JP2009164826A - Silicon microphone package and mounting method of silicon microphone chip - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、シリコンマイクパッケージ、及び、これに備えるシリコンマイクチップの搭載方法に関する。 The present invention relates to a silicon microphone package and a mounting method of a silicon microphone chip provided for the silicon microphone package.
従来、シリコンコンデンサマイクロホンのように音響等の圧力変動を振動により検出するダイヤフラムを備えるシリコンマイクチップは、例えば特許文献1,2のように、基板の搭載面に搭載されて、この基板と共にシリコンマイクパッケージを構成している。このシリコンマイクチップは、シリコンからなる環状の支持部の内孔を覆うようにダイヤフラムを設けて構成されている。
一方、シリコンマイクチップを搭載する基板は、セラミック、プラスチック、ガラスエポキシによって構成されるものが広く使用されている。そして、従来のシリコンマイクパッケージでは、エポキシ系やアクリル系の熱硬化性樹脂によりシリコンマイクチップを基板の搭載面に貼り付けている。
On the other hand, substrates composed of ceramic, plastic, and glass epoxy are widely used as substrates on which silicon microphone chips are mounted. In the conventional silicon microphone package, the silicon microphone chip is attached to the mounting surface of the substrate with an epoxy or acrylic thermosetting resin.
しかしながら、シリコンマイクチップをなすシリコンと、基板を構成するセラミック、プラスチック、ガラスエポキシ等の材料とでは熱膨張係数が大きく異なり、また、エポキシ系やアクリル系の熱硬化性樹脂の弾性率は大きい。例えばエポキシ系熱硬化性樹脂の弾性率は3600MPa程度であり、アクリル系熱硬化性樹脂の弾性率は470MPa程度である。このため、従来のシリコンマイクパッケージがその使用時や製造時において加熱冷却されると、シリコンマイクチップのダイヤフラムに応力が加わり、この応力に基づくダイヤフラムの変形によってマイク特性が変動するという問題がある。 However, the coefficient of thermal expansion differs greatly between silicon forming the silicon microphone chip and materials such as ceramic, plastic, and glass epoxy constituting the substrate, and the epoxy and acrylic thermosetting resins have a large elastic modulus. For example, the elastic modulus of the epoxy thermosetting resin is about 3600 MPa, and the elastic modulus of the acrylic thermosetting resin is about 470 MPa. For this reason, when a conventional silicon microphone package is heated and cooled during use or manufacture, stress is applied to the diaphragm of the silicon microphone chip, and there is a problem that the microphone characteristics fluctuate due to deformation of the diaphragm based on this stress.
例えば、シリコンマイクチップを基板に貼り付ける際には、熱硬化性樹脂の加熱硬化及びその冷却によって基板が熱膨張あるいは収縮して変形する結果、その際に生じる応力がダイヤフラムに加わってしまい、これによりシリコンマイクパッケージの製造時にマイク特性が変化してしまい、目標とするマイク特性が得られなくなる虞がある。
また、製造されたシリコンマイクパッケージを別の実装基板に実装する場合にも、上記と同様に、ダイヤフラムが応力の影響を受けてしまい、目標とするマイク特性が得られない虞がある。
なお、このようなマイク特性の変化としては、例えばダイヤフラムに引張応力が生じると、音響等の圧力変動に対するダイヤフラムの撓み量が減少するため、マイク感度が低下してしまうことが挙げられる。
For example, when a silicon microphone chip is attached to a substrate, the substrate is thermally expanded or contracted by heat curing and cooling of the thermosetting resin, and as a result, stress generated at that time is applied to the diaphragm. As a result, the microphone characteristics change during the manufacture of the silicon microphone package, and the target microphone characteristics may not be obtained.
In addition, when the manufactured silicon microphone package is mounted on another mounting substrate, the diaphragm is affected by stress as described above, and the target microphone characteristics may not be obtained.
Note that the change in the microphone characteristics includes, for example, that when a tensile stress is generated in the diaphragm, the amount of bending of the diaphragm with respect to pressure fluctuations such as sound is reduced, so that the microphone sensitivity is lowered.
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、マイク特性の変動を抑制できるシリコンマイクパッケージ及びシリコンマイクチップの搭載方法を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object thereof is to provide a silicon microphone package and a method of mounting a silicon microphone chip that can suppress fluctuations in microphone characteristics.
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明のシリコンマイクパッケージは、支持部の内孔を覆うようにダイヤフラムを設けてなるシリコンマイクチップを基板の搭載面に搭載してなり、前記基板の搭載面に前記ダイヤフラムを対向させた状態で、前記支持部がシリコーン系熱硬化性樹脂により前記基板の搭載面に貼り付けられていることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the present invention proposes the following means.
In the silicon microphone package of the present invention, a silicon microphone chip having a diaphragm so as to cover the inner hole of the support portion is mounted on the mounting surface of the substrate, and the diaphragm is opposed to the mounting surface of the substrate. The support portion is attached to the mounting surface of the substrate with a silicone-based thermosetting resin.
この発明に係るシリコンマイクパッケージにおいて使用されるシリコーン系熱硬化性樹脂の弾性率は、シリコンからなる支持部よりも小さい。このため、基板とシリコンマイクチップとで熱膨張係数が大きく異なっていても、シリコンマイクパッケージが加熱冷却された際には、この熱膨張係数の差に基づいて基板とシリコンマイクチップとの間に発生する応力をシリコーン系熱硬化性樹脂において吸収することができる。 The elastic modulus of the silicone-based thermosetting resin used in the silicon microphone package according to the present invention is smaller than that of the support portion made of silicon. For this reason, even if the thermal expansion coefficient is greatly different between the substrate and the silicon microphone chip, when the silicon microphone package is heated and cooled, the difference between the thermal expansion coefficient is determined between the substrate and the silicon microphone chip. The generated stress can be absorbed in the silicone-based thermosetting resin.
また、前記シリコンマイクパッケージにおいては、前記シリコンマイクチップを含むように前記搭載面を覆って前記基板と共に中空の空洞部を形成する蓋体を備え、前記基板及び前記蓋体の少なくともいずれか一方に、前記空洞部を外方に連通させる開口部が形成されていてもよい。 The silicon microphone package includes a lid body that covers the mounting surface so as to include the silicon microphone chip and forms a hollow cavity with the substrate, and at least one of the substrate and the lid body. An opening that communicates the cavity with the outside may be formed.
このシリコンマイクパッケージにおいては、音響等の圧力変動が空洞部の外側から開口部を介してシリコンマイクチップのダイヤフラムに到達することで、上記圧力変動を検出することができる。
そして、このシリコンマイクパッケージでは、シリコンマイクチップが空洞部に配されているため、空洞部の外側の塵埃や水滴等からダイヤフラムを保護することができる。したがって、これら塵埃や水滴に基づいてシリコンマイクチップのマイク特性が変動したり、誤作動が生じることを防止できる。
In this silicon microphone package, the pressure fluctuation such as sound reaches the diaphragm of the silicon microphone chip from the outside of the cavity through the opening, so that the pressure fluctuation can be detected.
In this silicon microphone package, since the silicon microphone chip is disposed in the cavity, the diaphragm can be protected from dust, water droplets, and the like outside the cavity. Therefore, it is possible to prevent the microphone characteristics of the silicon microphone chip from fluctuating or malfunctioning based on these dust and water droplets.
そして、本発明のシリコンマイクチップの搭載方法は、基板の搭載面に、支持部の内孔を覆うようにダイヤフラムを設けてなるシリコンマイクチップを搭載する方法であって、前記基板の搭載面に、シリコーン系熱硬化性樹脂を塗布し、前記ダイヤフラムが前記搭載面に対向するように、前記支持部を前記シリコーン系熱硬化性樹脂上に配置し、前記シリコーン系熱硬化性樹脂を加熱して硬化させることで、前記支持部を前記搭載面に貼り付けることを特徴とする。 The silicon microphone chip mounting method of the present invention is a method of mounting a silicon microphone chip in which a diaphragm is provided on the mounting surface of the substrate so as to cover the inner hole of the support portion, and is mounted on the mounting surface of the substrate. The silicone thermosetting resin is applied, the support portion is disposed on the silicone thermosetting resin so that the diaphragm faces the mounting surface, and the silicone thermosetting resin is heated. The support portion is attached to the mounting surface by curing.
このシリコンマイクチップの搭載方法を実施することで前述のシリコンマイクパッケージを製造することができる。
また、このシリコンマイクチップの搭載方法においては、シリコーン系熱硬化性樹脂が硬化した後に、基板やシリコンマイクチップが冷却される。ここで、シリコーン系熱硬化性樹脂の弾性率は、前述したように、基板やシリコンマイクチップよりも小さい。このため、シリコンマイクチップを基板に搭載する際にも、シリコーン系熱硬化性樹脂は、基板とシリコンマイクチップとの熱膨張係数の差に基づいて基板とシリコンマイクチップとの間に発生する応力を吸収することができる。
By implementing this silicon microphone chip mounting method, the above-described silicon microphone package can be manufactured.
Moreover, in this silicon microphone chip mounting method, the substrate and the silicon microphone chip are cooled after the silicone-based thermosetting resin is cured. Here, the elastic modulus of the silicone-based thermosetting resin is smaller than that of the substrate or the silicon microphone chip as described above. For this reason, even when a silicon microphone chip is mounted on a substrate, the silicone-based thermosetting resin causes stress generated between the substrate and the silicon microphone chip based on the difference in thermal expansion coefficient between the substrate and the silicon microphone chip. Can be absorbed.
本発明によれば、基板とシリコンマイクチップとの熱膨張係数の差に基づいて、基板とシリコンマイクチップとの間に発生する応力をシリコーン系熱硬化性樹脂において吸収できるため、当該応力に基づくダイヤフラムの変形を抑えて、シリコンマイクチップのマイク特性が変動することを抑制できる。 According to the present invention, the stress generated between the substrate and the silicon microphone chip can be absorbed in the silicone-based thermosetting resin based on the difference in thermal expansion coefficient between the substrate and the silicon microphone chip. The deformation of the diaphragm can be suppressed, and the fluctuation of the microphone characteristics of the silicon microphone chip can be suppressed.
以下、図1を参照して本発明の一実施形態に係るシリコンマイクパッケージについて説明する。図1に示すように、この実施形態に係るシリコンマイクパッケージ1は、中空の空洞部Sを有するハウジング3内の搭載面3aに、シリコンマイクチップ5及びLSIチップ7を設けて構成されている。
シリコンマイクチップ5は、シリコンにより形成されて平面視略円形の内孔11aを有する環状の支持部11と、内孔11aの上端を覆うように配置された略円板状のバックプレート13と、支持部11の内孔11a側にバックプレート13と略平行に配されて内孔11aを覆うように配置された円板状のダイヤフラム15とから構成されている。なお、バックプレート13は、例えば多結晶シリコンを略円板状に形成した導電性の半導体膜であり、このバックプレート13には、その厚さ方向に貫通する複数の通孔13aが形成されている。また、ダイヤフラム15は、例えば、燐(P)などの不純物をドープした多結晶シリコンを円板状に形成した導電性の半導体膜である。
Hereinafter, a silicon microphone package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, a
The
このシリコンマイクチップ5においては、バックプレート13とダイヤフラム15との間にバイアス電圧を印加できるようになっており、ダイヤフラム15の振動に基づくバックプレート13とダイヤフラム15との間の静電容量の変化によって、音響等の圧力変動を検出するようになっている。
LSIチップ7は、例えばシリコンマイクチップ5からの電気信号を増幅するための増幅回路や、前記電気信号をデジタル信号として処理するためのA/D変換器、DSP(デジタルシグナルプロセッサ)等を含んで構成されている。
これらシリコンマイクチップ5とLSIチップ7とは、これらの間で上方に湾曲したループ形状をなすワイヤー9によって電気接続されている。
In the
The
The
ハウジング3は、シリコンマイクチップ5及びLSIチップ7を搭載する箱型基板(基板)21、及び、シリコンマイクチップ5及びLSIチップ7を含むように箱型基板21の搭載面3aを覆う蓋体23を備えている。
箱型基板21は、例えばセラミック基板等の所謂多層配線基板をなしており、板状に形成されてハウジング3の搭載面3aをなす底壁部25と、シリコンマイクチップ5及びLSIチップ7を囲繞するように搭載面3aから突出する環状の側壁部27とを備えている。なお、側壁部27は、前述した電気接続用のワイヤー9よりも上方に突出している。
The
The box-
例えば、この箱型基板21がセラミック多層配線基板からなる場合には、箱型基板21の配線部をなす所定パターンの導電路を形成したセラミックシートが複数積層されることで、箱型基板21を製造することができる。そして、側壁部27は、環状に形成されたセラミックシートを積層することで形成することができる。
なお、前述したシリコンマイクチップ5及びLSIチップ7は、箱型基板21の側壁部27の内周面との間に隙間をあけて配されている。そして、この箱型基板21は、その搭載面3aとLSIチップ7との間にワイヤー28を配することで、シリコンマイクチップ5及びLSIチップ7と電気接続される。
For example, when the box-
The
蓋体23は、例えば銅材等の導電性板材によって形成されており、箱型基板21の搭載面3a、シリコンマイクチップ5及びLSIチップ7の上方を覆うように側壁部27の上端面27aに配されている。すなわち、蓋体23は、箱型基板21の開口部分を閉塞することで箱型基板21と共に中空の空洞部Sを形成している。
この蓋体23には、空洞部Sを外方に連通させる開口部23aが形成されている。
The
The
そして、シリコンマイクチップ5及びLSIチップ7は、シリコーン系熱硬化性樹脂29によって箱型基板21の搭載面3aに貼り付けられている。
このシリコーン系熱硬化性樹脂29は、シリコンマイクチップ5の内孔11aの周囲と箱型基板21との間を埋めるように配されており、これが硬化した状態においては、内孔11a、ダイヤフラム15及び箱型基板21の搭載面3aとにより画定される空洞部S1が外方に対してほぼ密封されることになる。なお、実際に上記空洞部S1が密封されていると、温度や大気圧の変化に基づいてダイヤフラム15の両側において圧力差が生じるため、例えば、箱型基板21と支持部11との間の一部分のみにシリコーン系熱硬化性樹脂29を塗布せずに、この塗布しない部分を利用して空洞部S1を外方に連通させる細孔を形成する場合がある。
The
This silicone-based
このシリコーン系熱硬化性樹脂29の具体例としては、例えば東レ・ダウコーニング株式会社製の型番「DA6501」が挙げられる。このシリコーン系熱硬化性樹脂29は、150℃の高温を60分間維持することで硬化するようになっており、硬化状態におけるシリコーン系熱硬化性樹脂29の弾性率(ヤング率)は0.8MPaである。すなわち、シリコーン系熱硬化性樹脂29は、従来シリコンマイクチップ5のダイボンドに使用されているエポキシ系やアクリル系の熱硬化性樹脂の弾性率と比較して非常に小さい。
Specific examples of the silicone-based
以上のほうに構成されたシリコンマイクパッケージ1を製造する際には、はじめに、シリコンマイクチップ5を箱型基板21に搭載する。以下に、この搭載方法を説明する。
この搭載方法においては、はじめに、箱型基板21の搭載面3aにシリコーン系熱硬化性樹脂29を塗布する。次いで、ダイヤフラム15が搭載面3aに対向するように、支持部11をシリコーン系熱硬化性樹脂29上に配置する。そして、シリコーン系熱硬化性樹脂29を加熱して硬化させることで、支持部11を箱型基板21の搭載面3aに貼り付ける。この加熱硬化の際には、常温(25℃)から150℃の高温まで加熱し、この加熱状態を60分維持すればよい。なお、LSIチップ7は、シリコンマイクチップ5と同様にシリコーン系熱硬化性樹脂29によって貼り付けられ、この貼り付けはシリコンマイクチップ5の貼り付けと同時に行われる。
When manufacturing the
In this mounting method, first, a silicone-based
これらシリコンマイクチップ5及びLSIチップ7が箱型基板21の搭載面3aに貼り付けられた後には、シリコンマイクチップ5、LSIチップ7及び箱型基板21を冷却することで、シリコンマイクチップ5及びLSIチップ7の搭載が完了する。
この冷却においては、シリコンマイクチップ5と箱型基板21との熱膨張係数の差に基づいてシリコンマイクチップ5と箱型基板21との間に応力が発生する。ここで、前述したようにシリコーン系熱硬化性樹脂29の弾性率は箱型基板21やシリコンマイクチップ5よりも小さいことから、この応力はシリコーン系熱硬化性樹脂29によって吸収することができる。
After the
In this cooling, a stress is generated between the
上述したシリコンマイクチップ5及びLSIチップ7の搭載が完了した後は、シリコンマイクチップ5とLSIチップ7との間、及び、LSIチップ7と箱型基板21との間にそれぞれワイヤー9,28を配し、シリコンマイクチップ5及びLSIチップ7を覆う蓋体23を箱型基板21の上端面27aに固定することで、シリコンマイクパッケージ1の製造が完了する。
なお、以上のように製造されたシリコンマイクパッケージ1においては、音響等の圧力変動が外方から蓋体23の開口部23aを介してシリコンマイクチップ5のダイヤフラム15に到達した際に、この圧力変動に基づいてダイヤフラム15が振動することで、上記圧力変動を検出することができる。
After the above-described mounting of the
In the
上記シリコンマイクパッケージ1によれば、シリコーン系熱硬化性樹脂29の弾性率が支持部11よりも小さいため、シリコンマイクパッケージ1がその使用時において加熱冷却されても、シリコンマイクチップ5と箱型基板21との熱膨張係数の差に基づいてシリコンマイクチップ5と箱型基板21との間に発生する応力をシリコーン系熱硬化性樹脂29において吸収することができる。また、この応力は、前述したようにシリコンマイクチップ5の搭載時にも発生するが、同様にしてシリコーン系熱硬化性樹脂29において吸収される。
以上のことから、前記応力に基づくダイヤフラム15の変形を抑えて、シリコンマイクチップ5のマイク特性が変動することを抑制できる。
According to the
From the above, the deformation of the
また、このシリコンマイクパッケージ1によれば、シリコンマイクチップ5が空洞部Sに配されているため、空洞部Sの外側の塵埃や水滴等からダイヤフラム15を保護することができる。したがって、これら塵埃や水滴に基づいてシリコンマイクチップ5のマイク特性が変動したり、誤作動が生じることも防止できる。
Further, according to the
なお、上記実施形態において、空洞部Sを外方に連通する開口部23aは、蓋体23に形成されるとしたが、例えば箱型基板21の底壁部25や側壁部27に形成されていてもよい。
また、シリコンマイクチップ5及びLSIチップ7を搭載する箱型基板21は、底壁部25及び側壁部27によって構成されるとしたが、搭載面3aをなす底壁部25のみによって構成されるとしても構わない。すなわち、中空の空洞部Sを有するハウジングは、略板状の基板によって構成されるとしてもよい。この場合には、例えば凹部を有する蓋体を用意し、この蓋体をシリコンマイクチップ5及びLSIチップ7を含むように基板の搭載面に配すればよい。
In the above-described embodiment, the opening 23 a that communicates the cavity S outward is formed in the
Further, the box-
さらに、シリコンマイクパッケージ1は、基板と共に中空の空洞部Sを構成する蓋体を備えて構成されるとしたが、特に空洞部Sを形成する必要はない。したがって、例えば図2に示すように、シリコンマイクパッケージ31は、シリコーン系熱硬化性樹脂29によりシリコンマイクチップ5及びLSIチップ7を略板状の基板33の搭載面33aに貼り付けて構成されるとしてもよい。
また、これらシリコンマイクパッケージ1,31は、LSIチップ7を備えているが、少なくともシリコンマイクチップ5、これを搭載する基板21,33、及び、シリコンマイクチップ5を搭載面3a,33aに貼り付けるためのシリコーン系熱硬化性樹脂29を備えていればよい。
Furthermore, although the
The
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。 As mentioned above, although embodiment of this invention was explained in full detail with reference to drawings, the concrete structure is not restricted to this embodiment, The design change etc. of the range which does not deviate from the summary of this invention are included.
1,31…シリコンマイクパッケージ、3a…搭載面、5…シリコンマイクチップ、11…支持部、11a…内孔、15…ダイヤフラム、21…箱型基板(基板)、23…蓋体、23a…開口部、29…シリコーン系熱硬化性樹脂、33…基板、33a…搭載面、S…空洞部
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記基板の搭載面に前記ダイヤフラムを対向させた状態で、前記支持部がシリコーン系熱硬化性樹脂により前記基板の搭載面に貼り付けられていることを特徴とするシリコンマイクパッケージ。 A silicon microphone package in which a silicon microphone chip provided with a diaphragm so as to cover the inner hole of the support portion is mounted on the mounting surface of the substrate,
The silicon microphone package, wherein the support portion is bonded to the mounting surface of the substrate with a silicone-based thermosetting resin with the diaphragm facing the mounting surface of the substrate.
前記基板及び前記蓋体の少なくともいずれか一方に、前記空洞部を外方に連通させる開口部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のシリコンマイクパッケージ。 A lid that covers the mounting surface so as to include the silicon microphone chip and forms a hollow cavity with the substrate;
The silicon microphone package according to claim 1, wherein an opening for communicating the cavity portion outward is formed in at least one of the substrate and the lid.
前記基板の搭載面に、シリコーン系熱硬化性樹脂を塗布し、
前記ダイヤフラムが前記搭載面に対向するように、前記支持部を前記シリコーン系熱硬化性樹脂上に配置し、
前記シリコーン系熱硬化性樹脂を加熱して硬化させることで、前記支持部を前記搭載面に貼り付けることを特徴とするシリコンマイクチップの搭載方法。 A mounting method of a silicon microphone chip in which a silicon microphone chip having a diaphragm so as to cover the inner hole of the support portion is mounted on the mounting surface of the substrate,
A silicone thermosetting resin is applied to the mounting surface of the substrate,
The support portion is disposed on the silicone-based thermosetting resin so that the diaphragm faces the mounting surface,
A method of mounting a silicon microphone chip, wherein the silicone thermosetting resin is heated and cured to attach the support portion to the mounting surface.
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