JP2011129485A - 画像表示装置 - Google Patents
画像表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011129485A JP2011129485A JP2009289729A JP2009289729A JP2011129485A JP 2011129485 A JP2011129485 A JP 2011129485A JP 2009289729 A JP2009289729 A JP 2009289729A JP 2009289729 A JP2009289729 A JP 2009289729A JP 2011129485 A JP2011129485 A JP 2011129485A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- electron
- potential
- insulating layer
- resistance film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/123—Flat display tubes
- H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
- H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/04—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/467—Control electrodes for flat display tubes, e.g. of the type covered by group H01J31/123
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
【課題】 消費電力を低減した画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 一対の電極間に電子放出部を備える複数の電子放出素子を互いに接続する第一の配線と、第一の配線よりも高抵抗な第二の配線と、第二の配線を覆う絶縁層と、第一の配線と接続して絶縁層を覆う表面抵抗が108Ω/□以上の抵抗膜とを有し、抵抗膜は第二の配線と重ならない部分で第一の配線と接続し、抵抗膜の第一の配線と接続する部分と第二の配線と重なる部分との間の長さLが絶縁層の厚さTの5倍以上であることを特徴とする画像表示装置。
【選択図】 図2
【解決手段】 一対の電極間に電子放出部を備える複数の電子放出素子を互いに接続する第一の配線と、第一の配線よりも高抵抗な第二の配線と、第二の配線を覆う絶縁層と、第一の配線と接続して絶縁層を覆う表面抵抗が108Ω/□以上の抵抗膜とを有し、抵抗膜は第二の配線と重ならない部分で第一の配線と接続し、抵抗膜の第一の配線と接続する部分と第二の配線と重なる部分との間の長さLが絶縁層の厚さTの5倍以上であることを特徴とする画像表示装置。
【選択図】 図2
Description
本発明は、抵抗膜を有する画像表示装置に関する。
複数の電子放出素子を互いに配線で接続したリアプレートと、電子放出素子から放出された電子を加速するアノードと加速された電子の照射を受けて発光する発光部材とを有するフェースプレートとを、数mmの間隔で対向配置させた画像表示装置の研究が行われている。このタイプの画像表示装置においては、アノードと電子放出素子との間で放電が発生することが懸念されている。この放電の対策として特許文献1には、電子源基板上の電子放出部を除く導電部材を絶縁部材で覆う構成が開示されている。更に、この導電部材を覆う絶縁部材を、抵抗部材で覆う構成についても開示されている。
しかし特許文献1に開示の技術においては、抵抗部材と導電部材とが絶縁部材を介して積層されているため、抵抗部材と導電部材との間での静電容量に基づく充放電電流による無効な電力消費の抑制が求められていた。本発明は、消費電力を低減した画像表示装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明は、それぞれが一対の電極と該一対の電極間に位置する電子放出部とを備える複数の電子放出素子と、前記複数の電子放出素子のそれぞれの一対の電極の一方を互いに接続する第一の配線と、前記複数の電子放出素子のそれぞれの一対の電極の他方を互いに接続する前記第一の配線よりも高抵抗な第二の配線と、前記第二の配線を覆う絶縁層と、前記第一の配線と接続し、一部が前記第二の配線と重なって前記絶縁層を覆う表面抵抗が108Ω/□以上の抵抗膜とを有するリアプレートと、
前記電子放出素子よりも高電位に規定されたアノードと、前記電子放出素子から放出された電子の照射を受けて発光する発光部材とを有するフェースプレートと、
を有する画像表示装置であって、
前記抵抗膜は前記第二の配線と重ならない部分で前記第一の配線と接続し、前記抵抗膜の該第一の配線と接続する部分と前記第二の配線と重なる部分との間の該抵抗膜の長さLが以下の関係を満たすことを特徴とする画像表示装置である。
L≧5T
T:前記絶縁層の厚さ
前記電子放出素子よりも高電位に規定されたアノードと、前記電子放出素子から放出された電子の照射を受けて発光する発光部材とを有するフェースプレートと、
を有する画像表示装置であって、
前記抵抗膜は前記第二の配線と重ならない部分で前記第一の配線と接続し、前記抵抗膜の該第一の配線と接続する部分と前記第二の配線と重なる部分との間の該抵抗膜の長さLが以下の関係を満たすことを特徴とする画像表示装置である。
L≧5T
T:前記絶縁層の厚さ
本発明によれば、消費電力を低減した画像表示装置を提供しえる。
以下に本発明の好ましい実施の形態を、図面を用いて説明する。
図1は本実施形態の画像表示装置の斜視図であり、内部構成を示すために一部を切り欠いて示している。図2の(a)は図1の画像表示装置の電子放出素子5の1つを拡大した部分拡大図である。
図1は本実施形態の画像表示装置の斜視図であり、内部構成を示すために一部を切り欠いて示している。図2の(a)は図1の画像表示装置の電子放出素子5の1つを拡大した部分拡大図である。
図1に示すように、画像表示装置47は、フェースプレート46とリアプレート30とを枠42を介して接合して形成されている。フェースプレート46は、フロント基板43とフロント基板43上に配置された複数の発光部材44と後述の電子放出素子5から放出された電子を加速するため、電子放出素子5よりも高電位に規定されたアノード45とを有している。発光部材44は、電子放出素子5から放出された電子の照射を受けて発光する。リアプレート30は、バック基板1と、バック基板1上に行列状に配置された複数の電子放出素子5と、複数の第一配線である行配線4と、複数の第二配線である列配線2とを有している。図2の(a)に示すように、それぞれの電子放出素子5は、一対の電極であるカソード10及びゲート11と、一対の電極間に位置する電子放出部12とを備えている。そして複数の電子放出素子5のそれぞれの、一対の電極の一方であるカソード10が、第一の配線である行配線4で互いに接続され、他方の電極であるゲート11が、第二の配線である列配線2で互いに接続されている。そして、列配線2は行配線4よりも抵抗が高く、また絶縁層3で覆われている。
尚、一般に画像表示装置は、画面の縦の長さと横の長さに差が有り、また縦と横とで配列されている画素の数が異なる。このため、画素に対応して配列された複数の電子放出素子を互いに接続する配線は、互いに長さや幅が異なり、結果、抵抗値が異なる。本実施の形態においては、列配線2が行配線4よりも高抵抗であるが、行配線4が列配線2よりも高抵抗であってもかまわない。重要なことは、高抵抗な配線が、絶縁層3で覆われていることである。
列配線2が絶縁層3で覆われていることによって、フェースプレート46とリアプレート30との間で不慮の放電が生じる場合も、アノード45と列配線2との間で放電が生じることを抑制できる(列配線2に直接放電が落ちるのを抑制できる)。そして高抵抗な列配線2とアノードとの間で放電が生じることを抑制できる結果、列配線2に繋がる電子放出素子5がすべて劣化する、所謂、ライン欠陥の発生を防止できる。これについて、詳述する。
行配線4または列配線2とアノード45との間で放電が生じると、放電が発生した配線に流れる放電電流とその配線の抵抗値との積で決まる電圧値まで配線の電位が上昇する。列配線2の抵抗は行配線4の抵抗よりも大きいので、列配線2に放電電流が流れた場合、電位の上昇も大きい。このため、列配線2に放電電流が流れると、この列配線2に接続されている全ての電子放出素子5が高電位に規定され、電子放出特性が大きく劣化し、所謂「ライン欠陥」が発生する。しかし本実施の形態の構成では、抵抗が高い列配線2に放電が落ちるのを抑制できるので、結果、ライン欠陥を抑制できる。
また、本実施の形態の構成においては、第一配線である行配線4と接続し、一部が第二配線である列配線2と重なって絶縁層3を覆う抵抗膜8を有している。そして、抵抗膜8は、列配線2と重ならない部分で第一の配線である行配線4と接続している。そして、抵抗膜8の第一の配線である行配線4との接続部13と列配線2と重なる部分との間の抵抗膜の長さLが、絶縁層3の厚さTに対して、L≧5T(以下、式1という場合有り)を満たしている。本実施の形態では、図2の(a)に示すように、この関係を満たすように抵抗膜8の行配線4との接続部13を列配線2と重ならないように列配線2上からずらし、接続部13からの距離が5T未満の範囲では、抵抗膜8が列配線2と重ならないようにしている。尚、絶縁層3の厚さTとは、抵抗膜8と第二の配線である列配線2とが重なる部分での絶縁層3の厚さであり、換言すれば、抵抗膜8と第二の配線である列配線2とで挟まれている部分の絶縁層3の厚さである。これによって、電子放出素子5から放出された電子の軌道を安定させると共に、消費電力の低減が図れる。これについて、詳述する。
列配線2を絶縁層3で覆うことによって、上述のとおりライン欠陥の発生を防止できるが、絶縁層3表面で帯電が生じ、電子放出素子5から放出された電子ビームの軌道が安定しないという問題が新たに生じる。そこで、絶縁層3を覆うように抵抗膜8を設け、この抵抗膜8を行配線4と接続することで、抵抗膜8が帯電防止膜として機能し、絶縁層3の表面が帯電するのを抑制できるため、電子ビームの軌道が安定する。また、上述の放電がアノード45と抵抗膜8との間で生じた場合にも、抵抗膜8は行配線4と接続しているので、行配線4よりも抵抗の高い列配線2に放電電流が流れ込むことを抑制できる。
しかし、行配線4と接続する抵抗膜8で、一部が列配線2と重なるようにして絶縁層3を覆うと、抵抗膜8と列配線2との間に生じる容量に応じた充電電流が流れ、電力が消費される。しかし、列配線2と絶縁層3を挟んで重なるのは抵抗体からなる抵抗膜8ゆえ、抵抗膜8に充電電流が流れるまでには時間がかかり、そのため、必ずしも列配線2との重なり面積に比例した電力消費が発生するわけではない。これについて説明する。
図2の(b)は、図2の(a)同様、列配線2を覆う絶縁層3の上に抵抗膜8を設けたリアプレートの図であり、図2の(a)の構成とは、抵抗膜8の行配線4との接続部13の近傍、具体的には、接続部13からの距離が5T未満の範囲(以下領域Aという)でも、抵抗膜8が列配線2と重なっている点で異なる。また、図3の(a)〜(c)は列配線2に電位V2が、所定時間tの間供給された際の抵抗膜8の領域A〜Cにおける電位の時間変化の状態を示した模式図である。尚、領域Aは抵抗膜8の行配線との接続部に隣接する領域であり接続部からの距離Lが上記式1を満たさない領域(5T未満の領域)、領域Bは領域Aに隣接し、行配線4との接続部から5T以上はなれた領域、領域Cは領域Bよりも更に行配線4との接続部から離れた領域である。また図3の(d)は、図2の(b)における抵抗膜8の替わりに導体で絶縁層3を覆った構成における導体の電位の時間変化を示した図であり、導体の電位は、導体の全ての領域で同じ挙動を示す。また、各図とも、上段に列配線2の電位、中段に抵抗膜8または導体の電位、下段に抵抗膜8または導体に流れる充電電流を示している。尚、説明を容易にするため、行配線4への供給電位V1はGND電位とする。
図3の(d)に示すように、列配線2に電位V2が供給されても、導体の電位は変化することなく、行配線電位V1であるGND電位を維持する。これは、導体は抵抗が極めて低く、電極として機能しているため、列配線2の電位V2の供給によって絶縁層3で誘電分極が生じても、図の下段に示すように、それに応じた電子量の充電電流が速やかに行配線4から供給されているためであり、その結果、導体の電位も変動せず、GND電位を維持している。
一方、図3の(a)〜(c)に示すように、抵抗膜8では、列配線2に電位V2が供給されると、何れの領域も絶縁層3の誘電分極の影響によって、列配線2の電位V2に追随するように電位が変動する。そのうちの領域Aの電位は、列配線2の電位の変化に追随して、僅かな時間、具体的には列配線2の電位が最高電位であるV2maxに到達しないうち(時間t1に満たないうち)はわずかに変動するものの、行配線4との接続部に近いため、図の下段に示すように速やかに電子が供給され、t1内においてすぐにGND電位に落ち着いている。また、領域Bの電位は、列配線2の電位の変化に追随してV2max電位まで上昇するものの、下段に示すようにやがて行配線4からの供給電子が到達し、次第に電位がGND電位に向けて下がり始め、列配線2の電位V2の供給の終了に同期して電位V2と同様に立ち下がった後、やがてGND電位にいたる。一方、領域Cの電位は、列配線2の電位の変化に追随して電位V2maxまで上昇し、その後も列配線2と同じ電位のまま維持され、やがて列配線2の電位V2の立下りと同期して同じ変化をたどってGND電位にいたる。つまり、領域Cにおいては、その電位の変動が列配線2の電位V2の変動と同じになっている。これは、領域Cにおいては、図の下段に示すように、列配線2への電位V2の供給期間(時間t2)内で、行配線4からの供給電子が到達していないためである。よって、領域Cの抵抗膜8は、列配線2への電位V2の供給時間t2内においては、列配線2との電位差が生じておらず、充電電流も流れていないため電力消費が生じていない。このように、列配線2と絶縁層3を挟んで重なるのが抵抗体である抵抗膜8の場合、導体とは異なる電位変動の挙動を示すため、列配線2への電位供給時間によっては、列配線2との重なり面積分ほどの電力消費が生じないことがある。そして鋭意検討の結果、このように、導体とは異なる電位変動の挙動を示す抵抗膜8は、その表面抵抗が108Ω/□以上であることもわかってきた。
しかし、上記図3の(a)で示したように、列配線2の電位が最高電位V2maxにいたる時間t1の前に、抵抗膜8に充電電流が流れて電力消費が発生する領域もある。これは、電子放出に必要な電位差(電圧)が一対の電極であるカソード10とゲート11との間にかかる前に発生する電力消費故、列配線2への電位供給時間の調整では対応できない電力消費である。そこで本実施の形態では、図2の(a)に示すように抵抗膜8が絶縁層3を覆う箇所を、上記式1を満たす領域B、領域Cのみとすることによって、つまり、領域Aにおいては、抵抗膜8と列配線2とが重ならないようにすることによって、絶縁層3表面の帯電を抑制しながら、抵抗膜8と列配線2との容量に基づく電力消費をも抑制しえる構造を提供するものである。次に、領域Aの長さについて、説明する。
図4の(a)は、列配線2に電位V2を供給し、電位V2が最高電位V2maxに至った時点(上述のt1)における、図2の(b)に示す構成の抵抗膜8の電位分布を示しており、縦軸が抵抗膜8の電位、横軸が抵抗膜8の行配線4との接続部13からの長さを示している。上述の説明及び図4に示すように、抵抗膜8の電位は、列配線2の電位供給に基づく、絶縁層3の誘電分極の影響を受けて、GND電位から列配線の電位V2へと変動する。ここで、図4の(a)に示すように、抵抗膜8のうち、行配線4との接続部の近傍の領域Aは、列配線2の電位が最高電位V2maxに至った時点t1で、既に電位がGNDに戻りはじめており、これは上述のとおり、すでに行配線4からの供給電子が領域Aに到達しているためである。この領域Aの長さは、行配線4からの電子の供給スピードが早いほど、また抵抗膜8をGND電位に戻すために必要な(消費される)供給電荷量が少ないほど大きくなり、具体的には、抵抗膜8の表面抵抗と絶縁層3の誘電率に反比例し、絶縁層3の厚みに比例するという関係が我々の研究から明らかになった。このことは、領域Aが行配線4からの供給電子が既に到達している領域であること、この電子の供給のスピードにかかわる抵抗膜8の電子移動度が、抵抗率と電子密度との積に反比例することからも上記の関係が理解できる。また、抵抗膜8の電位を戻すために必要な(消費される)供給電荷量に等しい、絶縁層3での誘電分極の大きさが、絶縁層3の誘電率に比例し、厚みに反比例する事からも上記関係が理解できる。ここで、抵抗膜8が列配線2の電位に追随して変動するためには、上述のとおり表面抵抗が108Ω/□以上である必要があるため、抵抗膜8の表面抵抗が108Ω/□のとき、領域Aの長さは最大となる。また、上述のとおり、絶縁層3は列配線2に放電電流を流さないために十分な絶縁性が必要であり、このような条件を満たす絶縁層3は、一般に4.6以上の誘電率を有することも我々の検討から明らかになってきた。よって、絶縁層3の誘電率が4.6の時、領域Aは最大となる。
図4の(b)に、抵抗膜8の表面抵抗が108Ω/□であり、絶縁層3の誘電率が4.6であるSiO2の場合と、9.0であるSiNの場合の、抵抗膜8の領域Aの長さと絶縁層3の厚みとの関係を示す。図4の(b)に示すように、誘電率9.0の場合に比べて誘電率4.6の場合のほうが抵抗膜8の領域Aが長くなり、上述の検討結果とも合致していることがわかる。そして、誘電率4.6の場合には、領域Aの長さは、絶縁層3の厚みの約5倍程度にまで及んでいる。従って、領域Aは絶縁層3の厚さTの5倍の長さとすれば、電力消費を低減できる。
次に、本実施の形態における各構成部材について説明する。先ずリアプレート30の構成部材から説明する。
バック基板1としては、電子放出素子5や第一の配線である行配線4,第二の配線である列配線2等を機械的に支えるための強度を有すること、ドライエッチング、ウェットエッチング、現像液等として用いられるアルカリや酸に対する耐性があることが望ましい。このことから、バック基板1としては、石英ガラス、Na等の不純物含有量を減少させたガラス、青板ガラス、青板ガラス及びSi基板等にスパッタ法等によりSiO2を積層した積層体、アルミナ等のセラミックス等が使用でき、本実施の形態では、PD200等の高歪み防止ガラスが好適に用いられる。
バック基板1としては、電子放出素子5や第一の配線である行配線4,第二の配線である列配線2等を機械的に支えるための強度を有すること、ドライエッチング、ウェットエッチング、現像液等として用いられるアルカリや酸に対する耐性があることが望ましい。このことから、バック基板1としては、石英ガラス、Na等の不純物含有量を減少させたガラス、青板ガラス、青板ガラス及びSi基板等にスパッタ法等によりSiO2を積層した積層体、アルミナ等のセラミックス等が使用でき、本実施の形態では、PD200等の高歪み防止ガラスが好適に用いられる。
一対の電極であるカソード10及びゲート11としては、良好な導電性に加えて高い熱伝導性があり、融点が高い材料で構成するのが望ましい。このような材料としては、Be,Mg,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Mo,W,Al,Cu,Ni,Cr,Au,Pt,Pd等の金属または合金材料が使用できる。また、TiC,ZrC,HfC,TaC,SiC,WC等の炭化物が挙げられる。また、HfB2,ZrB2,CeB6,YB4,GbB4等の硼化物、TaN,TiN,ZrN,HfN等の窒化物、Si,Ge等の半導体も使用できる。また、有機高分子材料、アモルファスカーボン、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンドを分散した炭素及び炭素化合物等も使用可能である。また、形成方法としては、蒸着法、スパッタ法等の一般的真空成膜技術が使用可能である。
電子放出部12としては、良好な導電性に加えて、電界放出する材料であればよく、一般的には2000℃以上の高融点、5eV以下の仕事関数材料であり、酸化物等の化学反応層を形成しづらい材料が好ましい。このような材料をしては、Hf,V,Nb,Ta,Mo,W,Au,Pt,Pd等の金属または合金材料が使用可能である。また、TiC,ZrC,HfC,TaC,SiC,WC等の炭化物、HfB2,ZrB2,CeB6,YB4,GdB4等の硼化物、TiN,ZrN,HfN、TaN等の窒化物も使用可能である。またさらには、アモルファスカーボン、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンドを分散した炭素及び炭素化合物等も使用可能である。また、形成方法としては、蒸着法、スパッタ法等の一般的真空成膜技術が使用可能である。
第一の配線である行配線4及び第二の配線である列配線2としては、金属等の導電物であれば特に限定はなく、形成方法も印刷法やディスペンサによる塗布法などが使用可能である。また、第二の配線である列配線2は、第一の配線である行配線4に比べて、幅や厚みを小さくしたり、導電率の低い材料で形成することで、行配線4よりも抵抗を高くしてもよい。
絶縁層3としては、高電界に耐えられる材料が好ましく、例えばSiO2などの酸化物、Si3N4などの窒化物等が使用でき、スパッタ法等の一般的な真空成膜法、CVD法、真空蒸着法等で形成することができる。
抵抗膜8としては、上述のとおり、表面抵抗を108Ω/□以上に設定することが出来る材料であれば特に限定は無いが、電子移動度が小さい材料が好ましく、例えば、アモルファスシリコンや、カーボンなどの半導体材料が好ましい。
次に、フェースプレート46の構成部材を説明する。
次に、フェースプレート46の構成部材を説明する。
フロント基板43としては、ガラス等の可視光を透過する部材が使用でき、本実施の形態においては、PD200等の高歪み防止ガラスが好適に用いられる。
発光部材44としては、電子線励起により発光する蛍光体結晶を使用することができる。蛍光体の具体的な材料としては、例えば「蛍光体ハンドブック」蛍光体同学会編(オーム社発行)に記載された、従来のCRTなどに用いられている蛍光体材料などを用いることができる。
アノード45としては、CRT等で知られているAl等からなるメタルバックが使用できる。アノード45のパターニングには、マスクを介した蒸着法や,エッチング法などが使用可能である。またアノード45の厚みは、アノード45を通過して発光部材44に電子を到達させる必要があるので、電子のエネルギー損失、設定されている加速電圧(アノード電圧)と光の反射効率を考慮して適宜設定される。
尚、本実施の形態においては、図1に示すように、好ましい形態として、隣り合う発光部材44の間に遮光部材48を有している。
遮光部材48としては、CRT等で公知のブラックマトリクス構造を採用でき、一般に、黒色の金属、黒色の金属酸化物、又は、カーボンなどで構成される。黒色の金属酸化物としては、たとえば酸化ルテニウム、酸化クロム、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化モリブデン、酸化コバルト、酸化銅などが挙げられる。
以上説明したフェースプレート46とリアプレート30との周縁部分を枠部材42を介して接合することで、画像表示装置47を形成する。
以上説明したフェースプレート46とリアプレート30との周縁部分を枠部材42を介して接合することで、画像表示装置47を形成する。
このように形成した画像表示装置47に画像を表示する場合、高圧端子HVを介して電子放出素子よりも高電位となる電位Vaを供給するとともに、端子Dx、Dyを介して、行配線4と列配線2とに異なる電位を供給して、電子放出素子5に駆動電圧を与え、任意の電子放出素子5から電子を放出させる。電子放出素子5から放出された電子は、加速されて発光部材44に衝突する。これにより、発光部材44が選択的に励起されて発光し、画像が表示される。
以下、本発明における実施例について説明する。本実施例においては、図2の(a)に示した電子放出素子を備えたリアプレート30を用いて画像表示装置を作成した。尚、フェースプレート及び画像表示装置の全体構成については、上述の実施形態にて説明しているので、本実施例の特徴部分のみを説明する。尚、本実施例では、電子放出特性に優れるため、バック基板1上に絶縁部材を積層し、その側面に電子放出部、上面にゲートを形成した所謂、垂直型の電子放出素子を用いるが、本発明は垂直型の電子放出素子に限定されるものではない。
図5の(a)〜(d)及び図6の(e)〜(g)は本実施例のリアプレートの作成工程を示す図である。以下順を追って説明する。尚、図5,6は、図2の(a)のXX’線の位置における各工程での断面を示している。
(工程1)
基板1として青板ガラスを用意し、十分に洗浄した後、スパッタ法によって絶縁層21として厚さ300nmのSi3N4膜を堆積した。次にスパッタ法によって絶縁層22として厚さ20nmのSiO2膜を堆積した(図5の(a))。
基板1として青板ガラスを用意し、十分に洗浄した後、スパッタ法によって絶縁層21として厚さ300nmのSi3N4膜を堆積した。次にスパッタ法によって絶縁層22として厚さ20nmのSiO2膜を堆積した(図5の(a))。
(工程2)
次に、ポジ型フォトレジストをスピンコーティング法にて全面にコートした後、露光、現像して、レジストパターンを形成した。その後、パターニングしたフォトレジストをマスクとして、絶縁層22をパターニングした。(図5の(b))。
次に、ポジ型フォトレジストをスピンコーティング法にて全面にコートした後、露光、現像して、レジストパターンを形成した。その後、パターニングしたフォトレジストをマスクとして、絶縁層22をパターニングした。(図5の(b))。
(工程3)
次にスパッタ法によって、導電層23として30nmのTaNを堆積させた(図5の(c))。
次にスパッタ法によって、導電層23として30nmのTaNを堆積させた(図5の(c))。
(工程4)
次に、スパッタ法によって、Cuを3μmの厚さで堆積させた。さらに、その上にポジ型フォトレジストをスピンコーティング法にて全面コートした後、露光、現像して、レジストパターンを形成した。その後、パターニングしたフォトレジストをマスクとして、エッチング液でCuをエッチングし、幅20μmの列配線2を作成した。(図5の(d))。
次に、スパッタ法によって、Cuを3μmの厚さで堆積させた。さらに、その上にポジ型フォトレジストをスピンコーティング法にて全面コートした後、露光、現像して、レジストパターンを形成した。その後、パターニングしたフォトレジストをマスクとして、エッチング液でCuをエッチングし、幅20μmの列配線2を作成した。(図5の(d))。
(工程5)
次に、ポジ型フォトレジストをスピンコーティング法でコートした後、露光、現像し、レジストパターンを形成した。その後、パターニングしたフォトレジストをマスクとして、絶縁層21、絶縁層22、及び導電層23を、CF4ガスを用いてドライエッチング法によってパターニングした。このようにして、開口部25を形成し、絶縁部材22,23上に位置するTaNからなるゲート11を形成した。(図5の(e))。
次に、ポジ型フォトレジストをスピンコーティング法でコートした後、露光、現像し、レジストパターンを形成した。その後、パターニングしたフォトレジストをマスクとして、絶縁層21、絶縁層22、及び導電層23を、CF4ガスを用いてドライエッチング法によってパターニングした。このようにして、開口部25を形成し、絶縁部材22,23上に位置するTaNからなるゲート11を形成した。(図5の(e))。
(工程6)
次に、CVD法によって、基板全面にSiO2を3μm厚さとなるように堆積させた。
次に、CVD法によって、基板全面にSiO2を3μm厚さとなるように堆積させた。
その上に、電界めっき法で、Cuを10μmの厚さとなるように堆積させた。更にその上にポジ型フォトレジストをスピンコーティング法で形成し、露光、現像して、レジストパターンを形成した。パターニングしたフォトレジストをマスクとして、エッチング液でCuをエッチングし、幅250μmの行配線4を作成した。
更に、その上にネガ型フォトレジストをスピンコーティング法で形成し、露光、現像して、レジストパターンを形成した。
その上に、厚さ100nmのアモルファスシリコンを堆積させ、レジストパターンを剥離することで、アモルファスシリコンからなる帯電防止のための抵抗膜8を形成した。尚、抵抗膜8は、列配線2と重ならない部分で行配線4と積層させて、行配線4との接続部13を形成した。図には、破線で行配線4及びその上に位置する抵抗膜8の接続部13も示している(図6の(f))。
(工程7)
次に、上記工程6で形成したSiO2のうち、隣り合う行配線4と列配線2とによって囲まれた領域に対して、選択的にエッチングを施してパターニングし、SiO2からなる絶縁層3を形成した。尚、エッチング液としては、バッファーフッ酸(BHF)(LAL100/ステラケミファ社製)を用い、エッチング時間は11分間とした。尚、この時同時に開口部25における絶縁層22の側面も60nm程度エッチングされ、この結果、ノッチ部26を形成した(図6(g))。
次に、上記工程6で形成したSiO2のうち、隣り合う行配線4と列配線2とによって囲まれた領域に対して、選択的にエッチングを施してパターニングし、SiO2からなる絶縁層3を形成した。尚、エッチング液としては、バッファーフッ酸(BHF)(LAL100/ステラケミファ社製)を用い、エッチング時間は11分間とした。尚、この時同時に開口部25における絶縁層22の側面も60nm程度エッチングされ、この結果、ノッチ部26を形成した(図6(g))。
(工程8)
次に、斜方蒸着法によって、絶縁部材21の側面に、斜め45°上方からMoを30nmの厚さで堆積させた。次に、その上に、スピンコーティング法によって、ポジ型フォトレジストを形成し、露光、現像して、レジストパターンを形成した。その後、パターニングしたフォトレジストをマスクとして、CF4ガスを用いてMo膜をドライエッチングすることにより、カソード電極10を形成した(図6(h))。
次に、斜方蒸着法によって、絶縁部材21の側面に、斜め45°上方からMoを30nmの厚さで堆積させた。次に、その上に、スピンコーティング法によって、ポジ型フォトレジストを形成し、露光、現像して、レジストパターンを形成した。その後、パターニングしたフォトレジストをマスクとして、CF4ガスを用いてMo膜をドライエッチングすることにより、カソード電極10を形成した(図6(h))。
(画像表示装置の作製)
上記のようにして作成したリアプレートを用いて、上述の実施形態で述べた方法により、図1に示すような画像表示装置を作製した。尚、抵抗膜8の接続部13から列配線2との重なり部分までの距離Lは、18μm(絶縁層3の厚さT=3μmの6倍)、また抵抗膜8のシート抵抗値は、1×1012[Ω/□]であった。
上記のようにして作成したリアプレートを用いて、上述の実施形態で述べた方法により、図1に示すような画像表示装置を作製した。尚、抵抗膜8の接続部13から列配線2との重なり部分までの距離Lは、18μm(絶縁層3の厚さT=3μmの6倍)、また抵抗膜8のシート抵抗値は、1×1012[Ω/□]であった。
(比較例)
次に比較例として、図7に示す構造の電子放出素子を備えた画像表示装置を作製した。本比較例の電子放出素子は、抵抗膜8と行配線4との接続部を列配線2の真上に形成し、抵抗膜8の、行配線4との接続部から列配線2との重なり部分までの距離Lをほぼ0としている。また抵抗膜8と列配線2とが重なる面積が実施例1の構成と等しくなるように、領域Cにおいて、一部、抵抗膜8に開口を設けた。これらの点以外は、実施例1と同様の構成であり、作製方法も実施例1と同様であるため、説明を省略する。
次に比較例として、図7に示す構造の電子放出素子を備えた画像表示装置を作製した。本比較例の電子放出素子は、抵抗膜8と行配線4との接続部を列配線2の真上に形成し、抵抗膜8の、行配線4との接続部から列配線2との重なり部分までの距離Lをほぼ0としている。また抵抗膜8と列配線2とが重なる面積が実施例1の構成と等しくなるように、領域Cにおいて、一部、抵抗膜8に開口を設けた。これらの点以外は、実施例1と同様の構成であり、作製方法も実施例1と同様であるため、説明を省略する。
(評価結果)
以上のようにして作製した画像表示装置において、一対の電極であるカソード電極10とゲート電極11との間に、各配線を通じて電圧を印加した。具体的には、列配線2に印加した電圧は+10V、行配線4に印加した電圧は−10Vのパルス電圧である。また同時にフェースプレート46のメタルバック45には、10kVの直流高電圧を印加した。この駆動条件で画像表示装置を駆動したところ、実施例1の画像表示装置の1つの電子放出素子部分の静電容量をインピーダンスアナライザを用いて測定したところ、0.38pFであった。また表示中の画像に乱れはなく、十分な帯電防止機能を有していることが確認できた。
以上のようにして作製した画像表示装置において、一対の電極であるカソード電極10とゲート電極11との間に、各配線を通じて電圧を印加した。具体的には、列配線2に印加した電圧は+10V、行配線4に印加した電圧は−10Vのパルス電圧である。また同時にフェースプレート46のメタルバック45には、10kVの直流高電圧を印加した。この駆動条件で画像表示装置を駆動したところ、実施例1の画像表示装置の1つの電子放出素子部分の静電容量をインピーダンスアナライザを用いて測定したところ、0.38pFであった。また表示中の画像に乱れはなく、十分な帯電防止機能を有していることが確認できた。
一方、比較例の画像表示装置に対して、実施例1と同様の駆動条件で駆動を行ったところ、1つの電子放出素子部分の静電容量は0.41pFであり、実施例1に比較して、8%高い値であった。また、表示装置全体の消費電力では、実施例1に比べて約5%程高い値であった。また、駆動時間の経過と共に、電子放出素子から放出された電子ビームのスポットが広がる様子が観測された。以上のように、実施例1の構成が、静電容量の低減とそれに基づく消費電力の低減が図れると共に、良好な表示画像を提供できることが確認された。
2 列配線
3 絶縁層
4 行配線
5 電子放出素子
8 抵抗膜
10 カソード
11 ゲート
12 電子放出部
30 リアプレート
44 発光部材
45 アノード
46 フェースプレート
3 絶縁層
4 行配線
5 電子放出素子
8 抵抗膜
10 カソード
11 ゲート
12 電子放出部
30 リアプレート
44 発光部材
45 アノード
46 フェースプレート
Claims (2)
- それぞれが一対の電極と該一対の電極間に位置する電子放出部とを備える複数の電子放出素子と、前記複数の電子放出素子のそれぞれの一対の電極の一方を互いに接続する第一の配線と、前記複数の電子放出素子のそれぞれの一対の電極の他方を互いに接続する前記第一の配線よりも高抵抗な第二の配線と、前記第二の配線を覆う絶縁層と、前記第一の配線と接続し、一部が前記第二の配線と重なって前記絶縁層を覆う表面抵抗が108Ω/□以上の抵抗膜とを有するリアプレートと、
前記電子放出素子よりも高電位に規定されたアノードと、前記電子放出素子から放出された電子の照射を受けて発光する発光部材とを有するフェースプレートと、
を有する画像表示装置であって、
前記抵抗膜は前記第二の配線と重ならない部分で前記第一の配線と接続し、前記抵抗膜の該第一の配線と接続する部分と前記第二の配線と重なる部分との間の該抵抗膜の長さLが以下の関係を満たすことを特徴とする画像表示装置。
L≧5T
T:前記絶縁層の厚さ - 前記抵抗膜が帯電防止膜であることを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009289729A JP2011129485A (ja) | 2009-12-21 | 2009-12-21 | 画像表示装置 |
EP10189351A EP2337056A3 (en) | 2009-12-21 | 2010-10-29 | Image display apparatus |
CN2010105540258A CN102103964A (zh) | 2009-12-21 | 2010-11-19 | 图像显示装置 |
US12/972,343 US20110148946A1 (en) | 2009-12-21 | 2010-12-17 | Image display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009289729A JP2011129485A (ja) | 2009-12-21 | 2009-12-21 | 画像表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011129485A true JP2011129485A (ja) | 2011-06-30 |
Family
ID=43640433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009289729A Pending JP2011129485A (ja) | 2009-12-21 | 2009-12-21 | 画像表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110148946A1 (ja) |
EP (1) | EP2337056A3 (ja) |
JP (1) | JP2011129485A (ja) |
CN (1) | CN102103964A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011142044A (ja) * | 2010-01-08 | 2011-07-21 | Canon Inc | 画像表示装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002358874A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Canon Inc | 電子源及び画像形成装置の製造方法 |
US7755267B2 (en) * | 2004-06-03 | 2010-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emitting device having electroconductive thin film and high resistivity sheet |
JP4886184B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2012-02-29 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置 |
US20090153020A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display apparatus |
-
2009
- 2009-12-21 JP JP2009289729A patent/JP2011129485A/ja active Pending
-
2010
- 2010-10-29 EP EP10189351A patent/EP2337056A3/en not_active Withdrawn
- 2010-11-19 CN CN2010105540258A patent/CN102103964A/zh active Pending
- 2010-12-17 US US12/972,343 patent/US20110148946A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2337056A2 (en) | 2011-06-22 |
US20110148946A1 (en) | 2011-06-23 |
EP2337056A3 (en) | 2011-10-26 |
CN102103964A (zh) | 2011-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7276843B2 (en) | Electron-emitting device with electron blocking layer, electron source, and image-forming apparatus | |
US7435689B2 (en) | Process for fabricating electron emitting device, electron source, and image display device | |
US7982381B2 (en) | Electron source and image display apparatus | |
US20070018561A1 (en) | Electron-emitting device, electron source and display apparatus using the same device, and manufacturing methods of them | |
KR100235212B1 (ko) | 전계방출 캐소드 및 그 제조방법 | |
US20090284123A1 (en) | Electron-emitting device and image display apparatus | |
US20090284120A1 (en) | Electron emitter and image display apparatus | |
JP2011142044A (ja) | 画像表示装置 | |
JPH10134740A (ja) | 電界放出型表示素子 | |
US7075223B2 (en) | Electron beam apparatus with potential specifying plate structure | |
JP2011129485A (ja) | 画像表示装置 | |
US8093796B2 (en) | Electron beam apparatus and image display apparatus | |
JP3526462B2 (ja) | 電界放出型陰極装置 | |
US8344609B2 (en) | Image display apparatus including electron-emitting device | |
KR100378103B1 (ko) | 전자원, 화상 형성 장치 및 전자원 제조 방법 | |
JP2961477B2 (ja) | 電子放出素子、電子線発生装置及び画像形成装置の製造方法 | |
JP2850014B2 (ja) | 画像形成装置 | |
KR100724369B1 (ko) | 자외선 차폐층을 구비한 전계방출소자 및 그 제조 방법 | |
US8237345B2 (en) | Display apparatus with conductive frame | |
JP3044434B2 (ja) | 電子源の製造方法及び画像形成装置 | |
US20110084590A1 (en) | Electron-emitting device, electron beam apparatus and image display apparatus | |
JP2003109489A (ja) | 電子放出素子、電子源及び画像形成装置 | |
JP2010262892A (ja) | 電子線装置及びこれを用いた画像表示装置 | |
JP2012028213A (ja) | 画像表示装置 | |
JP2012003939A (ja) | 電子放出素子及びこれを用いた画像表示装置並びにこれらの製造方法 |