transistor Q109 is maintained in the ON state in the non-saturation region, the said unit circuit can be maintained for one frame period, the H level (VCCH) of the capacitance line drive signal CC n with low impedance.

そして次のブランキング期間内の時刻t7で、極性制御信号VFR,/VFRがそれぞれLレベル、Hレベルに変化して偶数フレームになるが、この時点ではトランジスタQ101、Q102はオフであるので、ノードN101(極性切換信号PC)のHレベル、ノードN102(極性切換信号/PC)のLレベルは変化せず、容量線駆動信号CCnもHレベル(VCCH)のままである。 At time t 7 in the next blanking period, the polarity control signals VFR and / VFR change to L level and H level, respectively, and become even frames, but at this time, the transistors Q101 and Q102 are off. node N101 H level (polarity switching signal PC), without L-level change of the node N102 (polarity switching signal / PC), remains capacitance line drive signal CC n is H level (VCCH).

その後、時刻t8でゲート線駆動信号GnがHレベルになり、第n行目の画素25に表示データ信号Dが書き込まれる。ゲート線駆動信号Gnは、時刻t8から1H後の時刻t9にLレベルになる。 Thereafter, at time t 8 , the gate line drive signal G n becomes H level, and the display data signal D is written to the pixels 25 in the nth row. The gate line drive signal G n becomes L level at time t 9 1H after time t 8 .

時刻t9のさらに1H後の時刻t10では、ゲート線駆動信号Gn+2がHレベル(VDD)になる。応じてトランジスタQ101,Q102がオンになり、ノードN101,N102に極性制御信号VFR,/VFRのレベルが供給される。このとき上記の時刻t4とは逆の動作により、極性切換信号PCがLレベル(VSS)、極性切換信号/PCがHレベル(VDD−Vth)となる。応じてトランジスタQ109がオフ、トランジスタQ110がオンとなり、容量線駆動信号CCnはLレベル(VCCL)に変化する。 In addition the time t 10 after the 1H time t 9, the gate line drive signal G n + 2 becomes the H level (VDD). Accordingly, the transistors Q101 and Q102 are turned on, and the levels of the polarity control signals VFR and / VFR are supplied to the nodes N101 and N102. At this time, the polarity switching signal PC is set to L level (VSS) and the polarity switching signal / PC is set to H level (VDD−Vth) by the operation opposite to the time t 4 described above. Correspondingly transistor Q109 is turned off, the transistor Q110 is turned on, the capacitance line drive signal CC n changes to the L level (VCCL).

時刻t11でゲート線駆動信号Gn+2がLになると、トランジスタQ101、Q102がオフになるので、ノードN101,N102と入力端子IN102,IN103とが電気的に分離される。但しこのとき極性切換信号PCのLレベル、極性切換信号/PCのHレベルは、先に述べたレベル保持回路の働きにより保持(ラッチ)される。 When the gate line drive signal G n + 2 becomes L at time t 11 , the transistors Q101 and Q102 are turned off, so that the nodes N101 and N102 and the input terminals IN102 and IN103 are electrically separated. However, at this time, the L level of the polarity switching signal PC and the H level of the polarity switching signal / PC are held (latched) by the action of the level holding circuit described above.

なお時刻t11では、クロック信号/CLKがHレベルに立ち上がるため、容量素子C102を介する結合によりノードN104が昇圧される。この昇圧作用によりノードN104の電位は略2・VDD−Vthになる。応じてトランジスタQ106が非飽和領域でオンになり、ノードN102は電位VDDまで上昇する。 At time t 11 , the clock signal / CLK rises to the H level, so that the node N104 is boosted by the coupling through the capacitive element C102. By this boosting action, the potential of the node N104 becomes approximately 2 · VDD−Vth. Accordingly, transistor Q106 is turned on in the non-saturated region, and node N102 rises to potential VDD.

そして時刻t12でクロック信号/CLKがLレベルになると、ノードN104のレベルは再びVDD−Vthに戻りトランジスタQ106はオフするが、ノードN101は高インピーダンス状態で電位VDDのHレベルに維持される。 When the clock signal / CLK at time t 12 becomes L level, the transistor Q106 back to level again VDD-Vth of the node N104 is turned off, the node N101 is maintained in a high impedance state to the H-level potential VDD.

時刻t6以降は、クロック信号/CLKがHレベルに変化する度にノードN103の電位が略2・VDD−Vthに昇圧され、トランジスタQ106がノードN101を電位VDDに充電する動作が繰り返される。それによりノードN101(極性切換信号PC)は電位VDDのHレベルは電位VDDに維持される。この結果、トランジスタQ109は非飽和領域でのオン状態に維持され、当該単位回路は1フレーム期間、容量線駆動信号CCnのLレベル(VCCL)を低インピーダンスで維持することができる。 Time t 6 after the clock signal / CLK potential of the node N103 every time changes to the H level is raised to approximately 2 · VDD-Vth, operation transistor Q106 charges the node N101 to the potential VDD is repeated. As a result, the node N101 (polarity switching signal PC) maintains the H level of the potential VDD at the potential VDD. As a result, the transistor Q109 is maintained in the ON state in the non-saturation region, the said unit circuit can be maintained for one frame period, the L level (VCCL) of the capacitor line drive signal CC n with low impedance.

このように容量線駆動回路12の奇数行の単位回路(図14)の各々は、奇数フレームにおいては、対応する行の画素25への表示データ信号Dの書き込み期間(対応するゲート線GLの活性期間)から1H後に、容量線駆動信号CCをLレベルからHレベルへと変化させる。また偶数フレームにおいては、対応する行の画素25への表示データ信号Dの書き込み期間から1H後に、容量線駆動信号CCをHレベルからLレベルへと変化させる。   As described above, each of the odd-row unit circuits (FIG. 14) of the capacitor line driving circuit 12 writes the display data signal D to the pixel 25 in the corresponding row in the odd-numbered frame (the activation of the corresponding gate line GL). After 1H from the (period), the capacitance line drive signal CC is changed from the L level to the H level. In an even frame, the capacitor line drive signal CC is changed from H level to L level after 1 H from the writing period of the display data signal D to the pixels 25 in the corresponding row.

一方、偶数行の単位回路(図15)の動作は、上で説明した奇数行の単位回路の動作とほぼ同じである。但し、偶数行の単位回路の各々は、奇数フレームにおいては、対応する行の画素25への表示データ信号Dの書き込み期間から1H後に、容量線駆動信号CCをHレベルからLレベルへと変化させる。また偶数フレームにおいては、対応する行の画素25への表示データ信号Dの書き込み期間の1H後に、容量線駆動信号CCをLレベルからHレベルへと変化させる。   On the other hand, the operation of the unit circuit in the even-numbered row (FIG. 15) is almost the same as the operation of the unit circuit in the odd-numbered row described above. However, each of the even-numbered unit circuits changes the capacitance line drive signal CC from the H level to the L level 1H after the writing period of the display data signal D to the pixel 25 of the corresponding row in the odd-numbered frame. . In an even frame, the capacitor line drive signal CC is changed from the L level to the H level after 1 H of the writing period of the display data signal D to the pixels 25 in the corresponding row.

図17は容量線駆動回路12の動作を示す信号波形図であり、上記の奇数行および偶数行の容量線駆動信号CCの振る舞いをまとめたものである。容量線駆動信号CCのそれぞれは、それと同じ行に対応するゲート線駆動信号Gの立ち上がり時から2H遅れて(ゲート線駆動信号Gの立ち下がり時から1H後)レベルが変化していることが分かる。例えば、第n行(奇数行)に対応する容量線駆動信号CCnは、それと同じ行に対応するゲート線駆動信号Gnの立ち上がり時から2H遅れて(ゲート線駆動信号Gnの立ち下がり時から1H後)レベルが反転している。同様に第n+1行(偶数行)に対応する容量線駆動信号CCn+1は、ゲート線駆動信号Gn+1の立ち上がり時から2H遅れてレベルが反転している。また同じフレーム期間内では、偶数行と時数行とで、容量線駆動信号CCのレベル変化の方向が逆になることも、同図から分かる。 FIG. 17 is a signal waveform diagram showing the operation of the capacitor line drive circuit 12 and summarizes the behavior of the capacitor line drive signals CC in the odd and even rows. It can be seen that the level of each of the capacitance line drive signals CC changes 2H behind the rise of the gate line drive signal G corresponding to the same row (after 1H from the fall of the gate line drive signal G). . For example, the capacitance line drive signal CC n corresponding to the n-th row (odd row) is delayed by 2H from the rise time of the gate line drive signal G n corresponding to the same row (when the gate line drive signal G n falls). After 1H, the level is reversed. Similarly, the level of the capacitor line drive signal CC n + 1 corresponding to the (n + 1) th row (even number row) is inverted with a delay of 2H from the rising edge of the gate line drive signal Gn + 1 . It can also be seen from the same figure that the direction of the level change of the capacitance line drive signal CC is reversed between the even-numbered rows and the several-hour rows within the same frame period.

図17のようにレベル変化する容量線駆動信号CCを用いてゲートライン反転駆動方式の容量結合駆動を行う場合、各画素25に表示データ信号Dを書き込む際、奇数フレームにおいては、奇数行に正極性(+)のものを書き込むと共に偶数行に負極性(−)のものを書き込むようにし、偶数フレームにおいては、奇数行に負極性のものを書き込むと共に偶数行に正極性のものを書き込むようにする。その結果、正極性の表示データ信号Dが書き込まれた画素電極Npの電位は上昇され、負極性の表示データ信号Dを書き込まれた画素電極Npの電位は下降され、各表示データ信号Dが増幅されることとなる。   In the case of performing capacitive coupling driving of the gate line inversion driving method using the capacitive line driving signal CC whose level changes as shown in FIG. 17, when writing the display data signal D to each pixel 25, in the odd frame, the positive electrode is connected to the odd row. In the even frame, negative polarity is written in odd rows and positive polarity is written in even rows in even frames. To do. As a result, the potential of the pixel electrode Np to which the positive display data signal D is written is increased, the potential of the pixel electrode Np to which the negative display data signal D is written is decreased, and each display data signal D is amplified. Will be.

なお以上の説明から分かるように、極性制御信号VFR,/VFRは、各容量線駆動信号CCのレベルを制御する目的で用いられている。それらはスタート信号STの2倍周期の信号であるので、各フレーム期間で一定のレベルに固定されるものであった。しかし、図14および図15に示した容量線駆動回路12の単位回路は、極性切換信号PC,/PCのレベル保持回路を備えているので、厳密には、極性制御信号VFR,/VFRは、各単位回路で少なくとも入力端子IN101に入力される信号の活性期間にさえ適切な値をとっていればよく、必ずしも1フレーム期間一定のレベルを維持する必要はない。但し、極性制御信号VFR,/VFRの交番周期を短くする(周波数を高くする)と消費電力が増大する点に留意すべきである。   As can be seen from the above description, the polarity control signals VFR and / VFR are used for the purpose of controlling the level of each capacitance line drive signal CC. Since they are signals having a period twice that of the start signal ST, they are fixed at a constant level in each frame period. However, since the unit circuit of the capacitive line drive circuit 12 shown in FIGS. 14 and 15 includes the level holding circuit for the polarity switching signals PC and / PC, strictly speaking, the polarity control signals VFR and / VFR are It is sufficient that each unit circuit has an appropriate value even at least for the active period of the signal input to the input terminal IN101, and it is not always necessary to maintain a constant level for one frame period. However, it should be noted that the power consumption increases when the alternating cycle of the polarity control signals VFR, / VFR is shortened (frequency is increased).

<実施の形態5>
実施の形態4では、本発明に係る分周回路20および容量線駆動回路12をゲートライン反転駆動方式の表示装置に適用した例を示したが、本発明はドット反転駆動方式の表示装置にも適用可能である。ドット反転駆動方式では、画素毎に(即ちデータ線毎に)表示データ信号の極性が反転するので、ゲート線に沿って隣接した画素には、互いに極性の異なる表示データ信号が書き込まれる。
<Embodiment 5>
In the fourth embodiment, the frequency dividing circuit 20 and the capacitor line driving circuit 12 according to the present invention are applied to a display device using a gate line inversion driving method. However, the present invention also applies to a display device using a dot inversion driving method. Applicable. In the dot inversion driving method, since the polarity of the display data signal is inverted for each pixel (that is, for each data line), display data signals having different polarities are written to adjacent pixels along the gate line.

そのためドット反転駆動方式に本発明を適用する場合、ゲート線に沿って隣接する画素を異なる容量線を用いて容量結合駆動させればよい。即ち、各画素ラインにおいて、奇数列の画素と偶数列の画素とを互いに異なる容量線を用いて容量結合駆動すればよい(奇数列の画素と偶数列の画素とを互いに異なる容量線と容量結合させる)。上記の特許文献5の図1、図3等に、その接続形態の例が開示されている。   Therefore, when the present invention is applied to the dot inversion driving method, adjacent pixels along the gate line may be capacitively coupled using different capacitance lines. That is, in each pixel line, odd-numbered columns and even-numbered columns need only be capacitively coupled using different capacitance lines (odd-numbered pixels and even-numbered columns of pixels are capacitively coupled to different capacitive lines. ) Examples of the connection form are disclosed in FIG. 1 and FIG.

<実施の形態6>
また容量結合駆動の一つとして、全ての画素に書き込む表示データ信号の極性を同じにし、全ての画素の表示データの極性をフレーム毎に反転させる駆動方法(フレーム反転駆動方式)も考えられる。本発明はそのような駆動方法を行う表示装置にも適用可能である。その場合、ゲート線毎に極性が反転しないので、容量線駆動回路12の単位回路を全て同じもの(図14又は図15)に統一すればよい。
<Embodiment 6>
As one of capacitive coupling driving methods, a driving method (frame inversion driving method) is also conceivable in which the polarities of display data signals written to all the pixels are the same and the display data polarities of all the pixels are inverted for each frame. The present invention is also applicable to a display device that performs such a driving method. In that case, since the polarity is not inverted for each gate line, all the unit circuits of the capacitor line driving circuit 12 may be unified (FIG. 14 or FIG. 15).

<実施の形態7>
先に述べたように、上記の特許文献2(第8図および第10図)には、画素の容量結合駆動に用いる信号線として、ゲート線(GL)を兼用し、容量結合駆動専用の容量線(CCL)を用いない手法が開示されている。
<Embodiment 7>
As described above, in Patent Document 2 (FIGS. 8 and 10), a gate line (GL) is also used as a signal line used for capacitive coupling driving of a pixel, and a capacitance dedicated to capacitive coupling driving is used. A technique that does not use lines (CCL) is disclosed.

この手法では、各画素の画素電極をそれに隣接する画素ラインの画素(隣接画素)を駆動するゲート線(隣接ゲート線)と容量結合させる。そして、ゲート線の駆動信号の非活性レベルの電位を変化させることで、表示信号(表示データ)が書き込まれた画素電極のレベルの調整が行われる。実施の形態7では、本発明をその手法の容量結合駆動に適用する。   In this method, the pixel electrode of each pixel is capacitively coupled to a gate line (adjacent gate line) that drives a pixel (adjacent pixel) of a pixel line adjacent to the pixel electrode. Then, the level of the pixel electrode to which the display signal (display data) is written is adjusted by changing the inactive level potential of the gate line drive signal. In the seventh embodiment, the present invention is applied to capacitive coupling driving of the method.

図18は実施の形態7に係る液晶表示装置である表示装置10Dの構成を示す概略ブロック図である。表示装置10Dは、容量結合駆動をゲート線GLを用いて行うので、ゲート線駆動回路11が容量結合駆動を行う機能を兼ね備えることになり、それとは個別の容量線駆動回路は設けられていない。よって画素25の片側(左側)にゲート線駆動回路11が配設されているだけである。   FIG. 18 is a schematic block diagram showing a configuration of a display device 10D which is a liquid crystal display device according to the seventh embodiment. Since the display device 10D performs capacitive coupling driving using the gate line GL, the gate line driving circuit 11 also has a function of performing capacitive coupling driving, and a separate capacitive line driving circuit is not provided. Therefore, the gate line driving circuit 11 is only disposed on one side (left side) of the pixel 25.

但し、各画素25の領域を小さくしたときに、ゲート線駆動回路11の単位回路(単位シフトレジスタ)のピッチが画素25のピッチよりも大きくなる場合には、ゲート線駆動回路11を、液晶アレイ部15の両側に配設し、例えば奇数行の画素を左側のゲート線駆動回路11で駆動し、偶数行の画素を右側のゲート線駆動回路11で駆動するようにしてもよい。   However, if the pitch of the unit circuits (unit shift register) of the gate line driving circuit 11 is larger than the pitch of the pixels 25 when the area of each pixel 25 is reduced, the gate line driving circuit 11 is replaced with a liquid crystal array. For example, the odd-numbered pixels may be driven by the left gate line driving circuit 11 and the even-numbered pixels may be driven by the right gate line driving circuit 11.

本実施の形態では、容量結合駆動がゲート線GLを用いて行われるので、各画素25の保持容量素子27は、当該画素25の画素電極Npとその隣接画素を駆動するゲート線GL(隣接ゲート線)との間に接続される。即ち各画素25において、保持容量素子27は、画素電極Npと隣接ゲート線とを容量結合させている。   In this embodiment, since capacitive coupling driving is performed using the gate line GL, the storage capacitor element 27 of each pixel 25 has a gate line GL (adjacent gate) for driving the pixel electrode Np of the pixel 25 and its adjacent pixel. Line). That is, in each pixel 25, the storage capacitor element 27 capacitively couples the pixel electrode Np and the adjacent gate line.

ここで、本実施の形態おけるゲート線GLを用いた容量結合駆動について簡単に説明する。ゲート線駆動回路11は、所定の走査周期に基づいてゲート線駆動信号G1,G2,…を順に活性化することで、ゲート線GL1,GL2,…を順番に選択して駆動する。 Here, the capacitive coupling drive using the gate line GL in this embodiment will be briefly described. The gate line driving circuit 11 sequentially selects and drives the gate lines GL 1 , GL 2 ,... By sequentially activating the gate line driving signals G 1 , G 2 ,. .

ある画素において、それに対応するゲート線GLが活性化すると、画素トランジスタ26が導通状態になり、それを通してデータ線DLからの表示データ信号Dが画素電極Npに書き込まれる。   In a certain pixel, when the corresponding gate line GL is activated, the pixel transistor 26 becomes conductive, and the display data signal D from the data line DL is written to the pixel electrode Np through it.

その後、当該ゲート線が非活性化されると、画素トランジスタ26がオフになり保持容量素子27により表示データ信号Dが保持される。本実施の形態ではこの後の所定のタイミングで、隣接ゲート線のLレベルの電位を変化させることによって、画素電極Npの電位が調整される。   Thereafter, when the gate line is deactivated, the pixel transistor 26 is turned off, and the display data signal D is held by the holding capacitor element 27. In the present embodiment, the potential of the pixel electrode Np is adjusted by changing the L level potential of the adjacent gate line at a predetermined timing thereafter.

以下、本実施の形態に係るゲート線駆動回路11のより具体的な構成例を説明する。図19および図20は、本実施の形態に係るゲート線駆動回路11の全体構成を示す図である。図19は当該ゲート線駆動回路の最初の4段の単位シフトレジスタSR1〜SR4を示しており、図20は画素列の最後の2行を駆動する2段の単位シフトレジスタSRm-1,SRm及びそれに続けて設けられた2段の単位シフトレジスタ(ダミーシフトレジスタ)SRm+1,SRm+2を示している。図19および図20に示すゲート線GL、データ線DLおよびダミーシフトレジスタSRm+1,SRm+2は、図18に示したものに対応している。また図19および図20の画素Pは、図18の画素25に対応している。以下、単位シフトレジスタSR1〜SRmおよびダミーシフトレジスタSRm+1,SRm+2を総称して単に「単位シフトレジスタSR」と称する場合もある。 Hereinafter, a more specific configuration example of the gate line driving circuit 11 according to the present embodiment will be described. 19 and 20 are diagrams showing an overall configuration of the gate line driving circuit 11 according to the present embodiment. Figure 19 shows the unit shift register SR 1 to SR 4 of the first four stages of the gate line driver circuit, FIG. 20 is a unit shift register two stages driving the last two lines of pixel column SR m-1 , SR m, and two-stage unit shift registers (dummy shift registers) SR m + 1 and SR m + 2 provided subsequently thereto. The gate line GL, the data line DL, and the dummy shift registers SR m + 1 and SR m + 2 shown in FIGS. 19 and 20 correspond to those shown in FIG. The pixel P in FIGS. 19 and 20 corresponds to the pixel 25 in FIG. Hereinafter, the unit shift registers SR 1 to SR m and the dummy shift registers SR m + 1 and SR m + 2 may be collectively referred to as “unit shift register SR”.

図18でも示したように本実施の形態では、各画素P(画素25)の画素電極Npに接続する保持容量素子27のもう一端は、その次段のゲート線GL(次に活性化されるゲート線GL)に接続される。つまり各画素Pは、その次段のゲート線GLを用いて容量結合駆動される。   As shown in FIG. 18, in the present embodiment, the other end of the storage capacitor element 27 connected to the pixel electrode Np of each pixel P (pixel 25) is activated at the next gate line GL (next activation). Gate line GL). In other words, each pixel P is capacitively coupled using the next-stage gate line GL.

図19および図20に示すように、各単位シフトレジスタSRは、入力端子IN、第1および第2出力端子OUT,OUTS、第1および第2クロック端子CK1,CK2、第1および第2極性制御端子CTA,CTB並びにリセット端子RSTを備えている。各単位シフトレジスタSRの第1出力端子OUTにはそれぞれゲート線GLが接続する。つまり第1出力端子OUTから出力される信号Gは、ゲート線GLを活性化するための垂直(水平)走査パルスとなる。   As shown in FIGS. 19 and 20, each unit shift register SR includes an input terminal IN, first and second output terminals OUT and OUTS, first and second clock terminals CK1 and CK2, first and second polarity control. Terminals CTA and CTB and a reset terminal RST are provided. A gate line GL is connected to the first output terminal OUT of each unit shift register SR. That is, the signal G output from the first output terminal OUT is a vertical (horizontal) scanning pulse for activating the gate line GL.

ダミーシフトレジスタSRm+1は、他の単位シフトレジスタSRと同様の構成を有するシフトレジスタであり、その第1出力端子OUTにはダミーのゲート線であるダミー線GLm+1が接続する。ダミー線GLm+1は、いずれの画素Pの画素トランジスタ26のゲートも接続されず、ゲート線駆動信号Gmで駆動される画素Pm1〜Pmrの保持容量素子27が接続され、当該保持容量素子27を介して画素電極Npと容量結合している。 The dummy shift register SR m + 1 is a shift register having the same configuration as the other unit shift registers SR, and a dummy line GL m + 1 that is a dummy gate line is connected to the first output terminal OUT. The dummy line GL m + 1 is not connected to the gate of the pixel transistor 26 of any pixel P, and is connected to the holding capacitor elements 27 of the pixels P m1 to P mr driven by the gate line drive signal G m , It is capacitively coupled to the pixel electrode Np via the capacitive element 27.

またダミーシフトレジスタSRm+2も、単位シフトレジスタSRと同様のものでよいが、第1出力端子OUT並びに第1および第2極性制御端子CTA,CTBを有する必要がないため(詳細は後述する)、それらが省略されている。 The dummy shift register SR m + 2 may be the same as the unit shift register SR, but does not need to have the first output terminal OUT and the first and second polarity control terminals CTA and CTB (details will be described later). ), They are omitted.

クロック信号発生器131は、6つのクロック信号CLKG1,CLKG2,CLKG3,CLKS1,CLKS2,CLKS3を発生する。クロック信号CLKG1〜CLKG3はそれぞれ位相の異なる3相のクロック信号である。クロック信号CLKS1〜CLKS3もそれぞれ位相の異なる3相のクロック信号であり、それぞれ上記のクロック信号CLKG1〜CLKG3に位相が揃えられている。但し、クロック信号CLKS1〜CLKS3とクロック信号CLKG1〜CLKG3とでは、そのLレベル(非活性レベル)の電位が異なる。クロック信号CLKS1〜CLKS3のLレベルの電位をVSS1、クロック信号CLKG1〜CLKG3のLレベルの電位をVSS2と定義すると、電位VSS2は電位VSS1よりも高く設定されている(VSS1<VSS2)。またクロック信号CLKG1〜CLKG3,CLKS1〜CLKS3のHレベルの電位は全て電位VDDであるとする。   The clock signal generator 131 generates six clock signals CLKG1, CLKG2, CLKG3, CLKS1, CLKS2, and CLKS3. The clock signals CLKG1 to CLKG3 are three-phase clock signals having different phases. The clock signals CLKS1 to CLKS3 are also three-phase clock signals having different phases, and the phases are aligned with the clock signals CLKG1 to CLKG3, respectively. However, the clock signals CLKS1 to CLKS3 and the clock signals CLKG1 to CLKG3 have different L level (inactive level) potentials. When the L level potential of the clock signals CLKS1 to CLKS3 is defined as VSS1 and the L level potential of the clock signals CLKG1 to CLKG3 is defined as VSS2, the potential VSS2 is set higher than the potential VSS1 (VSS1 <VSS2). Further, it is assumed that all the H level potentials of the clock signals CLKG1 to CLKG3 and CLKS1 to CLKS3 are the potential VDD.

各単位シフトレジスタSRの第1クロック端子CK1にはクロック信号CLKG1〜CLKG3のうちの1つが供給され、第2クロック端子CK2にはクロック信号CLKS1〜CLKS3のうちの1つ(第1クロック端子CK1のクロック信号と位相が揃ったもの)が供給される。具体的には、各単位シフトレジスタSRの第1および第2クロック端子CK1,CK2には、自己の前段に入力されるものの次に活性化するクロック信号がそれぞれ入力される。   One of the clock signals CLKG1 to CLKG3 is supplied to the first clock terminal CK1 of each unit shift register SR, and one of the clock signals CLKS1 to CLKS3 (of the first clock terminal CK1) is supplied to the second clock terminal CK2. Clock signal and phase). Specifically, the first and second clock terminals CK1 and CK2 of each unit shift register SR are input with a clock signal that is activated next to the first clock terminal CK1 and CK2, respectively.

本実施の形態では、クロック信号CLKG1〜CLKG3は、CLKG1,CLKG2,CLKG3,CLKG1,…の順に繰り返し活性化し、クロック信号CLKS1〜CLKS3もそれと同じタイミングで、CLKS1,CLKS2,CLKS3,CLKS1…の順に繰り返し活性化するものとする。この場合、例えば第k段目の単位シフトレジスタSRkにクロック信号CLKG1,CLKS1が入力されるとすると、その次段である単位シフトレジスタSRk+1にクロック信号CLKG2,CLKS2が入力され、そのさらに次段の単位シフトレジスタSRk+2にはクロック信号CLKG3,CLKS3が入力される。即ち、単位シフトレジスタSRの第1および第2クロック端子CK1,CK2は、SR1,SR2,SR3,…の順に活性化される。 In this embodiment, the clock signals CLKG1 to CLKG3 are repeatedly activated in the order of CLKG1, CLKG2, CLKG3, CLKG1,... Shall be activated. In this case, for example, if the clock signals CLKG1 and CLKS1 are input to the k-th unit shift register SR k , the clock signals CLKG2 and CLKS2 are input to the next unit shift register SR k + 1. Further, clock signals CLKG3 and CLKS3 are input to the next unit shift register SR k + 2 . That is, the first and second clock terminals CK1 and CK2 of the unit shift register SR are activated in the order of SR 1 , SR 2 , SR 3 ,.

分周回路20は、実施の形態1と同様に、スタート信号STを2倍周期に分周して得た極性制御信号VFR,/VFRを出力する。各単位シフトレジスタSRの第1および第2極性制御端子CTA,CTBには、極性制御信号VFR,/VFRの何れかが入力される。極性制御信号VFR,/VFRは、隣接画素の容量結合駆動の動作を規定するものである。よって各単位シフトレジスタSRにおいて第1および第2極性制御端子CTA,CTBに極性制御信号VFR,/VFRのどちらが入力されるかは、その隣接するゲート線GLで駆動される画素Pに書き込まれる表示信号の極性により決定される。   Similarly to the first embodiment, the frequency dividing circuit 20 outputs the polarity control signals VFR and / VFR obtained by dividing the start signal ST by a double period. One of the polarity control signals VFR and / VFR is input to the first and second polarity control terminals CTA and CTB of each unit shift register SR. The polarity control signals VFR and / VFR define the operation of capacitive coupling driving of adjacent pixels. Therefore, in each unit shift register SR, which of the polarity control signals VFR and / VFR is input to the first and second polarity control terminals CTA and CTB is written in the pixel P driven by the adjacent gate line GL. Determined by the polarity of the signal.

本実施の形態では、1画素ライン毎(1ゲート線毎)に極性を反転するゲートライン反転駆動方式を想定する。この場合、図19および図20の如く、極性制御信号VFR,/VFRを1段ごとに入れ替えて単位シフトレジスタSRの各々に入力する。即ち、奇数段(単位シフトレジスタSR1,SR3,…)では、第1極性制御端子CTAに極性制御信号VFRを入力し、第2極性制御端子CTBには極性制御信号/VFRを入力する。偶数段では逆に、第1極性制御端子CTAに極性制御信号/VFRを入力し、第2極性制御端子CTBには極性制御信号VFRを入力する。 In the present embodiment, a gate line inversion driving method is assumed in which the polarity is inverted for each pixel line (for each gate line). In this case, as shown in FIGS. 19 and 20, the polarity control signals VFR and / VFR are exchanged for each stage and inputted to each of the unit shift registers SR. That is, in the odd stages (unit shift registers SR 1 , SR 3 ,...), The polarity control signal VFR is input to the first polarity control terminal CTA, and the polarity control signal / VFR is input to the second polarity control terminal CTB. Conversely, in the even-numbered stage, the polarity control signal / VFR is input to the first polarity control terminal CTA, and the polarity control signal VFR is input to the second polarity control terminal CTB.

また図示は省略するが、フレーム毎に全ての画素の表示信号の極性を反転するフレーム反転駆動方式の場合には、全ての段において、第1極性制御端子CTAに極性制御信号VFR(又は/VFR)を入力し、第2極性制御端子CTBには極性制御信号/VFR(又はVFR)を入力する。   Although not shown, in the case of the frame inversion driving method in which the polarity of the display signal of all the pixels is inverted every frame, the polarity control signal VFR (or / VFR) is supplied to the first polarity control terminal CTA in all stages. ) And the polarity control signal / VFR (or VFR) is input to the second polarity control terminal CTB.

上記のとおり、各単位シフトレジスタSRの第1出力端子OUTから出力される信号Gは、それぞれ対応するゲート線GLの駆動に用いられる。一方、各単位シフトレジスタSRの第2出力端子OUTSは、自己の次段の入力端子IN並びに自己の2段前段(前々段)のリセット端子RSTに接続される。言い換えれば、各単位シフトレジスタSRの入力端子INは自己の前段の第2出力端子OUTSに接続され、リセット端子RSTは自己の2段後段(次々段)の第2出力端子OUTSに接続される。但し、最前段である単位シフトレジスタSR1の入力端子INには、スタート信号STが入力される。 As described above, the signal G output from the first output terminal OUT of each unit shift register SR is used to drive the corresponding gate line GL. On the other hand, the second output terminal OUTS of each unit shift register SR is connected to its own next-stage input terminal IN and its own two-stage previous stage (previous stage) reset terminal RST. In other words, the input terminal IN of each unit shift register SR is connected to the second output terminal OUTS of its own previous stage, and the reset terminal RST is connected to the second output terminal OUTS of its own second stage (next stage). However, the start signal ST is input to the input terminal IN of the unit shift register SR 1 which is the foremost stage.

第2出力端子OUTSから出力される信号GSは、ゲート線GLの駆動に用いられないが、ゲート線駆動回路における信号のシフト動作を制御する目的で用いられる。以下、第1出力端子OUTから出力される信号Gを「ゲート線駆動信号」と称し、第2出力端子OUTSから出力される信号GSを「シフト信号」と称する。また本実施の形態でも、ダミーシフトレジスタSRm+1の第1出力端子OUTから出力される信号Gm+1はゲート線を駆動しないが「駆動信号Gm+1」と称することとする。 The signal GS output from the second output terminal OUTS is not used for driving the gate line GL, but is used for the purpose of controlling the signal shift operation in the gate line driving circuit. Hereinafter, the signal G output from the first output terminal OUT is referred to as a “gate line drive signal”, and the signal GS output from the second output terminal OUTS is referred to as a “shift signal”. Also in this embodiment, the signal G m + 1 output from the first output terminal OUT of the dummy shift register SR m + 1 does not drive the gate line, but is referred to as “drive signal G m + 1 ”.

また最後から2段目の単位シフトレジスタSRm-1のリセット端子RSTには、その2段後段であるダミーシフトレジスタSRm+1の第2出力端子OUTSから出力されるシフト信号GSm+1を入力する。同様に、最後段の単位シフトレジスタSRmのリセット端子RSTには、その2段後段であるダミーシフトレジスタSRm+2の第2出力端子OUTSから出力されるシフト信号GSm+2を入力する。 Further, the reset signal GS m + 1 output from the second output terminal OUTS of the dummy shift register SR m + 1 that is the second stage after the reset terminal RST of the unit shift register SR m-1 that is the second stage from the end. Enter. Similarly, the shift signal GS m + 2 output from the second output terminal OUTS of the dummy shift register SR m + 2 that is the second stage is input to the reset terminal RST of the unit shift register SR m of the last stage. .

一方、ダミーシフトレジスタSRm+1,SRm+2は自己の2段後段を有さない。そのためダミーシフトレジスタSRm+1のリセット端子RSTには、上記のシフト信号GSm+1を入力させる。またダミーシフトレジスタSRm+2のリセット端子RSTには、自身の第1および第2クロック端子CK1,CK2に入力されるクロック信号(ここではクロック信号CLKS1)とは位相の異なるクロック信号(ここではクロック信号CLKS1から1H(1水平周期)遅延したクロック信号CLKS2)を入力させる。 On the other hand, the dummy shift registers SR m + 1 and SR m + 2 do not have their own second stage. Therefore, the shift signal GS m + 1 is input to the reset terminal RST of the dummy shift register SR m + 1 . Further, the reset terminal RST of the dummy shift register SR m + 2 has a clock signal (here, the clock signal having a phase different from that of the clock signal (here, the clock signal CLKS1) inputted to the first and second clock terminals CK1 and CK2 thereof. The clock signal CLKS2) delayed by 1H (one horizontal period) from the clock signal CLKS1 is input.

図21は、本実施の形態に係る単位シフトレジスタSRの具体的な回路図であり、本発明者によって考案されたものである。ゲート線駆動回路を構成する単位シフトレジスタSRは基本的にどれも同じ構成であるので、図21では代表的に第k段目の単位シフトレジスタSRkを示している。 FIG. 21 is a specific circuit diagram of the unit shift register SR according to the present embodiment, which has been devised by the present inventor. Since all the unit shift registers SR constituting the gate line driving circuit have basically the same configuration, FIG. 21 representatively shows the kth unit shift register SR k .

単位シフトレジスタSRに用いられるトランジスタとしては、MOS(Metal-Oxide Semiconductor)トランジスタ、ポリシリコン薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)、アモルファス(非晶質)シリコンTFT、有機TFTのいずれも使用可能である。本実施の形態では、単位シフトレジスタSRを構成するトランジスタは全てN型TFTであるとする。また図19および図20に示す各画素Pの画素トランジスタ26もN型TFTであるとする。このように単位シフトレジスタSRのトランジスタと画素トランジスタ26とを同一導電型のトランジスタにすることで、製造工程数を少なくすることができる。   As a transistor used in the unit shift register SR, any of a metal-oxide semiconductor (MOS) transistor, a polysilicon thin film transistor (TFT), an amorphous silicon TFT, and an organic TFT can be used. In this embodiment, it is assumed that all the transistors constituting the unit shift register SR are N-type TFTs. Further, it is assumed that the pixel transistor 26 of each pixel P shown in FIGS. 19 and 20 is also an N-type TFT. Thus, by making the transistor of the unit shift register SR and the pixel transistor 26 have the same conductivity type, the number of manufacturing steps can be reduced.

以下、実施の形態7に係る単位シフトレジスタSRの構成について説明する。図21に示すように、当該単位シフトレジスタSRは、図19に示した各信号端子の他に、低電位側電源電位VSS1(即ち、上記のクロック信号CLKS1〜CLKS3のLレベルの電位)が供給される第1電源端子S1、高電位側電源電位VDD1が供給される第2電源端子S2、低電位側電源電位VSS3が供給される第3電源端子S3および高電位側電源電位VDD2が供給される第4電源端子S4を備えている。   Hereinafter, the configuration of the unit shift register SR according to the seventh embodiment will be described. As shown in FIG. 21, in addition to the signal terminals shown in FIG. 19, the unit shift register SR is supplied with the low potential side power supply potential VSS1 (that is, the L level potential of the clock signals CLKS1 to CLKS3). The first power supply terminal S1, the second power supply terminal S2 to which the high potential side power supply potential VDD1 is supplied, the third power supply terminal S3 to which the low potential side power supply potential VSS3 is supplied, and the high potential side power supply potential VDD2 are supplied. A fourth power supply terminal S4 is provided.

表示装置の基準電位は一般的に画素に書き込まれる表示信号の電位を基準に設定されるが、以下の説明においては、簡単のため電位VSS1を基準電位と定める。また電位VSS3は、電位VSS1および電位VSS2(即ち、クロック信号CLKG1〜CLKG3のLレベルの電位)よりも高く設定されている。つまり、VSS1<VSS2<VSS3の関係が成立する。   The reference potential of the display device is generally set based on the potential of the display signal written to the pixel. In the following description, the potential VSS1 is defined as the reference potential for simplicity. The potential VSS3 is set higher than the potential VSS1 and the potential VSS2 (that is, the L level potential of the clock signals CLKG1 to CLKG3). That is, the relationship VSS1 <VSS2 <VSS3 is established.

さらに、高電位側電源電位VDD1,VDD2の電位は、当該単位シフトレジスタSRの各トランジスタが所定の動作を行うことができる範囲であれば任意でよいが、ここでは共に上記の電位VDD(即ち、クロック信号CLKG1〜CLKG3,CLKS1〜CLKS3のHレベルと同じ)と等しいものとする。   Further, the potentials of the high-potential side power supply potentials VDD1 and VDD2 may be arbitrary as long as each transistor of the unit shift register SR can perform a predetermined operation. The same as the H level of the clock signals CLKG1 to CLKG3 and CLKS1 to CLKS3).

図21のように当該単位シフトレジスタSRは、ゲート線駆動信号出力部141、シフト信号出力部142、プルアップ制御部143、第1プルダウン制御部144、第2プルダウン制御部145およびプルダウン制御信号保持部146から構成されている。   As shown in FIG. 21, the unit shift register SR includes a gate line drive signal output unit 141, a shift signal output unit 142, a pull-up control unit 143, a first pull-down control unit 144, a second pull-down control unit 145, and a pull-down control signal holding. Part 146.

ゲート線駆動信号出力部141は、第1出力端子OUTからゲート線駆動信号Gkを出力させるための回路であり、トランジスタQ31,Q32A,Q32Bおよび容量素子C31から成っている。トランジスタQ31は、第1出力端子OUTと第1クロック端子CK1との間に接続し、第1クロック端子CK1に入力されるクロック信号CLKGi(クロック信号CLKG1〜CLKG3の何れか)を第1出力端子OUTに供給するものである。よってゲート線駆動信号GkのHレベルは、クロック信号CLKGiのHレベルに相当する電位VDDとなる。   The gate line drive signal output unit 141 is a circuit for outputting the gate line drive signal Gk from the first output terminal OUT, and includes transistors Q31, Q32A, Q32B, and a capacitive element C31. The transistor Q31 is connected between the first output terminal OUT and the first clock terminal CK1, and receives the clock signal CLKGi (any one of the clock signals CLKG1 to CLKG3) input to the first clock terminal CK1 as the first output terminal OUT. To supply. Therefore, the H level of the gate line drive signal Gk becomes the potential VDD corresponding to the H level of the clock signal CLKGi.

トランジスタQ32Aは第1出力端子OUTと第1電源端子S1との間に接続し、トランジスタQ32Bは第1出力端子OUTと第3電源端子S3との間に接続する。つまりトランジスタQ32Aは、第1出力端子OUTに電位VSS1を供給するものであり、トランジスタQ32Bは第1出力端子OUTに電位VSS3を供給するものである。従って、ゲート線駆動信号GkのLレベル(非活性レベル)の電位は、トランジスタQ32A,Q32Bのどちらがオンするかによって電位VSS1あるいはVSS3に変化する。   The transistor Q32A is connected between the first output terminal OUT and the first power supply terminal S1, and the transistor Q32B is connected between the first output terminal OUT and the third power supply terminal S3. That is, the transistor Q32A supplies the potential VSS1 to the first output terminal OUT, and the transistor Q32B supplies the potential VSS3 to the first output terminal OUT. Therefore, the L level (inactive level) potential of the gate line drive signal Gk changes to the potential VSS1 or VSS3 depending on which of the transistors Q32A and Q32B is turned on.

ここで、トランジスタQ31のゲート(制御電極)が接続するノードを「ノードN31」と定義する。トランジスタQ31のゲート・ソース間すなわちノードN31と出力端子OUTとの間には容量素子C31が設けられている。この容量素子C31は、出力端子OUTとノードN31とを容量結合し、出力端子OUTのレベル上昇に伴うノードN31の昇圧効果を高めるためのものである。但し、容量素子C31は、トランジスタQ31のゲート・チャネル間容量が充分大きい場合にはそれで置き換えることができ、その場合には省略してもよい。   Here, a node to which the gate (control electrode) of the transistor Q31 is connected is defined as “node N31”. A capacitive element C31 is provided between the gate and source of the transistor Q31, that is, between the node N31 and the output terminal OUT. The capacitive element C31 is for capacitively coupling the output terminal OUT and the node N31 to enhance the boosting effect of the node N31 accompanying the increase in the level of the output terminal OUT. However, if the gate-channel capacitance of the transistor Q31 is sufficiently large, the capacitive element C31 can be replaced with it, and in that case, it may be omitted.

シフト信号出力部142は、第2出力端子OUTSからシフト信号GSkを出力させるための回路であり、トランジスタQ31S,Q32AS,Q32BSから成っている。トランジスタQ31Sは、第2出力端子OUTSと第2クロック端子CK2との間に接続し、第2クロック端子CK2に入力されるクロック信号CLKSi(クロック信号CLKS1〜CLKS3の何れか)を第2出力端子OUTSに供給するものである。よってシフト信号GSkのHレベルは、クロック信号CLKSiのHレベルに相当する電位VDDとなる。 Shift signal output unit 142 is a circuit for outputting a shift signal GS k from the second output terminal OUTS, consists transistor Q31S, Q32AS, from Q32BS. The transistor Q31S is connected between the second output terminal OUTS and the second clock terminal CK2, and receives the clock signal CLKSi (any one of the clock signals CLKS1 to CLKS3) input to the second clock terminal CK2 as the second output terminal OUTS. To supply. Therefore H-level shift signal GS k is a potential VDD corresponding to the H level of the clock signal CLKSi.

トランジスタQ32AS,Q32BSは、共に第2出力端子OUTSと第1電源端子S1との間に接続されている。つまりトランジスタQ32AS,Q32BSは、共に第2出力端子OUTSの電位をVSS1にするものである。従って、第2出力端子OUTSから出力されるシフト信号GSkのLレベルは常に電位VSS1になる。 The transistors Q32AS and Q32BS are both connected between the second output terminal OUTS and the first power supply terminal S1. That is, both the transistors Q32AS and Q32BS set the potential of the second output terminal OUTS to VSS1. Thus, L-level shift signal GS k output from the second output terminal OUTS is always a potential VSS1.

トランジスタQ31Sのゲートは、トランジスタQ31のゲート(ノードN31)に接続される。またトランジスタQ32ASのゲートはトランジスタQ32Aのゲートに接続され、トランジスタQ32BSのゲートはトランジスタQ32Bのゲートに接続される。ここで、トランジスタQ32A,Q32ASのゲートが接続するノードを「ノードN32A」、トランジスタQ32B,Q32BSのゲートが接続するノードを「ノードN32B」と定義する。   The gate of transistor Q31S is connected to the gate (node N31) of transistor Q31. The gate of transistor Q32AS is connected to the gate of transistor Q32A, and the gate of transistor Q32BS is connected to the gate of transistor Q32B. Here, a node to which the gates of the transistors Q32A and Q32AS are connected is defined as “node N32A”, and a node to which the gates of the transistors Q32B and Q32BS are connected is defined as “node N32B”.

プルアップ制御部143は、ノードN31のレベルを制御することによりトランジスタQ31,Q31Sを駆動し、それによってゲート線駆動信号Gkおよびシフト信号GSkのHレベル出力を制御する。プルアップ制御部143は、トランジスタQ33,Q34から成っている。トランジスタQ33は、入力端子INに接続したゲートを有し、ノードN31と第2電源端子S2との間に接続されている。つまりトランジスタQ33は、入力端子INに入力される前段のシフト信号GSk-1の活性化に応じてノードN31を充電するものである。トランジスタQ34は、リセット端子RSTに接続したゲートを有し、ノードN31と第1電源端子S1との間に接続されている。つまりトランジスタQ34は、2段後段のシフト信号GSk+2の活性化に応じてノードN31を放電するものである。 Pull-up control unit 143 drives the transistor Q31, Q31S by controlling the level of the node N31, thereby controlling the H level output of the gate line driving signals Gk and the shift signal GS k. The pull-up controller 143 includes transistors Q33 and Q34. The transistor Q33 has a gate connected to the input terminal IN, and is connected between the node N31 and the second power supply terminal S2. That is, the transistor Q33 charges the node N31 in response to the activation of the preceding stage shift signal GS k-1 input to the input terminal IN. The transistor Q34 has a gate connected to the reset terminal RST, and is connected between the node N31 and the first power supply terminal S1. That is, the transistor Q34 discharges the node N31 in response to the activation of the shift signal GS k + 2 in the second stage.

このプルアップ制御部143の動作により、トランジスタQ31,Q31Sは、前段のシフト信号GSk-1の活性化に応じてオンし、2段後段のシフト信号GSk+2の活性化に応じてオフするように駆動される。 By the operation of the pull-up control unit 143, the transistors Q31 and Q31S are turned on in response to the activation of the preceding shift signal GS k-1 , and are turned off in response to the activation of the shift signal GS k + 2 in the subsequent second stage. To be driven.

第1および第2プルダウン制御部144,145は、それぞれノードN32A,N32Bのレベルを制御することによりトランジスタQ32A,Q32B,Q32AS,Q32BSを駆動する。それによって、ゲート線駆動信号Gkおよびシフト信号GSkのLレベル出力を制御する。ここで、図21には第1極性制御端子CTAに極性制御信号VFRが入力され、第2極性制御端子CTBに極性制御信号/VFRが入力されている例を示しているが、上記のように、第1および第2極性制御端子CTA,CTBにそれぞれ極性制御信号VFR,/VFRのどちらが入力されるかは隣接ゲート線で駆動GLされる画素Pに書き込まれる表示信号の極性により決まる。 The first and second pull-down control units 144 and 145 drive the transistors Q32A, Q32B, Q32AS, and Q32BS by controlling the levels of the nodes N32A and N32B, respectively. Thereby controlling the L level output of the gate line driving signals Gk and the shift signal GS k. FIG. 21 shows an example in which the polarity control signal VFR is input to the first polarity control terminal CTA and the polarity control signal / VFR is input to the second polarity control terminal CTB. Which of the polarity control signals VFR and / VFR is input to the first and second polarity control terminals CTA and CTB is determined by the polarity of the display signal written to the pixel P driven by the adjacent gate line.

第1プルダウン制御部144は、ノードN32Aの充放電を行うことでトランジスタQ32A,Q32ASを駆動させるものであり、トランジスタQ35A,Q36A,Q37Aから成っている。トランジスタQ35Aは、ノードN32Aに接続したゲートを有し、ノードN31と第1電源端子S1との間に接続している。トランジスタQ36Aは、ノードN31に接続したゲートを有し、ノードN32Aと第1電源端子S1との間に接続している。よってトランジスタQ35Aは、ノードN32AがHレベルのときノードN31を放電し、トランジスタQ36Aは、ノードN31がHレベルのときノードN32Aを放電するよう動作する。従ってノードN31,N32Aは、その一方がHレベルにされるともう一方はLレベルになる。   The first pull-down controller 144 drives the transistors Q32A and Q32AS by charging and discharging the node N32A, and includes transistors Q35A, Q36A, and Q37A. The transistor Q35A has a gate connected to the node N32A, and is connected between the node N31 and the first power supply terminal S1. The transistor Q36A has a gate connected to the node N31, and is connected between the node N32A and the first power supply terminal S1. Therefore, transistor Q35A operates to discharge node N31 when node N32A is at H level, and transistor Q36A operates to discharge node N32A when node N31 is at H level. Therefore, when one of the nodes N31 and N32A is set to H level, the other is set to L level.

またトランジスタQ37Aは、リセット端子RSTに接続したゲートを有し、ノードN32Aと第1極性制御端子CTAとの間に接続している。よってトランジスタQ37Aは、2段後段のシフト信号GSk+2の活性化に応じて、ノードN32Aに第1極性制御端子CTAのレベルを供給するよう動作する。つまりノードN32Aは、第1極性制御端子CTAに入力される極性制御信号(VFRまたは/VFR)がHレベルであれば充電されるが、それがLレベルの場合には充電されない。 The transistor Q37A has a gate connected to the reset terminal RST, and is connected between the node N32A and the first polarity control terminal CTA. Therefore, the transistor Q37A operates to supply the level of the first polarity control terminal CTA to the node N32A in response to the activation of the shift signal GS k + 2 in the second stage and the subsequent stage. That is, the node N32A is charged when the polarity control signal (VFR or / VFR) input to the first polarity control terminal CTA is at the H level, but is not charged when it is at the L level.

第2プルダウン制御部145は、ノードN32Bの充放電を行うことでトランジスタQ32B,Q32BSを駆動させるものであり、トランジスタQ35B,Q36B,Q37Bから成っている。トランジスタQ35Bは、ノードN32Bに接続したゲートを有し、ノードN31と第1電源端子S1との間に接続している。トランジスタQ36Bは、ノードN31に接続したゲートを有し、ノードN32Bと第1電源端子S1との間に接続している。よってトランジスタQ35BはノードN32BがHレベルのときノードN31を放電し、トランジスタQ36BはノードN31がHレベルのときノードN32Bを放電するよう動作する。従ってノードN31,N32Bは、その一方がHレベルにされるともう一方はLレベルになる。   The second pull-down control unit 145 drives the transistors Q32B and Q32BS by charging and discharging the node N32B, and includes transistors Q35B, Q36B, and Q37B. The transistor Q35B has a gate connected to the node N32B, and is connected between the node N31 and the first power supply terminal S1. The transistor Q36B has a gate connected to the node N31, and is connected between the node N32B and the first power supply terminal S1. Thus, transistor Q35B operates to discharge node N31 when node N32B is at H level, and transistor Q36B operates to discharge node N32B when node N31 is at H level. Accordingly, when one of the nodes N31 and N32B is set to H level, the other is set to L level.

またトランジスタQ37Bは、リセット端子RSTに接続したゲートを有し、ノードN32Bと第2極性制御端子CTBとの間に接続している。よってトランジスタQ37Bは、2段後段のシフト信号GSk+2の活性化に応じて、ノードN32Bに第2極性制御端子CTBのレベルを供給するよう動作する。つまり第2極性制御端子CTBに入力される制御信号(VFRまたは/VFR)がHレベルであればノードN32Bは充電されるが、それがLレベルの場合には充電されない。 The transistor Q37B has a gate connected to the reset terminal RST, and is connected between the node N32B and the second polarity control terminal CTB. Therefore, the transistor Q37B operates to supply the level of the second polarity control terminal CTB to the node N32B in response to the activation of the shift signal GS k + 2 at the second stage. That is, the node N32B is charged if the control signal (VFR or / VFR) input to the second polarity control terminal CTB is H level, but not charged if it is L level.

第1および第2極性制御端子CTA,CTBに入力される極性制御信号VFR,/VFRは互いに相補な信号であるので、ノードN32A,N32Bは、そのどちらか片方が充電されることとなる。つまり極性制御信号VFR,/VFRは、ノードN32A,N32Bのどちらを充電するか、即ち、トランジスタQ32A,Q32ASおよびトランジスタQ32B,Q32BSのどちらをオンさせるかを選択する制御信号として機能している。   Since the polarity control signals VFR and / VFR input to the first and second polarity control terminals CTA and CTB are complementary signals, one of the nodes N32A and N32B is charged. That is, the polarity control signals VFR and / VFR function as control signals for selecting which of the nodes N32A and N32B is charged, that is, which of the transistors Q32A and Q32AS and the transistors Q32B and Q32BS is turned on.

以下では簡単のため、極性制御信号VFR,/VFRのHレベルの電位はVDD(即ち、クロック信号CLKG1〜CLKG3,CLKS1〜CLKS3のHレベルと同じ)であるとし、Lレベルの電位はVSS1(基準電位)であるとする。   In the following, for the sake of simplicity, the polarity of the polarity control signals VFR, / VFR is assumed to be VDD (that is, the same as the H level of the clock signals CLKG1 to CLKG3, CLKS1 to CLKS3), and the L level potential is VSS1 (reference). Potential).

プルダウン保持部146は、第1および第2プルダウン制御部144,145により設定されたノードN32A,N32Bのレベルを保持する回路である。当該プルダウン保持部146は、トランジスタQ38A,Q38B,Q39A,Q39B,Q40A,Q40Bとから構成される。   The pull-down holding unit 146 is a circuit that holds the levels of the nodes N32A and N32B set by the first and second pull-down control units 144 and 145. The pull-down holding unit 146 includes transistors Q38A, Q38B, Q39A, Q39B, Q40A, and Q40B.

トランジスタQ38Aは、ノードN32Bに接続したゲートを有しノードN32Aと第1電源端子S1との間に接続する。トランジスタQ39Aは、ノードN32Aと第4電源端子S4との間に接続し、ゲートが第4電源端子S4に接続している。つまりトランジスタQ39Aは、第4電源端子S4側がアノード、ノードN32A側がカソードとなるようにダイオード接続されている。トランジスタQ38Aは、トランジスタQ39Aよりもオン抵抗が充分低く設定されている。よってノードN32BがHレベルになりトランジスタQ38Aがオンしたとき、ノードN32AはLレベルになる。つまりトランジスタQ38A,Q39Aは、トランジスタQ38Aをドライブ素子、トランジスタQ39Aを負荷素子とし、またノードN32Bを入力端、ノードN32Aを出力端とするレシオ型インバータを構成している。   Transistor Q38A has a gate connected to node N32B, and is connected between node N32A and first power supply terminal S1. The transistor Q39A is connected between the node N32A and the fourth power supply terminal S4, and the gate is connected to the fourth power supply terminal S4. That is, the transistor Q39A is diode-connected so that the fourth power supply terminal S4 side is an anode and the node N32A side is a cathode. Transistor Q38A is set to have a sufficiently lower on-resistance than transistor Q39A. Therefore, when the node N32B becomes H level and the transistor Q38A is turned on, the node N32A becomes L level. That is, the transistors Q38A and Q39A constitute a ratio type inverter having the transistor Q38A as a drive element, the transistor Q39A as a load element, the node N32B as an input terminal, and the node N32A as an output terminal.

一方、トランジスタQ38Bは、ノードN32Aに接続したゲートを有しノードN32Bと第1電源端子S1との間に接続する。トランジスタQ39Bは、ノードN32Bと第4電源端子S4との間に接続し、ゲートが第4電源端子S4に接続している。つまりトランジスタQ39Bは、第4電源端子S4側がアノード、ノードN32B側がカソードとなるようにダイオード接続されている。トランジスタQ38Bは、トランジスタQ39Bよりもオン抵抗が充分低く設定されている。よってノードN32AがHレベルになりトランジスタQ38Bがオンしたとき、ノードN32BはLレベルになる。つまりトランジスタQ38B,Q39Bは、トランジスタQ38Bをドライブ素子、トランジスタQ39Bを負荷素子とし、またノードN32Aを入力端、ノードN32Bを出力端とするレシオ型インバータを構成している。   On the other hand, the transistor Q38B has a gate connected to the node N32A and is connected between the node N32B and the first power supply terminal S1. The transistor Q39B is connected between the node N32B and the fourth power supply terminal S4, and the gate is connected to the fourth power supply terminal S4. That is, the transistor Q39B is diode-connected so that the fourth power supply terminal S4 side is an anode and the node N32B side is a cathode. Transistor Q38B is set to have a sufficiently lower on-resistance than transistor Q39B. Therefore, when the node N32A becomes H level and the transistor Q38B is turned on, the node N32B becomes L level. That is, the transistors Q38B and Q39B constitute a ratio type inverter having the transistor Q38B as a drive element, the transistor Q39B as a load element, the node N32A as an input terminal, and the node N32B as an output terminal.

つまり、上記2つのインバータはループ上に接続されており、フリップフロップ回路を構成している。よってトランジスタQ39A,Q39Bは、当該フリップフロップ回路の出力ノードであるノードN32A,N32Bが高インピーダンス状態でHレベルを保持するときに、リーク電流に起因するそのHレベルの電位低下を補償する役割を担っている。   In other words, the two inverters are connected on a loop to form a flip-flop circuit. Thus, the transistors Q39A and Q39B play a role of compensating for the potential drop of the H level caused by the leakage current when the nodes N32A and N32B which are output nodes of the flip-flop circuit hold the H level in a high impedance state. ing.

トランジスタQ40Aは、ノードN31に接続したゲートを有し、ノードN32Aと第1電源端子S1との間に接続されており、トランジスタQ40Bは、ノードN31に接続したゲートを有し、ノードN32Bと第1電源端子S1との間に接続されている。トランジスタQ40A,Q40Bは、それぞれトランジスタQ39A,Q39Bよりもオン抵抗が充分低く設定されている。通常、フリップフロップ回路の2つの出力ノードは、一方がHレベル、他方がLレベルの状態が保持されるが、このプルダウン保持部146においては、ノードN31がHレベルになっている間、トランジスタQ40A,Q40BがオンすることでノードN32A,N32Bの両方が共にLレベルになる。   The transistor Q40A has a gate connected to the node N31, and is connected between the node N32A and the first power supply terminal S1, and the transistor Q40B has a gate connected to the node N31. It is connected between the power supply terminal S1. Transistors Q40A and Q40B are set to have sufficiently lower on-resistance than transistors Q39A and Q39B, respectively. Normally, two output nodes of the flip-flop circuit are held in a state where one is at the H level and the other is at the L level. In this pull-down holding unit 146, the transistor Q40A is maintained while the node N31 is at the H level. , Q40B is turned on, both of the nodes N32A and N32B become L level.

図22は本実施の形態の単位シフトレジスタSRを4段縦続接続させたものを示しており、より具体的には最前段(第1段目)〜第4段目の単位シフトレジスタSR1〜SR4を示している。最前段の入力端子INにはスタート信号STが入力されており、当該スタート信号STの活性化を切っ掛けに、最前段から順番にゲート線駆動信号G1,G2,G3,G4が順に活性化されるように動作する。 FIG. 22 shows the unit shift register SR of this embodiment, which is cascaded in four stages, and more specifically, the first stage (first stage) to the fourth stage unit shift register SR 1 to SR 4 is shown. A start signal ST is input to the input terminal IN in the foremost stage, and the activation of the start signal ST triggers the gate line drive signals G 1 , G 2 , G 3 , and G 4 in order from the foremost stage. Operates to be activated.

以下、図22に示す単位シフトレジスタSR1〜SR4の動作を詳細に説明する。図23は、その動作を説明するための波形図である。互いに相補な極性制御信号VFR,/VFRは、表示装置の1フレーム毎のブランキング期間にそのレベルが交番する(図23の時刻t1および時刻t7)。ここでも、極性制御信号VFRがHレベルの期間を奇数フレーム、Lレベルの期間を偶数フレームと定義し、また各トランジスタのしきい値電圧は全て等しいものと仮定し、その値をVthとする。 Hereinafter, the operations of the unit shift registers SR 1 to SR 4 shown in FIG. 22 will be described in detail. FIG. 23 is a waveform diagram for explaining the operation. The levels of the complementary polarity control signals VFR and / VFR alternate in the blanking period for each frame of the display device (time t 1 and time t 7 in FIG. 23). Again, the period when the polarity control signal VFR is at the H level is defined as an odd frame, the period at the L level is defined as an even frame, and the threshold voltages of all the transistors are assumed to be equal, and the value thereof is Vth.

なお図23においては図示の簡単のため、あるクロック信号の立ち下がりタイミング(非活性化タイミング)と、その次に活性化するクロック信号の立ち上がりタイミング(活性化タイミング)とが同時であるように示されている。実際には信号遅延等を考慮し、図24に示すように、各クロック信号の活性期間(Hレベルになる期間)と、その次に活性化するクロック信号の活性期間との間には所定の間隔Δt(以下「クロック時間間隔」と称す)が設けられる。   In FIG. 23, for simplicity of illustration, the falling timing (deactivation timing) of a certain clock signal and the rising timing (activation timing) of the clock signal to be activated next are shown to be simultaneous. Has been. Actually, in consideration of signal delay and the like, as shown in FIG. 24, there is a predetermined interval between the active period of each clock signal (the period when it becomes H level) and the active period of the clock signal to be activated next. An interval Δt (hereinafter referred to as “clock time interval”) is provided.

図24の時刻t1〜t6は図23に示したものに対応している。図24において、時刻t1〜t6は各クロックの立ち下がりのタイミングに対応しており、その後クロック時間間隔Δt経過したときにその次に活性化するクロック信号が立ち上がる。以下では図23を用い、Δtを無視して説明する。 Times t 1 to t 6 in FIG. 24 correspond to those shown in FIG. In FIG. 24, times t 1 to t 6 correspond to the falling timing of each clock, and then the clock signal activated next rises when the clock time interval Δt elapses. Hereinafter, description will be made using FIG. 23 ignoring Δt.

図22および図23を参照し、時刻t1で奇数フレームになったとする。つまり極性制御信号VFR,/VFRがそれぞれHレベル、Lレベルに変化する。各単位シフトレジスタSRにおいては、制御端子CTA、CTBの電圧が変化することになるが、このときトランジスタQ37A,Q37Bはオフしており、またノードN32A,N32Bのレベルはプルダウン保持部146により保持されているため、ノードN32A,N32Bのレベル変化はない。 Referring to FIGS. 22 and 23, assume that an odd frame is reached at time t 1 . That is, the polarity control signals VFR and / VFR change to the H level and the L level, respectively. In each unit shift register SR, the voltages of the control terminals CTA and CTB change. At this time, the transistors Q37A and Q37B are off, and the levels of the nodes N32A and N32B are held by the pull-down holding unit 146. Therefore, there is no level change of the nodes N32A and N32B.

このとき奇数段である単位シフトレジスタSR1,SR3においては、ノードN32AはLレベル、ノードN32BはHレベルになっている。逆に偶数段である単位シフトレジスタSR2,SR4では、ノードN32AはHレベル、ノードN32BはLレベルになっている。従って、単位シフトレジスタSR1,SR3では、ゲート線駆動信号出力部141のトランジスタQ32Bがオンしており、それらの第1出力端子OUT(ゲート線駆動信号G1,G3)は電位VSS3のLレベルとなっている。逆に単位シフトレジスタSR2,SR4では、ゲート線駆動信号出力部141のトランジスタQ32Aがオンしており、第1出力端子OUT(シフト信号GS2,GS3)は電位VSS1のLレベルとなっている。 At this time, in the unit shift registers SR 1 and SR 3 which are odd stages, the node N32A is at the L level and the node N32B is at the H level. Conversely, in the unit shift registers SR 2 and SR 4 that are even stages, the node N32A is at the H level and the node N32B is at the L level. Accordingly, in the unit shift registers SR 1 and SR 3 , the transistor Q32B of the gate line drive signal output unit 141 is on, and their first output terminals OUT (gate line drive signals G 1 and G 3 ) are at the potential VSS3. L level. Conversely, in the unit shift registers SR 2 and SR 4 , the transistor Q32A of the gate line drive signal output unit 141 is on, and the first output terminal OUT (shift signals GS 2 and GS 3 ) is at the L level of the potential VSS1. ing.

一方、単位シフトレジスタSR1,SR3のシフト信号出力部142ではトランジスタQ32BSがオンしており、第2出力端子OUTS(シフト信号GS1,GS3)は電位VSS1のLレベルとなっている。また単位シフトレジスタSR2,SR4のシフト信号出力部142では、トランジスタQ32ASがオンしており、第2出力端子OUTS(シフト信号GS1,GS3)も電位VSS1のLレベルとなっている。 On the other hand, in the shift signal output unit 142 of the unit shift registers SR 1 and SR 3 , the transistor Q32BS is turned on, and the second output terminal OUTS (shift signals GS 1 and GS 3 ) is at the L level of the potential VSS1. In the shift signal output unit 142 of the unit shift registers SR 2 and SR 4 , the transistor Q32AS is turned on, and the second output terminal OUTS (shift signals GS 1 and GS 3 ) is also at the L level of the potential VSS1.

なお、図23ではシフト信号GS1〜GS4の図示は省略しているが、それらのLレベルの電位は一定値VSS1であり、そのことを除いてそれぞれゲート線駆動信号G1〜G4と同様にレベル遷移することを、ここで言及しておく。 Although the shift signals GS 1 to GS 4 are not shown in FIG. 23, their L-level potential is a constant value VSS 1 , and except for this, the gate line drive signals G 1 to G 4 and It should be noted here that the level transition is similarly performed.

そして時刻t2で、単位シフトレジスタSR1の入力端子INに入力されるスタート信号STがHレベルになる。このときの単位シフトレジスタSR1の動作を説明する。スタート信号STがHレベルになると、プルアップ制御部143ではトランジスタQ33がオンする。このときノードN32BがHレベルであるのでトランジスタQ35Bがオンしているが、トランジスタQ33のオン抵抗はトランジスタQ35Bよりも充分低く設定されているため、ノードN31はHレベル(VDD−Vth)になる。以下、各単位シフトレジスタSRにおいてそのノードN31がHレベルの状態を「セット状態」と称する。 At time t 2 , the start signal ST input to the input terminal IN of the unit shift register SR 1 becomes H level. The operation of the unit shift register SR 1 at this time will be described. When the start signal ST becomes H level, the pull-up control unit 143 turns on the transistor Q33. At this time, since the node N32B is at the H level, the transistor Q35B is on. However, since the on-resistance of the transistor Q33 is set sufficiently lower than that of the transistor Q35B, the node N31 is at the H level (VDD−Vth). Hereinafter, a state in which the node N31 of each unit shift register SR is at the H level is referred to as a “set state”.

単位シフトレジスタSR1のノードN31がHレベルになったことで、そのトランジスタQ36B,Q40Bはオンし、ノードN32BがLレベル(VSS1)になる。ノードN32BがLレベルになるとトランジスタQ38Aがオフになるが、先ほどノードN31がHレベルになったときトランジスタQ36A,Q40Aがオンするので、ノードN32AはLレベルに維持される。このように単位シフトレジスタSR1がセット状態になると、そのノードN32A,N32Bは共にLレベルになり、第1出力端子OUTをプルダウンするトランジスタQ32A,Q32B、並びに第2出力端子OUTSをプルダウンするQ32AS,Q32BSは全てオフの状態になる。 By unit shift register SR 1 of the node N31 becomes H level, the transistor Q36B, Q40B is turned on, the node N32B becomes L level (VSS1). When the node N32B becomes L level, the transistor Q38A is turned off. However, when the node N31 becomes H level, the transistors Q36A and Q40A are turned on, so that the node N32A is maintained at L level. With such unit shift register SR 1 is in the set state, the node N32A, N32B are both at the L level, the transistor Q32A for pulling down the first output terminal OUT, Q32B, and Q32AS to pull down a second output terminal OUTS, All Q32BSs are turned off.

また時刻t2では、単位シフトレジスタSR1のノードN31がHレベルになったことで、そのゲート線駆動信号出力部141ではトランジスタQ31がオンになる。そのため単位シフトレジスタSR1の第1出力端子OUTにはクロック信号CLKG1が供給されるようになる。時刻t2ではクロック信号CLKG1はLレベルであるので、ゲート線駆動信号G1はLレベルのままであるが、その電位はクロック信号CLKG1のLレベルと同じVSS2に変化する。 At time t 2 , the node N31 of the unit shift register SR 1 becomes H level, so that the transistor Q31 is turned on in the gate line drive signal output unit 141. So the clock signal CLKG1 is supplied to the first output terminal OUT of the order unit shift register SR 1. Since the clock signal CLKG1 At time t 2 is the L level, the gate line driving signals G1 remains at L level, the potential thereof changes to the same VSS2 the L level of the clock signal CLKG1.

単位シフトレジスタSR1のシフト信号出力部142では、トランジスタQ31Sがオンになり、第2出力端子OUTSにクロック信号CLKS1が供給されるようになるが、クロック信号CLKS1のLレベルの電位はVSS1であるのでシフト信号GS1のLレベルの電位に変化はない。 The unit shift register SR 1 of the shift signal output unit 142, the transistor Q31S is turned on, the clock signal CLKS1 to the second output terminal OUTS is to be supplied, L-level potential of the clock signal CLKS1 is the VSS1 Therefore, there is no change in the L level potential of the shift signal GS 1 .

時刻t3では、スタート信号STがLレベルになった後、クロック信号CLKG1がHレベルになる。このときの単位シフトレジスタSR1の動作を説明する。単位シフトレジスタSR1のゲート線駆動信号出力部141においては、トランジスタQ31を通して第1出力端子OUTにクロック信号CLKG1のHレベルが伝達される。つまりゲート線駆動信号G1がHレベルになり、ゲート線GL1が活性状態(選択状態)になる。 At time t 3, after the start signal ST has become L level, the clock signal CLKG1 becomes the H level. The operation of the unit shift register SR 1 at this time will be described. In the gate line driving signal output unit 141 of the unit shift register SR 1, H level of the clock signal CLKG1 to the first output terminal OUT through the transistor Q31 is transmitted. That gate line drive signal G1 becomes H level, the gate lines GL 1 becomes active (selected).

一方、ゲート線駆動信号出力部142においては、トランジスタQ31Sを通して第2出力端子OUTSにクロック信号CLKS1のHレベルが伝達される。つまりシフト信号GS1がHレベルになる。 On the other hand, in the gate line drive signal output unit 142, the H level of the clock signal CLKS1 is transmitted to the second output terminal OUTS through the transistor Q31S. That is, the shift signal GS 1 becomes H level.

なお、スタート信号STがLレベルになった時点でトランジスタQ33はオフしており、このときノードN31はフローティング状態である。そのため第1および第2出力端子OUT,OUTSのレベルが上昇すると、トランジスタQ31,Q31Sのゲート・チャネル間容量および容量素子C31を介する結合により、ノードN31の電位も上昇する。その結果トランジスタQ31,Q31Sは、そのゲート・ソース間電位が大きく保たれ、非飽和領域で動作する。そのためゲート線駆動信号G1のHレベルの電位はクロック信号CLKG1のHレベルと同じVDDとなり、シフト信号GS1のHレベルの電位もクロック信号CLKS1のHレベルと同じVDDとなる。 Note that the transistor Q33 is turned off when the start signal ST becomes L level, and at this time, the node N31 is in a floating state. Therefore, when the levels of the first and second output terminals OUT and OUTS rise, the potential of the node N31 also rises due to the coupling between the gate-channel capacitances of the transistors Q31 and Q31S and the capacitive element C31. As a result, the transistors Q31 and Q31S operate in the non-saturated region while their gate-source potential is kept large. Therefore, the H level potential of the gate line drive signal G 1 is the same VDD as the H level of the clock signal CLKG1, and the H level potential of the shift signal GS 1 is also the same VDD as the H level of the clock signal CLKS1.

単位シフトレジスタSR1が出力するシフト信号GS1がHレベルになると、それが入力される単位シフトレジスタSR2の入力端子INがHレベルになる。このときの単位シフトレジスタSR2の動作を説明する。時刻t3でシフト信号GS1がHレベルになると、単位シフトレジスタSR2において、トランジスタQ33がオンしてノードN31がHレベルになる(即ち、単位シフトレジスタSR2がセット状態になる)。 When the shift signal GS 1 output from the unit shift register SR 1 becomes H level, the input terminal IN of the unit shift register SR 2 to which it is input becomes H level. The operation of the unit shift register SR 2 at this time will be described. When the shift signal GS 1 becomes the H level at time t 3, the unit shift register SR 2, transistor Q33 node N31 turned on becomes H level (i.e., the unit shift register SR 2 is set state).

この結果、そのトランジスタQ36A,Q40AがオンしてノードN32AがLレベルになり、トランジスタQ32A、Q32ASがオフになる。このときトランジスタQ36B,Q40BもオンしてノードN32BはLレベルに維持され、トランジスタQ32B、Q32BSはオフに維持される。さらにトランジスタQ31,Q31Sがオンとなるので、ゲート線駆動信号G2はクロック信号CLKG2と同じく電位VSS2のLレベルになり、シフト信号GS2はクロック信号CLKS2と同じく電位VSS1のLレベルになる。 As a result, the transistors Q36A and Q40A are turned on, the node N32A becomes L level, and the transistors Q32A and Q32AS are turned off. At this time, the transistors Q36B and Q40B are also turned on, the node N32B is maintained at the L level, and the transistors Q32B and Q32BS are maintained off. Further, since the transistors Q31, Q31S is turned on, the gate line drive signal G 2 is becomes L level of well potential VSS2 the clock signal CLKG2, shift signal GS 2 is also at the L level potential VSS1 clock signal CLKS2.

続いて、時刻t4でクロック信号CLKG1がLレベル(VSS2)になる。このときの単位シフトレジスタSR1の動作を説明する。単位シフトレジスタSR1のトランジスタQ31はオンしているため、当該トランジスタQ31により第1出力端子OUTが放電され、ゲート線駆動信号G1はクロック信号CLKG1と同じく電位VSS2のLレベルになる。それによりゲート線GL1の選択期間が終了する。このときクロック信号CLKS1もLレベル(VSS1)になるので、第2出力端子OUTSはトランジスタQ31Sにより放電され、シフト信号GS1はLレベル(VSS1)になる。 Subsequently, the clock signal CLKG1 becomes L level (VSS2) at time t 4. The operation of the unit shift register SR 1 at this time will be described. The transistor Q31 of the unit shift register SR 1 is turned on, the first output terminal OUT by the transistor Q31 is discharged, the gate line drive signal G 1 is also at the L level potential VSS2 the clock signal CLKG1. Thereby, the selection period of the gate line GL 1 ends. Since this time becomes the clock signal CLKS1 also L level (VSS1), the second output terminal OUTS is discharged by the transistor Q31S, shift signal GS 1 becomes L level (VSS1).

また時刻t4では、クロック信号CLKG1がLレベルになった後に、単位シフトレジスタSR2の第1クロック端子CK1に供給されるクロック信号CLKG2がHレベルになる。このときの単位シフトレジスタSR2の動作を説明する。単位シフトレジスタSR2のトランジスタQ31はオンしているので、それ通して第1出力端子OUTにクロック信号CLKG2のHレベルが伝達され、ゲート線駆動信号G2がHレベル(VDD)になる。その結果、ゲート線GL2が選択状態になる。またクロック信号CLKS2もHレベルになるので、それがトランジスタQ31Sを通して第2出力端子OUTSに伝達され、シフト信号GS2もHレベル(VDD)になる。 In addition the time t 4, after the clock signal CLKG1 becomes L level, the clock signal CLKG2 supplied to the first clock terminal CK1 of the unit shift register SR 2 becomes the H level. The operation of the unit shift register SR 2 at this time will be described. Since the transistor Q31 of the unit shift register SR 2 is on, the H level of the clock signal CLKG2 is transmitted to the first output terminal OUT, and the gate line drive signal G 2 becomes the H level (VDD). As a result, the gate line GL 2 is selected. Since the clock signal CLKS2 also becomes H level, it is transmitted to the second output terminal OUTS through the transistor Q31S, will shift signal GS 2 is H level (VDD).

単位シフトレジスタSR2が出力するシフト信号GS2がHレベルになると、それが入力される単位シフトレジスタSR3の入力端子INがHレベルになる。このときの単位シフトレジスタSR3の動作を説明する。単位シフトレジスタSR3において、入力端子INがHレベルになるとトランジスタQ33がオンしてノードN31がHレベルになる(即ち、単位シフトレジスタSR3がセット状態になる)。 When the shift signal GS 2 output from the unit shift register SR 2 becomes H level, the input terminal IN of the unit shift register SR 3 to which it is input becomes H level. The operation of the unit shift register SR 3 at this time will be described. In the unit shift register SR 3 , when the input terminal IN becomes H level, the transistor Q 33 is turned on and the node N 31 becomes H level (that is, the unit shift register SR 3 is set).

この結果、トランジスタQ36B,Q40BがオンしてノードN32BがLレベルになり、トランジスタQ32B、Q32BSがオフになる。このときトランジスタQ36A,Q40AもオンしてノードN32AはLレベルに維持され、トランジスタQ32A、Q32ASはオフに維持される。さらにトランジスタQ31,Q31Sがオンとなるので、ゲート線駆動信号G3はクロック信号CLKG3と同じく電位VSS2のLレベルになり、シフト信号GS3はクロック信号CLKS3と同じく電位VSS1のLレベルになる。 As a result, transistors Q36B and Q40B are turned on, node N32B goes to L level, and transistors Q32B and Q32BS are turned off. At this time, the transistors Q36A and Q40A are also turned on, the node N32A is maintained at the L level, and the transistors Q32A and Q32AS are maintained off. Further, since the transistors Q31, Q31S is turned on, the gate line drive signal G 3 are become L level also potential VSS2 the clock signal CLKG3, shift signal GS 3 is also at the L level potential VSS1 clock signal CLKS3.

時刻t5で、クロック信号CLKG2がLレベル(VSS2)になる。このときの単位シフトレジスタSR2の動作を説明する。単位シフトレジスタSR2のトランジスタQ31はオンしているため、それを通して第1出力端子OUTが放電され、ゲート線駆動信号G2はクロック信号CLKG2と同じく電位VSS2のLレベルになる。それによりゲート線GL2の選択期間が終了する。このときクロック信号CLKS2もLレベル(VSS1)になるので、第2出力端子OUTSはトランジスタQ31Sにより放電され、シフト信号GS2はLレベル(VSS1)になる。 At time t 5, the clock signal CLKG2 becomes L level (VSS2). The operation of the unit shift register SR 2 at this time will be described. Since the transistor Q31 in the unit shift register SR 2 is turned on, the first output terminal OUT is discharged through it, the gate line drive signal G 2 is also at the L level potential VSS2 the clock signal CLKG2. Thereby, the selection period of the gate line GL 2 ends. Since this time becomes the clock signal CLKS2 also L level (VSS1), the second output terminal OUTS is discharged by the transistor Q31S, shift signal GS 2 becomes L level (VSS1).

また時刻t5では、クロック信号CLKG2がLレベルになった後、単位シフトレジスタSR3の第1クロック端子CK1に入力されるクロック信号CLKG3がHレベルになる。このときの単位シフトレジスタSR3の動作を説明する。単位シフトレジスタSR3のトランジスタQ31はオンしているので、それを通して第1出力端子OUTにクロック信号CLKG3のHレベルが伝達され、ゲート線駆動信号G3がHレベル(VDD)になる。その結果、ゲート線GL3が選択状態になる。またクロック信号CLKS3もHレベルになるので、それがトランジスタQ31Sを通して第2出力端子OUTSに伝達され、シフト信号GS3もHレベル(VDD)になる。 In addition the time t 5, after the clock signal CLKG2 becomes L level, the clock signal CLKG3 inputted to the first clock terminal CK1 of the unit shift register SR 3 becomes the H level. The operation of the unit shift register SR 3 at this time will be described. Since the transistor Q31 of the unit shift register SR 3 is ON, the first output terminal OUT is H level of the clock signal CLKG3 is transmitted, a gate line driving signal G 3 becomes H level (VDD) therethrough. As a result, the gate line GL 3 is selected. Since the clock signal CLKS3 also becomes H level, it is transmitted to the second output terminal OUTS through the transistor Q31S, will shift signal GS 3 is H level (VDD).

単位シフトレジスタSR3が出力するシフト信号GS3がHレベルになると、単位シフトレジスタSR4の入力端子INがHレベルになる。このときの単位シフトレジスタSR4の動作を説明する。単位シフトレジスタSR4において、入力端子INがHレベルになるとトランジスタQ33がオンしてノードN31がHレベルになる(即ち、単位シフトレジスタSR4がセット状態になる)。 When the shift signal GS 3 output by the unit shift register SR 3 becomes the H level, the input terminal IN of the unit shift register SR 4 becomes H level. The operation of the unit shift register SR 4 at this time will be described. In the unit shift register SR 4 , when the input terminal IN becomes H level, the transistor Q 33 is turned on and the node N 31 becomes H level (that is, the unit shift register SR 4 is set).

この結果、そのトランジスタQ36A,Q40AがオンしてノードN32AがLレベルになり、トランジスタQ32A、Q32ASがオフになる。このときトランジスタQ36B,Q40BもオンしてノードN32BはLレベルに維持され、トランジスタQ32B、Q32BSはオフに維持される。さらにトランジスタQ31,Q31Sがオンとなるので、ゲート線駆動信号G4はクロック信号CLKG1と同じく電位VSS2のLレベルになり、シフト信号GS4はクロック信号CLKS1と同じく電位VSS1のLレベルになる。 As a result, the transistors Q36A and Q40A are turned on, the node N32A becomes L level, and the transistors Q32A and Q32AS are turned off. At this time, the transistors Q36B and Q40B are also turned on, the node N32B is maintained at the L level, and the transistors Q32B and Q32BS are maintained off. Further, since the transistors Q31, Q31S is turned on, the gate line driving signal G 4 are become L level also potential VSS2 the clock signal CLKG1, also becomes L level potential VSS1 shift signal GS 4 the clock signal CLKS1.

また単位シフトレジスタSR3が出力するシフト信号GS3は、単位シフトレジスタSR1のリセット端子RSTにも入力されているので、時刻t5では単位シフトレジスタSR1のリセット端子RSTがHレベルになる。このときの単位シフトレジスタSR1の動作を説明する。単位シフトレジスタSR1では、リセット端子RSTがHレベルになるとトランジスタQ34がオンし、ノードN31が放電されてLレベル(VSS1)になる。以下、各単位シフトレジスタSRにおいてそのノードN31がLレベルの状態を「リセット状態」と称する。ノードN31がLレベルになると、トランジスタQ31,Q31S,Q36A,Q36B,Q40A,Q40Bがオフになる。 The shift signal GS 3 output by the unit shift register SR 3, since also input to the reset terminal RST of the unit shift register SR 1, the reset terminal RST of the time t 5 the unit shift register SR 1 is H level . The operation of the unit shift register SR 1 at this time will be described. The unit shift register SR 1, the reset terminal RST becomes the H level, the transistor Q34 is turned on, the node N31 is discharged to L level (VSS1). Hereinafter, a state in which the node N31 of each unit shift register SR is at the L level is referred to as a “reset state”. When node N31 becomes L level, transistors Q31, Q31S, Q36A, Q36B, Q40A, Q40B are turned off.

またリセット端子RSTがHレベルになったことで、トランジスタQ37A,Q37Bもオンになる。単位シフトレジスタSR1では、第1極性制御端子CTAに極性制御信号VFRが入力され、第2極性制御端子CTBに極性制御信号/VFRが入力されている。奇数フレームでは、極性制御信号VFRがHレベルであり極性制御信号/VFRがLレベルであるので、このとき単位シフトレジスタSR1の制御端子CTAはHレベル(VDD)、第2極性制御端子CTBはLレベルとなっている。よってノードN32Aは、トランジスタQ37Aを通して充電されHレベル(VDD−Vth)になるが、ノードN32BはLレベルのままである。この結果、トランジスタQ32A,Q32BのうちトランジスタQ32Aだけがオンになり、第1出力端子OUTに第1電源端子S1の電位VSS1が供給され、ゲート線駆動信号G1のLレベルの電位はVSS1に変化(下降)する。 Further, when the reset terminal RST becomes H level, the transistors Q37A and Q37B are also turned on. The unit shift register SR 1, the polarity control signal VFR to the first polarity control terminal CTA is inputted, the polarity control signal / VFR is input to the second polarity control terminal CTB. In the odd frame, the polarity control signal VFR is at the H level and the polarity control signal / VFR is at the L level. At this time, the control terminal CTA of the unit shift register SR 1 is at the H level (VDD), and the second polarity control terminal CTB is L level. Therefore, the node N32A is charged through the transistor Q37A and becomes the H level (VDD-Vth), but the node N32B remains at the L level. As a result, transistor Q32A, only the transistor Q32A of Q32B is turned on, the potential VSS1 of the first power supply terminal S1 is supplied to the first output terminal OUT, L-level potential of the gate line drive signal G 1 is changed to VSS1 (Descent).

このようにノードN32AがHレベル、ノードN32BがLレベルになると、プルダウン保持部146において、トランジスタQ38Aがオフ、トランジスタQ38Bがオンとなる。その結果、トランジスタQ38A,Q38B,Q39A,Q39Bから成るフリップフロップ回路によって、ノードN32AのHレベルおよびノードN32BのLレベルが保持されることになる。   Thus, when the node N32A becomes H level and the node N32B becomes L level, in the pull-down holding unit 146, the transistor Q38A is turned off and the transistor Q38B is turned on. As a result, the flip-flop circuit composed of transistors Q38A, Q38B, Q39A, and Q39B holds the H level of node N32A and the L level of node N32B.

この単位シフトレジスタSR1の状態は、次のフレームで入力端子INに入力される信号(スタート信号ST)がHレベルになるまで(図23の時刻t8まで)の約1フレーム期間継続される。 The state of the unit shift register SR 1 is continued for about one frame period until the signal (start signal ST) input to the input terminal IN in the next frame becomes H level (until time t 8 in FIG. 23). .

時刻t6で、クロック信号CLKG3がLレベル(VSS2)になる。このときの単位シフトレジスタSR3の動作を説明する。単位シフトレジスタSR3のトランジスタQ31はオンしているため、それを通して第1出力端子OUTが放電され、ゲート線駆動信号G3はクロック信号CLKG3と同じく電位VSS2のLレベルになる。それによりゲート線GL3の選択期間が終了する。このときクロック信号CLKS3もLレベル(VSS1)になるので、第2出力端子OUTSはトランジスタQ31Sにより放電され、シフト信号GS3はLレベル(VSS1)になる。 At time t 6, the clock signal CLKG3 becomes L level (VSS2). The operation of the unit shift register SR 3 at this time will be described. The transistor Q31 of the unit shift register SR 3 is ON, the first output terminal OUT is discharged through it, the gate line drive signal G 3 are also at the L level potential VSS2 the clock signal CLKG3. As a result, the selection period of the gate line GL 3 ends. Since this time becomes the clock signal CLKS3 also L level (VSS1), the second output terminal OUTS is discharged by the transistor Q31S, shift signal GS 3 becomes L level (VSS1).

また時刻t6では、クロック信号CLKG2がLレベルになった後、再びクロック信号CLKG1がHレベルになる。このとき単位シフトレジスタSR1はリセット状態であり、そのトランジスタQ31,Q31Sはオフしているため、ゲート線駆動信号G1およびシフト信号GS1の電位は変化しない。 In addition the time t 6, after the clock signal CLKG2 becomes L level, the clock signal CLKG1 becomes H level again. At this time, the unit shift register SR 1 is in the reset state, and the transistors Q31 and Q31S are off, so the potentials of the gate line drive signal G 1 and the shift signal GS 1 do not change.

一方、単位シフトレジスタSR4はセット状態である。このときの単位シフトレジスタSR4の動作を説明する。単位シフトレジスタSR4では、トランジスタQ31がオンしているため、それを通して第1出力端子OUTにクロック信号CLKG4のHレベルが伝達され、ゲート線駆動信号G4がHレベル(VDD)になる。その結果、ゲート線GL4が選択状態になる。またクロック信号CLKS4もHレベルになるので、それがトランジスタQ31Sを通して第2出力端子OUTSに伝達され、シフト信号GS4もHレベル(VDD)になる。 On the other hand, the unit shift register SR 4 is set state. The operation of the unit shift register SR 4 at this time will be described. In the unit shift register SR 4 , since the transistor Q 31 is on, the H level of the clock signal CLKG 4 is transmitted to the first output terminal OUT through the transistor Q 31, and the gate line drive signal G 4 becomes the H level (VDD). As a result, the gate line GL 4 is selected. Since the clock signal CLKS4 also becomes H level, it is transmitted to the second output terminal OUTS through the transistor Q31S, comprising shift signal GS 4 to H level (VDD).

単位シフトレジスタSR4が出力するシフト信号GS4は、不図示の単位シフトレジスタSR5の入力端子INに入力される。よってシフト信号GS4がHレベルになる時刻t6では、時刻t2における単位シフトレジスタSR1、あるいは時刻t4における単位シフトレジスタSR3と同様の動作により、単位シフトレジスタSR5がセット状態になる。 The shift signal GS 4 output from the unit shift register SR 4 is input to the input terminal IN of the unit shift register SR 5 (not shown). Thus at time t 6 shift signal GS 4 becomes H level, the same operation as the unit shift register SR 3 in the unit shift register SR 1 or time t 4, at time t 2, the a unit shift register SR 5 in a set state Become.

またシフト信号GS4は、単位シフトレジスタSR2のリセット端子RSTにも入力されているので、時刻t6では単位シフトレジスタSR2のリセット端子RSTがHレベルになる。このときの単位シフトレジスタSR2の動作を説明する。単位シフトレジスタSR2では、リセット端子RSTがHレベルになるとトランジスタQ34がオンし、ノードN31が放電されてLレベル(VSS1)になる(つまり単位シフトレジスタSR2がリセット状態になる)。ノードN31がLレベルになると、トランジスタQ31,Q31S,Q36A,Q36B,Q40A,Q40Bがオフになる。 The shift signal GS 4, since also input to the reset terminal RST of the unit shift register SR 2, reset terminal RST of the time t 6 the unit shift register SR 2 becomes the H level. The operation of the unit shift register SR 2 at this time will be described. In the unit shift register SR 2 , when the reset terminal RST becomes H level, the transistor Q 34 is turned on, and the node N 31 is discharged to L level (VSS 1) (that is, the unit shift register SR 2 is reset). When node N31 becomes L level, transistors Q31, Q31S, Q36A, Q36B, Q40A, Q40B are turned off.

またリセット端子RSTがHレベルになったことで、トランジスタQ37A,Q37Bもオンになる。単位シフトレジスタSR2では、第1極性制御端子CTAに極性制御信号/VFRが入力され、第2極性制御端子CTBに極性制御信号VFRが入力されているので、このとき単位シフトレジスタSR2の制御端子CTAはLレベル、第2極性制御端子CTBはHレベルとなっている。よってノードN32AはLレベルのままであるが、ノードN32Bは、トランジスタQ37Bを通して充電されHレベル(VDD−Vth)になる。この結果、トランジスタQ32A,Q32BのうちトランジスタQ32Bだけがオンになり、第1出力端子OUTに第3電源端子S3の電位VSS3が供給され、ゲート線駆動信号G3のLレベルの電位はVSS3に変化(上昇)する。 Further, when the reset terminal RST becomes H level, the transistors Q37A and Q37B are also turned on. In the unit shift register SR 2 , the polarity control signal / VFR is input to the first polarity control terminal CTA and the polarity control signal VFR is input to the second polarity control terminal CTB. At this time, the control of the unit shift register SR 2 is performed. The terminal CTA is at L level, and the second polarity control terminal CTB is at H level. Therefore, the node N32A remains at the L level, but the node N32B is charged through the transistor Q37B and becomes the H level (VDD−Vth). As a result, transistor Q32A, only the transistor Q32B of Q32B is turned on, the potential VSS3 the third power supply terminal S3 is supplied to the first output terminal OUT, L-level potential of the gate line drive signal G 3 are changed in VSS3 (To rise.

このようにノードN32AがLレベル、ノードN32BがHレベルになると、プルダウン保持部146において、トランジスタQ38Aがオン、トランジスタQ38Bがオフとなる。その結果、トランジスタQ38A,Q38B,Q39A,Q39Bから成るフリップフロップ回路によって、ノードN32AのLレベル、ノードN32BのHレベルが保持されることになる。   Thus, when the node N32A becomes L level and the node N32B becomes H level, the transistor Q38A is turned on and the transistor Q38B is turned off in the pull-down holding unit 146. As a result, the flip-flop circuit composed of transistors Q38A, Q38B, Q39A, and Q39B holds the L level of node N32A and the H level of node N32B.

この単位シフトレジスタSR2の状態は、次のフレームで入力端子INに入力される信号(シフト信号GS1)がHレベルになるまで(図23の時刻t9まで)の約1フレーム期間継続される。 The state of the unit shift register SR 2 is continued for about one frame period until the signal (shift signal GS 1 ) input to the input terminal IN becomes H level in the next frame (until time t 9 in FIG. 23). The

以降、奇数フレームでは、単位シフトレジスタSR5〜SRmにおいても、上で説明した単位シフトレジスタSR1〜SR4と同様の動作が行われる。 Thereafter, in the odd-numbered frame, the same operation as that of the unit shift registers SR 1 to SR 4 described above is performed in the unit shift registers SR 5 to SR m .

その結果、単位シフトレジスタSR1〜SRmから、クロック信号CLKG1〜CLKG3,CLKS1〜CLKS3に同期して、ゲート線駆動信号Gおよびシフト信号GSが順番に(単位シフトレジスタSR1,SR2,…,SRmの順)活性化される。但し、奇数段のゲート線駆動信号G1,G3,G5,…においては、その活性期間(Hレベルの期間)の後にLレベルの電位下降(VSS2からVSS1への変化)が生じる。また偶数段のゲート線駆動信号G2,G4,G6,…においては、その活性期間の後にLレベルの電位上昇(VSS2からVSS3への変化)が生じる。 As a result, the gate line drive signal G and the shift signal GS are sequentially transmitted from the unit shift registers SR 1 to SR m in synchronization with the clock signals CLKG 1 to CLKG 3 and CLKS 1 to CLKS 3 (unit shift registers SR 1 , SR 2 ,. , SR m in this order) are activated. However, in the odd-stage gate line drive signals G 1 , G 3 , G 5 ,..., An L level potential drop (change from VSS2 to VSS1) occurs after the active period (H level period). In the even-numbered gate line drive signals G 2 , G 4 , G 6 ,..., An L level potential rise (change from VSS2 to VSS3) occurs after the active period.

そして偶数フレームに移行するとき、時刻t7で極性制御信号VFRがLレベル、極性制御信号/VFRがHレベルに切り換わる。このとき各単位シフトレジスタSRのノードN32A,N32Bのレベルは、プルダウン制御信号保持部146により保持されているので、ゲート線駆動信号G1〜Gnのレベル変化はない。 And when moving to an even frame, the polarity control signal VFR is L level, the polarity control signal / VFR switched to H level at time t 7. At this time, since the levels of the nodes N32A and N32B of each unit shift register SR are held by the pull-down control signal holding unit 146, the level of the gate line drive signals G 1 to G n does not change.

先に述べたように、単位シフトレジスタSR1におけるノードN32AのHレベル、ノードN32BのLレベルは、次の偶数フレームでスタート信号STがHレベルになる時刻t8まで保持される。この状態は、上記時刻t3の前の単位シフトレジスタSR2と同じ状態である。従って時刻t8以降の単位シフトレジスタSR1の動作は、上で説明した時刻t3以降の単位シフトレジスタSR2と同様になる。 As mentioned earlier, the H level of the node N32A in the unit shift register SR 1, L level of the node N32B is the start signal ST in the next even frame is maintained until time t 8 becomes H level. This state is the same as that of the unit shift register SR 2 before the time t 3 . Accordingly, the operation of the unit shift register SR 1 after time t 8 is the same as that of the unit shift register SR 2 after time t 3 described above.

従って図23の如く、ゲート線駆動信号G1は、次にクロック信号CLKG1がHレベルになる時刻t9でHレベル(VDD)になり、クロック信号CLKG1がLレベルになる時刻t10でLレベル(VSS2)になる。そして単位シフトレジスタSR3が出力するシフト信号GS3がHレベルになる時刻t11で、ゲート線駆動信号G1のLレベルの電位はVSS2からVSS3へと変化(上昇)する。 Therefore, as shown in FIG. 23, the gate line drive signal G 1 becomes H level (VDD) at time t 9 when the clock signal CLKG 1 next becomes H level, and becomes L level at time t 10 when the clock signal CLKG 1 becomes L level. (VSS2). The shift signal GS 3 the unit shift register SR 3 outputs is at time t 11 becomes H level, L level of the potential of the gate line drive signal G 1 is to vary (increase) to VSS3 from VSS2.

一方、単位シフトレジスタSR2におけるノードN32AのLレベル、ノードN32BのHレベルは、次の偶数フレームでシフト信号GS1がHレベルになる時刻t9まで保持される。この状態は、上記時刻t2の前の単位シフトレジスタSR1と同じ状態である。従って時刻t9以降の単位シフトレジスタSR2の動作は、上で説明した時刻t2以降の単位シフトレジスタSR1と同様になる。 On the other hand, L level, H level of the node N32B node N32A in the unit shift register SR 2 is shifted signal GS 1 with the next even frame is maintained until time t 9 becomes H level. This state is the same as that of the unit shift register SR 1 before the time t 2 . Therefore, the operation of the unit shift register SR 2 after time t 9 is the same as that of the unit shift register SR 1 after time t 2 described above.

従って図23の如く、ゲート線駆動信号G2は、次にクロック信号CLKG2がHレベルになる時刻t10でHレベル(VDD)になり、クロック信号CLKG2がLレベルになる時刻t11でLレベル(VSS2)になる。そして単位シフトレジスタSR4が出力するシフト信号GS4がHレベルになる時刻t12で、ゲート線駆動信号G2のLレベルの電位はVSS2からVSS1へと変化(下降)する。 Therefore, as shown in FIG. 23, the gate line drive signal G 2 becomes H level (VDD) at time t 10 when the clock signal CLKG 2 next becomes H level, and becomes L level at time t 11 when the clock signal CLKG 2 becomes L level. (VSS2). The shift signal GS 4 the unit shift register SR 4 outputs is at time t 12 becomes H level, L level of the potential of the gate line drive signal G 2 is changed to VSS1 from VSS2 (descending).

このように、偶数フレームの場合には奇数フレームの場合に対して、偶数段と奇数段とで単位シフトレジスタSR内部の動作が入れ代わることになる。つまり、偶数フレームでも、単位シフトレジスタSR1,SR2,…,SRmがこの順にゲート線駆動信号Gおよびシフト信号GSを活性化させることには変わりはないが、奇数段のゲート線駆動信号G1,G3,G5,…には、その活性期間の後にLレベルの電位上昇(VSS2からVSS3への変化)が生じ、偶数段のゲート線駆動信号G2,G4,G6,…には、その活性期間の後に、Lレベルの電位下降(VSS2からVSS1への変化)が生じる。 As described above, in the case of the even frame, the operation in the unit shift register SR is interchanged between the even stage and the odd stage as compared to the case of the odd frame. That is, even in an even frame, the unit shift registers SR 1 , SR 2 ,..., SR m still activate the gate line driving signal G and the shift signal GS in this order, but the odd-numbered gate line driving signals are not changed. In G 1 , G 3 , G 5 ,..., An L level potential rise (change from VSS 2 to VSS 3) occurs after the active period, and even-numbered gate line drive signals G 2 , G 4 , G 6 ,. In ..., an L-level potential drop (change from VSS2 to VSS1) occurs after the active period.

以下、画素の容量結合駆動の作用・効果について説明する。ここでは図19に示すゲート線GL1に注目する。奇数フレームにおけるゲート線駆動信号G1の活性期間(図23の時刻t3〜時刻t4)では、画素P11〜P1rそれぞれの画素スイッチ素子(以下「画素トランジスタ」)26がオンになり、データ線DL1〜DLmから画素P11〜P1rの各画素電極Npに表示信号(表示データ)が書き込まれる。本実施の形態では、奇数フレームにおける画素P11〜P1rの各画素電極Npには、正極性の表示データVD(+)が書き込まれる。画素P11〜P1rの保持容量素子27それぞれの一端はゲート線GL2に接続されており、図23の如く、このときのゲート線GL2(ゲート線駆動信号G2)は電位VSS2のLレベルとなっている。 Hereinafter, operations and effects of capacitive coupling driving of the pixel will be described. Here, attention is paid to the gate line GL 1 shown in FIG. In the active period (time t 3 to time t 4 in FIG. 23) of the gate line driving signal G 1 in the odd frame, the pixel switch elements (hereinafter “pixel transistors”) 26 of the pixels P 11 to P 1r are turned on, Display signals (display data) are written from the data lines DL 1 to DL m to the pixel electrodes Np of the pixels P 11 to P 1r . In the present embodiment, positive display data VD (+) is written to each pixel electrode Np of the pixels P 11 to P 1r in the odd frame. Pixel P 11 storage capacitor 27 of each end of the to P 1r is connected to the gate line GL 2, as shown in FIG. 23, the gate line GL 2 (gate line drive signal G 2) at this time is L potential VSS2 It is a level.

そして時刻t4で画素P11〜P1rの画素電極Npへの書き込みが終わり、ゲート線駆動信号G1が電位VSS2のLレベルになると、画素P11〜P1rそれぞれの画素トランジスタ26がオフになり、画素P11〜P1rの画素電極Npはデータ線DL1から分離され、フローティング状態になる。 When the writing of the pixels P 11 to P 1r to the pixel electrode Np is completed at time t 4 and the gate line drive signal G 1 becomes the L level of the potential VSS2, the pixel transistors 26 of the pixels P 11 to P 1r are turned off. Thus, the pixel electrodes Np of the pixels P 11 to P 1r are separated from the data line DL 1 and are in a floating state.

時刻t4では、続いてゲート線駆動信号G2が電位VDDのHレベルになる。画素P11〜P1rの画素電極Npは保持容量素子27を介してデータ線DL2と容量結合しているため、ゲート線駆動信号G2の電位が上昇すると、その上昇分が所定の比率(画素電極Npに付随する寄生容量値と保持容量素子27の容量値との比で決まる)で画素P11〜P1rの画素電極Npの電位を上昇させる。 At time t 4 , the gate line drive signal G 2 subsequently becomes the H level of the potential VDD. Since the pixel electrodes Np of the pixels P 11 to P 1r are capacitively coupled to the data line DL 2 via the storage capacitor element 27, when the potential of the gate line drive signal G 2 rises, the rise is a predetermined ratio ( The potential of the pixel electrodes Np of the pixels P 11 to P 1r is increased by a ratio of the parasitic capacitance value associated with the pixel electrode Np and the capacitance value of the storage capacitor element 27).

時刻t5で、ゲート線駆動信号G2が電位VSS2のLレベルに戻る。ゲート線駆動信号G2の電位の下降の大きさは、上記時刻t4におけるゲート線駆動信号G2の上昇の大きさと同じであるので、画素P11〜P1rの画素電極Npのレベルはデータ書き込み時のレベルに戻る。このように時刻t4〜t5の間、画素P11〜P1rの画素電極Npの画素電極の電位が上昇するが、液晶素子28の応答速度はそれほど速くないため、このような短期間(1H)の電位変化は画面表示には影響しない。 At time t 5 , the gate line drive signal G 2 returns to the L level of the potential VSS2. The size of the descent of the gate line drive signal G 2 potential are the same as the size of the increase of the gate line drive signal G 2 in the time t 4, the level of the pixel P 11 to P 1r of the pixel electrode Np data Return to the level at the time of writing. As described above, the potentials of the pixel electrodes Np of the pixels P 11 to P 1r rise between the times t 4 to t 5 , but the response speed of the liquid crystal element 28 is not so fast, and thus such a short period ( The potential change of 1H) does not affect the screen display.

そして時刻t6で、ゲート線駆動信号G2のLレベルの電位がVSS2からVSS3に上昇すると、この上昇分が所定の比率で画素P11〜P1rの画素電極Npの電位を上昇させる。このとき画素P11〜P1rの画素電極Npに書き込まれているのは正極性の表示データVD(+)であるので、画素P11〜P1rの画素電極Npの電位が上昇することにより表示信号は増幅されることになる。その後は次のフレームまでゲート線駆動信号G2の電位は変化しないので、画素P11〜P1rの画素電極Npのレベルは、データ書き込み時よりも所定の電位だけ高く維持される。 Then at time t 6, when the L-level potential of the gate line drive signal G 2 rises VSS3 from VSS2, the rise raises the potential of the pixel P 11 to P 1r pixel electrode Np in a predetermined ratio. Because what is written in the time the pixel P 11 to P 1r pixel electrode Np is a positive polarity of the display data VD (+), the display by the potential of the pixel P 11 to P 1r pixel electrode Np rises The signal will be amplified. Since then is no potential of the gate line drive signal G 2 to the next frame changes, the level of the pixel P 11 to P 1r of the pixel electrode Np is kept high by a predetermined potential than the time of data writing.

そして次のフレーム(偶数フレーム)におけるゲート線駆動信号G1の活性期間(時刻t9〜時刻t10)においては、データ線DL1〜DLmから画素P11〜P1rの各画素電極Npに、負極性の表示データVD(−)が書き込まれる。図23の如く、このときのゲート線GL2(ゲート線駆動信号G2)は電位VSS2のLレベルとなっている。 In the active period (time t 9 to time t 10 ) of the gate line driving signal G 1 in the next frame (even frame), the data lines DL 1 to DL m are connected to the pixel electrodes Np of the pixels P 11 to P 1r. The negative display data VD (−) is written. As shown in FIG. 23, the gate line GL 2 (gate line drive signal G 2 ) at this time is at the L level of the potential VSS2.

そして時刻t10で画素P11〜P1rの画素電極Npへの書き込みが終わり、ゲート線駆動信号G1が電位VSS2のLレベルになると、画素P11〜P1rそれぞれの画素トランジスタ26がオフになり、画素P11〜P1rの画素電極Npはデータ線DL1から分離され、フローティング状態になる。また時刻t10では、続いてゲート線駆動信号G2が電位VDDのHレベルになる。このゲート線駆動信号G2の電位上昇分は、所定の比率で画素P11〜P1rの画素電極Npの電位を上昇させる。 When the writing of the pixels P 11 to P 1r to the pixel electrode Np is completed at time t 10 and the gate line drive signal G 1 becomes the L level of the potential VSS2, the pixel transistors 26 of the pixels P 11 to P 1r are turned off. Thus, the pixel electrodes Np of the pixels P 11 to P 1r are separated from the data line DL 1 and are in a floating state. At time t 10 , the gate line drive signal G 2 subsequently becomes the H level of the potential VDD. The gate line potential rise of the drive signal G 2 is, increasing the potential of the pixel P 11 to P 1r pixel electrode Np in a predetermined ratio.

時刻t11で、ゲート線駆動信号G2が電位VSS2のLレベルに戻る。ゲート線駆動信号G2の電位の下降の大きさは、上記時刻t10におけるゲート線駆動信号G2の上昇の大きさと同じであるので、画素P11〜P1rの画素電極Npのレベルはデータ書き込み時のレベルに戻る。 At time t 11, the gate line drive signal G 2 returns to the L level potential VSS2. The size of the descent of the gate line drive signal G 2 potential are the same as the size of the increase of the gate line drive signal G 2 at the time t 10, the level of the pixel P 11 to P 1r of the pixel electrode Np data Return to the level at the time of writing.

そして時刻t12で、ゲート線駆動信号G2のLレベルの電位がVSS2からVSS1に下降すると、この下降分が所定の比率で画素P11〜P1rの画素電極Npの電位を下降させる。このとき画素P11〜P1rの画素電極Npに書き込まれているのは負極性の表示データVD(−)であるので、画素P11〜P1rの画素電極Npの電位が下降することにより表示信号は増幅されることになる。その後は次のフレームまでゲート線駆動信号G2の電位は変化しないので、画素P11〜P1rの画素電極Npのレベルは、データ書き込み時よりも所定の電位だけ低く維持される。 At time t 12 , when the L level potential of the gate line drive signal G 2 falls from VSS 2 to VSS 1, the fall amount lowers the potentials of the pixel electrodes Np of the pixels P 11 to P 1r at a predetermined ratio. It is what is written in the time the pixel P 11 to P 1r pixel electrode Np negative polarity display data VD (-) because it is, displayed by the potential of the pixel P 11 to P 1r pixel electrode Np is lowered The signal will be amplified. Since then are not the potential change the gate line drive signal G 2 to the next frame, the level of the pixel P 11 to P 1r of the pixel electrode Np is maintained than when the data is written by a predetermined potential low.

ここでは代表的にゲート線GL1を用いて駆動される画素P11〜P1rの容量結合駆動について説明したが、それ以外の画素Pについても同様の動作が行われる。 Here, the capacitive coupling driving of the pixels P 11 to P 1r driven by using the gate line GL 1 is described as a representative, but the same operation is performed for the other pixels P.

以上のように、画素の容量結合駆動を行うことによって、表示信号の増幅効果が得られるので、データ線(ソース線)に供給する表示信号の振幅を小さくすることができ、データ線で消費される電力を低減させることができる。   As described above, the display signal amplification effect can be obtained by performing capacitive coupling driving of the pixels, so that the amplitude of the display signal supplied to the data line (source line) can be reduced and consumed by the data line. Power can be reduced.

なお上での説明は省略したが、ダミーシフトレジスタSRm+1は、単位シフトレジスタSR1〜SRmとほぼ同様な動作を行う。つまりその第2出力端子OUTSから出力されるシフト信号GSm+1は、2段前段の単位シフトレジスタSRm-1をリセット状態にするのに用いられ、第1出力端子OUTから出力される駆動信号Gm+1は、画素Pm1〜Pmrの容量結合駆動に用いられる。 Although not described above, the dummy shift register SR m + 1 performs substantially the same operation as the unit shift registers SR 1 to SR m . In other words, the shift signal GS m + 1 output from the second output terminal OUTS is used to reset the unit shift register SR m-1 in the preceding two stages and is output from the first output terminal OUT. The signal G m + 1 is used for capacitive coupling driving of the pixels P m1 to P mr .

またダミーシフトレジスタSRm+2は、専らダミーシフトレジスタSRm+2をリセット状態にする目的で設けられている。そのためダミーシフトレジスタSRm+2は第2出力端子OUTSからシフト信号GSm+2を出力できればよく、そのシフト信号GSm+2はダミーシフトレジスタSRm+1のリセット端子に入力される。よって、ダミーシフトレジスタSRm+2は、第1出力端子OUTおよびそのLレベルの電位を決定するための第1および第2極性制御端子CTA,CTBを有する必要はない。本実施の形態のダミーシフトレジスタSRm+2ではそれらが省略されている。 The dummy shift register SR m + 2 is provided only for the purpose of setting the dummy shift register SR m + 2 in a reset state. Therefore, the dummy shift register SR m + 2 only needs to be able to output the shift signal GS m + 2 from the second output terminal OUTS, and the shift signal GS m + 2 is input to the reset terminal of the dummy shift register SR m + 1 . Therefore, the dummy shift register SR m + 2 does not need to have the first output terminal OUT and the first and second polarity control terminals CTA and CTB for determining the L level potential. In the dummy shift register SR m + 2 of the present embodiment, they are omitted.

このように本実施の形態の単位シフトレジスタによれば、画素の容量結合駆動を行うことが可能であり、且つ全て同一導電型のトランジスタのみで構成することができる。そのため、当該単位シフトレジスタを用いて構成したゲート線駆動回路を画素と同一の基板上に形成する場合における製造工程数を抑えることができる。その結果、容量結合駆動による画像表示装置の低消費電力化に加え、低コスト化およびゲート線駆動回路の占有面積の縮小化に寄与できる。   As described above, according to the unit shift register of this embodiment, it is possible to perform capacitive coupling driving of pixels, and it is possible to configure only with transistors of the same conductivity type. Therefore, it is possible to reduce the number of manufacturing steps when the gate line driver circuit configured using the unit shift register is formed over the same substrate as the pixel. As a result, in addition to the reduction in power consumption of the image display device by capacitive coupling driving, it is possible to contribute to cost reduction and reduction of the area occupied by the gate line driving circuit.

なお図21の回路において、トランジスタQ36A,Q40Aは、ゲート、ソースおよびドレインの全てが共通であるので、そのどちらかを省略してもよい。同様にトランジスタQ36B,Q40Bは、ゲート、ソースおよびドレインの全てが共通であるので、そのどちらかを省略してもよい。図21においては、第1および第2プルダウン制御部144,145並びにプルダウン保持部146それぞれの機能の説明を容易にする目的で、トランジスタQ36A,Q40Aの両方、およびトランジスタQ36B,Q40Bの両方を備える構成を示した。   In the circuit of FIG. 21, the transistors Q36A and Q40A all have the same gate, source, and drain, and either of them may be omitted. Similarly, since the transistors Q36B and Q40B all have the same gate, source and drain, either of them may be omitted. In FIG. 21, for the purpose of facilitating the explanation of the functions of the first and second pull-down control units 144 and 145 and the pull-down holding unit 146, both the transistors Q36A and Q40A and the transistors Q36B and Q40B are provided. showed that.

また本実施の形態では、各画素Pの画素電極Npは、その画素Pに対応するゲート線GLの次段のゲート線GLに保持容量素子27を介して容量結合されている。つまり各画素Pの容量結合駆動は、その次段のゲート線GLを駆動するゲート線駆動信号Gを用いて行われる。よって第1行目の画素ラインは、他の画素Pの容量結合駆動には用いられない。従って、ゲート線駆動信号G1のLレベルの変化のLレベルは一定電位であってもよい。 In the present embodiment, the pixel electrode Np of each pixel P is capacitively coupled to the gate line GL at the next stage of the gate line GL corresponding to the pixel P via the storage capacitor element 27. That is, capacitive coupling driving of each pixel P is performed using the gate line driving signal G for driving the next-stage gate line GL. Therefore, the pixel line in the first row is not used for capacitive coupling driving of the other pixels P. Therefore, the L level of the change in the L level of the gate line drive signal G 1 may be a constant potential.

さらに本実施の形態では、各画素の容量結合駆動(画素電極Npに書き込まれた表示信号のレベル変化)を行うタイミングを、その2段後段のゲート線GLが活性化されるときとした。つまり、各単位シフトレジスタSRのリセット端子RSTに入力される信号を、自己の2段後段のシフト信号GSとした。しかし容量結合駆動のタイミングはそれに限られない。当該タイミングは、画素の画素電極Npに表示信号を書き込み、画素トランジスタ26がオフになった後であればよいので、3段以上後段のゲート線GLが活性化するタイミングであってもよい。   Furthermore, in the present embodiment, the timing for performing capacitive coupling driving of each pixel (change in the level of the display signal written to the pixel electrode Np) is when the gate line GL in the second stage is activated. That is, the signal input to the reset terminal RST of each unit shift register SR is the shift signal GS in the second stage after itself. However, the timing of capacitive coupling driving is not limited thereto. The timing may be after the display signal is written to the pixel electrode Np of the pixel and the pixel transistor 26 is turned off. Therefore, the timing may be the timing at which the gate line GL at three or more stages is activated.

例えば、3段後段のゲート線GLが活性化されるタイミングでもよく、その場合には各単位シフトレジスタSRのリセット端子RSTには、自己の3段後段のシフト信号GSを入力させればよい。但しその場合、本実施の形態のように多段のシフトレジスタを3相のクロック信号(クロック信号CLKG1〜CLKG3およびクロック信号CLKS1〜CLKS3)を用いて駆動すると、単位シフトレジスタSRのリセット端子RSTがHレベルになるのと同時(即ちトランジスタQ31,Q31Sが完全にオフする前)に第1クロック端子CK1のクロック信号が活性化されるため、ゲート線駆動信号Gおよびシフト信号GSに誤信号が生じる。よってこの場合には、多段の単位シフトレジスタSRを4相以上のクロック信号を用いて駆動する必要がある。つまり、各画素の容量結合駆動を、そのn段後のゲート線GLが活性化されるタイミングで行う場合には、n+1相以上のクロック信号が必要となる。クロック信号の数を増加させる場合、外部入力端子の数や、クロック配線の形成面積が増大することに留意すべきである。   For example, the timing when the gate line GL at the third stage is activated may be used. In this case, the shift signal GS at the third stage after the third stage may be input to the reset terminal RST of each unit shift register SR. However, in this case, when the multi-stage shift register is driven using the three-phase clock signals (clock signals CLKG1 to CLKG3 and clock signals CLKS1 to CLKS3) as in the present embodiment, the reset terminal RST of the unit shift register SR becomes H Since the clock signal of the first clock terminal CK1 is activated at the same time as the level is reached (that is, before the transistors Q31 and Q31S are completely turned off), an error signal is generated in the gate line drive signal G and the shift signal GS. Therefore, in this case, it is necessary to drive the multistage unit shift register SR using a clock signal having four or more phases. That is, when the capacitive coupling drive of each pixel is performed at the timing when the gate line GL after n stages is activated, a clock signal of n + 1 phase or more is required. When increasing the number of clock signals, it should be noted that the number of external input terminals and the formation area of the clock wiring increase.

<実施の形態8>
実施の形態8では、本発明をコモン交流駆動を行う表示装置に適用した例を示す。図25は実施の形態8に係る液晶表示装置である表示装置10Eの構成を示す概略ブロック図である。当該表示装置10Eは、コモン電極(共通電極)の電位を交流的に変化させるコモン交流駆動を行う。
<Eighth embodiment>
Embodiment 8 shows an example in which the present invention is applied to a display device that performs common AC driving. FIG. 25 is a schematic block diagram showing a configuration of a display device 10E which is a liquid crystal display device according to the eighth embodiment. The display device 10E performs common AC driving in which the potential of the common electrode (common electrode) is changed in an AC manner.

本実施の形態では図25のように、液晶アレイ部15の片側(左側)にゲート線駆動回路11が配設され、もう片側(右側)に共通電極線駆動回路13が配設されている。これらゲート線駆動回路11並びに共通電極線駆動回路13は共に、画素25と同様に絶縁基板上に形成したTFTを用いて構成されている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 25, the gate line driving circuit 11 is disposed on one side (left side) of the liquid crystal array unit 15, and the common electrode line driving circuit 13 is disposed on the other side (right side). Both the gate line driving circuit 11 and the common electrode line driving circuit 13 are configured by using TFTs formed on an insulating substrate like the pixels 25.

このゲート線駆動回路11と共通電極線駆動回路13の配置は一例を示しており、例えばゲート線駆動回路11と共通電極線駆動回路13を一体化させて、液晶アレイ部15の片側のみ(左側あるいは右側のみ)に配設してもよい。ゲート線駆動回路11と共通電極線駆動回路13を一体化した回路(一体化回路)を使用する場合、一体化回路の単位回路のピッチが画素25のピッチよりも大きくなるときには、一体化回路を液晶アレイ部15の両側に配設し、例えば奇数行の画素を左側の一体化回路で駆動し、偶数行の画素を右側の一体化回路で駆動するとよい。   The arrangement of the gate line driving circuit 11 and the common electrode line driving circuit 13 shows an example. For example, the gate line driving circuit 11 and the common electrode line driving circuit 13 are integrated, and only one side of the liquid crystal array unit 15 (the left side) Alternatively, it may be disposed only on the right side). When a circuit in which the gate line driving circuit 11 and the common electrode line driving circuit 13 are integrated (integrated circuit) is used, when the unit circuit pitch of the integrated circuit is larger than the pitch of the pixels 25, the integrated circuit is For example, the odd-numbered pixels may be driven by the left integrated circuit, and the even-numbered pixels may be driven by the right integrated circuit.

本実施の形態のゲート線駆動回路11の基本的な動作は、実施の形態1で図4に示したものと同様である。但し、図25のゲート線駆動回路11には、最後段(第m段目)に続けてさらに1段のダミーシフトレジスタSRm+1が設けられている。ダミーシフトレジスタSRm+1の出力信号Gm+1はゲート線GLを駆動しないが、通常のゲート線駆動信号G1〜Gmと同質の信号であるので、「駆動信号Gm+1」と称する。また図25の駆動制御回路110(レベルシフタ111を含む)は、図4に示したものと同様のものでよい。 The basic operation of the gate line driving circuit 11 of this embodiment is the same as that shown in FIG. 4 in the first embodiment. However, the gate line driving circuit 11 of FIG. 25 is further provided with a dummy shift register SR m + 1 of one stage following the last stage (m-th stage). Output signals G m + 1 of the dummy shift register SR m + 1 does not drive the gate lines GL, since the usual gate line drive signal G 1 ~Gm the same quality of the signal, the "drive signal G m + 1" Called. The drive control circuit 110 (including the level shifter 111) in FIG. 25 may be the same as that shown in FIG.

液晶アレイ部15の各画素25は、実施の形態1と同様に、ゲート線GLとデータ線DLとの交点近傍に配設されている。図25では、第1行、第2行および最終行のゲート線GL1,GL2,GLmと、第1列および第2列のデータ線DL1、DL2と、それらの交点に配設された6つの画素25とを代表的に示している。また本実施の形態では、共通電極線COML1,COML2,…,COMLm(総称「共通電極線COML」)が、それぞれゲート線GL1,GL2,…,GLmに平行に配設される。これら共通電極線COML1,COML2,…,COMLmは、共通電極線駆動回路13が生成する共通電極線駆動信号COM1,COM2,…,COMm(総称「共通電極線駆動信号COM」)によってそれぞれ駆動される。なお図25ではゲート線GL1,GL2,GLmにそれぞれ対応した共通電極線COML1,COML2,COMLmを代表的に図示している。 Each pixel 25 of the liquid crystal array unit 15 is disposed in the vicinity of the intersection of the gate line GL and the data line DL, as in the first embodiment. In FIG. 25, the gate lines GL 1 , GL 2 , GL m of the first row, the second row, and the last row, the data lines DL 1 , DL 2 of the first column and the second column, and the intersections thereof are arranged. These six pixels 25 are representatively shown. In the present embodiment, the common electrode line COML 1, COML 2, ..., COML m (collectively, "the common electrode line COML") are respectively the gate lines GL 1, GL 2, ..., disposed in parallel to GL m The These common electrode lines COML 1 , COML 2 ,..., COML m are common electrode line drive signals COM 1 , COM 2,..., COM m (generic name “common electrode line drive signal COM”) generated by the common electrode line drive circuit 13. Respectively. Incidentally illustrates representatively the common electrode line COML 1, COML 2, COML m respectively corresponding to FIG. 25, gate lines GL 1, GL 2, GL m .

各画素25の構成は、図2に示したものとほぼ同じであるが、液晶素子28の一端である共通電極Ncが、共通電極線COMLに接続される点で異なっている。即ち、本実施の形態の画素25では、液晶素子28は、画素電極Npと共通電極線COMLとの間に接続される。   The configuration of each pixel 25 is substantially the same as that shown in FIG. 2 except that the common electrode Nc that is one end of the liquid crystal element 28 is connected to the common electrode line COML. That is, in the pixel 25 of the present embodiment, the liquid crystal element 28 is connected between the pixel electrode Np and the common electrode line COML.

なお図25の画素25では、保持容量素子27も液晶素子28と同様に画素電極Npと共通電極線COMLとの間に接続しているが、これはレイアウト設計上の観点によるものである。コモン交流駆動は、液晶素子28の一端である共通電極Nc(図2参照)の電位を変化させることで、当該液晶素子28にかかる電圧を調整する技術である。従って、保持容量素子27の一端(図2の保持電極Nh)は、必ずしも共通電極線COMLに接続する必要は無く、例えば所定のインピーダンスを有する定電位源に接続させてもよい。この場合、共通電極線COMLに保持容量素子27が接続しない分、共通電極線駆動回路13の負荷容量を低減することができる。但し、保持電極Nhを上記定電圧源に接続させるための配線が別途が必要となる。   In the pixel 25 of FIG. 25, the storage capacitor element 27 is also connected between the pixel electrode Np and the common electrode line COML in the same way as the liquid crystal element 28, but this is due to the layout design. Common AC driving is a technique for adjusting the voltage applied to the liquid crystal element 28 by changing the potential of the common electrode Nc (see FIG. 2), which is one end of the liquid crystal element 28. Therefore, one end of the storage capacitor element 27 (the storage electrode Nh in FIG. 2) is not necessarily connected to the common electrode line COML, and may be connected to a constant potential source having a predetermined impedance, for example. In this case, the load capacity of the common electrode line drive circuit 13 can be reduced by the amount that the storage capacitor element 27 is not connected to the common electrode line COML. However, a separate wiring for connecting the holding electrode Nh to the constant voltage source is required.

また本実施の形態に係る表示装置10Eもまた、本発明に係る分周回路20(図7)を備えており、当該分周回路20は、スタート信号STの2倍の周期を有する極性制御信号VFR,/VFRを共通電極線駆動回路13へと出力する。   The display device 10E according to the present embodiment also includes the frequency divider circuit 20 (FIG. 7) according to the present invention, and the frequency divider circuit 20 has a polarity control signal having a cycle twice that of the start signal ST. VFR and / VFR are output to the common electrode line drive circuit 13.

共通電極線駆動回路13は、所定のタイミングで共通電極線COML(共通電極線駆動信号COM)それぞれのレベルを変化させることにより、コモン交流駆動を行う。上記のとおりコモン交流駆動においては、一定周期で反転する表示データ信号の極性に対応させてコモン電極の電位を変化させる必要がある。よって共通電極線駆動回路13は、各共通電極線COMLのレベル(極性)を、それに対応する画素25に書き込まれる表示データ信号Dの極性に応じて変化させる必要がある。   The common electrode line driving circuit 13 performs common AC driving by changing the level of each common electrode line COML (common electrode line driving signal COM) at a predetermined timing. As described above, in common AC driving, it is necessary to change the potential of the common electrode in accordance with the polarity of the display data signal that is inverted at a constant period. Therefore, the common electrode line drive circuit 13 needs to change the level (polarity) of each common electrode line COML according to the polarity of the display data signal D written to the corresponding pixel 25.

上記の特許文献4にも示されるように、コモン交流駆動においてもゲートライン反転駆動およびフレーム反転駆動が可能である。例えば図25の表示装置10Eにおいて、奇数行と偶数行とで画素に書き込む表示データ信号Dの極性を反対にし、それをフレーム毎に反転させればゲートライン反転駆動となる。この場合、共通電極線駆動回路13は、各共通電極線COMLのレベルの極性を、表示データ信号Dの極性に応じて奇数行と偶数行とで反対になるように制御する。一方、全ての行の画素で書き込む表示データ信号Dを揃え、それをフレーム毎に反転させればフレーム反転駆動となる。この場合、各共通電極線COMLのレベル変化の方向も全て揃えられる。本実施の形態では、本発明をゲートライン反転駆動方式のコモン交流駆動、即ち、ライン毎独立コモン交流駆動に適用した場合について説明する。   As shown in Patent Document 4 above, gate line inversion driving and frame inversion driving are possible even in common AC driving. For example, in the display device 10E of FIG. 25, when the polarities of the display data signal D written to the pixels are reversed in the odd and even rows and inverted for each frame, the gate line inversion drive is performed. In this case, the common electrode line driving circuit 13 controls the polarity of the level of each common electrode line COML so that the odd rows and the even rows are opposite in accordance with the polarity of the display data signal D. On the other hand, if display data signals D to be written in pixels in all rows are aligned and inverted for each frame, frame inversion driving is performed. In this case, the direction of the level change of each common electrode line COML is all aligned. In the present embodiment, a case where the present invention is applied to gate line inversion driving type common AC driving, that is, line-by-line independent common AC driving will be described.

共通電極線駆動回路13は、画素25と同じ絶縁基板上に形成することを容易にするために、画素トランジスタ26と同一の導電型のトランジスタのみを用いて構成されることが望ましい。例えば、上記の特許文献3の図4及び図5に、同一導電型のトランジスタのみで形成されライン毎独立コモン交流駆動を行う駆動回路(共通電極線駆動回路13の単位回路に相当)およびその動作波形図が示されている。   The common electrode line driving circuit 13 is preferably configured using only a transistor having the same conductivity type as that of the pixel transistor 26 in order to facilitate formation on the same insulating substrate as the pixel 25. For example, FIG. 4 and FIG. 5 of the above-mentioned Patent Document 3 show a drive circuit (corresponding to a unit circuit of the common electrode line drive circuit 13) formed by only transistors of the same conductivity type and performing independent common AC drive for each line and its operation. A waveform diagram is shown.

同図4の駆動回路の出力信号OUTは、対応するゲート線が活性化される1H(水平周期)前、即ち対応する画素に表示データ信号が書き込まれる1H前に、そのレベルが変化して、共通電極CMの電圧を設定するものである。当該出力信号OUTは、正極性のHレベル(VCOMH)または負極性のLレベル(VCOML)をとる信号であり、そのレベルはフレーム毎に交番する。そのとき各出力信号OUTが何れのレベルになるかは、対応する画素に書き込まれる表示データ信号の極性に応じて設定される。具体的には、対応する画素に書き込まれる表示データ信号Dが正極性のときはLレベル(VCOML)にされ、負極性のときはHレベル(VCOMH)にされる。そうすることにより、画素に表示データ信号が書き込まれたときに液晶素子にかかる電圧が大きくなるので、表示データ信号の振幅を小さくすることができる。   The output signal OUT of the drive circuit shown in FIG. 4 changes its level 1H (horizontal period) before the corresponding gate line is activated, that is, 1H before the display data signal is written to the corresponding pixel. The voltage of the common electrode CM is set. The output signal OUT is a signal that takes a positive H level (VCOMH) or a negative L level (VCOML), and the level alternates every frame. At this time, the level of each output signal OUT is set according to the polarity of the display data signal written to the corresponding pixel. Specifically, when the display data signal D written to the corresponding pixel is positive, it is set to L level (VCOML), and when it is negative, it is set to H level (VCOMH). By doing so, the voltage applied to the liquid crystal element when the display data signal is written to the pixel is increased, so that the amplitude of the display data signal can be reduced.

特許文献3の図4の出力信号OUTのレベルは、同図に示す交流化信号M、MBに制御されている。この交流化信号M、MBは、互いに相補な信号であり、且つ前後するフレーム期間で逆のレベルをとるものである。すなわち、交流化信号M、MBに代えて、本発明に係る分周回路20が出力する極性制御信号VFR,/VFR(スタート信号STの2倍周期の信号)を用いることができる。そうすることにより、外部より交流化信号M、MBを供給する必要が無く、同一導電型のトランジスタのみで構成されたライン毎独立コモン交流駆動方式の表示装置を実現することができる。   The level of the output signal OUT in FIG. 4 of Patent Document 3 is controlled by the alternating signals M and MB shown in FIG. The alternating signals M and MB are complementary to each other and have opposite levels in the preceding and following frame periods. That is, instead of the alternating signals M and MB, polarity control signals VFR and / VFR (a signal having a cycle twice the start signal ST) output from the frequency dividing circuit 20 according to the present invention can be used. By doing so, it is not necessary to supply the AC signals M and MB from the outside, and a line-by-line independent common AC drive type display device constituted only by transistors of the same conductivity type can be realized.

なお特許文献3の形態では、その図5や図15に示されるように、ライン毎独立コモン交流駆動に用いられる交流化信号M、MBを2H周期で活性化する繰り返し信号とすることにより、共通電極のレベルを画素ライン毎に反転させている(交流化信号M、MBは、前後するフレームでゲート線駆動信号に対する位相が反転することによって、逆のレベルをとっている)。つまり、特許文献3の手法では、全ての単位回路として同図4の回路をそのまま用いれば、出力信号OUTのレベルが画素ライン毎(共通電極CM毎)に反転し、ライン毎独立コモン交流駆動が実現される。   In the form of Patent Document 3, as shown in FIGS. 5 and 15, the AC signals M and MB used for the line-by-line independent common AC drive are set to be repeated signals that are activated in a 2H cycle. The level of the electrode is inverted for each pixel line (the AC signals M and MB have the opposite levels because the phase with respect to the gate line driving signal is inverted in the preceding and following frames). That is, in the method of Patent Document 3, if the circuit of FIG. 4 is used as it is as all unit circuits, the level of the output signal OUT is inverted for each pixel line (for each common electrode CM), and independent common AC driving for each line is performed. Realized.

しかし交流化信号M,MBに代えて極性制御信号VFR,/VFRを用いる場合、それら極性制御信号VFR,/VFRはフレーム毎にしか反転しないので、画素ライン毎に極性を逆にしてコモン交流駆動を行うには、若干の回路変更が必要である。即ち、画素ライン毎(共通電極CM毎)に、同図4の回路に供給する極性制御信号VFR,/VFR(交流化信号M,MB)を逆にする、あるいは電圧VCOMH,VCOMLを逆にするなどして、極性制御信号VFR,/VFRが変化せずとも出力信号OUTのレベルが画素ライン毎に逆になるようにする必要がある。特許文献3の交流化信号M,MBを用いる場合と、本発明に係る極性制御信号VFR,/VFRを用いる場合とでは、レベル変化の周期が長い(周波数が低い)分、極性制御信号VFR,/VFRを用いた場合の方が消費電力の削減を図ることができる。   However, when the polarity control signals VFR and / VFR are used instead of the AC signals M and MB, the polarity control signals VFR and / VFR are inverted only for each frame, so the polarity is reversed for each pixel line and the common AC drive is performed. To do this, some circuit changes are required. That is, for each pixel line (for each common electrode CM), the polarity control signals VFR, / VFR (alternating signals M, MB) supplied to the circuit of FIG. 4 are reversed, or the voltages VCOMH, VCOML are reversed. Thus, the level of the output signal OUT needs to be reversed for each pixel line even if the polarity control signals VFR and / VFR do not change. In the case of using the alternating signals M and MB of Patent Document 3 and the case of using the polarity control signals VFR and / VFR according to the present invention, the polarity control signal VFR, The power consumption can be reduced when / VFR is used.

なお、フレーム反転駆動の場合には、全ての共通電極CMの極性は揃えられるので、極性制御信号VFR,/VFRを用いた場合でも、全ての共通電極CMに対応する単位回路として同図4の回路をそのまま用いればよい。   In the case of frame inversion driving, the polarities of all the common electrodes CM are made uniform, so even when the polarity control signals VFR and / VFR are used, unit circuits corresponding to all the common electrodes CM are shown in FIG. The circuit may be used as it is.

<実施の形態9>
上記したように、特許文献3には、共通電極線駆動回路13に適用可能な単位回路の例が示されているが、実施の形態9においては、本発明者が考案した共通電極線駆動回路13について説明する。ここでも、ライン毎独立コモン交流駆動に適用した例について説明する。
<Embodiment 9>
As described above, Patent Document 3 shows an example of a unit circuit applicable to the common electrode line driving circuit 13, but in the ninth embodiment, the common electrode line driving circuit devised by the present inventor is disclosed. 13 will be described. Here again, an example applied to line-by-line independent common AC driving will be described.

図26および図27は、共通電極線COMLの駆動(コモン交流駆動)を行うための共通電極線駆動回路13の構成を説明するための回路図である。共通電極線駆動回路13は、共通電極線COMLのそれぞれを駆動する複数の単位回路から成っている。図26は奇数番目の画素ライン(奇数行)に接続する共通電極線COMLを駆動する単位回路であり、図27は偶数番目の画素ライン(偶数行)に接続する共通電極線COMLを駆動する単位回路である。図26及び図27から分かるように、共通電極線駆動回路13の単位回路は、実施の形態4の容量線駆動回路12の単位回路(図14及び図15)と同じ構成の回路で実現できる。   26 and 27 are circuit diagrams for explaining the configuration of the common electrode line driving circuit 13 for driving the common electrode line COML (common AC driving). The common electrode line drive circuit 13 includes a plurality of unit circuits that drive each of the common electrode lines COML. 26 shows a unit circuit for driving the common electrode line COML connected to the odd-numbered pixel lines (odd rows), and FIG. 27 shows a unit for driving the common electrode line COML connected to the even-numbered pixel lines (even rows). Circuit. As can be seen from FIGS. 26 and 27, the unit circuit of the common electrode line drive circuit 13 can be realized by a circuit having the same configuration as the unit circuit (FIGS. 14 and 15) of the capacitor line drive circuit 12 of the fourth embodiment.

図25に示したように、共通電極線駆動回路13は、ゲート線駆動信号G1〜Gm、クロック信号CLK,/CLK、極性制御信号VFR,/VFRが入力され、それらの信号に基づいて共通電極線COMLを駆動するための共通電極線駆動信号COM1〜COMmを生成する。共通電極線駆動回路13には、電源電位として、高電位側電源電位VDDおよび低電位側電源電位VSSの他に、共通電極線駆動信号COMのHレベル、Lレベルをそれぞれ規定する電位VCOMH,VCOMLが供給される。 As shown in FIG. 25, the common electrode line driving circuit 13 receives gate line driving signals G 1 to Gm, clock signals CLK and / CLK, and polarity control signals VFR and / VFR, and is based on these signals. Common electrode line drive signals COM 1 to COM m for driving the electrode lines COML are generated. In the common electrode line driving circuit 13, in addition to the high potential side power supply potential VDD and the low potential side power supply potential VSS, the potentials VCOMH and VCOML that respectively define the H level and the L level of the common electrode line drive signal COM as the power supply potential. Is supplied.

以下では、奇数行のゲート線駆動信号(G1,G3,…,Gn,…)はクロック信号CLKに同期して活性化し、偶数行のゲート線駆動信号(G2,G4,…,Gn-1,…)はクロック信号/CLKに同期して活性化するものと仮定する。そして図26及び図27の如く、奇数行の単位回路のクロック端子CK300にはクロック信号CLKが入力され、偶数行の単位回路のクロック端子CK300にはクロック信号/CLKが入力されているものとして説明する。 In the following description, the odd-numbered gate line drive signals (G 1 , G 3 ,..., G n ,...) Are activated in synchronization with the clock signal CLK, and the even-numbered gate line drive signals (G 2 , G 4 ,. , G n−1 ,...) Are assumed to be activated in synchronization with the clock signal / CLK. 26 and 27, it is assumed that the clock signal CLK is input to the clock terminal CK300 of the odd-numbered unit circuit, and the clock signal / CLK is input to the clock terminal CK300 of the even-numbered unit circuit. To do.

まず奇数行の単位回路について説明する。図26には、代表的に第n行目(nは奇数)の単位回路が示されている。   First, the unit circuits in the odd rows will be described. FIG. 26 typically shows a unit circuit in the n-th row (n is an odd number).

図26に示すように、当該単位回路は、同一導電型のトランジスタのみを用いて構成されており、共通電極線駆動信号COMnの極性を決定するための極性切換回路と、極性切換回路からの極性切換信号PC,/PCのレベルを保持し、それらのレベルを1フレーム間低インピーダンスで保持するためのレベル保持回路と、当該極性切換信号PC,/PCをより高い駆動能力を持つ共通電極線駆動信号COMnに変換して出力する出力回路とから成っている。ここでは図25の画素25と同様にN型トランジスタを用いて構成した例を示しているが、もちろんP型トランジスタを用いて構成することも可能である。 As shown in FIG. 26, the unit circuit is configured using only transistors of the same conductivity type, and a polarity switching circuit for determining the polarity of the common electrode line drive signal COM n , A level holding circuit for holding the levels of the polarity switching signals PC and / PC and holding them at a low impedance for one frame, and a common electrode line having a higher driving capability for the polarity switching signals PC and / PC And an output circuit that converts the drive signal COM n to output. Here, an example is shown in which an N-type transistor is used in the same manner as the pixel 25 in FIG. 25, but it is of course possible to use a P-type transistor.

図26の如く当該単位回路の出力回路は、共通電極線駆動信号COMnの出力端子OUT300に、共通電極線駆動信号COMnのHレベルの電位VCOMHを供給するトランジスタQ309と、当該出力端子OUT300に、共通電極線駆動信号COMnのLレベルの電位VCOMLを供給するトランジスタQ310とを備えている。即ち、トランジスタQ309は、電位VCOMHが供給される電源端子S304と出力端子OUT300との間に接続し、トランジスタQ310は、電位VCOMLが供給される電源端子S303と出力端子OUT300との間に接続している。トランジスタQ309のゲート、及びトランジスタQ310のゲートが接続するノードをそれぞれノードN301,N302と定義する。 As shown in FIG. 26, the output circuit of the unit circuit includes a transistor Q309 that supplies an H level potential VCOMH of the common electrode line drive signal COM n to the output terminal OUT300 of the common electrode line drive signal COM n , and an output terminal OUT300. , and a supply transistor Q310 the L level potential VCOML of the common electrode line drive signal COM n. That is, the transistor Q309 is connected between the power supply terminal S304 supplied with the potential VCOMH and the output terminal OUT300, and the transistor Q310 is connected between the power supply terminal S303 supplied with the potential VCOML and the output terminal OUT300. Yes. Nodes connected to the gate of the transistor Q309 and the gate of the transistor Q310 are defined as nodes N301 and N302, respectively.

極性切換回路は、入力端子IN301に入力されるゲート線駆動信号Gn-1に応じて、ノードN301,N302にそれぞれ極性制御信号VFR,/VFRを供給するものである。極性切換回路は、極性制御信号VFRが入力される入力端子IN302とノードN301との間に接続したトランジスタQ301と、極性制御信号/VFRが入力される入力端子IN103とノードN302との間に接続したトランジスタQ302とから成っており、それらトランジスタQ301,Q302のゲートは共に、ゲート線駆動信号Gn-1が入力される入力端子IN301に接続される。 The polarity switching circuit supplies polarity control signals VFR and / VFR to the nodes N301 and N302, respectively, in accordance with the gate line drive signal G n−1 input to the input terminal IN301. The polarity switching circuit is connected between the input terminal IN302 to which the polarity control signal VFR is input and the node N301, and between the input terminal IN103 to which the polarity control signal / VFR is input and the node N302. The gates of these transistors Q301 and Q302 are both connected to an input terminal IN301 to which a gate line drive signal Gn-1 is input.

ゲート線駆動信号Gn-1は、当該第n行の単位回路に対応するゲート線GLnの1つ前の行であるゲート線GLn-1を駆動する信号である。ここでは入力端子IN301に入力する信号として、容易に取得可能なゲート線駆動信号Gn-1を用いているが、それと同じタイミングで活性化し、且つ所定の電位レベルを有する信号であれば他の信号を用いてもよい。 Gate line driving signal G n-1 is a signal for driving the gate line GL n-1 is a preceding row of the gate line GL n corresponding to the unit circuit of the n-th row. Here, an easily obtainable gate line drive signal G n-1 is used as a signal input to the input terminal IN301. However, any other signal can be used as long as it is activated at the same timing and has a predetermined potential level. A signal may be used.

トランジスタQ301を介してノードN301に供給される極性制御信号VFRに対応した信号が上記の極性切換信号PCとなり、トランジスタQ302を介してノードN302に供給される極性制御信号/VFRに対応した信号が上記の極性切換信号/PCとなる。極性制御信号VFR,/VFRは互いに相補な信号であるので、極性切換信号PC,/PCも互いに相補な信号となる。   A signal corresponding to the polarity control signal VFR supplied to the node N301 via the transistor Q301 becomes the polarity switching signal PC, and a signal corresponding to the polarity control signal / VFR supplied to the node N302 via the transistor Q302 Polarity switching signal / PC. Since the polarity control signals VFR and / VFR are complementary to each other, the polarity switching signals PC and / PC are also complementary to each other.

当該極性切換信号PC,/PCのレベルを保持するレベル保持回路は、原理的にはフリップフロップ(ラッチ)である。図26の如く、レベル保持回路は、6つのトランジスタQ303〜Q308と2つの容量素子C301,C302とから成っている。トランジスタQ303は、ノードN301と低電位側電源電位VSSが供給される電源端子S1との間に接続し、そのゲートはノードN302に接続される。トランジスタQ304は、ノードN302と電源端子S1との間に接続し、そのゲートはノードN301に接続される。   The level holding circuit for holding the levels of the polarity switching signals PC and / PC is in principle a flip-flop (latch). As shown in FIG. 26, the level holding circuit includes six transistors Q303 to Q308 and two capacitive elements C301 and C302. The transistor Q303 is connected between the node N301 and the power supply terminal S1 to which the low potential side power supply potential VSS is supplied, and its gate is connected to the node N302. Transistor Q304 is connected between node N302 and power supply terminal S1, and has its gate connected to node N301.

トランジスタQ305は、高電位側電源電位VDDが供給される電源端子S2とノードN301との間に接続し、トランジスタQ306は、第2電源端子S2とノードN302との間に接続する。トランジスタQ305のゲートが接続するノードを「ノードN303」、トランジスタQ306のゲートが接続するノードを「ノードN304」と定義する。ノードN303は、容量素子C301を介してクロック信号CLKが入力されるクロック端子CK300に接続され、ノードN304は容量素子C302を介してクロック端子CK300に接続される。   The transistor Q305 is connected between the power supply terminal S2 to which the high potential side power supply potential VDD is supplied and the node N301, and the transistor Q306 is connected between the second power supply terminal S2 and the node N302. A node to which the gate of the transistor Q305 is connected is defined as “node N303”, and a node to which the gate of the transistor Q306 is connected is defined as “node N304”. The node N303 is connected to the clock terminal CK300 to which the clock signal CLK is input via the capacitor C301, and the node N304 is connected to the clock terminal CK300 via the capacitor C302.

トランジスタQ307は、ノードN303とノードN301との間に接続し、トランジスタQ308は、ノードN304とノードN302との間に接続する。これらトランジスタQ307,Q308のゲートは共に電源端子S2に接続される。   Transistor Q307 is connected between nodes N303 and N301, and transistor Q308 is connected between nodes N304 and N302. The gates of these transistors Q307 and Q308 are both connected to the power supply terminal S2.

例えばこのレベル保持回路が、ノードN301(極性切換信号PC)がHレベル、ノードN302(極性切換信号/PC)がLレベルの状態を保持する場合、トランジスタQ303はオフ、トランジスタQ304はオンとなる。このときノードN303はトランジスタQ307を通して充電されてHレベルになり、ノードN304はトランジスタQ308を通して放電されてLレベルになる。その結果、トランジスタQ305がオンし、トランジスタQ306がオフになる。それにより、極性切換信号PCのHレベル、極性切換信号/PCのLレベルは維持される。   For example, when this level holding circuit holds the state where the node N301 (polarity switching signal PC) is at the H level and the node N302 (polarity switching signal / PC) is at the L level, the transistor Q303 is turned off and the transistor Q304 is turned on. At this time, the node N303 is charged through the transistor Q307 and becomes H level, and the node N304 is discharged through the transistor Q308 and becomes L level. As a result, transistor Q305 is turned on and transistor Q306 is turned off. Thereby, the H level of the polarity switching signal PC and the L level of the polarity switching signal / PC are maintained.

なお、このときノードN301,N303の両方がHレベルであるのでトランジスタQ307はオフであり、ノードN303はフローティング状態でHレベルに維持されている。そのためクロック信号CLKがHレベルになるとき、容量素子C301を介した結合によりノードN303が昇圧され、トランジスタQ305は非飽和領域でオンになる。その結果、極性切換信号PCは電源端子S2と同じ電位VDDのHレベルで維持されることとなる。   At this time, since both the nodes N301 and N303 are at the H level, the transistor Q307 is off, and the node N303 is maintained at the H level in the floating state. Therefore, when the clock signal CLK becomes H level, the node N303 is boosted by coupling through the capacitor C301, and the transistor Q305 is turned on in the non-saturated region. As a result, the polarity switching signal PC is maintained at the H level of the same potential VDD as that of the power supply terminal S2.

一方、ノードN304の電位も、クロック信号CLKがHレベルになるときに容量素子C302を介した結合によって上昇しようとする。しかしトランジスタQ308,Q304がオンしているため、ノードN304の電位上昇は瞬時的であり、ほぼLレベルに保たれる。つまりトランジスタQ306がオフをほぼ維持するので、トランジスタQ304,Q306を通しての貫通電流は殆ど流れない。   On the other hand, the potential of the node N304 also tends to rise due to coupling through the capacitor C302 when the clock signal CLK becomes H level. However, since the transistors Q308 and Q304 are on, the potential rise at the node N304 is instantaneous and is maintained at the L level. That is, since the transistor Q306 is almost kept off, almost no through current flows through the transistors Q304 and Q306.

なお、上記のノードN304の瞬時的な電位上昇は、トランジスタQ304,Q308のオン抵抗値と容量素子C302の容量値を適切に設定すれば小さくでき、より確実にトランジスタQ306にオフ状態を維持させることができる。   Note that the instantaneous potential increase at the node N304 can be reduced by appropriately setting the on-resistance values of the transistors Q304 and Q308 and the capacitance value of the capacitor C302, and the transistor Q306 can be more reliably maintained in the off state. Can do.

逆に当該単位回路が、レベル保持回路がノードN301(極性切換信号PC)がLレベルでノードN302(極性切換信号/PC)がHレベルの状態を保持する場合には、トランジスタQ303がオン、トランジスタQ304がオフになる。そしてノードN304がHレベルになり、トランジスタQ306はオンして極性切換信号/PCをHレベルに維持する。またクロック信号CLKの立ち上がり時には、ノードN304が昇圧されてトランジスタQ306が非飽和領域でオンするので、極性切換信号/PCは電位VDDのHレベルになる。一方、ノードN303はLレベルにほぼ維持され、トランジスタQ305がオフをほぼ維持するため、トランジスタQ305,Q303を通しての殆ど貫通電流は流れない。   Conversely, when the unit circuit holds the state where the level holding circuit is at the node N301 (polarity switching signal PC) at the L level and the node N302 (polarity switching signal / PC) is at the H level, the transistor Q303 is turned on. Q304 is turned off. Node N304 goes to H level, transistor Q306 turns on and maintains polarity switching signal / PC at H level. When the clock signal CLK rises, the node N304 is boosted and the transistor Q306 is turned on in the non-saturated region, so that the polarity switching signal / PC becomes the H level of the potential VDD. On the other hand, since node N303 is substantially maintained at the L level and transistor Q305 is substantially kept off, almost no through current flows through transistors Q305 and Q303.

このように、図26の単位回路が備えるレベル保持回路においては、電力を殆ど消費することなく、Hレベルを維持する側のノードのみがプルアップされ、Lレベルを維持する側のノードはプルアップされない、選択的なプルアップ動作が行われる。   In this way, in the level holding circuit provided in the unit circuit of FIG. 26, only the node that maintains the H level is pulled up without consuming almost any power, and the node that maintains the L level is pulled up. A selective pull-up operation is performed.

次に、共通電極線駆動回路13の偶数行の単位回路について説明する。図27には、代表的に第n+1行目(nは奇数)の単位回路が示されている。   Next, the unit circuits in the even-numbered rows of the common electrode line driving circuit 13 will be described. FIG. 27 representatively shows unit circuits in the (n + 1) th row (n is an odd number).

図27に示すように、偶数行の単位回路の構成は奇数行の単位回路(図26)とほぼ同じであるが、偶数行の共通電極線駆動信号COMn+1は奇数行の共通電極線駆動信号COMnに対して反転したレベルにする必要があるため、図26に対し、トランジスタQ309,Q310のゲートの接続が互いに交換されている。あるいは、回路構成は図26から変更せずに、入力端子IN302,IN303に入力させる極性制御信号VFR,/VFRを入れ替えたものを偶数行の単位回路としてもよい(図示は省略する)。また、クロック端子CK300にはクロック信号/CLKを入力する。 As shown in FIG. 27, the configuration of the unit circuit in the even-numbered row is almost the same as the unit circuit in the odd-numbered row (FIG. 26), but the common electrode line drive signal COM n + 1 in the even-numbered row is the odd-numbered common electrode line. Since it is necessary to make the level inverted with respect to the drive signal COM n , the connections of the gates of the transistors Q309 and Q310 are exchanged with respect to FIG. Alternatively, the circuit configuration is not changed from that in FIG. 26, and the unit circuits in the even rows may be replaced with the polarity control signals VFR and / VFR input to the input terminals IN302 and IN303 (not shown). A clock signal / CLK is input to the clock terminal CK300.

なお、図26及び図27のクロック端子CK300に入力される信号は、一定周期で交番する繰り返し信号であれば、クロック信号CLK,/CLK以外のものを用いてもよい。上記のように、クロック端子CK300に入力されるクロック信号は、一定周期でトランジスタQ305(またはQ306)を非飽和領域でオンさせるために用いられており、それによってリーク電流によるノードN301(またはN302)のHレベルの電位低下が補償される。このリーク電流の補償を充分に行うことができる範囲であれば、より周波数の低いクロック信号を用いてもよく、それにより消費電力の低減を図ることができる。但し、クロック端子CK300に入力されるクロック信号は、その活性期間が入力端子IN301に入力される信号の活性期間と重ならないものが好ましい。   The signals input to the clock terminal CK300 in FIGS. 26 and 27 may be signals other than the clock signals CLK and / CLK as long as they are repetitive signals that alternate with a constant period. As described above, the clock signal input to the clock terminal CK300 is used to turn on the transistor Q305 (or Q306) in a non-saturation region at a constant period, thereby causing the node N301 (or N302) due to the leakage current. The potential drop at the H level is compensated. As long as this leakage current can be sufficiently compensated, a clock signal having a lower frequency may be used, thereby reducing power consumption. However, it is preferable that the clock signal input to the clock terminal CK300 does not overlap with the active period of the signal input to the input terminal IN301.

ここでは奇数行のゲート線駆動信号(G1,G3,…,Gn,…)はクロック信号CLKに同期して活性化し、偶数行のゲート線駆動信号(G2,G4,…,Gn-1,…)はクロック信号/CLKに同期して活性化するものと仮定しているので、奇数行の単位回路のクロック端子CK100にはクロック信号CLKを入力し、偶数行の単位回路のクロック端子CK100にはクロック信号/CLKを入力した。 Here, the gate line drive signals (G 1 , G 3 ,..., G n ,...) In the odd rows are activated in synchronization with the clock signal CLK, and the gate line drive signals (G 2 , G 4 ,. G n−1 ,...) Are assumed to be activated in synchronization with the clock signal / CLK. Therefore, the clock signal CLK is input to the clock terminal CK100 of the odd-numbered unit circuit, and the even-numbered unit circuit The clock signal / CLK is input to the clock terminal CK100.

続いて、本実施の形態に係る共通電極線駆動回路13の動作について説明するが、ここでも説明の簡単のため、各トランジスタのしきい値電圧は全て同じ値Vthであると仮定する。また共通電極線駆動回路13の低電位側電源電位VSSを基準電位とし、極性制御信号VFR,/VFRのHレベルは電源端子S2に供給される電位VDDに等しく、Lレベルは電位VSSに等しいものとする。さらに、クロック信号CLK,/CLKのHレベルの電位もVDDであり、Lレベルの電位もVSSであるとする。   Subsequently, the operation of the common electrode line driving circuit 13 according to the present embodiment will be described. Here, for simplicity of explanation, it is assumed that the threshold voltages of the transistors are all the same value Vth. Further, the low potential side power supply potential VSS of the common electrode line driving circuit 13 is used as a reference potential, the H level of the polarity control signals VFR, / VFR is equal to the potential VDD supplied to the power supply terminal S2, and the L level is equal to the potential VSS. And Furthermore, the H level potential of the clock signals CLK and / CLK is also VDD, and the L level potential is also VSS.

なお上記したように、電源端子S303,S304に供給される電位VCOML,VCOMHは、それぞれ共通電極線駆動信号COMのLレベル及びHレベルの電位を規定するためのものである。共通電極線駆動信号COMは、容量結合によって画素電極に一定の電位変化を与えるものであるので、電位VCOMH,VCOMLは、その電位差(共通電極線駆動信号COMの振幅)が画素電極に与える電位変化分に等しく、且つトランジスタQ309、Q310が非飽和領域で動作する範囲のものであればよい。   As described above, the potentials VCOML and VCOMH supplied to the power supply terminals S303 and S304 are for defining the L-level and H-level potentials of the common electrode line drive signal COM, respectively. Since the common electrode line drive signal COM gives a constant potential change to the pixel electrode by capacitive coupling, the potentials VCOMH and VCOML change the potential that the potential difference (amplitude of the common electrode line drive signal COM) gives to the pixel electrode. As long as the transistors Q309 and Q310 operate in the non-saturated region.

図28は、当該共通電極線駆動回路13の動作を示す信号波形図である。実施の形態1で説明したように、極性制御信号VFR,/VFRは図25の分周回路20で生成される互いに相補な信号であり、スタート信号STの2倍周期を有している。図9に示したように、極性制御信号VFR,/VFRは最終行のゲート線GLmを駆動するゲート線駆動信号Gmの次に出力される駆動信号Gm+1の立ち上がり時にレベルが交番する。つまり極性制御信号VFR,/VFRは、表示装置の1フレーム毎のブランキング期間にレベルが交番する。ここでも、極性制御信号VFRがHレベルの期間を「奇数フレーム」、Lレベルの期間を「偶数フレーム」と定義する。 FIG. 28 is a signal waveform diagram showing the operation of the common electrode line driving circuit 13. As described in the first embodiment, the polarity control signals VFR, / VFR are complementary signals generated by the frequency dividing circuit 20 of FIG. 25 and have a cycle twice that of the start signal ST. As shown in FIG. 9, the polarity control signals VFR and / VFR have alternating levels when the drive signal G m + 1 output next to the gate line drive signal G m for driving the gate line GL m in the last row rises. To do. That is, the levels of the polarity control signals VFR, / VFR alternate in the blanking period for each frame of the display device. Again, the period when the polarity control signal VFR is at the H level is defined as “odd frame”, and the period at the L level is defined as “even frame”.

以下、本実施の形態に係る共通電極線駆動回路13の動作を説明する。まず奇数行の単位回路の動作を説明するが、ここでも第n行目の単位回路(図26)の動作を代表的に説明する。   Hereinafter, the operation of the common electrode line driving circuit 13 according to the present embodiment will be described. First, the operation of the unit circuit in the odd-numbered row will be described. Here, the operation of the unit circuit in the n-th row (FIG. 26) will be representatively described.

図28を参照し、ブランキング期間内の時刻t1で、極性制御信号VFR,/VFRがそれぞれHレベル、Lレベルに変化して奇数フレームになると、入力端子IN302が電位VDDに、入力端子IN303が電位VSSにそれぞれ設定される。ノードN301〜N304、及び出力端子OUT300のレベルは直前フレーム期間の動作で決まり、ここではノードN301,N303および出力端子OUT300はLレベル、ノードN302、N304はHレベルとなっている。 Referring to FIG. 28, when the polarity control signals VFR and / VFR change to the H level and the L level, respectively, and become an odd frame at time t 1 within the blanking period, the input terminal IN302 becomes the potential VDD, and the input terminal IN303. Are set to the potential VSS. The levels of the nodes N301 to N304 and the output terminal OUT300 are determined by the operation in the previous frame period. Here, the nodes N301 and N303 and the output terminal OUT300 are at the L level, and the nodes N302 and N304 are at the H level.

時刻t2において、対応するゲート線GLnの1つ前の行に対応するゲート線GLn-1を駆動するゲート線駆動信号Gn-1がHレベルになる。応じてトランジスタQ301,Q302がオンになり、ノードN301,N302に極性制御信号VFR,/VFRのレベルが供給される。より詳細には、まずノードN302(極性切換信号/PC)がLレベル(VSS)になり、トランジスタQ303,Q310がオフになる。トランジスタQ303がオフしたことで、ノードN301がトランジスタQ301を通して充電され、極性切換信号PCがHレベル(VDD−Vth)になる。応じて、トラトランジスタQ304,Q309がオンになる。 In time t 2, the corresponding gate line driving signal G n-1 for driving the gate line GL n-1 corresponding to the previous row of the gate line GL n becomes H level. Accordingly, the transistors Q301 and Q302 are turned on, and the levels of the polarity control signals VFR and / VFR are supplied to the nodes N301 and N302. More specifically, first, the node N302 (polarity switching signal / PC) becomes L level (VSS), and the transistors Q303 and Q310 are turned off. Since the transistor Q303 is turned off, the node N301 is charged through the transistor Q301, and the polarity switching signal PC becomes H level (VDD-Vth). In response, the transtransistors Q304 and Q309 are turned on.

ノードN304はトランジスタQ308,Q304を通して放電されLレベル(VSS)になり、ノードN303はトランジスタQ307を通して充電されHレベル(VDD−Vth)になる。なお、上記したように電位VCOMHは、極性切換信号/PCがHレベルになったときにトランジスタQ309が比飽和動作する範囲の値に設定されており、共通電極線駆動信号COMnは電位VCOMHのHレベルとなる。 Node N304 is discharged through transistors Q308 and Q304 to L level (VSS), and node N303 is charged through transistor Q307 to H level (VDD-Vth). Note that, as described above, the potential VCOMH is set to a value within a range in which the transistor Q309 performs a saturation operation when the polarity switching signal / PC becomes H level, and the common electrode line drive signal COMn is equal to the potential VCOMH. Becomes H level.

時刻t2から1H後の時刻t3では、ゲート線駆動信号Gn-1がLになり、トランジスタQ301、Q302がオフになるので、ノードN301,N302と入力端子IN302,IN303とが電気的に分離される。但しこのとき極性切換信号PCのHレベル、極性切換信号/PCのLレベルは、先に述べたレベル保持回路の働きにより保持(ラッチ)される。 At time t 3 1H after time t 2 , the gate line drive signal G n−1 becomes L and the transistors Q301 and Q302 are turned off, so that the nodes N301 and N302 and the input terminals IN302 and IN303 are electrically connected. To be separated. However, at this time, the H level of the polarity switching signal PC and the L level of the polarity switching signal / PC are held (latched) by the action of the level holding circuit described above.

なお時刻t3では、クロック信号CLKがHレベルに立ち上がるため、容量素子C301を介する結合によりノードN303が昇圧される。ノードN303は既にVDD−Vthに充電されているので、この昇圧作用によりノードN303の電位は略2・VDD−Vthになる。応じてトランジスタQ305が非飽和領域でオンになり、ノードN301は電位VDDまで上昇する。 At time t 3 , since the clock signal CLK rises to the H level, the node N303 is boosted by the coupling through the capacitive element C301. Since the node N303 is already charged to VDD-Vth, the potential of the node N303 becomes approximately 2 · VDD-Vth by this boosting action. Accordingly, transistor Q305 is turned on in the non-saturated region, and node N301 rises to potential VDD.

また時刻t3では、対応するゲート線GLnを駆動するゲート線駆動信号Gnが活性化され、第n行目の画素25に表示データ信号Dが書き込まれる。ゲート線駆動信号Gnは、時刻t3から1H後の時刻t4にLレベルになる。 In addition the time t 3, the corresponding gate line driving signal G n for driving the gate line GL n is activated, the display data signal D is written in the n-th row of pixels 25. The gate line drive signal G n becomes L level at time t 4 1H after time t 3 .

また時刻t4では、クロック信号CLKがLレベルになるのでノードN303のレベルは再びVDD−Vthに戻りトランジスタQ305はオフするが、ノードN301は高インピーダンス状態で電位VDDのHレベルに維持される。 At time t 4 , since the clock signal CLK becomes L level, the level of the node N303 returns to VDD−Vth again, and the transistor Q305 is turned off, but the node N301 is maintained at the H level of the potential VDD in a high impedance state.

時刻t5以降は、クロック信号CLKがHレベルに変化する度にノードN303の電位が略2・VDD−Vthに昇圧され、トランジスタQ305が非飽和領域でオンしてノードN301を電位VDDに充電する動作が繰り返される。それにより、リーク電流によるノードN301のレベル低下が補償され、極性切換信号PCを電位VDDのHレベルに維持することができる。この結果、トランジスタQ309は非飽和領域でのオン状態に維持され、当該単位回路は1フレーム期間、共通電極線駆動信号COMnのHレベル(VCOMH)を低インピーダンスで維持することができる。 After time t 5 , whenever the clock signal CLK changes to H level, the potential of the node N303 is boosted to about 2 · VDD−Vth, and the transistor Q305 is turned on in the non-saturated region to charge the node N301 to the potential VDD. The operation is repeated. Thereby, a decrease in the level of node N301 due to the leakage current is compensated, and polarity switching signal PC can be maintained at the H level of potential VDD. As a result, the transistor Q309 is maintained in the ON state in the non-saturation region, the said unit circuit can be maintained for one frame period, the common electrode line drive signal COM n of H level (VCOMH) with low impedance.

そして次のブランキング期間内の時刻t7で、極性制御信号VFR,/VFRがそれぞれLレベル、Hレベルに変化して偶数フレームになるが、この時点ではトランジスタQ301、Q302はオフであるので、ノードN301(極性切換信号PC)のHレベル、ノードN302(極性切換信号/PC)のLレベルは変化せず、共通電極線駆動信号COMnもHレベル(VCOMH)のままである。 At time t 7 in the next blanking period, the polarity control signals VFR and / VFR change to the L level and the H level, respectively, to become an even frame, but at this time, the transistors Q301 and Q302 are off. node N301 H level (polarity switching signal PC), L level of the node N302 (polarity switching signal / PC) is not changed, even the common electrode line drive signal COM n remains at H level (VCOMH).

その後、時刻t8でゲート線駆動信号Gn-1がHレベル(VDD)になる。応じてトランジスタQ301,Q302がオンになり、ノードN301,N302に極性制御信号VFR,/VFRのレベルが供給される。このとき上記の時刻t2とは逆の動作により、極性切換信号PCがLレベル(VSS)、極性切換信号/PCがHレベル(VDD−Vth)となる。応じてトランジスタQ309がオフ、トランジスタQ310がオンとなり、共通電極線駆動信号COMnはLレベル(VCOML)に変化する。 Thereafter, at time t 8 , the gate line drive signal G n-1 becomes H level (VDD). Accordingly, the transistors Q301 and Q302 are turned on, and the levels of the polarity control signals VFR and / VFR are supplied to the nodes N301 and N302. At this time, the polarity switching signal PC is set to L level (VSS) and the polarity switching signal / PC is set to H level (VDD−Vth) by the operation opposite to the time t 2 described above. Correspondingly transistor Q309 is turned off, the transistor Q310 is turned on, the common electrode line drive signal COM n changes to the L level (VCOML).

時刻t8から1H後の時刻t9では、ゲート線駆動信号Gn-1がLになり、トランジスタQ301、Q302がオフになるので、ノードN301,N302と入力端子IN302,IN303とが電気的に分離される。但しこのとき極性切換信号PCのLレベル、極性切換信号/PCのHレベルは、先に述べたレベル保持回路の働きにより保持(ラッチ)される。 At time t 8 from the post-1H time t 9, the gate line drive signal G n-1 becomes L, and the transistor Q301, so Q302 is turned off, the node N301, N302 and the input terminal IN302, IN303 and is electrically To be separated. However, at this time, the L level of the polarity switching signal PC and the H level of the polarity switching signal / PC are held (latched) by the action of the level holding circuit described above.

なお時刻t9では、クロック信号CLKがHレベルに立ち上がるため、容量素子C302を介する結合によりノードN304が昇圧される。この昇圧作用によりノードN304の電位は略2・VDD−Vthになる。応じてトランジスタQ306が非飽和領域でオンになり、ノードN302は電位VDDまで上昇する。 At time t 9 , since the clock signal CLK rises to the H level, the node N304 is boosted by the coupling through the capacitive element C302. By this boosting action, the potential of the node N304 becomes approximately 2 · VDD−Vth. Accordingly, transistor Q306 is turned on in the non-saturated region, and node N302 rises to potential VDD.

また時刻t9では、対応するゲート線GLnを駆動するゲート線駆動信号Gnが活性化され、第n行目の画素25に表示データ信号Dが書き込まれる。ゲート線駆動信号Gnは、時刻t9から1H後の時刻t10にLレベルになる。 Also at time t 9, the corresponding gate line driving signal G n for driving the gate line GL n is activated, the display data signal D is written in the n-th row of pixels 25. The gate line drive signal G n becomes L level at time t 10 1H after time t 9 .

また時刻t10では、クロック信号CLKがLレベルになるのでノードN304のレベルは再びVDD−Vthに戻りトランジスタQ306はオフするが、ノードN301は高インピーダンス状態で電位VDDのHレベルに維持される。 In addition the time t 10, the clock signal CLK is the transistor Q306 back to the level of the node N304 is again VDD-Vth since the L level to turn off, the node N301 is maintained in a high impedance state to the H-level potential VDD.

時刻t11以降は、クロック信号CLKがHレベルに変化する度にノードN303の電位が略2・VDD−Vthに昇圧され、トランジスタQ306がノードN301を電位VDDに充電する動作が繰り返される。それによりノードN301(極性切換信号PC)は電位VDDのHレベルは電位VDDに維持される。この結果、トランジスタQ309は非飽和領域でのオン状態に維持され、当該単位回路は1フレーム期間、共通電極線駆動信号COMnのLレベル(VCOML)を低インピーダンスで維持することができる。 Time t 11 after the clock signal CLK is time the potential of the node N303 is raised to approximately 2 · VDD-Vth in which changes to the H level, operation of the transistor Q306 charges the node N301 to the potential VDD is repeated. As a result, the node N301 (polarity switching signal PC) maintains the H level of the potential VDD at the potential VDD. As a result, the transistor Q309 is maintained in the ON state in the non-saturation region, the said unit circuit can be maintained for one frame period, the common electrode line drive signal COM n of L level (VCOML) with low impedance.

このように共通電極線駆動回路13の奇数行の単位回路(図26)の各々は、奇数フレームにおいては、対応する行の画素25への表示データ信号Dの書き込み期間(対応するゲート線GLの活性期間)の1H前に、共通電極線駆動信号COMをLレベルからHレベルへと変化させる。また偶数フレームにおいては、対応する行の画素25への表示データ信号Dの書き込み期間の1H前に、共通電極線駆動信号COMをHレベルからLレベルへと変化させる。   In this way, each of the odd-row unit circuits (FIG. 26) of the common electrode line driving circuit 13 writes the display data signal D to the pixels 25 in the corresponding row (in the corresponding gate line GL) in the odd-numbered frame. The common electrode line drive signal COM is changed from the L level to the H level 1H before the active period. In the even frame, the common electrode line drive signal COM is changed from the H level to the L level 1H before the writing period of the display data signal D to the pixels 25 in the corresponding row.

一方、偶数行の単位回路(図27)の動作は、上で説明した奇数行の単位回路の動作とほぼ同じである。但し、偶数行の単位回路の各々は、奇数フレームにおいては、対応する行の画素25への表示データ信号Dの書き込み期間の1H前に、共通電極線駆動信号COMをHレベルからLレベルへと変化させる。また偶数フレームにおいては、対応する行の画素25への表示データ信号Dの書き込み期間の1H前に、共通電極線駆動信号COMをLレベルからHレベルへと変化させる。   On the other hand, the operation of the unit circuit in the even-numbered row (FIG. 27) is almost the same as the operation of the unit circuit in the odd-numbered row described above. However, each of the even-numbered unit circuits changes the common electrode line drive signal COM from the H level to the L level 1H before the writing period of the display data signal D to the pixel 25 of the corresponding row in the odd frame. Change. In the even frame, the common electrode line drive signal COM is changed from the L level to the H level 1H before the writing period of the display data signal D to the pixels 25 in the corresponding row.

図29は共通電極線駆動回路13の動作を示す信号波形図であり、上記の奇数行および偶数行の共通電極線駆動信号COMの振る舞いをまとめたものである。共通電極線駆動信号COMのそれぞれは、それと同じ行に対応するゲート線駆動信号Gの立ち上がり時の1H前にレベルが変化していることが分かる。例えば、第n行(奇数行)に対応する共通電極線駆動信号COMnは、それと同じ行に対応するゲート線駆動信号Gnの立ち上がり時の1H前にレベルが反転している。同様に第n+1行(偶数行)に対応する共通電極線駆動信号COMn+1は、ゲート線駆動信号Gn+1の立ち上がり時の1H前にレベルが反転している。また同じフレーム期間内では、偶数行と時数行とで、共通電極線駆動信号COMのレベル変化の方向が逆になることも、同図から分かる。 FIG. 29 is a signal waveform diagram showing the operation of the common electrode line drive circuit 13, and summarizes the behavior of the common electrode line drive signals COM in the odd and even rows. It can be seen that the level of each common electrode line drive signal COM changes 1H before the rise of the gate line drive signal G corresponding to the same row. For example, the level of the common electrode line drive signal COM n corresponding to the n-th row (odd row) is inverted 1H before the rise of the gate line drive signal G n corresponding to the same row. Similarly, the level of the common electrode line drive signal COM n + 1 corresponding to the (n + 1) th row (even number row) is inverted 1H before the rise of the gate line drive signal G n + 1 . It can also be seen from the same figure that the direction of the level change of the common electrode line drive signal COM is reversed between the even-numbered rows and the several-hour rows within the same frame period.

図29のようにレベル変化する共通電極線駆動信号COMを用いてゲートライン反転駆動方式の容量結合駆動を行う場合、各画素25に表示データ信号Dを書き込む際、奇数フレームにおいては、奇数行には負極性(−)のものを書き込むと共に偶数行には正極性(+)のものを書き込むようにし、偶数フレームにおいては、奇数行には正極性のものを書き込むと共に偶数行には負極性のものを書き込むようにする。その結果、正極性の表示データ信号Dが書き込まれる画素25の共通電極線COMLは負極性になり、負極性の表示データ信号Dを書き込まれる画素25の共通電極線COMLは正極性になるので、各液晶素子28にかかる電圧が表示データ信号Dの振幅よりも大きくなる。その結果、データ線DLに供給する表示データ信号Dの振幅を小さくすることができるという、ライン毎独立コモン交流駆動の効果が得られる。   In the case of performing capacitive coupling driving of the gate line inversion driving method using the common electrode line driving signal COM whose level changes as shown in FIG. 29, when writing the display data signal D to each pixel 25, the odd-numbered frame is set to the odd-numbered row. Writes negative polarity (-) and writes positive polarity (even) to even rows, and writes even polarity to odd rows and negative polarity to even rows in even frames. Try to write things. As a result, the common electrode line COML of the pixel 25 to which the positive display data signal D is written has a negative polarity, and the common electrode line COML of the pixel 25 to which the negative display data signal D is written has a positive polarity. The voltage applied to each liquid crystal element 28 becomes larger than the amplitude of the display data signal D. As a result, the effect of independent common AC driving for each line that the amplitude of the display data signal D supplied to the data line DL can be reduced can be obtained.

なお以上の説明から分かるように、極性制御信号VFR,/VFRは、各共通電極線駆動信号COMのレベルを制御する目的で用いられている。それらはスタート信号STの2倍周期の信号であるので、各フレーム期間で一定のレベルに固定されるものであった。しかし、図26および図27に示した共通電極線駆動回路13の単位回路は、極性切換信号PC,/PCのレベル保持回路を備えているので、厳密には、極性制御信号VFR,/VFRは、各単位回路で少なくとも入力端子IN301に入力される信号の活性期間にさえ適切な値をとっていればよく、必ずしも1フレーム期間一定のレベルを維持する必要はない。但し、極性制御信号VFR,/VFRの交番周期を短くする(周波数を高くする)と消費電力が増大する点に留意すべきである。   As can be seen from the above description, the polarity control signals VFR and / VFR are used for the purpose of controlling the level of each common electrode line drive signal COM. Since they are signals having a period twice that of the start signal ST, they are fixed at a constant level in each frame period. However, since the unit circuit of the common electrode line drive circuit 13 shown in FIGS. 26 and 27 includes a level holding circuit for the polarity switching signals PC and / PC, strictly speaking, the polarity control signals VFR and / VFR are In each unit circuit, it is only necessary to take an appropriate value even at least for the active period of the signal input to the input terminal IN301, and it is not always necessary to maintain a constant level for one frame period. However, it should be noted that the power consumption increases when the alternating cycle of the polarity control signals VFR, / VFR is shortened (frequency is increased).

<実施の形態10>
実施の形態9では、またゲート線毎に表示データ信号Dの極性を反転させたライン毎独立コモン交流駆動の例を示したが、コモン交流駆動方式においても、全ての画素に書き込む表示データ信号の極性を同じにし、全ての画素の表示データの極性をフレーム毎に反転させる駆動方法(フレーム反転駆動方式)も考えられる。本発明はそのような駆動方法を行う表示装置にも適用可能である。その場合、ゲート線毎に極性が反転しないので、容量線駆動回路12の単位回路を全て同じもの(図26又は図27)に統一すればよい。
<Embodiment 10>
In the ninth embodiment, an example of independent common AC driving for each line in which the polarity of the display data signal D is inverted for each gate line is shown. However, in the common AC driving method, display data signals to be written to all the pixels are also displayed. A driving method (frame inversion driving method) in which the polarities are the same and the polarity of the display data of all the pixels is inverted every frame is also conceivable. The present invention is also applicable to a display device that performs such a driving method. In that case, since the polarity is not inverted for each gate line, all the unit circuits of the capacitor line driving circuit 12 may be unified (FIG. 26 or FIG. 27).

従来の表示装置の構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structural example of the conventional display apparatus. 従来の液晶画素の具体的な構成例を示す図である。It is a figure which shows the specific structural example of the conventional liquid crystal pixel. 従来の駆動制御回路の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of the conventional drive control circuit. 実施の形態1に係る表示装置の構成を示す概略ブロック図である。1 is a schematic block diagram illustrating a configuration of a display device according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態1に係る分周回路の基本的構成を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a basic configuration of a frequency divider circuit according to the first embodiment. 実施の形態1に係る分周回路の基本動作を示すタイミング図である。FIG. 3 is a timing diagram illustrating a basic operation of the frequency divider circuit according to the first embodiment. 実施の形態1に係る分周回路の具体的な回路構成の例を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a specific circuit configuration of a frequency divider circuit according to the first embodiment. 図7の分周回路の動作を示すタイミング図である。FIG. 8 is a timing chart showing the operation of the frequency dividing circuit of FIG. 7. 図7の分周回路の動作を示すタイミング図である。FIG. 8 is a timing chart showing the operation of the frequency dividing circuit of FIG. 7. 実施の形態2に係る表示装置の構成を示す概略ブロック図である。5 is a schematic block diagram illustrating a configuration of a display device according to Embodiment 2. FIG. 実施の形態2に係る分周回路の動作を示すタイミング図である。FIG. 10 is a timing diagram illustrating an operation of the frequency divider circuit according to the second embodiment. 実施の形態3に係る表示装置の構成を示す概略ブロック図である。6 is a schematic block diagram illustrating a configuration of a display device according to Embodiment 3. FIG. 実施の形態3に係るレベルシフタの構成を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram illustrating a configuration of a level shifter according to a third embodiment. 実施の形態4に係る容量線駆動回路の単位回路の回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of a unit circuit of a capacitive line driving circuit according to a fourth embodiment. 実施の形態4に係る容量線駆動回路の単位回路の回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of a unit circuit of a capacitive line driving circuit according to a fourth embodiment. 実施の形態4に係る容量線駆動回路の動作を示すタイミング図である。FIG. 10 is a timing diagram illustrating an operation of the capacitive line driving circuit according to the fourth embodiment. 実施の形態4に係る容量線駆動回路の動作を示すタイミング図である。FIG. 10 is a timing diagram illustrating an operation of the capacitive line driving circuit according to the fourth embodiment. 実施の形態7に係る表示装置の構成を示す概略ブロック図である。FIG. 10 is a schematic block diagram illustrating a configuration of a display device according to a seventh embodiment. 実施の形態7に係るゲート線駆動回路の構成を示すブロック図である。FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of a gate line driving circuit according to a seventh embodiment. 実施の形態7に係るゲート線駆動回路の構成を示すブロック図である。FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of a gate line driving circuit according to a seventh embodiment. 実施の形態7に係るゲート線駆動回路の単位シフトレジスタの回路図である。FIG. 20 is a circuit diagram of a unit shift register of a gate line driving circuit according to a seventh embodiment. 実施の形態7に係るゲート線駆動回路の構成を示す回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration of a gate line driving circuit according to a seventh embodiment. 実施の形態7に係るゲート線駆動回路の動作を示すタイミング図である。FIG. 23 is a timing diagram illustrating an operation of the gate line driving circuit according to the seventh embodiment. 実施の形態7に係るゲート線駆動回路の動作を示すタイミング図である。FIG. 23 is a timing diagram illustrating an operation of the gate line driving circuit according to the seventh embodiment. 実施の形態8に係る表示装置の構成を示す概略ブロック図である。FIG. 10 is a schematic block diagram illustrating a configuration of a display device according to an eighth embodiment. 実施の形態9に係る共通電極線駆動回路の単位回路の回路図である。FIG. 20 is a circuit diagram of a unit circuit of a common electrode line driving circuit according to a ninth embodiment. 実施の形態9に係る共通電極線駆動回路の単位回路の回路図である。FIG. 20 is a circuit diagram of a unit circuit of a common electrode line driving circuit according to a ninth embodiment. 実施の形態9に係る容量線駆動回路の動作を示すタイミング図である。FIG. 30 is a timing diagram illustrating an operation of the capacitor line driving circuit according to the ninth embodiment. 実施の形態9に係る容量線駆動回路の動作を示すタイミング図である。FIG. 30 is a timing diagram illustrating an operation of the capacitor line driving circuit according to the ninth embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

11 ゲート線駆動回路、12 容量線駆動回路、13 共通電極線駆動回路、20 分周回路、25 画素、GL ゲート線、DL データ線、CCL 容量線、COML 共通電極線。   11 gate line driving circuit, 12 capacitance line driving circuit, 13 common electrode line driving circuit, 20 frequency dividing circuit, 25 pixels, GL gate line, DL data line, CCL capacitance line, COML common electrode line.

Claims (22)

互いに平行して配設された複数の走査線と、
前記複数の走査線に直交して配設された複数の信号線と、
各々が前記複数の走査線のそれぞれに沿って配設された複数の容量線と、
前記走査線と前記信号線との各交点近傍に配設された複数の画素と、
フレーム毎に前記複数の走査線を順に走査して駆動する走査線駆動回路と、
前記複数の容量線を駆動する容量線駆動回路とを備え、
前記フレームの開始に対応したスタート信号を分周した周期を有する制御信号を生成する分周回路と、
前記画素は、
対応する前記走査線に接続した制御電極および対応する前記信号線に接続した一方の電流電極を有する画素能動素子と、
前記画素能動素子の他方の電流電極に接続した画素電極と、
対応する容量線と前記画素電極との間に接続した容量素子とを備え、
前記容量線駆動回路は前記フレーム毎に、
前記複数の画素の各々に対し、前記画素能動素子の活性期間の後の所定タイミングで、対応する前記容量線の電位を前記制御信号に基づいて変化させ、
前記走査線駆動回路、前記容量線駆動回路および前記分周回路を構成する能動素子は、
全て前記画素能動素子と同一導電型のものである
ことを特徴とする画像表示装置。
A plurality of scanning lines arranged in parallel to each other;
A plurality of signal lines arranged orthogonal to the plurality of scanning lines;
A plurality of capacitance lines each disposed along each of the plurality of scanning lines;
A plurality of pixels disposed near each intersection of the scanning line and the signal line;
A scanning line driving circuit that sequentially scans and drives the plurality of scanning lines for each frame;
A capacitor line driving circuit for driving the plurality of capacitor lines;
A frequency dividing circuit for generating a control signal having a period obtained by dividing the start signal corresponding to the start of the frame;
The pixel is
A pixel active element having a control electrode connected to the corresponding scan line and one current electrode connected to the corresponding signal line;
A pixel electrode connected to the other current electrode of the pixel active element;
A capacitor element connected between the corresponding capacitor line and the pixel electrode;
The capacitive line driving circuit is provided for each frame.
For each of the plurality of pixels, at a predetermined timing after the active period of the pixel active element, the potential of the corresponding capacitor line is changed based on the control signal,
Active elements constituting the scanning line driving circuit, the capacitance line driving circuit, and the frequency dividing circuit are:
An image display device characterized in that all are of the same conductivity type as the pixel active element.
互いに平行して配設された複数の走査線と、
前記複数の走査線に直交して配設された複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線との各交点近傍に配設された複数の画素と、
フレーム毎に前記複数の走査線を順に走査して駆動する走査線駆動回路と、
前記フレームの開始に対応したスタート信号を分周した周期を有する制御信号を生成する分周回路とを備え、
前記画素は、
対応する前記走査線に接続した制御電極および対応する前記信号線に接続した一方の電流電極を有する画素能動素子と、
前記画素能動素子の他方の電流電極に接続した画素電極と、
対応する前記走査線に隣接する前記走査線と前記画素電極との間に接続した容量素子とを備え、
前記走査線駆動回路は前記フレーム毎に、
前記複数の画素の各々に対し、前記画素能動素子の活性期間の後の所定タイミングで、隣接する前記走査線の非活性レベルの電位を前記制御信号に基づいて変化させ、
前記走査線駆動回路および前記分周回路を構成する能動素子は、
全て前記画素能動素子と同一導電型のものである
ことを特徴とする画像表示装置。
A plurality of scanning lines arranged in parallel to each other;
A plurality of signal lines arranged orthogonal to the plurality of scanning lines;
A plurality of pixels disposed near each intersection of the scanning line and the signal line;
A scanning line driving circuit that sequentially scans and drives the plurality of scanning lines for each frame;
A frequency dividing circuit for generating a control signal having a period obtained by dividing the start signal corresponding to the start of the frame;
The pixel is
A pixel active element having a control electrode connected to the corresponding scan line and one current electrode connected to the corresponding signal line;
A pixel electrode connected to the other current electrode of the pixel active element;
A capacitive element connected between the scanning line adjacent to the corresponding scanning line and the pixel electrode;
The scanning line driving circuit is provided for each frame.
For each of the plurality of pixels, at a predetermined timing after the active period of the pixel active element, the potential of the inactive level of the adjacent scanning line is changed based on the control signal,
Active elements constituting the scanning line driving circuit and the frequency dividing circuit are:
An image display device characterized in that all are of the same conductivity type as the pixel active element.
互いに平行して配設された複数の走査線と、
前記複数の走査線に直交して配設された複数の信号線と、
各々が前記複数の走査線のそれぞれに沿って配設された複数の共通電極線と、
前記走査線と前記信号線との各交点近傍に配設された複数の画素と、
フレーム毎に前記複数の走査線を順に走査して駆動する走査線駆動回路と、
前記複数の共通電極線を駆動する共通電極線駆動回路とを備え、
前記フレームの開始に対応したスタート信号を分周した周期を有する制御信号を生成する分周回路と、
前記画素は、
対応する前記走査線に接続した制御電極および対応する前記信号線に接続した一方の電流電極を有する画素能動素子と、
前記画素能動素子の他方の電流電極に接続した画素電極と、
対応する前記共通電極線と前記画素電極との間に接続した表示素子とを備え、
前記共通電極線駆動回路は前記フレーム毎に、
前記複数の画素の各々に対し、前記画素能動素子の活性期間の前の所定タイミングで、対応する前記共通電極線の電位を前記制御信号に基づいて変化させ、
前記走査線駆動回路、前記共通電極線駆動回路および前記分周回路を構成する能動素子は、
全て前記画素能動素子と同一導電型のものである
ことを特徴とする画像表示装置。
A plurality of scanning lines arranged in parallel to each other;
A plurality of signal lines arranged orthogonal to the plurality of scanning lines;
A plurality of common electrode lines each disposed along each of the plurality of scanning lines;
A plurality of pixels disposed near each intersection of the scanning line and the signal line;
A scanning line driving circuit that sequentially scans and drives the plurality of scanning lines for each frame;
A common electrode line driving circuit for driving the plurality of common electrode lines,
A frequency dividing circuit for generating a control signal having a period obtained by dividing the start signal corresponding to the start of the frame;
The pixel is
A pixel active element having a control electrode connected to the corresponding scan line and one current electrode connected to the corresponding signal line;
A pixel electrode connected to the other current electrode of the pixel active element;
A display element connected between the corresponding common electrode line and the pixel electrode;
The common electrode line driving circuit is provided for each frame.
For each of the plurality of pixels, the potential of the corresponding common electrode line is changed based on the control signal at a predetermined timing before the active period of the pixel active element,
Active elements constituting the scanning line driving circuit, the common electrode line driving circuit, and the frequency dividing circuit are:
An image display device characterized in that all are of the same conductivity type as the pixel active element.
請求項1から請求項3のいずれか記載の画像表示装置であって、
前記ゲート線駆動回路は、
縦続接続した複数のシフトレジスタにより構成され、
前記分周回路は、
第1,第2および第3の回路を備え、
前記第1の回路は、
前記第3の回路の出力信号を受け、前記スタート信号に同期して前記第3の回路の出力信号を反転させ、
前記第2の回路は、
前記第1の回路の出力信号を受け、前記複数のシフトレジスタのうち所定の一のシフトレジスタの出力信号に同期して前記第1の回路の出力信号を反転させ、
前記第3の回路は、
前記第2の回路の出力信号を受け、前記第2の回路の出力信号を反転させる
ことを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to any one of claims 1 to 3,
The gate line driving circuit includes:
Consists of a plurality of cascaded shift registers,
The divider circuit is
Comprising first, second and third circuits;
The first circuit includes:
Receiving the output signal of the third circuit, inverting the output signal of the third circuit in synchronization with the start signal,
The second circuit includes:
Receiving the output signal of the first circuit, inverting the output signal of the first circuit in synchronization with the output signal of a predetermined one of the plurality of shift registers,
The third circuit includes:
An image display device characterized by receiving an output signal of the second circuit and inverting the output signal of the second circuit.
請求項4記載の画像表示装置であって、
第1、第2および第3の回路のそれぞれは、インバータである
ことを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to claim 4,
Each of the first, second, and third circuits is an inverter.
請求項4または請求項5記載の画像表示装置であって、
前記所定の一のシフトレジスタは、前記複数のシフトレジスタのうち、前記画素の駆動に使用されていないものである
ことを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to claim 4 or 5,
The image display device according to claim 1, wherein the predetermined one shift register is not used for driving the pixel among the plurality of shift registers.
請求項4から請求項6のいずれか記載の画像表示装置であって、
前記分周回路は、
前記第1および第2の回路にその出力レベルを保持させる第1および第2の保持回路を備える
ことを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to any one of claims 4 to 6,
The divider circuit is
An image display device comprising first and second holding circuits for holding the output levels of the first and second circuits.
請求項4から請求項7のいずれか記載の画像表示装置であって、
前記分周回路は、
動作開始時に前記第2および第3の回路の出力レベルを特定のレベルに設定する初期化回路をさらに備える
ことを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to any one of claims 4 to 7,
The divider circuit is
An image display device, further comprising: an initialization circuit that sets the output levels of the second and third circuits to a specific level at the start of operation.
請求項1から請求項3のいずれか記載の画像表示装置であって、
前記ゲート線駆動回路は、
縦続接続した複数のシフトレジスタにより構成され、
前記分周回路は、
第1,第2および第3の回路を備え、
前記第1の回路は、
前記第3の回路の出力信号を受け、前記複数のシフトレジスタのうちの第1のシフトレジスタの出力信号に同期して前記第3の回路の出力信号を反転させ、
前記第2の回路は、
前記第1の回路の出力信号を受け、前記複数のシフトレジスタのうちの第2のシフトレジスタの出力信号に同期して前記第1の回路の出力信号を反転させ、
前記第3の回路は、
前記第2の回路の出力信号を受け、前記第2の回路の出力信号を反転させる
ことを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to any one of claims 1 to 3,
The gate line driving circuit includes:
Consists of a plurality of cascaded shift registers,
The divider circuit is
Comprising first, second and third circuits;
The first circuit includes:
Receiving the output signal of the third circuit, inverting the output signal of the third circuit in synchronization with the output signal of the first shift register of the plurality of shift registers,
The second circuit includes:
Receiving the output signal of the first circuit, inverting the output signal of the first circuit in synchronization with the output signal of the second shift register of the plurality of shift registers,
The third circuit includes:
An image display device characterized by receiving an output signal of the second circuit and inverting the output signal of the second circuit.
請求項9記載の画像表示装置であって、
第1、第2および第3の回路のそれぞれは、インバータである
ことを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to claim 9,
Each of the first, second, and third circuits is an inverter.
請求項9または請求項10記載の画像表示装置であって、
前記第1および第2のシフトレジスタは、前記複数のシフトレジスタのうち、前記画素の駆動に使用されていないものであることを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to claim 9 or 10,
The image display apparatus according to claim 1, wherein the first and second shift registers are not used for driving the pixels among the plurality of shift registers.
請求項9から請求項11のいずれか記載の画像表示装置であって、
前記分周回路は、
前記第1および第2の回路にその出力レベルを保持させる第1および第2の保持回路を備える
ことを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to any one of claims 9 to 11,
The divider circuit is
An image display device comprising first and second holding circuits for holding the output levels of the first and second circuits.
請求項9から請求項12のいずれか記載の画像表示装置であって、
前記分周回路は、
動作開始時に前記第2および第3の回路の出力レベルを特定のレベルに設定する初期化回路をさらに備える
ことを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to any one of claims 9 to 12,
The divider circuit is
An image display device, further comprising: an initialization circuit that sets the output levels of the second and third circuits to a specific level at the start of operation.
請求項1記載の画像表示装置であって、
前記制御信号は、互いに相補な第1および第2制御信号から成り、
前記容量線駆動回路は、
各々が対応する前記容量線を駆動する複数の単位回路により構成されており、
前記単位回路の各々は、
対応する前記容量線に接続する出力端子と、
前記出力端子に第1レベルの電位を供給する第1トランジスタと、
前記出力端子に第2レベルの電位を供給する第2トランジスタと、
前記所定タイミングで、前記第1トランジスタの制御電極が接続する第1ノードに前記第1および第2制御信号の一方を供給すると共に、前記第2トランジスタの制御電極が接続する第2ノードに第1および第2制御信号の他方を供給する極性切換回路と、
前記第1および第2ノードのレベルを保持するレベル保持回路とを備える
ことを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to claim 1,
The control signal is composed of first and second control signals complementary to each other,
The capacitor line driving circuit includes:
Each of which is composed of a plurality of unit circuits for driving the corresponding capacitance lines;
Each of the unit circuits is
An output terminal connected to the corresponding capacitance line;
A first transistor for supplying a first level potential to the output terminal;
A second transistor for supplying a second level potential to the output terminal;
At the predetermined timing, one of the first and second control signals is supplied to the first node to which the control electrode of the first transistor is connected, and the first node is connected to the second node to which the control electrode of the second transistor is connected. And a polarity switching circuit for supplying the other of the second control signals;
An image display device comprising: a level holding circuit for holding levels of the first and second nodes.
請求項14記載の画像表示装置であって、
前記レベル保持回路は、
前記第1および第2ノードのうちの第1および第2制御信号のレベルに応じた片方を、繰り返して充電することによりそれらのレベルを保持する
ことを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to claim 14,
The level holding circuit includes:
One of the first and second nodes according to the level of the first and second control signals is repeatedly charged to maintain the level.
請求項2記載の画像表示装置であって、
前記ゲート線駆動回路は、
縦続接続した複数のシフトレジスタにより構成され、
前記複数のシフトレジスタの各々は、
入力端子、第1出力端子、第1クロック端子並びにリセット端子と、
第1および第2電位がそれぞれ供給される第1および第2電源端子と、
前記第1クロック端子に入力される第1クロック信号を前記第1出力端子に供給する第1トランジスタと、
前記第1電位を前記第1出力端子に供給する第2トランジスタと、
前記第2電位を前記第1出力端子に供給する第3トランジスタと、
前記第1トランジスタの制御電極が接続する第1ノードのレベルを制御することにより当該第1トランジスタを駆動するプルアップ制御部と、
前記第2トランジスタの制御電極が接続する第2ノードのレベルを制御することにより当該第2トランジスタを駆動する第1プルダウン制御部と、
前記第3トランジスタの制御電極が接続する第3ノードのレベルを制御することにより当該第3トランジスタを駆動する第2プルダウン制御部とを備え、
前記プルアップ制御部は、
前記入力端子に入力される入力信号の活性化に応じて前記第1トランジスタをオンにし、前記リセット端子に入力されるリセット信号の活性化に応じて前記第1トランジスタをオフにし、
前記第1および第2プルダウン制御部は、
前記入力信号の活性化に応じて前記第2および第3トランジスタの両方をオフにし、前記リセット信号の活性化に応じて前記第2および第3トランジスタの片方を前記制御信号に基づき選択してオンにし、
前記第1クロック信号の非活性レベルの電位は、
前記第1電位と前記第2電位との間に設定されている
ことを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to claim 2,
The gate line driving circuit includes:
Consists of a plurality of cascaded shift registers,
Each of the plurality of shift registers is
An input terminal, a first output terminal, a first clock terminal and a reset terminal;
First and second power supply terminals to which first and second potentials are respectively supplied;
A first transistor for supplying a first clock signal input to the first clock terminal to the first output terminal;
A second transistor for supplying the first potential to the first output terminal;
A third transistor for supplying the second potential to the first output terminal;
A pull-up controller that drives the first transistor by controlling a level of a first node to which the control electrode of the first transistor is connected;
A first pull-down controller that drives the second transistor by controlling a level of a second node to which the control electrode of the second transistor is connected;
A second pull-down controller for driving the third transistor by controlling the level of the third node to which the control electrode of the third transistor is connected;
The pull-up control unit
Turning on the first transistor in response to activation of an input signal input to the input terminal; turning off the first transistor in response to activation of a reset signal input to the reset terminal;
The first and second pull-down controllers are
Both the second and third transistors are turned off in response to activation of the input signal, and one of the second and third transistors is selected on the basis of the control signal in response to activation of the reset signal. West,
The inactive level potential of the first clock signal is:
An image display device, wherein the image display device is set between the first potential and the second potential.
請求項16記載の画像表示装置であって、
前記複数のシフトレジスタの各々は、
第2出力端子と、
前記第1クロック信号と同位相の第2クロック信号が入力される第2クロック端子と、
前記第1ノードに接続した制御電極を有し、前記第2クロック端子に入力される第2クロック信号を前記第2出力端子に供給する第4トランジスタと、
前記第2ノードに接続した制御電極を有し、前記第1電位を前記第2出力端子に供給する第5トランジスタと、
前記第3ノードに接続した制御電極を有し、前記第1電位を前記第2出力端子に供給する第6トランジスタとをさらに備える
ことを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to claim 16, wherein
Each of the plurality of shift registers is
A second output terminal;
A second clock terminal to which a second clock signal having the same phase as the first clock signal is input;
A fourth transistor having a control electrode connected to the first node and supplying a second clock signal input to the second clock terminal to the second output terminal;
A fifth transistor having a control electrode connected to the second node and supplying the first potential to the second output terminal;
An image display device, further comprising: a sixth transistor having a control electrode connected to the third node and supplying the first potential to the second output terminal.
請求項17記載の画像表示装置であって、
前記第2クロック信号の非活性レベルの電位は、前記第1電位と同じである
ことを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to claim 17,
The image display device according to claim 1, wherein the second clock signal has an inactive level potential that is the same as the first potential.
請求項3記載の画像表示装置であって、
前記制御信号は、互いに相補な第1および第2制御信号から成り、
前記共通電極線駆動回路は、
各々が対応する前記共通電極線を駆動する複数の単位回路により構成されており、
前記単位回路の各々は、
対応する前記共通電極線に接続する出力端子と、
前記出力端子に第1レベルの電位を供給する第1トランジスタと、
前記出力端子に第2レベルの電位を供給する第2トランジスタと、
前記所定タイミングで、前記第1トランジスタの制御電極が接続する第1ノードに前記第1および第2制御信号の一方を供給すると共に、前記第2トランジスタの制御電極が接続する第2ノードに前記第1および第2制御信号の他方を供給する極性切換回路と、
前記第1および第2ノードのレベルを保持するレベル保持回路とを備える
ことを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to claim 3,
The control signal is composed of first and second control signals complementary to each other,
The common electrode line driving circuit includes:
Each unit is composed of a plurality of unit circuits for driving the corresponding common electrode line,
Each of the unit circuits is
An output terminal connected to the corresponding common electrode line;
A first transistor for supplying a first level potential to the output terminal;
A second transistor for supplying a second level potential to the output terminal;
At the predetermined timing, one of the first and second control signals is supplied to the first node connected to the control electrode of the first transistor, and the second node connected to the control electrode of the second transistor is connected to the second node. A polarity switching circuit for supplying the other of the first and second control signals;
An image display device comprising: a level holding circuit for holding levels of the first and second nodes.
請求項19記載の画像表示装置であって、
前記レベル保持回路は、
前記第1および第2ノードのうちの第1および第2制御信号のレベルに応じた片方を、前記フレームの周期よりも短い周期で繰り返して充電することによりそれらのレベルを保持する
ことを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to claim 19, wherein
The level holding circuit includes:
One of the first and second nodes according to the level of the first and second control signals is repeatedly charged at a cycle shorter than the cycle of the frame to maintain those levels. An image display device.
前記画素が有する表示素子は液晶素子である
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか記載の画像表示装置。
4. The image display device according to claim 1, wherein the display element included in the pixel is a liquid crystal element.
請求項1から請求項3のいずれか記載の画像表示装置であって、
前記信号線にデータ信号を出力するデータ信号出力回路をさらに備え、
前記データ信号出力回路は、
前記信号線のそれぞれに供給する前記データ信号の極性を前記制御信号に基づいて決定する
ことを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to any one of claims 1 to 3,
A data signal output circuit for outputting a data signal to the signal line;
The data signal output circuit includes:
An image display device, wherein the polarity of the data signal supplied to each of the signal lines is determined based on the control signal.
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