JP2009164111A - 画像表示装置 - Google Patents
画像表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009164111A JP2009164111A JP2008305860A JP2008305860A JP2009164111A JP 2009164111 A JP2009164111 A JP 2009164111A JP 2008305860 A JP2008305860 A JP 2008305860A JP 2008305860 A JP2008305860 A JP 2008305860A JP 2009164111 A JP2009164111 A JP 2009164111A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- image display
- substrate
- film
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/123—Flat display tubes
- H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
- H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/316—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode having an electric field parallel to the surface, e.g. thin film cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
- H01J2329/02—Electrodes other than control electrodes
- H01J2329/04—Cathode electrodes
- H01J2329/0486—Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
- H01J2329/0489—Surface conduction emission type cathodes
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
【課題】電子放出素子を用いてなる画像表示装置において、配線上に微粒子分散膜を配置した場合に生じる配線金属の微粒子への拡散を防止し、該拡散に起因する画像特性の低下を防止する。
【解決手段】絶縁性基板1上に第1の配線4と、該第1の配線4とは絶縁層5を介して交差する第2の配線6を形成し、該第2の配線6上に導電性を有する隔絶層7を形成した後、微粒子分散膜からなる帯電防止膜を形成する。
【選択図】図3
【解決手段】絶縁性基板1上に第1の配線4と、該第1の配線4とは絶縁層5を介して交差する第2の配線6を形成し、該第2の配線6上に導電性を有する隔絶層7を形成した後、微粒子分散膜からなる帯電防止膜を形成する。
【選択図】図3
Description
本発明は、電子放出素子を電子源として用いた画像表示装置に関し、特にその配線に用いられた金属の拡散防止に関するものである。
近年、電子放出素子としては熱電子源と冷陰極電子源の2種類が知られており、冷陰極電子源には電界放出型素子、金属/絶縁層/金属型素子、表面伝導型電子放出素子等がある。冷陰極電子源の表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置が知られている。
このような装置は、表面伝導型電子放出素子を多数配置した電子源を有するリアプレートと、可視光を発光させる蛍光体を有するフェースプレートを組み合わせることによって大画面の装置でも比較的容易に構成される。そして、電子放出素子から放出された電子を加速し、蛍光体等からなる画像形成部材に入射させて輝度を得る。画像表示装置においては、入力信号に応じて応答するため、各電子放出素子を電気的に分離する必要があるので、絶縁性の基板が通常用いられるが、電子放出部近傍に絶縁性基板表面が露出していると、その表面の電位が不安定となり、電子放出が不安定となる。
画像形成部材の蛍光体に高電圧をかけると、対向する電子放出素子の周りの絶縁性表面は真空と絶縁体の誘電率で決まる容量分割による電位が発生する。この電位は、絶縁性が良好であればあるほど時定数が長く、帯電したままである。さらに、この状態で電子放出素子から電子を放出すると、電子は帯電した絶縁性表面にも衝突する。この場合に、電子が加速されることより、絶縁性表面に電子、イオン等の荷電粒子が注入されると2次電子が発生する。特に高電界下では、異常放電に至るため、素子の電子放出特性が著しく低下し、最悪の場合、素子が破壊される。このような異常放電が発生した際の対策として、特許文献1には、電子放出素子の電子放出部を除く部分を絶縁層で覆い、電子放出素子に放電電流を流さないようにする技術が開示されている。
また、他の手段として、特許文献2には、導電性微粒子を有機溶媒に分散させた溶液をスプレー塗布して電子放出素子の周辺に帯電防止膜を設ける方法が開示されている。
前述した帯電防止膜は、帯電電荷を逃がすため、電源に接続される必要がある。一般的には配線等の電源に接続されている導電体と帯電防止膜を接触させることで両者の電気的接続を確保する構成が採用される。しかし帯電防止膜として、SnOx等を含有する微粒子分散膜を用いた場合、熱処理を行うことにより配線に用いられる金属等が帯電防止膜の微粒子に拡散し、さらに微粒子表面に金属結晶体が析出・成長することが考えられる。これが真空中で加熱され、さらに電圧が印加されると、前記金属結晶体から電子が放出し所望の画像特性を得られないという問題が発生してしまう恐れがあった。
本発明は、電子放出素子を用いてなる画像表示装置において、配線上に微粒子分散膜を配置した場合に生じる配線金属の微粒子への拡散を防止し、該拡散に起因する画像特性の低下を防止することにある。
本発明の画像表示装置は、少なくとも、第1の配線と、該第1の配線と絶縁層を介して交差する第2の配線と、該第1の配線と第2の配線とに各々接続された一対の素子電極を備えた電子放出素子と、を有する第1の基板と、
前記第1の基板に対向して配置し、少なくとも、前記第2の配線よりも高電位に規定された電極と、上記電子放出素子から放出された電子の照射によって発光する画像形成部材と、を有する第2の基板と、
を有する画像表示装置であって、
上記第1の基板上に、前記第2の配線と電気的に接続する微粒子分散膜を更に有し、該第2の配線と微粒子分散膜との間に該第2の配線と微粒子分散膜とを隔絶する導電性の隔絶層を有することを特徴とする。
前記第1の基板に対向して配置し、少なくとも、前記第2の配線よりも高電位に規定された電極と、上記電子放出素子から放出された電子の照射によって発光する画像形成部材と、を有する第2の基板と、
を有する画像表示装置であって、
上記第1の基板上に、前記第2の配線と電気的に接続する微粒子分散膜を更に有し、該第2の配線と微粒子分散膜との間に該第2の配線と微粒子分散膜とを隔絶する導電性の隔絶層を有することを特徴とする。
本発明においては、下記の構成を好ましい態様として含む。
前記隔絶層が、少なくとも酸化インジウムを含有する。
前記隔絶層が、少なくとも酸化アンチモンを含有する。
前記隔絶層が、少なくともニッケルを含有する。
前記隔絶層の厚さが1μm以上である。
前記隔絶層が第2の配線の第2の基板に対向する表面の80%以上を覆っている。
前記微粒子分散膜が帯電防止膜である。
前記微粒子分散膜がアンチモンをドープした酸化スズからなる。
前記隔絶層が、少なくとも酸化インジウムを含有する。
前記隔絶層が、少なくとも酸化アンチモンを含有する。
前記隔絶層が、少なくともニッケルを含有する。
前記隔絶層の厚さが1μm以上である。
前記隔絶層が第2の配線の第2の基板に対向する表面の80%以上を覆っている。
前記微粒子分散膜が帯電防止膜である。
前記微粒子分散膜がアンチモンをドープした酸化スズからなる。
本発明によれば、熱処理を行ったとしても帯電防止膜の微粒子に配線金属が拡散するのが防止される。よって、該拡散による画像特性の低下が防止され、信頼性の高い画像表示装置を提供することができる。
図2に、本発明に好ましく用いられる表面伝導型電子放出素子の構成例を、図1−gに図2の電子放出素子を用いた本発明の画像表示装置の第1の基板の構成例を示す。また、図1−a乃至図1−fは図1−gの第1の基板の製造工程を示す図である。図中、1は基板、2,3は素子電極、4は第1の配線、5は絶縁層、6は第2の配線、7は隔絶層、8は導電性膜、9は導電性膜8に形成された電子放出部、10は帯電防止膜である。尚、図2(b)は(a)中のA−A’断面であり、図2(a)においては説明の便宜上、帯電防止膜10を省略した。また、図1−gにおいても、説明の便宜上、帯電防止膜10の一部分を省略して図示している。
以下に、図1−aから図1−hを用いて本発明に係る第1の基板の構成を説明する。
洗浄した基板1上の、後述する第1の配線4と第2の配線6との各交点に一対の素子電極2,3を金属材料で形成する(図1−a)。
基板1としては、石英ガラス、Na等の不純物含有量を減少したガラス、青板ガラス、青板ガラスにスパッタ法等で形成したSiO2を積層したガラス基板、アルミナ等のセラミックス及びSi基板等を用いることができる。
素子電極2,3の形成には、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD法等の真空系の成膜方法を用いて金属薄膜を成膜した後に、フォトリソグラフ法等によってパターニングしてエッチングする方法が挙げられる。また、有機金属を含有させたMOペーストをガラス凹版を用いてオフセット印刷する方法等も挙げられ、適宜選択することができる。
素子電極2,3は、例えば電極間隔L(図2参照)を数十〜数百μmとし、膜厚dは数十〜数百nmとする。そして、その材料としては導電性を有する材料であればよい。例えば、Ni,Cr,Au,Mo,W,Pt,Ti,Al,Cu,Pd等の金属やそれらの合金、及びPd,Ag,Au,RuO2,Pd−Ag等の金属やそれらの金属酸化物とガラス等から構成される印刷導体が挙げられる。また、ポリシリコン等の半導体材料、及びIn2O3−SnO2等の透明導電体なども挙げられる。
次にマトリクス配線をなす、第1の配線4を導電性ペーストを用いて形成する(図1−b)。形成する方法としては、スクリーン印刷法やフォトリソグラフ法等を用いて形成することができる。この時、第1の配線4は素子電極3と接続するように形成する。この第1の配線4は電気抵抗を低減させるために膜厚を厚く形成し、導電性ペーストとしては、例えばAg,Au,Cu,Ni,Pt,Pd等又はこれらの合金を用いることが好ましい。
次にマトリクス配線において、第1の配線4と後に形成される第2の配線6とを電気的に絶縁させる、絶縁層5をガラスペーストを用いて形成する(図1−c)。尚、絶縁層5は図1−cに示すように、第1の配線4上のみならず、第2の配線6が形成される部分にも形成するのが良く、これによって第2の配線6は、素子電極3とも確実に絶縁でき好ましい。絶縁層5を形成する方法としては、スクリーン印刷法又はフォトリソグラフ法等を選択することができる。絶縁層5に用いるガラスペーストとしては、酸化鉛又は酸化ビスマス等を主成分とするフリットガラス、セルロースなどの適当なポリマー及び有機溶剤等とビヒクルとを混合してなるもの等が挙げられる。
次に第1の配線4と交差してマトリクス配線をなす、第2の配線6を導電性ペーストを用いて絶縁層5上に形成する(図1−d)。形成する方法としては、スクリーン印刷法又はフォトリソグラフ法等を選択することができる。導電性ペーストとしては、第1の配線と同様に電気抵抗を低減させるために、例えばAg,Au,Cu,Ni,Pt,Pd等又はこれらの合金を用いることが好ましい。
次に、第2の配線6上に、隔絶層7を形成する(図1−e)。形成する方法としては、スクリーン印刷法、フォトリソグラフィ法、インクジェット法等を選択することができる。
この際、第2の配線6が露出しないように隔絶層7を形成することが必要であり、少なくとも第2の配線6の、後述する第2の基板に対向する表面の80%以上を覆っていることが好ましい。
また、隔絶層7は、第2の配線6と後に形成される微粒子分散膜からなる帯電防止膜との電気的接続を確保するため、またスペーサーの電位規定を満足する必要があるため、導電性を有している。材料としては例えば、Pt、Ru、Ag、Au、Ti、In、Cu、Ni、Cr、Fe、Zn、Sn、Ta、W、Pd等の金属、PdO、SnO2、In2O3、PbO、Sb2O3等の酸化物を含有するガラスペースト又は微粒子膜等を選択することができる。特に、絶縁層5との密着性及び電位規定充足のために、Niを主成分とし微量のガラス紛を含有する金属微粒ペーストを選択することが好ましい。
隔絶層7の厚さは、焼成工程の段階において第2の配線6からの金属拡散を防止できればよく、特に制限はないが、パネル形成時における厚さ等の観点から、通常0.2μm乃至10μm、好ましくは1μm以上であり、1μm乃至5μmである。
次に、導電性膜8を、一対の素子電極2,3間に渡って形成する(図1−f)。材料の具体例としては、Pt、Ru、Ag、Au、Ti、In、Cu、Cr、Fe、Zn、Sn、Ta、W、Pd等の金属、PdO、SnO2、In2O3、PbO、Sb2O3等の酸化物が挙げられる。また、HfB2、ZrB2、LaB6、CeB6、YB4、GdB4等のホウ化物、TiC、ZrC、HfC、TaC、SiC、WC等の炭化物、TiN、ZrN、HfN等の窒化物が挙げられる。さらにまた、Si、Ge等の半導体、カーボン、AgMg、NiCu、Pb、Sn等が挙げられる。係る導電性膜8は微粒子膜からなる。尚、ここで述べる微粒子膜とは複数の微粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒子が個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに隣接、或いは重なり合った状態(島状も含む)の膜を指す。導電性膜8を形成する手段としては、インクジェット方式が好ましく用いられる。これは原理・構成として非常に簡単であり、高速化、液滴の微小化が容易であるなどの多くの利点を持つ為である。実際には、前記導電性材料を含む有機金属化合物の溶液を所定の位置にのみ液滴として付与し乾燥させた後、加熱処理により有機金属化合物を熱分解することにより、金属或いは金属酸化物などの微粒子からなる導電性膜8が形成される。
次に、基板1表面の帯電を防止するための帯電防止膜10を基板1上に(第1の基板上に)形成する。帯電防止膜10は帯電によって生じる放電を防止するためには1010Ω/□〜1012Ω/□程度のシート抵抗値であるのが好ましい。また電子源を構成する場合には、第1の配線4と第2の配線6間のリーク電流の許容値から108Ω/□以上のシート抵抗値であることが要求される。帯電防止膜10は導電性微粒子を分散させた有機溶媒をスプレー塗布し、該有機溶媒を乾燥除去して得られる微粒子分散膜である。導電性微粒子としては、炭素材料やSnOx、酸化クロム等を主成分とする微粒子が好ましく用いられ、より好ましくは、アンチモン等をドープしたSnOxである。有機溶媒としては、アルコール類が好ましく用いられ、例えば、イソプロピルアルコール(IPA)とエチルアルコールの混合液が好ましく用いられる。
次に、導電性膜8に通電処理を施し、電子放出部9を形成する(図1−g)。尚、図1−gは、電子放出部9を説明するため、帯電防止膜10の一部分を省略して図示している。
また、図1−gにおけるB−B’断面の部分拡大図を図1−hに示す。電子放出部9は、導電性膜8の一部に形成された高抵抗の亀裂により構成され(図2)、導電性膜8の膜厚、膜質、材料及び通電処理条件等に依存したものとなる。電子放出部9の亀裂内部には、数百pmから数十nmの範囲の粒径の導電性微粒子が存在する場合もある。この導電性微粒子は、導電性膜8を構成する材料の元素の一部、或いは全ての元素を含有するものとなる。また、亀裂を含む電子放出部9及びその近傍の導電性膜8には、炭素及び炭素化合物を有することもある。
このような複数の電子放出素子をマトリクス配置した電子源を用いて構成した本発明の画像表示装置について、図3を用いて説明する。図3は、本発明の画像表示装置の好ましい実施形態の表示パネルの一例を示す模式図である。図中、11は電子放出素子、12は支持枠、13はフェースプレート(第2の基板)、13aは基板、13bは蛍光膜(画像形成部材)、13cはアノード電極(メタルバック)14はリアプレート(第1の基板)である。
リアプレート14は複数の電子放出素子11をマトリクス配置した電子源基板である。フェースプレート13は、基板13aの内面に蛍光体などの発光体からなる蛍光膜13bとアノード電極としてのメタルバック13cとが形成されてなる。メタルバック13cはリアプレート14の第2の配線6よりも高電位に規定され、電子放出素子11から放出された電子が蛍光膜13bに照射されることによって、蛍光膜13bが発光する。12は支持枠であり、リアプレート14、フェースプレート13がフリットガラス等を用いて封着されている。この封着に際しては、例えば画像表示装置内を真空にするために、真空中で焼成することによって封着される。一方、フェースプレート13、リアプレート14間に、スペーサーと呼ばれる支持体(不図示)を設置することにより、大気圧に対して十分な強度を持つように構成することもできる。
本発明の画像表示装置においては、リアプレート14の表面にSnOxを含む微粒子分散膜を帯電防止膜10として設けた場合であっても、第2の配線6上の隔絶層7によって、上記微粒子に第2の配線6を構成する金属が拡散するのが防止される。よって、封着時の真空焼成過程を経ても帯電防止膜10に金属粒状物・金属単結晶体の析出・成長が起こらず、電子放出時の電圧印加の際に異常放電を防ぐことができる。
(実施例1)
プラズマディスプレイで使用される高軟化点ガラス基板を用いて、膜厚20nm程度のPtをフォトリソエッチング法によりパターニングして、図1−aのように複数対の素子電極を形成した。
プラズマディスプレイで使用される高軟化点ガラス基板を用いて、膜厚20nm程度のPtをフォトリソエッチング法によりパターニングして、図1−aのように複数対の素子電極を形成した。
次に、Ag系フォトペーストを用いてスクリーン印刷による全面成膜を行い、約100℃で15分程度乾燥させた。これをフォトリソグラフ法を用いてパターニングを行い、不要部分を除去した。さらに、約500℃で15分程度焼成し、図1−bのように膜厚約8μmの第1の配線を形成した。
次に、Bi系の感光性ガラスペーストを用いてスクリーン印刷による全面成膜を行い、約150℃で10分程度乾燥し、フォトリソグラフ法を用いてパターニングを行い、不要部分を除去した。さらに約500℃で焼成し、図1−cのように絶縁層を形成した。本例においては、絶縁性の信頼性向上のために、同じ絶縁層を複数層積層させ、膜厚約30μmの絶縁層を形成した。
次に、Ag系ペーストをスクリーン印刷により成膜し、約100℃で15分程度乾燥、さらに約400℃で15分程度焼成し、図1−dのように第2の配線を形成した。本例においては抵抗値を満足させるために、同じ配線層を複数層積層させ、膜厚約30μmの第2の配線を形成した。
上記第2の配線上に、導電材料として酸化インジウムを主成分とし、微量の酸化スズを含有するガラスペーストを、スクリーン印刷により成膜し、約100℃で15分程度乾燥、さらに約400℃で15分程度焼成し、図1−eのように膜厚約3μm程度の隔絶層を形成した。この際使用した酸化インジウムとガラス粉の割合は、酸化インジウム/ガラスペースト=0.67質量%であった。該隔絶層が第2の配線を覆っている割合は約80%であった。
次に各素子電極対が連絡するように、インクジェット方式でPd系の有機溶媒を吐出させて膜厚が約5nmのパターンを形成し、図1−fのようにPdからなる導電性膜を形成した。
次に、酸化アンチモンからなる微粒子を、IPAとエチルアルコールの混合液に分散させた溶液を、基板上にスプレー塗布し、帯電防止膜を形成した。
上記導電性膜に通電処理を行い、図1−gのように電子放出部を形成して電子放出素子とした。
このように形成したリアプレートを、蛍光膜とメタルバックを備えたフェースプレートと対向配置させ、支持枠とでパネルを構成して真空封着を行い、異常放電の有無を確認した。その結果、第2の配線に用いられるAgの拡散・析出による異常放電は確認されなかった。サンプルのAgとガラスペーストの界面についてEPMA分析を行ったところ、Ag表面からガラスペーストの層1μmより上にAgは拡散していなかった。尚、第1の配線、第2の配線をCuで形成した場合においても、同様にCuの拡散は確認されなかった。
(実施例2)
隔絶層を酸化アンチモン粒子と酸化スズを含有するガラスペーストを用い、第2の配線の約100%を覆って形成する以外は実施例1と同様にしてリアプレートを作製した。
隔絶層を酸化アンチモン粒子と酸化スズを含有するガラスペーストを用い、第2の配線の約100%を覆って形成する以外は実施例1と同様にしてリアプレートを作製した。
このように形成したリアプレートを用いて、実施例1と同様にフェースプレートと真空封着を行い、異常放電の有無を確認したところ、第2の配線に用いられるAgの拡散・析出による異常放電は確認されなかった。また、サンプルのAgとガラスペーストの界面についてEPMA分析を行ったところ、Ag表面からガラスペーストの層1μmより上にAgは拡散していなかった。尚、同様に、第1の配線及び第2の配線をCuで形成した場合においても、Cuの拡散は確認されなかった。
(実施例3)
隔絶層をニッケルを主成分とし、微量のガラス紛を含有する金属微粒子ペーストを用い、第2の配線の約80%を覆って形成する以外は実施例1と同様にしてリアプレートを作製した。
隔絶層をニッケルを主成分とし、微量のガラス紛を含有する金属微粒子ペーストを用い、第2の配線の約80%を覆って形成する以外は実施例1と同様にしてリアプレートを作製した。
このように形成したリアプレートを用いて、実施例1と同様にフェースプレートと真空封着を行い、異常放電の有無を確認したところ、第2の配線に用いられるAgの拡散・析出による異常放電は確認されなかった。また、サンプルのAgとガラスペーストの界面について断面TEM観察及びEDX分析を行ったところ、Ag表面から金属ニッケル層の1μmより上にAgは拡散していなかった。尚、同様に、第1の配線及び第2の配線をCuで形成した場合においても、Cuの拡散は確認されなかった。
1 基板
2,3 素子電極
4 第1の配線
5 絶縁層
6 第2の配線
7 隔絶層
8 導電性膜
9 電子放出部
10 帯電防止膜
11 電子放出素子
12 支持枠
13 フェースプレート
13a 基板
13b 蛍光膜
13c メタルバック
14 リアプレート
2,3 素子電極
4 第1の配線
5 絶縁層
6 第2の配線
7 隔絶層
8 導電性膜
9 電子放出部
10 帯電防止膜
11 電子放出素子
12 支持枠
13 フェースプレート
13a 基板
13b 蛍光膜
13c メタルバック
14 リアプレート
Claims (8)
- 少なくとも、第1の配線と、該第1の配線と絶縁層を介して交差する第2の配線と、該第1の配線と第2の配線とに各々接続された一対の素子電極を備えた電子放出素子と、を有する第1の基板と、
前記第1の基板に対向して配置し、少なくとも、前記第2の配線よりも高電位に規定された電極と、上記電子放出素子から放出された電子の照射によって発光する画像形成部材と、を有する第2の基板と、
を有する画像表示装置であって、
上記第1の基板上に、前記第2の配線と電気的に接続する微粒子分散膜を更に有し、該第2の配線と微粒子分散膜との間には該第2の配線と微粒子分散膜とを隔絶する導電性の隔絶層を有することを特徴とする画像表示装置。 - 前記隔絶層が、少なくとも酸化インジウムを含有する請求項1に記載の画像表示装置。
- 前記隔絶層が、少なくとも酸化アンチモンを含有する請求項1に記載の画像表示装置。
- 前記隔絶層が、少なくともニッケルを含有する請求項1に記載の画像表示装置。
- 前記隔絶層の厚さが1μm以上である請求項1乃至4のいずれかに記載の画像表示装置。
- 前記隔絶層が第2の配線の第2の基板に対向する表面の80%以上を覆っている請求項1乃至5のいずれかに記載の画像表示装置。
- 前記微粒子分散膜が帯電防止膜である請求項1乃至6のいずれかに記載の画像表示装置。
- 前記微粒子分散膜がアンチモンをドープした酸化スズからなる請求項1乃至7のいずれかに記載の画像表示装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008305860A JP2009164111A (ja) | 2007-12-14 | 2008-12-01 | 画像表示装置 |
EP08171358A EP2071606A3 (en) | 2007-12-14 | 2008-12-11 | Image display apparatus |
CN2008101855340A CN101459028B (zh) | 2007-12-14 | 2008-12-12 | 图像显示装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007322748 | 2007-12-14 | ||
JP2008305860A JP2009164111A (ja) | 2007-12-14 | 2008-12-01 | 画像表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009164111A true JP2009164111A (ja) | 2009-07-23 |
Family
ID=40752271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008305860A Withdrawn JP2009164111A (ja) | 2007-12-14 | 2008-12-01 | 画像表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090153020A1 (ja) |
JP (1) | JP2009164111A (ja) |
CN (1) | CN101459028B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129485A (ja) * | 2009-12-21 | 2011-06-30 | Canon Inc | 画像表示装置 |
JP2011142044A (ja) * | 2010-01-08 | 2011-07-21 | Canon Inc | 画像表示装置 |
WO2023206071A1 (zh) * | 2022-04-26 | 2023-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4323679B2 (ja) * | 2000-05-08 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 電子源形成用基板及び画像表示装置 |
JP2001319561A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Canon Inc | 電子源及び画像表示装置 |
JP2002358874A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Canon Inc | 電子源及び画像形成装置の製造方法 |
US7458872B2 (en) * | 2004-01-05 | 2008-12-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing electron-emitting device, electron source, and image display device |
US7755267B2 (en) * | 2004-06-03 | 2010-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emitting device having electroconductive thin film and high resistivity sheet |
JP3927972B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2007-06-13 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
JP4886184B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2012-02-29 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置 |
-
2008
- 2008-11-24 US US12/276,548 patent/US20090153020A1/en not_active Abandoned
- 2008-12-01 JP JP2008305860A patent/JP2009164111A/ja not_active Withdrawn
- 2008-12-12 CN CN2008101855340A patent/CN101459028B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101459028A (zh) | 2009-06-17 |
US20090153020A1 (en) | 2009-06-18 |
CN101459028B (zh) | 2010-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7541731B2 (en) | Flat-panel display | |
JP2004047408A (ja) | 冷陰極電界電子放出表示装置 | |
US7731556B2 (en) | Flat panel display, method of manufacturing anode panel for the flat panel display, and method of manufacturing cathode panel for the flat panel display | |
US7211943B2 (en) | Electron source plate, image-forming apparatus using the same, and fabricating method thereof | |
EP1137041B1 (en) | Electron beam device, method for producing charging-suppressing member used in the electron beam device, and image forming device | |
JP2008257913A (ja) | 電子線装置 | |
JP2009164111A (ja) | 画像表示装置 | |
EP2120245A1 (en) | Electron emitter and image display apparatus | |
US7458872B2 (en) | Method of manufacturing electron-emitting device, electron source, and image display device | |
US7075223B2 (en) | Electron beam apparatus with potential specifying plate structure | |
EP2017873B1 (en) | Electron emission decvice | |
US7291963B2 (en) | Image display device | |
US6853128B2 (en) | Electron source substrate, production method thereof, and image forming apparatus using electron source substrate | |
EP2071606A2 (en) | Image display apparatus | |
JPH0765708A (ja) | 電子放出素子並びに画像形成装置の製造方法 | |
JP3737708B2 (ja) | 電界放出装置及び画像表示装置 | |
JP2004241292A (ja) | 冷陰極電界電子放出表示装置 | |
JP3478661B2 (ja) | 電子源の製造方法および画像形成装置の製造方法 | |
US20110148946A1 (en) | Image display apparatus | |
JP3848228B2 (ja) | 配線装置の製造方法、電子源基板の製造方法及び画像表示装置の製造方法 | |
US8237345B2 (en) | Display apparatus with conductive frame | |
JP2005044705A (ja) | 冷陰極電界電子放出表示装置 | |
JP3135813B2 (ja) | 画像形成装置及びその製造方法 | |
JP2000244079A (ja) | マトリックス配線基板、電子源基板および画像形成装置 | |
JPH09272220A (ja) | 電子源、画像形成装置及び製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20120207 |